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KR20050070419A - Chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch - Google Patents

Chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch Download PDF

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KR20050070419A
KR20050070419A KR1020030099926A KR20030099926A KR20050070419A KR 20050070419 A KR20050070419 A KR 20050070419A KR 1020030099926 A KR1020030099926 A KR 1020030099926A KR 20030099926 A KR20030099926 A KR 20030099926A KR 20050070419 A KR20050070419 A KR 20050070419A
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South Korea
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polishing
wafer
chemical mechanical
slurry
mechanical polishing
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Application number
KR1020030099926A
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정제덕
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동부아남반도체 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 화학기계적 연마를 위한 폴리싱유니트가 복수로 설치되고, 각 폴리싱유니트에 설치된 폴리싱헤드에 인접하여 슬러리 등의 미세입자를 흡입하는 흡입관과 초순수 분사노즐을 설치하여 연속적으로 미세입자 등을 제거함으로써, 웨이퍼 연마작업중에 슬러리 등의 미세입자에 의한 웨이퍼 스크래치 발생을 억제할 수 있도록 된 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus for reducing wafer scratches. More particularly, a plurality of polishing units for chemical mechanical polishing of wafers are provided, and fine particles such as slurry are disposed adjacent to the polishing heads installed in each polishing unit. The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus for reducing wafer scratches, which is capable of suppressing wafer scratches caused by fine particles such as slurries during wafer polishing by providing suction pipes and suction nozzles for suction. .

Description

웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비{chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch}Chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch}

본 발명은 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 화학기계적 연마를 위한 폴리싱유니트가 복수로 설치되고, 각 폴리싱유니트에 설치된 폴리싱헤드에 인접하여 슬러리 등의 미세입자를 흡입하는 흡입관과 초순수 분사노즐을 설치하여 연속적으로 미세입자 등을 제거함으로써, 웨이퍼 연마작업중에 슬러리 등의 미세입자에 의한 웨이퍼 스크래치 발생을 억제할 수 있도록 된 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus for reducing wafer scratches. More particularly, a plurality of polishing units for chemical mechanical polishing of wafers are provided, and fine particles such as slurry are disposed adjacent to the polishing heads installed in each polishing unit. The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus for reducing wafer scratches by providing suction pipes and ultrapure water spray nozzles to continuously remove fine particles, thereby suppressing wafer scratches caused by fine particles such as slurry during wafer polishing operations. .

웨이퍼의 화학기계적연마(CMP : chemical mechanical polishing) 공정은 반도체 소자가 다층 배선 구조를 가지고 좀더 엄격한 광역 평탄화와 엄격한 초점 심도(Depth of Focus)를 요구하기 때문에 도입되었고, 소자가 더욱 미세화되고 웨이퍼가 더욱 대형화 되기 때문에 반도체 제조공정에서 화학기계적연마 공정에 대한 수요는 급격히 증가할 것이다. 화학기계적연마(CMP) 공정은 IBM에서 개발된 후 미국의 유수한 반도체 제조 회사를 중심으로 연구 개발되고 국내 반도체 제조 회사에서도 도입 및 개발되고 있는 공정기술이다. The chemical mechanical polishing (CMP) process of wafers has been introduced because semiconductor devices have a multi-layered wiring structure and require more stringent wide area planarization and tighter depth of focus, resulting in finer devices and more wafers. Due to the large size, the demand for chemical mechanical polishing process in semiconductor manufacturing process will increase rapidly. The chemical mechanical polishing (CMP) process is a process technology developed by IBM and researched and developed by leading semiconductor manufacturing companies in the United States and introduced and developed by domestic semiconductor manufacturing companies.

화학기계적연마(CMP) 공정은 가압된 웨이퍼와 폴리싱패드 사이에 존재하는 연마제(abrasive)에 의한 기계적인 가공과 슬러리(slurry) 등의 화합물에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 공정이다. The chemical mechanical polishing (CMP) process is a process in which mechanical processing by an abrasive existing between a pressed wafer and a polishing pad and chemical etching by a compound such as a slurry occur simultaneously.

도 1은 복수의 폴리싱유니트가 설치되는 공정도로서, 대량생산과 웨이퍼 생산단가를 낮추기 위해서라도 공정의 대형화 복합화가 이루어지고 있는 추세이다.1 is a process chart in which a plurality of polishing units are installed, and in order to reduce mass production and wafer production cost, a trend of increasing the size and complexity of the process is being performed.

또한, 하나의 화학기계적 연마공정에서 각 웨이퍼의 연마작업이 종결되는 것보다는, 연마정도에 따라 복수의 화학기계적 연마공정에서 단계적인 연마작업이 수행되는 것이 바람직하다. In addition, rather than finishing polishing each wafer in one chemical mechanical polishing process, it is preferable to perform a step polishing operation in a plurality of chemical mechanical polishing process depending on the degree of polishing.

도 2는 종래 화학기계적연마장치의 구성을 개략적으로 나타낸 사시도이다.Figure 2 is a perspective view schematically showing the configuration of a conventional chemical mechanical polishing apparatus.

도 2에 따르면, 폴리싱패드(10)는 연마테이블(50) 상부면에 부착되고 절연막이 형성된 웨이퍼(미도시)는 폴리싱헤드(20)에 장착되며, 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱패드(10)에 밀착된 상태로 웨이퍼와 연마테이블(50)이 상호 반대방향으로 회전하면서 기계적인 연마가 이루어진다. 아울러 별도로 설치되는 슬러리공급부(30)를 통하여 상기 웨이퍼와 폴리싱패드(10)사이로 슬러리가 투입되어 웨이퍼 표면의 절연막과 반응하도록 하여 화학적인 연마가 이루어진다. According to FIG. 2, the polishing pad 10 is attached to the upper surface of the polishing table 50, and a wafer (not shown) having an insulating film is mounted on the polishing head 20, and the wafer is in close contact with the polishing pad 10. In this state, mechanical polishing is performed while the wafer and the polishing table 50 rotate in opposite directions. In addition, a slurry is introduced between the wafer and the polishing pad 10 through a slurry supply unit 30 that is separately installed to react with the insulating film on the wafer surface, thereby chemically polishing.

한편, 화학기계적연마공정에 의한 평탄화가 정밀하게 이루어지기 위해서는 웨이퍼에 접촉하는 폴리싱패드(10)의 표면 거칠기와 전체적 탄력이 적절하게 유지되어야 하는데, 이를 위해 화학기계적연마 공정 중에 폴리싱패드(10)의 상태를 항상 일정하게 유지하는 작업을 폴리싱패드 컨디셔닝이라 하며, 이와 같은 작업을 수행하는 장치를 드레서(40)라 한다. 상기 드레서(40)는 회전축(41)과 상기 회전축(41)의 하부면에 장착되며 다이아몬드 재질로 되고 폴리싱패드(10)와 직접 접촉하여 폴리싱패드 컨디셔닝이 이루어지는 컨디셔닝디스크(42)로 구성되며, 화학기계적연마 공정이 진행되는 동안에 웨이퍼가 회전하는 영역과 다른 영역에서 상기 드레서(40)에 장착된 컨디셔닝디스크(42)를 구동하여 상기 컨디셔닝디스크(42)와 폴리싱패드(10)가 밀착된 상태로 회전하면서 폴리싱패드 컨디셔닝이 이루어진다. Meanwhile, in order to precisely planarize by the chemical mechanical polishing process, the surface roughness and overall elasticity of the polishing pad 10 in contact with the wafer must be properly maintained. For this purpose, the polishing pad 10 is The task of keeping the state constant at all times is called polishing pad conditioning, and the device that performs the task is called dresser 40. The dresser 40 is mounted on the rotating shaft 41 and the lower surface of the rotating shaft 41 and is made of a conditioning disk 42 made of diamond material and in direct contact with the polishing pad 10 to perform polishing pad conditioning. During the mechanical polishing process, the conditioning disk 42 mounted on the dresser 40 is driven in a region different from the area where the wafer is rotated so that the conditioning disk 42 and the polishing pad 10 are rotated in close contact with each other. Polishing pad conditioning is achieved.

상기 드레서(40)는 폴리싱패드 컨디셔닝을 끝낸 후에는, 드레서 세정장치(1)에서 세정된다. 상기 드레서 세정장치(1)는 드레서(40)를 수용할 수 있도록 상부면이 개방된 수용컵(2)과 상기 수용컵(2)에 수용되는 드레서(40)를 세정하기 위해서 초순수(D.I. water : de ionized water)를 분사할 수 있도록 설치되는 분사스프레이(3)와 분사노즐(4) 및 상기 분사스프레이(3)와 분사노즐(4)로 초순수를 공급하는 초순수공급부(5)로 구성된다. 따라서 상기 드레서(40)가 상기 수용컵(2) 내부로 삽입된 상태에서 초순수가 분사되고 상기 드레서(40)가 회전하면서, 폴리싱패드 컨디셔닝 중에 상기 드레서(40)에 닿게 되는 슬러리등의 이물질을 제거하는 세정작업이 이루어진다. The dresser 40 is cleaned by the dresser cleaning apparatus 1 after finishing polishing pad conditioning. The dresser cleaning apparatus 1 may use ultra-pure water (DI water) to clean the receiving cup 2 having an upper surface open to accommodate the dresser 40 and the dresser 40 accommodated in the receiving cup 2. It is composed of an injection spray (3) and an injection nozzle (4) which is installed to inject de ionized water and an ultrapure water supply unit (5) for supplying ultrapure water to the injection spray (3) and the injection nozzle (4). Accordingly, ultrapure water is injected while the dresser 40 is inserted into the receiving cup 2 and the dresser 40 is rotated to remove foreign substances such as slurry coming into contact with the dresser 40 during polishing pad conditioning. Cleaning is done.

한편, 화학기계적연마(CMP) 공정에 영향을 미치는 변수는 폴리싱 장비의 공정 조건, 웨이퍼 박막의 증착 공정, 슬러리의 화학적 성질, 폴리싱패드(10), 패드컨디셔닝, 연마후 처리(Post CMP)공정인 세정(Cleaning) 공정 및 장비, 웨이퍼 결함(Surface defect)분석 방법, 슬러리 및 폴리싱패드(10) 사용에 따른 환경문제 등이 있다. On the other hand, the variables affecting the chemical mechanical polishing (CMP) process are the processing conditions of the polishing equipment, the deposition process of the wafer thin film, the chemical properties of the slurry, the polishing pad 10, the pad conditioning, the post CMP process. Cleaning process and equipment, wafer defect analysis method, environmental problems due to the use of slurry and polishing pad 10, and the like.

그 중에서, 반복된 연마작업에 의하여 연마장비 내의 요철부 구멍이나 굴곡이 다수 형성된 폴리싱헤드(20)나 구동유니트(200)등의 구조물에 슬러리 찌꺼기 등의 미세입자(310)가 침착되어 응고되는 경우가 있다.Among them, when fine particles 310 such as slurry residues are deposited and solidified in a structure such as a polishing head 20 or a driving unit 200 in which a plurality of irregularities holes or bends are formed in the polishing equipment by repeated polishing operations. There is.

상기 침착된 미세입자(310) 등의 찌꺼기는 연마작업 공정중의 웨이퍼 표면에 다시 떨어져 웨이퍼 스크래치 발생의 원인이 되는 문제점이 있다.Debris such as the deposited fine particles 310 fall back on the wafer surface during the polishing operation process to cause a wafer scratch.

종래에는 연마장치 내부에 설치된 구조물의 형상과 위치에 관계없이 연마장치 상부 등의 위치에 진공으로 미세입자(310)등의 찌꺼기를 빨아들이는 흡입관을 마련하였으나 근본적으로 웨이퍼 표면 근처의 구조물인 폴리싱헤드(20)나 구동유니트(200) 등에 인접하여 침착되는 찌꺼기 등의 제거대책이 절실하였다. Conventionally, although a suction tube is provided at the top of the polishing apparatus regardless of the shape and position of the structure installed inside the polishing apparatus, a suction tube that sucks the particles such as fine particles 310 by vacuum is essentially a polishing head which is a structure near the wafer surface. The countermeasures for removal of debris and the like deposited adjacent to the 20 and the driving unit 200 are urgently needed.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 발명된 것으로, 반복된 연마작업에 의하여 침착 응고된 미세입자 등의 찌꺼기를 미연에 흡입/제거하여 웨이퍼 스크래치 발생요인을 차단하고 화학기계적연마 장비의 유지보수에 필요한 노력을 경감시키기 위하여, 웨이퍼 표면 근처의 구조물인 다수의 폴리싱헤드나 구동유니트 등에 인접하여 미세입자 흡입관과 초순수 분사노즐을 설치하여 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비를 제공함에 그 목적이 있다. The present invention has been invented to solve the above-mentioned problems, by inhaling / removing debris such as fine particles deposited and solidified by repeated polishing operations to block the occurrence of wafer scratches and to maintain the maintenance of chemical mechanical polishing equipment. In order to alleviate the necessary effort, an object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing apparatus that reduces wafer scratches by installing a fine particle suction pipe and an ultrapure water injection nozzle adjacent to a plurality of polishing heads or driving units, which are structures near the wafer surface.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구성과 작용효과 및 실시예에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail the configuration, operation and effect of the present invention.

본 발명의 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비는,Wafer scratch chemical mechanical polishing equipment of the present invention,

회전하는 연마테이블(50)에 착설되어 웨이퍼를 연마하는 폴리싱패드(10), 웨이퍼를 상기 폴리싱패드(10)에 밀착 회전시키는 폴리싱헤드(20), 상기 폴리싱패드(10)를 컨디셔닝하는 컨디셔닝디스크(42)가 설치된 드레서(40), 웨이퍼 연마를 위한 슬러리를 공급하는 슬러리공급부(30)로 이루어진 폴리싱유니트(100)가 복수로 설치되고;A polishing pad 10 mounted on a rotating polishing table 50 for polishing a wafer, a polishing head 20 for rotating the wafer in close contact with the polishing pad 10, and a conditioning disk for conditioning the polishing pad 10 A plurality of polishing units (100) comprising a dresser (40) provided with 42 and a slurry supply section (30) for supplying a slurry for wafer polishing;

상기 복수의 폴리싱헤드를 일괄적으로 구동하는 구동유니트(200)가 폴리싱헤드의 상측에 설치되며;A drive unit (200) for collectively driving the plurality of polishing heads is provided above the polishing head;

웨이퍼 연마작업시 발생하는 미세입자(310) 등을 흡입하는 흡입관(300)이 상기 복수의 폴리싱헤드에 인접하여 설치되고;A suction pipe 300 for sucking the fine particles 310 and the like generated during the wafer polishing operation is provided adjacent to the plurality of polishing heads;

상기 복수의 폴리싱헤드에 초순수를 분사하는 분사노즐(400)이 설치되어,A spray nozzle 400 for spraying ultrapure water is installed in the plurality of polishing heads.

웨이퍼 연마작업시 스크래치 발생을 억제하도록 된 것을 특징으로 한다. It is characterized in that the scratch generation during the wafer polishing operation is suppressed.

도 1을 참조하면 웨이퍼로딩부에 의하여 웨이퍼가 카세트로부터 공급되면 폴리싱유니트(100)1에서 제 1단계의 폴리싱작업이 이루어지고 다음으로 폴리싱유니트(100)2에서 제 2단계의 폴리싱작업이 이루어진다. Referring to FIG. 1, when the wafer is supplied from the cassette by the wafer loading unit, the polishing operation of the first step is performed in the polishing unit 100, and then the polishing operation of the second step is performed in the polishing unit 100.

대량생산과 웨이퍼 생산단가를 낮추기 위해서 공정의 대형화 복합화가 이루어지고 있고, 또한 하나의 화학기계적 연마공정에서 각 웨이퍼의 연마작업이 종결되는 것보다는, 연마정도에 따라 복수의 화학기계적 연마공정에서 단계적인 연마작업이 수행되는 것이 바람직하므로 복수의 폴리싱유니트(100)가 장착되고 있다. In order to reduce mass production and wafer production cost, the process is enlarged and complexed.In addition, the polishing operation of each wafer is terminated in one chemical mechanical polishing process. Since a polishing operation is preferably performed, a plurality of polishing units 100 are mounted.

폴리싱 작업 이후 공정으로는 세정(cleaning)공정이 필요한데 우선 제 1차 세정작업을 위하여 슬러리 없이 초순수만이 분사되며 부드러운 천이나 가죽등의 패드가 부착된 디스크를 웨이퍼 표면에 회전하여 슬러리 등의 미세입자(310)를 제거하는 버핑(buffing)공정이 수행된다. After the polishing process, a cleaning process is required. For the first cleaning operation, only ultrapure water is sprayed without slurry, and a fine particle such as slurry is rotated by rotating a disk with a pad of soft cloth or leather on the wafer surface. A buffing process to remove 310 is performed.

도 3은 본 발명의 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비의 바람직한 일 실시예에 따른 설명도이다.Figure 3 is an explanatory diagram according to a preferred embodiment of the chemical mechanical polishing equipment is reduced wafer scratch of the present invention.

폴리싱유니트(100)는 회전하는 연마테이블에 착설되어 웨이퍼를 연마하는 폴리싱패드, 웨이퍼를 상기 폴리싱패드에 밀착 회전시키는 폴리싱헤드, 상기 폴리싱패드를 컨디셔닝하는 컨디셔닝디스크가 설치된 드레서, 웨이퍼 연마를 위한 슬러리를 공급하는 슬러리공급부로 이루어지므로, 복수의 폴리싱유니트(100)가 장착되면 복잡한 형상의 구조물이 많이 설치되고 그에 따라 슬러리 등의 미세입자(310)가 침착응고될 가능성이 높아진다. The polishing unit 100 includes a polishing pad mounted on a rotating polishing table for polishing a wafer, a polishing head for rotating the wafer in close contact with the polishing pad, a dresser provided with a conditioning disk for conditioning the polishing pad, and a slurry for polishing a wafer. Since it consists of a slurry supply unit for supplying, when a plurality of polishing units 100 is mounted, a large number of complex shaped structures are installed, thereby increasing the possibility of depositing and solidifying fine particles 310 such as slurry.

따라서, 웨이퍼 표면 근처의 구조물인 다수의 폴리싱헤드나 구동유니트(200) 등에 인접하여 미세입자(310) 흡입관(300)을 설치하여 슬러리 등의 미세입자(310)가 구조물에 침착응고되기 전에 미리 흡입/제거하여 웨이퍼 스크래치 발생요인을 차단한다.Accordingly, the suction pipe 300 of the fine particles 310 is installed adjacent to a plurality of polishing heads or driving units 200, which are structures near the wafer surface, and sucked in advance before the fine particles 310 such as slurry are deposited and solidified on the structure. Remove / Remove to block wafer scratch.

그리고, 연마작업 진행중에 초순수(de ionized water)를 분사하거나, 예를 들어 폴리싱유니트1에서 폴리싱유니트2로 웨이퍼가 이송되는 등의 연마작업이 잠시 멈춤되어 있는 간헐적인 공정멈춤시간에 초순수(de ionized water)를 분사하여 요철부 구멍이나 굴곡이 다수 형성된 폴리싱헤드(20)나 구동유니트(200)등을 세정하기 위하여 분사노즐(400)이 설치되어 웨이퍼 스크래치 발생요인을 차단한다.Ultra-pure water (de ionized) during the intermittent process stop time during which polishing work such as spraying de-ionized water during the polishing operation or transferring the wafer from the polishing unit 1 to the polishing unit 2, for example, is temporarily stopped. A spray nozzle 400 is installed to clean the polishing head 20 or the driving unit 200 in which the uneven portion holes or the bends are formed by spraying water to block wafer scratch generation factors.

결과적으로, 웨이퍼 표면 근처의 구조물인 다수의 폴리싱헤드나 구동유니트(200) 등에 인접하여 미세입자 흡입관(300)을 설치하면, 폴리싱 작업 진행중이나 작업후에 슬러리 등의 미세입자(310)가 발생하는 즉시 제거할 수 있고, 여기서 미처 제거되지 못한 슬러리 등의 미세입자(310)는 폴리싱패드 사이 사이에 초순수세정이 가능하도록 설치된 분사노즐(400)에 의하여 폴리싱패드, 드레서, 슬러리공급부, 웨이퍼, 구동유니트(200) 등을 세정하여 슬러리 등의 미세입자(310)가 각종 구조물에 침착응고되지 않도록 할 수 있다. As a result, when the microparticle suction tube 300 is installed adjacent to a plurality of polishing heads or driving units 200, which are structures near the wafer surface, the microparticles 310, such as slurry, are generated during or after the polishing operation. The fine particles 310, such as slurry, which are not removed, may be removed by a polishing nozzle 400 installed between the polishing pads to enable ultrapure water cleaning. The polishing pad, the dresser, the slurry supply unit, the wafer, the driving unit ( 200) may be washed to prevent the fine particles 310 such as slurry from being deposited and solidified on various structures.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비는 웨이퍼 표면 근처의 구조물인 다수의 폴리싱헤드나 구동유니트 등에 인접하여 미세입자 흡입관을 설치하여, 폴리싱 작업 진행중이나 작업후에 슬러리 등의 미세입자가 발생하는 즉시 제거할 수 있고, 분사노즐에 의한 초순수 세정을 겸하도록 되어, 슬러리 등의 미세입자가 각종 구조물에 침착응고되지 않도록 할 수 있어 웨이퍼 스크래치 발생을 미연에 차단하고, 용이하게 화학기계적연마 장비의 유지보수가 이루어지도록 되어 작업시간과 비용이 절감되는 효과가 있다.As described in detail above, the chemical mechanical polishing equipment of which the wafer scratches of the present invention are reduced is provided with a fine particle suction tube adjacent to a plurality of polishing heads or driving units, which are structures near the wafer surface, and the slurry is used during or after the polishing operation. Microparticles can be removed as soon as they are generated, and ultrapure water can be cleaned by spray nozzles to prevent microparticles such as slurries from being deposited and solidified on various structures. Maintenance of the chemical mechanical polishing equipment is performed, thereby reducing the work time and cost.

도 1은 복수의 폴리싱유니트가 설치되는 공정도1 is a process diagram in which a plurality of polishing units are installed

도 2는 종래의 화학기계적 연마장비의 설명도2 is an explanatory diagram of a conventional chemical mechanical polishing equipment

도 3은 본 발명의 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비의 바람직한 일 실시예에 따른 설명도Figure 3 is an explanatory diagram according to a preferred embodiment of the chemical mechanical polishing equipment is reduced wafer scratch of the present invention

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

2 -- 수용컵 3 -- 분사스프레이2-Cup 3-Spray Spray

4,400 -- 분사노즐 5 -- 초순수공급부4,400-Injection nozzle 5-Ultrapure water supply

10 -- 폴리싱패드 20 -- 폴리싱헤드10-Polishing Pad 20-Polishing Head

30 -- 슬러리공급부 40 -- 드레서30-Slurry Feeder 40-Dresser

41 -- 회전축 42 -- 컨디셔닝디스크41-axis of rotation 42-conditioning disc

50 -- 연마테이블 100 -- 폴리싱유니트50-Polishing Table 100-Polishing Unit

200 -- 구동유니트 300 -- 흡입관200-Drive Unit 300-Suction Tube

310 -- 미세입자 310-fine particles

Claims (1)

회전하는 연마테이블(50)에 착설되어 웨이퍼를 연마하는 폴리싱패드(10), 웨이퍼를 상기 폴리싱패드(10)에 밀착 회전시키는 폴리싱헤드(20), 상기 폴리싱패드(10)를 컨디셔닝하는 컨디셔닝디스크(42)가 설치된 드레서(40), 웨이퍼 연마를 위한 슬러리를 공급하는 슬러리공급부(30)로 이루어진 폴리싱유니트(100)가 복수로 설치되고;A polishing pad 10 mounted on a rotating polishing table 50 for polishing a wafer, a polishing head 20 for rotating the wafer in close contact with the polishing pad 10, and a conditioning disk for conditioning the polishing pad 10 A plurality of polishing units (100) comprising a dresser (40) provided with 42 and a slurry supply section (30) for supplying a slurry for wafer polishing; 상기 복수의 폴리싱헤드를 일괄적으로 구동하는 구동유니트(200)가 폴리싱헤드의 상측에 설치되며;A drive unit (200) for collectively driving the plurality of polishing heads is provided above the polishing head; 웨이퍼 연마작업시 발생하는 미세입자(310) 등을 흡입하는 흡입관(300)이 상기 복수의 폴리싱헤드에 인접하여 설치되고;A suction pipe 300 for sucking the fine particles 310 and the like generated during the wafer polishing operation is provided adjacent to the plurality of polishing heads; 상기 복수의 폴리싱헤드에 초순수를 분사하는 분사노즐(400)이 설치되어,A spray nozzle 400 for spraying ultrapure water is installed in the plurality of polishing heads. 웨이퍼 연마작업시 스크래치 발생을 억제하도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스크래치 저감되는 화학기계적 연마장비.Wafer scratch reducing chemical mechanical polishing equipment, characterized in that to suppress the occurrence of scratches during wafer polishing operations.
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KR100744221B1 (en) * 2005-12-27 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 Chemical mechanical polisher and process for the same
KR101025497B1 (en) * 2008-12-12 2011-04-04 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

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