KR20050061366A - Substrate for organic el panel, organic el panel and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제거 레지스트막의 남은 부분에 기인하는 누설 등의 결함 발생을 미연에 방지하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to prevent the occurrence of defects such as leakage due to the remaining portion of the removal resist film.
지지 기판(1)상에 유기 발광층을 포함하는 유기 재료층이 하부 전극 및 상부 전극에 의해 협지되어 이루어지는 유기 EL 소자를 형성하는 동시에, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극으로부터 연장된 배선 전극을 형성하는 유기 EL 패널의 제조 방법으로서, 상기 배선 전극을 형성하는 도전막층(10A, 10B)에 노광 부분이 제거되어 형성되는 레지스트막(11)의 패턴에 따라 배선 패턴부를 형성할 때에, 레지스트막(11)에 대하여 배선 패턴부에 따른 차광부(20A)를 갖는 포토마스크(20)를 통해 제1 노광을 행하고, 그 후, 적어도 유기 EL 소자의 발광부에 대응하는 레지스트막(11)의 제거 대상 부분에 제2 노광을 행한다.An organic material layer including an organic light emitting layer on the supporting substrate 1 forms an organic EL element in which the organic material layer is sandwiched by the lower electrode and the upper electrode, and at the same time, an organic electrode forming the wiring electrode extending from the lower electrode and the upper electrode. As a method of manufacturing an EL panel, when a wiring pattern portion is formed in accordance with a pattern of a resist film 11 formed by removing an exposed portion in the conductive film layers 10A and 10B forming the wiring electrode, the resist film 11 is formed on the resist film 11. 1st exposure is performed through the photomask 20 which has the light shielding part 20A according to a wiring pattern part, and after that, it removes at least the removal object part of the resist film 11 corresponding to the light emitting part of an organic electroluminescent element. 2 exposure is performed.
Description
본 발명은 유기 EL(Electroluminescence) 패널, 그 패널용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic EL (Electroluminescence) panel, a substrate for the panel and a method of manufacturing the same.
유기 EL 패널은 지지 기판상에 하부 전극을 형성하고, 그 위에 유기 화합물로 이루어진 발광층을 포함하는 유기 재료층을 형성하며, 그 위에 상부 전극을 형성하여 이루어지는 유기 EL 소자를 기본 구성으로 하고 있고, 이 유기 EL 소자를 단위면 발광 요소로서 지지 기판상에 형성한 것이다.The organic EL panel has an organic EL element formed by forming a lower electrode on a supporting substrate, forming an organic material layer including a light emitting layer made of an organic compound thereon, and forming an upper electrode thereon. An organic EL element is formed on a support substrate as a unit surface light emitting element.
또한, 이 유기 EL 패널은 구동 회로와의 접속을 도모하기 위해서, 상기 하부 전극 및 상부 전극으로부터 연장되는 배선 전극이 지지 기판상에 형성되어 있고, 이 배선 전극은 전술한 유기 EL 소자를 밀봉하는 밀봉부로부터 밖으로 인출되어 인출 전극을 형성하고 있다.In addition, the organic EL panel has a wiring electrode extending from the lower electrode and the upper electrode formed on the support substrate in order to achieve connection with the driving circuit, and the wiring electrode is sealed to seal the organic EL element described above. It is drawn out from the part to form an extraction electrode.
이러한 유기 EL 패널의 형성에 있어서는, 우선, 지지 기판상에 하부 전극 및 배선 전극의 배선 패턴이 형성되고, 이 배선 패턴이 형성된 패널 기판에 대하여 유기 EL 소자의 다른 구성 요소가 순차적으로 형성되게 된다. 그리고, 일반적으로 인출 전극 부분을 형성하는 배선 전극은 금속막 등의 도전막의 적층체에 의해 형성되고, 가능한 한 전기 저항을 낮게 하는 시도가 이루어지고 있다.In the formation of such an organic EL panel, first, a wiring pattern of a lower electrode and a wiring electrode is formed on a support substrate, and other components of the organic EL element are sequentially formed on the panel substrate on which the wiring pattern is formed. And generally, the wiring electrode which forms an extraction electrode part is formed by the laminated body of conductive films, such as a metal film, and the attempt to make electric resistance as low as possible is made | formed.
하기 특허문헌 1에 기재된 종래 기술에서는, 유리 기판으로 이루어진 지지 기판상에 하부 전극을 형성하기 위한 투명 도전막을 형성하고, 다음에 섀도우 마스크를 이용하여 필요한 배선 전극 형성 부분에 금속막을 형성하며, 하부 전극 및 배선 전극의 형성 개소에 따라 레지스트막의 패턴이 형성된 패널 기판을 얻는다. 그리고, 이 패널 기판에 대하여 금속막과 투명 도전막의 에칭을 행하여 하부 전극과 배선 전극의 패터닝을 행하는 것이 개시되어 있다.In the prior art described in Patent Document 1 below, a transparent conductive film for forming a lower electrode is formed on a supporting substrate made of a glass substrate, and then a metal film is formed on a necessary wiring electrode forming portion by using a shadow mask, and the lower electrode And a panel substrate on which a pattern of a resist film is formed in accordance with the formation position of the wiring electrode. Then, etching of the metal film and the transparent conductive film is performed on the panel substrate to pattern the lower electrode and the wiring electrode.
또한, 일반적으로는, 지지 기판상에 하부 전극을 형성하는 도전막을 형성하고, 그 위에 배선 전극의 배선 패턴부를 형성하는 금속막 등의 도전막을 형성하며, 이것에 대하여 배선 전극의 배선 패턴부에 따른 레지스트막의 패턴을 형성한 패널 기판을 얻고, 그 후, 이 패널 기판에 대하여 이루어지는 에칭에 의해 금속막 등의 도전막으로 이루어진 배선 패턴부를 형성하며, 추가로 그 후에 별도 하부 전극의 패턴을 형성하는 것이 이루어지고 있다.In general, a conductive film for forming a lower electrode is formed on a support substrate, and a conductive film such as a metal film for forming a wiring pattern portion of the wiring electrode is formed thereon. Obtaining a panel substrate on which a pattern of a resist film is formed, and then forming a wiring pattern portion made of a conductive film such as a metal film by etching performed on the panel substrate, and further forming a pattern of a lower electrode thereafter. It is done.
[특허문헌 1] [Patent Document 1]
일본 특허 공개 제 2003-163080 호 공보Japanese Patent Publication No. 2003-163080
이러한 종래 기술에서는, 지지 기판상에 형성되는 하부 전극 또는 배선 전극의 패턴 형성에 있어서, 포지티브형의 레지스트를 이용한 포토리소그래피 기술이 채용되고 있다. 즉, 형성되어야 할 패턴에 따른 차광부를 갖는 포토마스크를 통해 도전막층상에 도포된 레지스트막을 자외선 등으로 노광하고, 노광된 개소의 레지스트막을 현상 처리에 의해 제거함으로써, 미노광 부분에 레지스트막에 의한 패턴을 형성한 패널 기판을 얻는다. 그리고, 그 후에, 패널 기판의 레지스트막으로부터 노출된 도전막을 에칭에 의해 제거함으로써 지지 기판상에 배선 패턴을 형성하고 있다. 여기서, 패널 기판으로 하고 있는 것은 지지 기판상에 하부 전극 및 배선 전극의 도전막층이 형성된 상태로, 배선 패턴부가 에칭에 의해 형성되기 전의 상태의 기판을 가리키고 있다.In this prior art, a photolithography technique using a positive resist is employed for pattern formation of a lower electrode or a wiring electrode formed on a support substrate. That is, the resist film coated on the conductive film layer is exposed to ultraviolet rays or the like through a photomask having a light shielding portion corresponding to the pattern to be formed, and the exposed resist film is removed by the development treatment, thereby applying the resist film to the unexposed portion. The panel substrate in which the pattern was formed is obtained. After that, a wiring pattern is formed on the supporting substrate by removing the conductive film exposed from the resist film of the panel substrate by etching. Here, the panel substrate refers to a substrate in a state in which the conductive film layers of the lower electrode and the wiring electrode are formed on the supporting substrate, and before the wiring pattern portion is formed by etching.
이러한 패널 기판 혹은 그것을 이용한 유기 EL 패널에서 문제가 되는 것은 노광하여 제거해야 하는 것이 당연한 레지스트막이 부분적으로 남아 있던 경우이다. 포토마스크에 먼지 등이 부착되어 레지스트막의 제거해야 할 개소의 노광이 불충분해지면, 그 부분에 레지스트막이 남고, 그 후의 에칭으로 제거되는 것이 당연한 도전막이 부분적으로 남아 버리는 사태가 생긴다. 이것이 유기 EL 소자의 발광부에 대응하는 하부 전극상에 있으면, 유기 재료층이 형성되는 하부 전극상에 국부적인 도전막의 돌기부가 형성되게 된다. 그리고, 그 위에 유기 재료층을 형성하고, 추가로 그 위에 상부 전극을 형성하면, 유기 EL 소자의 발광부에 있어서 상하 전극 사이에서 유기 재료층의 국부적인 박층부가 형성되게 되고, 거기에 누설 등의 결함이 발생한다고 하는 문제가 생긴다.A problem in such a panel substrate or an organic EL panel using the same is a case where a resist film naturally remains to be removed by exposure. If dust or the like adheres to the photomask and the exposure of the portion where the resist film is to be removed is insufficient, the resist film remains in the portion, and the conductive film naturally remains to be removed by subsequent etching. If this is on the lower electrode corresponding to the light emitting portion of the organic EL element, a projection of the local conductive film is formed on the lower electrode on which the organic material layer is formed. If an organic material layer is formed thereon, and an upper electrode is further formed thereon, a local thin layer portion of the organic material layer is formed between the upper and lower electrodes in the light emitting portion of the organic EL element, whereby There is a problem that a defect occurs.
특히, 유기 EL 패널에 있어서 누설의 발생은 중요한 문제로서, 역방향으로의 전류(누설 전류)가 있으면, 크로스토크나, 휘도 얼룩 혹은 도트 결함 등이 생겨 양산 제품으로서는 치명적인 불량이 될지도 모른다. 또한, 전술한 바와 같이 유기 재료층의 국부적인 박층부가 형성된 경우에는, 제조시에 불량이 확인되지 않더라도, 그 후에, 가동시에 가해지는 역바이어스 전압에 의해 누설 전류가 발생하는 경우가 있고, 가동 시간 경과에 따르는 비점 등 영역의 확대나 소비전력의 증가라고 하는 결함이 제품 출하 후에 발생한다고 하는 문제가 있다.In particular, the occurrence of leakage in the organic EL panel is an important problem. If there is a current in the reverse direction (leakage current), crosstalk, luminance unevenness or dot defects may occur, which may be a fatal defect for a mass production product. In addition, in the case where the local thin layer portion of the organic material layer is formed as described above, even if a defect is not confirmed at the time of manufacture, thereafter, a leakage current may be generated by the reverse bias voltage applied at the time of operation. There is a problem that a defect such as an expansion of an area such as boiling point or an increase in power consumption occurs after the product is shipped.
본 발명은 이러한 문제에 대처하는 것을 과제의 하나로 하고 있다. 즉, 지지 기판상에 유기 발광층을 포함하는 유기 재료층이 하부 전극 및 상부 전극에 의해 협지되어 이루어지는 유기 EL 소자를 형성하는 동시에, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극으로부터 연장된 배선 전극을 형성한 유기 EL 패널용 기판, 유기 EL 패널 및 그 제조 방법에 있어서, 제거 레지스트막의 남은 부분에 기인하는 누설 등의 결함 발생을 미연에 방지하는 것 등이 본 발명의 목적이다.This invention makes it one of a subject to cope with such a problem. In other words, an organic EL layer in which an organic material layer including an organic light emitting layer is sandwiched by a lower electrode and an upper electrode on a supporting substrate, and at the same time, an organic EL in which a wiring electrode extending from the lower electrode and the upper electrode is formed. In a panel substrate, an organic EL panel, and a manufacturing method thereof, it is an object of the present invention to prevent defects such as leakage due to the remaining portion of the removal resist film.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 유기 EL 패널용 기판, 유기 EL 패널 및 유기 EL 패널의 제조 방법은 이하의 각 독립 청구항에 관한 구성을 적어도 구비하는 것이다.In order to achieve such an object, the organic EL panel substrate, the organic EL panel, and the manufacturing method of the organic EL panel according to the present invention include at least the structures according to the following independent claims.
[청구항 1] 지지 기판상에 유기 발광층을 포함하는 유기 재료층이 하부 전극 및 상부 전극에 의해 협지되어 이루어지는 유기 EL 소자를 형성하는 동시에, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극으로부터 연장된 배선 전극을 형성하는 유기 EL 패널용 기판으로서,[Claim 1] An organic material layer including an organic light emitting layer is formed on a supporting substrate to form an organic EL element sandwiched by a lower electrode and an upper electrode, and a wiring electrode extending from the lower electrode and the upper electrode is formed. As a substrate for organic EL panels,
상기 배선 전극을 형성하는 도전막층에 노광 부분이 제거되어 형성된 레지스트막의 패턴에 따라 배선 패턴부를 형성할 때에,When the wiring pattern portion is formed in accordance with the pattern of the resist film formed by removing the exposed portion in the conductive film layer forming the wiring electrode,
상기 레지스트막의 적어도 제거 대상 부분의 일부에 복수 회의 노광 처리를 행한 것을 특징으로 하는 유기 EL 패널용 기판.A plurality of exposure treatments have been performed on at least part of a portion to be removed of the resist film, wherein the organic EL panel substrate is used.
[청구항 5] 지지 기판상에 유기 발광층을 포함하는 유기 재료층이 하부 전극 및 상부 전극에 의해 협지되어 이루어지는 유기 EL 소자를 형성하는 동시에, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극으로부터 연장된 배선 전극을 형성하는 유기 EL 패널의 제조 방법으로서,[Claim 5] An organic material layer including an organic light emitting layer is formed on a supporting substrate to form an organic EL element sandwiched by a lower electrode and an upper electrode, and a wiring electrode extending from the lower electrode and the upper electrode. As a manufacturing method of an organic EL panel,
상기 배선 전극을 형성하는 도전막층에 노광 부분이 제거되어 형성되는 레지스트막의 패턴에 따라 배선 패턴부를 형성할 때에,When the wiring pattern portion is formed in accordance with the pattern of the resist film formed by removing the exposed portion on the conductive film layer forming the wiring electrode,
상기 도전막층상에 형성된 레지스트막의 제거 대상 부분을 노광하는 제1 노광 공정과,A first exposure step of exposing a portion to be removed of the resist film formed on the conductive film layer;
적어도 상기 유기 EL 소자의 발광부에 대응하는 상기 레지스트막의 제거 대상 부분의 일부를 노광하는 제2 노광 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 패널의 제조 방법.And a second exposure step of exposing at least a part of the object to be removed of the resist film corresponding to at least a light emitting portion of the organic EL element.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명에서 대상으로 하고 있는 유기 EL 패널의 구조예이다. 여기서는, 패시브 구동 방식을 채용한 예를 나타내지만, 본원 발명의 실시 형태로서는 이것에 한정되지 않는다. 동 도 (a)는 전체 사시도, 동 도 (b)는 XX 단면도, 동 도 (c)는 YY 단면도를 나타내고 있다. 이 유기 EL 패널은 지지 기판(1)상에 스트라이프형으로 형성된 복수의 하부 전극(2)과 그것과 직교하는 방향으로 스트라이프형으로 형성된 복수의 상부 전극(3) 사이에 유기 재료층(4)이 협지된 구조로 하부 전극(2)과 상부 전극(3)과의 교차 부분에서 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 유기 EL 소자를 형성하는 유기 재료층(4)의 각 층은 예컨대 정공 수송층(4a), 발광층(4b), 전자 수송층(4c)으로 이루어진다. 동 도 (b)에 있어서, L0은 유기 EL 패널의 발광 영역을 나타내고 있고, L1은 유기 EL 소자의 발광부를 나타내고 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. 1 is a structural example of an organic EL panel targeted in the present invention. Although the example which employ | adopted the passive drive system is shown here, it is not limited to this as embodiment of this invention. (A) is a whole perspective view, FIG. (B) has shown XX sectional drawing, and FIG. (C) has shown YY sectional drawing. The organic EL panel includes an organic material layer 4 between a plurality of lower electrodes 2 formed in a stripe shape on the support substrate 1 and a plurality of upper electrodes 3 formed in a stripe shape in a direction orthogonal thereto. The organic EL element is formed at the intersection of the lower electrode 2 and the upper electrode 3 with the sandwiched structure. Each layer of the organic material layer 4 which forms an organic EL element consists of a hole transport layer 4a, the light emitting layer 4b, and the electron carrying layer 4c, for example. In Figure (b), L 0 represents a light emitting region of the organic EL panel, and L 1 represents a light emitting portion of the organic EL element.
그리고, 하부 전극(2)으로부터 연장되어 배선 전극(2A)이 형성되고, 상부 전극(3)으로부터 연장되어 배선 전극(3A, 3B)이 형성되어 있으며, 이들 배선 전극(2A, 3A, 3B)은 도시 생략된 밀봉부에서 인출된 인출 전극을 형성하고 있다. 또한 배선 전극(2A, 3A, 3B)의 인출 전극을 형성하는 단부에는 배선 패턴부(5)가 형성되어 있다. 그리고, 배선 패턴부(5)에 있어서는 배선 전극(2A, 3B)은 복수의 도전막의 적층체로 형성되어 있고, 도시의 예에서는, 하부 전극(2)으로부터 연장된 배선 전극(2A)은 제1 도전막(2A1)과 제2 도전막(2A2)으로 이루어지며, 마찬가지로, 상부 전극(3)으로부터 연장된 배선 전극(3B)은 제1 도전막(3B1)과 제2 도전막(3B2)으로 이루어진다. 배선 패턴부(5)는 포토리소그래피에 의한 패터닝 후, 에칭에 의해 형성할 수 있지만, 이 에칭은 제2 도전막(2A2, 3B2)과 제1 도전막(2A1, 3B 1)을 동시에 행하여도 좋고, 또한 순차적으로 행하여도 좋다.The wiring electrode 2A is formed to extend from the lower electrode 2, and the wiring electrodes 3A and 3B are formed to extend from the upper electrode 3, and the wiring electrodes 2A, 3A, and 3B are formed. The lead-out electrode drawn out from the sealing part not shown is formed. Moreover, the wiring pattern part 5 is formed in the edge part which forms the lead-out electrode of wiring electrode 2A, 3A, 3B. In the wiring pattern portion 5, the wiring electrodes 2A and 3B are formed of a laminate of a plurality of conductive films. In the example of illustration, the wiring electrode 2A extending from the lower electrode 2 is the first conductive material. The film 2A 1 and the second conductive film 2A 2 , and similarly, the wiring electrode 3B extending from the upper electrode 3 is formed of the first conductive film 3B 1 and the second conductive film 3B 2. ) The wiring pattern portion 5 can be formed by etching after patterning by photolithography, but this etching simultaneously forms the second conductive films 2A 2 and 3B 2 and the first conductive films 2A 1 and 3B 1 . This may be done or may be performed sequentially.
또한, 그 밖의 구조로서는, 하부 전극(2)을 유기 EL 소자의 발광부마다 절연 구획하는 절연막(6), 그 절연막(6)상에 상부 전극(3)을 따라 형성되고, 상부 전극(3) 및 유기 재료층(5)을 절연 구획하는 칸막이 벽(7)을 구비하고 있다.Moreover, as another structure, the insulating film 6 which insulates and partitions the lower electrode 2 for every light emission part of an organic electroluminescent element, is formed along the upper electrode 3 on the insulating film 6, and the upper electrode 3 is carried out. And partition walls 7 for insulating and partitioning the organic material layer 5.
이러한 유기 EL 패널에 있어서, 본 발명의 실시 형태에서는, 배선 패턴부(5)의 패턴 형성이 이루어지는 패널 기판에 특징을 갖고 있다. 도 2는 이 패널 기판의 형성 공정을 설명하는 설명도이다. 우선, 지지 기판(1)에 도전막층(10A, 10B)을 성막한다. 도전막층(10A)은 제1 도전막(2A1, 3B1) 혹은 하부 전극(2)을 형성하기 위한 것이고, 도전막층(10B)은 제2 도전막(2A2, 3B2)을 형성하기 위한 것이다. 이 도전막층(10B) 위에 포지티브형의 레지스트막(11)을 도포하고, 그 위에 포토마스크(20)를 배치하여 자외선 등에 의한 노광을 행한다. 포토마스크(20)는 형성하는 배선 패턴부(5)에 대응하는 패턴의 차광부(20A)를 구비하는 것으로, 이것에 의해 레지스트막(11)의 제거 대상 부분(11a)이 노광되게 된다.In such an organic EL panel, in the embodiment of the present invention, the panel substrate on which the pattern formation of the wiring pattern portion 5 is formed is characterized. It is explanatory drawing explaining the formation process of this panel substrate. First, the conductive film layers 10A and 10B are formed on the support substrate 1. The conductive film layer 10A is for forming the first conductive films 2A 1 , 3B 1 or the lower electrode 2, and the conductive film layer 10B is for forming the second conductive films 2A 2 , 3B 2 . will be. A positive resist film 11 is applied on the conductive film layer 10B, and a photomask 20 is disposed thereon to perform exposure by ultraviolet rays or the like. The photomask 20 is provided with the light shielding part 20A of the pattern corresponding to the wiring pattern part 5 to form, by which the removal target part 11a of the resist film 11 is exposed.
이 때에, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분(11a)은 배선 패턴부(5)에 있어서는 제2 도전막(2A2, 3B2)의 패턴을 형성하지만, 그 밖의 영역에서는, 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)을 포함하는 모든 영역이 제거 대상 부분(11a)이 된다. 여기서, 예컨대, 유기 EL 소자의 발광부(L1)에 대응하는 개소에 레지스트막(11)의 미노광부가 존재하면, 그 후의 현상 처리로 제거해야 할 레지스트막이 남겨지고, 추가로 그 후의 에칭 처리로 레지스트막이 남겨진 개소에 도전막의 잔존이 생기게 되기 때문에, 그곳이 누설 등의 제품 결함의 원인이 되어 버린다.At this time, the removal target portion 11a of the resist film 11 forms a pattern of the second conductive films 2A 2 and 3B 2 in the wiring pattern portion 5, but in other regions, All regions including the light emitting region L 0 become the removal target portion 11a. Here, for example, when an unexposed portion of the resist film 11 is present at a portion corresponding to the light emitting portion L 1 of the organic EL element, a resist film to be removed is left in the subsequent development treatment, and further etching treatment thereafter. Since the conductive film remains in the place where the resist film is left, it becomes a cause of product defects such as leakage.
그래서, 본 발명의 실시 형태에서는, 적어도 유기 EL 소자의 발광부(L1)에 대응하는 레지스트막(11)의 제거 대상 부분에 복수 회의 노광을 행한다. 이 때의 복수 회의 노광은 제거 대상 부분의 미노광을 회피하기 위해, 포토마스크(20)의 설치 상태나 종류를 바꾸거나 혹은 노광 조건을 바꾸어 행하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분(11a)의 미노광부를 없애어, 유기 EL 패널의 누설 등의 결함을 해소할 수 있다.Thus, in the embodiment of the present invention, a plurality of exposures are performed at least on the removal target portion of the resist film 11 corresponding to the light emitting portion L 1 of the organic EL element. In order to avoid unexposure of the removal object part, it is preferable to perform exposure of the several times at this time, changing the installation state or kind of the photomask 20, or changing an exposure condition. Thereby, the unexposed part of the removal object part 11a of the resist film 11 can be eliminated, and defects, such as leakage of an organic EL panel, can be eliminated.
이러한 노광 처리를 행한 후에는, 동 도 (b)에 도시한 바와 같이, 레지스트막의 패턴(11b)을 현상 처리한다. 이 상태의 패널 기판에서는, 배선 패턴부(5)에 따른 레지스트막의 패턴(11b)이 도전막층(10B)상에 형성되어 있다. 포토마스크(20)의 설치 상태나 종류를 바꾸거나 혹은 노광 조건을 바꾸어 복수 회의 노광을 행한 경우에는, 레지스트막의 패턴(11b)의 단부에 약간의 영향이 생기지만, 패턴 자체에 큰 영향은 생기지 않는다.After performing this exposure process, as shown in FIG. (B), the pattern 11b of a resist film is developed. In the panel substrate in this state, the pattern 11b of the resist film along the wiring pattern portion 5 is formed on the conductive film layer 10B. When a plurality of exposures are performed by changing the installation state or type of the photomask 20 or by changing the exposure conditions, there is a slight effect on the end of the pattern 11b of the resist film, but no significant effect on the pattern itself. .
그리고, 그 후, 동 도 (c)에 도시한 바와 같이, 도전막층(10B)의 노출 부분을 에칭 처리하여, 예컨대, 제2 도전막(2A2)으로 이루어진 원하는 배선 패턴을 얻는다. 그 후에는 레지스트막의 박리 처리가 이루어지고, 다음 공정으로서 도전막층(10A)의 패터닝이 행해진다. 여기서는, 도전막층(10B)을 에칭한 후에 도전막층(10A)을 에칭하는 경우를 예로 나타내었지만, 배선 패턴부(5)에 관해서는, 도전막층(10A, 10B)을 동시에 에칭할 수도 있다.And, then, as shown in the diagram (c), the etching treatment the exposed part of the conductive film layer (10B), for example, the second conductive film to obtain a desired wiring pattern consisting of (2A 2). Thereafter, the resist film is peeled off, and the conductive film layer 10A is patterned as a next step. Here, although the case where the conductive film layer 10A is etched after etching the conductive film layer 10B is shown as an example, the conductive film layers 10A and 10B may be simultaneously etched with respect to the wiring pattern portion 5.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 설명도이다. 기판 준비 공정(S1)에서는, 지지 기판(1)의 연마 처리 혹은 세정 처리가 이루어진다. 성막 공정(S2)에서는, 지지 기판(1)상에 도전막층(10A, 10B)을 형성하는 성막이 행해진다. 레지스트 도포 공정(S3)에서는, 도전막층(10B)상에 레지스트막(11)의 도포가 이루어진다. 배선 패턴부 형성 공정(S4)에서는, 전술한 바와 같이, 제1 노광 공정(S41), 제2 노광 공정(S42)을 포함하는 복수의 노광 공정과, 현상 공정(S43), 에칭 공정(S44), 레지스트 박리 공정(S45)을 갖는다. 하부 전극 형성 공정(S5)에서는 도전막층(10A)의 패터닝에 의해 하부 전극(2)이 형성된다. 절연막·칸막이 벽 형성 공정(S6)에서는, 하부 전극(2)상에 유기 EL 소자의 발광부(L1)를 구획하도록 절연막(6)과 칸막이 벽(7)이 형성된다. 유기 재료층 형성 공정(S7)에서는, 유기 재료층(5)이 순차 성막된다. 상부 전극 형성 공정(S8)에서는, 유기 재료층(5)상에 상부 전극(3)이 형성된다. 밀봉 공정(S9)에서는, 밀봉 부재가 지지 기판에 접합되고, 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)이 밀봉된다.It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent panel which concerns on embodiment of this invention. In the board | substrate preparation process S1, the grinding | polishing process or washing process of the support substrate 1 is performed. In the film forming step (S2), film forming is performed to form the conductive film layers 10A and 10B on the support substrate 1. In the resist coating step (S3), the resist film 11 is applied onto the conductive film layer 10B. In the wiring pattern portion forming step S4, as described above, a plurality of exposure steps including the first exposure step S41 and the second exposure step S42, the developing step S43, and the etching step S44 are performed. And a resist stripping step (S45). In the lower electrode forming step S5, the lower electrode 2 is formed by patterning the conductive film layer 10A. In the insulating film and partition wall forming step S6, the insulating film 6 and the partition wall 7 are formed on the lower electrode 2 so as to partition the light emitting portion L 1 of the organic EL element. In organic material layer formation process S7, the organic material layer 5 is formed into a film sequentially. In the upper electrode forming step S8, the upper electrode 3 is formed on the organic material layer 5. In the sealing step S9, the sealing member is bonded to the supporting substrate, and the light emitting region L 0 of the organic EL panel is sealed.
이러한 유기 EL 패널에 있어서의 배선 패턴부 형성 공정(S4)에 대해서, 더욱 구체적으로 설명한다. 전술한 바와 같이, 복수 회의 노광은 포토마스크(20)의 설치 상태나 종류를 바꾸거나 혹은 노광 조건을 바꾸어 행하는 것이 바람직하다. 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광은 포토마스크(20)에 부착된 이물 등에 기인하는 경우가 많기 때문에, 이물의 부착 개소가 레지스트막(11)에 대하여 어긋나면 미노광은 생기지 않는다.The wiring pattern part formation process S4 in such an organic electroluminescent panel is demonstrated more concretely. As mentioned above, it is preferable to perform plural times of exposure by changing the installation state or kind of the photomask 20, or changing exposure conditions. The unexposed light at the portion to be removed of the resist film 11 is often caused by foreign matter and the like adhered to the photomask 20, so that unexposed light does not occur when the adhesion portion of the foreign material is displaced with respect to the resist film 11.
따라서, 제1 노광 공정과 제2 노광 공정은 배선 패턴부(5)를 형성하는 포토마스크(20)를 이용한 노광 공정의 반복으로 할 수 있지만, 이 경우에는 광의 조사 각도 등의 노광 조건을 바꿈으로써 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 회피할 수 있다.Therefore, although the 1st exposure process and the 2nd exposure process can be repeated of the exposure process using the photomask 20 which forms the wiring pattern part 5, in this case, by changing exposure conditions, such as the irradiation angle of light, Unexposure of the portion to be removed of the resist film 11 can be avoided.
또한, 제1 노광 공정과 제2 노광 공정을, 배선 패턴부(5)를 형성하는 포토마스크(20)를 이용한 노광 공정의 반복으로서, 추가로 포토마스크(20)를 노광 공정마다 바꾼다. 이것에 의해, 바꾸기 전후의 포토마스크(20)에서 이물 등의 부착 개소가 겹치는 일은 없다고 생각되기 때문에, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 회피할 수 있다.In addition, as a repetition of the exposure process using the photomask 20 which forms the wiring pattern part 5, the 1st exposure process and the 2nd exposure process are further changed for every exposure process. As a result, since it is considered that adhesion points such as foreign matters do not overlap in the photomask 20 before and after the replacement, the unexposed of the removal target portion of the resist film 11 can be avoided.
또한, 제1 노광 공정과 제2 노광 공정을, 배선 패턴부(5)를 형성하는 포토마스크(20)를 이용한 노광 공정의 반복으로서, 포토마스크(20)는 단일의 것을 이용하고, 1회의 노광 공정마다 배치를 약간(패턴 형성에 영향을 주지 않는 미소 거리) 어긋나게 함으로써 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 회피할 수 있다.In addition, as a repetition of the exposure process using the photomask 20 which forms the wiring pattern part 5, the 1st exposure process and the 2nd exposure process are used, and the photomask 20 uses a single thing, and is exposed once. By unevenly disposing the arrangement slightly (small distance which does not affect the pattern formation) for each step, unexposed to the removal target portion of the resist film 11 can be avoided.
또한, 제1 노광 공정과 제2 노광 공정에서, 도 4에 도시한 바와 같은 다른 패턴의 포토마스크를 이용하는 것도 가능하다. 즉, 제1 공정에서는 동 도 (a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 패널 영역(21A)마다 배선 패턴부(5)에 대응하는 차광 패턴(21a, 21b) (여기서는, 다른 방향으로 배선 패턴부(5)를 형성하는 예를 도시하고 있지만, 도 1에 도시한 바와 같이, 동일 방향으로 배선 패턴부(5)를 형성하는 것이어도 좋은 것은 물론임)을 형성한 투광 기판으로 이루어진 포토마스크(21)를 이용하고, 제2 공정에서는, 동 도 (b)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 패널 영역(22A)마다 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)에 대응하는 노광 패턴(22a)을 형성한 차광 기판으로 이루어진 포토마스크(22)를 이용한다. 이것에 의해서도, 적어도 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)에 대한 부분에는 다른 포토마스크를 이용하여 복수 회의 노광이 이루어지기 때문에, 레지스트막(11)의 미노광을 회피할 수 있다.In addition, it is also possible to use the photomask of another pattern as shown in FIG. 4 in a 1st exposure process and a 2nd exposure process. That is, in the first step, as shown in FIG. 1A, the light shielding patterns 21a and 21b corresponding to the wiring pattern portion 5 for each of the organic EL panel regions 21A (here, the wiring pattern portions in different directions). Although the example of forming (5) is shown, as shown in FIG. 1, the photomask 21 which consists of a translucent board | substrate with which the wiring pattern part 5 may be formed in the same direction, of course) was formed. In the second process, as shown in FIG. 2B, the exposure pattern 22a corresponding to the light emitting region L 0 of the organic EL panel is formed for each of the organic EL panel regions 22A. A photomask 22 made of a light shielding substrate is used. By this, at least part of exposure to the light emitting region L 0 of the organic EL panel is performed using another photomask, so that unexposed of the resist film 11 can be avoided.
이상 설명한 본 발명의 실시 형태에 관한 특징을 정리하면 이하와 같다.The characteristics concerning embodiment of this invention demonstrated above are put together as follows.
하나로는, 지지 기판(1)상에 유기 발광층을 포함하는 유기 재료층(4)이 하부 전극(2) 및 상부 전극(3)에 의해 협지되어 이루어지는 유기 EL 소자를 형성하는 동시에, 하부 전극(2) 및 상부 전극(3)으로부터 연장된 배선 전극(2A, 3B)을 형성하는 유기 EL 패널용 기판, 유기 EL 패널 또는 유기 EL 패널의 제조 방법으로서, 배선 전극(3A, 3B)을 형성하는 도전막층(10A, 10B)에 노광 부분이 제거되어 형성된 레지스트막(11)의 패턴(11b)에 따라 배선 패턴부(5)를 형성할 때에, 적어도 유기 EL 소자의 발광부(L1)에 대응하는 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 일부에 제1 노광 공정 및 제2 노광 공정에 의한 복수 회의 노광 처리를 행한 것을 특징으로 한다.In one embodiment, an organic material layer 4 including an organic light emitting layer on the support substrate 1 forms an organic EL element sandwiched by the lower electrode 2 and the upper electrode 3, and at the same time, the lower electrode 2 And a conductive film layer for forming the wiring electrodes 3A and 3B as a method for producing an organic EL panel substrate, an organic EL panel or an organic EL panel forming the wiring electrodes 2A and 3B extending from the upper electrode 3). A resist corresponding to at least the light emitting portion L 1 of the organic EL element when forming the wiring pattern portion 5 in accordance with the pattern 11b of the resist film 11 formed by removing the exposed portion in the 10A and 10B. A part of the removal target portion of the film 11 is subjected to a plurality of exposure treatments by the first exposure process and the second exposure process.
이것에 따르면, 적어도 유기 EL 소자의 발광부(L1)에 대응하는 부분에는 포지티브형 레지스트막(11)을 완전히 제거하기 위해서 복수 회의 노광 처리가 이루어지기 때문에, 레지스트막(11)의 미노광에 따르는 도전막의 국부적인 돌기부가 형성되는 것을 회피할 수 있어, 유기 EL 소자의 누설 등의 결함 발생을 미연에 방지할 수 있다.According to this, at least a portion of the organic EL element corresponding to the light emitting portion L 1 is subjected to a plurality of exposure treatments in order to completely remove the positive resist film 11, so that the unexposed light of the resist film 11 It is possible to avoid the formation of localized projections of the conductive film to be followed, thereby preventing occurrence of defects such as leakage of the organic EL element.
또 하나로는, 전술한 유기 EL 패널의 패널 기판에 있어서, 도전막층(10A, 10B)은 복수의 도전막의 적층체로 형성되고, 배선 패턴부(5)가 유기 EL 소자의 밀봉부로부터 인출된 인출 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described panel substrate of the organic EL panel, the conductive film layers 10A and 10B are formed of a laminate of a plurality of conductive films, and the lead-out electrode in which the wiring pattern portion 5 is drawn out from the sealing portion of the organic EL element. It characterized in that to form.
이것에 따르면, 인출 전극 부분을 복수의 도전막의 적층체로 이루어진 저저항의 배선 구조로 할 수 있고, 이 배선 구조의 배선 패턴부(5)를 형성할 때에도, 상술한 바와 같이, 적어도 유기 EL 소자의 발광부(L1)에 대응하는 부분에는 포지티브형 레지스트막(11)을 완전히 제거하기 위해서 복수 회의 노광 처리가 이루어지기 때문에, 레지스트막(11)의 미노광에 따르는 도전막의 국부적인 돌기부가 형성되는 것을 회피할 수 있어, 유기 EL 소자의 누설 등의 결함 발생을 미연에 방지할 수 있다.According to this, the lead-out electrode part can be made into the low resistance wiring structure which consists of a laminated body of several electrically conductive film, and also when forming the wiring pattern part 5 of this wiring structure, as mentioned above, at least of an organic EL element In the portion corresponding to the light emitting portion L 1 , a plurality of exposure treatments are performed in order to completely remove the positive resist film 11, so that a localized protrusion of the conductive film due to unexposed of the resist film 11 is formed. It can avoid that, and the generation | occurrence | production of defects, such as leakage of organic electroluminescent element, can be prevented beforehand.
또 하나로는, 전술한 유기 EL 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 노광 공정과 상기 제2 노광 공정은 배선 패턴부(5)를 형성하는 포토마스크를 이용한 노광의 반복인 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described method for producing an organic EL panel, the first exposure step and the second exposure step are repeated exposures using a photomask for forming the wiring pattern portion 5.
이것에 따르면, 반복의 노광을 행함으로써, 노광 불충분한 개소를 없앨 수 있고, 또한, 필요에 따라 광의 조사 각도 등의 노광 조건을 바꿈으로써 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 확실하게 회피할 수 있다.According to this, by performing exposure repeatedly, unsatisfactory exposure can be eliminated, and the unexposed part of the removal object part of the resist film 11 can be reliably changed by changing exposure conditions, such as an irradiation angle of light, as needed. Can be avoided.
또 하나로는, 전술한 유기 EL 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 포토마스크(20)는 노광 공정마다 바뀌는 것을 특징으로 한다. Another one of the above-described methods for producing an organic EL panel is characterized in that the photomask 20 changes every exposure process.
이것에 따르면, 제1 노광 공정에서 이용한 포토마스크(20)에 이물 등의 부착물이 있고, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분에 미노광이 생긴 경우에도, 제2 노광 공정에서 포토마스크(20)를 바꿈으로써 임시로 교체된 포토마스크(20)에 이물 등이 부착하고 있더라도, 이것이 전번의 포토마스크(20)의 이물 부착 개소와 중복되는 일은 없다고 생각되기 때문에, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 확실하게 회피할 수 있다.According to this, even when the photomask 20 used in the 1st exposure process has adherends, such as a foreign material, and unexposed to the removal object part of the resist film 11, the photomask 20 in a 2nd exposure process is carried out. Even if foreign matter or the like adheres to the photomask 20 temporarily replaced by changing the value, since it is considered that this does not overlap with the foreign matter attachment point of the previous photomask 20, the portion to be removed of the resist film 11 Unexposure of light can be reliably avoided.
또 하나로는, 상술한 유기 EL 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 포토마스크는 단일의 것을 이용하고, 1회의 노광 공정마다 배치를 약간 어긋나게 하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described method for producing an organic EL panel, the photomask is characterized in that the arrangement is slightly shifted for each exposure process using a single one.
이것에 따르면, 제1 노광 공정에서 이용한 포토마스크(20)에 이물 등의 부착물이 있어, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분에 미노광이 생긴 경우에도, 제2 노광 공정에서 포토마스크(20)의 배치를 어긋나게 함으로써 제1 노광 공정에 있어서의 미노광 부분을 제2 노광 공정에서 노광할 수 있다. 따라서, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 확실하게 회피할 수 있다.According to this, even when the photomask 20 used in the 1st exposure process has a deposit, such as a foreign material, and unexposed to the removal object part of the resist film 11, the photomask 20 in a 2nd exposure process is carried out. By shifting the arrangement of, the unexposed portion in the first exposure process can be exposed in the second exposure process. Therefore, unexposed of the removal object part of the resist film 11 can be reliably avoided.
또 하나로는, 전술한 유기 EL 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 노광 공정은 배선 패턴부(5)를 형성하는 포토마스크(21)를 이용한 노광이며, 상기 제2 노광 공정은 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)에 있어서의 일부 또는 전부에 따른 패턴을 갖는 포토마스크(22)를 이용한 노광인 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described method for producing an organic EL panel, the first exposure step is an exposure using a photomask 21 for forming the wiring pattern portion 5, and the second exposure step is performed by an organic EL panel. characterized in that the exposure using a photomask 22 having a pattern corresponding to a part or the whole of the light emitting region (L 0).
이것에 따르면, 제1 노광 공정에서 포토마스크(21)를 이용한 배선 패턴부(5)의 패터닝을 행하고, 제2 노광 공정에서 유기 EL 패널의 발광 영역(L0)에 미노광부가 없도록 2번째의 노광을 행할 수 있다. 따라서, 제1 노광 공정에서의 패턴 형성에는 무관하게, 제2 노광 공정을 행할 수 있기 때문에, 2회의 노광에 따르는 패턴 어긋남이 없고, 또한 누설 대책상 중요한 발광 영역(L0)만 다른 포토마스크로 복수 회의 노광을 행하는 것이 가능해지며, 레지스트막(11)의 제거 대상 부분의 미노광을 확실하게 회피할 수 있다.According to this, the patterning of the wiring pattern portion 5 using the photomask 21 is performed in the first exposure process, and the second exposure process is performed so that the unexposed portion is not present in the light emitting region L 0 of the organic EL panel in the second exposure process. Exposure can be performed. Therefore, since the second exposure process can be performed regardless of the pattern formation in the first exposure process, there is no pattern misalignment caused by two exposures, and the photomask differs only in the light emitting region L 0 , which is important for leakage prevention. It is possible to perform a plurality of exposures, and the unexposed of the portion to be removed of the resist film 11 can be reliably avoided.
본 발명의 각 실시 형태는 이러한 특징을 갖기 때문에, 전술한 유기 EL 패널의 패널 기판 및 유기 EL 패널의 제조 방법에 있어서, 제거 레지스트막의 남은 부분에 기인하는 누설 등의 결함 발생을 미연에 방지하는 것이 가능해지고, 제품 수율을 개선할 수 있는 동시에, 가동 시간 경과에 따르는 비점등 영역의 확대나 소비전력의 증가라는 제품 출하 후의 결함을 해소할 수 있다.Since each embodiment of this invention has such a characteristic, in the above-mentioned panel substrate of organic electroluminescent panel and the manufacturing method of organic electroluminescent panel, it is possible to prevent defects, such as leakage resulting from the remainder of a removal resist film, in advance. The product yield can be improved, and the defects after shipment of the product such as the expansion of the non-lighting area and the increase of the power consumption due to the lapse of the operation time can be solved.
본 발명의 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 각부 형태를 부기하면 이하와 같다.The shape of each part of the organic EL panel according to the embodiment of the present invention is as follows.
a. 지지 기판;a. Support substrates;
지지 기판(1)은 투명성을 갖는 평판형, 필름형인 것을 채용할 수 있지만, 이것에 한하지 않고 각종 형태의 것을 채용할 수 있다. 또한 재질로서는, 유리 기판뿐만 아니라, 플라스틱, 석영, 목재, 종이 등의 각종의 것을 사용할 수 있다.Although the support substrate 1 can employ | adopt the flat type and film type which have transparency, it is not limited to this, The thing of various forms can be employ | adopted. Moreover, as a material, not only a glass substrate but various things, such as plastic, quartz, wood, and paper, can be used.
b. 전극{하부 전극, 상부 전극, 배선 전극(인출 전극)};b. Electrodes {lower electrode, upper electrode, wiring electrode (drawing electrode)};
지지 기판(1)상에 형성되는 하부 전극(2)과 유기 재료층(4)상에 형성되는 상부 전극(3)은 어느 것을 양극, 음극으로 설정하여도 좋다. 양극은 음극보다 일함수가 높은 재료로 구성되고, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt) 등의 금속막이나 산화인듐(In2O3), ITO, IZO 등의 투명 도전막이 이용된다. 반대로 음극은 양극보다 일함수가 낮은 재료로 구성되며, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 등의 금속막, 도핑된 폴리아닐린이나 도핑된 폴리페닐렌비닐렌 등의 비정질 반도체, Cr2O3, NiO, Mn2O5 등의 산화물을 사용할 수 있다. 일반적으로 광의 추출측을 투명 전극으로 형성하지만, 하부 전극(2), 상부 전극(3)을 모두 투명한 재료로 형성하고, 광의 방출측과 반대의 전극측에 반사막을 설치하는 구성으로 할 수 있다.The lower electrode 2 formed on the support substrate 1 and the upper electrode 3 formed on the organic material layer 4 may be set to either an anode or a cathode. The positive electrode is composed of a material having a higher work function than the negative electrode, and includes a metal film such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), nickel (Ni), and platinum (Pt), indium oxide (In 2 O 3 ), ITO, IZO, and the like. Transparent conductive film is used. In contrast, the cathode is composed of a material having a lower work function than the anode, and includes a metal film such as aluminum (Al) and magnesium (Mg), an amorphous semiconductor such as doped polyaniline or doped polyphenylenevinylene, Cr 2 O 3 , and NiO. And oxides such as Mn 2 O 5 can be used. In general, the light extraction side is formed of a transparent electrode, but both the lower electrode 2 and the upper electrode 3 may be formed of a transparent material, and a reflective film may be provided on the electrode side opposite to the light emission side.
인출 전극을 형성하는 배선 전극(2A, 3B)은 하부 전극(2)과 같은 재료(예컨대, ITO, IZO 등의 투명 전극)로 제1 도전막(2A1, 3B1)을 형성하고, 그 위에 Ag, Cr 등의 금속 혹은 이들 합금을 복수 적층시켜 형성하여도 좋으며, 혹은, 하부 전극 혹은 상부 전극의 단층과 동일한 재료, 예컨대, 크롬 단일막, 알루미늄 단일막, ITO 단일막 등의 단층막, 혹은 상하 전극과는 다른 재료의 단층막이어도 좋다. 적층체의 경우의 바람직한 예를 들면, ITO(또는 IZO)/Ag-Pd의 2층 구조, ITO(또는 IZO)/AgO/Ag의 3층 구조, ITO(또는 IZO)/Cr/Ag의 3층 구조 등이지만, 이것에 한하지 않고 어떠한 재료, 적층 구조를 사용하여도 좋다.The wiring electrodes 2A and 3B forming the lead electrode form the first conductive films 2A 1 and 3B 1 made of the same material as the lower electrode 2 (for example, transparent electrodes such as ITO and IZO), and are formed thereon. A plurality of metals such as Ag and Cr or alloys thereof may be formed by laminating or a single layer film such as a single layer of a lower electrode or an upper electrode, for example, a single layer of chromium, a single layer of aluminum, or a single layer of ITO, or A single layer film of a material different from that of the upper and lower electrodes may be used. Preferred examples of the laminate include a two-layer structure of ITO (or IZO) / Ag-Pd, a three-layer structure of ITO (or IZO) / AgO / Ag, and a three layer of ITO (or IZO) / Cr / Ag. Although it is a structure etc., not only this but any material and laminated structure may be used.
c. 유기 재료층;c. An organic material layer;
유기 재료층(4)은 전술한 바와 같이, 정공 수송층(4a), 발광층(4b), 전자 수송층(4c)으로 이루어진 유기 발광 기능층에 의해 형성되는 것이 일반적이지만, 이들 층은 각각 1층뿐만아니라 복수 층 적층하여 설치하여도 좋고, 정공 수송층(4a), 전자 수송층(4c)에 대해서는 어느 한쪽 층을 생략하여도, 양쪽 층을 생략하여도 상관없다. 또한, 정공 주입층, 전자 주입층 등의 유기 기능층을 용도에 따라 삽입하는 것도 가능하다.As described above, the organic material layer 4 is generally formed by an organic light emitting functional layer composed of a hole transporting layer 4a, a light emitting layer 4b, and an electron transporting layer 4c, but each of these layers is not only one layer. Two or more layers may be laminated | stacked, and either layer may be abbreviate | omitted or both layers may be omitted about the hole transport layer 4a and the electron carrying layer 4c. In addition, organic functional layers, such as a hole injection layer and an electron injection layer, can also be inserted according to a use.
이들 유기 재료층(4)의 적층은 스핀 코팅법, 디핑법 등의 도포법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 등의 습식 프로세스, 또는 증착법, 레이저 전사법 등의 건식 프로세스로 형성할 수 있다. 발광층(4b)의 재료로서는, 단일항 여기 상태로부터 기저 상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)과 삼중항 여기 상태로부터 기저 상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)이 있지만, 본 발명의 실시 형태에서는, 어느 쪽 발광을 이용한 유기 EL 패널에 있어서도 적용 가능하다.Lamination of these organic material layers 4 can be formed by a wet process such as a spin coating method, a coating method such as a dipping method, an inkjet method, a screen printing method, or a dry process such as a vapor deposition method or a laser transfer method. Examples of the material of the light emitting layer 4b include light emission (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state and light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state. In the embodiment of the present invention, It is also applicable to the organic EL panel using either light emission.
d. 유기 EL 패널의 각종 방식에 대해서;d. Various methods of the organic EL panel;
유기 EL 패널의 표시 방식은 단색 발광이라도 2색 이상의 복수 색 발광이라도 좋고, 특히 복수 색 발광의 유기 EL 패널을 실현하기 위해서는 RGB에 대응한 3종류의 발광 기능층을 형성하는 방식을 포함하는 2색 이상의 발광 기능층을 형성하는 방식(분할 도포 방식), 백색이나 청색 등의 단색 발광 기능층에 컬러 필터나 형광 재료에 의한 색 변환층을 조합한 방식(CF 방식, CCM 방식), 단색의 발광 기능층의 발광 영역에 전자파를 조사하는 등으로 복수 발광을 실현하는 방식(포토브리칭 방식), 2색 이상의 서브픽셀을 세로로 적층하여 하나의 픽셀을 형성한 방식{S0LED(transparent stracked OLED) 방식} 등에 의해 구성할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자의 구동 방식은 전술한 바와 같은 패시브 구동 방식뿐만 아니라 액티브 구동 방식이어도 좋고, 광의 추출 방식은 지지 기판(1)측으로부터 광을 추출하는 버텀 에미션 방식, 지지 기판(1)과는 반대측으로부터 광을 추출하는 톱 에미션 방식 중 어느 하나라도 좋다.The display method of the organic EL panel may be monochromatic light emission or two or more colors of multi-color light emission. In particular, in order to realize an organic EL panel of multi-color light emission, two colors including a method of forming three kinds of light emitting functional layers corresponding to RGB The method of forming the above light emitting functional layer (divided coating method), the method of combining the color conversion layer by color filter or fluorescent material with monochromatic light emitting functional layers such as white or blue (CF method, CCM method), monochromatic light emitting function A method of realizing a plurality of light emission by irradiating an electromagnetic wave to the light emitting area of the layer (photobleaching method), a method of forming one pixel by vertically stacking two or more sub-pixels {S0LED (transparent stracked OLED) method} It can comprise by such. In addition, the driving method of the organic EL element may be not only the passive driving method but also the active driving method as described above, and the light extraction method may include a bottom emission method and a support substrate 1 that extract light from the support substrate 1 side. May be any of the top emission systems for extracting light from the opposite side.
이하에, 본 발명에 관한 구체적인 실시예로서, 본 발명을 이용한 유기 EL 패널의 제조 방법의 일례를 도시한다. 물론, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것이 아니다.Below, an example of the manufacturing method of the organic electroluminescent panel which used this invention is shown as a specific Example which concerns on this invention. Of course, the present invention is not limited to this embodiment.
<전처리 공정><Pretreatment Process>
우선, 도 5에 도시한 바와 같이, 상면에 투명 도전막{10A1(ITO, IZO 등)}과 금속 도전막{10B1(Cr, Al, Ag 등)}이 적층된 기판(1; 유리, 플라스틱 등)을 준비한다. 바람직하게는, 투명 도전막(10A1)은 ITO, 금속 도전막(10B1)은 Cr, 기판(1)은 유리로 형성된 것이 이용된다. 기판에 유리를 이용하는 경우에는, 유리에 불순 원소(알칼리 금속, Ca, Na 등)가 함유되어 있는 것으로서는, 그 불순 원소의 침투를 차단하기 위해서, 유리 기판 표면에 버퍼층(1A; SiO2, TiO2 등)을 성막한다.First, as shown in Fig. 5, a substrate 1 (glass, on which a transparent conductive film 10A 1 (ITO, IZO, etc.)} and a metal conductive film 10B 1 (Cr, Al, Ag, etc.) is laminated on an upper surface thereof; Plastic). Preferably, the transparent conductive film 10A 1 is made of ITO, the metal conductive film 10B 1 is made of Cr, and the substrate 1 is made of glass. When glass is used for the substrate, as the glass contains impurity elements (alkali metals, Ca, Na, etc.), in order to block the penetration of the impurity elements, a buffer layer (1A; SiO 2 , TiO) is formed on the glass substrate surface. 2, etc.).
계속해서, 도 6{동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 A-A 단면도}에 도시한 바와 같이, 기판(1)/버퍼층(1A; SiO2)/투명 도전막(10A1; ITO)/금속 도전막(10B1 ; Al)으로 적층한 것에 대하여, 금속 도전막(10B1)을 포토리소그래피법에 의해 패터닝하여 상부 전극 및 하부 전극의 배선 전극 패턴(30A, 30B, 30C)을 형성한다. 도시한 예에서는, 다면의 기판(1M)에 배선 전극 패턴(30A, 30B, 30C)을 형성한 예를 나타내고 있다.Subsequently, as shown in FIG. 6 (FIG. (A) is a plan view, and (b) is a AA sectional view), the substrate 1 / buffer layer 1A (SiO 2 ) / transparent conductive film 10A 1 ; ITO. ) And the metal conductive film 10B 1 ; Al is laminated with the metal conductive film 10B 1 by photolithography to form wiring electrode patterns 30A, 30B, and 30C of the upper and lower electrodes. do. In the illustrated example, an example in which the wiring electrode patterns 30A, 30B, and 30C are formed on the multi-faceted substrate 1M is shown.
이 때, 레지스트막의 잔사(殘渣)를 형성하지 않도록, 배선 전극 패턴을 갖는 포토마스크를 제1 노광 위치에 배치하여 첫 번째 노광 처리를 행하고, 이 포토마스크를 제2 노광 위치로 어긋나게 하여 두 번째 노광 처리를 행한다. 추가로 이것을 반복하여 복수 회의 노광 처리를 행하도록 하여도 좋다.At this time, in order not to form the residue of a resist film, the photomask which has a wiring electrode pattern is arrange | positioned in a 1st exposure position, a 1st exposure process is performed, this photomask is shifted to a 2nd exposure position, and a 2nd exposure is performed. The process is performed. In addition, this may be repeated to perform a plurality of exposure processes.
다음에는, 도 7{동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 B-B 단면도}에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 노출되어 있는 투명 도전막(10B1)을 포토리소그래피법에 의해 패터닝하여 하부 전극 및 배선 전극의 일부 패턴(31)을 형성한다. 이 때에도, 레지스트막의 잔사를 형성하지 않도록, 패턴(31)을 갖는 포토마스크를 제1 노광 위치에 배치하여 첫 번째 노광 처리를 행하고, 이 포토마스크를 제2 노광 위치로 어긋나게 하여 두 번째 노광 처리를 행한다. 추가로 이것을 반복하여 복수 회의 노광 처리를 행하도록 하여도 좋다.Next, as shown in FIG. 7 (FIG. (A) is a top view and FIG. (B) is a BB sectional view), the transparent conductive film 10B 1 exposed on the substrate 1 is subjected to the photolithography method. Patterning is performed to form some patterns 31 of the lower electrode and the wiring electrode. Also in this case, the first exposure treatment is performed by placing a photomask having the pattern 31 at the first exposure position so as not to form a residue of the resist film, and shifting the photomask to the second exposure position to perform the second exposure treatment. Do it. In addition, this may be repeated to perform a plurality of exposure processes.
이 때, 하부 전극 표면을 연마시켜 평활화시키는 처리를 행하여도 좋고, 혹은 하부 전극의 에칭제의 농도를 낮춤으로써 하부 전극 표면을 화학 에칭하여 표면을 평활화하도록 하여도 좋다.At this time, the lower electrode surface may be polished and smoothed, or the lower electrode surface may be chemically etched to lower the concentration of the etchant of the lower electrode to smooth the surface.
그리고, 도 8{동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 C-C 단면도}에 도시한 바와 같이, 하부 전극의 라인 사이에 감광성 폴리이미드 등의 절연막(32)을 포토리소그래피법으로써 패터닝 형성한다. 도시한 예와 같이, 상부 전극을 패터닝하기 위한 칸막이 벽(상부 전극 세퍼레이터; 33)을 형성하여도 좋고, 또한, 이러한 칸막이 벽(33)을 형성하지 않고 상부 전극을 성막용 마스크를 이용하여 패터닝할 수도 있다. 그 후, 필요에 따라, 이 기판(1)의 표면의 유기물이나 수분을 제거하기 위해서 UV 세정 공정을 행한다.Then, as shown in FIG. 8 (FIG. 8A is a plan view and FIG. B is a CC cross-sectional view), the insulating film 32 such as photosensitive polyimide is patterned by photolithography between the lines of the lower electrode. do. As shown in the illustrated example, a partition wall (upper electrode separator) 33 for patterning the upper electrode may be formed, and the upper electrode can be patterned using a film forming mask without forming the partition wall 33. It may be. Thereafter, if necessary, a UV cleaning step is performed to remove organic matter and water on the surface of the substrate 1.
<성막 공정>Film Formation Process
도 9는 성막 장치의 개략 설명도이다. 전술한 전처리 공정을 거친 기판(1)을 성막 장치(40)내로 반송한다. 성막 장치(40)는 진공이 유지되는 성막실(챔버; 41)내에 유기 재료층을 증착에 의해 형성하기 위한 증착원(증착 셀 또는 도가니; 42)이 배치되어 있고, 그 위쪽에 도시 생략한 마스크 프레임으로 지지된 성막용 마스크(43)가 설치되어 있다. 이 성막용 마스크(43)의 위쪽에 상기한 기판(1)을 장착시키고, 기판(1)의 위쪽에 설치되어 있는 마그넷 유닛(44)의 흡착 작용으로 성막용 마스크(43)를 기판(1)에 밀착시킨다. 이와 같이 기판(1)을 설치한 상태로 가열 수단(45)에 의해 증착원(42)을 가열하면, 증착원(42)으로부터 출사된 성막 재료(46)가 성막용 마스크(43)를 통해 기판(1)의 피성막면(1S)에 증착되어, 유기 재료층의 패턴이 형성된다.9 is a schematic explanatory diagram of a film forming apparatus. The board | substrate 1 which passed the above-mentioned preprocessing process is conveyed in the film-forming apparatus 40. FIG. In the film forming apparatus 40, a deposition source (deposition cell or crucible) 42 for forming an organic material layer by vapor deposition is disposed in a film formation chamber (chamber) 41 in which vacuum is maintained, and a mask not shown above is provided. The film-forming mask 43 supported by the frame is provided. The above-described substrate 1 is mounted on the film-forming mask 43, and the film-forming mask 43 is attached to the substrate 1 by the adsorption action of the magnet unit 44 provided on the substrate 1. In close contact. Thus, when the vapor deposition source 42 is heated by the heating means 45 in the state which installed the board | substrate 1, the film-forming material 46 radiate | emitted from the vapor deposition source 42 will pass through the film-forming mask 43 It deposits on the to-be-film-formed surface 1S of (1), and the pattern of an organic material layer is formed.
유기 재료층은 유기 EL 소자를 형성할 수 있는 것이면 어떠한 것이라도 좋지만, 예컨대, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 등이 단일층 또는 복합층의 구조로 적층되어 형성된다. 사용되는 유기 재료는 CuPc, NPB, Alq3 등이 기능에 따라 선택된다. 또한, 유기 발광층은 풀 컬러 유기 EL 소자인 경우에는, 유기 발광층을 각 화소의 컬러에 대응하여 다양한 패턴으로 형성 가능하고, 나아가서는, 정공 수송층, 전자 수송층 등을 컬러에 대응하여 조정된 막 두께로 성막하는 경우도 있다.The organic material layer may be any one as long as it can form an organic EL element. For example, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, or the like is formed by stacking a single layer or a composite layer. Organic materials to be used are selected according to the function CuPc, NPB, Alq 3 and the like. In addition, when the organic light emitting layer is a full color organic EL device, the organic light emitting layer can be formed in various patterns corresponding to the color of each pixel, and furthermore, the hole transporting layer, the electron transporting layer, or the like can be formed at a film thickness adjusted according to the color. There is a case of forming a film.
성막 공정의 일례를 들면, 절연막(32)을 형성한 전술한 전처리 공정을 거친 기판(1) 위에 정공 주입층으로서 CuPc를 증착으로써 50 ㎚ 적층하고, 계속해서, 정공 수송층으로서 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPD)을 50 nm 적층한다. 그 위에 RGB 각색 발광층을 패턴을 갖는 성막용 마스크를 이용하여 각 발광층 성막 영역에 분할 도포하여 형성한다. B(청) 발광층으로서는, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-비페닐(DPVBi)의 호스트재에 1 중량% 도우펀트로서 4,4'-비스(2-카르바졸비닐렌)비페닐(BCzVBi)을 50 ㎚ 공증착하고, G(녹) 발광층으로서는, 쿠마린(6)을 50 ㎚ 증착하여 적층하며, R(적) 발광층으로서는, 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(Alq3)의 호스트재에 1 중량% 도우펀트로서 4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스틸인)-4H-피란(DCM)을 50 ㎚ 공증착시킨다. 그 위에 전자 수송층으로서, Alq3을 20 ㎚, 음극으로서 알루미늄(Al)을 150 ㎚ 증착한다.As an example of the film formation process, 50 nm of CuPc is deposited as a hole injection layer by vapor deposition on the substrate 1 which has undergone the above-described pretreatment process in which the insulating film 32 is formed, and then 4,4'-bis as the hole transport layer. 50 nm of [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD) is stacked. An RGB color light emitting layer is formed on the light emitting layer by using a mask for film formation having a pattern thereon. As the B (blue) light emitting layer, 4,4'-bis (2-carbazole vinyl) as a 1 wt% dopant in a host material of 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) -biphenyl (DPVBi) was used. 50 nm of len) biphenyl (BCzVBi) is co-deposited, 50 nm of coumarins are deposited by lamination as a G (green) light emitting layer, and tris (8-quinolinol) aluminum (Alq) as an R (red) light emitting layer. 3 nm of 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminosteel) -4H-pyran (DCM) was co-deposited to the host material of 3 ) as 1 weight% dopant. As the electron transport layer, and an Alq 3 20 ㎚, as the cathode depositing aluminum (Al) 150 ㎚.
<밀봉 공정><Sealing process>
도 10은 밀봉 공정에 의해 밀봉된 유기 EL 패널을 도시한 설명도이다. 유기 재료 성막 공정 후에 유기 EL 소자(50)가 형성된 기판(1)은 발광 검사 공정을 행한 후에, 진공 분위기의 성막실(41)로부터 N2의 불활성 가스 분위기의 밀봉실로 반입되고, 거기에서 밀봉 공정이 행해진다. 이 때, 블러스트 처리로 표면에 오목부(51A)가 형성되고, 이 오목부(51A)에 건조 수단(SrO; 53)을 설치한 유리로 제조된 밀봉 기판(51)도 밀봉실로 반입된다. 그리고, 밀봉 기판(51)상에는 그 주변 접착 부분에 1∼300 ㎛의 입자 지름의 유리 스페이서를 0.1∼0.5 중량% 정도 적량 혼합한 자외선 경화형 에폭시수지로 제조된 접착제(52)가 디스펜서 등에 의해 도포되고, 이 접착제(52)가 도포된 밀봉 기판(51)과 유기 EL 소자(50)가 형성된 기판(1)이 접착제(52)를 통해 접합되며, 자외선을 기판(1)측 또는 밀봉 기판(51)측으로부터 접착제(52)에 조사하여 이것을 경화시킴으로써 밀봉 공정이 완료된다.It is explanatory drawing which shows the organic electroluminescent panel sealed by the sealing process. The substrate 1 on which the organic EL element 50 is formed after the organic material film forming step is carried out from the film forming chamber 41 in a vacuum atmosphere into a sealing chamber in an inert gas atmosphere of N 2 after performing a light emission inspection step, and therein, a sealing step This is done. At this time, the recessed part 51A is formed in the surface by a blast process, and the sealing substrate 51 made of glass which provided the drying means (SrO) 53 in this recessed part 51A is also carried in to a sealing chamber. On the sealing substrate 51, an adhesive 52 made of an ultraviolet curable epoxy resin in which 0.1 to 0.5% by weight of a glass spacer having a particle diameter of 1 to 300 µm is appropriately mixed with the peripheral adhesive portion thereof is applied by a dispenser or the like. The sealing substrate 51 to which the adhesive 52 is applied and the substrate 1 on which the organic EL element 50 is formed are bonded through the adhesive 52, and ultraviolet rays are radiated to the substrate 1 side or the sealing substrate 51. The sealing process is completed by irradiating the adhesive 52 from the side and hardening this.
이와 같이 제조된 유기 EL 패널에 있어서는, 종래의 형성 방법에 의한 유기 EL 소자에 비하여 하부 전극 또는 배선 전극을 패터닝할 때의 레지스트 잔사가 없고, 유기 EL 소자의 누설 발생을 극력 억제할 수 있게 된다.In the organic EL panel thus manufactured, there is no resist residue when patterning the lower electrode or the wiring electrode as compared with the organic EL element by the conventional formation method, and the occurrence of leakage of the organic EL element can be suppressed as much as possible.
도 1은 본 발명의 실시 형태의 전제가 되는 유기 EL 패널의 설명도.1 is an explanatory diagram of an organic EL panel serving as a premise of an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 패널 기판의 형성 공정을 설명하는 설명도.2 is an explanatory diagram for explaining a step of forming a panel substrate according to the embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 설명도.3 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법에 이용되는 포토마스크를 설명하는 설명도.4 is an explanatory diagram illustrating a photomask used in the method of manufacturing an organic EL panel according to the embodiment of the present invention.
도 5는 실시예의 설명도.5 is an explanatory diagram of an embodiment.
도 6은 실시예의 설명도(동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 A-A 단면도).6 is an explanatory diagram of an embodiment (FIG. (A) is a plan view, and (b) is an A-A cross-sectional view).
도 7은 실시예의 설명도(동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 B-B 단면도).7 is an explanatory diagram of an embodiment (FIG. (A) is a plan view, and (b) is a B-B sectional view).
도 8은 실시예의 설명도(동 도 (a)가 평면도, 동 도 (b)가 C-C 단면도).8 is an explanatory diagram of an embodiment (FIG. (A) is a plan view, and (b) is a C-C cross-sectional view).
도 9는 성막 장치의 개략 설명도.9 is a schematic explanatory diagram of a film forming apparatus.
도 10은 밀봉 공정에 의해 밀봉된 유기 EL 패널을 도시한 설명도.10 is an explanatory diagram showing an organic EL panel sealed by a sealing step.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
1 : 지지 기판 2 : 하부 전극 1 support substrate 2 lower electrode
3 : 상부 전극 4 : 유기 재료층3: upper electrode 4: organic material layer
2A, 3A, 3B : 배선 전극2A, 3A, 3B: wiring electrode
2A1, 3B1 : 제1 도전막2A 1 , 3B 1 : First conductive film
2A2, 3B2 : 제2 도전막2A 2 , 3B 2 : second conductive film
10A, 10B : 도전막층 11 : 레지스트막10A, 10B: conductive film layer 11: resist film
11b : 레지스트막의 패턴11b: pattern of resist film
20, 21, 22 : 포토마스크20, 21, 22: photomask
L0 : 발광 영역 L1 : 발광부L 0 : light emitting area L 1 : light emitting part
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