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KR20070009276A - 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법 Download PDF

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KR20070009276A
KR20070009276A KR1020050064413A KR20050064413A KR20070009276A KR 20070009276 A KR20070009276 A KR 20070009276A KR 1020050064413 A KR1020050064413 A KR 1020050064413A KR 20050064413 A KR20050064413 A KR 20050064413A KR 20070009276 A KR20070009276 A KR 20070009276A
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KR
South Korea
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light
chamber
incident
scattered
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박일정
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삼성전자주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 제조 장치는 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와, 상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과, 상기 광원으로부터 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 측정하는 수광부와, 상기 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와, 상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 파티클 모니터링 방법은 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계, 상기 입사된 광에서 산란된 광의 강도값을 측정하는 단계와, 상기 산란된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체, 웨이퍼, 파티클, 레이저 광, 수광부, 센서

Description

반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS AND METHOD FOR MONITERING PARTICLES}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 파티클 모니터링 방법을 도시한 흐름도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 파티클 모니터링 방법을 도시한 흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100,200; 반도체 제조 장치 110,210; 프로세스 챔버
120,220; 척 130,230; 레이저 광원
140,240; 수광부 150,250; 컨트롤러
160,260; 프로세스 컨트롤러 180,280; 샤워헤드
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 파티클의 존재 여부를 파악할 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 파티클 모니터링 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에 있어서 제조 원가를 획기적으로 줄이고 생산량을 높이기 위해 도입된 반도체 소자의 원재료인 웨이퍼의 직경이 점점 커지는 경향이 있다. 가령 웨이퍼의 직경이 기존의 200 mm 에서 300 mm 정도로 크게 증가하면서 동일한 제조 환경 내에서 웨이퍼의 물리적 취약성도 병행하여 증가하고 있는 것이 최근의 실정이다. 따라서, 이러한 웨이퍼의 물리적 특성 변화에 대한 정확한 정보를 통해 유발 가능한 공정상의 문제점에 대한 대응이 필요하게 되었다. 특히, 반도체 제조 장치 내에서의 파티클에 의한 웨이퍼의 물리적 변화는 제조 결과에 매우 큰 영향을 주므로 변화를 최소화하거나 변화에 대하여 효과적으로 대응할 수 있는 반도체 제조 기술 내지는 반도체 제조 장치의 개발이 병행되어야 할 것이다.
본 발명은 상기한 종래 기술에서의 요구 내지는 필요에 부응하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 표면에의 파티클의 존재 여부를 확인할 수 있는 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치 및 파티클 모니터링 방법은 레이저 광을 이용하여 웨이퍼 표면에 부착된 파티클을 확인할 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치 는, 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와, 상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과, 상기 광원으로부터 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 측정하는 수광부와, 상기 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와, 상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 광원은 상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부로 방사상으로 광을 입사한다. 상기 광은 레이저 광을 포함한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 수광부는 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 챔버 내부에서 산란된 광을 감지한다. 상기 수광부는 상기 산란된 광을 전기적 신호로 변환하는 광전변환기를 포함한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제2 컨트롤러는 상기 산란된 광의 측정값이 상기 기준값에 비해 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 변형예는, 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버의 상측에 배치되어 상기 프로세스 챔버의 내부로 광을 방사상으로 입사시키는 레이저 광원과, 상기 프로세스 챔버의 일측에 배치되어 상기 레이저 광원으로부터 방사상으로 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 전기적으로 변환하는 수광부와, 상기 수광부와 전기적으로 연결되어 상기 수광부에서 전기적으 로 변환된 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 컨트롤러와, 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우에는 상기 반도체 프로세스를 계속적으로 진행하고, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우에는 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 프로세스 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와, 상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과, 상기 광원으로부터 입사된 광을 감지하고 상기 입사된 광의 강도값을 측정하는 수광부와, 상기 수광부에서 측정된 입사된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와, 상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 광원은 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 챔버 내부로 수평 방향으로 광을 입사한다. 상기 광은 레이저 광을 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 수광부는 상기 광원과 마주보도록 상기 챔버의 타측에 배치되어 상기 챔버 내부로 입사된 광을 감지한다. 상기 수광부는 상기 산란된 광을 전기적 신호로 변환하는 광전변환기를 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제2 컨트롤러는 상기 산란된 광의 측정값이 상기 기준값에 비해 작은 경우 상기 반도체 프로 세스를 인터록한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 변형예는, 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버의 일측에 배치되어 상기 프로세스 챔버의 내부로 광을 수평 방향으로 입사시키는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원과 마주보도록 상기 프로세스 챔버의 타측에 배치되어 상기 레이저 광원으로부터 수평 방향으로 입사된 광을 감지하고 상기 입사된 광의 강도값을 전기적으로 변환하는 수광부와, 상기 수광부와 전기적으로 연결되어 상기 수광부에서 전기적으로 변환된 입사된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 컨트롤러와, 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우에는 상기 반도체 프로세스를 계속적으로 진행하고, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우에는 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 프로세스 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제1 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법은, 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계와, 상기 입사된 광에서 산란된 광의 강도값을 측정하는 단계와, 상기 산란된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계와, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법에 있어서, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 반도체 프로세스를 지속시키는 단 계를 더 포함한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법에 있어서, 상기 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계는 상기 레이저 광을 방사상으로 입사시킨다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 제2 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법은, 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계와, 상기 입사된 광의 강도값을 측정하는 단계와, 상기 입사된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계와, 상기 입사된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법에 있어서, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 지속시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 파티클 모니터링 방법에 있어서, 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계는 상기 레이저 광이 특정한 방향만을 향하도록 입사시킨다.
본 발명에 의하면, 반도체 제조 장치의 챔버에 레이저 광원과 수광부를 설치함으로써 레이저 광의 반사 또는 유실율을 측정하여 챔버 내부 또는 웨이퍼 표면에의 파티클의 존재 여부를 실시간으로 확인할 수 있다. 따라서, 프로세스 불량을 미연에 방지함으로써 웨이퍼에 대한 손상 내지 손실을 최소화 할 수 있게 된다. 또한, 프로세스 조건 내지 상태를 제시하거나 유지 보수(PM) 시기를 예측할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 파티클 모니터링 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
(제1 실시예)
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 파티클 모니터링 방법을 도시한 흐름도이다.
도 1은 반도체 제조 장치 내의 파티클로부터 산란된 광을 레이저 광의 입사 방향과 상이한 방향에서 감지하는 경우이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조 장치(100)는 특정의 반도체 제조 프로세스가 진행되는 프로세스 챔버(110)를 갖는다. 프로세스 챔버(110)의 내부 하측에는 특정의 반도체 제조 프로세스의 대상물인 웨이퍼(W)가 장착되는 장소를 제공하는 척(120)이 설치된다. 여기서, 척(120)은 웨이퍼(W)를 정전기력으로 견고히 밀착시키는 정전척(ESC)이다.
프로세스 챔버(110)의 상측에는 레이저 광원(130)이 설치된다. 레이저 광원 (130)으로부터 나오는 레이저 광은 웨이퍼(W)를 향해 방사상으로 입사된다. 프로세스 챔버(110)의 일측에는 수광부(140)가 배치된다. 수광부(140)는 파티클(190)에 의해 산란된 광을 받아 이를 전기적 신호로 변환한다. 이 전기적 신호로의 변환은 산란광 강도에 선형으로 비례하는 것이 바람직하지만, 전기적 신호와 산란광 강도가 1 대 1 대응이면 비선형이도 무방하다. 한편, 수광부(140)는 CCD 또는 광증배기 등을 비롯한 광전변환기라면 어느 것이라도 무방하다.
수광부(140)에서 전기적으로 변환된 산란광 신호는 컨트롤러(150)에 입력된다. 이 컨트롤러(150)는 허용된 산란광 강도값이 이미 설정되어 있다. 이 컨트롤러(150)는 입력된 산란광 신호와 기준값과의 대소를 판별한다. 허용된 산란광 강도값은 파티클의 존재 여부를 판별하는 기준값으로서 측정된 산란광 신호값이 기준값에 미치지 못하면 파티클이 없거나 또는 있다 하더라도 프로세스 진행에 영향을 미치지 않을 정도라는 것을 의미한다. 이와 반대로, 측정된 산란광 신호값이 기준값을 상회하게 되면 프로세스 챔버(110) 내에 파티클이 발생하였다는 것을 의미한다.
컨트롤러(150)는 프로세스 전반을 컨트롤하는 프로세스 컨트롤러(160)와 전기적으로 연결된다. 컨트롤러(150)에서 프로세스 챔버(110) 내에 파티클이 존재한다고 판별되면 프로세스 컨트롤러(160)는 이를 토대로 프로세스를 정지(interlock)시킨다. 프로세스 컨트롤러(160)는 프로세스를 정지시킨 후 필요한 후속 조치, 가령 세정 프로세스를 실시하게 한다.
상기와 같이 구성된 반도체 제조 장치는 다음과 같이 동작한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 척(120) 상에 프로세스 대상물인 웨이퍼가 로딩되 어 프로세스 챔버(110)에서 특정의 반도체 제조 프로세스, 가령 화학 기상 증착 프로세스가 진행된다고 가정한다. 프로세스 챔버(110) 상측에 배치된 샤워 헤드(180)로부터 화학 기상 증착 프로세스에 필요한 프로세스 가스가 공급되어 화학 기상 증착 프로세스가 진행된다. 이때, 레이저 광원(130)으로부터 레이저 광, 가령 연속광이나 펄스광이 척(130) 상에 놓인 웨이퍼를 향해 방사상으로 입사된다.
프로세스 챔버(110) 내의 상태가 좋고 파티클이 거의 발생하지 않을 경우 레이저 광원(130)으로부터 입사된 광은 거의 산란되지 않고 수광부(140)로부터 컨트롤러(150)로 전달되는 신호 강도는 기준값보다 작다. 신호 강도가 작기 때문에 프로세스 컨트롤러(160)는 현재 진행되고 있는 화학 기상 증착 프로세스에 어떠한 인터록을 발생시키지 않는다.
그런데, 프로세스 챔버(110) 내에 파티클(190)이 발생하였을 경우 파티클(190)에 의해 산란된 광은 수광부(140)에 의해 감지된다. 수광부(140)는 감지된 산란광을 전기적 신호로 변환하고, 컨트롤러(150)는 산란광 강도 신호값을 기준값과 대소를 판별한다. 컨트롤러(150)에서 판별한 결과 측정된 신호값이 기준값보다 크게 되면 프로세스 컨트롤러(160)는 현재 진행되고 있는 화학 기상 증착 프로세스를 더이상 진행되지 않도록 인터록을 걸게 된다. 이후에, 프로세스 챔버(110)로부터 파티클이 발생된 웨이퍼를 언로딩하여 폐기 또는 세정하거나, 필요한 경우 프로세스 챔버(110) 내에 세정 가스를 투입하여 프로세스 챔버(110) 내부 상태를 세정하여 파티클(190)을 제거한다. 이후에 다시 반도체 제조 프로세스를 진행한다.
(제2 실시예)
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 파티클 모니터링 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3은 반도체 제조 장치 내의 파티클로부터 산란된 광을 레이저 광의 입사 방향과 동일한 방향에서 감시하는 경우이다. 한편, 도 1과 동일한 부분에 대해서는 상세한 설명은 생략하기로 하고 상이한 점에 대해서 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조 장치(200)는 웨이퍼가 놓여지는 척(22)이 내부에 설치된 프로세스 챔버(210)를 가진다. 프로세스 챔버(210)의 일측에는 레이저 광을 발하는 레이저 광원(230)이 설치되고, 프로세스 챔버(210)의 타측에는 레이저 광원(230)과 마주보는 수광부(240)가 설치된다.
레이저 광원(230)으로부터 나오는 레이저 광은 웨이퍼(W)를 향해 수평 방향으로 입사된다. 광전변환 장치로 구성된 수광부(240)는 입사광을 받아 이를 전기적 신호로 변환한다. 그런데, 파티클(290)에 의해 산란된 광이 있으면 입사광에서 유실이 있는 것이므로 전기적으로 변환된 입사광 신호는 파티클(290)이 없는 경우에 비해 작은 값이 된다. 이는 곧 파티클(290)이 존재하여 입사광의 일부가 산란되어 입사광의 유실이 있다는 것이 된다.
수광부(240)에서 전기적으로 변환된 입사광 신호는 컨트롤러(250)에 입력된다. 이 컨트롤러(250)는 파티클이 없을 때의 입사광 강도값을 나타내는 기준값이 이미 설정되어 있다. 이 컨트롤러(250)는 입력된 입사광 신호와 기준값과의 대소를 판별한다. 여기서, 기준값이라는 것은 파티클이 없을 때의 입사광 강도값 또는 프로세스에 영향을 미치지 않을 정도로 파티클이 있을 때의 입사광 강도값이다. 따라서, 측정된 입사광 신호값이 기준값에 미치지 못하게 되면 프로세스 챔버(210) 내에 파티클이 발생하였다는 것을 의미한다. 이와 반대로, 측정된 입사광 신호값이 기준값이거나 더 크면 프로세스 챔버(210) 내에 파티클이 없거나 있다 하더라도 프로세스 결과에 영향을 미치지 못할 정도라는 것을 의미한다.
컨트롤러(250)는 프로세스 전반을 컨트롤하는 프로세스 컨트롤러(260)와 전기적으로 연결된다. 컨트롤러(250)에서 프로세스 챔버(210) 내에 파티클이 존재한다고 판별되면 프로세스 컨트롤러(260)는 이를 토대로 프로세스를 정지(interlock)시킨다. 프로세스 컨트롤러(260)는 프로세스를 정지시킨 후 필요한 후속 조치, 가령 세정 프로세스를 실시하게 한다.
상기와 같이 구성된 반도체 제조 장치는 다음과 같이 동작한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 척(220) 상에 프로세스 대상물인 웨이퍼가 로딩되어 프로세스 챔버(210)에서 특정의 반도체 제조 프로세스, 앞서의 예와 같이 화학 기상 증착 프로세스가 진행된다고 가정한다. 프로세스 챔버(210) 상측에 배치된 샤워 헤드(280)로부터 화학 기상 증착 프로세스에 필요한 프로세스 가스가 공급되어 화학 기상 증착 프로세스가 진행된다. 이때, 레이저 광원(230)으로부터 레이저 광, 가령 연속광이나 펄스광이 수광부(240)를 향해 수평적으로 입사된다.
프로세스 챔버(210) 내의 상태가 좋고 파티클이 없거나 거의 발생하지 않을 경우 레이저 광원(230)으로부터 입사된 광은 거의 산란되지 않고, 수광부(240)로부 터 컨트롤러(250)로 전달되는 신호 강도는 기준값이거나 더 크다. 신호 강도가 기준값에 다다르거나 크기 때문에 프로세스 컨트롤러(260)는 현재 진행되고 있는 화학 기상 증착 프로세스에 어떠한 인터록을 발생시키지 않는다.
그런데, 프로세스 챔버(210) 내에 파티클(290)이 발생하였을 경우 파티클(290)에 의해 입사광의 일부는 산란된다. 수광부(240)는 감지된 입사광을 전기적 신호로 변환하고, 컨트롤러(250)는 측정된 입사광 강도 신호값을 기준값과 대소를 판별한다. 컨트롤러(250)에서 판별한 결과 측정된 신호값이 기준값보다 작게 되면 프로세스 컨트롤러(260)는 현재 진행되고 있는 화학 기상 증착 프로세스를 더이상 진행되지 않도록 인터록을 걸게 된다. 이후에, 프로세스 챔버(210)로부터 파티클이 발생된 웨이퍼를 언로딩하여 폐기 또는 세정하거나, 필요한 경우 프로세스 챔버(210) 내에 세정 가스를 투입하여 프로세스 챔버(210) 내부 상태를 세정하여 파티클(290)을 제거한다. 이후에 다시 반도체 제조 프로세스를 진행한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 제조 장치의 챔버에 레이저 광원과 수광부를 설치함으로써 레이저 광의 반사 또는 유실율을 측정하여 웨이퍼 표면에 파티클의 존재 여부를 실시간으로 확인할 수 있다. 따라서, 프로세스 불량을 미연에 방지함으로써 웨이퍼에 대한 손상 내지 손실을 최소화 할 수 있는 효과가 있다. 이에 더하여, 프로세스 조건 내지 상태를 제시하거나 유지 보수(PM) 시기를 예측할 수 있는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와;
    상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과;
    상기 광원으로부터 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 측정하는 수광부와;
    상기 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와;
    상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부로 방사상으로 광을 입사하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광은 레이저 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 챔버 내부에서 산란된 광 을 감지하는 반도체 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 산란된 광을 전기적 신호로 변환하는 광전변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 컨트롤러는 상기 산란된 광의 측정값이 상기 기준값에 비해 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 프로세스 챔버와;
    상기 프로세스 챔버의 상측에 배치되어 상기 프로세스 챔버의 내부로 광을 방사상으로 입사시키는 레이저 광원과;
    상기 프로세스 챔버의 일측에 배치되어 상기 레이저 광원으로부터 방사상으로 입사되어 산란된 광을 감지하고 상기 산란된 광의 강도값을 전기적으로 변환하는 수광부와;
    상기 수광부와 전기적으로 연결되어 상기 수광부에서 전기적으로 변환된 산란된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 컨트롤러와;
    상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우에는 상기 반도체 프로세스를 계속적으로 진행하고, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우에는 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 프로세스 컨트롤러;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 챔버와;
    상기 챔버의 내부로 광을 입사시키는 광원과;
    상기 광원으로부터 입사된 광을 감지하고 상기 입사된 광의 강도값을 측정하는 수광부와;
    상기 수광부에서 측정된 입사된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 제1 컨트롤러와;
    상기 반도체 프로세스의 진행 여부를 결정하는 제2 컨트롤러;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광원은 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 챔버 내부로 수평 방향으로 광을 입사하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광은 레이저 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 광원과 마주보도록 상기 챔버의 타측에 배치되어 상기 챔버 내부로 입사된 광을 감지하는 반도체 제조 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 산란된 광을 전기적 신호로 변환하는 광전변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제2 컨트롤러는 상기 산란된 광의 측정값이 상기 기준값에 비해 작은 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  14. 소정의 반도체 프로세스를 진행하는 프로세스 챔버와;
    상기 프로세스 챔버의 일측에 배치되어 상기 프로세스 챔버의 내부로 광을 수평 방향으로 입사시키는 레이저 광원과;
    상기 레이저 광원과 마주보도록 상기 프로세스 챔버의 타측에 배치되어 상기 레이저 광원으로부터 수평 방향으로 입사된 광을 감지하고 상기 입사된 광의 강도값을 전기적으로 변환하는 수광부와;
    상기 수광부와 전기적으로 연결되어 상기 수광부에서 전기적으로 변환된 입사된 광의 강도값과 이미 설정된 기준값과의 대소를 판별하는 컨트롤러와;
    상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우에는 상기 반도체 프로세스를 계속적으로 진행하고, 상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우에는 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 프로세스 컨트롤러;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  15. 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계와;
    상기 입사된 광에서 산란된 광의 강도값을 측정하는 단계와;
    상기 산란된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계와;
    상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터링 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 반도체 프로세스를 지속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터링 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계는 상기 레이저 광을 방사상으로 입사시키는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 링 방법.
  18. 반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계와;
    상기 입사된 광의 강도값을 측정하는 단계와;
    상기 입사된 광의 강도값을 이미 설정된 기준값과 비교하는 단계와;
    상기 입사된 광의 강도값이 상기 기준값보다 작은 경우 상기 반도체 프로세스를 인터록하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터링 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 산란된 광의 강도값이 상기 기준값보다 큰 경우 상기 반도체 프로세스를 지속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터링 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    반도체 프로세스를 진행하고 이와 병행하여 레이저 광을 입사시키는 단계는 상기 레이저 광이 특정한 방향만을 향하도록 입사시키는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터링 방법.
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