KR20070066421A - Temperature transfer apparatus having cooling plate equipped with fluid piping for cooling - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치를 갖는 테스트 챔버를 나타내는 개략도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a test chamber having a temperature conversion device according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치 및 테스트 트레이를 나타내는 사시도이다. 2 is a perspective view illustrating a temperature converter and a test tray according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치의 냉각 플레이트를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a cooling plate of a temperature conversion device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 종래와 본 발명에 따른 테스트 챔버에서의 반도체 소자의 온도 변화를 나타내는 그래프이다. 4 is a graph showing a temperature change of a semiconductor device in a test chamber according to the related art and the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 반도체 소자(semiconductor device)1: semiconductor device
5 : 테스트 트레이(test tray)5: test tray
6 : 트레이 프레임(tray frame)6: tray frame
7 : 인서트(insert)7: insert
10 : 테스트 챔버(test chamber)10: test chamber
12 : 내부 공간(inner space)12: inner space
20 : 히터 봉(heater pole)20: heater pole
30 : 액체질소 분사구(liquid nitrogen injection orifice)30: liquid nitrogen injection orifice
40 : 송풍 팬(ventilation fan)40: ventilation fan
50 : 공간 온도 센서(space temperature sensor)50: space temperature sensor
60 : 온도 변환 장치(temperature transfer apparatus)60: temperature transfer apparatus
62 : 가이드 바(guide bar)62: guide bar
70 : 가열 플레이트(heating plate)70: heating plate
72 : 열선(hot wire)72: hot wire
80 : 냉각 플레이트(cooling plate)80: cooling plate
82 : 냉각용 유체 배관(fluid piping for cooling)82: fluid piping for cooling
83 : 유입구(inflow orifice)83 inflow orifice
84 : 배출구(discharge orifice)84: discharge orifice
91 : 소자 온도 센서(device temperature sensor)91: device temperature sensor
93 : 제어 온도 센서(control temperature sensor)93: control temperature sensor
본 발명은 반도체 소자 테스트 장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 테스트하는 테스트 챔버에서 테스트 트레이에 탑재되어 있는 반도체 소자의 온도를 변환시키는 온도 변환 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device test equipment, and more particularly, to a temperature conversion device for converting a temperature of a semiconductor device mounted on a test tray in a test chamber for testing a semiconductor device.
일반적으로, 조립 공정(assembly process)이 완료된 반도체 소자들은 출하되기 전에 양품인지 또는 불량품인지의 여부를 판별하기 위한 테스트 공정(test process)을 거치게 된다. 테스트 핸들러(test handler)는 이러한 반도체 소자의 테스트 공정이 수행되는 장비이다. 이러한 테스트 핸들러는 트레이에 수납되어 있는 반도체 소자를 자동으로 이송시키면서 테스트 트레이에 탑재한 다음, 원하는 테스트를 실시한 후 양품 또는 불량품으로 분류하여 트레이에 언로딩(unloading)하는 과정을 순차적으로 수행하도록 구성된다. In general, semiconductor devices that have completed the assembly process are subjected to a test process to determine whether they are good or bad before being shipped. A test handler is a device in which a test process of such a semiconductor device is performed. Such a test handler is configured to perform a process of unloading the semiconductor device stored in the tray while automatically mounting it in the test tray, performing a desired test, classifying it as good or bad, and unloading the tray. .
최근에는, 반도체 소자가 이용되는 환경이 다양해짐에 따라서, 반도체 소자들이 상온에서 뿐만 아니라 고온 또는 저온의 온도 환경에서도 안정적으로 동작되도록 요구되고 있다. 이에 따라, 테스트 핸들러는 자체적으로 고온 또는 저온의 가혹 온도 조건을 조성하여 반도체 소자들의 동작에 대한 신뢰성 검증을 위한 테스트를 수행한다. 이러한 테스트 핸들러에 있어서, 반도체 소자에 대한 실질적인 테스트는 테스트 챔버에서 이루어진다. 테스트 챔버는 테스트 트레이에 탑재된 상태로 테스트 챔버 내부로 공급되는 반도체 소자를 일정 온도 조건 하에서 테스트한다. Recently, as the environment in which semiconductor devices are used is diversified, semiconductor devices are required to operate stably in high temperature or low temperature environments as well as at room temperature. Accordingly, the test handler creates a harsh temperature condition of high or low temperature by itself, and performs a test for verifying reliability of operation of the semiconductor devices. In such a test handler, a substantial test of the semiconductor device is made in the test chamber. The test chamber is mounted on the test tray to test the semiconductor device supplied into the test chamber under a certain temperature condition.
이러한 종래기술에 따른 테스트 챔버가 한국공개특허공보 제2003-0067798호에 개시되어 있다. 한국공개특허공보 제2003-0067798호에 개시된 테스트 챔버는 히터 봉, 액체질소 분사구 및 송풍 팬을 포함한다. 히터 봉은 열을 발생시킨다. 액체질소 분사구은 외부로부터 전송되는 액체질소(LN2)를 분사한다. 송풍 팬은 히터 봉 으로부터 발생되는 열 또는 액체질소 분사구에 의해 분사되는 액체질소(LN2)를 송풍한다. A test chamber according to the prior art is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0067798. The test chamber disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0067798 includes a heater rod, a liquid nitrogen injection port, and a blowing fan. The heater rods generate heat. The liquid nitrogen injection port injects liquid nitrogen LN 2 transmitted from the outside. The blowing fan blows liquid nitrogen (LN 2 ) injected by heat or liquid nitrogen injection holes generated from the heater rods.
또한, 종래기술에 따른 테스트 챔버는 온도 변환 장치를 더 포함할 수 있다. 온도 변환 장치는 내부에 열선이 배선되어 있는 전도성의 플레이트로서, 상승 또는 하강하여 테스트 챔버의 내부 공간으로 이송되는 반도체 소자에 접근한다. In addition, the test chamber according to the prior art may further include a temperature conversion device. The temperature converter is a conductive plate having a hot wire wired therein, and rises or falls to approach a semiconductor device transferred to an internal space of a test chamber.
이와 같은 구성을 갖는 테스트 챔버는, 반도체 소자에 대한 고온 테스트를 진행하는 경우, 반도체 소자에 온도 변환 장치를 접근시키는 동시에, 히터 봉으로부터 발생된 열을 송풍 팬에 의해 송풍함으로써 테스트 챔버의 내부 공간을 고온 상태로 만들어 반도체 소자를 가열한다. 또한 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하는 경우, 액체질소 분사봉에 의해 분사되는 액체질소(LN2)를 송풍 팬에 의해 송풍함으로써 테스트 챔버의 내부 공간을 저온 상태로 만들어 반도체 소자를 냉각한다. In the test chamber having such a configuration, when a high temperature test is performed on a semiconductor element, the temperature conversion device is brought close to the semiconductor element, and at the same time, the heat generated from the heater rod is blown by a blower fan, thereby reducing the internal space of the test chamber. The semiconductor device is heated to a high temperature. In addition, when the low temperature test of the semiconductor device is performed, the liquid nitrogen LN 2 injected by the liquid nitrogen jet rod is blown by a blowing fan to cool the semiconductor device by making the internal space of the test chamber low temperature.
그런데, 종래기술에 따른 테스트 챔버는, 예컨대, 고온 테스트가 진행됨에 따라서 약 75℃로 가열된 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하기 위해서, 반도체 소자가 약 -5℃가 되도록 냉각하는 데 약 56.7분이 소요된다. 즉, 테스트 챔버의 내부 공간을 저온 상태로 만드는 것만으로 고온의 반도체 소자를 저온으로 냉각하는 데에는 장시간이 소요된다. 이에 따라, 반도체 소자에 대한 생산성이 저하된다. However, the test chamber according to the related art has, for example, about 56.7 minutes to cool the semiconductor device to about −5 ° C. in order to perform a low temperature test on the semiconductor device heated to about 75 ° C. as the high temperature test proceeds. It takes That is, it takes a long time to cool a high temperature semiconductor element to low temperature only by making the internal space of a test chamber low temperature. As a result, productivity for the semiconductor device is lowered.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 소자에 대한 생산성이 증대되도록 고온 테스트가 완료된 고온의 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하기 위해서 반도체 소자를 저온으로 냉각하는 데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 냉각용 유체 배관이 설치된 냉각 플레이트를 갖는 온도 변환 장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a cooling fluid that can shorten the time required to cool a semiconductor device to a low temperature in order to perform a low temperature test on a high temperature semiconductor device having a high temperature test completed to increase productivity of the semiconductor device. It is to provide a temperature conversion device having a cooling plate provided with piping.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 소자를 테스트하는 테스트 챔버 내에서 테스트 트레이에 탑재되어 있는 반도체 소자의 온도를 접근을 통해 변환시키는 온도 변환 장치에 있어서, 내부에 열선이 배선되어 있는 전도성의 가열 플레이트 및 가열 플레이트의 하부에 위치하고, 외부의 냉각용 유체 공급원으로부터 공급되는 냉각용 유체의 통로가 되는 냉각용 유체 배관이 내부에 설치되어 있는 전도성의 냉각 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각용 유체 배관이 설치된 냉각 플레이트를 갖는 온도 변환 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a temperature conversion device for converting a temperature of a semiconductor device mounted on a test tray through an approach in a test chamber for testing a semiconductor device, the conductive wire having a heating wire inside A cooling fluid comprising a heating plate and a conductive cooling plate disposed therein, the cooling fluid pipe being disposed therein and serving as a passage of the cooling fluid supplied from an external cooling fluid source. Provided is a temperature conversion device having a cooling plate provided with piping.
본 발명에 따른 온도 변환 장치는, 냉각 플레이트에 설치되고, 냉각 플레이트와 일체로 반도체 소자에 접근하여 반도체 소자의 온도를 감지하는 적어도 하나 이상의 소자 온도 센서 및 소자 온도 센서와는 별도로 냉각 플레이트에 설치되고, 가열 플레이트 및 냉각 플레이트의 온도가 자동으로 제어되도록 냉각 플레이트의 온도를 감지하여 외부에 연결된 자동 제어 장치로 전달하는 적어도 하나 이상의 제어 온도 센서를 더 포함한다. The temperature conversion device according to the present invention is installed on the cooling plate, and is installed on the cooling plate separately from at least one device temperature sensor and the device temperature sensor to detect the temperature of the semiconductor device by accessing the semiconductor device integrally with the cooling plate. The apparatus may further include at least one control temperature sensor that senses the temperature of the cooling plate and transmits the temperature of the cooling plate to the automatic control device connected to the outside so that the temperature of the heating plate and the cooling plate is automatically controlled.
본 발명에 따른 온도 변환 장치에 있어서, 냉각용 유체는 액체질소일 수 있다. In the temperature conversion device according to the present invention, the cooling fluid may be liquid nitrogen.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치를 갖는 테스트 챔버를 나타내는 개략도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치 및 테스트 트레이를 나타내는 사시도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치의 냉각 플레이트를 나타내는 단면도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a test chamber having a temperature conversion device according to an embodiment of the present invention. 2 is a perspective view illustrating a temperature converter and a test tray according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view showing a cooling plate of a temperature conversion device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 테스트 챔버(10)는 테스트 트레이(5)에 탑재되어 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 이송되는 반도체 소자의 온도가 변환되도록 가열 또는 냉각하여 반도체 소자를 테스트한다. 이러한 테스트 챔버(10)는 온도 변환 장치(60), 히터 봉(20), 액체질소 분사구(30), 송풍 팬(40) 및 공간 온도 센서(50)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the
온도 변환 장치(60)는 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 이송된 테스트 트레이(5)의 상부에 위치하며, 가이드 바(62)를 통해 상승 또는 하강이 가능한 구조를 갖는다. 이러한 온도 변환 장치(60)는 테스트 트레이(5)에 탑재되어 있는 반도체 소자를 접근을 통해 가열 또는 냉각한다. The
히터 봉(20), 액체질소 분사구(30) 및 송풍 팬(40)은 테스트 챔버(10) 내부 공간(12)의 일측부에 위치한다. 히터 봉(20)은 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)의 온도가 상승하도록 열을 발생시킨다. 액체질소 분사구(30)는 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)의 온도가 하강하도록 외부로부터 전송되는 액체질소(LN2)를 테스트 챔 버(10)의 내부 공간(12)으로 분사한다. 송풍 팬(40)은 테스트 챔버(10) 내부 공간(12)의 온도 상승 또는 하강이 원활하게 이루어지도록 히터 봉(20)으로부터 발생되는 열 또는 액체질소 분사구(30)에 의해 분사되는 액체질소(LN2)를 송풍한다. 이러한 히터 봉(20), 액체질소 분사구(30) 및 송풍 팬(40)은 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)의 온도를 상승 또는 하강시켜 반도체 소자를 가열 또는 냉각한다. The
공간 온도 센서(50)는 히터 봉(20), 액체질소 분사구(30) 및 송풍 팬(40)의 맞은편에 위치하여, 히터 봉(20), 액체질소 분사구(30) 및 송풍 팬(40)에 의해 상승 또는 하강하는 테스트 챔버(10) 내부 공간(12)의 온도를 감지한다. 이러한 공간 온도 센서(50)에 의해 감지된 테스트 챔버(10) 내부 공간(12)의 온도는 테스트 챔버(10) 외부의 디스플레이 유닛(display unit;도시되지 않음)으로 전송되어 디스플레이된다. The
도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치(60)를 보다 상세하게 설명하면, 본 실시예의 온도 변환 장치(60)는 가열 플레이트(70) 및 냉각 플레이트(80)를 포함하며, 소자 온도 센서(91) 및 제어 온도 센서(93)를 더 포함한다. 2 and 3, the
가열 플레이트(70)는 전기적 에너지에 의해 발열하는 열선(72)이 내부에 배선되어 있다. 이 때, 열선(72)은 가열 플레이트(70)의 온도 제어가 용이하도록 두 부분으로 분할되어 형성될 수 있다. 이러한 가열 플레이트(70)는 열선(72)에 의해 균일하게 가열되도록 전도성의 물질로 이루어진다. The
냉각 플레이트(80)는 실질적으로 테스트 트레이(5)에 탑재되어 있는 반도체 소자(1)에 접근하는 부분으로서, 가열 플레이트(70)의 하부에 위치하며, 가열 플레이트(70)와 체결되어 가이드 바(62)를 통해 일체로 상승 또는 하강하도록 구성된다. 또한, 냉각 플레이트(80)는 냉각용 유체의 통로가 되는 냉각용 유체 배관(82)이 내부에 설치된 구조를 갖는다. 냉각용 유체 배관(82)의 양단은 외부의 냉각용 유체 공급원(도시되지 않음)으로부터 냉각용 유체가 공급되는 유입구(83)와 유입구(83)를 통해 유입된 냉각용 유체가 외부로 배출되는 배출구(84)로 이용된다. 이러한 냉각용 유체 배관(82)은 유입구(83)와 배출구(84)가 외부로 노출된 상태로 냉각용 유체가 냉각 플레이트(80)의 전면에 균일하게 분포되도록 배관된다. 이 때, 냉각용 유체 배관(82)은 냉각 플레이트(80)의 온도 제어가 용이하도록 두 부분으로 분할되어 형성될 수 있으며, 냉각용 유체로는 액체질소(LN2)가 사용될 수 있다. The cooling
이러한 냉각 플레이트(80)는 냉각용 유체 배관(82)을 따라서 흐르는 냉각용 유체에 의해 균일하게 냉각될 뿐만 아니라, 가열 플레이트(70)가 가열됨에 따라서 가열 플레이트(70)의 열을 전달받아 가열될 수 있도록, 전도성의 물질로 이루어진다. The cooling
소자 온도 센서(91)는 냉각 플레이트(80)에 적어도 하나 이상 설치된다. 소자 온도 센서(91)는, 냉각 플레이트(80)가 반도체 소자(1)에 접근하는 경우, 냉각 플레이트(80)와 일체로 반도체 소자(1)에 접근하여 반도체 소자(1)의 온도를 감지한다. 이러한 소자 온도 센서(91)에 의해 감지된 반도체 소자(1)의 온도는 테스트 챔버(10) 외부의 디스플레이 유닛(도시되지 않음)으로 전송되어 디스플레이된다. At least one
제어 온도 센서(93)는 소자 온도 센서(91)와는 별도로 냉각 플레이트(80)에 적어도 하나 이상 설치된다. 제어 온도 센서(93)는, 냉각 플레이트(80)가 반도체 소자(1)에 접근하는 경우, 냉각 플레이트(80)의 온도 변화를 감지한다. 이러한 제어 온도 센서(93)는 가열 플레이트(70) 및 냉각 플레이트(80)의 온도가 자동으로 제어되도록 감지한 냉각 플레이트(80)의 변화된 온도를 외부에 연결된 자동 제어 장치(도시되지 않음)로 전송한다. At least one
한편, 이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 온도 변환 장치(60)를 갖는 테스트 챔버(10) 내에서의 반도체 소자(1) 테스트 방법을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Meanwhile, a method of testing a semiconductor device 1 in a
먼저, 반도체 소자(1)가 이송되는 단계가 진행된다. 즉, 조립 공정이 완료된 반도체 소자(1)들이 테스트 트레이(5)에 탑재된 상태로 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 이송된다. 이 때, 테스트 트레이(5)는 트레이 프레임(6)에 복수개의 인서트(7)가 설치되어 있는 구조를 가지며, 각각의 인서트(7)에는 한 개의 반도체 소자(1)가 수용된다. First, a step in which the semiconductor device 1 is transferred is performed. That is, the semiconductor devices 1 in which the assembly process is completed are transferred to the internal space 12 of the
이어서, 반도체 소자(1)를 고온 테스트하는 단계가 진행된다. 즉, 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 테스트 트레이(5)가 이송되면, 히터 봉(20) 및 송풍 팬(40)이 작동하여 히터 봉(20)으로부터 발생되는 열을 송풍 팬(40)이 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 송풍함으로써, 테스트 챔버(120)의 내부 공간(12)을 고온 상태로 만든다. 이와 동시에, 온도 변환 장치(60)가 하강하여 테스트 트레이(5) 에 탑재되어 있는 반도체 소자(1)에 접근하며, 가열 플레이트(70)의 열선(72)을 발열시켜 가열 플레이트(70)를 가열한다. 이에 따라, 고온 상태의 내부 공간(12)으로부터 열을 전달받고, 가열 플레이트(70)로부터 냉각 플레이트(80)를 통해 열을 전달받음으로써, 반도체 소자(1)가 가열된다. 이와 같이 가열된 반도체 소자(1)는 테스트 트레이(5)와 접속하는 테스트 소켓(도시되지 않음)을 통해 테스트된다. Subsequently, a high temperature test of the semiconductor device 1 proceeds. That is, when the
계속해서, 반도체 소자(1)를 저온 테스트하는 단계가 진행되다. 즉, 반도체 소자(1)에 대한 고온 테스트가 완료되면, 액체질소 분사구(30)와 송풍 팬(40)이 작동하여 액체질소 분사구(30)로부터 분사되는 액체질소(LN2)를 송풍 팬(40)이 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로 송풍함으로써, 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)을 저온 상태로 만든다. 이와 동시에, 온도 변환 장치(60)가 반도체 소자(1)에 접근하고 있는 상태로, 냉각 플레이트(80)의 냉각용 유체 배관(82)으로 냉각용 유체를 순환시켜 냉각 플레이트(80)를 냉각한다. 이에 따라, 저온 상태의 내부 공간(12)으로 열을 전달하고, 냉각 플레이트(80)로 열을 전달함으로써, 반도체 소자(1)가 냉각된다. 이와 같이 냉각된 반도체 소자(1)는 테스트 트레이(5)와 접속하는 테스트 소켓(도시되지 않음)을 통해 테스트된다. Subsequently, a low temperature test of the semiconductor device 1 proceeds. That is, when the high temperature test for the semiconductor device 1 is completed, the liquid
마지막으로, 반도체 소자(1)가 배출되는 단계가 진행된다. 즉, 반도체 소자(1)에 대한 저온 테스트가 완료되면, 온도 변환 장치(60)가 상승하고, 테스트 트레이(5)에 탑재되어 있는 반도체 소자(1)가 테스트 챔버(10)의 내부 공간(12)으로부터 외부로 배출된다. 이 때, 배출된 반도체 소자(1)들은 고온 및 저온 테스트의 결 과에 따라 분류 적재된다. Finally, the step of discharging the semiconductor device 1 proceeds. That is, when the low temperature test on the semiconductor device 1 is completed, the
이 때, 본 발명에 따른 테스트 챔버는, 전술한 바와 같이, 반도체 소자를 냉각함으로써, 예컨대, 고온 테스트가 진행됨에 따라서 약 75℃로 가열된 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하기 위해서, 반도체 소자가 약 -5℃가 되도록 냉각하는 데 약 17분이 소요된다. At this time, the test chamber according to the present invention, as described above, by cooling the semiconductor device, for example, in order to conduct a low temperature test on the semiconductor device heated to about 75 ℃ as the high temperature test proceeds, It takes about 17 minutes to cool to about -5 ° C.
한편, 전술한 실시예에서는 냉각용 유체에 의하여 냉각되는 냉각 플레이트에 대해서 개시하였지만, 다양한 냉매에 의하여 냉각되는 냉각 플레이트를 이용하여 본 발명에 따른 온도 변환 장치를 구현할 수 있다. 예컨대, 냉매로 냉각수, 냉각 공기 및 열전소자 등이 사용될 수 있다. Meanwhile, in the above-described embodiment, the cooling plate cooled by the cooling fluid is disclosed, but the temperature conversion device according to the present invention may be implemented by using the cooling plate cooled by various refrigerants. For example, cooling water, cooling air, and a thermoelectric element may be used as the refrigerant.
냉매로 냉각수가 사용되는 경우, 냉각 플레이트는 내부에 빈 공간이 형성된 구조를 가지며, 외부의 냉동기와 연결된다. 이러한 냉각 플레이트는 빈 공간으로 냉동기로부터 냉각된 냉각수가 분사됨에 따라서 냉각된다. 즉, 반도체 소자에 대한 고온 테스트가 완료되면, 냉각수가 냉각 플레이트의 빈 공간으로 분사되면서 주위의 열을 흡수하여 기화되고, 이에 따라 냉각 플레이트가 냉각된다. 이 때, 기화된 냉각수는 다시 냉동기로 돌아가서 압축되어 액화된다. When the coolant is used as the refrigerant, the cooling plate has a structure in which an empty space is formed therein and is connected to an external freezer. This cooling plate is cooled as the cooling water cooled from the freezer is injected into the empty space. That is, when the high temperature test for the semiconductor element is completed, the cooling water is injected into the empty space of the cooling plate to absorb the surrounding heat and vaporize, thereby cooling the cooling plate. At this time, the vaporized cooling water is returned to the refrigerator and compressed to liquefy.
그리고, 냉매로 냉각 공기가 사용되는 경우, 냉각 플레이트는 내부에 빈 공간이 형성된 구조를 가지며, 외부의 냉각 공기 공급원과 연결된다. 이러한 냉각 플레이트는 빈 공간으로 냉각된 공기가 공급됨에 따라서 냉각된다. In addition, when cooling air is used as the refrigerant, the cooling plate has a structure in which an empty space is formed therein and is connected to an external cooling air source. This cooling plate is cooled as air cooled to the empty space is supplied.
또한, 냉매로 열전소자가 사용되는 경우, 냉각 플레이트는 모듈화된 열전소자가 설치된 플레이트의 형태를 갖는다. 이러한 냉각 플레이트는 열전소자의 펠티 어 현상(peltier effect)에 의해 나타나는 냉각 효과에 의하여 냉각된다. In addition, when a thermoelectric element is used as the refrigerant, the cooling plate has a form of a plate provided with a modular thermoelectric element. The cooling plate is cooled by the cooling effect caused by the peltier effect of the thermoelectric element.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면, 반도체 소자에 대한 고온 테스트를 진행하는 경우, 테스트 챔버의 내부 공간을 고온 상태로 만드는 동시에 가열된 온도 변환 장치를 반도체 소자에 접근시킴으로써, 반도체 소자를 가열하고, 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하는 경우, 테스트 챔버의 내부 공간을 저온 상태로 만들어 반도체 소자를 냉각할 뿐만 아니라, 냉각된 온도 변환 장치를 반도체 소자에 접근시킴으로써, 반도체 소자를 냉각시켜 고온 테스트가 완료된 고온의 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하기 위해서 반도체 소자를 저온으로 냉각하는 데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. Therefore, according to the structure of the present invention, when performing a high temperature test on a semiconductor element, the internal space of the test chamber is made high temperature and at the same time the heated temperature conversion device approaches the semiconductor element, thereby heating the semiconductor element, When a low temperature test is performed on the device, the internal space of the test chamber is cooled to a low temperature to cool the semiconductor device, and the cooled temperature converter is approached to the semiconductor device to cool the semiconductor device, thereby completing the high temperature test. In order to perform a low temperature test on a semiconductor device, the time required to cool the semiconductor device to a low temperature can be shortened.
예컨대, 테스트 챔버에 있어서, 고온 테스트가 진행됨에 따라서 약 75℃로 가열된 반도체 소자에 대한 저온 테스트를 진행하기 위해서, 반도체 소자가 약 -5℃가 되도록 냉각하는 데 소요되는 시간이, 도 4에 도시된 바와 같이, 종래에는 약 56.7분이었던 것에 반해, 본 발명에 따른 테스트 챔버에서는 약 17분으로 약 39.7분이 단축될 수 있다. For example, in the test chamber, in order to conduct a low temperature test on a semiconductor device heated to about 75 ° C. as the high temperature test proceeds, the time required to cool the semiconductor device to about −5 ° C. is shown in FIG. 4. As shown, in the conventional test chamber according to the present invention, about 39.7 minutes can be shortened to about 17 minutes, as shown.
이와 같이, 고온의 반도체 소자를 저온으로 냉각하는 데 소요되는 시간이 단축됨으로써, 반도체 소자에 대한 생산성이 증대될 수 있다. As such, the time required for cooling the high temperature semiconductor element to a low temperature can be shortened, thereby increasing productivity for the semiconductor element.
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2005
- 2005-12-22 KR KR1020050127567A patent/KR20070066421A/en not_active Application Discontinuation
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