KR20060070930A - Method for manufacturing package substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 블라인드 비아홀(Blind via hole)을 매립함과 동시에 도통홀(Plated through hole)의 내벽에 소정의 두께를 형성해주는 제1 전해 동도금과 제1 전해 동도금이 수행된 기판 표면에 버핑공정 후 외층 회로 패턴 형성을 위한 수평 제2 전해 동도금을 수행하여 도금층간 밀착력을 확보하고 뛰어난 열방출 효과를 제공함은 물론 도금층의 편차를 최소화하여 경박단소화, 고밀도, 고신뢰성을 구현하는 패키지 기판의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention is a buried via hole (Blind via hole) and at the same time the outer layer after the buffing process on the surface of the substrate is subjected to the first electrolytic copper plating and the first electrolytic copper plating to form a predetermined thickness on the inner wall of the plated through hole In the method of manufacturing a package substrate that performs thin second electrolytic copper plating to form a circuit pattern to secure adhesion between plating layers and provide excellent heat dissipation effect, as well as minimizing the variation of the plating layer to realize light thin, short, high density and high reliability. It is about.
패키지 기판, 블라인드 비아홀, 도통홀, 전해 동도금, 시드층Package Substrate, Blind Via Hole, Through Hole, Electrolytic Copper Plating, Seed Layer
Description
도 1은 종래의 패키지 기판의 제조 방법을 도시한 공정도.1 is a process chart showing a conventional method for manufacturing a package substrate.
도 2는 종래의 패키지 방법에 따라 제조된 회로패턴 하부에 형성되는 층간들뜸의 확대 단면도.Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the interlayer lift formed under the circuit pattern manufactured according to the conventional packaging method.
도 3은 본 발명에 따른 패키지 기판의 제조 공정을 도시한 공정도.3 is a process chart showing a manufacturing process of a package substrate according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 패키지 기판의 단면도.4 is a cross-sectional view of a package substrate according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 동박적층원판 111 : 절연층110: copper clad laminated disc 111: insulating layer
112 : 동박 113 : 비아홀112: copper foil 113: via hole
114 : 도금층 115 : 매립용 잉크114
116 : 에칭 레지스트 패턴 120 : 베이스 기판116: etching resist pattern 120: base substrate
130 : 절연층 131 : 블라인드 비아홀130: insulating layer 131: blind via hole
132 : 도통홀 140 : 시드층132: through hole 140: seed layer
150 : 레지스트 패턴 160 : 제1 전해 동도금150: resist pattern 160: first electrolytic copper plating
170 : 매립용 잉크 180 : 제2 전해 동도금170: landfill ink 180: second electrolytic copper plating
190 : 외층 회로패턴 200 : 솔더 레지스트 잉크190: outer circuit pattern 200: solder resist ink
본 발명은 패키지 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a package substrate.
보다 구체적으로는 블라인드 비아홀(Blind via hole)을 매립함과 동시에 도통홀(Plated through hole)의 내벽에 소정의 두께를 형성해주는 제1 차 전해 동도금을 실시한 후 제1 전해 동도금이 수행된 기판 표면에 외층 회로 패턴 형성을 위한 제2 차 수평 전해 동도금을 수행하여 밀착 신뢰성을 확보하고 뛰어난 열방출 효과를 제공함은 물론 도금층의 편차를 최소화한 패키지 기판의 제조 방법에 관한 것이다. More specifically, after the first electrolytic copper plating is performed to fill the blind via hole and to form a predetermined thickness on the inner wall of the plated through hole, the first electrolytic copper plating is performed on the substrate surface. The present invention relates to a method of manufacturing a package substrate in which a second horizontal electrolytic copper plating for forming an outer layer circuit pattern is performed to secure close contact reliability, provide excellent heat dissipation effect, and minimize variations in plating layers.
회로가 설계된 반도체칩에 전기적인 연결을 해주고, 외부의 충격에 견디게끔 밀봉 포장해주어 비로소 실생활에서 사용할 수 있게 물리적인 기능과 형상을 갖게 해주는 것이 패키징의 역할이다. 웨이퍼 한 장에는 동일한 전기회로가 인쇄된 칩이 수십 개에서 혹은 수백 개까지 놓일 수 있다. 그러나 칩 자체만으로는 외부로부터 전기를 공급받아 전기 신호를 전달해 주거나 받을수 없을뿐만 아니라, 외부의 충격에 쉽게 손상될 수 있기 때문에 기판에 실장되기 전까지 완전한 제품이라고 볼 수 없는 것이다. The packaging's role is to make electrical connections to the designed semiconductor chips and to seal and seal them to withstand external shocks so that they have physical functions and shapes that can be used in real life. A wafer can contain dozens or even hundreds of chips printed with the same electrical circuit. However, the chip itself is not a complete product until it is mounted on a board because it can not only transmit or receive electric signals by receiving electricity from the outside, but also can be easily damaged by external shocks.
휴대용 전자제품이 소형화하면서 이에 반도체가 실장될 공간은 더욱 줄어들고, 제품은 더욱 다기능화되고 있다. 따라서 단위 체적당 실장효율을 높이기 위해 서 패키지는 경박단소화에 부응할 수밖에 없다. 이러한 요구로 개발되어 상용화된 것이 칩 크기와 거의 같은 크기의 패키지인 CSP(Chip Size Package)이다. 최근의 패키지 개발 추세는 칩의 크기에 맞게 줄이는 것을 넘어서, SCSP(Stacked CSP)처럼 칩 위에 또 칩을 올려 쌓아 올리거나 기능이 다른 여러 개의 반도체칩을 하나의 패키지 안에 배열하는 MCM(Multi Chip Module) 패키지 등도 개발되었다. 또한, 생산효율을 높이기 위해 리드프레임이 없는 즉, 선 없는 반도체로 불리는 것으로 실장 시에 베어칩을 기판에 직접 접착하는 플립칩 실장 기술 등이 급부상하고, 웨이퍼를 개별적인 칩으로 분리하지 않고 여러 칩들이 붙어 있는 상태에서 다이본딩, 몰딩, 트리밍, 마킹 등 일련의 조립공정을 마친 후 이를 절단해 곧바로 완제품을 만드는 방법인 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)도 개발되고 있는 추세이다. 최근 환경규제가 점점 강화되면서 무연솔더링도 부각되고 있다. As portable electronic products become smaller, space for mounting semiconductors is further reduced, and products are becoming more versatile. Therefore, in order to increase the mounting efficiency per unit volume, the package must meet the light and small size. The chip size package (CSP), a package about the same size as the chip size, was developed and commercialized based on such a requirement. Recent trends in package development go beyond shrinking to chip size, such as Multi Chip Modules (MCM), which stack and stack multiple chips on top of the chip, such as SCSP (Stacked CSP) Packages were also developed. In addition, in order to increase production efficiency, a flip chip mounting technology that directly bonds bare chips to a substrate at the time of mounting is called a semiconductor without a lead frame, that is, a wireless semiconductor, and various chips are not separated into individual chips. Wafer-level packages (WLPs), which are a method of forming a finished product immediately after finishing a series of assembly processes such as die bonding, molding, trimming and marking while being attached, are being developed. As environmental regulations have recently tightened, lead-free soldering has also been highlighted.
이와 같은 패키기 기술의 발전과 연동하여, 배선 패턴을 통하여 실장된 부품들을 상호 전기적으로 연결하고 전원 등을 공급하는 동시에 부품들을 기계적으로 고정시켜주는 역할을 하는 패키지 기판에 대한 제작 방법이 주목받고 있다. In connection with the development of such packaging technology, a method of manufacturing a package board that serves to electrically connect components mounted through a wiring pattern, supply power, and mechanically fix the components, has been attracting attention. .
특히나, 실장된 부품의 작동시 반도체 칩으로부터 발생되는 열을 어떻게 신속히 제거하여 열 손상으로부터 보호하느냐 하는 방열부분에 대한 패키지 기판의 설계가 매우 중요한 과제로 떠오르고 있다. 이러한 열방출의 문제 해결을 위해 도통홀 내벽의 일정 이상(최하 37㎛)의 도금층 형성, 블라인드 비아홀의 동도금 충진 또는 열전도성 재료 충진 등이 제시되고 있다. In particular, the design of the package substrate for the heat dissipation part, which is how to quickly remove the heat generated from the semiconductor chip during operation of the mounted component to protect from thermal damage has emerged as a very important task. In order to solve this problem of heat dissipation, a plated layer having a predetermined thickness (at least 37 μm) of the inner wall of the through hole, copper plating filling of the blind via hole, or filling of the thermal conductive material has been proposed.
이하, 도 1을 참조하여 종래의 패키지 기판의 제조 공정에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, the manufacturing process of the conventional package substrate is demonstrated in detail with reference to FIG.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 층간 연결을 위한 비아홀(11)이 형성된 동박적층원판(10)(CCL;Copper Clad Laminate)에 내층 회로패턴(12)을 형성하여 베이스 기판을 완성한 후, 절연층(13)을 적층하고 블라인드 비아홀(14), 도통홀(15) 및 시드층(16)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1, an
여기서, 고신뢰성 및 고밀도의 미세 회로패턴을 형성하기 위해서는 상기 시드층(15)의 두께를 최소로 형성하면서 블라인드 비아홀(14)의 내부에 충분히 무전해 도금이 되어 이후에 불량이 발생되지 않도록 한다.In this case, in order to form a highly reliable and high-density microcircuit pattern, the
상술한 바와 같이 무전해 도금을 수행하여 시드층(16)을 형성한 후, 도 1b에 도시된 바와 같이 사진 식각 공정을 이용하여 레지스트 패턴(17)을 형성한다.After the electroless plating is performed to form the
이후, 도 1c에 도시된 바와 같이 전해 동도금을 수행하고 레지스트 패턴을 박리시킨 후 노출된 시드층을 제거하도록 에칭처리하여 외층 회로패턴(18)을 형성하고 도통홀(15) 내부는 매립용 잉크(19)로 충진한다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, electrolytic copper plating is performed and the resist pattern is peeled off, and then, an etching process is performed to remove the exposed seed layer, thereby forming an outer
이때, 블라인드 비아홀(14)의 내부는 필(Fill) 도금이 되도록 레지스트 패턴을 형성한다.At this time, the inside of the blind via
상술한 바와 같이 외층 회로패턴(18)을 형성한 후, 도 1d에 도시된 바와 같이 외층 회로패턴(18)을 보호하는 동시에 솔더링 공정에서 외층 회로패턴(18) 사이에 솔더 브리지(땜납 걸침) 현상을 방지하는 PSR 잉크(Photo Imageable Solder Resist Mask ink)(20)를 도포시킴으로써 패키지 기판을 완성하였다.After the
상술한 바와 같은 전해 동도금으로 블라인드 비아홀을 매립함과 동시에 외층 회로층을 형성하는 종래의 패키지 기판의 제조 방법에 있어서는, 최소 40㎛ 이상의 두께로 도금층이 형성됨은 물론 두께의 편차가 커서 하프 에칭 공정(Half etching process)을 추가로 요하는 문제점이 있었다.In the conventional method for manufacturing a package substrate in which the blind via hole is filled with electrolytic copper plating as described above and the outer circuit layer is formed, the plating layer is formed to a thickness of at least 40 μm, and the thickness variation is large. There was a problem that additionally requires a half etching process.
또한, 상술한 바와 같은 패키지 기판의 제조 방법에 있어서는, 도 2에 도시된 바와 같이 블라인드 비아홀이 무전해 도금층과 전해 동도금층으로 매립되어 있어서 층 사이의 밀착력이 떨어져 이후에 작은 충격에도 쉽게 층간 들뜸 현상이 일어나 불량을 발생하는 문제점이 있었다. In addition, in the method for manufacturing a package substrate as described above, as shown in FIG. 2, the blind via hole is buried in the electroless plating layer and the electrolytic copper plating layer, so that the adhesion between the layers is lowered, so that the interlayer is easily lifted even after a small impact. This happened and there was a problem of generating a defect.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위하여, 밀착 신뢰성을 확보하고 뛰어난 열방출 효과를 제공함은 물론 도금층의 편차를 최소화한 패키지 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to provide a method of manufacturing a package substrate in which the adhesion reliability is secured, providing excellent heat dissipation effect, as well as minimizing the variation of the plating layer in order to solve the above problems.
본 발명의 다른 기술적 과제는 소형화, 고밀도, 고신뢰성의 경박단소화한 패키지 기판의 제조 방법을 제공하는데 있다.Another technical problem of the present invention is to provide a manufacturing method of a package substrate having a small size, a high density, and a light and small size with high reliability.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 패키지 기판의 제조 방법은 내층 회로패턴이 형성된 베이스 기판에 절연층을 적층하고 블라인드 비아홀 및 도통홀을 형성하는 제1단계, 상기 블라인드 비아홀 및 도통홀이 형성된 기판에 시드층을 형성하는 제2단계, 상기 시드층 상에 블라인드 비아홀 및 도통홀을 오픈시키는 레지스트 패턴을 형성하는 제3단계, 상기 레지스트 패턴 사이에 제1 전해 동도금을 수행하여 블라인드 비아홀을 매립하고 도통홀의 내벽에 도금층을 형성하는 제4단계, 상기 도통홀의 내벽을 매립용 잉크로 충진하는 제5단계, 상기 레지스트 패턴을 박리하고 기판 표면을 버핑공정(Buffing)하는 제6단계; 및 상기 버핑된 기판 상에 수평 제2 전해 동도금을 수행하고 외층 회로패턴을 형성하는 제7단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다. In order to solve the above technical problem, a method of manufacturing a package substrate according to the present invention is a first step of stacking an insulating layer on the base substrate on which the inner circuit pattern is formed and forming a blind via hole and a through hole, the blind via hole and the through hole A second step of forming a seed layer in the formed substrate, a third step of forming a resist pattern for opening a blind via hole and a through hole on the seed layer, and filling a blind via hole by performing first electrolytic copper plating between the resist patterns A fourth step of forming a plating layer on an inner wall of the through hole, a fifth step of filling the inner wall of the through hole with a filling ink, and a sixth step of peeling the resist pattern and buffing the substrate surface; And a seventh step of performing horizontal second electrolytic copper plating on the buffed substrate and forming an outer circuit pattern.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 패키지 기판의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the manufacturing method of the package board | substrate which concerns on this invention with reference to an accompanying drawing is demonstrated in detail.
먼저, 절연층(111)을 개재하여 양면에 박막의 동박(112)이 형성된 동박적층판(110)을 제공한다(도 3a 참조).First, the copper foil laminated
여기서, 동박적층판(110)의 절연층(111)은 수지와 유리섬유의 합성물질로 전기적인 특성은 뛰어나지만 기계적 강도가 불충분하고 온도에 의한 치수 변화(열팽창률)가 금속의 10배 정도로 큰 수지의 결점을 보완하면서 종횡방향의 강도가 큰 물질이다. 여기에 전기분해법으로 회전드럼에 얇게 도금하여 말아내는 방법으로 동박층(112)을 형성하여 동박적층판(110)을 제공하게 된다.Here, the
이후, 상기 동박적층판(110)에 대한 드릴링 가공을 수행하여 층간 전기적 접속을 수행하는 비아홀(113)을 형성하고(도 3b 참조), 상기 동박적층판을 구성하는 동박층(112) 및 비아홀(113)에 대한 무전해 동도금 및 전해 동도금을 수행하여 도금층(114)을 형성한다(도 3c 참조).Subsequently, drilling vias are performed on the copper-
여기서, 무전해 동도금 후 전해 동도금을 실시하는 이유는 드릴링 된 홀의 내벽이 절연체로 되어있어 전기분해에 의한 전해 동도금을 실시할 수 없기 때문에, 석출반응에 의해 이루어지는 무전해 동도금 후 전해 동도금을 실시하게 된다. 또한, 무전해 도금은 형성된 도금막은 두께가 얇을뿐만 아니라 물성이 떨어져 그대로 사용할 수 없기 때문에 전해 동도금을 덧입혀 보완해 주어야 한다.Here, the electrolytic copper plating after electroless copper plating is performed because the inner wall of the drilled hole is an insulator, so electrolytic copper plating cannot be carried out by electrolysis. Therefore, electrolytic copper plating is performed after electroless copper plating by precipitation reaction. . In addition, the plating film formed by electroless plating is not only thin in thickness but also poor in physical properties, and thus should be supplemented by electrolytic copper plating.
상술한 바와 같이 무전해 동도금 및 전해 동도금을 수행하여 도금층을 형성한 후, 비아홀 내벽의 도금층을 보호하기 위하여 매립용 잉크(115)로 비아홀 내부 영역을 충진한다(도 3d 참조). As described above, after the electroless copper plating and the electrolytic copper plating are performed to form the plating layer, the via hole inner region is filled with the
이때, 매립용 잉크(115)는 절연성 잉크재질의 페이스트를 사용하는 것이 일반적이나, 인쇄회로기판의 사용 목적에 따라 도전성 페이스트도 사용될 수 있다.In this case, the embedding
이후, 동박적층판(110)의 도금층(114)상에 내층 회로패턴을 형성하기 위하여 에칭 레지스트 패턴(116)을 형성한다(도 3e 참조). Thereafter, an etching resist
여기서, 에칭 레지스트 패턴(116)을 형성하기 위해서는 아트워크 필름에 인쇄된 회로패턴을 기판 상에 전사하여야 한다. 전사하는 방법에는 여러 가지 방법이 있으나, 가장 흔히 사용되는 방법으로는 감광성의 드라이 필름을 사용하여 자외선에 의해 아트 워크 필름에 인쇄된 회로패턴을 드라이 필름으로 전사하는 방식이다.Here, in order to form the etching resist
이때, 회로패턴이 전사된 드라이 필름은 에칭 레지스트로서 역할을 하게 되고, 따라서 에칭 처리를 수행하는 경우 에칭 레지스트 패턴(116)이 형성되지 않은 영역의 동박층(114)이 제거되어 소정의 내층 회로패턴이 형성된 베이스 기판(120)을 제작한다(도 3f 참조).At this time, the dry film to which the circuit pattern is transferred serves as an etching resist. Thus, when the etching process is performed, the
상기 베이스 기판(120)의 내층(즉, 원판의 내부에 회로패턴이 형성된 동박층)을 2층인 구조로 설명하였으나, 사용 목적이나 용도에 따라 내층이 4층 및 6층 등의 다층의 구조인 베이스 기판을 사용할 수 있다. Although the inner layer of the base substrate 120 (that is, the copper foil layer having the circuit pattern formed inside the disc) was described as having a two-layer structure, the base has a multi-layer structure such as four layers and six layers, depending on the purpose or purpose of use. Substrates can be used.
이후, 베이스 기판(120)의 양면에 추가적인 외층 적층을 위하여 RCC 또는 절연층을 적층한다(도 3g 참조).Thereafter, an RCC or an insulating layer is stacked on both sides of the
여기서, RCC는 수지층의 한쪽 면에 동박층이 개재된 원판이다.Here, RCC is a disc with the copper foil layer interposed on one side of the resin layer.
상술한 바와 같이, 절연층(130)을 적층하고 블라인드 비아홀(131) 및 도통홀(132)을 형성한다(도 3h 참조).As described above, the insulating
이때, 상기 블라인드 비아홀(131)은 기계적 드릴링을 사용할 수도 있으나, 관통홀을 가공할 때보다 정밀한 가공을 요하므로 YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO2 레이저를 이용하는 것이 바람직하고 도통홀(132)은 기계적 드릴링을 사용하게 된다.In this case, the blind via
이후, 무전해 도금을 이용하여 시드층(140)을 형성한다(도 3i 참조).Thereafter, the
여기서, 고밀도의 미세 회로패턴을 형성하기 위해서는 상기 시드층(140)을 구성하는 도금층의 두께는 낮게 형성하면서 블라인드 비아홀은 내부는 물론 도통홀의 내벽에 고르게 분포되도록 한다.Here, in order to form a high-density microcircuit pattern, the thickness of the plating layer constituting the
일반적으로 무전해 도금은 구리가 많이 이용되지만, 니켈이나 주석을 이용할 수도 있다.In general, although electroless plating uses a lot of copper, nickel or tin may be used.
상술한 바와 같이 시드층(140)을 형성한 후, 불라인드 비아홀(131) 및 도통홀(132)이 오픈된 레지스트 패턴(150)을 형성한다(도 3j 참조).After the
여기서, 레지스트 패턴(150)은 불라인드 비아홀(131) 및 도통홀(132)에 제1 전해 동도금을 수행하기 위한 패턴으로 일반적으로 감광성의 드라이 필름을 사용하여 자외선에 의해 아트 워크 필름에 인쇄된 회로 패턴을 기판에 전사하는 방식을 많이 사용한다.Here, the resist
이후, 레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 제1 전해 동도금(160)을 수행하고 레지스트 패턴(150)을 박리한다(도 3k 참조).Thereafter, the first electrolytic copper plating 160 is performed on the substrate on which the resist pattern is formed, and the resist
여기서, 상기 제1 전해 동도금(160)은 블라인드 비아홀(131)의 내부를 매립하고 도통홀(132)의 내벽을 소정의 두께로 보호하여 열방출 효과를 올려준다.Here, the first electrolytic copper plating 160 fills the inside of the blind via
상술한 바와 같이 레지스트 패턴(150)을 박리한 후, 도통홀(132) 내부를 매립용 잉크(170)로 충진한다(도 3l 참조).After the resist
이때, 매립용 잉크(170)는 절연성 잉크재질의 페이스트를 사용하는 것이 일반적이나, 인쇄회로기판의 사용 목적에 따라 도전성 페이스트 또는 열전도성 물질로 사용될 수 있다.In this case, the filling
이후, 기판 표면을 평평하게 하기 위하여 버핑(Buffing) 공정을 수행한 후, 제2 전해 동도금(180)을 수행한다(도 3m 참조).Thereafter, after the buffing process is performed to flatten the surface of the substrate, the second electrolytic copper plating 180 is performed (see FIG. 3M).
여기서 버핑 공정은 표면을 기계가공하는 방법으로 버프를 고속도로 회전시켜 가공물과의 사이에 발생하는 압력에 의해서 가공된다.Here, the buffing process is processed by the pressure generated between the workpiece by rotating the buffing highway by a method of machining the surface.
수평 제2 전해 동도금(180)은 후술되는 외층 회로 패턴을 위한 외층 도금층으로 이용되고, 두께 조절이 가능하여 외층의 미세회로 패턴을 구현할 수 있다. The horizontal second electrolytic copper plating 180 is used as an outer layer plating layer for an outer layer circuit pattern to be described later, and the thickness can be adjusted to implement a fine circuit pattern of the outer layer.
상술한 바와 같이 제2 전해 동도금(180)을 수행한 후, 사진 식각 공정을 이용하여 외층 회로패턴(190)을 형성한다(도 3n 참조).After the second electrolytic copper plating 180 is performed as described above, the
이후, 외층 회로패턴(190)을 보호하기 위한 솔더 레지스트 잉크(200)를 도포시키고 표면처리를 함으로써, 도 4에 도시된 바와 같이 패키지 기판을 최종적으로 완성하였다Thereafter, the solder resist
이때, 상기 솔더 레지스트 잉크(PSR : Photo Imageable Solder Resist Mask ink)(170)는 외층 회로패턴을 보호하는 동시에 솔더링 공정에서 외층 회로패턴 사이에 솔더 브리지(땜납 걸침)현상을 방지하는 역할을 수행한다.At this time, the solder resist ink (PSR) 170 protects the outer circuit patterns and serves to prevent solder bridges between the outer circuit patterns in the soldering process.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 패키지 기판의 제조 방법에 따르면, 외층 회로층을 형성하는 수평 제2 전해 동도금 수행전에 버핑공정을 시행함으로써 외층 도금층의 두께를 얇고 일정하게 유지하여 두께 편차를 줄이면서 경박단소화, 고밀도의 패키지를 구현하는 효과를 제공한다.As described above, according to the method of manufacturing a package substrate according to the present invention, by performing a buffing process before performing horizontal second electrolytic copper plating to form an outer layer circuit layer, the thickness of the outer layer plating layer is kept thin and constant to reduce thickness variation. It provides the effect of light weight, small size and high density package.
또한, 시드층-제1 전해 동도금층-제2 전해 동도금층을 수행함으로써 층간 밀착력을 높여 층간들뜸 현상같은 불량을 제거하므로 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다. In addition, by performing the seed layer-first electrolytic copper plating layer-second electrolytic copper plating layer, the adhesion between layers is increased to remove defects such as interlayer lifting, thereby providing an effect of improving product reliability.
또한, 도통홀의 내벽을 시드층과 제1 전해 동도금층으로 둘러쌓아 열방출에도 뛰어난 효과를 제공한다. In addition, the inner wall of the through hole is surrounded by the seed layer and the first electrolytic copper plating layer to provide excellent heat dissipation.
여기에서, 상술한 본 발명에서는 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 , 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Herein, although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, those skilled in the art will variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And can be changed.
Claims (7)
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