KR20050095995A - Method for manufacturing semiconductor package uv curable encapsulant - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자외선 봉합제를 이용한 반도체 패키지 제조 방법으로서, 종래의 열경화성 봉합제 대신에 자외선 봉합제를 사용하여 충전 공정을 진행한 다음 인라인으로 즉시 자외선 경화 공정을 진행함으로써, 자외선 봉합제가 솔더 볼이 형성될 영역으로 퍼지는 것을 억제할 수 있는 자외선 봉합제를 이용한 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.The present invention is a method of manufacturing a semiconductor package using a UV sealant, by using a UV sealant instead of a conventional thermosetting sealant, and then proceeding to the UV curing process immediately inline, the UV sealant solder ball is formed. Provided is a method of manufacturing a semiconductor package using an ultraviolet suture that can be prevented from spreading to a region to be formed.
Description
본 발명은 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자외선 봉합제 충전 공정과 경화 공정이 인라인으로 진행되는 자외선 봉합제를 이용한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor package using a UV sealant in which the UV sealant filling step and the curing step are performed inline.
반도체 칩의 집적도 및 입출력 핀 수의 지속적인 증가 추세에 반하여, 반도체 칩을 보호하고 외부 회로와의 전기적 접속 관계를 매개하는 반도체 칩 패키지는 소형화의 요구에 직면하고 있다. 이러한 요구에 부응하여 개발된 반도체 패키지 중의 하나가 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA) 패키지이다.In contrast to the continuous increase in the density of semiconductor chips and the number of input / output pins, semiconductor chip packages that protect semiconductor chips and mediate electrical connections with external circuits face the demand for miniaturization. One of the semiconductor packages developed in response to this demand is a ball grid array (BGA) package.
BGA 패키지는 리드 프레임을 이용한 통상적인 플라스틱 패키지에 비하여 외부 회로기판에 대한 실장 밀도를 축소시킬 수 있고 전기적 특성이 우수하다는 장점들을 갖고 있다. BGA 패키지가 통상적인 패키지와 구별되는 구조적인 차이 중의 하나는, 반도체 칩과 외부 회로기판 간의 전기적 접속이 리드 프레임 대신에 회로배선 및 솔더 볼이 형성된 배선기판에 의하여 구현된다는 점이다.The BGA package has advantages in that the mounting density on the external circuit board can be reduced and the electrical characteristics are superior to the conventional plastic package using the lead frame. One of the structural differences that BGA packages differ from conventional packages is that the electrical connection between the semiconductor chip and the external circuit board is implemented by a wiring board in which circuit wiring and solder balls are formed instead of the lead frame.
특히 고집적화된 반도체 칩이 실장된 BGA 패키지는 구동 중에 다량의 열이 발생되고, 발생된 열은 BGA 패키지의 성능을 떨어뜨리는 요인으로 작용하기 때문에, 열방출특성을 향상시키기 위해서 BGA 패키지에 방열판을 부착한다.In particular, a BGA package in which a highly integrated semiconductor chip is mounted generates a large amount of heat during operation, and the generated heat acts as a factor that degrades the performance of the BGA package. Therefore, a heat sink is attached to the BGA package to improve heat dissipation characteristics. do.
도 1은 종래기술에 반도체 패키지의 실시예로서, 봉합댐(14)을 갖는 BGA 패키지(100)를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 중심 부분에 윈도우(12)를 갖는 배선기판(20)의 하부면(13)에 방열판(20)이 부착된다. 윈도우(12)를 통하여 방열판(20)의 상부면에 반도체 칩(30)이 부착되고, 반도체 칩(30)과 배선기판(10)은 본딩 와이어(40)에 의해 전기적으로 연결된다. 윈도우(12)에 노출된 반도체 칩(30)과 본딩 와이어(40)는 윈도우(12)에 충전된 액상의 열경화성 봉합제(50)에 의해 보호된다. 그리고 열경화성 봉합제(50) 외측의 배선기판의 상부면(15)에 솔더 볼(60)이 형성된 구조를 갖는다. 이때 외부 회로기판과의 전기적 접속을 위해서 솔더 볼(60)은 배선기판 상부면(15)에 형성된 열경화성 봉합제(40) 높이보다는 높게 형성된다. 열경화성 봉합제(50)로는 에폭시 수지가 주로 사용된다.1 is a cross-sectional view showing a BGA package 100 having a sealing dam 14 as an embodiment of a semiconductor package in the prior art. Referring to FIG. 1, a heat sink 20 is attached to a lower surface 13 of a wiring board 20 having a window 12 at a central portion thereof. The semiconductor chip 30 is attached to the upper surface of the heat sink 20 through the window 12, and the semiconductor chip 30 and the wiring board 10 are electrically connected by the bonding wire 40. The semiconductor chip 30 and the bonding wire 40 exposed to the window 12 are protected by the liquid thermosetting encapsulant 50 filled in the window 12. The solder ball 60 is formed on the upper surface 15 of the wiring board outside the thermosetting encapsulant 50. In this case, the solder ball 60 is formed higher than the height of the thermosetting encapsulant 40 formed on the upper surface 15 of the wiring board for electrical connection with the external circuit board. The epoxy resin is mainly used as the thermosetting encapsulant 50.
한편 본딩 와이어(40)가 배선기판의 상부면(15)보다는 높게 형성되기 때문에, 윈도우(12)에 충전되는 액상의 열경화성 봉합제(50) 또한 배선기판의 상부면(15)보다 높게 형성된다. 그런데 액상의 열경화성 봉합제(50)의 퍼짐성과, 충전된 열경화성 봉합제(50)를 오븐 경화하는데 많은 시간이 소요되기 때문에, 윈도우(12)에 충전된 열경화성 봉합제(50)가 윈도우(12) 주위의 솔더 볼(60)이 형성될 영역을 침범할 수 있다. 따라서, 종래에는 열경화성 봉합제(50) 충전 공정을 진행하기 전에, 윈도우(12) 둘레에 봉합댐(14)을 형성하는 공정을 진행한다. 물론 봉합댐(14)은 본딩 와이어(40)의 최고점 높이보다는 적어도 높게 형성된다.On the other hand, since the bonding wire 40 is formed higher than the upper surface 15 of the wiring board, the liquid thermosetting encapsulant 50 filled in the window 12 is also formed higher than the upper surface 15 of the wiring board. However, since the spreadability of the liquid thermosetting suture 50 and the time required for curing the filled thermosetting suture 50 in the oven, the thermosetting suture 50 filled in the window 12 is the window 12 It may invade the area where the surrounding solder ball 60 will be formed. Therefore, conventionally, the process of forming the sealing dam 14 around the window 12 before the process of filling the thermosetting suture 50 is carried out. Of course, the suture dam 14 is formed at least higher than the height of the highest point of the bonding wire 40.
따라서 성형 공정은 봉합댐을 형성하는 공정과, 액상의 열경화성 봉합제를 충전 공정 및 오븐 경화 공정을 진행하기 때문에, 공정이 복잡하고 공정 시간이 길어지는 문제점을 안고 있었다.Therefore, the molding process involves a process of forming a sealing dam, a filling process and an oven curing process of a liquid thermosetting sealant, and thus, the process is complicated and the process time is long.
따라서, 본 발명의 목적은 성형 공정을 단순화시켜 성형 공정 시간을 단축할 수 있도록 하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to simplify the molding process and to shorten the molding process time.
상기 목적을 달성하기 위하여, 종래의 열경화성 봉합제 대신에 자외선 봉합제를 사용하여 충전 공정을 진행한 다음 인라인으로 즉시 자외선 경화 공정을 진행함으로써, 자외선 봉합제가 솔더 볼이 형성될 영역으로 퍼지는 것을 억제할 수 있는 자외선 봉합제를 이용한 반도체 패키지 제조 방법In order to achieve the above object, by using a UV sealant instead of a conventional thermosetting sealant and proceeding the filling process immediately followed by an UV curing process inline, the UV sealant can be prevented from spreading to the area where the solder ball is to be formed. Method of manufacturing semiconductor package using UV sealant
그리고 본 발명에 따른 자외선 경화 공정은 충전된 자외선 봉합제에 2 내지 4초 정도 자외선을 조사한다.In the ultraviolet curing process according to the present invention, the filled ultraviolet suture is irradiated with ultraviolet light for about 2 to 4 seconds.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 자외선 봉합제(150)를 이용한 반도체 패키지(200)를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 중심 부분에 윈도우(112)를 갖는 배선기판(110)의 하부면(113)에 방열판(120)이 부착된다. 윈도우(112)를 통하여 방열판(120)의 상부면에 반도체 칩(130)이 부착되고, 반도체 칩(130)과 배선기판(110)은 본딩 와이어(140)에 의해 전기적으로 연결된다. 윈도우(112)에 노출된 반도체 칩(130)과 본딩 와이어(140)는 윈도우(112)에 충전된 자외선 봉합제(150)에 의해 보호된다. 그리고 자외선 봉합제(150) 외측의 배선기판의 상부면(115)에 솔더 볼(160)이 형성된 구조를 갖는다. 이때 외부 회로기판과의 전기적 접속을 위해서 솔더 볼(160)은 배선기판 상부면(115)에 형성된 자외선 봉합제(150)보다는 높게 형성된다. 아울러 본딩 와이어(140)가 배선기판의 상부면(115)보다는 높게 형성되기 때문에, 윈도우(112)에 충전되는 자외선 봉합제(160) 또한 배선기판의 상부면(115)보다 높게 형성된다.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor package 200 using the ultraviolet sealant 150 according to the present invention. Referring to FIG. 2, a heat sink 120 is attached to the bottom surface 113 of the wiring board 110 having the window 112 in the center portion. The semiconductor chip 130 is attached to the upper surface of the heat sink 120 through the window 112, and the semiconductor chip 130 and the wiring board 110 are electrically connected by the bonding wire 140. The semiconductor chip 130 and the bonding wire 140 exposed to the window 112 are protected by the UV encapsulant 150 filled in the window 112. The solder ball 160 is formed on the upper surface 115 of the wiring board outside the ultraviolet sealant 150. In this case, the solder ball 160 is formed higher than the UV encapsulant 150 formed on the upper surface 115 of the wiring board for electrical connection with the external circuit board. In addition, since the bonding wire 140 is formed higher than the upper surface 115 of the wiring board, the UV encapsulant 160 filled in the window 112 is also formed higher than the upper surface 115 of the wiring board.
특히 본 발명에 따른 반도체 패키지(200)는 자외선 봉합제(150)가 윈도우(112) 주위의 솔더 볼(160)이 형성될 영역으로 퍼지는 것을 억제하기 위한 봉합댐이 형성되지 않지만, 자외선 봉합제(150)는 윈도우(112) 주위의 솔더 볼(160)이 형성될 영역을 침범하지 않는다.In particular, the semiconductor package 200 according to the present invention is not formed with a sealing dam for preventing the ultraviolet sealant 150 from spreading to the region where the solder ball 160 around the window 112 is to be formed, 150 does not invade the area where solder balls 160 are to be formed around window 112.
이와 같이 자외선 봉합제(150)가 윈도우(112) 주위의 솔더 볼(160)이 형성될 영역에서 이격되게 형성하기 위해서, 본 발명에 따른 반도체 패키지는 도 3 내지 도 5에 개시된 바와 같은 성형 공정(184))을 포함하는 반도체 패키지 제조 방법으로 제조된다. 여기서 도 3은 도 2의 반도체 패키지의 제조 방법에 따른 공정도(180)이다. 도 4는 도 2의 제조 방법(180)에 있어서, 액상의 자외선 봉합제(152)를 충전하는 단계를 보여주는 부분 단면도이다. 그리고 도 5는 자외선(176) 경화하는 단계를 보여주는 부분 단면도이다.As described above, in order to form the UV encapsulant 150 spaced apart from the region where the solder ball 160 around the window 112 is to be formed, the semiconductor package according to the present invention may be formed using a molding process as shown in FIGS. 184)). 3 is a process diagram 180 according to the manufacturing method of the semiconductor package of FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating the filling of the liquid ultraviolet sealant 152 in the manufacturing method 180 of FIG. 2. 5 is a partial cross-sectional view showing the step of curing the ultraviolet (176).
먼저 반도체 패키지 제조 공정은, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부면(113)에 방열판(120)이 부착된 배선기판(110)을 준비하는 단계로부터 출발한다(도 3의 181). 배선기판(110)으로 인쇄회로기판, 테이프 배선기판, 세라믹 기판 등이 사용될 수 있다. 방열판으로는 열전도성이 뛰어난 구리(Cu)나 알루미늄(Al)계열의 금속판이 주로 사용된다. First, as shown in FIG. 4, the semiconductor package manufacturing process starts from preparing a wiring board 110 having a heat sink 120 attached to a lower surface 113 (181 of FIG. 3). As the wiring board 110, a printed circuit board, a tape wiring board, a ceramic board, or the like may be used. As the heat sink, a metal plate of copper (Cu) or aluminum (Al) series having excellent thermal conductivity is mainly used.
다음으로 배선기판의 윈도우(112)에 노출된 방열판(120)의 상부면에 반도체 칩(130)을 부착한다(도 3의 182). 다음으로 윈도우(112)에 근접한 배선기판 상부면(115)과 반도체 칩(130)을 본딩 와이어(140)로 전기적으로 연결한다(도 3의 183).Next, the semiconductor chip 130 is attached to the upper surface of the heat sink 120 exposed to the window 112 of the wiring board (182 of FIG. 3). Next, the wiring board upper surface 115 adjacent to the window 112 and the semiconductor chip 130 are electrically connected to each other by the bonding wire 140 (183 of FIG. 3).
다음으로 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 자외선 봉합제를 이용한 성형 공정이 진행된다(도 3의 184). 먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 액상의 자외선 봉합제(152)를 충전하는 단계를 진행한다(도 3의 185). 즉, 윈도우(112)에 노출된 반도체 칩(130)과 본딩 와이어(140)를 외부환경으로부터 보호하기 위해서 윈도우(112)에 액상의 자외선 봉합제(152)를 충전하는 단계를 진행한다. 이때 배선기판 상부면(115)으로 돌출된 본딩 와이어(140)를 봉합하기 위해서, 자외선 봉합제(152)는 윈도우(112)를 포함하여 윈도우(112) 주위의 배선기판 상부면(115)에도 형성될 수 있도록 충전된다.Next, as shown in FIGS. 4 and 5, the molding process using the UV suture is performed (184 of FIG. 3). First, as shown in FIG. 4, the step of filling the liquid ultraviolet sealant 152 is performed (185 of FIG. 3). That is, in order to protect the semiconductor chip 130 and the bonding wire 140 exposed to the window 112 from the external environment, the step of filling the window 112 with the liquid ultraviolet sealant 152 is performed. In this case, in order to seal the bonding wire 140 protruding to the wiring board upper surface 115, the UV encapsulant 152 is also formed on the wiring board upper surface 115 around the window 112, including the window 112. To be charged.
한편 액상의 자외선 봉합제(152)를 충전하는 방법으로 디스펜서(172; dispenser)를 이용한 디스펜싱(dispensing) 방법이 사용되며, 디스펜서(172)에는 자외선 조사기(174)가 함께 설치되어 있다. 본 발명에 사용되는 액상의 자외선 봉합제(152)는 수초 예컨대, 2 내지 4초 정도 자외선이 조사되면 경화되는 성질을 갖고 있다.Meanwhile, a dispensing method using a dispenser 172 is used as a method of filling the liquid ultraviolet sealant 152, and the dispenser 172 is equipped with an ultraviolet irradiator 174. The liquid ultraviolet sealant 152 used in the present invention has a property of curing when irradiated with ultraviolet light for several seconds, for example, about 2 to 4 seconds.
이어서 도 5에 도시된 바와 같이, 자외선(176) 경화 공정이 진행된다(도 3의 186). 즉, 자외선 봉합제 충전 공정이 완료된 다음 바로 자외선(176)을 조사하여 충전된 자외선 봉합제(150)를 경화시킨다. 디스펜서(172)와 함께 설치된 자외선 조사기(174)에서 자외선(176)을 2 내지 4초 정도 조사함으로써 충전된 자외선 봉합제(150)를 경화시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 5, the ultraviolet 176 curing process proceeds (186 of FIG. 3). That is, the UV sealant 150 is cured by irradiating the ultraviolet light 176 immediately after the UV sealant filling process is completed. In the ultraviolet irradiator 174 installed together with the dispenser 172, the ultraviolet ray sealant 150 is cured by irradiating the ultraviolet ray 176 for about 2 to 4 seconds.
한편 자외선 봉합제 충전 공정(도 3의 185)에서 배선기판 상부면(115)으로 돌출된 본딩 와이어(140)를 봉합하기 위해서, 충전된 자외선 봉합제(152)는 윈도우(112)를 포함하여 윈도우(112) 주위의 배선기판 상부면(115)에도 형성된다. 하지만 자외선 봉합제 충전 공정(도 3의 185)과 자외선 경화 공정(도 3의 186)이 인라인(in-line)으로 짧은 시간 안에 진행되기 때문에, 충전된 액상의 자외선 봉합제(152)가 윈도우(112)에 근접한 솔더 볼이 형성될 영역을 침범하는 것을 억제할 수 있다.Meanwhile, in order to seal the bonding wire 140 protruding from the UV suture filling process (185 of FIG. 3) to the upper surface 115 of the wiring board, the filled UV suture 152 includes a window 112. It is also formed on the upper surface 115 of the wiring board around the (112). However, since the UV suture filling process (185 of FIG. 3) and the UV curing process (186 of FIG. 3) are performed in-line within a short time, the filled liquid UV suture 152 is formed in a window ( Invasion of the region where the solder ball close to 112 is to be formed can be suppressed.
물론 종래의 열경화성 봉합제를 이용한 성형 공정도 본 발명에 개시된 바와 같이 인라인으로 진행할 수 있지만, 기본적으로 열경화성 봉합제 경화에 많이 시간이 소요되기 때문에, 인라인으로 성형 공정을 진행하더라도 충전된 열경화성 봉합제가 윈도우에 근접한 솔더 볼이 형성될 영역을 침범하는 불량이 발생될 수 있다.Of course, the molding process using the conventional thermosetting suture can also proceed inline as disclosed in the present invention, but since it takes a long time to cure the thermosetting suture, basically, even if the molding process proceeds inline, the filled thermosetting suture window A defect may be generated that invades the region where the solder ball is to be formed close to.
마지막으로 솔더 볼(160)을 형성하는 공정(도 3의 187)을 진행함으로써, 도 2에 도시된 바와 같은 반도체 패키지(200)를 제조할 수 있다.Finally, the semiconductor package 200 as illustrated in FIG. 2 may be manufactured by performing the process of forming the solder balls 160 (187 of FIG. 3).
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 방법에서는 자외선 봉합제를 이용한 성형 공정(도 3의 184) 이후에 솔더 볼을 형성하는 공정(도 3의 185)을 진행하였지만, 솔더 볼을 형성하는 공정을 먼저 진행한 다음 성형 공정을 진행할 수도 있다.In the method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, a solder ball is formed after forming a mold (184 of FIG. 3) using an ultraviolet suture (185 of FIG. 3), but the solder ball is formed. It may proceed first and then proceed with the molding process.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 배선기판의 윈도우 내에 반도체 칩이 실장된 구조를 개시하였지만, 배선기판의 윈도우에 반도체 칩의 칩 패드 영역이 노출되게 배선기판의 하부면에 반도체 칩이 실장된 반도체 패키지에도 적용할 수 있음은 물론이다. 이 경우, 윈도우에 노출된 칩 패드 영역과 칩 패드와 배선기판을 연결하는 본딩 와이어가 자외선 봉합제에 의해 봉합된다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented. For example, in the exemplary embodiment of the present invention, a structure in which a semiconductor chip is mounted in a window of a wiring board is disclosed, but the semiconductor chip is mounted on a bottom surface of the wiring board so that the chip pad region of the semiconductor chip is exposed in the window of the wiring board. Of course, it can be applied to a semiconductor package. In this case, the chip pad region exposed to the window, and the bonding wire connecting the chip pad and the wiring board are sealed with the ultraviolet suture.
따라서, 본 발명의 제조 방법에 따르면 자외선 봉합제를 이용하여 자외선 봉합제 충전 공정과 자외선 봉합제 경화 공정을 인라인으로 진행하기 때문에, 윈도우에 충전된 자외선 봉합제가 윈도우에 근접한 솔더 볼이 형성될 영역을 침범하기 전에 충전된 자외선 봉합제를 경화시킬 수 있다.Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, since the UV suture filling process and the UV suture curing process are performed inline using the UV suture, the UV suture filled in the window is formed in the region where the solder ball is formed close to the window. Filled UV sutures can be cured prior to invasion.
아울러 자외선 봉합제 충전 공정과 자외선 봉합제 경화 공정을 인라인으로 진행하기 때문에, 성형 공정 시간을 단축할 수 있는 장점도 있다.In addition, since the UV suture filling process and the UV suture curing process are performed inline, there is an advantage that the molding process time can be shortened.
도 1은 종래기술에 반도체 패키지의 실시예로서, 봉합댐을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a ball grid array package having a sealing dam as an embodiment of a semiconductor package in the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 자외선 봉합제를 이용한 반도체 패키지를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor package using a UV sealant according to the present invention.
도 3은 도 2의 반도체 패키지의 제조 방법에 따른 공정도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the semiconductor package of FIG. 2.
도 4는 도 2의 제조 방법에 있어서, 자외선 봉합제를 충전하는 단계를 보여주는 부분 단면도이다.4 is a partial cross-sectional view showing a step of filling the ultraviolet suture in the manufacturing method of FIG.
도 5는 자외선 경화하는 단계를 보여주는 부분 단면도이다.5 is a partial cross-sectional view showing the step of ultraviolet curing.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing
10, 110 : 배선기판 12, 112 : 윈도우10, 110: wiring board 12, 112: window
14 : 봉합댐 20, 120 : 방열판14: suture dam 20, 120: heat sink
30, 130 : 반도체 칩 40, 140 : 본딩 와이어30, 130: semiconductor chip 40, 140: bonding wire
50 : 열경화성 봉합제 60, 160 : 솔더 볼50: thermosetting sealant 60, 160: solder ball
100 : BGA 패키지 150 : 자외선 봉합제100: BGA Package 150: UV Sealant
172 : 디스펜서 174 : 자외선 조사기 172 dispenser 174 UV irradiation
200 : 반도체 패키지200: semiconductor package
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| KR1020040021228A KR20050095995A (en) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | Method for manufacturing semiconductor package uv curable encapsulant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040021228A KR20050095995A (en) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | Method for manufacturing semiconductor package uv curable encapsulant |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050095995A true KR20050095995A (en) | 2005-10-05 |
Family
ID=37276231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040021228A KR20050095995A (en) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | Method for manufacturing semiconductor package uv curable encapsulant |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050095995A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101248465B1 (en) * | 2005-12-12 | 2013-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | Dispenser system |
| KR20210019904A (en) * | 2019-08-13 | 2021-02-23 | 주식회사 크리셈 | Ic package mold, and manufacturing method thereof |
-
2004
- 2004-03-29 KR KR1020040021228A patent/KR20050095995A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101248465B1 (en) * | 2005-12-12 | 2013-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | Dispenser system |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |