KR20050064986A

KR20050064986A - Semiconductor manufacturing facility of using plasma

Info

Publication number: KR20050064986A
Application number: KR1020030096605A
Authority: KR
Inventors: 염승우
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-12-24
Filing date: 2003-12-24
Publication date: 2005-06-29

Abstract

비저항 값이 낮은 저가의 냉각제를 설비냉각제로 이용하는 플라즈마를 이용한 반도체 제조설비를 제공한다.Provided is a semiconductor manufacturing equipment using plasma using a low-cost coolant having a low specific resistance as a facility coolant.

반도체 제조 설비는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버, 상기 플라즈마를 생성하기 위해 인가된 RF를 필터링 하는 상기 프로세스 챔버 상부의 세라믹 돔, 상기 프로세스 챔버로 제 1 냉각제를 공급 순환시켜 냉각하며 상기 프로세스 챔버와는 독립적인 냉각장치, 상기 세라믹 돔을 소정의 적정 온도로 유지하기 위한 온도 제어부, 및 상기 온도 제어부로 상기 제 1 냉각제보다 비저항 값이 낮은 제 2 냉각제를 공급 순환시켜 냉각하는 냉각부를 포함한다.The semiconductor manufacturing apparatus supplies a process chamber for performing an etching process using a plasma, a ceramic dome above the process chamber to filter the RF applied to generate the plasma, and cools the first coolant by supplying and circulating the process chamber. A cooling unit independent of the process chamber, a temperature control unit for maintaining the ceramic dome at a predetermined proper temperature, and a cooling unit supplying and cooling the second coolant having a specific resistance lower than the first coolant to the temperature control unit. Include.

Description

Semiconductor manufacturing facility of using plasma

본 발명은, 플라즈마를 이용한 반도체 제조설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 프로세스 챔버의 세라믹 돔 및 돔 온도 조절 유니트(Dome Temperature Control Unit; 이하, DTCU)에서 발생되는 임계 온도 이상의 열 에너지를 비저항 값이 낮은 저가의 냉각제를 이용하여 소정의 적정 온도로 유지하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility using plasma, and more particularly, to a specific resistance value of thermal energy above a critical temperature generated by a ceramic dome and a dome temperature control unit (hereinafter referred to as DTCU) of a process chamber. A low cost coolant is used to maintain a semiconductor manufacturing facility at a predetermined appropriate temperature.

도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 반도체 제조시 일반적으로 사용되는 플라즈마 식각 공정을 수행하는 식각공정 설비는 프로세스 챔버(10), 챔버(10) 상부를 덮는 돔(30) 및 DTCU(20)로 구성된다. 그리고, 프로세스 챔버(10)와 DTCU(20)에 각각 개별적인 냉각장치(40 및 50)가 연결되어 있다.As shown in FIG. 1, an etching process apparatus for performing a plasma etching process, which is generally used in semiconductor manufacturing, includes a process chamber 10, a dome 30 covering an upper portion of the chamber 10, and a DTCU 20. do. In addition, separate cooling devices 40 and 50 are connected to the process chamber 10 and the DTCU 20, respectively.

돔(30) 상면에 설치된 RF 코일(미도시)은 챔버(10)내에 플라즈마 생성을 위해 RF를 인가하고, DTCU(20)내의 램프 모듈(미도시)은 광학적 열 에너지를 이용하여 돔(30)을 적정 온도로 가열함으로써 플라즈마 식각공정을 위한 최적 온도로 프로세스 챔버(10) 내부의 온도를 상승시킨다.An RF coil (not shown) installed on the upper surface of the dome 30 applies RF to generate plasma in the chamber 10, and a lamp module (not shown) in the DTCU 20 uses optical thermal energy to perform the dome 30. By heating to an appropriate temperature to increase the temperature inside the process chamber 10 to the optimum temperature for the plasma etching process.

독립적인 2개의 냉각장치(40 및 50)가 RF 인가에 의한 발열 에너지 및 램프 모듈의 광학적 열 에너지에 의해서, 프로세스 챔버(10) 내부의 온도가 상승하여 임계 온도 이상이 되는 것을 억제하기 위해서 설치된다.Two independent cooling devices 40 and 50 are provided to suppress the temperature inside the process chamber 10 from rising above a critical temperature due to the exothermic energy by RF application and the optical thermal energy of the lamp module. .

제 1 냉각장치(40)는 두 채널의 냉각제 공급라인(41) 및 냉각제 회수라인(42)를 통해서 설비 냉각제를 순환시켜 각각 프로세스 챔버 월(11) 및 프로세스 챔버내의 캐소드(cathode)(12) 영역을 냉각하여 적정 온도로 유지한다. The first chiller 40 circulates the plant coolant through the two channels of coolant feed line 41 and coolant return line 42 to respectively process chamber wall 11 and cathode 12 regions within the process chamber, respectively. Cool to maintain the proper temperature.

제 2 냉각장치(50)는 한 채널의 냉각제 공급라인(41) 및 냉각제 회수라인(42)를 통해서 냉각제를 순환시켜 DTCU(20)의 외주면를 냉각하여 프로세스 챔버의 돔(30)을 적정 온도로 유지한다. 즉, 상기 제 2 냉각장치(50)로부터 냉각제 공급라인(41)을 통해 공급된 냉각제는 DTCU(20) 내부의 열 에너지를 흡수하게 되며, 상기 열 에너지를 흡수한 냉각제는 냉각제 회수라인(42)을 통해 냉각장치(50)로 회수된다.The second cooling device 50 circulates the coolant through the coolant supply line 41 and the coolant recovery line 42 in one channel to cool the outer circumferential surface of the DTCU 20 to maintain the dome 30 of the process chamber at an appropriate temperature. do. That is, the coolant supplied from the second cooler 50 through the coolant supply line 41 absorbs heat energy inside the DTCU 20, and the coolant absorbing the heat energy coolant recovery line 42. Recovered to the cooling device 50 through.

한편, 프로세스 챔버(10) 내부는 RF가 인가되는 RF 핫(hot) 영역으로서 설계시 소정의 챔버 임피던스 값(예컨대, 50Ω)으로 고정되어 있다. 따라서, 냉각장치(40 및 50)로부터 공급되는 냉각제는 비저항 값이 높은 냉각제를 사용해야 한다.On the other hand, the inside of the process chamber 10 is an RF hot region to which RF is applied, and is fixed to a predetermined chamber impedance value (for example, 50Ω) during design. Therefore, the coolant supplied from the coolers 40 and 50 should use a coolant having a high resistivity value.

다시말해, 냉각제가 비저항 값이 높은 특성을 가지면, 냉각제의 임피던스 값이 전체 프로세스 챔버(10) 임피던스 값에 영향을 주지 않으며, 인가되는 RF 전력이 드롭되거나(drop) 반사 전력(reflect power)이 발생하는 것을 억제하게 된다.In other words, if the coolant has a high specific resistance value, the impedance value of the coolant does not affect the overall process chamber 10 impedance value, and the applied RF power is dropped or reflect power is generated. Will be suppressed.

하지만, 이상에서 설명한 바와 같이, 상기 세라믹 돔(30) 상부의 DTCU(20) 내부 유닛에는 RF 전력이 인가되지 않으므로, DTCU(20)에도 비저항 값이 높은 냉각제를 사용하는 것은 냉각제 사용 및 유지 비용만 증가시켜서 생산 수율을 저하시키는 주요한 요인이 된다.However, as described above, since the RF power is not applied to the internal unit of the DTCU 20 on the ceramic dome 30, the use of a coolant having a high specific resistance value in the DTCU 20 is only a coolant use and maintenance cost. Increasingly, it is a major factor in lowering the production yield.

또한, 2 대의 냉각장치(40 및 50)를 별도로 설치해야 하기 때문에 각 냉각장치(40 및 50)마다 추가적인 관리 유지비용이 사용된다.In addition, since two chillers 40 and 50 must be installed separately, an additional maintenance maintenance cost is used for each chiller 40 and 50.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 설비의 구조가 간단하고, 비저항 값이 낮은 냉각제를 설비 냉각제로 사용하는 반도체 제조설비를 제공하고자 하는 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor manufacturing facility using a coolant having a simple structure and low specific resistance as a facility coolant.

상기의 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버, 상기 플라즈마를 생성하기 위해 인가된 RF를 필터링 하는 상기 프로세스 챔버 상부의 세라믹 돔, 상기 프로세스 챔버로 제 1 냉각제를 공급 순환시켜 냉각하며, 상기 프로세스 챔버와는 독립적인 냉각장치, 상기 세라믹 돔을 소정의 적정 온도로 유지하기 위한 온도 제어부, 및 상기 온도 제어부로 상기 제 1 냉각제보다 비저항 값이 낮은 제 2 냉각제를 공급 순환시켜 냉각하는 냉각부를 포함한다.In accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber for performing an etching process using plasma, and an upper portion of the process chamber for filtering the RF applied to generate the plasma. Cooling by supplying and circulating a ceramic dome, the first coolant to the process chamber, a cooling device independent of the process chamber, a temperature control unit for maintaining the ceramic dome at a predetermined appropriate temperature, and the temperature control unit to the first And a cooling unit configured to supply and circulate and cool the second coolant having a specific resistance lower than that of the coolant.

여기서, 상기 제 2 냉각제는 낮은 비저항 값을 갖는 공업용수인 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the said 2nd coolant is industrial water which has a low specific resistance value.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods of achieving the same will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비를 나타내는 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus for performing a plasma etching process according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비는 프로세스 챔버(100)의 돔(300)을 소정의 적정온도로 유지하기 위한 DTCU(200)를 포함하는 프로세스 챔버(100), 상기 프로세스 챔버 월(110)과 캐소드(120)를 소정의 적정온도로 냉각하는 냉각 장치(140), 및 상기 DTCU(200)의 외주면에 설치된 유체 냉각 루프로 냉각제를 직접 공급하는 냉각제 공급부(160)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100 including a DTCU 200 for maintaining a dome 300 of a process chamber 100 at a predetermined appropriate temperature. Cooling device 140 for cooling the process chamber wall 110 and the cathode 120 to a predetermined appropriate temperature, and the coolant supply unit 160 for directly supplying the coolant to the fluid cooling loop installed on the outer peripheral surface of the DTCU (200) It includes.

상기 냉각 장치(140)는, 소정 온도의 냉각제를 두 채널의 냉각제 공급/회수 라인(141 및 142)을 통해서 프로세스 챔버(100)로 공급 및 순환시킴으로써, 각각 상응하는 프로세스 챔버 월(110) 및 프로세스 챔버 캐소드(120)를 적정온도로 유지할 수 있도록 냉각하는 장치이다.The cooling device 140 supplies and circulates a coolant of a predetermined temperature to the process chamber 100 through the coolant supply / recovery lines 141 and 142 of two channels, respectively, so as to correspond to the corresponding process chamber wall 110 and process, respectively. It is a device for cooling the chamber cathode 120 to maintain a proper temperature.

냉각제 공급라인(141)을 통해서 프로세스 챔버 월(110)로 공급되는 냉각제는 플라즈마 식각 공정중 상기 프로세스 챔버 월(110)에서 발생하는 임계 온도 이상의 열 에너지를 흡수하여 냉각제 회수라인(142)을 통해서 냉각 장치(140)로 회수된다.The coolant supplied to the process chamber wall 110 through the coolant supply line 141 absorbs thermal energy above the threshold temperature generated in the process chamber wall 110 during the plasma etching process and is cooled by the coolant recovery line 142. Returned to device 140.

냉각제 공급라인(141)을 통해서 프로세스 챔버 캐소드(120)로 공급되는 냉각제는 플라즈마 식각 공정중 상기 프로세스 챔버 캐소드(120)에서 발생하는 임계 온도 이상의 열 에너지를 흡수하여 냉각제 회수라인(142)을 통해서 냉각 장치(140)로 회수된다. The coolant supplied to the process chamber cathode 120 through the coolant supply line 141 absorbs thermal energy above a threshold temperature generated in the process chamber cathode 120 during the plasma etching process and is cooled by the coolant recovery line 142. Returned to device 140.

냉각장치(140)로부터 공급되는 냉각제는 프로세스 챔버 월(110) 및 캐소드(120)의 임피던스 값에 영향을 주지 않는 물질이어야 한다. 즉, 비저항 값이 높은 물질, 예컨대 갈덴(Galden), 탈이온수(Deionized Water), FC-3283 등이 냉각제로 적합하다.The coolant supplied from the cooler 140 should be a material that does not affect the impedance values of the process chamber wall 110 and the cathode 120. That is, a material having a high specific resistance value, such as Galden, Deionized Water, FC-3283, etc., is suitable as a coolant.

한편, 냉각제 공급부(160)는 비저항 값이 낮은 냉각제 주입구(164) 및 필터부(163)를 포함한다. 냉각제 공급부(160)는 냉각제 공급라인(161)과 냉각제 회수라인(162)에 의해 DTCU(200) 외주면의 유체 냉각 루프로 연결되어 있다. Meanwhile, the coolant supply unit 160 includes a coolant inlet 164 and a filter unit 163 having a low specific resistance value. The coolant supply unit 160 is connected to the fluid cooling loop on the outer circumferential surface of the DTCU 200 by the coolant supply line 161 and the coolant recovery line 162.

공급되는 냉각제는 냉각장치(140)로부터 공급되는 냉각제보다 비저항 값이 낮은 것이 바람직하다.The coolant supplied is preferably lower in specific resistance than the coolant supplied from the cooler 140.

그 이유는 유체 냉각 루프(230)에는 RF 코일부(220)에서 발생된 RF가 인가되지 않으므로, 낮은 비저항 값을 가지는 냉각제를 사용하여도 인가된 RF에 대한 프로세스 챔버의 전체 임피던스 값에 영향을 주지 않기 때문이다.The reason is that since the RF generated from the RF coil unit 220 is not applied to the fluid cooling loop 230, even when a coolant having a low specific resistance value is used, it does not affect the overall impedance value of the process chamber with respect to the applied RF. Because it does not.

따라서, 상기 유체 냉각 루프(230)를 순환하는 냉각제로는 공업용수(PCW; Process Chilly Water)등을 예로 들 수 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다.Thus, the coolant circulating through the fluid cooling loop 230 may include, for example, Process Chilly Water (PCW), but this is merely exemplary.

이와 같은 냉각제는 별도의 독립적인 냉각장치를 필요로 하지 않으며, 반도체 제조설비가 설치되는 제조 공정에 일반적으로 사용되는 PCW 공급라인에 주입구(164)를 연결하여 공급할 수 있다.Such a coolant does not require a separate independent cooling device, it can be supplied by connecting the inlet 164 to the PCW supply line generally used in the manufacturing process is installed semiconductor manufacturing equipment.

비저항 값이 낮은 냉각제 공급라인(161) 중간에 삽입된 필터부(163)는 냉각제의 이물질을 필터링하여 유체 냉각 루프(230)로 공급한다.The filter unit 163 inserted in the middle of the coolant supply line 161 having a low specific resistance value filters foreign matters of the coolant and supplies it to the fluid cooling loop 230.

이하, 프로세스 챔버 상부의 분해 사시도인 도 3을 참조하여 냉각제 공급부(160)에 의한 냉각 메커니즘을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the cooling mechanism by the coolant supply unit 160 will be described in more detail with reference to FIG. 3, which is an exploded perspective view of the upper portion of the process chamber.

도 3을 참조하면, 프로세스 챔버 상부에는 광학적 열 에너지를 제공하는 램프 모듈(210), RF를 발생시키는 RF 코일부(220), 상기 램프 모듈(210) 및 RF 코일부(220)에 의해 발생된 임계 온도 이상의 열 에너지를 흡수하는 유체 냉각 루프(230), 상기 RF를 필터링하는 세라믹 돔(300), 기체를 재순환시키는 재순환 팬(recirculating fan)(240), 기체 노즐(air nozzle)(250), 및 내부 하우징(inner housing)(261)과 외부 하우징(262)사이에 형성된 기체 순환 통로(260)을 포함한다.Referring to FIG. 3, an upper portion of the process chamber may include a lamp module 210 that provides optical thermal energy, an RF coil unit 220 for generating RF, and the lamp module 210 and the RF coil unit 220. A fluid cooling loop 230 that absorbs thermal energy above a critical temperature, a ceramic dome 300 for filtering the RF, a recirculating fan 240 for recirculating gas, an air nozzle 250, And a gas circulation passage 260 formed between an inner housing 261 and an outer housing 262.

여기서, 램프 모듈(210)은 광학적 열 에너지를 발산하는 복수개의 램프로 이루어지며, 광학적 열 에너지를 이용하여 세라믹 돔(300)을 적정 온도로 가열함으로써 플라즈마 식각을 위한 최적온도로 프로세스 챔버 내부를 상승시킨다.Here, the lamp module 210 is composed of a plurality of lamps that emit optical thermal energy, by heating the ceramic dome 300 to an appropriate temperature using the optical thermal energy to raise the inside of the process chamber to the optimum temperature for plasma etching. Let's do it.

RF 코일부(220)는 플라즈마 식각 공정중 프로세스 챔버 내부로 플라즈마를 생성하기 위한 RF 전력을 인가한다.The RF coil unit 220 applies RF power for generating plasma into the process chamber during the plasma etching process.

그리고, 상기 세라믹 돔(300)은 상기 RF 코일부(220)에서 발생된 RF를 필터링하여 자기장(magnetic field)만을 상기 프로세스 챔버 내부로 투과시킨다. 한편, 프로세스 챔버 내부로 필터링되어 투과된 RF는 플라즈마 식각을 위한 플라즈마를 생성한다.In addition, the ceramic dome 300 filters the RF generated by the RF coil unit 220 to transmit only a magnetic field into the process chamber. On the other hand, the RF filtered and transmitted into the process chamber generates a plasma for plasma etching.

유체 냉각 루프(230)는 DTCU 외주면에 구비되어 냉각제 주입구(160)로부터 유입된 비저항 값이 낮은 냉각제의 순환 통로 역할을 한다. 상기 유체 냉각 루프(230)를 순환하는 냉각제는 상기 램프 모듈(210) 및 RF 코일부(220)에 의해 가열된 세라믹 돔(300)의 임계 온도 이상의 열 에너지를 흡수한다. The fluid cooling loop 230 is provided on the DTCU outer circumferential surface to serve as a circulation passage of the coolant having a low specific resistance value introduced from the coolant inlet 160. The coolant circulating in the fluid cooling loop 230 absorbs thermal energy above a critical temperature of the ceramic dome 300 heated by the lamp module 210 and the RF coil unit 220.

본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버 상부에 설치되는 세라믹 돔(300)의 적정온도 유지를 위한 냉각 메커니즘을 설명하면 다음과 같다.Referring to the cooling mechanism for maintaining the proper temperature of the ceramic dome 300 installed on the process chamber according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 세라믹 돔(300)이 임계온도 이상으로 가열되면 상기 세라믹 돔(300)에 인접한 기체가 열 에너지를 흡수한다. 상기 가열된 기체(A)는 재순환 팬(240)에 의해 내부 하우징(261)과 외부 하우징(262) 사이에 형성된 기체 순환 통로(260)을 통해서 DTCU 유닛 상부로 유입된다. 여기서, 기체 순환 통로(260)를 통과하는 도중, 상기 가열된 기체(A)는 상기 기체 순환 통로(260) 사이에 설치된 유체 냉각 루프(230)를 순환하는 PCW(Process Chilly Water)에 의해서, 열역학 제 0 법칙에 근거한 열전도(thermal conduction) 현상에 의해, 냉각된 기체(B)로 엔탈피(entropy)가 감소하게 된다. 상기 냉각된 기체(B)는 기체 노즐(250)을 통해서 세라믹 돔(300)으로 유입되어 상기 세라믹 돔(300)의 열 에너지를 흡수한다. 상기 세라믹 돔(300)이 플라즈마 식각 공정을 위한 적정온도로 설정될 때까지 상기 메커니즘을 반복 수행한다.Specifically, when the ceramic dome 300 is heated above the critical temperature, the gas adjacent to the ceramic dome 300 absorbs thermal energy. The heated gas A is introduced into the DTCU unit through the gas circulation passage 260 formed between the inner housing 261 and the outer housing 262 by the recirculation fan 240. Here, while passing through the gas circulation passage 260, the heated gas (A) is thermodynamic by the PCW (Process Chilly Water) circulating the fluid cooling loop 230 provided between the gas circulation passage 260 Due to the thermal conduction phenomenon based on the zeroth law, the enthalpy is reduced to the cooled gas (B). The cooled gas B is introduced into the ceramic dome 300 through the gas nozzle 250 to absorb thermal energy of the ceramic dome 300. The mechanism is repeated until the ceramic dome 300 is set to an appropriate temperature for the plasma etching process.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 반도체 제조 공정에서 일반적으로 사용되는 비저항 값이 낮은 저가의 냉각수를 최대한 사용하므로써 냉각장치의 수를 최소화할 수 있는 효과가 있다.As described above, the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention has the effect of minimizing the number of cooling devices by using the low-cost cooling water having a low specific resistance value generally used in the semiconductor manufacturing process.

또한, 반도체 제조설비의 냉각을 위한 냉각장치의 사용시 발생되는 냉각장치의 고장 및 오류로 인한 추가 비용을 억제할 수 있어 생산 수율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, it is possible to suppress the additional cost due to the failure and error of the cooling device generated when using the cooling device for cooling the semiconductor manufacturing equipment has the effect of improving the production yield.

도 1은 종래 기술에 따른 플라즈마 식각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing apparatus for performing a plasma etching process according to the prior art.

도 3은 도 2의 DTCU를 포함하는 프로세스 챔버 상부의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the top of the process chamber including the DTCU of FIG. 2.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100: 프로세스 챔버 200: DTCU100: process chamber 200: DTCU

140: 냉각장치 141, 161: 냉각제 공급라인140: cooler 141, 161: coolant supply line

142, 162: 냉각제 회수라인 160: 냉각제 공급부142, 162: coolant recovery line 160: coolant supply unit

163: 냉각제 필터부 164: 냉각제 주입구163: coolant filter unit 164: coolant inlet

210: 램프 모듈 220: RF 코일부210: lamp module 220: RF coil unit

230: 유체 냉각 루프 240: 재순환 팬230: fluid cooling loop 240: recirculation fan

250: 기체 노즐 300: 세라믹 돔250: gas nozzle 300: ceramic dome

Claims

A process chamber for performing an etching process using a plasma;

A ceramic dome above the process chamber filtering the applied RF to generate the plasma;

A cooling device configured to circulate and cool the first coolant by supplying the first coolant to the process chamber and independent of the process chamber;

A temperature controller for maintaining the ceramic dome at a predetermined proper temperature; And

And a cooling unit configured to supply and circulate and cool the second coolant having a specific resistance lower than the first coolant to the temperature control unit.

The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the second coolant is industrial water.

The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the cooling unit includes an injection port of the second coolant and a filter unit filtering foreign matter in the second coolant.