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KR20070001713A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR20070001713A
KR20070001713A KR1020050057337A KR20050057337A KR20070001713A KR 20070001713 A KR20070001713 A KR 20070001713A KR 1020050057337 A KR1020050057337 A KR 1020050057337A KR 20050057337 A KR20050057337 A KR 20050057337A KR 20070001713 A KR20070001713 A KR 20070001713A
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KR
South Korea
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electrode
substrate
light receiving
liquid crystal
region
Prior art date
Application number
KR1020050057337A
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English (en)
Inventor
김영석
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Filing date
Publication date
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Abstract

본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 어레이 기판에 수광소자를 형성함으로써 외부광량에 따라 액정표시장치의 화면 밝기를 능동적으로 조절하기 위한 것으로, 스위칭소자영역과 수광소자영역으로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 스위칭소자영역의 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하며, 상기 수광소자영역의 게이트전극 상부에 광여기층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.
액정표시장치, 수광소자, 스위칭소자, 외부광량

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}
도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 수광소자 화소를 등가회로로 나타내는 예시도.
도 4는 도 3에 도시된 본 실시예의 수광소자 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
105 : 컬러필터 기판 110 : 어레이 기판
116 : 게이트라인 117 : 데이터라인
125 : 화소부 150 : 화소
150A~150C : 서브화소 150D : 수광소자 화소
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부광량의 변화에 따라 화면 밝기를 조절하도록 한 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로, 액정표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 액정셀들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여, 상기 액정셀들의 광투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다.
이하, 도 1을 참조하여 액정표시장치에 대해서 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 액정표시장치는 크게 제 1 기판인 컬러필터(color filter) 기판(5)과 제 2 기판인 어레이(array) 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5) 과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(40)으로 구성된다.
상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G), 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 서브컬러필터(7)로 구성되는 컬러필터(C)와 상기 서브컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(40)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)(6), 그리고 상기 액정층(40)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.
상기 어레이 기판(10)에는 상기 기판(10) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역(P)을 정의하는 게이트라인(16)과 데이터라인(17)이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(P)에는 화소전극(18)이 형성되어 있다.
상기 화소영역(P)은 컬러필터 기판(5)의 하나의 서브컬러필터(7)에 대응하는 서브화소(sub pixel)로 컬러화상은 상기 적, 녹, 청의 세 종류의 서브컬러필터(7)를 조합하여 얻어진다. 즉, 적, 녹, 청의 세 개의 서브화소가 모여서 한 개의 화소를 이루며, 박막 트랜지스터(T)는 상기 적, 녹, 청의 서브화소에 각각 연결되어 있다.
이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 스페이서(미도시)에 의해 일정한 셀갭이 유지되고, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 외곽을 따라 형성된 실 패턴(미도시)에 의해 합착 된다.
상기 일반적인 액정표시장치는 외부광량의 변화에 관계없이 정해진 밝기로 화면을 출력하게 되며, 밝기 조절이 필요한 경우에는 외부에 부가적인 센서가 필요하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 어레이 기판 내에 직접 수광소자를 형성시켜 외부광량에 따라 출력화면의 밝기를 조절하도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 액정표시장치는 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분되는 화소영역을 가진 제 1 기판; 상기 제 1 영역에 형성되며, 게이트전극과 액티브층 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 스위칭소자; 상기 제 2 영역에 형성되며, 게이트전극과 광여기층 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 수광소자; 및 상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함한다.
또한, 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 스위칭소자영역과 수광소자영역으로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 스위칭소자영역의 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하며, 상기 수광소자영역의 게이트전극 상부에 광여기층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 및 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이에 형성된 액정층(미도시)으로 이루어져 있다.
상기 어레이 기판(110)은 화소(150)들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하는 화소부(125)와 상기 화소부(125)의 외곽에 위치하여 게이트라인(116)들과 접속하는 게이트패드부(126) 및 데이터라인(117)들과 접속하는 데이터패드부(127)로 구성된다.
이때, 상기 게이트패드부(126)와 데이터패드부(127)는 컬러필터 기판(105)과 중첩되지 않는 어레이 기판(110)의 가장자리 영역에 형성되며, 상기 게이트패드부(126)는 게이트 구동부(미도시)로부터 공급되는 주사신호를 화소부(125)의 게이트라인(116)들에 공급하고, 데이터패드부(127)는 데이터 구동부(미도시)로부터 공급되는 화상정보를 화소부(125)의 데이터라인(117)들에 공급한다.
이와 같이 상기 어레이 기판(110)에는 화상정보가 인가되는 데이터라인(117)들과 주사신호가 인가되는 게이트라인(116)들이 서로 교차하도록 배열되며, 상기 데이터라인(117)들과 게이트라인(116)들에 의해 구획되는 화소(150)영역에는 각각 스위칭소자인 박막 트랜지스터(미도시)와 화소전극(미도시)이 구비된다.
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 컬러필터 기판(105)에는 블랙매트릭스에 의해 화소(150)별로 구획된 컬러필터들과 상기 어레이 기판(110)에 형성된 화소전극의 상대전극인 공통전극이 구비된다.
상기 컬러필터는 적, 녹, 청의 색상을 구현하는 서브컬러필터로 구성되며, 상기 각각의 서브컬러필터는 상기 화소부(125)의 화소(150)를 구성하는 각각의 서브화소(150A~150C)에 대응하게 된다. 이와 같이 컬러화상은 상기 적, 녹, 청의 세 종류의 서브컬러필터를 조합하여 얻어진다. 즉, 적, 녹, 청의 세 개의 서브화소(150A~150C)가 모여서 한 개의 화소(150)를 이루며, 박막 트랜지스터는 상기 적, 녹, 청의 서브화소(150A~150C)에 각각 연결되어 있다.
한편, 본 실시예의 액정표시장치의 어레이 기판(110)은 화소부(125) 모서리영역에 수광소자를 포함하는 수광소자 화소(150D)를 구비하게 되는데, 상기 수광소자 화소(150D)는 외부의 광량 변화에 따라 생성된 전류의 변화를 통해 백라이트를 컨트롤하거나 구동신호를 컨트롤함으로써 능동적으로 출력화면의 밝기를 조절하게 된다.
상기 본 실시예와 같이 어레이 기판(110)에 직접 수광소자 화소(150D)를 형성하게 되면 패널 외부에 센서를 추가로 형성시킬 필요가 없으며 서브화소(150A~150C)크기로 작게 구현이 가능한 이점이 있다.
이때, 본 실시예에서는 상기 수광소자 화소(150D)를 화소부(125) 모서리영역에 형성한 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 수광소자 화소(150D)를 화소부(125) 내부에 형성할 수도 있다. 또한, 상기 수광소자 화소(150D)는 하나 이상의 복수 개를 형성할 수도 있다.
이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)은 스페이서(미도시)에 의해 일정한 셀갭이 유지되고, 상기 화소부(125)의 외곽을 따라 형성된 실 패턴(130)에 의해 합착 된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 수광소자 화소를 등가회로로 나타내는 예시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 본 실시예의 수광소자 화소의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이때, 상기 수광소자 화소는 화상을 표시하는 다른 서브화소와는 빛에 의하여 전류를 형성시키는 포토 박막 트랜지스터와 상기 발생된 전류를 저장하는 스토리지 커패시터의 구조만을 제외하고는 동일한 구조로 이루어져 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 수광소자 화소(150D)는 외부광량에 의해 전류를 형성시키는 포토 박막 트랜지스터(200)와 상기 포토 박막 트랜지스터(200)에 연결되어 발생된 전류를 저장하는 스토리지 커패시터(300) 및 상기 발생된 전류에 따라 신호를 출력하는 스위칭 박막 트랜지스터(400)로 이루어져 있다.
즉, 유리와 같은 절연물질로 이루어진 기판(110) 위에 포토 박막 트랜지스터의 게이트전극(121P)과 스위칭 박막 트랜지스터의 게이트전극(121S)이 형성되어 있으며, 상기 게이트전극(121P, 121S)이 형성된 기판(110) 전면에는 게이트절연막인 제 1 절연막(115A)이 형성되어 있다.
이때, 상기 포토 박막 트랜지스터영역의 게이트전극(121S)의 일부는 스토리지 커패시터영역에 형성된 제 1 스토리지전극(130A)과 전기적으로 접속하며, 본 실 시예에서는 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투명한 도전물질로 상기 제 1 스토리지전극(130A)을 구성한 경우를 예를 들어 설명하고 있으나 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 즉, 상기 제 1 스토리지전극(130A)은 상기 게이트전극(121P, 121S)용 도전물질을 이용하여 동일한 공정을 통해 형성할 수도 있다.
그리고, 상기 포토 박막 트랜지스터영역의 제 1 절연막(115A) 위에는 광여기층(124P)이 형성되며 상기 스위칭 박막 트랜지스터영역의 제 1 절연막(115A) 위에는 액티브층(124S)이 형성되어 있다.
상기 광여기층(124P)과 액티브층(124S)은 동일한 비정질 실리콘 박막으로 형성할 수 있다.
이때, 상기 광여기층(124P)의 상부 소정영역에는 포토 박막 트랜지스터의 소오스전극(122P)과 드레인전극(123P)이 형성되며, 상기 액티브층(124S)의 상부 소정영역에는 스위칭 박막 트랜지스터의 소오스전극(122S)과 드레인전극(123S)이 각각 형성되어 있다.
또한, 상기 포토 박막 트랜지스터영역의 드레인전극(123S)의 일부는 스토리지 커패시터영역으로 연장되어 제 2 스토리지전극(130B)을 구성하며, 상기 2 스토리지전극(130B)과 그 하부의 제 1 스토리지전극(130A)은 상기 제 1 절연막(115A)을 사이에 두고 스토리지 커패시터를 구성하게 된다.
이때, 상기 스위칭 박막 트랜지스터영역의 액티브층(124S) 상부에는 외부의 광이 상기 액티브층(124S)으로 침투하는 것을 차단하기 위한 차단막(140)이 형성되 어 있으며, 그 위에는 평탄화를 위한 제 3 절연막(115C)이 기판(110) 전면에 형성되어 있다.
이하, 이와 같이 구성되는 수광소자 화소를 그 제조방법을 통해 상세히 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도면의 좌측에는 수광소자인 제 1 박막 트랜지스터의 제조공정을 나타내며 도면의 우측에는 스위칭소자인 제 2 박막 트랜지스터의 제조공정을 나타내며, 도면의 중앙에는 스토리지 커패시터가 형성되는 스토리지영역의 어레이 기판의 제조공정을 나타내고 있다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 유리와 같이 투명한 절연물질로 이루어진 기판(110) 위에 제 1 박막 트랜지스터의 게이트전극(121P)과 제 2 박막 트랜지스터의 게이트전극(121S)을 형성한다.
이때, 상기 게이트전극(121P, 121S)은 도전물질을 기판(110) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 패터닝하여 형성하게 된다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트전극(121P) 위에 상기 게이트전극(121P)의 일부와 전기적으로 접속하는 제 1 스토리지전극(130A)을 형성한다.
이때, 전술한 바와 같이 상기 제 1 스토리지전극(130A)은 투명한 도전물질을 이용하여 상기 게이트전극(121P, 121S)과는 다른 포토리소그래피공정을 통해 형성 하는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 1 스토리지전극(130A)은 상기 게이트전극(121P, 121S)을 형성할 때 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트전극(121P)의 일부를 스토리지영역으로 연장하여 형성할 수도 있다.
이후, 도 5c에 도시된 바와 같이, 기판(110) 전면에 게이트절연막인 제 1 절연막(115A)을 형성한다.
그리고, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 게이트전극(121P) 상부에 광여기층(124P)을 형성하며 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트전극(121S) 상부에 액티브층(124S)을 형성한다. 이때, 상기 광여기층(124P)과 액티브층(124S)은 동일한 비정질 실리콘층으로 형성할 수도 있으며, 상기 광여기층(124P)은 상기 액티브층(124S)과는 다른 셀렌(Se)으로 형성할 수도 있다.
상기 광여기층(124P)에 전자기파가 도달하게 되면 전자-홀 쌍(electron-hole pair)이 발생하여 전류가 흐르게 되며, 이때 외부광량의 크기, 즉 외부 밝기에 따라 발생되는 전류의 크기도 다르게 된다.
다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 광여기층(124P)의 소정영역 상부에 상기 광여기층(124P)의 일부와 접속하는 소오스전극(122P)과 드레인전극(123P)을 형성하며, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 액티브층(124S)의 소정영역 상부에 상기 액티브층(124S)의 일부와 접속하는 소오스전극(122S)과 드레인전극(123S)을 형성한다.
이때, 본 실시예는 상기 제 1 박막 트랜지스터의 소오스전극(122P)과 드레인전극(123P)은 투명한 도전물질로 형성하고 상기 제 2 박막 트랜지스터의 소오스전 극(122S)과 드레인전극(123S)은 불투명한 도전물질로 형성하여 두 번의 마스크공정을 통해 상기 소오스전극(122P, 122S)과 드레인전극(123P, 123S)을 형성하는 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제 1 박막 트랜지스터의 소오스전극(122P)과 드레인전극(123P)은 상기 제 2 박막 트랜지스터의 소오스전극(122S) 및 드레인전극(123S)과 동일한 불투명한 도전물질을 이용하여 동일한 마스크공정을 통해 형성할 수도 있다.
이때, 전술한 바와 같이 상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인전극(123P)의 일부는 스토리지영역으로 연장되어 제 2 스토리지전극(130B)을 구성하며, 상기 제 2 스토리지전극(130B)은 그 하부의 제 1 스토리지전극(130A)과 오버랩되어 상기 제 1 절연막(115A)을 사이에 두고 스토리지 커패시터를 구성하게 된다.
다음으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 액티브층(124S) 상부에 상기 액티브층(124S)을 가리도록 불투명한 도전물질로 차단막(140)을 형성하는데, 상기 차단막(140)은 외부의 광이 상기 액티브층(124S)으로 침투하는 것을 차단하는 역할을 한다.
그리고, 상기 기판(110) 전면에 평탄화를 위한 제 3 절연막(115C)을 형성한다.
상기와 같이 어레이 기판 내에 외부광량을 인식하는 수광소자, 즉 포토 박막 트랜지스터를 형성시키면 액정표시장치 자체에서 외부 밝기에 따라 능동적으로 대처할 수 있게 된다. 즉, 상기 수광소자에서 발생된 전류의 변화에 따라 백라이트 또는 구동신호를 제어함으로써 외부 밝기에 적절하게 대응할 수 있다. 이와 같이 외부의 밝기에 따라 출력화면의 밝기 및 구동신호를 조절할 수 있기 때문에 외부조건에 따른 최적구동을 패널자체로 수행할 수 있게 된다.
또한, 전술한 바와 같이 상기 수광소자는 어레이 기판 내에 기존의 어레이공정을 이용하여 형성할 수 있어 패널외부에 센서를 적용할 필요가 없고 몇 개의 화소크기로 작게 구현이 가능한 이점이 있다.
한편, 상기 실시예에서는 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브층으로 비정질 실리콘 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층으로 다결정 실리콘 박막을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 구비한 액정표시장치에도 적용된다.
또한, 발명은 액정표시장치의 모드, 즉 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic; TN) 모드, 횡전계(In Plane Switching; IPS) 모드 및 수직배향(Vertical Alignment; VA) 모드 등 모드에 관계없이 적용 가능하다.
또한, 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)가 연결된 유기전계발광 디스플레이장치에도 이용될 수 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 외부광량을 인식하는 소자를 형성함으로써 어두운 실내에서나 밝은 외부에서 백라이트의 출력을 조절하거나 구동신호를 조절하여 시감특성을 최적화 할 수 있는 효과를 제공한다.

Claims (18)

  1. 스위칭소자영역과 수광소자영역으로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 스위칭소자영역의 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하며, 상기 수광소자영역의 게이트전극 상부에 광여기층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 위에 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수광소자영역은 스위칭소자영역의 외곽에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 수광소자영역에 게이트전극을 형성한 후에 제 1 도전물질로 상기 게이트전극의 일부와 전기적으로 접속하는 제 1 스토리지전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 도전물질은 인듐-틴-옥사이드와 같은 투명한 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 수광소자영역의 소오스/드레인전극과 상기 스위칭소자영역의 소오스/드레인전극은 서로 다른 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 수광소자영역의 드레인전극은 그 일부가 연장되어 제 2 스토리지전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 스토리지전극은 그 하부의 제 1 스토리지전극과 일부 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 스토리지전극은 스위칭소자영역의 소오스전극과 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭소자영역의 액티브층 상부에 불투명한 도전물질로 차단막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분되는 화소영역을 가진 제 1 기판;
    상기 제 1 영역에 형성되며, 게이트전극과 액티브층 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 스위칭소자;
    상기 제 2 영역에 형성되며, 게이트전극과 광여기층 및 소오스/드레인전극으로 이루어진 수광소자; 및
    상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하는 액정표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 액티브층과 광여기층은 실리콘층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역의 외곽에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 수광소자의 게이트전극 위에 투명 도전물질로 형성되어 상기 게이트전극과 전기적으로 접속하는 제 1 스토리지전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 수광소자의 드레인전극의 일부가 연장되어 상기 스위칭소자의 소오스전극과 전기적으로 접속하는 제 2 스토리지전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 스토리지전극은 그 하부의 제 1 스토리전극과 오버랩되어 스토리지 커패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 스위칭소자의 액티브층 상부에 형성되어 상기 액티브층으로 광이 침투하는 것을 차단하는 차단막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 수광소자는 광여기층에 입사된 외부의 광을 통해 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 수광소자에서 발생된 전류 값을 통해 스위칭소자에 입력되는 신호 값을 조절함으로써 화면 밝기를 조절하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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