KR20060035360A - Pattern test system using low noise amplifier - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 패턴 검사 시스템은 교류 신호 발생기, 저잡음 증폭기, 및 제어부를 포함한다. 교류 신호 발생기는 설정 주파수 대역 안에서 변하는 주파수의 교류 신호를 발생시킨다. 저잡음 증폭기는, 교류 신호 발생기로부터의 교류 신호의 노이즈를 줄이고 교류 신호의 전압을 설정 전압까지 상승시켜서, 그 결과의 교류 신호를 회로 패턴의 일단에 인가한다. 제어부는, 저잡음 증폭기로부터의 출력 상태를 기준 무결함 상태와 비교하고, 그 결과에 따라 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별한다.The pattern inspection system according to the present invention includes an AC signal generator, a low noise amplifier, and a controller. The AC signal generator generates an AC signal of varying frequency within a set frequency band. The low noise amplifier reduces the noise of the AC signal from the AC signal generator, raises the voltage of the AC signal to the set voltage, and applies the resulting AC signal to one end of the circuit pattern. The control unit compares the output state from the low noise amplifier with the reference defect state, and determines whether the circuit pattern is defective, the defect position, and the defect state according to the result.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여주는 블록도이다.1 is a block diagram showing a pattern inspection system according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.FIG. 2 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection system of FIG. 1.
도 3은 도 1의 검사 시스템에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.3 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns having short defects with an adjacent pattern in the inspection system of FIG. 1.
도 4는 도 1의 검사 시스템에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.4 is a characteristic graph of difference-voltage / frequency obtained from patterns with open defects in the inspection system of FIG.
도 5는 도 1의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다.5 is a characteristic graph of difference-voltage / time obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection system of FIG.
도 6은 도 1의 검사 시스템에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다.FIG. 6 is a characteristic graph of the difference-voltage / time obtained from patterns having short defects with an adjacent pattern in the inspection system of FIG. 1.
도 7은 도 1의 검사 시스템에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다.7 is a characteristic graph of difference-voltage / time obtained from patterns with open defects in the inspection system of FIG.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여주는 블록도이 다.8 is a block diagram illustrating a pattern inspection system according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 9는 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.FIG. 9 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection systems of FIGS. 1 and 9.
도 10은 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.10 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with short defects with an adjacent pattern in the inspection systems of FIGS. 1 and 9.
도 11은 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다.FIG. 11 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with open defects in the inspection systems of FIGS. 1 and 9.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여주는 블록도이다.12 is a block diagram illustrating a pattern inspection system according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여주는 블록도이다.13 is a block diagram illustrating a pattern inspection system according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여주는 블록도이다.14 is a block diagram illustrating a pattern inspection system according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1...교류 신호 발생기, 2, 2a, 2b...저잡음 증폭기,1 ... AC signal generator, 2, 2a, 2b ... low noise amplifier,
4...회로 기판, P1 내지 Pn...회로 패턴들,4 ... circuit board, P1 to Pn ... circuit patterns,
5, 6, PC, 13, 및 14...제어부, PC...개인용 컴퓨터.5, 6, PC, 13, and 14 ... control, PC ... personal computer.
본 발명은, 패턴 검사 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 집적 회로를 실장하는 회로 기판의 패턴들 각각의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 검사하는 패턴 검사 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
통상적인 패턴 검사 시스템 예를 들어, 미국 특허 6,111,414호의 패턴 검사 시스템은, 공진 회로를 통과한 교류 신호를 회로 패턴들에 인가하고, 상기 교류 신호의 상태를 기준 무결함 상태와 비교하며, 그 결과에 따라 상기 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별한다.Conventional pattern inspection system For example, the pattern inspection system of US Pat. No. 6,111,414 applies an alternating current signal through a resonant circuit to circuit patterns, compares the state of the alternating signal with a reference zero defect state, Therefore, whether the circuit pattern is defective, the defect position, and the defect state are determined.
하지만, 최근의 회로 기판들이 점점 집적화됨에 따라, 회로 패턴들의 폭이 점점 좁아지고, 회로 패턴들 사이의 피치(pitch)가 점점 좁아진다. 따라서, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 점점 줄어듬에 따라, 검사의 정밀도가 점점 떨어지는 문제점이 있다. However, as recent circuit boards are increasingly integrated, the width of the circuit patterns becomes narrower, and the pitch between the circuit patterns becomes narrower. Therefore, as the difference between the voltage in the defective state and the voltage in the reference defect state is gradually reduced, there is a problem that the accuracy of inspection is gradually decreased.
본 발명의 목적은, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이를 효과적으로 높여서 검사의 정밀도를 높일 수 있는 패턴 검사 시스템을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a pattern inspection system which can increase the accuracy of inspection by effectively increasing the difference between the voltage in a defective state and the voltage in a reference defect state.
상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 적어도 한 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 검사하는 패턴 검사 시스템으로서, 교류 신호 발생기, 저잡음 증폭기, 및 제어부를 포함한다. 상기 교류 신호 발생기는 설정 주파수 대역 안에서 변하는 주파수의 교류 신호를 발생시킨다. 상기 저잡음 증폭기는, 상기 교 류 신호 발생기로부터의 교류 신호의 노이즈를 줄이고 상기 교류 신호의 전압을 설정 전압까지 상승시켜서, 그 결과의 교류 신호를 상기 회로 패턴의 일단에 인가한다. 상기 제어부는, 상기 저잡음 증폭기로부터의 출력 상태를 기준 무결함 상태와 비교하고, 그 결과에 따라 상기 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별한다.The present invention for achieving the above object is a pattern inspection system for inspecting whether at least one circuit pattern is defective, a defect position, and a defect state, and includes an AC signal generator, a low noise amplifier, and a controller. The AC signal generator generates an AC signal of a frequency varying within a set frequency band. The low noise amplifier reduces noise of an AC signal from the AC signal generator, raises the voltage of the AC signal to a set voltage, and applies the resulting AC signal to one end of the circuit pattern. The control unit compares the output state from the low noise amplifier with a reference defect state, and determines whether the circuit pattern is defective, the defect position, and the defect state according to the result.
본 발명의 상기 패턴 검사 시스템에 의하면, 상기 저잡음 증폭기에 의하여 상기 회로 패턴의 일단에 인가되는 전압을 효과적으로 높일 수 있다. 이에 따라, 결함 상태의 전압과 상기 기준 무결함 상태의 전압의 차이를 높여서 검사의 정밀도를 높일 수 있다.According to the pattern inspection system of the present invention, the voltage applied to one end of the circuit pattern by the low noise amplifier can be effectively increased. Accordingly, the accuracy of the inspection can be increased by increasing the difference between the voltage in the defective state and the voltage in the reference defect state.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 패턴 검사 시스템은 교류 신호 발생기(1), 저잡음 증폭기(2), 및 제어부(5, 6, PC, 13, 및 14)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the pattern inspection system according to the first embodiment of the present invention includes an
교류 신호 발생기(1)는 설정 주파수 대역 안에서 변하는 주파수의 교류 신호를 발생시킨다. 저잡음 증폭기(2)는, 교류 신호 발생기로부터의 교류 신호의 노이즈를 줄이고 교류 신호의 전압을 설정 전압까지 상승시킨다. 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호는 주사 스위치들(SW1 내지 SWn) 및 프로브들(probes)을 통하여 회로 기판(4)의 각 패턴(P1 내지 Pn)의 일단에 인가된다. 이와 같은 저잡음 증폭기(2)에 의하면, 각 회로 패턴(P1 내지 Pn)의 일단에 인가되는 전압을 효과적으로 높일 수 있다. 이에 따라, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이를 높여서 검사의 정밀도를 높일 수 있다. 주사 스위치들(SW1 내지 SWn)은 제어부(5, 6, PC, 13, 및 14)의 디멀티플렉서(14)로부터의 제어 신호에 따라 회로 패턴들(P1 내지 Pn) 각각을 저잡음 증폭기(2)의 출력단에 순차적으로 연결한다. 제어부(5, 6, PC, 13, 및 14)는, 저잡음 증폭기(2)로부터의 출력 상태를 기준 무결함 상태와 비교하고, 그 결과에 따라 각 회로 패턴(P1 내지 Pn)의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별한다.The
제어부(5, 6, PC, 13, 및 14)는 대역 통과 필터(5), 교류/직류 변환부(6), 개인용 컴퓨터(PC), 디지털/아날로그 변환부(13) 및 디멀티플렉서(14)를 포함한다. 대역 통과 필터(5)는 저잡음 증폭기(2)로부터의 출력 신호(SD1)가 설정 주파수 대역만을 갖게 한다. 교류/직류 변환부(6)는 대역 통과 필터(5)로부터의 출력 신호(SD2)를 직류 신호(SD3)로 변환시킨다. 개인용 컴퓨터(PC)는 교류/직류 변환부(6)로부터의 직류 신호(SD3)와 기준 무결함 상태의 직류 신호의 차이에 따라 대상 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별하며, 주사 스위치들(SW1 내지 SWn)의 제어 신호들(DC2, SE2)을 발생시킨다. 디지털/아날로그 변환부(13)는 개인용 컴퓨터(PC)로부터의 제어 신호들(DC2, SE2)중에서 주사 스위치들(SW1 내지 SWn)의 선택 데이터(DC2)를 아날로그 선택 신호(SC)로 변환시킨다. 디멀티플렉서(14)는 개인용 컴퓨터(PC)로부터의 제어 신호들(DC2, SE2)중에서의 타이밍 제어 신호(SE2
), 및 디지털/아날로그 변환부(13)로부터의 아날로그 선택 신호(SC)에 따라 주사 스위치들(SW1 내지 SWn)을 구동한다.
The
개인용 컴퓨터(PC)는 아날로그/디지털 변환부(7), 데이터 수신부(8), 이이피롬(Electrically Erasable and programmable read-only memory, 10), 중앙 처리 소자(9), 및 데이터 송신부(11)를 포함한다. 아날로그/디지털 변환부(7)는 교류/직류 변환부(6)로부터의 직류 신호(SD3)를 대상 데이터(DD1)로 변환시킨다. 데이터 수신부(8)는 아날로그/디지털 변환부(7)로부터의 대상 데이터(DD1)를 인터페이싱한다. 이이피롬(10)은 데이터 수신부(8)로부터의 대상 데이터(DD2)와 기준 무결함 상태의 기준 데이터의 차이에 따른 회로 패턴의 결함 판단 정보를 저장한다. 중앙 처리 소자(9)는 데이터 수신부(8)로부터의 대상 데이터(DD2)와 기준 무결함 상태의 기준 데이터의 차이를 연산하고, 그 연산 결과 및 이이피롬(10)으로부터의 결함 판단 정보에 따라 대상 회로 패턴의 결함 여부, 결함 위치, 및 결함 상태를 판별하여 출력하며, 스위치 선택 데이터(DC1) 및 타이밍 제어 신호(DC1)를 발생시킨다. 여기에서, 중앙 처리 소자(9)로부터 출력된 검사 결과 데이터는 모니터(12)에 디스플레이된다. 데이터 송신부(11)는 중앙 처리 소자(9)로부터의 스위치 선택 데이터(DC1) 및 타이밍 제어 신호(DC1)를 인터페이싱하여 상기 디지털/아날로그 변환부(13)로 출력한다.A personal computer (PC) includes an analog /
도 2는 도 1의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이하, 마우스 바이트(mouse bite)라 함은 불완전한 단선(open) 상태를 의미한다. 이 실험에서 교류 신 호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 2 볼트(V)이다. 도 2에서 참조 부호 Cf1은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf2는 대상 패턴의 중앙 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf3은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 2의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 마우스 바이트(mouse bite) 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. FIG. 2 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection system of FIG. 1. Hereinafter, the mouse bite refers to an incomplete open state. In this experiment, the AC voltage from the AC signal generator (1) is 2 volts (V). In FIG. 2, reference numeral Cf1 corresponds to a case where a mouse bite defect occurs at a position close to a point where an AC signal from the
도 3은 도 1의 검사 시스템에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이 실험에서 교류 신호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 2 볼트(V)이다. 도 3에서 참조 부호 Cf4는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf5는 대상 패턴의 중앙 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf6은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 3의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단락 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. 3 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns having short defects with an adjacent pattern in the inspection system of FIG. 1. In this experiment, the AC voltage from the
도 4는 도 1의 검사 시스템에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이 실험에서 교류 신호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 2 볼트(V)이다. 도 4에서 참조 부호 Cf7은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf8은 대상 패턴의 중앙 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Cf9는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 4의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단선 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. 4 is a characteristic graph of difference-voltage / frequency obtained from patterns with open defects in the inspection system of FIG. In this experiment, the AC voltage from the
도 5는 도 1의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다. 도 5에서 참조 부호 Ct1은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct2는 대상 패턴의 중앙 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct3은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 5의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 마우스 바이트(mouse bite) 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. 5 is a characteristic graph of difference-voltage / time obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection system of FIG. In FIG. 5, reference numeral Ct1 corresponds to a case where a mouse bite defect occurs at a position close to a point where an AC signal from the
도 6은 도 1의 검사 시스템에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다. 도 6에서 참조 부호 Ct4는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct5는 대상 패턴의 중앙 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct6은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 6의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단락 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. FIG. 6 is a characteristic graph of the difference-voltage / time obtained from patterns having short defects with an adjacent pattern in the inspection system of FIG. 1. In Fig. 6, reference numeral Ct4 corresponds to a case where a short circuit fault occurs at a position close to the point where the AC signal from the
도 7은 도 1의 검사 시스템에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/시간의 특성 그래프이다. 도 7에서 참조 부호 Ct7은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct8은 대상 패턴의 중앙 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호 Ct9는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 7의 그래프에 의하면, 통상적인 패턴 검사 시스템에 의한 특성 곡선들에 비하여 도 1의 검사 시스템에 의한 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단선 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 높아져서 검사의 정밀도가 높아질 수 있다. 7 is a characteristic graph of difference-voltage / time obtained from patterns with open defects in the inspection system of FIG. In FIG. 7, reference numeral Ct7 corresponds to a case where a disconnection defect occurs at a position close to the point where the AC signal from the
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여준다. 도 8에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 1의 패턴 검사 시스템에 대한 도 8의 패턴 검사 시스템의 차이점은, 각 패턴(P1 내지 Pn)의 타단들이 접지되는 것이다. 이로 인하여 본 발명의 상기 효과가 보다 커짐을 확인할 수 있었다. 이를 도 9 내지 11을 참조하여 설명하기로 한다.8 shows a pattern inspection system according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 8, the same reference numerals as used in FIG. 1 indicate objects of the same function. The difference between the pattern inspection system of FIG. 8 and the pattern inspection system of FIG. 1 is that the other ends of the patterns P1 to Pn are grounded. This confirmed that the above effects of the present invention is greater. This will be described with reference to FIGS. 9 to 11.
도 9는 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이 실험에서 교류 신호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 10 볼트(V)이다. 도 9에서 좌측 블록의 특성 곡선들(Cf11 내지 Cf13)은 도 1의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 도 9에서 우측 블록의 특성 곡선들(Cf14 내지 Cf15)은 도 9의 검사 시스템에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 참조 부호들 Cf10 및 Cf13은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf11 및 Cf14는 대상 패턴의 중앙 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf12 및 Cf15는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 마우스 바이트(mouse bite) 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 9 를 참조하면, 도 1의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf11 내지 Cf13)에 비하여 도 9의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf13 내지 Cf15) 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 마우스 바이트(mouse bite) 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다. FIG. 9 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with mouse bite defects in the inspection systems of FIGS. 1 and 9. In this experiment, the AC voltage from the
도 10은 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 인접 패턴과의 단락(short) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이 실험에서 교류 신호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 10 볼트(V)이다. 도 10에서 좌측 블록의 특성 곡선들(Cf16 내지 Cf18)은 도 1의 검사 시스템에서 단락 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 도 10에서 우측 블록의 특성 곡선들(Cf19 내지 Cf21)은 도 9의 검사 시스템에서 단락 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 참조 부호들 Cf16 및 Cf19는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf17 및 Cf20은 대상 패턴의 중앙 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf18 및 Cf21은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단락 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 9를 참조하면, 도 1의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf16 내지 Cf18)에 비하여 도 9의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf19 내지 Cf21) 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단락 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다.
10 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with short defects with an adjacent pattern in the inspection systems of FIGS. 1 and 9. In this experiment, the AC voltage from the
도 11은 도 1 및 9의 검사 시스템들에서 단선(open) 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 차이-전압/주파수의 특성 그래프이다. 이 실험에서 교류 신호 발생기(1)로부터의 교류 전압은 10 볼트(V)이다. 도 11에서 좌측 블록의 특성 곡선들(Cf22 내지 Cf24)은 도 1의 검사 시스템에서 단락 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 도 10에서 우측 블록의 특성 곡선들(Cf25 내지 Cf27)은 도 9의 검사 시스템에서 단선 결함들을 가진 패턴들로부터 얻어진 것들이다. 참조 부호들 Cf22 및 Cf25는 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 가까운 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf23 및 Cf26은 대상 패턴의 중앙 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 참조 부호들 Cf24 및 Cf27은 저잡음 증폭기(2)로부터의 교류 신호가 인가되는 지점과 먼 위치에서 단선 결함이 발생된 경우에 해당된다. 도 9를 참조하면, 도 1의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf22 내지 Cf24)에 비하여 도 9의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들(Cf25 내지 Cf27) 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 단선 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다. FIG. 11 is a characteristic graph of the difference-voltage / frequency obtained from patterns with open defects in the inspection systems of FIGS. 1 and 9. In this experiment, the AC voltage from the
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여준다. 도 12에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 1의 패턴 검사 시스템에 대한 도 12의 패턴 검사 시스템의 차이점은, 각 패턴(P1 내지 Pn)의 타단들에 설정 직류 전압(VDC)이 인가되는 것이다. 반복적인 실험에 의하면, 도 1 의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들에 비하여 도 12의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다. 12 shows a pattern inspection system according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same reference numerals as used in FIG. 1 indicate objects of the same function. The difference between the pattern inspection system of FIG. 12 and the pattern inspection system of FIG. 1 is that the set DC voltage V DC is applied to the other ends of the patterns P1 to Pn. As a result of repeated experiments, it was confirmed that the average interval between the characteristic curves obtained in the inspection system of FIG. 12 was larger than that of the characteristic curves obtained in the inspection system of FIG. That is, the difference between the voltage in the defective state and the voltage in the reference defect state is higher, so that the accuracy of the inspection can be higher.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여준다. 도 13에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 1의 패턴 검사 시스템에 대한 도 13의 패턴 검사 시스템의 차이점은, 자기장 발생 회로(cMG)로부터의 자기장이 각 패턴(P1 내지 Pn)의 타단들에 인가되는 것이다. 반복적인 실험에 의하면, 도 1의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들에 비하여 도 13의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다. 또한, 직류 바이어싱을 위하여 프로빙을 하지 않아도 되는 추가적 장점이 있다. 13 shows a pattern inspection system according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 13, the same reference numerals as used in FIG. 1 indicate objects of the same function. The difference between the pattern inspection system of FIG. 13 and the pattern inspection system of FIG. 1 is that a magnetic field from the magnetic field generating circuit c MG is applied to the other ends of the patterns P1 to Pn. As a result of repeated experiments, it was confirmed that the average interval between the characteristic curves obtained in the inspection system of FIG. 13 was larger than that of the characteristic curves obtained in the inspection system of FIG. That is, the difference between the voltage in the defective state and the voltage in the reference defect state is higher, so that the accuracy of the inspection can be higher. In addition, there is an additional advantage that does not require probing for DC biasing.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 패턴 검사 시스템을 보여준다. 도 14에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 1의 패턴 검사 시스템에 대한 도 14의 패턴 검사 시스템의 차이점은, 제1 저잡음 증폭기(2a)의 출력단과 제어부(5, 6, PC, 13, 및 14)의 대역 통과 필터(5) 사이에 제2 저잡음 증폭기(2b)가 연결되는 것이다. 반복적인 실험에 의하면, 도 1의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들에 비하여 도 14의 검사 시스템에서 얻어진 특성 곡선들 사이의 평균 간격이 보다 큼을 확인할 수 있었다. 즉, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이가 보다 높아져서 검사의 정밀도가 보다 높아질 수 있다. 14 shows a pattern inspection system according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 14, the same reference numerals as used in FIG. 1 indicate objects of the same function. The difference between the pattern inspection system of FIG. 14 and the pattern inspection system of FIG. 1 is that between the output of the first
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 패턴 검사 시스템에 의하면, 저잡음 증폭기에 의하여 회로 패턴의 일단에 인가되는 전압을 효과적으로 높일 수 있다. 이에 따라, 결함 상태의 전압과 기준 무결함 상태의 전압의 차이를 높여서 검사의 정밀도를 높일 수 있다.As described above, according to the pattern inspection system according to the present invention, it is possible to effectively increase the voltage applied to one end of the circuit pattern by the low noise amplifier. Accordingly, the accuracy of the inspection can be increased by increasing the difference between the voltage in the defective state and the voltage in the reference defect free state.
본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, but may be modified and improved by those skilled in the art within the spirit and scope of the invention as defined in the claims.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040084821A KR20060035360A (en) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Pattern test system using low noise amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040084821A KR20060035360A (en) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Pattern test system using low noise amplifier |
Publications (1)
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KR20060035360A true KR20060035360A (en) | 2006-04-26 |
Family
ID=37143934
Family Applications (1)
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KR1020040084821A KR20060035360A (en) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Pattern test system using low noise amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20060035360A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11460502B2 (en) * | 2017-06-20 | 2022-10-04 | Phosphil Inc. | Processor-based measuring method for testing device under test, and measuring device using same |
-
2004
- 2004-10-22 KR KR1020040084821A patent/KR20060035360A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11460502B2 (en) * | 2017-06-20 | 2022-10-04 | Phosphil Inc. | Processor-based measuring method for testing device under test, and measuring device using same |
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