KR20070091743A

KR20070091743A - Wafer Coating Equipment

Info

Publication number: KR20070091743A
Application number: KR1020060021241A
Authority: KR
Inventors: 이현훈
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-03-07
Filing date: 2006-03-07
Publication date: 2007-09-12

Abstract

웨이퍼의 코팅 장치는 웨이퍼를 지지하고, 그 중앙에 중공이 형성되어 있는 회전척을 구비한다. 그리고 상기 회전척의 상부에 위치하며 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트 용액을 제공하는 노즐을 구비한다. 그리고 상기 회전척의 중공에 삽입되어 상기 중공에서 수평 이동할 수 있는 이동 간격을 갖도록 형성되어 있는 프리 얼라인척을 구비한다. 그리고 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치하며 상기 프리 얼라인척의 중앙에서 상기 웨이퍼의 벗어난 정보를 검출하는 센서부를 구비한다. 그리고 상기 프리 얼라인척의 하측에 구비되고, 상기 검출된 상기 웨이퍼의 벗어난 정보를 따라 상기 프리 얼라인척을 수평 이동시키는 구동부를 구비한다. 이로써, 웨이퍼의 에지 부위에 형성되는 포토레지스트 막이 소정의 측면으로 치우치지 않고 실질적으로 균일하게 코팅된다. The coating apparatus of a wafer supports a wafer and is provided with the rotary chuck in which the hollow is formed in the center. And a nozzle positioned above the rotary chuck to provide a photoresist solution on the surface of the wafer. And it is provided with a pre-aligned chuck is inserted into the hollow of the rotary chuck is formed to have a moving interval capable of horizontal movement in the hollow. And a sensor unit positioned at an edge of the wafer and detecting out-of- wafer information at the center of the pre-align chuck. And a driving unit provided below the pre-align chuck and horizontally moving the pre-align chuck along the detected deviation information of the wafer. As a result, the photoresist film formed on the edge portion of the wafer is coated substantially uniformly without biasing to a predetermined side surface.

Description

Coating device for wafers {APPARATUS FOR COATING OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a coating apparatus of a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치의 코팅 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a coating method of a coating apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 웨이퍼의 코팅 장치 110 : 회전척100: coating apparatus of wafer 110: rotary chuck

116 : 회전축 120 : 노즐116: rotation axis 120: nozzle

122 : 포토레지스트 용액 130 : 프리 얼라인척122: photoresist solution 130: pre-aligned chuck

134 : 프리 얼라인축 140 : 센서부134: pre-aligned shaft 140: sensor

144 : 발광 센서 146 : 수광 센서144 light emitting sensor 146 light receiving sensor

150 : 구동부 152 : 제1 모터150: driving unit 152: first motor

154 : 제2 모터 156 : 제3 모터154: second motor 156: third motor

158 : 제4 모터 160 : 제5 모터158: fourth motor 160: fifth motor

본 발명은 웨이퍼의 코팅 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 웨이퍼의 에지 부위에 형성되는 포토레지스트 막이 소정의 측면으로 치우치지 않고 실질적으로 균일하게 코팅되는 웨이퍼의 코팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coating apparatus for a wafer. More particularly, the present invention relates to a coating apparatus for a wafer, wherein a photoresist film formed at an edge portion of the wafer is coated substantially uniformly without biasing to a predetermined side surface.

일반적으로 반도체 장치는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.Generally, a semiconductor device includes a fabrication (FAB) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer, a process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process, and the semiconductor devices are each epoxy resin. It is manufactured through a package assembly process for encapsulation and individualization.

상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern using the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing impurities on the wafer, and a process for forming the film or pattern Inspection process for inspecting the surface;

상기와 같은 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하는 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막을 경화시키는 공정과, 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among the above-described unit processes, the photolithography process includes a coating process for forming a photoresist film on a wafer, a process for curing the photoresist film, and a predetermined portion for forming a desired photoresist pattern on the wafer. It includes an exposure process and a developing process to remove.

일반적으로 상기 포토레지스트 막을 형성하는 코팅 공정은 다음과 같이 형성된다. 먼저, 웨이퍼를 척 상에 올려놓은 다음, 상기 웨이퍼 상의 중심 부위에 포토 레지스트 용액을 공급하고, 상기 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 웨이퍼의 회전력에 의해 상기 웨이퍼 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액은 웨이퍼의 에지 부위로 밀려나면서 상기 웨이퍼 상에 전체적으로 균일하게 포토레지스트 막이 형성된다.In general, the coating process for forming the photoresist film is formed as follows. First, the wafer is placed on the chuck, then a photoresist solution is supplied to the center portion on the wafer, and the wafer is rotated. The photoresist solution supplied to the center portion on the wafer by the rotational force of the wafer is pushed to the edge portion of the wafer to form a photoresist film on the wafer as a whole.

상기 웨이퍼의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막은 후속 공정에서 박리될 수 있으며, 상기 에지 부위의 포토레지스트 막의 박리에 의해 발생된 파티클과 같은 오염 물질에 의해 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 발생될 수 있다.The photoresist film formed on the edge portion of the wafer may be peeled off in a subsequent process, and contamination of the wafer or contamination of the manufacturing process equipment may be caused by contaminants such as particles generated by the peeling of the photoresist film on the edge portion. have.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지 부위에 시너(thinner)를 분사하여 상기 에지 부위의 포토레지스트 막을 제거하는 EBR(edge bead removal) 공정이 사용된다. In order to solve this problem, an edge bead removal (EBR) process is used in which a thinner is sprayed on an edge portion of the wafer while rotating the wafer on which the photoresist layer is formed to remove the photoresist layer on the edge portion.

그러나 상기 코팅 공정에서 상기 척 상에 놓여진 상기 웨이퍼의 센터링(centering)이 부정확할 때, 상기 포토레지스트 막이 웨이퍼 에지 부위의 소정의 측면으로 치우치게 형성되고, 그 결과로 상기 웨이퍼의 뒷면으로 흘러들고, 후속의 EBR 공정 시에 제거가 안 된다. 상기 제거가 안 된 포토레지스트 막은 후속 공정에서 박리 되어 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 발생될 수 있다.However, when the centering of the wafer placed on the chuck in the coating process is inaccurate, the photoresist film is formed to be biased to a predetermined side of the wafer edge portion, resulting in flow to the back side of the wafer, and subsequent Can not be removed during the EBR process. The non-removed photoresist film may be peeled off in a subsequent process to cause contamination of the wafer or contamination of the manufacturing process equipment.

따라서 본 발명의 목적은 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위해 웨이퍼 상에 포토레지스트 용액을 제공하기 전에 척과 웨이퍼의 센터링을 수행하는 코팅 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a coating apparatus that performs centering of a chuck and a wafer before providing a photoresist solution on the wafer in order to solve the problems according to the prior art described above.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치는 웨이퍼를 지지하고, 그 중앙에 중공이 형성되어 있는 회전척을 구비한다. 그리고 상기 회전척의 상부에 위치하며 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트 용액을 제공하는 노즐을 구비한다. 그리고 상기 회전척의 중공에 삽입되어 상기 중공에서 수평 이동할 수 있는 이동 간격을 갖도록 형성되어 있는 프리 얼라인척을 구비한다. 그리고 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치하며 상기 프리 얼라인척의 중앙에서 상기 웨이퍼의 벗어난 정보를 검출하는 센서부를 구비한다. 그리고 상기 프리 얼라인척의 하측에 구비되고, 상기 검출된 상기 웨이퍼의 벗어난 정보를 따라 상기 프리 얼라인척을 수평 이동시키는 구동부를 구비한다. Coating apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is provided with a rotary chuck that supports the wafer, the hollow is formed in the center thereof. And a nozzle positioned above the rotary chuck to provide a photoresist solution on the surface of the wafer. And it is provided with a pre-aligned chuck is inserted into the hollow of the rotary chuck is formed to have a moving interval capable of horizontal movement in the hollow. And a sensor unit positioned at an edge of the wafer and detecting out-of- wafer information at the center of the pre-align chuck. And a driving unit provided below the pre-align chuck and horizontally moving the pre-align chuck along the detected deviation information of the wafer.

여기서 상기 센서부는 발광 센서와 수광 센서를 구비한다.The sensor unit includes a light emitting sensor and a light receiving sensor.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 포토레지스트 용액을 제공하기 전에 회전척과 웨이퍼의 센터링을 수행함으로써, 상기 웨이퍼의 에지 부위에 형성되는 포토레지스트 막이 소정의 측면으로 치우치지 않고 실질적으로 균일하게 코팅된다. 따라서 상기 포토레지스트 막에 의한 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 방지된다. According to the present invention as described above, by performing the rotation chuck and the centering of the wafer before providing the photoresist solution, the photoresist film formed on the edge portion of the wafer is coated substantially uniformly without biasing to a predetermined side surface. Therefore, contamination of the wafer or contamination of the manufacturing process equipment by the photoresist film is prevented.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a coating apparatus of a wafer according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치를 설명하기 위한 개 략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a coating apparatus of a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 웨이퍼의 코팅 장치(100)는 회전척(110), 노즐(120), 프리 얼라인척(130), 센서부(140) 및 구동부(150)를 구비한다. Referring to FIG. 1, the coating apparatus 100 of the wafer includes a rotary chuck 110, a nozzle 120, a pre-aligned chuck 130, a sensor unit 140, and a driving unit 150.

구체적으로, 상기 회전척(110)은 웨이퍼(W)를 지지하도록 구비된다. 그리고 상기 회전척(110)에는 중앙 부위에 중공(114)이 형성되어 있다. 여기서 상기 중공(114)의 지름의 사이즈는 후속에 설명되는 프리 얼라인척(130)의 지름 사이즈를 포함하여 상기 프리 얼라인척(130)이 수평으로 이동할 수 있는 이동 간격(A)을 예측하여 결정될 수 있다.Specifically, the rotary chuck 110 is provided to support the wafer (W). And the hollow chuck 110 is formed in the center portion of the rotary chuck 110. In this case, the size of the diameter of the hollow 114 may be determined by predicting a movement interval A through which the pre-align chuck 130 may move horizontally, including the diameter size of the pre-align chuck 130 described later. have.

그리고 회전축(116)이 상기 회전척(110)에 구동력을 전달하도록 형성되어 있다. And the rotating shaft 116 is formed to transmit a driving force to the rotary chuck 110.

그리고 상기 노즐(120)은 상기 회전척(110)의 상부에 위치하며 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트 용액(122)을 제공하도록 구비된다. 여기서 상기 노즐(120)은 대기 상태의 경우에 상기 웨이퍼의 측면에 위치하며, 상기 포토레지스트 용액(122)을 상기 웨이퍼에 공급할 경우에 상기 웨이퍼의 중앙으로 이동한다. 그리고 상기 노즐(120)은 상기 포토레지스트 용액(122)이 저장된 공급부, 예컨대 저장탱크(도시되지 않음)에 연결되어 있다. The nozzle 120 is positioned above the rotary chuck 110 and is provided to provide a photoresist solution 122 on the surface of the wafer. Here, the nozzle 120 is located at the side of the wafer in the standby state, and moves to the center of the wafer when the photoresist solution 122 is supplied to the wafer. The nozzle 120 is connected to a supply part in which the photoresist solution 122 is stored, for example, a storage tank (not shown).

그리고 상기 프리 얼라인척(130)은 상기 회전척(110)의 중공(114)에 삽입되어 상기 웨이퍼를 지지하도록 형성되어 있다. 그리고 상기 웨이퍼의 센터링 과정에서 상기 프리 얼라인척(130)이 상기 중공(114)에서 이동할 수 있는 이동 간격(A)을 갖도록 형성되어 있다. The pre-align chuck 130 is inserted into the hollow 114 of the rotary chuck 110 to support the wafer. In addition, the pre-align chuck 130 is formed to have a movement distance A that may move in the hollow 114 during the centering of the wafer.

그리고 상기 프리 얼라인축(134)은 그 일부가 상기 회전척(110)의 상기 중공(114)에 삽입되어 상기 프리 얼라인척(130)에 구동력을 전달하도록 형성되어 있다. A portion of the pre-aligner shaft 134 is inserted into the hollow 114 of the rotary chuck 110 to transmit a driving force to the pre-aligner chuck 130.

그리고 센서부(140)는 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치하며 상기 웨이퍼의 벗어난 정보 및 플랫존 또는 노치를 감지하도록 구비된다.The sensor unit 140 is located at an edge of the wafer and is provided to detect out of the wafer and a flat zone or notch.

구체적으로, 센서부(140)는 상기 웨이퍼가 상기 프리 얼라인척(130)에 로딩된 상태를 감지한다. 구체적으로, 상기 프리 얼라인척(130)에 로딩된 상기 웨이퍼가 상기 프리 얼라인척(130)의 중앙에서 벗어난 정보를 검출한다. 또한 상기 센서부(140)는 상기 웨이퍼의 플랫존 또는 노치를 감지한다. 이를 위하여 상기 센서부(140)는 상부 및 하부에 각각 센서를 구비한다. 즉 상기 웨이퍼의 에지 상부에는 발광 센서(144)가 구비되고, 상기 웨이퍼의 에지 하부에는 수광 센서(146)가 각각 구비된다. 상기 발광 센서(144)에서 광을 조사하고 상기 수광 센서(146)에서 상기 발광 센서(144)에서 조사된 광을 감지하게 된다. 따라서 상기 수광 센서(146)에서의 광 감지 여부에 따라 상기 웨이퍼가 상기 프리 얼라인척(130)의 중앙에서 벗어난 정보 및 플랫존 또는 노치의 위치를 확인할 수 있다. Specifically, the sensor unit 140 detects a state in which the wafer is loaded on the pre-align chuck 130. In detail, the wafer loaded on the pre-align chuck 130 detects information deviating from the center of the pre-align chuck 130. In addition, the sensor unit 140 detects the flat zone or notch of the wafer. To this end, the sensor unit 140 is provided with a sensor on the top and bottom, respectively. That is, a light emitting sensor 144 is provided on an edge of the wafer, and a light receiving sensor 146 is provided on an edge of the wafer. The light sensor 144 irradiates light, and the light sensor 146 detects light emitted from the light sensor 144. Therefore, according to whether the light is detected by the light receiving sensor 146, the wafer may be located at the center of the free alignment chuck 130 and the location of the flat zone or notch.

그리고 상기 구동부(150)는 제1 모터(152), 제2 모터(154), 제3 모터(156) 제4 모터(158) 및 제5 모터(160)를 구비한다. The driving unit 150 includes a first motor 152, a second motor 154, a third motor 156, a fourth motor 158, and a fifth motor 160.

구체적으로, 상기 제1 모터(152)는 상기 회전척(110)의 하측에 구비되고, 상기 회전척(110)을 상측 및 하측으로 이동시키는 구동력을 제공한다. Specifically, the first motor 152 is provided below the rotary chuck 110, and provides a driving force for moving the rotary chuck 110 upward and downward.

그리고 제2 모터(154)는 상기 회전척(110)의 하측에 구비되고, 상기 회전척(110)을 회전시키는 구동력을 제공한다. The second motor 154 is provided below the rotary chuck 110 and provides a driving force for rotating the rotary chuck 110.

이로써, 상기 회전척(110)에 의하여 지지되는 상기 웨이퍼가 상측 및 하측으로, 또는 회전하게 된다. As a result, the wafer supported by the rotary chuck 110 is rotated upwards or downwards.

그리고 제3 모터(156)는 상기 프리 얼라인척(130)에 구동력을 전달하는 프리 얼라인축(134)의 하측에 구비되고, 상기 구동력을 제공하여 상기 프리 얼라인척(130)을 상측 및 하측으로 이동시킨다. And the third motor 156 is provided on the lower side of the pre-aligner shaft 134 for transmitting the driving force to the pre-aligned chuck 130, and provides the driving force to move the pre-aligned chuck 130 up and down. Let's do it.

그리고 제4 모터(158)는 상기 프리 얼라인축(134)의 하측에 구비되고, 상기 웨이퍼를 회전시키는 구동력을 제공하여 상기 프리 얼라인척(130)을 회전시킨다. The fourth motor 158 is provided below the prealign shaft 134, and provides a driving force to rotate the wafer to rotate the prealign chuck 130.

그리고 제5 모터(160)는 상기 프리 얼라인축(134)의 하측에 구비되고, 상기 센서부(140)의 검출된 상기 웨이퍼의 벗어난 정보에 따라 상기 프리 얼라인척(130)을 수평 이동시키는 구동력을 제공한다.The fifth motor 160 is provided below the prealign shaft 134 and provides a driving force for horizontally moving the prealign chuck 130 according to the detected deviation information of the wafer of the sensor unit 140. to provide.

이하에서는, 상기 구성을 갖는 웨이퍼의 코팅 장치(100)의 코팅 방법을 상술한 도 1을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the coating method of the coating apparatus 100 of the wafer which has the said structure is demonstrated with reference to FIG. 1 mentioned above.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 코팅 장치의 코팅 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 2 is a flowchart illustrating a coating method of a coating apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 먼저, 상기 제3 모터(156)에 의하여 상기 프리 얼라인척(130)을 상승시킨다. Referring to FIG. 2, first, the pre-align chuck 130 is lifted by the third motor 156.

이어서 공정 암(도시하지 않음)이 포토레지스트 용액이 코팅될 웨이퍼(W)를 상기 웨이퍼의 코팅 장치(100)에 구비되는 상기 프리 얼라인척(130)에 로딩시킨다.(S110)Subsequently, a process arm (not shown) loads the wafer W on which the photoresist solution is to be coated onto the pre-align chuck 130 provided in the coating apparatus 100 of the wafer (S110).

계속하여 상기 제4 모터(158)에 의하여 상기 웨이퍼가 회전된다. 동시에 상 기 센서부(140)를 이용하여 상기 웨이퍼가 상기 프리 얼라인척(130)의 중앙에서 벗어난 정보를 검출한다.(S120) Subsequently, the wafer is rotated by the fourth motor 158. At the same time, using the sensor unit 140 detects the information that the wafer is out of the center of the pre-aligned chuck 130 (S120).

다음에 상기 검출된 벗어난 정보에 따라 상기 제5 모터(160)를 이용하여 상기 프리 얼라인척(130)을 수평 이동시킨다.(S130) Next, the pre-align chuck 130 is horizontally moved using the fifth motor 160 according to the detected deviation information (S130).

이로써, 상기 웨이퍼를 상기 회전척(110)의 중앙에 위치시키는 센터링 과정이 완료된다. As a result, the centering process of positioning the wafer at the center of the rotary chuck 110 is completed.

이어서 상기 센서부(140)를 이용하여 상기 웨이퍼의 플랫존 또는 노치를 검출한다.(S140)Subsequently, the flat zone or the notch of the wafer is detected using the sensor unit 140 (S140).

계속하여 상기 프리 얼라인척(130)을 하강시킨다. 동시에 상기 웨이퍼를 상기 회전척(110)에 로딩시킨다.(S150)Subsequently, the pre-align chuck 130 is lowered. At the same time, the wafer is loaded on the rotary chuck 110 (S150).

다음에 상기 회전척(110)을 제1 모터(152)에 의하여 상승시킨다. Next, the rotary chuck 110 is raised by the first motor 152.

이어서 상기 포토레지스트 용액(122)을 상기 웨이퍼의 중앙에 제공되도록 상기 노즐(120)을 상기 웨이퍼의 중앙으로 이동시킨다.(S160) Subsequently, the nozzle 120 is moved to the center of the wafer so that the photoresist solution 122 is provided at the center of the wafer.

다음에 상기 제2 모터(154)에 의하여 상기 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼 상에 상기 포토레지스트 용액(122)을 제공하여 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 코팅시킨다.(S170)Next, the photoresist solution 122 is provided on the wafer while the wafer is rotated by the second motor 154 to coat the photoresist film on the wafer (S170).

이러한 일련의 과정을 통하여 상기 웨이퍼의 에지 부위에 형성되는 포토레지스트 막이 소정의 측면으로 치우치지 않고 실질적으로 균일하게 코팅된다. Through this series of processes, the photoresist film formed on the edge portion of the wafer is coated substantially uniformly without biasing to a predetermined side surface.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 포토레지스트 용액을 제공하기 전에 회전척과 웨이퍼의 센터링을 수행함으로써, 상기 웨이퍼의 에지 부위에 형성되는 포토레지스트 막이 소정의 측면으로 치우치지 않고 실질적으로 균일하게 코팅된다. 따라서 상기 포토레지스트 막에 의한 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 방지된다. As described above, according to one preferred embodiment of the present invention, by performing the rotation chuck and the centering of the wafer prior to providing the photoresist solution, the photoresist film formed on the edge portion of the wafer is substantially not biased to a predetermined side surface. Uniformly coated. Therefore, contamination of the wafer or contamination of the manufacturing process equipment by the photoresist film is prevented.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims

A rotary chuck supporting the wafer and having a hollow formed in the center thereof;

A nozzle positioned above the rotary chuck to provide a photoresist solution on the surface of the wafer;

A pre-aligned chuck inserted into the hollow of the rotary chuck and formed to have a moving interval capable of horizontal movement in the hollow;

A sensor unit positioned at an edge of the wafer and detecting deviation information of the wafer from a center of the free alignment chuck; And

And a driving part provided below the pre-align chuck and horizontally moving the pre-align chuck according to the detected deviation of the wafer.

The apparatus of claim 1, wherein the sensor unit comprises a light emitting sensor and a light receiving sensor.