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KR20050114139A - Liquid crystal display device and fabrication method thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and fabrication method thereof Download PDF

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Publication number
KR20050114139A
KR20050114139A KR1020040039359A KR20040039359A KR20050114139A KR 20050114139 A KR20050114139 A KR 20050114139A KR 1020040039359 A KR1020040039359 A KR 1020040039359A KR 20040039359 A KR20040039359 A KR 20040039359A KR 20050114139 A KR20050114139 A KR 20050114139A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
black matrix
forming
liquid crystal
resin film
Prior art date
Application number
KR1020040039359A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신철상
김광민
이준희
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 씰터짐 방지를 위한 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1 및 제2기판과, 상기 제1 및 제2기판의 외곽을 따라 형성되어, 제1 및 제2기판을 합착하는 씰패턴과, 상기 제2기판 상에 형성되며, 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 가지는 블랙매트릭스(black matrix)와, 상기 블랙매트릭스을 포함하는 제2기판 전면에 형성된 오버코트막(over coat layer) 및 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어지는 액정표시소자를 제공한다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same for preventing the seal burst, and is formed along the outer periphery of the first and second substrates and the first and second substrates to bond the first and second substrates together. A black matrix formed on the seal pattern, the second substrate and having irregularities in a region corresponding to the seal pattern, an overcoat layer formed on the entire surface of the second substrate including the black matrix; Provided is a liquid crystal display device including a liquid crystal layer formed between the first and second substrates.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}Liquid crystal display device and manufacturing method thereof {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히, 칼라필터기판과 박막트랜지스터 기판을 합착시키기 위해 형성된 씰(seal)과 칼라필터기판에 형성된 블랙매트릭스(black matrix)이 겹침으로 인해 발생할 수 있는 씰터짐을 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and in particular, a seal that may occur due to overlap of a seal formed to bond a color filter substrate and a thin film transistor substrate and a black matrix formed on the color filter substrate. The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that can be prevented.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.Recently, with the development of various portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, and notebook computers, there is a growing demand for flat panel display devices for light and thin applications. Such flat panel displays are being actively researched, such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), FED (Field Emission Display), VFD (Vacuum Fluorescent Display), but mass production technology, ease of driving means, Liquid crystal display devices (LCDs) are in the spotlight for reasons of implementation.

도1은 일반적인 액정표시소자의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 액정표시소자(1)는 하부기판(5)과 상부기판(3) 및 상기 하부기판(5)과 상부기판(3) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 하부기판(5)은 구동소자 어레이(Array)기판으로써, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 하부기판(5)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 구동소자가 형성되어 있다. 상부기판(3)은 칼라필터(Color Filter)기판으로써, 실제 칼라를 구현하기 위한 칼라필터층이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)에는 각각 화소전극 및 공통전극이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막이 도포되어 있다.1 schematically illustrates a cross section of a general liquid crystal display device. As shown in the figure, the liquid crystal display device 1 is composed of a lower substrate 5 and an upper substrate 3 and a liquid crystal layer 7 formed between the lower substrate 5 and the upper substrate 3. . Although the lower substrate 5 is a driving element array substrate, although not shown in the drawing, a plurality of pixels are formed on the lower substrate 5, and each pixel is driven such as a thin film transistor. An element is formed. The upper substrate 3 is a color filter substrate, and a color filter layer for realizing color is formed. In addition, a pixel electrode and a common electrode are formed on the lower substrate 5 and the upper substrate 3, respectively, and an alignment film for aligning liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 7 is coated.

상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)은 실링재(Sealing material)(9)에 의해 합착되어 있으며, 그 사이에 액정층(7)이 형성되어 상기 하부기판(5)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.The lower substrate 5 and the upper substrate 3 are bonded by a sealing material 9, and a liquid crystal layer 7 is formed therebetween, and is driven by a driving element formed on the lower substrate 5. Information is displayed by controlling the amount of light passing through the liquid crystal layer by driving the liquid crystal molecules.

액정표시소자의 제조공정은 크게 하부기판(5)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정과 상부기판(3)에 칼라필터를 형성하는 칼라필터기판공정 및 셀(Cell)공정으로 구분될 수 있는데, 이러한 액정표시소자의 공정을 도2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The manufacturing process of the liquid crystal display device can be largely divided into a driving element array substrate process of forming a driving element on the lower substrate 5, a color filter substrate process of forming a color filter on the upper substrate 3, and a cell process. However, the process of the liquid crystal display will be described with reference to FIG. 2.

우선, 구동소자 어레이공정에 의해 하부기판(5)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Date Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터를 형성한다(S101). 또한, 상기 구동소자 어레이공정을 통해 상기 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성한다.First, a plurality of gate lines and data lines arranged on the lower substrate 5 to define a pixel region are formed by a driving element array process, and the gate line and the data are formed in each of the pixel regions. A thin film transistor which is a driving element connected to the line is formed (S101). In addition, the pixel electrode is connected to the thin film transistor through the driving element array process to drive the liquid crystal layer as a signal is applied through the thin film transistor.

또한, 상부기판(3)에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(balck matrix)과, 칼라필터공정에 의한 R,G,B의 칼라필터층 및 공통전극을 형성한다(S104). 상기 블랙매트릭스는 크롬(Cr)과 같은 금속 물질을 사용할 수 있으나, 공통전극과 화소전극이 하부기판에 형성된 수평전계방식 액정표시소자의 경우, 상기 두 전극(공통전극,화소전극) 사이의 수평전계에 영향을 주기 때문에 수지막을 주로 사용한다. 이때, 상기 칼라필터층의 평탄화를 위한 오버코트막을 추가로 형성할 수도 있다. In addition, the upper substrate 3 is provided with a black matrix to prevent light leakage, a color filter layer of R, G, and B and a common electrode by a color filter process (S104). The black matrix may be formed of a metal material such as chromium (Cr), but in a horizontal field type liquid crystal display device having a common electrode and a pixel electrode formed on a lower substrate, a horizontal electric field between the two electrodes (common electrode and pixel electrode) is used. Resin film is mainly used because it affects. In this case, an overcoat layer for planarization of the color filter layer may be further formed.

이어서, 상기 상부기판(3) 및 하부기판(5)에 각각 배향막을 도포한 후 상부기판(3)과 하부기판(5) 사이에 형성되는 액정층의 액정분자에 배향규제력 또는 표면고정력(즉, 프리틸트각(Pretilt Angel)과 배향방향)을 제공하기 위해 상기 배향막을 러빙(Rubbing)한다(S102,S105). 그 후, 하부기판(5)에 셀갭(Cell Gap)을 일정하게 유지하기 위한 스페이서(Spacer)를 산포하고 상부기판(3)의 외곽부에 실링재를 도포한 후 상기 하부기판(5)과 상부기판(3)에 압력을 가하여 합착한다(S103,S106,S107).Subsequently, an alignment layer is applied to the upper substrate 3 and the lower substrate 5, respectively, and then the alignment control force or surface fixing force (ie, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer formed between the upper substrate 3 and the lower substrate 5). In order to provide a pretilt angle and an orientation direction, the alignment layer is rubbed (S102 and S105). Subsequently, a spacer is disposed on the lower substrate 5 to maintain a constant cell gap, and a sealing material is applied to an outer portion of the upper substrate 3. Then, the lower substrate 5 and the upper substrate are dispersed. Pressure is applied to (3), and it adheres (S103, S106, S107).

한편, 상기 하부기판(5)과 상부기판(3)은 대면적의 유리기판으로 이루어져 있다. 다시 말해서, 대면적의 유리기판에 복수의 패널(Panel)영역이 형성되고, 상기 패널영역 각각에 구동소자인 TFT 및 칼라필터층이 형성되기 때문에 낱개의 액정패널을 제작하기 위해서는 상기 유리기판을 절단, 가공해야만 한다(S108). 이후, 상기와 같이 가공된 개개의 액정패널에 액정주입구를 통해 액정을 주입하고 상기 액정주입구를 봉지하여 액정층을 형성한 후 각 액정패널을 검사함으로써 액정표시소자를 제작하게 된다(S109,S110).On the other hand, the lower substrate 5 and the upper substrate 3 is made of a large area glass substrate. In other words, a plurality of panel regions are formed on the glass substrate of a large area, and a TFT and a color filter layer serving as driving elements are formed in each of the panel regions, so that the glass substrates are cut to produce a single liquid crystal panel. Must be processed (S108). Thereafter, the liquid crystal is injected into the liquid crystal panel processed as described above through the liquid crystal inlet, and the liquid crystal inlet is encapsulated to form a liquid crystal layer. Then, the liquid crystal display is manufactured by inspecting each liquid crystal panel (S109 and S110). .

상기한 바와 같은 공정을 통해 제작된 종래 액정표시소자는, 노트북과 같이 패널의 사이즈가 작은경우, 상부기판의 외곽에 형성되는 블랙매트릭스와 씰패턴이 겹치게 되는데, 액정주입시 상기 블랙매트릭스와 씰패턴이 겹치는 영역에서 씰터짐 불량이 발생하게된다.In the conventional liquid crystal display device manufactured through the process as described above, when the size of the panel is small, such as a notebook, the black matrix and the seal pattern formed on the outer side of the upper substrate overlap, the liquid crystal injection when the black matrix and the seal pattern In this overlapping area, a seal failure will occur.

도3은 도1의 씰패턴영역(A)을 확대하여 나타낸 것으로, 특히, 블랙매트릭스와 씰패턴이 겹치는 영역을 상세하게 도시한 것이다.FIG. 3 is an enlarged view of the seal pattern region A of FIG. 1, and in particular, illustrates a region where the black matrix and the seal pattern overlap.

도면에 도시한 바와 같이, 액정패널의 사이즈가 작은 경우, 씰패턴(9)과 대응하는 상부기판(3) 상에 블랙매트릭스(4)와 오버코트막(6)이 형성되어, 상기 씰패턴(9)과 블랙매트릭스(4)가 중첩하게 된다. 더욱이, 상기 블랙매트릭스(4)가 불투명한 수지막으로 형성된 경우에, 상기 블랙매트릭스(4)와 그 상부에 형성된 오버코트막(6)과의 접착성이 오버코트막(6)과 씰패턴(9)과의 접착성보다 약하기 때문에, 액정주입시 기판의 잦은 요동으로 인하여 씰패턴(9)이 형성된 영역의 오버코트막(6)이 블랙매트릭스(4)로부터 떨어지게 된다. 이와 같이, 블랙매트릭스(4)와 오버코트막(6) 사이에 들뜸으로 인해 씰터짐이 발생되어 액정주입이 정성적으로 이루어지지 않는 문제가 발생하게 된다.As shown in the drawing, when the size of the liquid crystal panel is small, the black matrix 4 and the overcoat film 6 are formed on the upper substrate 3 corresponding to the seal pattern 9, so that the seal pattern 9 ) And the black matrix 4 overlap. Furthermore, in the case where the black matrix 4 is formed of an opaque resin film, the adhesion between the black matrix 4 and the overcoat film 6 formed thereon is overcoat 6 and the seal pattern 9. Since it is weaker than the adhesiveness, the overcoat film 6 in the region where the seal pattern 9 is formed is separated from the black matrix 4 due to frequent fluctuation of the substrate during liquid crystal injection. As described above, the seal burst occurs due to the lifting between the black matrix 4 and the overcoat layer 6, thereby causing a problem in that the liquid crystal injection is not qualitatively performed.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 씰패턴과 중첩하는 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 접착력을 향상시킴으로써, 씰터짐을 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to improve the adhesion between the black matrix and the overcoat layer overlapping the seal pattern, thereby preventing the seal burst. The present invention provides a device and a method of manufacturing the same.

상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는 제1 및 제2기판과, 상기 제1 및 제2기판의 외곽을 따라 형성되어, 제1 및 제2기판을 합착하는 씰패턴과, 상기 제2기판 상에 형성되며, 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 가지는 블랙매트릭스(black matrix)과, 상기 블랙매트릭스을 포함하는 제2기판 전면에 형성된 오버코트막(over coat layer) 및 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 블랙매트릭스는 광을 차단하는 불투명한 수지로 형성되고, 상기 요철은 상기 블랙매트릭스와 오버코트막의 접촉면에 형성되어 있다.The liquid crystal display device of the present invention for achieving the object of the present invention as described above is formed along the outer periphery of the first and second substrates, the first and second substrates to bond the first and second substrates. A black matrix formed on the seal pattern, the second substrate and having irregularities in a region corresponding to the seal pattern, an overcoat layer formed on the entire surface of the second substrate including the black matrix; And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. In this case, the black matrix is formed of an opaque resin that blocks light, and the unevenness is formed on the contact surface between the black matrix and the overcoat film.

그리고, 상기 제1기판은 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자 및 상기 화소에 배치되어 수평전계를 발생시키는 화소전극 및 공통전극을 더 포함하고, 상기 제2기판은 칼라필터를 더 포함하는 수평전계방식 액정표시소자이다. The first substrate may include a gate line and a data line arranged vertically and horizontally to define a pixel, a switching element formed at an intersection of the gate line and the data line, and a pixel electrode disposed in the pixel and generating a horizontal electric field. The liquid crystal display device further comprises an electrode, and the second substrate further comprises a color filter.

또한, 상기 제1기판은 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자 및 상기 화소에 형성되며, 스위칭소자와 전기적으로 연결된 화소전극을 더 포함하고, 상기 제2기판은 칼라필터 및 공통전극을 더 포함하는 TN(twisted nematic)방식 액정표시소자일 수도 있다.In addition, the first substrate may include a gate line and a data line arranged vertically and horizontally to define a pixel, a switching element formed at an intersection of the gate line and the data line, and a pixel electrode formed at the pixel and electrically connected to the switching element. In addition, the second substrate may be a twisted nematic (TN) type liquid crystal display device further comprising a color filter and a common electrode.

한편, 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은, 제1 및 제2기판을 준비하는 단계와, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계와, 상기 블랙매트릭스 상에 칼라필터를 형성하는 단계와, 상기 칼라필터 상에 블랙매트릭스의 요철과 접촉하는 오버코트막을 형성하는 단계와, 상기 제1 또는 제2기판 중 어느 한 기판의 외곽을 따라 씰패턴을 형성하는 단계와, 상기 씰패턴에 의해 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 단계 및 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.On the other hand, the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of preparing the first and second substrates, forming a black matrix on the second substrate, the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate Forming an unevenness on the black matrix, forming a color filter on the black matrix, forming an overcoat layer in contact with the unevenness of the black matrix on the color filter, and any one of the first and second substrates. Forming a seal pattern along the periphery of the substrate, bonding the first and second substrates to each other by the seal pattern, and forming a liquid crystal layer between the first and second substrates.

상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계와, 상기 수지막 상부에 슬릿형태의 광투과부가 마련된 슬릿마스크(slit mask)를 적용하는 단계와, 상기 슬릿마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계 및 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 형성하는 단계로 이루어진다.Forming a black matrix on the second substrate, and forming the irregularities on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate, the step of applying an opaque resin film to block the light on the second substrate; Applying a slit mask provided with a slit-shaped light transmitting part on the resin film, exposing the resin film through the slit mask, and developing the exposed resin film, thereby forming a seal pattern to be formed later; Forming irregularities in the corresponding region.

또한, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계와, 상기 수지막 상부에 광을 부분적으로 투과시키는 반투과영역이 마련된 하프톤마스크(half-tone mask)를 적용하는 단계와, 상기 하프톤마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계 및 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 형성하는 단계로 이루어질 수도 있다.In addition, forming a black matrix on the second substrate, and forming an unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate, applying an opaque resin film that blocks the light on the second substrate. And applying a half-tone mask having a semi-transmissive region partially transmitting light over the resin film, exposing the resin film through the halftone mask, and exposing the resin. By developing the film, it may be a step of forming irregularities in a region corresponding to a seal pattern to be formed later.

또한, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계와, 상기 수지막 상부에 광을 투과시키는 투과영역이 마련된 제1마스크를 적용하는 단계와, 상기 제1마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계와 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 제1깊이를 갖는 제1홈을 형성하는 단계와, 상기 제1홈에 부분적으로 광을 차단하는 제2마스크를 적용하는 단계 및 상기 제2마스크를 통해 제1홈영역에 부분적으로 광을 조사함으로써, 요철을 형성하는 단계로 이루어질 수도 있다.In addition, forming a black matrix on the second substrate, and forming an unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate, applying an opaque resin film that blocks the light on the second substrate. And applying a first mask having a transmission area for transmitting light over the resin film, exposing the resin film through the first mask, and developing the exposed resin film, thereby forming a seal to be formed later. Forming a first groove having a first depth in an area corresponding to the pattern, applying a second mask that partially blocks light to the first groove, and forming a first groove in the first groove area through the second mask; By partially irradiating light, it may consist of forming an unevenness | corrugation.

이때, 상기 요철은 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot) 형태로 형성할 수 있으며, 본 발명에서는 요철의 형태를 한정하지 않는다.In this case, the irregularities may be formed in a stripe or dot shape, and the present invention does not limit the shape of the irregularities.

또한, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계 및 상기 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 일부영역에 플라즈마를 조사함으로써, 그 표면에 요철을 형성하는 단계로 이루어질 수도 있다.In addition, forming a black matrix on the second substrate, and forming an unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate, applying an opaque resin film that blocks the light on the second substrate. And irradiating plasma to a partial region of the black matrix formed in the outer region of the second substrate, thereby forming irregularities on the surface thereof.

이와 같이, 플라즈마를 사용하는 경우, 하프톤 또는 슬릿마스크를 사용하는 경우와는 달리, 상기 요철은 수지막이 플라즈마에 의해 그 표면이 불규칙적으로 식각되어, 표면의 거칠기로부터 형성된 것이다.As described above, unlike the case of using a halftone or a slit mask, when the plasma is used, the unevenness of the resin film is irregularly etched by the plasma, and is formed from the roughness of the surface.

한편, 상기 제1기판 상에 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 스위칭소자를 형성하는 단계 및 상기 화소에 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 수평전계방식 액정표시소자를 제작할 수 있다.Meanwhile, forming a gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the first substrate to define a pixel, forming a switching element at an intersection area of the gate line and the data line, and applying a horizontal electric field to the pixel. A horizontal electric field type liquid crystal display device may be manufactured, further comprising forming a common electrode and a pixel electrode.

또한, 상기 제1기판 상에 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 스위칭소자를 형성하는 단계 및 상기 화소에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2기판 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 수평전계방식 액정표시소자는 제작할 수도 있다.The method may further include forming a gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the first substrate to define a pixel, forming a switching element at an intersection of the gate line and the data line, and forming a pixel electrode on the pixel. A horizontal field type liquid crystal display device further comprising the step of forming a common electrode on the second substrate may be manufactured.

상기한 바와 같이, 본 발명은 씰패턴과 대응하는 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하여 블랙매트릭스와 오버코트막의 접착성을 향상시킴으로써, 씰터짐을 방지한다. 즉, 본 발명의 기본개념은 씰패턴과 대응하는 영역에 블랙매트릭스와 오버코트막의 접착력을 향상시켜줌으로써, 이영역에서 발생되는 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 분리현상을 방지하는 것으로, 본 발명에서는 블랙매트릭스와 오버코트막의 접착성 향상을 위해 이들간의 접착면에 요철을 형성한다. 상기 요철은 블랙매트릭스에 형성하고, 요철이 형성됨에 따라, 블랙매트릭스와 오버코트막간의 접착면적이 증가하게 된다. 이와 같이, 씰패턴이 형성되는 영역은 동일하지만, 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 접착면적이 증가하기 때문에, 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 접착력이 향상된다.As described above, the present invention prevents the seal burst by forming irregularities on the surface of the black matrix corresponding to the seal pattern to improve the adhesion between the black matrix and the overcoat film. That is, the basic concept of the present invention is to improve the adhesion between the black matrix and the overcoat film in the area corresponding to the seal pattern, thereby preventing the separation phenomenon between the black matrix and the overcoat film generated in this area. In order to improve the adhesiveness between the and the overcoat film, irregularities are formed on the adhesive surface between them. The unevenness is formed in the black matrix, and as the unevenness is formed, the adhesion area between the black matrix and the overcoat film increases. As described above, although the region where the seal pattern is formed is the same, the adhesion area between the black matrix and the overcoat film is increased, so that the adhesive force between the black matrix and the overcoat film is improved.

이하, 첨부한 도면을 통해 상기한 바와 같은 본 발명의 액정표시소자 및 그 제조방법의 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the liquid crystal display device and a method of manufacturing the same as described above with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 액정표시소자에 관한 것으로, 도4a는 개략적인 평면도이고, 도4b는 도4a의 I-I'단면을 나타낸 것이다.4A and 4B are related to the liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a sectional view taken along the line II ′ of FIG. 4A.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자(100)는 제1기판(101)과 제2기판(102)이 그 외곽을 따라 형성된 씰패턴(116)에 의해 합착되어 있으며, 상기 제1 및 제2기판(101,102) 사이에는 액정층(113)이 형성되어 있다.As shown in the figure, the liquid crystal display device 100 according to the present invention is bonded by a seal pattern 116 in which the first substrate 101 and the second substrate 102 are formed along its periphery. The liquid crystal layer 113 is formed between the first and second substrates 101 and 102.

상기 제1기판(201)은 종횡으로 배열된 게이트라인(108) 및 데이터라인(109)에 의해 정의된 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(113)와, 그 화상표시부(113)의 게이트라인(208)과 연결되는 게이트패드부(114) 및 데이터라인(109)들과 연결되는 데이터패드부(115)를 포함한다. 이때, 게이트패드부(114)와 데이터패드부(115)는 제2기판(102)과 중첩되지 않는 제1기판(101)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트패드부(114)는 게이트구동회로(미도시)로부터 공급되는 게이트신호를 화상표시부(113)의 게이트라인(108)들에 공급하고, 데이터패드부(115)는 데이터 구동회로(미도시)로부터 공급되는 데이터신호를 화상표시부(113)의 데이터라인(109)들에 공급한다. 그리고, 도면에 도시되어 있진 않지만, 상기 게이트라인(108)과 데이터라인(109)이 교차하는 영역에는 각각의 액정셀들을 스위칭하기 위한 스위칭소자로써, 박막트랜지스터가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터는 게이트전극, 반도체층 및 소스/드레인전극으로 구성되어 있으며, 상기 게이트전극과 반도체층은 이들 사이에 개재된 게이트절연막(134)에 의해 절연되어 있으며, 상기 게이트절연막(134)은 제1기판(101) 전면에 걸쳐서 형성된다. 또한, 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(138)이 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있으며, 화상표시부(113) 외곽, 즉, 씰패턴(116)과 대응하는 제1기판(101) 상에는 게이트절연막(134) 및 보호막(138)이 적층되어 있다. The first substrate 201 includes an image display unit 113 in which the liquid crystal cells defined by the gate lines 108 and the data lines 109 arranged vertically and horizontally are arranged in a matrix form, and a gate of the image display unit 113. The gate pad part 114 connected to the line 208 and the data pad part 115 connected to the data lines 109 are included. In this case, the gate pad part 114 and the data pad part 115 are formed in an edge region of the first substrate 101 which does not overlap the second substrate 102, and the gate pad part 114 is formed by a gate driving circuit ( The gate signal supplied from the image display unit 113 is supplied to the gate lines 108 of the image display unit 113, and the data pad unit 115 supplies the data signal supplied from the data driving circuit (not shown) to the image display unit 113. To the data lines 109. Although not shown in the drawings, a thin film transistor is formed as a switching element for switching each liquid crystal cell in an area where the gate line 108 and the data line 109 cross each other. The thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, and a source / drain electrode. The gate electrode and the semiconductor layer are insulated by a gate insulating film 134 interposed therebetween, and the gate insulating film 134 is formed of a thin film transistor. One substrate 101 is formed over the entire surface. In addition, a passivation layer 138 for protecting the thin film transistor is formed over the entire surface of the substrate, and the gate insulating layer 134 is formed on the first substrate 101 outside the image display unit 113, that is, the seal pattern 116. ) And a protective film 138 are laminated.

또한, TN(twisted nematic)방식 액정표시소자인 경우, 제1기판(101)에 화소전극이 형성되고, 제2기판(102)에 공통전극이 된다. 반면에, IPS(in plane switching)방식 액정표시소자인 경우, 제1기판(101)에 평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 함께 형성된다.In the case of a TN (twisted nematic) liquid crystal display device, a pixel electrode is formed on the first substrate 101 and becomes a common electrode on the second substrate 102. On the other hand, in the case of an in plane switching (IPS) type liquid crystal display device, a common electrode and a pixel electrode for generating a flat field are formed together on the first substrate 101.

한편, 제2기판(102)에는 셀영역별로 분리되어 도포된 칼라필터(122)와, 제1기판(101)의 스위칭소자, 게이트라인(108), 데이터라인(109), 그리고 화상표시부(113)와 패드부(114,115) 사이에 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(Black Matrix;103)가 형성되어 있다. 도면에는 화상표시부(113)의 외곽에 형성된 블랙매트릭스(103)만을 도시하였다. 그리고, 상기 블랙매트릭스(103) 및 칼라필터(122)를 포함하는 제2기판(102) 전면에 오버코트막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 칼라필터(122)는 화상표시부(113)에 형성되어 있기 때문에, 화상표시부(112)의 외곽영역 즉, 씰패턴(116)과 대응하는 영역에는 칼라필터가 형성되지 않는다. 따라서, 화상표시부(113) 외곽영역에 형성된 오버코트막(123)은 블랙매트릭스(103)와 직접 접촉하게 된다.On the other hand, the second substrate 102 is applied to the color filter 122 separately applied for each cell region, the switching element of the first substrate 101, the gate line 108, the data line 109, and the image display unit 113 A black matrix 103 is formed between the pads 114 and 115 to prevent light leakage. In the drawing, only the black matrix 103 formed on the outside of the image display unit 113 is shown. An overcoat layer 123 is formed on the entire surface of the second substrate 102 including the black matrix 103 and the color filter 122. At this time, since the color filter 122 is formed in the image display unit 113, the color filter is not formed in the outer region of the image display unit 112, that is, the region corresponding to the seal pattern 116. Therefore, the overcoat layer 123 formed in the outer region of the image display unit 113 is in direct contact with the black matrix 103.

아울러, 상기 블랙매트릭스(103)와 오버코트막(123) 사이의 접촉면(E)에는 요철(103')이 형성되어 있으며, 상기 요철(103')은 블랙매트릭스(103) 표면에 형성되어 오버코트막(123)과의 접착력을 향상시킨다. 즉, 상기 블랙매트릭스(103) 표면이 평탄한 경우에 비해, 그 표면에 요철(103')이 형성되는 경우, 동일 공간에 대하여 그 표면적이 넓기 때문에, 오버코트막(123)과의 접착력이 향상된다.In addition, an unevenness 103 'is formed on the contact surface E between the black matrix 103 and the overcoat film 123, and the unevenness 103' is formed on the surface of the black matrix 103 to form an overcoat film ( 123) to improve adhesion. That is, when the unevenness 103 'is formed on the surface of the black matrix 103 as compared with the case where the surface of the black matrix 103 is flat, the adhesion to the overcoat film 123 is improved because the surface area of the black matrix 103 is wide.

이때, 상기 블랙매트릭스(103)는 광을 차단할 수 있도록 불투명한 감광막으로 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(103) 표면에 형성된 요철은 블랙매트릭스(103)와 일체로 형성할 수 있다. 즉, 상기 씰패턴(116)과 대응하는 블랙매트릭스(103)의 표면을 사진식각(photolithography) 공정을 통해 패터닝함으로써, 요철(103')을 형성할 수가 있다.In this case, the black matrix 103 is formed of an opaque photosensitive film to block light, and the unevenness formed on the surface of the black matrix 103 may be integrally formed with the black matrix 103. That is, the unevenness 103 ′ may be formed by patterning the surface of the black matrix 103 corresponding to the seal pattern 116 through a photolithography process.

도5a~도5c는 본 발명에 의한 블랙매트릭스 제조방법의 일례를 나타낸 것으로, 먼저, 도5a에 도시된 바와 같이, 투명한 제2기판(202)을 준비한 다음, 그 상부에 불투명한 수지막(203)을 도포한다. 그리고, 도5b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(203) 상부에 마스크(210)를 적용한 다음, UV와 같은 광(화면상에 화살표로 표시)을 조사한다. 이때, 사용되는 마스크(210)는 슬릿마스크(slit mask)로서, 씰패턴과 대응하는 영역에 광을 투과시키는 슬릿이 형성되어 있다. 따라서, 상기 슬릿마스크(210)를 통해 블랙매트릭스를 노광하게 되면, 슬릿이 형성된 영역에 광이 투과되고, 나머지 영역에는 광이 차단된다.5A to 5C illustrate an example of a method for manufacturing a black matrix according to the present invention. First, as shown in FIG. 5A, a transparent second substrate 202 is prepared, and then an opaque resin film 203 is formed thereon. ) Is applied. As shown in FIG. 5B, the mask 210 is applied to the black matrix 203 and then irradiated with light such as UV (indicated by arrows on the screen). In this case, the mask 210 used is a slit mask, and a slit for transmitting light in a region corresponding to the seal pattern is formed. Therefore, when the black matrix is exposed through the slit mask 210, light is transmitted to the area where the slit is formed and light is blocked in the remaining area.

이어서, 슬릿마스크를 통해 노광된 블랙매트릭스(203)를 현상액에 적용하게 되면, 도5c에 도시된 바와 같이, 노광된 영역의 수지막이 제거되고, 그 표면에 요철(203')을 형성하게 된다. 이때, 수지막이 제거되는 정도는 노광량에 의해 결정되며, 상기 수지막의 특성에 따라, 노광된 영역이 남게되는 경우도 있다. 즉, 상기 수지막 포지티브(positive) 감광특성을 갖는 경우, 도면에 도시된 바와 같이, 노광된 영역이 현상에에 의해 제거되는 반면에, 수지막이 네거티브(negitive) 감광특성을 갖는 경우는, 노광된 영역에 남게된다. 본 발명에서는 포지티브 또는 네거티브 감광막을 모두 사용할 수 있으며, 네거티브 감광막을 사용할때에는 마스크패턴을 바꿔주어야 한다, 즉, 투과영역과 비투과영역의 위치을 바뀌도록 설계되어야 한다.Subsequently, when the black matrix 203 exposed through the slit mask is applied to the developing solution, as shown in FIG. 5C, the resin film in the exposed area is removed, and the unevenness 203 ′ is formed on the surface thereof. At this time, the extent to which the resin film is removed is determined by the exposure amount, and depending on the characteristics of the resin film, the exposed region may be left in some cases. That is, in the case where the resin film has a positive photosensitive characteristic, as shown in the drawing, the exposed region is removed by development, while in the case where the resin film has a negative photosensitive characteristic, it is exposed. Will remain in the area. In the present invention, both positive and negative photoresist films may be used, and when the negative photoresist film is used, the mask pattern should be changed, that is, the positions of the transmission and non-transmission areas should be designed.

또한, 본 발명에서는 광을 부분적으로 투과시키는 하프톤마스크(half-tone mask)를 사용할 수도 있다. 하프톤마스크는 실릿마스크와는 달리, 광을 차단하는 비투과영역과 광을 투과시키되, 일부광만을 투과시키는 반투과영역으로 구성되어 있으며, 상기 반투과영역을 통과 투과되는 광량을 조절할 수가 있다.In the present invention, a half-tone mask that partially transmits light may also be used. Unlike the silt mask, the halftone mask is composed of a non-transmissive region that blocks light and a semi-transmissive region that transmits light, but transmits only a portion of the light, and adjusts the amount of light transmitted through the semi-transmissive region.

도6a~도6c는 하프톤마스크를 통한 요철형성방법을 나타낸 것으로, 먼저, 도6a에 도시된 바와 같이, 투명한 제2기판(302)을 준비한 다음, 그 상부에 불투명한 수지막(303)을 도포한다. 그리고, 도6b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(303) 상부에 마스크(310)를 적용한 다음, UV와 같은 광(화면상에 화살표로 표시)을 조사한다. 이때, 사용되는 마스크(310)는 하프톤마스크(half-tone mask)로서, 광을 완전히 차단하는 비투과영역과 광을 부분적으로 투과시키는 반투과영역이 마련되어 있다. 여기서, 광을 부분적으로 투과시킨다는 의미는, 조사되는 광을 100% 투과시키지 않고, 일부는 차단하고, 일부만을 투과시키는 것으로, 상기 반투과영역을 통해 투과하는 광양에 따라 노광정도가 결정된다.6A to 6C illustrate a method of forming irregularities through a halftone mask. First, as shown in FIG. 6A, a transparent second substrate 302 is prepared, and then an opaque resin film 303 is formed thereon. Apply. 6B, a mask 310 is applied to the black matrix 303 and then irradiated with light such as UV (indicated by an arrow on the screen). In this case, the mask 310 used is a half-tone mask, and includes a non-transmissive region that completely blocks light and a semi-transmissive region that partially transmits the light. Here, the partial transmission of light does not transmit 100% of the irradiated light, blocks a part of the light, and transmits only a part of the light, and the degree of exposure is determined according to the amount of light transmitted through the transflective area.

이어서, 하프톤마스크(310)를 통해 노광된 블랙매트릭스(303)를 현상액에 적용하게 되면, 도6c에 도시된 바와 같이, 노광된 영역이 제거되고, 그 표면에 요철(303')을 형성하게 된다. 그리고, 블랙매트릭스가 제거되는 정도는 마스크의 반투과영역의 광투과율 또는 노광시간에 의해 결정된다.Subsequently, when the black matrix 303 exposed through the halftone mask 310 is applied to the developer, the exposed region is removed, as shown in FIG. 6C, to form the unevenness 303 ′ on the surface thereof. do. The degree to which the black matrix is removed is determined by the light transmittance or the exposure time of the semi-transmissive region of the mask.

또한, 본 발명은 상기한 바와 같은 슬릿마스크 및 하프톤마스크 이외에도 일반적인 마스크를 사용할 수도 있다. 여기서, 일반적인 마스크란, 조사된 광을 100% 차단하는 비투과영역과, 조사된 광을 100% 투과시키는 투과영역이 선택적으로 마련되어 있는 마스크를 의미한다.In addition, the present invention may use a general mask in addition to the slit mask and halftone mask as described above. Here, a general mask means the mask which selectively provides the non-transmissive area | region which blocks 100% of irradiated light, and the transmission area | region which transmits 100% of irradiated light.

도7a~도7e는 일반적인 마스크를 통한 요철형성방법을 나타낸 것으로, 먼저, 도7a에 도시된 바와 같이, 투명한 제2기판(402)을 준비한 다음, 그 상부에 불투명한 수지막(403)을 도포한다. 그리고, 도7b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(403) 상부에 제1마스크(410a)를 적용한 다음, UV와 같은 광(화면상에 화살표로 표시)을 조사한다. 이때, 사용되는 제1마스크(410a)는 씰패턴과 대응하는 영역에 광을 투과시키는 투과영역이 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1마스크(410a)를 통해 블랙매트릭스를 노광하게 되면, 투과영역이 형성된 씰패턴영역에 투과되고, 나머지 영역에는 광이 차단된다. 따라서, 이를 현상액에 적용하면, 도7c에 도시된 바와 같이, 노광된 영역이 제거되어 홈(403a)을 형성하게 된다. 7A to 7E illustrate a method of forming irregularities through a general mask. First, as shown in FIG. 7A, a transparent second substrate 402 is prepared, and then an opaque resin film 403 is applied thereon. do. As shown in FIG. 7B, the first mask 410a is applied to the black matrix 403 and then irradiated with light such as UV (indicated by arrows) on the screen. In this case, the first mask 410a to be used is formed with a transmission region for transmitting light in a region corresponding to the seal pattern. Therefore, when the black matrix is exposed through the first mask 410a, light is transmitted through the seal pattern region in which the transmission region is formed and light is blocked in the remaining region. Therefore, when this is applied to the developing solution, as shown in Fig. 7C, the exposed areas are removed to form the grooves 403a.

이어서, 도7d에 도시된 바와 같이, 상기 홈(403)과 대응하는 영역에 투광영역 및 비투과영역이 부분적으로 형성된 제2마스크(410b)을 적용하여 광을 조사한 후, 현상액에 적용하게 되면, 도7e에 도시된 바와 같이, 투광영역의 일부가 제거되어, 요철(403')을 형성하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 7D, after applying the second mask 410b having the light transmissive region and the non-transmissive region partially formed in the region corresponding to the groove 403, and then applying the light to the developer, FIG. As shown in 7e, part of the transmissive area is removed to form the unevenness 403 '.

상기한 바와 같이, 본 발명은 여러종류의 마스크를 사용하여 블랙매트릭스 표면에 요철을 형성할 수가 있으며, 상기 요철의 형태는 본 발명에서 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 기본개념은 블랙매트릭스와 그 상부에 형성된 오버코트막 사이의 접촉면적을 넓힘으로써, 이들간의 접촉력을 향상시키는 것으로, 요철의 형태는 띠(stripe)형상 또는 도트(dot)형상등 다양하게 형상할 수 있다.As described above, the present invention can form irregularities on the surface of the black matrix by using various kinds of masks, and the form of the irregularities is not limited in the present invention. That is, the basic concept of the present invention is to increase the contact area between the black matrix and the overcoat film formed on the upper part, thereby improving the contact force between them, and the uneven shape may be varied in a stripe shape or a dot shape. It can be shaped.

또한, 본 발명은 상기한 바와 같이, 포토리소그래피공정을 사용하지 않고, 플라즈마 식각을 통해 요철을 형성할 수도 있다. 즉, 씰패턴과 대응하는 영역의 블랙매트릭스를 노출시킨 후에, 노출된 영역을 플라즈마를 통해 식각함으로써, 블랙매트릭스 표면의 거칠기를 증가시킬 수가 있다. 따라서, 플라즈마를 이용해 형성된 요철은 슬릿/하트톤마스크를 사용하는 경우에 비해, 상대적으로 크기가 작으며, 매우 불규칙한 분포를 갖는다.In addition, as described above, the present invention may form irregularities through plasma etching without using a photolithography process. In other words, after exposing the black matrix of the region corresponding to the seal pattern, the exposed region is etched through the plasma, thereby increasing the roughness of the black matrix surface. Therefore, the unevenness formed using the plasma is relatively small in size and has a very irregular distribution as compared with the case of using the slit / heart mask.

상기한 바와 같이, 요철형성을 통한 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 접착력을 향상시키는 방법은 포토리소그래피공정 및 플라즈마식각 이외에도 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성할 수 있는 모든 공정을 포함할 수 있을 것이다. 즉, 본 발명의 기본사상은 블랙매트릭스 표면에 요철을 형성함으로써, 오버코트막과의 접착면적을 넓혀, 이들의 접착력을 향상시켜주는 것으로, 본 발명의 다른 예나 변형예는 본 발명의 기본적인 사상을 이용하면 본 발명이 속하는 기술분야에 종사하는 사람이라면 누구나 용이하게 창안할 수 있을 것이다.As described above, the method for improving the adhesion between the black matrix and the overcoat layer through the unevenness may include all processes capable of forming the unevenness on the surface of the black matrix in addition to the photolithography process and the plasma etching. That is, the basic idea of the present invention is to form irregularities on the surface of the black matrix, thereby to increase the adhesion area with the overcoat film and to improve their adhesion. Other examples and modifications of the present invention utilize the basic idea of the present invention. Anyone who is engaged in the technical field to which the present invention belongs will be able to easily invent.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 본 발명은 씰패턴과 대응하는 칼라필터기판의 블랙매트릭스와 오버코트막 사이에 요철을 형성하여 이들의 접착면적을 향상시킴으로써, 블랙매트릭스와 오버코트막 간의 접착력을 향상시킬 수가 있다. 이와 같이, 블랙매트릭스와 오버코트막 사이의 접착력을 향상시킴으로써, 액정주입시 발생되는 씰터짐불량을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 생산성 향상 및 화질 개선을 꾀할 수 있다.As described above, according to the present invention, the present invention improves the adhesive force between the black matrix and the overcoat film by forming irregularities between the black matrix and the overcoat film of the color filter substrate corresponding to the seal pattern to improve the adhesion area thereof. I can do it. In this way, by improving the adhesive force between the black matrix and the overcoat film, it is possible to prevent the seal failure caused during the liquid crystal injection, thereby improving productivity and image quality.

도1은 일반적인 액정표시소자의 단면을 개략적으로 나타낸 도면.1 is a schematic cross-sectional view of a general liquid crystal display device.

도2는 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정흐름도.2 is a process flow diagram showing a manufacturing process of the liquid crystal display device.

도3은 도1의 씰패턴 영역 및 칼라필터기판의 일부를 확대하여 나타낸 도면.3 is an enlarged view of a portion of a seal pattern region and a color filter substrate of FIG. 1; FIG.

도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도4a는 개략적인 평면도이고, 도4b는 도4a의 I-I'의 단면도.4A and 4B show a liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a sectional view taken along line II ′ of FIG. 4A.

도5a~도5c는 본 발명의 일례에 의한 블랙매트릭스의 요철형성방법을 나타낸 공정단면도.5A to 5C are process cross-sectional views showing a method of forming irregularities in a black matrix according to an example of the present invention.

도6a~도6c는 본 발명의 다른예에 의한 블랙매트릭스의 요철형성방법을 나타낸 공정단면도.6A to 6C are cross-sectional views illustrating a method of forming irregularities in a black matrix according to another embodiment of the present invention.

도7a~도7e는 본 발명의 또 다른예에 의한 블랙매트릭스의 요철형성방법을 나타낸 공정단면도.7A to 7E are cross-sectional views illustrating a method of forming irregularities in a black matrix according to still another embodiment of the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

116: 씰패턴 123: 오버코트막116: seal pattern 123: overcoat film

103,203,303,403: 블랙매트릭스103,203,303,403: Black Matrix

103',203',303',403': 요철103 ', 203', 303 ', 403': irregularities

Claims (17)

제1 및 제2기판;First and second substrates; 상기 제1 및 제2기판의 외곽을 따라 형성되어, 제1 및 제2기판을 합착하는 씰패턴;A seal pattern formed along the periphery of the first and second substrates to bond the first and second substrates together; 상기 제2기판 상에 형성되며, 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 가지는 블랙매트릭스(black matrix);A black matrix formed on the second substrate and having irregularities in a region corresponding to the seal pattern; 상기 블랙매트릭스을 포함하는 제2기판 전면에 형성된 오버코트막(over coat layer); 및An over coat layer formed on the entire surface of the second substrate including the black matrix; And 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어지는 액정표시소자.And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. 제1항에 있어서, 상기 블랙매트릭스는 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the black matrix is made of a resin. 제1항에 있어서, 상기 요철은 상기 블랙매트릭스와 오버코트막의 접촉면에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the unevenness is formed on a contact surface between the black matrix and the overcoat film. 제1항에 있어서, 상기 제1기판은,The method of claim 1, wherein the first substrate, 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally to define pixels; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 및A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; And 상기 화소에 배치되어 수평전계를 발생시키는 화소전극 및 공통전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a pixel electrode and a common electrode disposed on the pixel to generate a horizontal electric field. 제4항에 있어서, 상기 제2기판은 칼라필터를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device of claim 4, wherein the second substrate further comprises a color filter. 제1항에 있어서, 상기 제1기판은,The method of claim 1, wherein the first substrate, 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally to define pixels; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 및A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; And 상기 화소에 형성되며, 스위칭소자와 전기적으로 연결된 화소전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a pixel electrode formed on the pixel and electrically connected to the switching device. 제6항에 있어서, 상기 제2기판은 칼라필터 및 공통전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device of claim 6, wherein the second substrate further comprises a color filter and a common electrode. 제1 및 제2기판을 준비하는 단계;Preparing first and second substrates; 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계;Forming a black matrix on the second substrate and forming irregularities on a surface of the black matrix formed in an outer region of the second substrate; 상기 블랙매트릭스 상에 칼라필터를 형성하는 단계;Forming a color filter on the black matrix; 상기 칼라필터 상에 블랙매트릭스의 요철과 접촉하는 오버코트막을 형성하는 단계; Forming an overcoat layer on the color filter in contact with the unevenness of the black matrix; 상기 제1 또는 제2기판 중 어느 한 기판의 외곽을 따라 씰패턴을 형성하는 단계;Forming a seal pattern along an outer edge of one of the first and second substrates; 상기 씰패턴에 의해 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 단계; 및Bonding the first and second substrates to each other by the seal pattern; And 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the step of forming a liquid crystal layer between the first and second substrates. 제8항에 있어서, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는,The method of claim 8, wherein the forming of the black matrix on the second substrate and forming the unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate comprises: 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계;Applying an opaque resin film to block light on the second substrate; 상기 수지막 상부에 슬릿형태의 광투과부가 마련된 슬릿마스크(slit mask)를 적용하는 단계;Applying a slit mask provided with a slit-shaped light transmitting part on the resin film; 상기 슬릿마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계; 및Exposing a resin film through the slit mask; And 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And developing unevenness in a region corresponding to a seal pattern to be formed later by developing the exposed resin film. 제8항에 있어서, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는,The method of claim 8, wherein the forming of the black matrix on the second substrate and forming the unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate comprises: 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계;Applying an opaque resin film to block light on the second substrate; 상기 수지막 상부에 광을 부분적으로 투과시키는 반투과영역이 마련된 하프톤마스크(half-tone mask)를 적용하는 단계;Applying a half-tone mask having a semi-transmissive area partially transmitting light over the resin film; 상기 하프톤마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계; 및Exposing a resin film through the halftone mask; And 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 요철을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And developing unevenness in a region corresponding to a seal pattern to be formed later by developing the exposed resin film. 제8항에 있어서, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는,The method of claim 8, wherein the forming of the black matrix on the second substrate and forming the unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate comprises: 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계;Applying an opaque resin film to block light on the second substrate; 상기 수지막 상부에 광을 투과시키는 투과영역이 마련된 제1마스크를 적용하는 단계;Applying a first mask having a transmission region through which light is transmitted on the resin film; 상기 제1마스크를 통해 수지막을 노광시키는 단계;Exposing a resin film through the first mask; 상기 노광된 수지막을 현상함으로써, 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 제1깊이를 갖는 제1홈을 형성하는 단계;Developing the exposed resin film to form a first groove having a first depth in a region corresponding to a seal pattern to be formed later; 상기 제1홈에 부분적으로 광을 차단하는 제2마스크를 적용하는 단계; 및Applying a second mask that partially blocks light to the first groove; And 상기 제2마스크를 통해 제1홈영역에 부분적으로 광을 조사함으로써, 요철을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And irradiating light partially to the first groove region through the second mask to form irregularities. 제8항에 있어서, 상기 요철은 스트라이프(stripe) 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 8, wherein the irregularities are formed in a stripe shape. 제8항에 있어서, 상기 요철은 도트(dot) 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 8, wherein the unevenness is formed in a dot shape. 제8항에 있어서, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하고, 제2기판의 외곽영역에 형성된 블랙매트릭스의 표면에 요철을 형성하는 단계는,The method of claim 8, wherein the forming of the black matrix on the second substrate and forming the unevenness on the surface of the black matrix formed in the outer region of the second substrate comprises: 상기 제2기판 상에 광을 차단하는 불투명한 수지막을 도포하는 단계; 및Applying an opaque resin film to block light on the second substrate; And 이후에 형성될 씰패턴과 대응하는 영역에 플라즈마를 조사하여 그 표면을 식각하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And etching the surface thereof by irradiating a plasma to a region corresponding to a seal pattern to be formed later. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 제1기판 상에 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계;Forming gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate to define pixels; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 스위칭소자를 형성하는 단계; 및Forming a switching device at an intersection of the gate line and the data line; And 상기 화소에 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And forming a common electrode and a pixel electrode for generating a horizontal electric field in the pixel. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 제1기판 상에 종횡으로 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계;Forming gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate to define pixels; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차영역에 스위칭소자를 형성하는 단계; 및Forming a switching device at an intersection of the gate line and the data line; And 상기 화소에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.And forming a pixel electrode in the pixel. 제16항에 있어서, 상기 제2기판 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.17. The method of claim 16, further comprising forming a common electrode on the second substrate.
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