KR20070046648A

KR20070046648A - 전자 방출 소자

Info

Publication number: KR20070046648A
Application number: KR1020050103511A
Authority: KR
Inventors: 서형철
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-10-31
Filing date: 2005-10-31
Publication date: 2007-05-03
Also published as: JP4502981B2; JP2007128852A; US7291965B1; EP1780757A2; US20070159054A1; CN1959914A; CN1959914B; EP1780757A3

Abstract

본 발명은 비유효 영역에서의 기판 응력을 줄이고, 배기 과정에서 스페이서에 가해지는 충격에 의한 스페이서 깨짐을 억제할 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되며 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판 및 제2 기판과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성하는 측면 격벽과, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 유효 영역을 가로지르며 위치하는 벽체(wall)형 스페이서들과, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비유효 영역에 위치하고 각 스페이서의 단부가 삽입되도록 하는 홈부를 형성하며 스페이서의 높이와 같거나 이보다 큰 높이를 가지는 스페이서 지지체를 포함한다.

스페이서, 스페이서지지체, 형광층, 캐소드전극, 게이트전극, 애노드전극

Description

전자 방출 소자 {ELECTORN EMISSION DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 절개 평면도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.

도 3은 도 1에 도시한 스페이서와 스페이서 지지체의 사시도이다.

도 4는 스페이서 지지체의 제1 변형예와 스페이서를 도시한 사시도이다.

도 5와 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 소자에서 배기 과정을 도시한 개략 단면도이다.

도 7은 스페이서 지지체의 제2 변형예와 스페이서를 도시한 사시도이다.

도 8은 스페이서 지지체의 제2 변형예가 적용된 전자 방출 소자를 도시한 부분 절개 평면도이다.

본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부에 장착되어 제1 기판과 제2 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 다수의 스페이서를 구비하는 전자 방출 소자에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulation-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulation-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.

상기 SCE형 전자 방출 소자는 일측 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 형성하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

그리고 상기 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 카본 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.

이러한 전자 방출 소자들은 기본적으로 제1 기판 및 제2 기판과, 두 기판의 가장자리를 둘러싸 내부 공간을 형성하는 측면 격벽으로 이루어지며, 내부 공간은 전자들의 방출과 이동이 원활하게 이루어지도록 진공 상태로 유지된다.

제1 기판에는 전자 방출부와 전자 방출을 제어하는 구동 전극들이 구비되고, 제2 기판에는 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 양호하게 가속되도록 하는 애노드 전극이 구비된다. 이로써 전자 방출 소자는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 가시광을 내게 함으로써 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.

상기한 전자 방출 소자는 내부가 진공 상태로 유지되고 외부에는 대기압이 작용하고 있으므로 내부와 외부의 압력 차이에 의해 진공 용기가 파손될 우려가 있다. 이러한 파손을 방지하기 위해, 통상의 전자 방출 소자는 제1 기판과 제2 기판 사이에 다수의 스페이서를 설치하고 있다.

스페이서들은 진공 용기에 가해지는 압력을 지지하여 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 역할을 한다. 이러한 스페이서들은 주로 접착층을 이용해 제1 기판과 제2 기판 중 어느 한 기판에 부착되며, 전자 방출부들과 형광층이 위치하는 유효 영역 내에 배치된다.

그런데 이러한 전자 방출 소자는, 제1 기판과 제2 기판 및 측면 격벽을 상호 접합시킨 다음 배기구를 통해 내부 공간을 배기시켜 진공화할 때, 접착층 없이 상호 이격되어 있던 스페이서와 일측 기판이 배기 압력에 의해 상호 밀착되면서 스페이서에 충격이 가해지게 되고, 이 충격에 의해 스페이서가 깨지는 불량이 발생할 수 있다.

또한, 전자 방출 소자는 유효 영역과 측면 격벽의 사이 공간으로 실제 표시에 기여하지 않는 비유효 영역을 구비하는데, 배기 후 기판들에 가해지는 응력 분포를 살펴보면, 제1 기판과 제2 기판은 유효 영역보다 비유효 영역에서 더 큰 응력 세기를 나타낸다. 이는 비유효 영역에서 두 기판의 압력을 지지해주는 구조물이 없기 때문이다. 따라서 비유효 영역에서의 큰 응력 분포에 의해 진공 용기에 크랙이 발생할 우려가 있다.

또한, 종래 스페이서들은 접착층을 이용해 기판에 부착되므로 기판에 대한 고정력이 약한 편이다. 따라서, 내부 공간을 배기시키는 과정에서 일부 스페이서들이 기울어지거나 탈락하는 현상이 발생하여 진공 용기에 가해지는 압력을 균일하게 지지하기 어렵게 되고, 기울어진 스페이서들이 전자빔 경로를 차단하여 표시 특성을 저하시킬 우려가 있다.

더욱이 스페이서의 한 종류인 벽체(wall)형 스페이서는 단면의 종횡비가 크고 길이가 큰 형상적 특성에 의해 휨에 약한 성질을 가진다. 이로써 벽체형 스페이서를 구비한 전자 방출 소자에서는 배기 후 스페이서가 쉽게 휘어지거나 기울어지는 문제가 발생하게 된다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 배기 과정에서 충격에 의한 스페이서의 깨짐을 억제하고, 비유효 영역의 응력을 줄이며, 기판에 대한 스페이서의 고정력을 높일 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되며 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판 및 제2 기판과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성하는 측면 격벽과, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 유효 영역을 가로지르며 위치하는 벽체(wall)형 스페이서들과, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비유효 영역에 위치하고 각 스페이서의 단부가 삽입되도록 하는 홈부를 형성하며 스페이서의 높이와 같거나 이보다 큰 높이를 가지는 스페이서 지지체를 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.

상기 스페이서와 스페이서 지지체의 높이 차이는 스페이서 높이의 0.1배 이하로 이루어진다.

상기 스페이서 지지체는 스페이서 각각에 대응하여 각 스페이서 양단에 한 쌍으로 구비되거나, 상기 홈부를 복수개 형성하며 비유효 영역 전체에서 한 쌍으로 구비된다.

상기 스페이서를 사이에 두고 위치하는 한 쌍의 홈부 사이의 이격 거리는 스페이서의 길이보다 크게 형성된다.

상기 스페이서 지지체는 접착제에 의해 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 결합된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되며 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유 효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판의 유효 영역에 형성되는 전자 방출 유닛과, 제2 기판의 유효 영역에 형성되는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판 및 제2 기판과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성하는 측면 격벽과, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 유효 영역을 가로지르며 위치하는 벽체형 스페이서들과, 제1 기판과 제2 기판 사이의 비유효 영역에 위치하고 각 스페이서의 단부가 삽입되도록 하는 홈부를 형성하며 스페이서보다 큰 높이를 가지는 스페이서 지지체를 포함하며, 스페이서와 스페이서 지지체의 높이 차이가 스페이서 높이의 0.1배 이하인 전자 방출 소자를 제공한다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 절개 평면도와 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 소정의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 측면 격벽(6)이 배치되어 이 기판들(2, 4)과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성한다. 이로써 양 기판(2, 4)과 측면 격벽(6)이 진공 용기를 구성한다.

제1 기판(2)에는 전자 방출 유닛(8)이 제공되어 제2 기판(4)을 향해 전자들을 방출하고, 제2 기판(4)에는 상기 전자들에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 발광 유닛(10)이 제공된다. 도 2에서는 일례로 FEA형 전자 방출 소자에 적용되는 전자 방출 유닛과 발광 유닛의 구성을 도시하였다. 도 2를 참고하여 FEA형 전자 방출 소자의 내부 구조를 간략하게 살펴보면 다음과 같다.

전자 방출 유닛(8)은, 제1 기판(2) 위에서 제1 기판(2)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들(12)과, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 형성되는 절연층(14)과, 절연층(14) 위에서 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들(16)과, 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16)의 교차 영역마다 캐소드 전극들(12) 위에 형성되는 전자 방출부들(18)을 포함한다. 게이트 전극들(16)과 절연층(14)에는 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(18)가 노출되도록 하는 각각의 개구부(161, 141)가 마련된다.

전자 방출부(18)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 다른 한편으로, 전자 방출부(18)는 몰리브덴 또는 실리콘 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물(도시하지 않음)로 이루어질 수 있다.

그리고 발광 유닛(10)은, 제2 기판(4) 위에 형성되는 형광층들(20)과, 각 형광층(20) 사이에 위치하는 흑색층(22)과, 형광층들(20)과 흑색층(22) 위에 형성되며 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(24)을 포함한다. 각 형광층(20)은 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16)간 교차 영역에 대응하여 위치한다. 애노드 전극(24)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(20)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.

전자 방출 유닛(8)과 발광 유닛(10)의 구성은 도시한 예에 한정되지 않으며, 본 실시예의 전자 방출 소자 또한 FEA형에 한정되지 않고 SCE형과 MIM형 및 MIS형 등 다양하게 적용 가능하다.

이와 같이 제1 기판(2)과 제2 기판(4)에 각각 전자 방출 유닛(8)과 발광 유닛(10)이 제공되어 실제 발광 또는 화상 표시가 이루어지는 영역을 유효 영역(26)이라 하면, 유효 영역(26)의 외곽을 따라 유효 영역(26)과 측면 격벽(6) 사이로 비유효 영역(28)이 설정된다. 비유효 영역(28)에는 도시하지 않은 배기구와 전극 배선들 및 게터 등이 위치한다.

전술한 구조에서 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 다수의 벽체(wall)형 스페이서(30)가 유효 영역(26)을 가로지르며 위치하고, 스페이서(30)의 단부가 삽입되도록 하는 홈부(32)를 구비한 스페이서 지지체들(34)이 비유효 영역(28)에 위치하여 스페이서(30)를 지지한다.

도 3은 벽체형 스페이서와 스페이서 지지체의 사시도이다.

도면을 참고하면, 스페이서(30)는 유효 영역(26)의 장축 또는 단축 방향 길이보다 큰 길이를 가지며 형성되고, 유효 영역(26)의 장축 또는 단축 방향을 따라 유효 영역(26)을 가로지르며 위치한다. 도 1에서는 일례로 스페이서들(30)이 유효 영역(26)의 장축 방향을 따라 유효 영역(26)을 가로지르며 위치하는 경우를 도시하였다. 이 때, 스페이서(30)는 그 폭이 충분히 작아 화면 상에 보이지 않아야 하며, 전자빔 이동과 형광층 발광에 방해를 주지 않도록 게이트 전극들(16) 사이 부위와 흑색층(22)에 대응하여 배치된다.

스페이서 지지체(34)는 하나의 스페이서(30)에 대해 이의 양 단부를 고정시키도록 한 쌍으로 구비되고, 유효 영역(26)을 향한 일측에 스페이서(30) 단부가 끼워지는 홈부(32)를 형성하여 스페이서(30)의 양 단부를 잡아주는 홀더(holder) 역할을 한다. 스페이서 지지체(34)는 접착제를 이용해 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 접착되며, 스페이서(30)는 양단이 스페이서 지지체(34)에 삽입되어 위치 고정이 이루어진다.

이러한 스페이서 지지체(34)는 그 높이가 스페이서(30)의 높이와 같거나 이보다 크게 이루어져 전술한 홀더 기능과 더불어 비유효 영역(28)에서 기판들(2, 4)에 가해지는 압력을 지지하는 역할을 한다. 스페이서 지지체(34)가 스페이서(30)와 동일 높이로 형성되는 경우를 도 3에 도시하였고, 스페이서 지지체(34')가 스페이서(30)보다 큰 높이로 형성되는 경우를 도 4에 도시하였다.

이와 같이 스페이서 지지체(34, 34')가 스페이서(30) 이상의 높이로 형성됨에 따라, 유효 영역(26)에서 스페이서들(30)이 양 기판(2, 4)에 가해지는 압력을 지지하듯이 스페이서 지지체(34, 34')가 비유효 영역(28)에서 양 기판(2, 4)에 가해지는 압력을 지지하여 비유효 영역(28)에서의 응력 증가를 억제한다. 이로써 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 배기 후에도 안정된 상태를 유지하며, 유효 영역(26)과 비유효 영역(28)에서의 응력 차이를 최소화할 수 있다.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이 스페이서 지지체(34')가 스페이서(30)보다 큰 높이를 가지는 경우에는 스페이서 지지체(34')가 배기 과정에서 스페이서(30)에 가해지는 충격을 완화시키는 역할을 한다.

도 5를 참고하면, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 중 어느 일 기판, 일례로 제1 기판(2) 상에 스페이서(30)와 스페이서 지지체(34')를 위치시키고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 측면 격벽(6)을 일체로 봉착시킨 후 배기구(도시하지 않음)를 통해 소자 내부를 배기시키면, 가장 먼저 제2 기판(4)이 스페이서 지지체(34')에 밀착되면서 스페이서 지지체(34')에 1차로 충격이 가해진다. 이어서 도 6을 참고하면, 배기가 진행될수록 소자 내부와 외부의 압력 차이에 의해 제2 기판(4)이 스페이서와(30)도 밀착되면서 스페이서(30)에 2차로 충격이 가해진다. 도 5와 도 6에서 압력이 가해지는 위치와 방향을 화살표로 나타내었다.

이와 같이 배기 과정에서 스페이서(30) 대신 스페이서 지지체(34')에 1차 충격이 가해짐에 따라, 스페이서 지지체(34')가 스페이서(30)에 가해지는 충격을 완화시킨다. 따라서, 배기 과정에서 가해지는 충격에 의한 스페이서(30)의 깨짐이나 기울어짐 등을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 때, 스페이서 지지체(34')와 스페이서(30)의 높이 차이는 스페이서(30) 높이의 0.1배를 넘지 않는 것이 바람직하다.

한편, 스페이서 지지체(34, 34')는 스페이서(30)와 달리 비유효 영역(28)에 위치하므로 그 폭을 확대시키는데 큰 제약을 받지 않는다. 이로써 스페이서 지지체(34, 34')는 전자 방출 소자의 무게 증가를 크게 유발하지 않는 선에서 최대의 폭을 가지며 형성될 수 있다.

상기한 관점에서 스페이서 지지체는 도 7에 도시한 바와 같이 다수의 홈부 (32)를 가지며 유효 영역(26)의 장축 또는 단축 방향을 따라 길게 형성되는 단일체 구성으로 이루어질 수 있다. 이 구조의 스페이서 지지체(34")가 비유효 영역(28)에 가해지는 압력을 지지하는데 더욱 효과적이다. 도 8에 유효 영역(26)의 단축 방향과 나란히 배치되는 단일체 구성의 스페이서 지지체들(34")과, 이 스페이서 지지체들(34")에 끼워지는 스페이서들(30)을 도시하였다.

한편, 도 3을 통해 알 수 있듯이, 하나의 스페이서(30)에 대응하는 한 쌍의 스페이서 지지체들(34)은 홈부(32)간 이격 거리를 스페이서(30)의 길이보다 크게 형성하여 스페이서(30)가 자신의 길이 방향을 따라 이동 가능한 여유를 갖도록 한다. 그러면 스페이서(30)가 고온에서 팽창하더라도 홈부(32)의 여유 공간으로 팽창하여 스페이서(30)의 파손을 방지할 수 있다.

스페이서(30)는 세라믹, 유리, 유리-세라믹 혼합물, 세라믹 테이프, 세라믹 시이트 또는 세라믹 강화 유리 등으로 형성하며, 스페이서 지지체(34)는 스페이서(30)와 열팽창 계수가 유사하거나 동일한 물질, 바람직하게 스페이서(30)와 동일한 물질로 형성한다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 전술한 스페이서 지지체에 의해 휨 특성이 약한 벽체형 스페이서를 효과적으로 지지할 수 있으며, 비유효 영역에서 양 기판에 가해지는 압력을 지지하여 비유효 영역에서의 응력 증가를 억제할 수 있다. 또한, 스페이서 지지체가 배기 과정에서 스페이서에 가해지는 충격을 완화시킴에 따라, 충격에 의한 스페이서의 깨짐을 방지할 수 있다. 이러한 효과들을 하나의 부재, 즉 스페이서 지지체를 이용하여 용이하게 달성할 수 있다.

Claims

서로 대향 배치되며, 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과;

상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판 및 제2 기판과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성하는 측면 격벽과;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에서 상기 유효 영역을 가로지르며 위치하는 벽체(wall)형 스페이서들; 및

상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 비유효 영역에 위치하고, 상기 각 스페이서의 단부가 삽입되도록 하는 홈부를 형성하며, 상기 스페이서의 높이와 같거나 이보다 큰 높이를 가지는 스페이서 지지체

를 포함하는 전자 방출 소자.
제1항에 있어서,

상기 스페이서와 상기 스페이서 지지체의 높이 차이가 스페이서 높이의 0.1배 이하인 전자 방출 소자.
제1항에 있어서,

상기 스페이서 지지체가 상기 스페이서 각각에 대응하여 각 스페이서 양단에 한 쌍으로 구비되는 전자 방출 소자.
제1항에 있어서,

상기 스페이서 지지체가 상기 홈부를 복수개 형성하며, 상기 비유효 영역 전체에서 한 쌍으로 구비되는 전자 방출 소자.
제1항에 있어서,

상기 스페이서를 사이에 두고 위치하는 한 쌍의 홈부 사이의 이격 거리가 스페이서의 길이보다 크게 형성되는 전자 방출 소자.
제1항에 있어서,

상기 스페이서 지지체가 접착제에 의해 상기 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판에 결합되는 전자 방출 소자.
서로 대향 배치되며, 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과;

상기 제1 기판의 유효 영역에 형성되는 전자 방출 유닛과;

상기 제2 기판의 유효 영역에 형성되는 발광 유닛과;

상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판 및 제2 기판과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성하는 측면 격벽과;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에서 상기 유효 영역을 가로지르며 위치하는 벽체(wall)형 스페이서들; 및

상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 비유효 영역에 위치하고, 상기 각 스페이서의 단부가 삽입되도록 하는 홈부를 형성하며, 스페이서보다 큰 높이를 가지는 스페이서 지지체를 포함하며,

상기 스페이서와 상기 스페이서 지지체의 높이 차이가 스페이서 높이의 0.1배 이하인 전자 방출 소자.