KR20060053313A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 상측 기판과; 상측 기판과 대향되게 배치된 하측 기판과; 상측 기판과 하측 기판 사이에 형성되는 것으로, 적,녹,청색을 각각 발산하는 적,녹,청색 형광체층 중에서 어느 하나가 선택되어 각각 배치된 적,녹,청색 서브픽셀들로 한정하는 격벽과; 서브픽셀들에 각각 대응되게 배치된 상측 방전전극들과; 서브픽셀들에 상측 방전전극들과 공히 각각 대응되게 배치된 하측 방전전극들과; 적,녹,청색 서브픽셀과, 적,녹,청색 서브픽셀 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상의 서브픽셀을 하나 더 포함하여 각각 구성되며, 최대 발광 휘도가 가장 낮은 2개의 서브픽셀들에 각각 배치된 형광체층들에 있어 휘도 및 수명 특성이 서로 상이한 단위픽셀들;을 포함한다.
Description
도 1은 종래의 일 예에 따른 서브픽셀을 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 서브픽셀들로 각각 구성된 단위픽셀의 일 예를 도시한 부분 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분리 사시도.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 절취하여 도시한 단면도.
도 5는 도 3에 있어서, 단위픽셀을 구성하는 서브픽셀들이 배열된 상태의 일 예를 도시한 부분 평면도.
〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉
111..상측 기판 112..제1격벽
114..서브픽셀 114R..적색 서브픽셀
114G..녹색 서브픽셀 114B,114B'..청색 서브픽셀
121..하측 기판 122..제2격벽
123..형광체층 131..상측 방전전극
132..하측 방전전극 140..단위픽셀
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 색온도 특성과 휘도 유지율이 향상될 수 있도록 구조가 개선된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
통상적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 밀폐된 공간에 설치된 전극들 사이에 가스가 충전된 상태에서 전극에 소정의 전압을 인가하여 글로우 방전(glow discharge)이 일어나도록 하고, 방전시 발생되는 자외선에 의해 소정 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성하게 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 구동방법에 따라 직류형 또는 교류형 또는 혼합형(Hybrid type)으로 분류된다. 그리고, 전극구조에 따라 방전에 필요한 최소 2개의 전극을 갖는 것과, 3개의 전극을 갖는 것으로 구분된다. 직류형의 경우에는 보조방전을 유도하기 위하여 보조전극이 추가되고, 교류형의 경우에는 어드레스방전과 유지방전을 분리하여 어드레스 속도를 향상시키기 위하여 어드레스 전극이 도입된다. 또한, 교류형은 방전을 이루는 전극의 배치에 따라 대향 방전형 전극구조와 면 방전형 전극구조로 분류될 수 있는데, 상기 대향 방전형 전극구조의 경우에는 방전을 형성하는 2개의 유지전극이 기판들에 각각 위치하여 방전이 패널의 수직축으로 형성되는 구조이며, 면 방전형 전극구조는 방전을 형성하는 2개의 유지전극이 동일한 기판상에 위치하여 방전이 기판의 한 평면상에 형성되는 구조이다.
도 1에는 통상적인 면 방전형 3전극 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 구 비된 서브픽셀의 일 예가 도시되어 있다.
도면을 참조하면, 서브픽셀(10)에 있어, 상측 기판(11)의 하면에는 상호 간에 방전 갭으로 이격된 공통 전극(13)과 스캔 전극(14)으로 이루어진 유지 전극쌍(12)이 형성되어 있다. 상기 공통 전극(13)과 스캔 전극(14)은 공통 전극과 스캔 전극으로 각각 작용하게 된다. 상기 공통 전극(13) 및 스캔 전극(14)은 각각 투명 전극(13a)(14a)과 이들의 하면에 형성되어 전압을 인가하는 버스 전극(13b)(14b)으로 구비되어 있다. 상기 유지 전극쌍(12)은 상측 유전체층(15)에 의해 매립되어 있으며, 상기 상측 유전체층(15)의 하면에는 보호층(16)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 상측 기판(11)과 대향되도록 하측 기판(21)이 배치되어 있으며, 상기 하측 기판(21)상에는 어드레스 전극(22)이 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극(22)은 하측 유전체층(23)에 의해 매립되어 있다. 그리고, 상기 하측 유전체층(23)상에는 격벽(24)들이 형성되어 있으며, 상기 격벽(24)들에 의해 한정된 공간에는 형광체층(25)이 형성되어 있다. 한편, 이와 같이 구성된 서브픽셀(10) 내에는 방전 가스가 주입되어진다.
상기와 같은 구조를 가지는 서브픽셀(10)들이 구비된 플라즈마 디스플레이 패널의 작동을 간략하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 어드레스 전극(22)과 스캔 전극(14) 사이에 어드레스 전압이 인가되면 어드레스방전이 일어나게 되며, 이에 따라 어드레싱된 서브픽셀(10)에 소정의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이와 같은 상태에서 공통 전극(13)과 스캔 전극(14) 사이에 유지 전압이 인가되면 유지방전이 일어나게 된다. 이러한 방전에 의해 발생된 전하들은 방전 가스와 충돌하게 되며, 이에 따라 플라즈마가 형성되어 자외선이 발생하게 된다. 이와 같은 자외선의 발생으로 형광체층(25)이 여기됨으로써 가시광선이 발산되어 화상이 구현되어진다.
전술한 바와 같은 서브픽셀(10)에는 칼라 구현을 위해 적,녹,청색 형광체층들 중에서 어느 하나가 선택되어 배치됨으로써, 도 2에 도시된 바와 같이, 적색 서브픽셀(10R), 녹색 서브픽셀(10G) 및, 청색 서브픽셀(10B)로 각각 분류된다. 이러한 적,녹,청색 서브픽셀(10R)(10G)(10B)은 3개가 한 조를 이루어 단위픽셀(30)을 구성함으로써 3원색의 조합에 따른 다양한 색상을 표현하게 된다. 보다 상술하면, 적,녹,청색 서브픽셀(10R)(10G)(10B)로부터 각각 발산될 수 있는 적,녹,청색광의 발광 휘도를 여러 단계, 예컨대 256 단계의 계조로 각각 세분하고, 이와 같이 세분된 적,녹,청색광을 여러 조합으로 가산 혼합하게 되면, 단위픽셀(30)로부터 1,677만 색상이 표현될 수 있게 된다.
그런데, 통상적으로 동일한 조건에서 녹색광의 최대 발광 휘도가 가장 높고, 청색광의 최대 발광 휘도가 가장 낮은 것으로 알려져 있다. 이와 같이 청색광이 상대적으로 가장 낮은 최대 발광 휘도를 가지게 되므로, 적,녹,청색광의 휘도가 최대일 때 이들이 혼합되어 표현되는 백색의 색온도가 낮으며, 최대로 발광될 수 있는 휘도도 낮은 문제가 있다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 적,녹,청색 서브픽셀에 청색 서브픽셀을 더 포함하여 4개의 서브픽셀들로 단위픽셀을 구성한 예가 있다. 그러나, 면 방전 3전극 구조에서는 단위픽셀의 크기가 종래와 동일한 상태에서 서브 픽셀이 하나 더 포함됨에 따라, 단위픽셀을 구성하는 적,녹,청색 서브픽셀 사이의 피치가 종래에 비해 작아지게 된다. 이와 같이 서브픽셀들 사이의 피치가 작아지게 되면 커패시턴스가 커지게 되므로 소비 전력이 증가하는 문제점이 있게 된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 적,녹,청색 서브픽셀에 상기 적,녹,청색 서브픽셀 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 서브픽셀을 보조하는 서브픽셀을 하나 더 포함하여 4개의 서브픽셀들로서 단위픽셀을 구성하며, 최대 발광 휘도가 가장 낮은 서브픽셀들에 각각 배치된 형광체층들의 휘도 및 수명 특성을 달리하여 설정함으로써, 색온도가 높아질 수 있으며 휘도 유지율이 높아질 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은,
상측 기판과;
상기 상측 기판과 대향되게 배치된 하측 기판과;
상기 상측 기판과 하측 기판 사이에 형성되는 것으로, 적,녹,청색을 각각 발산하는 적,녹,청색 형광체층 중에서 어느 하나가 선택되어 각각 배치된 적,녹,청색 서브픽셀들로 한정하는 격벽과;
상기 서브픽셀들에 각각 대응되게 배치된 상측 방전전극들과;
상기 서브픽셀들에 상측 방전전극들과 공히 각각 대응되게 배치된 하측 방전전극들과;
상기 적,녹,청색 서브픽셀과, 상기 적,녹,청색 서브픽셀 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상의 서브픽셀을 하나 더 포함하여 각각 구성되며, 최대 발광 휘도가 가장 낮은 2개의 서브픽셀들에 각각 배치된 형광체층들에 있어 휘도 및 수명 특성이 서로 상이한 단위픽셀들;을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 격벽은 유전체로 형성되며, 상기 상측 방전전극들과 하측 방전전극들은 상기 격벽 내에 상하로 서로 이격되며 서로 교차하는 방향으로 각각 연장되어 배치되되 상기 서브픽셀들을 각각 둘러싸도록 배치된 것이 바람직하다.
여기서, 상기 단위픽셀에 있어 최대 발광 휘도가 가장 낮은 2개의 서브픽셀들 중에서, 어느 하나에 배치된 형광체층은 나머지 하나에 배치된 형광체층보다 높은 휘도 특성을 가지며, 상대적으로 낮은 휘도 특성을 갖는 서브픽셀은 높은 휘도 특성을 갖는 서브픽셀보다 긴 수명 특성을 갖는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 분리 사시도가 도시되어 있으며, 도 4에는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 절취한 단면도가 도시되어 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는, 상측 기판(111)과, 상기 상측 기판(111)과 대향되도록 배치된 하측 기판(121)이 구비되어 있다.
상기 상측 기판(111) 및 하측 기판(121)은 유리와 같은 광투과성 재료로 형성되어 있으며, 특히 상기 상측 기판(111)으로부터 화상이 표시되어지므로 상기 사측 기판(111)은 우수한 광투과성을 가지는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 상측 기판(111)과 하측 기판(121) 사이에는 격벽이 배치되어 있다. 상기 격벽은 도시된 바에 따르면 제1격벽(112)과 제2격벽(122)을 포함하며, 상기 제1격벽(112)과 제2격벽(122)은 소정 패턴으로, 즉 횡단면이 사각형인 매트릭스 형태의 폐쇄형 격벽으로 각각 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1격벽(112)의 하면은 상기 제2격벽(122)의 상면에 대응되어 상기 제1격벽(112)에 의해 한정된 공간과 상기 제2격벽(122)에 의해 한정된 공간이 각각 대응되어진다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 제1격벽 및 제2격벽은 와플 또는 델타 형태 등의 폐쇄형 격벽으로 형성되거나, 횡단면이 삼각형, 오각형 등과 같은 다각형이나, 원형이나, 타원형 등의 폐쇄형 격벽으로 각각 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1격벽은 폐쇄형 격벽으로 형성되는 한편, 제2격벽은 스트라이프 형태의 개방형 격벽으로 형성되는 것과 같이 다양한 조합으로 이루어지는 것도 가능하다.
상기 제1격벽(112)과 제2격벽(122)은 상측 기판(111) 및 하측 기판(121)과 함께 서브픽셀들로 구획하며, 구획된 서브픽셀(114)들 사이에 크로스 토크(cross talk) 등에 의한 오방전이 일어나는 것을 방지하게 된다. 상기 제1격벽(112)과 제2격벽(122)은 별개로 형성되거나 일체로 형성될 수 있는데, 별개로 형성되는 경우에는 적어도 제1격벽(112)만은 유전체로 형성되어지며, 일체로 형성되는 경우에는 제1격벽(112)과 제2격벽(122) 모두가 유전체로 형성되어진다.
그리고, 상기 서브픽셀(114)에는, 유지방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선이 발산하는 형광체층(123)이 배치되어 있다. 도시된 바에 따르면, 상기 형광체층(123)은 제2격벽(122)에 의해 한정되는 공간, 즉 하측 기판(121)의 상면과 하측 격벽(122)의 측면에 걸쳐 형성되어 있다.
상기 형광체층(123)은 제2격벽(122)에 의해 한정되는 공간에 형성되어 있으므로, 방전이 일어나는 제1격벽(112)측의 주된 영역과 현격히 이격되어 있다. 따라서, 하전 입자에 의하여 형광체층(123)이 이온 스퍼터링되는 것이 방지될 수 있어 수명 특성이 향상되며, 동일한 화상을 오랜 시간동안 구현하더라도 영구 잔상이 발생되는 현상이 획기적으로 줄어들 수 있다. 상기 형광체층(123)이 배치된 서브픽셀(114)들 내에는 방전 가스가 채워지는데, 상기 방전 가스로는 자외선을 발생시키는 Xe 등과, 버퍼(buffer)의 기능을 하는 Ne 등이 혼합된 가스가 채용될 수 있다.
한편, 상기 제2격벽(122)과 함께 서브픽셀(114)을 구획하는 제1격벽(112) 내에는, 상기 서브픽셀(114)들에서 방전을 일으키는 것으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상측 방전전극(131)들과 하측 방전전극(132)들이 상하로 각각 배치되며 상호 교차하도록 형성되어 있다. 여기서, 상측 방전전극(131)은 제1기판(111)측에 가까운 상측에 배치되어 있는 것이며, 하측 방전전극(132)은 상기 상측 방전전극(131)보다 하측에 배치되어 있는 것이다. 상기 상측 방전전극(131) 및 하측 방전전극(132)은 알루미늄, 구리, 은 등과 같은 도전성 금속 전극으로 각각 형성될 수 있다. 상기와 같은 금속 전극은 ITO로 형성된 전극보다 상대적으로 저항이 낮으므로 ITO 전극을 이용하는 종래의 패널에 비하여 방전 응답속도가 빨라질 수 있다.
상기 상측 방전전극(131)들과 하측 방전전극(132)들을 매립하는 제1격벽(112)은 유전체로 형성되어있다. 이에 따라, 상측 방전전극(131)과 하측 방전전극(132) 사이에 직접 통전되는 것이 방지될 수 있으며, 방전시 하전 입자가 상측 방전전극(131) 및 하측 방전전극(132)에 직접 충돌하여 이들이 손상되는 것이 방지되며, 하전 입자를 유도하여 벽전하를 축적하기가 용이해질 수 있다. 상기 제1격벽(112)을 형성하는 유전체로는 PbO, B2O3, SiO2 등이 이용될 수 있다.
그리고, 상기 제1격벽(112)의 측면에는 소정 두께의 MgO 막(113)이 더 형성되어있다. 이와 같이 MgO 막(113)이 형성됨에 따라, 방전시 발생된 하전 입자가 제1격벽(112)에 직접적으로 충돌하는 것이 MgO 막(113)에 의해 차단될 수 있어, 하전 입자의 이온 스퍼터링에 의한 제1격벽(112)의 손상이 방지될 수 있다. 이와 더불어, 상기와 같이 MgO 막(113)에 하전 입자가 직접적으로 충돌함에 따라, 상기 MgO 막(113)으로부터 방전에 기여하는 2차 전자가 방출될 수 있어, 저전압 구동이 가능하게 되며, 발광효율이 높아질 수 있다.
상기와 같이 제1격벽(112)내에 배치된 상측 방전전극(131)들과 하측 방전전극(132)들을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 제1격벽(112)내의 상측에 배치된 상측 방전전극(131)들은 소정 간격으로 이격되어 있으며, 일 방향을 따라 각각 연장되게 형성되어 있다. 도시된 바에 따르면, 하나의 상측 방전전극(131)은 상기 상측 방전전극(131)이 연장된 방향을 따라 배열된 서브픽셀(114)들에 있어 서브픽셀(114)마다 4측면을 둘러쌀 수 있는 구조로 되어 있다. 즉, 상기 상측 방전전극(131)은 일 열로 배열되어 서브픽셀(114)마다 둘러싸서 방전에 기여하는 상측 방전부(131a)들과, 상기 상측 방전부(131a)들 사이를 연결하는 상측 연결부(131b)들을 구비하고 있다.
여기서, 상기 상측 방전부(131a)들은 소정의 폭으로 사각띠 형상으로 형성되어 제1격벽(112) 내에 각각 배치되며, 이에 따라 서브픽셀(114)의 4측면을 둘러쌀 수 있게 된다. 그리고, 상기와 같은 구조로 각각 이루어진 상측 방전전극(131)들은, 상측 방전전극(131)이 연장된 방향과 직교하는 방향을 따라 소정 간격으로 이격되어 배치된다. 상기 상측 방전전극(131)들 사이의 이격된 부위들, 즉 상측 방전부(131a)들 사이의 이격된 부위들은 한 조를 이루어 상측 방전전극(131)이 연장된 방향을 따라 형성된 제1격벽(112) 내에 공히 배치되어 있다.
상기와 같은 상측 방전전극(131)들의 하측에 배치된 하측 방전전극(132)들은 소정 간격으로 이격되어 있으며, 상기 상측 방전전극(131)들이 각각 연장된 방향과 직교하는 방향을 따라 각각 연장되게 형성되어 있다. 도시된 바에 따르면, 상기 하측 방전전극(132)은 상측 방전전극(131)에서와 같이, 하나의 하측 방전전극(132)은 상기 하측 방전전극(132)이 연장된 방향을 따라 배열된 서브픽셀(114)들에 있어 서브픽셀(114)마다 4측면을 둘러쌀 수 있는 구조로 이루어져 있다. 이에 따라, 상기 하측 방전전극(132)은 일 열로 배열되어 서브픽셀(114)마다 둘러싸서 방전에 기여하는 하측 방전부(132a)들과, 상기 하측 방전부(132a)들 사이를 연결하는 하측 연결부(132b)들을 구비한다.
여기서, 상기 하측 방전부(132a)들은 소정의 폭으로 사각띠 형상으로 형성되 어 제1격벽(112) 내에 각각 배치되며, 이에 따라 서브픽셀(114)의 4측면을 둘러쌀 수 있게 된다. 상기 하측 방전전극(132)들은, 하측 방전전극(132)이 연장된 방향과 직교하는 방향을 따라 소정 간격으로 이격되어 배치되어 있으며, 하측 방전부(132a)들 사이의 이격된 부위들은 한 조를 이루어, 하측 방전전극(132)이 연장된 방향을 따라 형성된 제1격벽(112) 내에 공히 배치되어 있다. 한편, 상기 상측 방전전극과 하측 방전전극의 구조는 다양한 형태로 이루어질 수 있으므로, 전술한 바에 반드시 한정되지는 않는다.
상기와 같이 구성된 상측 방전전극(131)과 하측 방전전극(132) 중에서 어느 하나는 어드레스 및 유지전극으로 작용을 하고, 다른 하나는 스캔 및 유지전극으로 작용을 하게 된다. 예컨대, 상측 방전전극(131)이 어드레스 및 유지전극으로 작용하고, 하측 방전전극(132)이 스캔 및 유지전극으로 작용한다고 할 때, 상기 상측 방전전극(131)에 어드레스 전압이 인가되고, 하측 방전전극(132)에 스캔 전압이 인가되면, 전압이 각각 인가된 상측 방전전극(131)과 하측 방전전극(132)이 공히 배치된 서브픽셀(114)에서 어드레스 방전이 일어나게 되며, 상기 어드레스 방전 이후에, 상측 방전전극(131)과 하측 방전전극(132) 사이에 유지 전압이 교번하여 인가되면, 하전 입자가 상하 방향으로 이동하여 유지 방전이 일어나게 된다.
이와 같은 유지 방전은 도 4에 도시된 바와 같이, 서브픽셀(114)의 상측에 집중되어 이루어지며, 상기 서브픽셀(114)을 한정하는 모든 측면에서 수직 방향으로 일어나게 된다. 그리고, 상기와 같이 서브픽셀(114)의 모든 측면으로부터 일어나는 유지 방전은 점차적으로 서브픽셀(114)의 중앙측으로 확산되어진다. 따라서, 방전 면적이 종래의 패널에 비하여 상대적으로 넓어지게 되며, 유지방전이 일어나는 영역의 부피가 증가되어, 종래에 잘 사용되지 않았던 서브픽셀 내의 공간 전하도 발광에 기여하게 된다. 이에 따라, 방전시 플라즈마가 형성되는 양이 증가될 수 있어 저전압 구동이 가능하게 된다. 상기와 같은 메커니즘으로 발생된 유지방전에 의하여 방전 가스로부터 자외선이 방출되며, 상기 자외선에 의해 서브픽셀(114) 내에 배치된 형광체층(123)이 여기됨으로써, 여기된 형광체층(123)으로부터 가시광이 발산될 수 있게 된다.
상기와 같이 가시광을 발산하는 형광체층(123)은 칼라 구현을 위해 적,녹,청색의 가시광을 각각 발산하는 적,녹,청색 형광체중에서 선택된 어느 하나의 형광체로서 형성되어 적,녹,청색 형광체층을 이루게 된다. 상기 적,녹,청색 형광체층 중에서 어떤 형광체층이 서브픽셀에 배치되느냐에 따라, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및, 청색 서브픽셀로 각각 분류되어진다. 상기 적,녹,청색 서브픽셀은 단위픽셀에 포함됨으로써, 3원색의 조합에 따른 다양한 색상을 표현하게 된다.
한편, 본 발명의 일 특징에 따르면, 상기와 같이 3원색의 조합에 따른 다양한 색상을 표현하는 단위픽셀(140)은, 적,녹,청색 서브픽셀(114R)(114G)(114B)로 이루어진 3개의 서브픽셀들에 적,녹,청색 중에서 선택된 어느 하나의 색상을 발광하는 서브픽셀이 더 포함되어 4개의 서브픽셀들로 구성되어 있다.
상기 4개의 서브픽셀들 중에서 추가된 서브픽셀은 적,녹,청색 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상을 발광하는 서브픽셀인 것이 바람직하다. 이와 같이 단위픽셀(140)에 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상을 발광하는 서브픽셀이 하나 더 포함됨으로써, 가장 낮은 최대 발광 휘도를 갖는 색상의 최대 발광 휘도가 높아질 수 있다. 이에 따라, 단위픽셀(140)로부터 적,녹,청색광의 휘도가 최대일 때 이들이 혼합되어 표현되는 백색의 색온도가 높아질 수 있으며, 아울러 최대로 발광될 수 있는 휘도도 높아질 수 있다.
통상적으로, 동일한 조건에서 녹색광의 최대 발광 휘도가 가장 높고, 청색광의 최대 발광 휘도가 가장 낮은 것으로 알려져 있으므로, 도 5에 도시된 바와 같이, 단위픽셀(140)에는 2개의 청색 서브픽셀들(114B)(114B')이 포함될 수 있을 것이다. 이에 따라 청색광의 최대 발광 휘도가 높아질 수 있게 된다. 따라서, 상기 단위픽셀(140)로부터 적,녹,청색광의 휘도가 최대일 때 이들이 혼합되어 표현되는 백색의 색온도가 높아질 수 있으며, 최대로 발광될 수 있는 휘도가 극대화될 수 있다. 상기 단위픽셀(140)을 구성하는 4개의 서브픽셀들(114R)(114G)(114B)(114B')은, 도시된 바와 같이 2열로 2개씩 배열되어 있는데, 상기 서브픽셀들(114R)(114G)(114B)(114B')이 배열된 패턴은 도시된 바에 한정되지 않고 다양한 패턴으로 배열이 가능하다.
상기와 같이 4개의 서브픽셀들(114R)(114G)(114B)(114B')로 구성된 단위픽셀(140)에 있어서, 이에 포함된 2개의 청색 서브픽셀들(114B)(114B')에 각각 배치된 청색 형광체층들은 휘도 및 수명 특성이 서로 상이하게 설정되어 있다.
이에 대해 상술하면, 상기 청색 서브픽셀들(114B)(114B') 중에서 어느 하나의 청색 서브픽셀(114B)에 배치된 형광체층은, 나머지 하나의 청색 서브픽셀(114B')에 배치된 형광체층보다 상대적으로 높은 휘도 특성을 갖도록 설정되어 있 다. 그리고, 상대적으로 낮은 휘도 특성을 갖는 형광체층은, 높은 휘도 특성을 갖는 형광체층보다 상대적으로 긴 수명 특성을 갖도록 설정되어 있다. 이에 따라, 어느 하나의 청색 서브픽셀(114B)에는 휘도 특성이 상대적으로 우수한 형광체층이 배치될 수 있게 되며, 나머지 하나의 청색 서브픽셀(114B')에는 휘도 특성은 다소 떨어지나 수명 특성이 상대적으로 우수한 형광체층이 배치될 수 있게 된다.
이와 같이 단위픽셀(140)을 구성하는 어느 하나의 청색 서브픽셀(114B)에는 높은 휘도 특성을 갖는 형광체층이 배치되며, 나머지 하나의 청색 서브픽셀(114B')은 긴 수명 특성을 갖는 형광체층이 배치됨으로써, 청색광의 최대 발광 휘도가 높아질 수 있음과 동시에 휘도 유지율이 높아질 수 있게 된다. 이에 따라, 단위픽셀(140)의 색온도 특성도 아울러 향상될 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 높은 휘도 특성을 갖는 청색 서브픽셀(114B)에 배치된 형광체층은 휘도 특성이 우수한 것으로 알려진 BAM(BaMgAl10O17:Eu2+) 같은 형광체로 형성될 수 있으며, 긴 수명 특성을 갖는 청색 서브픽셀(114B')에 배치된 형광체층은 수명 특성이 우수한 것으로 알려진 CMS(CaMgSi2O6:Eu2+) 같은 형광체로 형성될 수 있다. 한편, 상기한 청색 서브픽셀들(114B)(114B')과 함께 단위픽셀(140)을 구성하는 적색 서브픽셀(114R)에 배치된 형광체층은 Y(V,Gd)BO3:Eu3+ 같은 형광체로 형성될 수 있으며, 녹색 서브픽셀(114G)에 배치된 형광체층은 Zn2SiO4:Mn2+ 같은 형광체로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 적,녹,청색 서브픽셀에 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상의 서브픽셀을 더 포함하여 4개의 서브픽셀들로 단위픽셀을 구성하며, 단위픽셀에 포함된 최대 발광 휘도가 가장 낮은 서브픽셀들에 각각 배치된 형광체층들의 휘도 및 수명 특성을 달리하여 설정함으로써, 색온도 및 휘도가 높아질 수 있음과 함께, 수명이 증대되어 휘도 유지율이 향상될 수 있는 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
Claims (11)
- 상측 기판과;상기 상측 기판과 대향되게 배치된 하측 기판과;상기 상측 기판과 하측 기판 사이에 형성되는 것으로, 적,녹,청색을 각각 발산하는 적,녹,청색 형광체층 중에서 어느 하나가 선택되어 각각 배치된 적,녹,청색 서브픽셀들로 한정하는 격벽과;상기 서브픽셀들에 각각 대응되게 배치된 상측 방전전극들과;상기 서브픽셀들에 상측 방전전극들과 공히 각각 대응되게 배치된 하측 방전전극들과;상기 적,녹,청색 서브픽셀과, 상기 적,녹,청색 서브픽셀 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상의 서브픽셀을 하나 더 포함하여 각각 구성되며, 최대 발광 휘도가 가장 낮은 2개의 서브픽셀들에 각각 배치된 형광체층들에 있어 휘도 및 수명 특성이 서로 상이한 단위픽셀들;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1항에 있어서,상기 격벽은 유전체로 형성되며, 상기 상측 방전전극들과 하측 방전전극들은 상기 격벽 내에 상하로 서로 이격되며 서로 교차하는 방향으로 각각 연장되어 배치되되 상기 서브픽셀들을 각각 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 2항에 있어서,상기 단위픽셀에 있어 최대 발광 휘도가 가장 낮은 2개의 서브픽셀들 중에서, 어느 하나에 배치된 형광체층은 나머지 하나에 배치된 형광체층보다 높은 휘도 특성을 가지며, 상대적으로 낮은 휘도 특성을 갖는 서브픽셀은 높은 휘도 특성을 갖는 서브픽셀보다 긴 수명 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 3항에 있어서,상기 적,녹,청색 서브픽셀 중에서 최대 발광 휘도가 가장 낮은 색상의 서브픽셀은 청색 서브픽셀인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 4항에 있어서,상기 높은 휘도 특성을 갖는 형광체층은 BAM(BaMgAl10O17:Eu2+) 형광체로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 4항에 있어서,상기 긴 수명 특성을 갖는 형광체층은 CMS(CaMgSi2O6:Eu2+) 형광체로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1항에 있어서,상기 단위픽셀을 구성하는 4개의 서브픽셀들은 2열로 2개씩 배열된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1항에 있어서,상기 격벽은 상기 상측 방전전극들과 하측 방전전극들이 배치된 제1격벽과, 상기 제1격벽의 하측에 배치되어 상기 형광체층이 배치된 제2격벽을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1항에 있어서,상기 격벽의 측면에는 MgO 막에 의해 덮여진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1항에 있어서,상기 상측 방전전극들과 하측 방전전극들은 도전성 금속으로 각각 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 2항에 있어서,상기 격벽은 상기 서브픽셀들을 매트릭스 형태로 한정하며, 상기 상측 방전전극들은 사각띠 형상으로 각각 이루어져 상기 서브픽셀들을 둘러싸는 상측 방전부들을 각각 구비하며, 상기 하측 방전전극들은 사각띠 형상으로 각각 이루어져 상기 서브픽셀들을 둘러싸는 하측 방전부들을 각각 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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