KR20070044308A - Top-emitting oled - Google Patents
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Abstract
유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 제 1 화소영역을 구비하는 기판을 갖는다. 상기 제 1 화소영역 상에 광반사전극인 제 1 애노드가 위치한다. 상기 제 1 애노드 상에 레이저 열전사법을 사용하여 형성된 제 1 정공주입층이 위치한다. 상기 제 1 정공주입층 상에 제 1 발광층이 위치한다. 상기 제 1 발광층 상에 캐소드가 위치한다.An organic electroluminescent device is provided. The organic light emitting diode has a substrate having a first pixel region. A first anode, which is a light reflection electrode, is positioned on the first pixel region. A first hole injection layer is formed on the first anode using a laser thermal transfer method. A first light emitting layer is positioned on the first hole injection layer. A cathode is positioned on the first light emitting layer.
유기전계발광소자, 정공주입층, 레이저 열전사법 Organic light emitting device, hole injection layer, laser thermal transfer method
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.
도 3은 실험예들 및 비교예에 따른 유기전계발광소자들의 휘도 특성들을 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing luminance characteristics of organic light emitting diodes according to Experimental Examples and Comparative Examples.
도 4는 실험예들 및 비교예에 따른 유기전계발광소자들의 전류밀도 특성들을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing current density characteristics of organic light emitting diodes according to Experimental Examples and Comparative Examples.
도 5는 실험예들 및 비교예에 따른 유기전계발광소자들의 수명 특성들을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing lifespan characteristics of organic light emitting diodes according to Experimental Examples and Comparative Examples.
<도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100 : 기판 110, 113, 115 : 애노드100:
110a, 113a, 115a : 반사막 110b, 113b, 115b : 투명도전막110a, 113a, and 115a:
120a, 125a : 제 1 정공주입층 120b, 125b : 제 2 정공주입층120a, 125a: first
125c : 제 3 정공주입층125c: third hole injection layer
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전면발광형 유기전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly to a top light emitting organic light emitting device.
일반적으로 유기전계발광소자는 자발광형 표시소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 갖고 있어 차세대 표시장치(display)로서 각광받고 있다.In general, the organic light emitting display device is a self-luminous display device, which has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.
일반적인 유기전계발광소자는 애노드, 상기 애노드 상에 위치하는 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 위치하는 캐소드를 포함한다. 상기 애노드와 상기 캐소드 간에 전압을 인가하면 정공은 상기 애노드로부터 상기 유기발광층 내로 주입되고, 전자는 상기 캐소드로부터 상기 유기발광층내로 주입된다. 상기 유기발광층 내로 주입된 정공과 전자는 상기 유기발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출한다.A general organic electroluminescent device includes an anode, an organic light emitting layer positioned on the anode, and a cathode located on the organic light emitting layer. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes are injected from the anode into the organic light emitting layer, and electrons are injected from the cathode into the organic light emitting layer. Holes and electrons injected into the organic light emitting layer combine in the organic light emitting layer to generate excitons, and the excitons emit light while transitioning from the excited state to the ground state.
이러한 유기전계발광소자에 있어서, 상기 애노드는 반사형 즉, 빛을 반사하도록 형성하고 상기 캐소드는 투과형 즉, 빛을 투과하도록 형성함으로써, 상기 유기발광층으로부터 방출되는 빛을 상기 캐소드 방향으로 방출시키는 전면발광형 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.In such an organic light emitting device, the anode is formed to reflect light, that is, the cathode is formed of a transmission type, that is to transmit light, so that the light emitted from the organic light emitting layer to emit light toward the cathode direction It is possible to manufacture a type organic electroluminescent device.
이러한 전면발광형 유기전계발광소자에 있어서, 상기 반사형 애노드로는 반사특성이 우수하고 적절한 일함수를 가지는 도전물질이 적당하나, 이러한 특성들을 동시에 만족하고 적용가능한 단일물질은 현재 없다고 보여진다. 따라서, 현재 상기 반사형 애노드를 반사막과 투명도전막의 다층구조로 형성함으로써, 상기 특성들을 만족시키고 있다. 이 경우, 상기 반사막과 상기 투명도전막 사이에는 일함수 차이에 따른 산화반응으로 인해 산화막이 생성될 수 있다. 상기 산화막은 상기 반사막과 상기 투명도전막 사이의 전류이동을 방해할 수 있다. 그 결과, 유기전계발광소자의 휘도 감소 및 수명 감소가 발생할 수 있다.In such a top emission type organic electroluminescent device, a conductive material having an excellent reflection characteristic and an appropriate work function is suitable as the reflective anode, but there is currently no single material that satisfies these characteristics and is applicable. Therefore, the above characteristics are satisfied by forming the reflective anode in a multilayer structure of a reflective film and a transparent conductive film. In this case, an oxide film may be formed between the reflective film and the transparent conductive film due to an oxidation reaction according to a work function difference. The oxide film may interfere with current flow between the reflective film and the transparent conductive film. As a result, a decrease in luminance and a decrease in lifespan of the organic light emitting display device may occur.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 휘도 및 수명특성이 개선된 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.The technical problem to be achieved by the present invention is to solve the problems of the prior art, to provide an organic light emitting device having improved brightness and life characteristics.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 제 1 화소영역을 구비하는 기판을 갖는다. 상기 제 1 화소영역 상에 광반사전극인 제 1 애노드가 위치한다. 상기 제 1 애노드 상에 레이저 열전사법을 사용하여 형성된 제 1 정공주입층이 위치한다. 상기 제 1 정공주입층 상에 제 1 발광층이 위치한다. 상기 제 1 발광층 상에 캐소드가 위치한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an organic light emitting display device. The organic light emitting diode has a substrate having a first pixel region. A first anode, which is a light reflection electrode, is positioned on the first pixel region. A first hole injection layer is formed on the first anode using a laser thermal transfer method. A first light emitting layer is positioned on the first hole injection layer. A cathode is positioned on the first light emitting layer.
상기 애노드는 반사막과 투명도전막의 이중층을 구비할 수 있다. 상기 반사막은 알루미늄막, 은막, 알루미늄 합금막 또는 은합금막일 수 있고, 상기 투명도전막은 ITO막 또는 IZO막일 수 있다. 한편, 상기 캐소드는 광투과형 캐소드인 것이 바람직하다.The anode may include a double layer of a reflective film and a transparent conductive film. The reflective film may be an aluminum film, a silver film, an aluminum alloy film, or a silver alloy film, and the transparent conductive film may be an ITO film or an IZO film. On the other hand, the cathode is preferably a light transmitting cathode.
상기 기판은 제 2 화소영역을 더 구비할 수 있다. 이 때, 상기 제 2 화소영역 상에 제 2 애노드가 위치한다. 상기 제 1 정공주입층 및 상기 제 2 애노드 상에 제 2 정공주입층이 위치한다. 상기 제 2 정공주입층 상에 상기 제 2 애노드에 대응하여 제 2 발광층이 위치한다. 이 경우, 상기 캐소드는 상기 발광층들 상에 위치한다. 나아가, 상기 제 1 화소영역은 적색 화소영역이고, 상기 제 2 화소영역은 청색 또는 녹색 화소영역인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 정공주입층은 진공증착법 또는 스핀코팅법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. The substrate may further include a second pixel area. In this case, a second anode is positioned on the second pixel area. A second hole injection layer is positioned on the first hole injection layer and the second anode. A second light emitting layer is positioned on the second hole injection layer corresponding to the second anode. In this case, the cathode is located on the light emitting layers. Further, the first pixel area is a red pixel area, and the second pixel area is a blue or green pixel area. In addition, the second hole injection layer is preferably formed using a vacuum deposition method or a spin coating method.
이와는 달리, 상기 기판은 제 2 화소영역을 더 포함하고, 상기 제 2 화소영역 상에 제 2 애노드가 위치하며, 상기 제 2 애노드 상에 레이저 열전사법에 의해 형성된 제 2 정공주입층이 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제 2 정공주입층 상에 제 2 발광층이 위치한다. 나아가, 상기 기판은 제 3 화소영역을 더 구비하고, 상기 제 3 화소영역 상에 제 3 애노드가 위치하고, 상기 제 1 정공주입층, 상기 제 2 정공주입층 및 상기 제 3 애노드 상에 제 3 정공주입층이 위치하며, 상기 제 3 정공주입층 상에 상기 제 3 애노드에 대응하여 제 3 발광층이 위치할 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 화소영역은 적색 화소영역이고, 상기 제 2 화소영역은 녹색 화소영역이고, 상기 제 3 화소영역은 청색 화소영역인 것이 바람직하다. 나아가, 상기 제 1 정공주입층은 상기 제 2 정공주입층에 비해 두꺼운 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 3 정공주입층은 진공증착법 또는 스핀코팅법을 사용하여 형성된 것이 바람직하다. Alternatively, the substrate may further include a second pixel region, a second anode may be located on the second pixel region, and a second hole injection layer formed by laser thermal transfer may be located on the second anode. have. In this case, a second light emitting layer is positioned on the second hole injection layer. Furthermore, the substrate further includes a third pixel region, wherein a third anode is positioned on the third pixel region, and a third hole is formed on the first hole injection layer, the second hole injection layer, and the third anode. An injection layer may be positioned, and a third emission layer may be positioned on the third hole injection layer corresponding to the third anode. In this case, it is preferable that the first pixel area is a red pixel area, the second pixel area is a green pixel area, and the third pixel area is a blue pixel area. Further, the first hole injection layer is preferably thicker than the second hole injection layer. In addition, the third hole injection layer is preferably formed using a vacuum deposition method or a spin coating method.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히 려 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to describe the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to enable the disclosed contents to be thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In the figures, where a layer is said to be "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Like numbers refer to like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 제 1 화소영역(A)을 구비하는 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 제 2 화소영역(B)을 더 구비할 수 있다. 나아가, 상기 기판(100)은 제 3 화소영역(C)을 더 구비할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 화소영역들(A, B, C)은 서로 다른 색을 나타내는 화소영역들 일 수 있다.Referring to FIG. 1, a
상기 화소영역들(A, B, C) 상에 광반사전극인 제 1 애노드(110), 제 2 애노드(113) 및 제 3 애노드(115)를 각각 형성한다. 상기 광반사전극인 각 애노드(110, 113, 115)는 반사막(110a, 113a, 115a)과 상기 반사막(110a, 113a, 115a) 상에 위치하는 투명도전막(110b, 113b, 115b)의 이중층을 구비할 수 있다. 나아가, 상기 반사막(110a, 113a, 115a) 하부에 다른 투명도전막을 더 구비할 수 있다. 상기 반사막(110a, 113a, 115a)은 알루미늄막, 은막, 알루미늄 합금막 또는 은 합금막일 수 있다. 상기 알루미늄 합금막은 알루미늄-네오디늄(AlNd)막일 수 있다. 또한, 상기 투명도전막(110b, 113b, 115b)은 ITO(Indium Tin Oxide)막 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)막일 수 있다.The
상기 제 1 애노드(110) 상에 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)법을 사용하여 제 1 정공주입층(120a)을 형성한다. 상기 레이저 열전사법을 사용하여 상기 제 1 정공주입층(120a)을 형성하는 것을 자세하게 설명하면 다음과 같다. 먼저, 상기 제 1 정공주입층(120a)을 형성하기 위한 도너필름을 준비한다. 상기 도너필름을 준비하는 것은 기재필름 상에 광-열 변환층을 형성하고, 상기 광-열 변환층 상에 정공주입층용 전사층을 형성함으로써 실시한다. 이어서, 전사층을 구비하는 도너필름을 상기 애노드들(110, 113, 115)을 구비하는 기판(100) 상에 상기 전사층이 상기 기판(100)을 바라보도록 위치시킨 후, 상기 기재필름 상에 레이저를 조사함으로써, 상기 전사층을 상기 제 1 애노드(110) 상으로 전사시킨다. 그 결과, 상기 제 1 애노드(110) 상에 제 1 정공주입층(120a)이 형성된다.The first
이어서, 상기 제 1 정공주입층(120a), 상기 제 2 애노드(113) 및 상기 제 3 애노드(115) 상에 제 2 정공주입층(120b)을 형성할 수 있다. 상기 제 2 정공주입층(120b)을 형성하는 것은 진공증착법 또는 스핀코팅법을 사용하여 형성할 수 있다. 이로써, 상기 모든 화소영역들(A, B, C) 상에 상기 제 2 정공주입층(120b)을 형성할 수 있다. 상기 제 1 정공주입층(120a) 및 상기 제 2 정공주입층(120b)은 CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자재료과 PANI, PEDOT와 같은 고분자재료 중에서 선택되는 하나를 사용하여 형성할 수 있다.Subsequently, a second
상기 제 2 정공주입층(120b) 상에 상기 제 1 애노드(110)에 대응하는 제 1 발광층(140A), 상기 제 2 애노드(113)에 대응하는 제 2 발광층(140B) 및 상기 제 3 애노드(115)에 제 3 발광층(140C)을 형성한다. 상기 발광층들(140A, 140B, 140C)을 각 단위화소영역 별로 형성하는 것은 고정세 마스크(fine metal mask)를 이용한 진공증착법 또는 레이저 열전사법을 사용하여 수행할 수 있다.The first
상기 발광층들(140A, 140B, 140C)을 형성하기 전에, 상기 제 2 정공주입층(120b) 상에 정공수송층(130)을 더 형성할 수 있다. 상기 정공주입층(130)을 형성하는 것은 스핀코팅법 또는 진공증착법을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 정공수송층(130)은 상기 기판(100)의 모든 단위화소영역에 걸쳐 형성된다. 상기 정공수송층(130)은 NPB, NPD, TPD, s-TAD, MTADATA등의 저분자재료와 PVK와 같은 고분자재료 중에서 선택되는 하나를 사용하여 형성할 수 있다.Before forming the emission layers 140A, 140B, and 140C, a
상기 발광층들(140A, 140B, 140C) 상에 전자수송층(150)을 형성하고, 상기 전자수송층(150) 상에 전자주입층(160)을 형성할 수 있다. 이와는 달리, 상기 전자수송층(150)과 상기 전자주입층(160) 중 어느 하나를 생략할 수도 있다. 상기 전자수송층(150)은 PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자재료와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자재료 중에서 선택되는 하나를 사용하여 형성할 수 있고, 상기 전자주입층(160)은 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD, LiF 중에서 선택되는 하나를 사용하여 형성할 수 있다.The
이어서, 상기 전자주입층(160) 상에 캐소드(170)를 형성한다. 즉, 상기 캐소드(170)는 상기 발광층들(140A, 140B, 140C) 상에 공통적으로 위치할 수 있다. 상기 캐소드(170)는 광투과형 캐소드인 것이 바람직하다. 이로써, 상기 발광층들 (140A, 140B, 140C)에서 방출된 광은 상기 캐소드(170)를 통해 기판 상부로 방출될 수 있다. 이러한 광투과형 캐소드(170)는 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 또는 이들의 합금을 사용하여 형성하되, 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께로 형성한다.Subsequently, a
상기 각 애노드(110, 113, 115), 상기 각 발광층(140A, 140B, 140C), 상기 캐소드(170) 및 상기 애노드(110, 113, 115)와 상기 캐소드(170) 사이에 개재된 여러 유기막들(120a, 120b, 130, 150, 160)은 유기전계발광소자를 형성한다.The
상기 제 1 애노드(110) 상에 레이저 열전사법을 사용하여 상기 제 1 정공주입층(120a)을 형성함으로써, 상기 제 1 화소영역(A) 상에 형성된 유기전계발광소자의 구동전압, 발광효율, 전류밀도 및 수명특성을 개선할 수 있다. 이는 상기 레이저 열전사법을 사용하여 상기 제 1 정공주입층(120a)을 형성하는 과정에서 발생되는 열로 인해 상기 반사막(110a)과 상기 투명도전막(110b) 사이에 형성된 산화막이 파괴됨에 기인하는 현상 또는 상기 레이저 열전사법을 사용하여 상기 제 1 정공주입층(120a)을 형성하는 과정에서 상기 광반사막인 제 1 애노드(110)와 상기 제 1 정공주입층(120a) 사이의 계면특성의 향상으로 인한 현상으로 추측할 수 있다.By forming the first
나아가, 상기 제 1 애노드(110) 상에 제 1 정공주입층(120a)을 형성하고, 상기 제 1 정공주입층(120a), 상기 제 2 애노드(113) 및 상기 제 3 애노드(115) 상에 제 2 정공주입층(120b)을 형성함으로써, 제 1 발광층(140A)과 상기 제 1 애노드(110) 사이의 광경로, 자세하게는 제 1 발광층(140A)과 상기 반사막(110a) 사이의 광경로를 상기 제 2 발광층(140B)과 상기 반사막(113a) 사이의 광경로 또는 상기 제 3 발광층(140C)과 상기 반사막(115a)사이의 광경로에 비해 길게 형성할 수 있 다. 이 경우, 상기 제 1 발광층(140A)은 적색 발광층일 수 있다. 또한, 상기 제 2 발광층(140B)과 상기 제 3 발광층(140C) 중 어느 하나는 녹색 발광층이고, 나머지 하나는 청색 발광층일 수 있다. 즉, 상기 제 1 화소영역(A)은 적색 화소영역이고, 상기 제 2 화소영역(B)과 상기 제 3 화소영역(C) 중 하나는 녹색 화소영역일 수 있고, 나머지 하나는 청색 화소영역일 수 있다. 이로써, 광 파장이 긴 적색의 경우 광경로를 길게 형성할 수 있고, 그 결과, 적색 유기전계발광소자의 색순도를 향상시킬 수 있다.Furthermore, a first
이 경우, 상기 제 1 정공주입층(120a)의 두께는 상기 제 1 발광층(140A)과 상기 반사막(110a) 사이의 광학적 거리가 상기 제 1 발광층(140A)에서 방출되는 파장의 n/2배(n은 정수)가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 적색 유기전계발광소자의 색순도를 최적화할 수 있다.In this case, the thickness of the first
또한, 상기 제 2 정공주입층(120b)을 스핀코팅법 또는 기상증착법을 사용하여 기판 전면에 형성함으로써, 모든 화소영역의 정공주입층을 레이저 열전사법으로 패터닝하는 경우에 비해 용이하게 각 유기전계발광소자 별로 광경로를 다르게 형성할 수 있다.In addition, by forming the second
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 후술하는 것을 제외하고는 도 1을 참조하여 설명한 유기전계발광표시장치와 동일할 수 있다.2 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment may be the same as the organic light emitting display device described with reference to FIG. 1 except for the following description.
도 2를 참조하면, 제 1 화소영역(A) 및 제 2 화소영역(B)을 구비하는 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 제 3 화소영역(C)을 더 구비할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 화소영역들(A, B, C)은 서로 다른 색을 나타내는 화소영역들 일 수 있다.Referring to FIG. 2, a
상기 화소영역들(A, B, C) 상에 광반사전극인 제 1 애노드(110), 제 2 애노드(113) 및 제 3 애노드(115)를 각각 형성한다.The
제 1 애노드(110) 상에 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)법을 사용하여 제 1 정공주입층(125a)을 형성한다. 또한, 제 2 애노드(113) 상에 레이저 열전사법을 사용하여 제 2 정공주입층(125b)을 형성한다. 상기 제 1 정공주입층(125a)과 상기 제 2 정공주입층(125b)은 서로 다른 두께를 갖도록 형성할 수 있다.The first
이어서, 상기 제 1 정공주입층(125a), 상기 제 2 정공주입층(125b) 및 상기 제 3 애노드(115) 상에 제 3 정공주입층(125c)을 형성할 수 있다. 상기 제 3 정공주입층(125c)을 형성하는 것은 진공증착법 또는 스핀코팅법을 사용하여 형성할 수 있다. 이로써, 상기 모든 화소영역들(A, B, C) 상에 상기 제 3 정공주입층(125c)을 형성할 수 있다.Subsequently, a third
상기 제 3 정공주입층(125c) 상에 상기 제 1 애노드(110)에 대응하는 제 1 발광층(140A), 상기 제 2 애노드(113)에 대응하는 제 2 발광층(140B) 및 상기 제 3 애노드(115)에 제 3 발광층(140C)을 형성한다.The first
상기 발광층들(140A, 140B, 140C)을 형성하기 전에, 상기 제 3 정공주입층(125c) 상에 정공수송층(130)을 더 형성할 수 있다.Before forming the
상기 발광층들(140A, 140B, 140C) 상에 전자수송층(150)을 형성하고, 상기 전자수송층(150) 상에 전자주입층(160)을 형성할 수 있다. 이와는 달리, 상기 전자수송층(150)과 상기 전자주입층(160) 중 어느 하나를 생략할 수도 있다. 이어서, 상기 전자주입층(160) 상에 캐소드(170)를 형성한다.The
상기 각 애노드(110, 113, 115), 상기 각 발광층(140A, 140B, 140C), 상기 캐소드(170) 및 상기 애노드(110, 113, 115)와 상기 캐소드(170) 사이에 개재된 여러 유기막들(125a, 125b, 125c, 130, 150, 160)은 유기전계발광소자를 형성한다.The
상기 제 1 애노드(110) 및 상기 제 2 애노드(113) 상에 레이저 열전사법을 사용하여 상기 제 1 정공주입층(125a) 및 상기 제 2 정공주입층(125b)을 형성함으로써, 상기 제 1 화소영역(A) 및 상기 제 2 화소영역(B) 상에 형성된 유기전계발광소자들의 구동전압, 발광효율, 전류밀도 및 수명특성을 개선할 수 있다.The first pixel is formed on the
나아가, 상기 제 1 애노드(110) 및 상기 제 2 애노드(113) 상에 상기 제 1 정공주입층(125a) 및 상기 제 2 정공주입층(125b)을 각각 형성하고, 상기 제 1 정공주입층(125a), 상기 제 2 정공주입층(125b) 및 상기 제 3 애노드(115) 상에 제 3 정공주입층(125c)을 형성함으로써, 상기 제 1 발광층(140A)과 상기 제 1 애노드(110) 사이의 광경로, 자세하게는 상기 제 1 발광층(140A)과 상기 반사막(110a) 사이의 광경로 및 상기 제 2 발광층(140B)과 상기 반사막(113a) 사이의 광경로를 상기 제 3 발광층(140C)과 상기 반사막(115a)사이의 광경로에 비해 길게 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 발광층(140A)은 적색 발광층이고, 상기 제 2 발광층(140B)은 녹색 발광층이고, 상기 제 3 발광층(140C)은 청색 발광층일 수 있다. 즉, 상기 제 1 화소영역(A)은 적색 화소영역이고, 상기 제 2 화소영역(B)은 녹색 화소 영역이고, 상기 제 3 화소영역(C)은 청색 화소영역일 수 있다.Further, the first
바람직하게는 상기 제 1 정공주입층(125a)의 두께를 상기 제 2 정공주입층(125b)의 두께에 비해 크게 형성함으로써, 광 파장이 긴 화소일 수록 광경로를 길게 형성할 수 있고, 그 결과, 각 유기전계발광소자들의 색순도를 향상시킬 수 있다.Preferably, the thickness of the first
이 경우, 상기 제 1 정공주입층(125a)의 두께는 상기 제 1 발광층(140A)과 상기 반사막(110a) 사이의 광학적 거리가 상기 제 1 발광층(140A)에서 방출되는 파장의 n/2배(n은 정수)가 되도록 형성하고, 상기 제 2 정공주입층(125b)의 두께는 상기 제 2 발광층(140B)과 상기 반사막(113a) 사이의 광학적 거리가 상기 제 2 발광층(140B)에서 방출되는 파장의 n/2배(n은 정수)가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 적색 및 녹색 유기전계발광소자들의 색순도를 최적화할 수 있다.In this case, the thickness of the first
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples are provided to aid the understanding of the present invention. However, the following experimental examples are only for helping understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the following experimental examples.
<실험예 1>Experimental Example 1
(1) 적색 유기전계발광소자의 제조(1) Fabrication of Red Organic Light Emitting Diode
기판 상에 ITO를 사용하여 2㎜ × 2㎜의 면적을 갖는 애노드를 형성하고, 이 를 초음파 세정 및 UV-O3 처리하였다. 상기 UV-O3 처리된 애노드 상에 레이저 열전사법을 사용하여 600Å의 두께의 정공주입층을 형성하였다. 이 때, 레이저의 스켄속도는 0.8m/s였다. 상기 정공주입층은 TDATA(4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine)을 사용하여 형성하였다. 상기 정공주입층 상에 α-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) 를 300Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상에 아로마틱아민계호스트와 이리듐 착체를 도판트로 하여 300 Å의 두께로 진공증착함으로써, 적색발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상에 Alq3를 300Å의 두께로 진공증착함으로써, 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상에 마그네슘과 은을 공증착하여, 마그네슘과 은의 원자비가 10:1이고 두께가 100Å인 마그네슘-은 막을 형성함으로써, 캐소드를 형성하였다. 이로써, 적색 유기전계발광소자를 제조하였다.ITO was used on the substrate to form an anode having an area of 2 mm x 2 mm, which was subjected to ultrasonic cleaning and UV-O 3 treatment. A hole injection layer having a thickness of 600 μs was formed on the UV-O 3 treated anode by using a laser thermal transfer method. At this time, the scanning speed of the laser was 0.8 m / s. The hole injection layer was formed using TDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine). Α-NPB (N, N'-Bis) on the hole injection layer (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine) was vacuum-deposited to a thickness of 300 kPa to form a hole transport layer, wherein an aromatic amine host and an iridium complex were used as a dopant on the hole transport layer. A red light emitting layer was formed by vacuum evaporation to a thickness of 300 GPa, and an electron transport layer was formed by vacuum evaporation of Alq3 to a thickness of 300 GPa on the light emitting layer, Mg and silver were co-deposited on the electron transport layer. A cathode was formed by forming a magnesium-silver film having an atomic ratio of silver of 10: 1 and a thickness of 100 GPa, thereby producing a red organic electroluminescent device.
(2) 구동전압 및 발광효율의 측정(2) Measurement of driving voltage and luminous efficiency
상기 유기전계발광소자를 구동시킴에 있어서, 상기 애노드에 양의 전압을 인가하고 상기 캐소드를 접지시킨 후, 상기 유기전계발광소자의 발광휘도를 포토미터(photometer)로 측정하였다. 상기 유기전계발광소자는 휘도가 400cd/㎡일 때의 전압 즉, 구동전압은 5.37V이었다. 또한, 발광효율은 8.61cd/A이었다. 상기 휘도특성은 도 3에 나타내었고, 전류밀도특성은 도 4에 나타내었다.In driving the organic light emitting diode, after applying a positive voltage to the anode and grounding the cathode, the light emission luminance of the organic light emitting diode was measured by a photometer. The organic electroluminescent device had a voltage at a luminance of 400 cd / m 2, that is, a driving voltage of 5.37 V. In addition, the luminous efficiency was 8.61 cd / A. The luminance characteristics are shown in FIG. 3, and the current density characteristics are shown in FIG. 4.
(3) 가속수명특성의 측정(3) Measurement of Accelerated Life Characteristics
상기 유기전계발광소자를 초기 휘도(brightness)가 400cd/㎡(상대휘도 100) 이 되도록 구동시킨 후, 구동시간에 따라 휘도의 감소정도를 측정하였다. 이를 도 5에 나타내었다.After driving the organic light emitting diode to have an initial brightness of 400 cd / m 2 (relative brightness 100), the degree of decrease in luminance was measured according to the driving time. This is shown in FIG. 5.
(4) 색좌표 측정(4) color coordinate measurement
칼라 애널라이저(color analyzer)를 사용하여 상기 유기전계발광소자의 색좌표를 측정하였다. 그 결과 (0.69, 0.31)의 색좌표를 었었다.The color coordinates of the organic light emitting device were measured using a color analyzer. The result was a color coordinate of (0.69, 0.31).
<실험예 2>Experimental Example 2
(1) 적색 유기전계발광소자의 제조(1) Fabrication of Red Organic Light Emitting Diode
정공주입층을 형성함에 있어서, 레이저의 스캔속도를 0.75m/s로 한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 제조하였다.In forming the hole injection layer, an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1 except that the scanning speed of the laser was 0.75 m / s.
(2)특성평가(2) Characteristic evaluation
실험예 1과 동일한 방법으로 측정한 결과, 휘도 400cd/㎡일 때의 전압 즉, 구동전압은 5.44V이고, 발광효율은 8.26cd/A, 색좌표는 (0.69, 0.31)이었다. 상기 휘도특성은 도 3에 나타내었고, 상기 전류밀도특성은 도 4에 나타내었으며, 가속수명특성은 도 5에 나타내었다.As a result of measurement in the same manner as in Experimental Example 1, the voltage when the luminance was 400 cd / m 2, that is, the driving voltage was 5.44 V, the luminous efficiency was 8.26 cd / A, and the color coordinates were (0.69, 0.31). The luminance characteristics are shown in FIG. 3, the current density characteristics are shown in FIG. 4, and the acceleration life characteristics are shown in FIG. 5.
<비교예>Comparative Example
(1) 적색 유기전계발광소자의 제조(1) Fabrication of Red Organic Light Emitting Diode
진공증착법을 사용하여 정공주입층을 형성한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1 except that the hole injection layer was formed by using the vacuum deposition method.
(2)특성평가(2) Characteristic evaluation
실험예 1과 동일한 방법으로 측정한 결과, 휘도 400cd/㎡일 때의 전압 즉, 구동전압은 6.30V이고, 발광효율은 7.9cd/A, 색좌표는 (0.69, 0.31)이었다. 상기 휘도특성은 도 3에 나타내었고, 상기 전류밀도특성은 도 4에 나타내었으며, 가속수명특성은 도 5에 나타내었다.As a result of measurement in the same manner as in Experimental Example 1, the voltage when the luminance was 400 cd / m 2, that is, the driving voltage was 6.30 V, the luminous efficiency was 7.9 cd / A, and the color coordinates were (0.69, 0.31). The luminance characteristics are shown in FIG. 3, the current density characteristics are shown in FIG. 4, and the acceleration life characteristics are shown in FIG. 5.
상기 실험예들 및 상기 비교예에 따른 유기전계발광소자들의 구동전압, 발광효율 및 색좌표특성을 하기 표 1에 정리하였다.The driving voltages, luminous efficiency and color coordinate characteristics of the organic light emitting diodes according to the experimental examples and the comparative example are summarized in Table 1 below.
상기 표 1을 참조하면, 진공증착법을 사용하여 정공주입층을 형성한 경우(비교예)에 비해 레이저 열전사법을 사용하여 정공주입층을 형성한 경우(실험예 1 및 실험예 2)는 구동전압이 감소되고, 발광효율특성이 향상된 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, when the hole injection layer is formed using the laser thermal transfer method (Experimental Example 1 and Experimental Example 2) compared to the case of forming the hole injection layer using the vacuum deposition method (Comparative Example) It can be seen that the light emission efficiency characteristics are reduced and the light emission efficiency is improved.
또한, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 진공증착법을 사용하여 정공주입층을 형성한 경우(비교예)에 비해 레이저 열전사법을 사용하여 정공주입층을 형성한 경우(실험예 1 및 실험예 2)는 휘도, 전류밀도 및 수명특성이 향상된 것을 알 수 있다.3 to 5, when the hole injection layer is formed using the laser thermal transfer method (Experimental Example 1 and Experimental Example 2), compared to the case of forming the hole injection layer using the vacuum deposition method (Comparative Example). ) Can be seen that the brightness, current density and life characteristics are improved.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 애노드 상에 레이저 열전사법을 사용하여 상기 정공주입층을 형성함으로써, 유기전계발광소자의 구동전압, 발광효율, 전 류밀도 및 수명특성을 개선할 수 있다. 나아가, 일 애노드 상에 제 1 정공주입층을 형성하고, 상기 제 1 정공주입층 및 다른 애노드 상에 제 2 정공주입층을 형성함으로써, 유기전계발광소자의 색순도를 최적화시킬 수 있다.According to the present invention as described above, by forming the hole injection layer on the anode by using a laser thermal transfer method, it is possible to improve the driving voltage, luminous efficiency, current density and lifetime characteristics of the organic light emitting device. Further, by forming a first hole injection layer on one anode and a second hole injection layer on the first hole injection layer and the other anode, it is possible to optimize the color purity of the organic light emitting device.
Claims (14)
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
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