KR20050061131A - Gate driver circuit and display apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
게이트 구동회로에서, 각 스테이지는 출력신호를 제1 클럭으로 전환시키는 풀업부 및 다음 스테이지의 출력신호에 응답하여 출력신호를 접지전압으로 방전시키는 풀다운부를 구비한다. 풀업 구동부는 이전 스테이지의 출력신호에 응답하여 풀업부를 턴온시키고, 다음 스테이지의 출력신호에 응답하여 풀업부를 턴오프시킨다. 홀딩부는 출력신호를 접지전압 상태로 홀딩시키고, 스위칭부는 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어져 제1 클럭을 충전하는 충전부와 제1 클럭과 위상이 다른 제2 클럭에 응답하여 충전부에 충전된 전하를 방전시키는 방전부로 이루어져 홀딩부의 구동을 제어한다. 따라서, 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있고 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있다.In the gate driving circuit, each stage includes a pull-up part for converting the output signal to the first clock and a pull-down part for discharging the output signal to the ground voltage in response to the output signal of the next stage. The pull-up driving unit turns on the pull-up unit in response to the output signal of the previous stage, and turns off the pull-up unit in response to the output signal of the next stage. The holding unit holds the output signal to the ground voltage state, and the switching unit is composed of two or more capacitors connected in parallel to discharge the charge charged in the charging unit in response to the charging unit charging the first clock and a second clock that is out of phase with the first clock. The discharge unit is configured to control the driving of the holding unit. Therefore, malfunction of the gate driving circuit can be prevented and the overall size of the display device can be reduced.
Description
본 발명은 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오동작을 방지할 수 있고 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있는 게이트 구동회로 및 표시장치에 관한 것이다The present invention relates to a gate driving circuit and a display device having the same, and more particularly, to a gate driving circuit and a display device capable of preventing a malfunction and reducing the overall size.
일반적으로, 표시장치는 표시패널, 표시패널을 구동하기 위한 게이트 구동신호를 출력하는 게이트 구동회로 및 표시패널로 영상신호를 출력하는 소오스 구동회로로 이루어진다. 게이트 구동회로 및 소오스 구동회로는 칩 형태로 표시패널에 실장될 수 있고, 게이트 구동회로는 표시패널에 직접적으로 형성된다.In general, a display device includes a display panel, a gate driving circuit for outputting a gate driving signal for driving the display panel, and a source driving circuit for outputting an image signal to the display panel. The gate driving circuit and the source driving circuit may be mounted on the display panel in a chip form, and the gate driving circuit is formed directly on the display panel.
게이트 구동회로가 표시패널에 형성되는 구조에서 게이트 구동회로는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지를 갖는 하나의 쉬프트 레지스트로 이루어진다.In the structure in which the gate driving circuit is formed on the display panel, the gate driving circuit is composed of one shift resist having a plurality of stages connected to each other.
쉬프트 레지스트의 각 스테이지는 다수의 트랜지스터와 커패시터가 유기적으로 결합된 구성을 가진다. 다수의 트랜지스터와 커패시터의 결합 관계는 게이트 구동회로의 출력을 지연 또는 리플시키는 요인으로 작용할 수 있다. 게이트 구동회로의 출력이 왜곡되면, 게이트 구동회로는 오동작을 하게되고 결과적으로, 표시장치가 정상적으로 동작하지 못하게 된다.Each stage of the shift resist has a configuration in which a plurality of transistors and capacitors are organically coupled. The coupling relationship between a plurality of transistors and a capacitor may act as a factor that delays or ripples the output of the gate driving circuit. If the output of the gate driving circuit is distorted, the gate driving circuit malfunctions, and as a result, the display device does not operate normally.
따라서, 본 발명의 목적은 오동작을 방지하면서 전체적인 사이즈를 감소시키기 위한 게이트 구동회로를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a gate driving circuit for reducing the overall size while preventing malfunction.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 게이트 구동회로를 갖는 표시장치를 제공하는 것이다.Further, another object of the present invention is to provide a display device having the above gate driving circuit.
본 발명의 일 특징에 따른 게이트 구동회로는 복수의 스테이지로 이루어지고, 각 스테이지는 풀업부, 풀다운부, 풀업 구동부, 홀딩부 및 스위칭부를 포함한다.The gate driving circuit according to an aspect of the present invention includes a plurality of stages, each stage including a pull-up part, a pull-down part, a pull-up driver, a holding part, and a switching part.
상기 풀업부는 출력신호를 제1 클럭으로 전환시키고, 상기 풀다운부는 다음 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 출력신호를 접지전압으로 방전시킨다.The pull-up unit converts the output signal to the first clock, and the pull-down unit discharges the output signal to the ground voltage in response to the output signal of one of the following stages.
상기 풀업 구동부는 이전 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 풀업부를 턴온시키고, 다음 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 풀업부를 턴오프시킨다.The pull-up driving unit turns on the pull-up unit in response to the output signal of one of the previous stages, and turns off the pull-up unit in response to the output signal of one of the next stages.
상기 홀딩부는 상기 출력신호를 상기 접지전압 상태로 홀딩시키고, 상기 스위칭부는 상기 홀딩부의 구동을 제어한다. 상기 스위칭부는 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어져 상기 제1 클럭을 충전하는 제1 충전부 및 상기 제1 클럭과 위상이 다른 제2 클럭에 응답하여 상기 제1 충전부에 충전된 전하를 방전시키는 제1 방전부로 이루어진다.The holding part holds the output signal in the ground voltage state, and the switching part controls driving of the holding part. The switching unit comprises two or more capacitors connected in parallel to the first charging unit for charging the first clock and a first room for discharging the charge charged in the first charging unit in response to a second clock that is out of phase with the first clock. It is all done.
본 발명의 다른 특징에 따른 표시장치는 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인이 구비되어 영상을 표시하는 표시패널, 상기 표시패널에 구비되고 복수의 스테이지들이 연결되어 상기 스테이지들의 출력신호를 상기 다수의 게이트 라인에 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로, 및 상기 다수의 데이터 라인에 영상신호를 출력하는 데이터 구동회로를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a display device includes a display panel including a plurality of gate lines and a plurality of data lines to display an image, and a plurality of stages connected to the display panel to connect output signals of the stages A gate driving circuit sequentially outputting the gate lines, and a data driving circuit outputting image signals to the plurality of data lines.
상기 게이트 구동회로의 상기 각 스테이지는 풀업부, 풀다운부, 풀업 구동부, 홀딩부 및 스위칭부를 포함한다. Each stage of the gate driving circuit includes a pull-up part, a pull-down part, a pull-up driver, a holding part, and a switching part.
상기 풀업부는 출력신호를 제1 클럭으로 전환시키고, 상기 풀다운부는 다음 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 출력신호를 접지전압으로 방전시킨다.The pull-up unit converts the output signal to the first clock, and the pull-down unit discharges the output signal to the ground voltage in response to the output signal of one of the following stages.
상기 풀업 구동부는 이전 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 풀업부를 턴온시키고, 다음 스테이지들 중 하나의 스테이지의 출력신호에 응답하여 상기 풀업부를 턴오프시킨다.The pull-up driving unit turns on the pull-up unit in response to the output signal of one of the previous stages, and turns off the pull-up unit in response to the output signal of one of the next stages.
상기 홀딩부는 상기 출력신호를 상기 접지전압 상태로 홀딩시키고, 상기 스위칭부는 상기 홀딩부의 구동을 제어한다. 상기 스위칭부는 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어져 상기 제1 클럭을 충전하는 제1 충전부와 상기 제1 클럭과 위상이 다른 제2 클럭에 응답하여 상기 제1 충전부에 충전된 전하를 방전시키는 제1 방전부로 이루어진다.The holding part holds the output signal in the ground voltage state, and the switching part controls driving of the holding part. The switching unit is composed of two or more capacitors connected in parallel to a first charging unit for charging the first clock and a first room for discharging the charge charged in the first charging unit in response to a second clock that is out of phase with the first clock. It is all done.
이러한 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치에 따르면, 홀딩부는 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어져 제1 클럭을 충전하는 제1 충전부와 제1 클럭과 위상이 다른 제2 클럭에 응답하여 제1 충전부에 충전된 전하를 방전시키는 제1 방전부에 의해서 제어된다. 따라서, 게이트 구동회로의 오동작을 방지할 수 있고 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있다.According to such a gate driving circuit and a display device having the same, the holding part includes two or more capacitors connected in parallel to charge the first charging part in response to a first charging part charging a first clock and a second clock that is out of phase with the first clock. It is controlled by the first discharge part for discharging the charged charge. Therefore, malfunction of the gate driving circuit can be prevented and the overall size of the display device can be reduced.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치(500)는 제1 기판(100), 상기 제1 기판(100)과 마주보는 제2 기판(200) 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)과의 사이에 개재된 액정층(미도시)으로 이루어진 액정표시패널(300)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal display 500 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate 100, a second substrate 200 facing the first substrate 100, and the first substrate ( The liquid crystal display panel 300 includes a liquid crystal layer (not shown) interposed between the second substrate 200 and the second substrate 200.
상기 액정표시패널(300)은 영상을 표시하는 표시영역(DA)과 상기 표시영역(DA)에 인접한 제1 및 제2 주변영역(PA1, PA2)으로 이루어진다.The liquid crystal display panel 300 includes a display area DA for displaying an image and first and second peripheral areas PA1 and PA2 adjacent to the display area DA.
상기 표시영역(DA)에는 제1 방향(D1)으로 연장된 다수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn) 및 상기 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 연장되어 상기 다수의 게이트 라인(GL)과 절연되어 교차하는 다수의 데이터 라인(DL1 ~ DLm)이 구비되어 매트릭스 형태의 화소영역이 정의된다.In the display area DA, a plurality of gate lines GL1 to GLn extending in a first direction D1 and a second direction D2 perpendicular to the first direction D1 extend to the plurality of gate lines. A plurality of data lines DL1 to DLm insulated from and intersecting with GL are provided to define a pixel area in a matrix form.
상기 각 화소영역에는 TFT(110) 및 상기 TFT(110)에 연결된 액정 커패시터(Clc)로 이루어진 화소가 구비된다. 상기 TFT(110)는 게이트 전극이 해당 게이트 라인에 연결되고, 소오스 전극이 해당 데이터 라인에 연결되며, 드레인 전극이 상기 액정 커패시터(Clc)에 결합된다.Each pixel area includes a TFT 110 and a pixel including a liquid crystal capacitor Clc connected to the TFT 110. In the TFT 110, a gate electrode is connected to a corresponding gate line, a source electrode is connected to a corresponding data line, and a drain electrode is coupled to the liquid crystal capacitor Clc.
상기 제1 주변영역(PA1)은 상기 다수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)의 일단부와 인접하는 영역이고, 상기 제1 주변영역(PA1)에는 상기 다수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)에 게이트 구동신호를 순차적으로 출력하기 위한 게이트 구동회로(350)가 형성된다. 상기 제2 주변영역(PA2)은 상기 다수의 데이터 라인(DL1 ~ DLm)의 일단부와 인접하는 영역이고, 상기 제2 주변영역(PA2)에는 상기 다수의 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에 영상신호를 출력하기 위한 데이터 구동칩(370)이 실장된다.The first peripheral area PA1 is an area adjacent to one end of the plurality of gate lines GL1 to GLn, and the first peripheral area PA1 is gate driven to the plurality of gate lines GL1 to GLn. A gate driving circuit 350 for sequentially outputting signals is formed. The second peripheral area PA2 is an area adjacent to one end of the plurality of data lines DL1 to DLm, and the second peripheral area PA2 has an image signal corresponding to the plurality of data lines DL1 to DLm. A data driving chip 370 for outputting the same is mounted.
상기 제2 주변영역(PA2)의 일측에는 상기 액정표시패널(300)을 구동하기 위한 외부장치(미도시)와 상기 액정표시패널(300)을 전기적으로 연결하기 위한 연성회로기판(Flexible Printed Circuit Board; 이하, FPC)(400)이 더 부착된다. 상기 FPC(400)는 상기 데이터 구동칩(370)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 구동회로는 상기 데이터 구동칩(370)을 통해 상기 FPC(400)와 연결되거나, 상기 FPC(400)와 직접적으로 연결될 수 있다.On one side of the second peripheral area PA2, an external device (not shown) for driving the liquid crystal display panel 300 and a flexible printed circuit board for electrically connecting the liquid crystal display panel 300. Below, the FPC 400 is further attached. The FPC 400 is electrically connected to the data driving chip 370. The gate driving circuit may be connected to the FPC 400 or directly to the FPC 400 through the data driving chip 370.
도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating the gate driving circuit shown in FIG. 1 in detail.
도 2를 참조하면, 게이트 구동회로(350)는 서로 종속적으로 연결된 복수의 스테이지로 이루어진 하나의 쉬프트 레지스터를 포함한다. 상기 복수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)는 제1 클럭단자(CK1), 제2 클럭단자(CK2), 제1 입력단자(IN1), 제2 입력단자(IN2), 출력단자(OUT) 및 접지전압단자(VSS)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the gate driving circuit 350 includes one shift register composed of a plurality of stages connected dependently to each other. The plurality of stages SRC1 to SRCn + 1 may include a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a first input terminal IN1, a second input terminal IN2, an output terminal OUT, and It includes a ground voltage terminal (VSS).
상기 복수의 스테이지 중 홀수번째 스테이지(SRC1, SRC3, SRCn+1)의 상기 제1 클럭단자(CK1)에는 제1 클럭(CKV)이 제공되고, 짝수번째 스테이지(SRC2, SRCn)의 상기 제1 클럭단자(CK2)에는 상기 제1 클럭(CKV)과 반전된 위상을 갖는 제2 클럭(CKVB)이 제공된다. 한편, 상기 홀수번째 스테이지(SRC1, SRC3, SRCn+1)의 상기 제2 클럭단자(CK2)에는 상기 제2 클럭(CKVB)이 제공되고, 상기 짝수번째 스테이지(SRC2, SRCn)의 상기 제2 클럭단자(CK2)에는 상기 제1 클럭(CKV)이 제공된다.A first clock CKV is provided to the first clock terminal CK1 of odd-numbered stages SRC1, SRC3, and SRCn + 1 of the plurality of stages, and the first clock of even-numbered stages SRC2 and SRCn is provided. The terminal CK2 is provided with a second clock CKVB having a phase inverted with the first clock CKV. Meanwhile, the second clock CKVB is provided to the second clock terminal CK2 of the odd-numbered stages SRC1, SRC3, and SRCn + 1, and the second clock of the even-numbered stages SRC2 and SRCn is provided. Terminal CK2 is provided with the first clock CKV.
상기 홀수번째 스테이지(SRC1, SRC3, SRCn+1)의 출력단자(OUT)는 상기 제1 클럭(CKV)을 출력하고, 상기 짝수번째 스테이지(SRC2, SRCn)의 출력단자(OUT)는 상기 제2 클럭(CKVB)을 출력한다. 상기 n 개의 스테이지(SRC1 ~ SRCn)의 출력단자(OUT)는 상기 표시영역(DA, 도 1에 도시됨)에 구비된 n 개의 게이트 라인(GL1 ~ GLn) 중 대응하는 게이트 라인에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 쉬프트 레지스터는 상기 n 개의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)을 순차적으로 구동한다.The output terminal OUT of the odd-numbered stages SRC1, SRC3, and SRCn + 1 outputs the first clock CKV, and the output terminal OUT of the even-numbered stages SRC2 and SRCn is the second. Output the clock CKVB. The output terminals OUT of the n stages SRC1 to SRCn are electrically connected to corresponding gate lines of the n gate lines GL1 to GLn provided in the display area DA (shown in FIG. 1). . Accordingly, the shift register sequentially drives the n gate lines GL1 to GLn.
상기 제1 입력단자(IN1)에는 이전 스테이지의 상기 출력단자(OUT)로부터 출력된 신호가 인가되고, 상기 제2 입력단자(IN2)에는 다음 스테이지의 상기 출력단자(OUT)로부터 출력된 신호가 인가된다.The signal output from the output terminal OUT of the previous stage is applied to the first input terminal IN1, and the signal output from the output terminal OUT of the next stage is applied to the second input terminal IN2. do.
여기서, 상기 첫 번째 구동 스테이지(SRC1)의 제1 입력단자(IN1)에는 이전 스테이지의 출력신호가 아닌 개시신호(STV)가 제공된다. 또한, n번째 스테이지(SRCn)의 제2 입력단자(IN2)에 출력신호를 제공하기 위하여 마련된 n+1번째 스테이지(SRCn+1)의 제2 입력단자(IN2)에는 다음 스테이지의 출력신호 대신에 상기 개시신호(STV)가 제공된다.In this case, the first input terminal IN1 of the first driving stage SRC1 is provided with a start signal STV, which is not an output signal of the previous stage. In addition, the second input terminal IN2 of the n + 1st stage SRCn + 1 provided to provide an output signal to the second input terminal IN2 of the nth stage SRCn is used instead of the output signal of the next stage. The start signal STV is provided.
도 3은 도 2에 도시된 n번째 스테이지를 나타낸 회로도이다. 단, 도 3에 도시된 n번째 스테이지(SRCn)는 나머지 스테이지들과 동일한 구성을 가진다. 따라서, 도 3을 참조하여 상기 n번째 스테이지(SRCn)의 구성을 설명함으로써, 나머지 스테이지들에 대한 설명은 생략한다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an nth stage illustrated in FIG. 2. However, the n-th stage SRCn shown in FIG. 3 has the same configuration as the remaining stages. Therefore, by describing the configuration of the n-th stage SRCn with reference to FIG. 3, the description of the remaining stages is omitted.
도 3을 참조하면, n번째 스테이지(SRCn)는 출력단자(OUTn)로부터 출력되는 출력신호를 제1 클럭(CKV)으로 풀-업시키는 풀업부(351) 및 n+1번째 스테이지(SRCn+1, 도 2에 도시됨)의 출력신호에 응답하여 풀업된 상기 출력신호를 풀다운시키는 풀다운부(352)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the n-th stage SRCn includes a pull-up unit 351 for pulling up an output signal output from the output terminal OUTn to the first clock CKV, and an n + 1th stage SRCn + 1. And a pull-down unit 352 which pulls down the output signal pulled up in response to the output signal of FIG. 2.
상기 풀업부(351)는 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 클럭단자(CK1)에 연결되며, 소오스 전극이 상기 출력단자(OUTn)에 연결된 제1 트랜지스터(NT1)로 이루어진다. 상기 풀다운부(352)는 게이트 전극이 제2 입력단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 상기 출력단자(OUTn)에 연결되며, 소오스 전극에 접지전압(VSS)이 제공되는 제2 트랜지스터(NT2)로 이루어진다.The pull-up unit 351 has a first transistor NT1 having a gate electrode connected to the first node N1, a drain electrode connected to the first clock terminal CK1, and a source electrode connected to the output terminal OUTn. ) The pull-down unit 352 includes a second transistor NT2 having a gate electrode connected to a second input terminal IN2, a drain electrode connected to the output terminal OUTn, and a ground voltage VSS provided to a source electrode. )
상기 n번째 스테이지(SRCn)는 n-1번째 스테이지(SRCn-1, 도 2에 도시됨)의 출력신호(OUTn-1, 도 2에 도시됨)에 응답하여 상기 풀업부(351)를 턴온시키고, n+1번째 스테이지(SRCn+1)의 출력신호에 응답하여 상기 풀업부(351)를 턴오프시키는 풀업 구동부를 더 포함한다. 상기 풀업 구동부는 버퍼부(353), 제1 충전부(354) 및 제1 방전부(355)를 포함한다.The n-th stage SRCn turns on the pull-up unit 351 in response to the output signal OUTn-1 (shown in FIG. 2) of the n-th stage SRCn-1 (shown in FIG. 2). The apparatus further includes a pull-up driving unit which turns off the pull-up unit 351 in response to an output signal of the n + 1th stage SRCn + 1. The pull-up driving unit includes a buffer unit 353, a first charging unit 354, and a first discharge unit 355.
상기 버퍼부(353)는 게이트 및 드레인 전극이 제1 입력단자(IN1)에 공통적으로 연결되고, 소오스 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결된 제3 트랜지스터(NT3)로 이루어진다. 상기 제1 충전부(354)는 제1 전극은 상기 제1 노드(N1)에 연결되고, 제2 전극은 제2 노드(N2)에 연결된 제1 커패시터(C1)로 이루어진다. 상기 제1 방전부(355)는 게이트 전극이 상기 제2 입력단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결되며, 소오스 전극에 상기 접지전압(VSS)이 제공되는 제4 트랜지스터(NT4)로 이루어진다.The buffer unit 353 includes a third transistor NT3 having a gate and a drain electrode commonly connected to the first input terminal IN1, and a source electrode connected to the first node N1. The first charging unit 354 includes a first capacitor C1 having a first electrode connected to the first node N1 and a second electrode connected to the second node N2. In the first discharge unit 355, a gate electrode is connected to the second input terminal IN2, a drain electrode is connected to the first node N1, and the ground voltage VSS is provided to a source electrode. 4th transistor NT4.
상기 n-1 번째 스테이지(SRCn-1)의 출력신호에 응답하여 상기 제3 트랜지스터(NT3)가 턴온되면, n-1 번째 스테이지(SRCn-1)의 출력신호는 상기 제1 커패시터(C1)에 충전된다. 상기 제1 커패시터(C1)에 상기 제1 트랜지스터(NT1)의 문턱전압 이상의 전하가 충전되면, 상기 제1 트랜지스터(NT1)가 부트스트랩(BOOTSTRAP)되어 상기 제1 클럭단자(CK1)로 제공되는 제1 클럭(CKV, 도 1에 도시됨)을 상기 출력단자(OUTn)로 출력한다.When the third transistor NT3 is turned on in response to the output signal of the n-1 th stage SRCn-1, the output signal of the n-1 th stage SRCn-1 is supplied to the first capacitor C1. Is charged. When the first capacitor C1 is charged with a charge higher than or equal to the threshold voltage of the first transistor NT1, the first transistor NT1 is bootstraped and provided to the first clock terminal CK1. One clock (CKV, shown in FIG. 1) is output to the output terminal OUTn.
이후, n+1 번째 스테이지(SRCn+1)의 출력신호(OUTn+1)에 응답하여 상기 제4 트랜지스터(NT4)가 턴온되면, 상기 제1 커패시터(C1)에 충전된 전하는 상기 접지전압(VSS)으로 방전된다.Subsequently, when the fourth transistor NT4 is turned on in response to the output signal OUTn + 1 of the n + 1th stage SRCn + 1, the charge charged in the first capacitor C1 is changed to the ground voltage VSS. Discharged).
상기 n번째 스테이지는 상기 출력신호(OUTn)를 상기 접지전압(VSS) 상태로 홀딩시키는 홀딩부(356) 및 상기 홀딩부(356)의 구동을 제어하는 스위칭부(357)를 더 포함한다.The n-th stage further includes a holding part 356 for holding the output signal OUTn to the ground voltage VSS and a switching part 357 for controlling the driving of the holding part 356.
상기 홀딩부(356)는 제5 및 제6 트랜지스터(NT5, NT6)로 이루어진다. 상기 제5 트랜지스터(NT5)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 드레인 전극은 상기 제2 노드(N2)에 연결되며, 소오스 전극에는 상기 접지전압(VSS)이 제공된다. 상기 제6 트랜지스터(NT6)의 게이트 전극은 제2 클럭단자(CK1)에 연결되고, 드레인 전극은 상기 제2 노드(N2)에 연결되며, 소오스 전극에는 상기 접지전압(VSS)이 제공된다.The holding part 356 includes fifth and sixth transistors NT5 and NT6. The gate electrode of the fifth transistor NT5 is connected to the third node N3, the drain electrode is connected to the second node N2, and the source electrode is provided with the ground voltage VSS. The gate electrode of the sixth transistor NT6 is connected to the second clock terminal CK1, the drain electrode is connected to the second node N2, and the source electrode is provided with the ground voltage VSS.
상기 스위칭부(357)는 제2 충전부 및 제2 방전부를 포함한다. 상기 제2 충전부는 병렬 연결된 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)로 이루어진다. 상기 제2 및 제3 커패시터(C2)의 제1 전극(EL1, EL3)은 상기 제1 클럭단자(CK1)에 연결되고, 제2 전극(EL2, EL4)은 상기 제3 노드(N3)에 연결된다.The switching unit 357 includes a second charging unit and a second discharge unit. The second charging unit includes second and third capacitors C2 and C3 connected in parallel. First electrodes EL1 and EL3 of the second and third capacitors C2 are connected to the first clock terminal CK1, and second electrodes EL2 and EL4 are connected to the third node N3. do.
상기 제2 방전부는 게이트 전극이 상기 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 전극이 상기 제3 노드(N3)에 연결되며, 소오스 전극에 상기 접지전압(VSS)이 제공되는 제7 트랜지스터(NT7)로 이루어진다.The seventh transistor NT7 having the gate electrode connected to the second node N2, the drain electrode connected to the third node N3, and the ground voltage VSS provided to a source electrode of the second discharge part. )
상기 제1 클럭단자(CK1)로 제공되는 상기 제1 클럭(CKV)에 의해서 상기 제2 커패시터(C2)에 전하가 충전된 상태에서 상기 출력단자(OUTn)로 상기 제1 클럭(CKV)이 출력되면, 제2 노드(N2)의 전위를 하이 상태로 상승된다. 상기 제2 노드(N2)의 전위가 상승됨에 따라서, 상기 제7 트랜지스터(NT7)가 턴온되고, 상기 제2 커패시터(C2)에 충전된 전하는 상기 제7 트랜지스터(NT7)에 의해서 상기 접지전압(VSS)으로 방전된다. 따라서, 상기 제3 노드(N3)의 전위는 로우 상태로 유지되어 상기 제5 트랜지스터(NT5)는 턴오프 상태를 유지한다.The first clock CKV is output to the output terminal OUTn in a state where charge is charged in the second capacitor C2 by the first clock CKV provided to the first clock terminal CK1. The potential of the second node N2 is raised to a high state. As the potential of the second node N2 rises, the seventh transistor NT7 is turned on and the charge charged in the second capacitor C2 is charged by the seventh transistor NT7 to the ground voltage VSS. Discharged). Accordingly, the potential of the third node N3 is kept low and the fifth transistor NT5 is kept turned off.
이후, 상기 출력단자(OUTn)의 출력신호가 n+1번째 스테이지(SRCn+1)의 출력신호(OUTn+1)에 의해서 상기 접지전압(VSS)으로 방전되면, 상기 제2 노드(N2)의 전위는 로우 상태로 점차 하락한다. 따라서, 상기 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)에 충전된 전하는 상기 접지전압(VSS)으로 방전되지 못하여 상기 제3 노드(N3)의 전위는 점차 상승한다. 상기 제3 노드(N3)의 전위가 상승함에 따라서, 상기 제5 트랜지스터(NT5)가 턴온되고, 상기 제2 노드(N2)의 전위는 상기 제5 트랜지스터(NT5)를 거쳐 상기 접지전압(VSS)으로 다운된다.Thereafter, when the output signal of the output terminal OUTn is discharged to the ground voltage VSS by the output signal OUTn + 1 of the n + 1th stage SRCn + 1, the second node N2 The potential gradually falls to the low state. Therefore, the charges charged in the second and third capacitors C2 and C3 are not discharged to the ground voltage VSS, so that the potential of the third node N3 gradually increases. As the potential of the third node N3 rises, the fifth transistor NT5 is turned on, and the potential of the second node N2 passes through the fifth transistor NT5 to the ground voltage VSS. Down.
이런 상태에서, 상기 제2 클럭단자(CK2)로 제공되는 상기 제2 클럭(CKVB)에 의해서 상기 제6 트랜지스터(NT6)가 턴-온되면, 상기 제2 노드(N2)의 전위는 상기 접지전압(VSS)으로 확실하게 방전된다. 즉, 상기 제5 및 제6 트랜지스터(NT5, NT6)는 상기 제2 노드(N2)의 전위를 상기 접지전압(VSS) 상태로 홀딩시킨다. 상기 제2 커패시터(C2)와 상기 제7 트랜지스터(NT7)는 상기 제5 트랜지스터(NT5)가 턴온되는 시점을 결정한다.In this state, when the sixth transistor NT6 is turned on by the second clock CKVB provided to the second clock terminal CK2, the potential of the second node N2 is set to the ground voltage. It is surely discharged to (VSS). That is, the fifth and sixth transistors NT5 and NT6 hold the potential of the second node N2 in the ground voltage VSS state. The second capacitor C2 and the seventh transistor NT7 determine a time point at which the fifth transistor NT5 is turned on.
여기서, 상기 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)는 상기 제3 노드(N3)의 전위와 상기 접지전압(VSS)과의 전위차가 상기 제5 트랜지스터(NT5)의 문턱전압(Vgs) 이상이 되도록 상기 제3 노드(N3)의 전위를 상승시킬 수 있는 크기를 가진다.The second and third capacitors C2 and C3 may have a potential difference between the potential of the third node N3 and the ground voltage VSS greater than or equal to the threshold voltage Vgs of the fifth transistor NT5. The potential of the third node N3 may be increased to increase the potential of the third node N3.
따라서, 상기 제2 및 제3 커패시터(C2) 각각에 충전된 전하의 합 만큼 상기 제3 노드(N3)의 전위가 상승하고, 상기 제3 노드의 전위(N3)와 상기 접지전압(VSS)과의 전위차가 상기 제5 트랜지스터(NT5)의 문턱전압(Vgs) 이상이 될 때, 상기 제5 트랜지스터(NT5)가 턴온된다.Therefore, the potential of the third node N3 increases by the sum of the charges charged in each of the second and third capacitors C2, and the potential N3 of the third node and the ground voltage VSS When the potential difference of is greater than or equal to the threshold voltage Vgs of the fifth transistor NT5, the fifth transistor NT5 is turned on.
여기서, 'V(N3)'는 상기 제3 노드(N3)의 전위이고, 'Ctotal'은 상기 제3 노드에 연결되는 모든 커패시턴스이고, 'Vck'는 상기 제1 클럭(CKV)의 전위를 나타낸다.Here, 'V (N3)' is a potential of the third node N3, 'Ctotal' is all capacitance connected to the third node, and 'Vck' represents a potential of the first clock CKV. .
수학식 1에 따르면, 상기 제3 노드(N3)의 전위는 상기 제1 클럭(CKV)의 전위(Vck)에 상기 제3 노드(N3)에 연결되는 모든 커패시턴스(Ctotal)와 제2 커패시턴스(C2)와 제3 커패시턴스(C3)의 합의 비를 곱한 값으로 정의된다.According to Equation 1, potentials of the third node N3 are all capacitances Ctotal and second capacitances C2 connected to the third node N3 at the potential Vck of the first clock CKV. ) Is multiplied by the ratio of the sum of the third capacitance C3.
상기 n번째 스테이지(SRCn)는 리플 방지부(358) 및 제3 방전부(359)를 더 포함한다. The n-th stage SRCn further includes a ripple prevention unit 358 and a third discharge unit 359.
상기 리플 방지부(358)는 제8 및 제9 트랜지스터(NT8, NT9)로 이루어진다. 상기 제8 트랜지스터(NT8)의 게이트 전극은 제1 클럭단자(CK1)에 연결되고, 드레인 전극은 상기 제9 트렌지스터(NT9)의 소오스 전극에 연결되며, 소오스 전극은 제2 노드(N2)에 연결된다. 상기 제9 트랜지스터(NT9)의 게이트 전극은 제2 클럭단자(CK2)에 연결되고, 드레인 전극은 제1 입력단자(IN2)에 연결되며, 소오스 전극은 상기 제8 트랜지스터(NT8)의 드레인 전극에 연결된다.The ripple prevention unit 358 includes eighth and ninth transistors NT8 and NT9. The gate electrode of the eighth transistor NT8 is connected to the first clock terminal CK1, the drain electrode is connected to the source electrode of the ninth transistor NT9, and the source electrode is connected to the second node N2. do. The gate electrode of the ninth transistor NT9 is connected to the second clock terminal CK2, the drain electrode is connected to the first input terminal IN2, and the source electrode is connected to the drain electrode of the eighth transistor NT8. Connected.
상기 제8 트랜지스터(NT8)는 상기 제1 클럭단자(CK1)로 제공되는 제1 클럭(CKV)에 의해서 턴온된 상태에서 상기 출력단자(OUTn)가 방전되기 시작하면, 상기 제1 노드(N1)에 걸리는 전위는 상기 제8 트랜지스터(NT8)를 거쳐 상기 출력단자(OUTn)를 통해 방전된다. 또한, 상기 제9 트랜지스터(NT9)가 상기 제2 클럭단자(CK2)로 제공되는 제2 클럭(CKVB)에 의해서 턴온되면, 상기 제1 노드(N2)에 걸리는 전위는 상기 제9 트랜지스터(NT9)를 거쳐 상기 제1 입력단자(IN1)를 통해 방전된다.When the output terminal OUTn starts to be discharged while the eighth transistor NT8 is turned on by the first clock CKV provided to the first clock terminal CK1, the first node N1 is discharged. Is applied to the discharge terminal through the output terminal OUTn through the eighth transistor NT8. In addition, when the ninth transistor NT9 is turned on by the second clock CKVB provided to the second clock terminal CK2, the potential applied to the first node N2 is set to the ninth transistor NT9. Through the first input terminal IN1 is discharged through.
따라서, 상기 리플 방지부(358)는 상기 출력단자(OUTn)에 상기 접지전압(VSS)으로 방전된 이후에, 상기 제1 클럭(CK1)이 하이 상태로 상승되면 상기 제8 트랜지스터(NT8)를 통해 상기 제1 노드(N1)의 전위를 상기 접지전압(VSS)으로 유지시킨다. 또한, 상기 제1 클럭(CK1)이 로우 상태로 하강하면 상기 제9 트랜지스터(NT9)를 통해 상기 제1 노드(N1)의 전위를 상기 접지전압(VSS)으로 유지시킨다. 이처럼, 상기 출력신호가 로우 상태로 전환된 이후에도 상기 제1 노드(N1)의 전위가 상기 접지전압(VSS) 상태로 유지됨으로써, 상기 제1 및 제2 클럭(CK1, CK2)의 상태 변화에 의해서 상기 출력신호가 리플(ripple)되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the ripple prevention unit 358 may discharge the eighth transistor NT8 when the first clock CK1 rises to a high state after the output terminal OUTn is discharged to the ground voltage VSS. The potential of the first node N1 is maintained at the ground voltage VSS. In addition, when the first clock CK1 falls to the low state, the potential of the first node N1 is maintained at the ground voltage VSS through the ninth transistor NT9. As such, even after the output signal is switched to the low state, the potential of the first node N1 is maintained at the ground voltage VSS state, thereby changing the state of the first and second clocks CK1 and CK2. Ripple of the output signal can be prevented.
상기 n번째 스테이지(SRCn)가 표시영역(DA)에 구비되는 n번째 게이트 라인(GLn)의 제1 단에 연결된다면, 상기 제3 방전부(359)는 상기 제1 단과 마주하는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)의 제2 단에 연결된다. 상기 표시영역(DA)에서 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에는 m개의 저항(R1 ~ Rm)과 액정 커패시터(Clc1 ~ Clcm)가 연결된다.If the n-th stage SRCn is connected to the first end of the n-th gate line GLn provided in the display area DA, the third discharge part 359 may have the n-th gate facing the first end. It is connected to the second end of the line GLn. In the display area DA, m resistors R1 to Rm and liquid crystal capacitors Clc1 to Clcm are connected to the nth gate line GLn.
상기 제3 방전부(359)는 게이트 전극이 제2 입력단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 출력단자(OUTn)에 연결되며, 소오스 전극에 상기 접지전압(VSS)이 제공되는 제10 트랜지스터(NT10)로 이루어진다.The third discharge part 359 has a tenth transistor having a gate electrode connected to a second input terminal IN2, a drain electrode connected to an output terminal OUTn, and the ground voltage VSS provided to a source electrode. It consists of NT10.
상기 제2 입력단자(IN2)로 상기 n+1번째 스테이지(SRCn+1)의 출력신호가 제공되면, 상기 제10 트랜지스터(NT10)가 턴온되어 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가된 출력신호를 상기 접지전압(VSS)으로 방전시킨다.When the output signal of the n + 1th stage SRCn + 1 is provided to the second input terminal IN2, the output signal applied to the nth gate line GLn is turned on by the tenth transistor NT10. Is discharged to the ground voltage VSS.
도 4는 도 3에 도시된 제2 충전부 및 표시영역을 구체적으로 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating in detail the second charging unit and the display area illustrated in FIG. 3.
도 4를 참조하면, 표시영역(DA)에 대응하여 제1 기판(100) 상에는 TFT(110) 및 상기 TFT(110)에 전기적으로 연결된 화소전극(130)이 구비된다. 제1 주변영역(PA)에 대응하여 상기 제1 기판(100) 상에는 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)가 구비된다.Referring to FIG. 4, a TFT 110 and a pixel electrode 130 electrically connected to the TFT 110 are provided on the first substrate 100 corresponding to the display area DA. Second and third capacitors C2 and C3 are provided on the first substrate 100 to correspond to the first peripheral area PA.
먼저, 상기 제1 기판(100) 상에는 상기 TFT(110)의 게이트 전극(111) 및 상기 제2 커패시터(C2)의 제1 전극인 제1 도전막(115)이 형성된다. 이후, 게이트 절연막(112)은 상기 게이트 전극(111) 및 상기 제1 도전막(115)이 형성된 상기 제1 기판(100) 상에 적층된다. 여기서, 상기 게이트 절연막(112)의 두께는 약 4500Å이다.First, a first conductive layer 115 that is a first electrode of the gate electrode 111 and the second capacitor C2 of the TFT 110 is formed on the first substrate 100. Thereafter, the gate insulating layer 112 is stacked on the first substrate 100 on which the gate electrode 111 and the first conductive layer 115 are formed. Here, the thickness of the gate insulating film 112 is about 4500 kPa.
상기 표시영역(DA)에 대응하여 상기 게이트 절연막(112) 위로는 상기 TFT(110)의 소오스 및 드레인 전극(113, 114)이 형성된다. 이와 동시에, 상기 제1 주변영역(PA)에 대응하여 상기 게이트 절연막(112) 상에는 상기 제1 도전막(115)과 마주하고 상기 제2 커패시터(C2)의 제2 전극이면서 상기 제3 커패시터(C2)의 제1 전극인 제2 도전막(116)이 형성된다. 이로써, 상기 제1 기판(100) 상에는 상기 TFT(111) 및 제2 커패시터(C2)가 완성된다.Source and drain electrodes 113 and 114 of the TFT 110 are formed on the gate insulating layer 112 to correspond to the display area DA. At the same time, the third capacitor C2 is a second electrode of the second capacitor C2 facing the first conductive layer 115 on the gate insulating layer 112 corresponding to the first peripheral area PA. The second conductive film 116, which is the first electrode of the (), is formed. As a result, the TFT 111 and the second capacitor C2 are completed on the first substrate 100.
다음, 상기 TFT(111) 및 제2 커패시터(C2) 상에는 보호막(120)이 형성된다. 이후, 상기 보호막(120) 및 게이트 절연막(112)을 패터닝하여 상기 제1 도전막(115) 및 상기 드레인 전극(114)을 노출시킨다. 여기서, 상기 보호막(120)의 두께는 약 2000Å으로, 상기 게이트 절연막(112)의 두께보다 얇다.Next, a passivation layer 120 is formed on the TFT 111 and the second capacitor C2. Thereafter, the passivation layer 120 and the gate insulating layer 112 are patterned to expose the first conductive layer 115 and the drain electrode 114. Here, the thickness of the passivation layer 120 is about 2000 kPa, which is thinner than the thickness of the gate insulating layer 112.
상기 표시영역(DA)에 대응하여 상기 보호막(120) 및 노출된 드레인 전극(112) 상에는 인듐 징크 옥사이드(Incium Zinc Oxide; IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)로 이루어진 화소전극(130)이 형성된다. 이와 동시에, 상기 제1 주변영역(PA)에 대응하여 노출된 상기 제1 도전막(115) 및 상기 보호막(120) 상에는 제3 도전막(117)이 형성된다.The pixel electrode 130 is formed of indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO) on the passivation layer 120 and the exposed drain electrode 112 corresponding to the display area DA. ) Is formed. At the same time, a third conductive layer 117 is formed on the first conductive layer 115 and the passivation layer 120 exposed to the first peripheral area PA.
상기 제3 도전막(117)은 상기 제3 커패시터(C3)의 제2 전극으로, 상기 제2 도전막(116)과 마주하여 상기 제3 커패시터(C3)를 형성한다. 또한, 상기 제3 도전막(117)은 상기 제1 도전막(115)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)는 서로 병렬 연결된다.The third conductive layer 117 is a second electrode of the third capacitor C3 and faces the second conductive layer 116 to form the third capacitor C3. In addition, the third conductive layer 117 is electrically connected to the first conductive layer 115. Thus, the second and third capacitors C2 and C3 are connected in parallel with each other.
상기 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)의 합성 용량(Ct)은 수학식 2와 같이 정의된다.The combined capacitance Ct of the second and third capacitors C2 and C3 is defined as in Equation 2.
여기서, '4.5d'는 상기 제2 커패시터(C2)를 형성하는 상기 제1 도전막(115)과 제2 도전막(116)과의 제1 이격 거리이고, '2d'는 상기 제3 커패시터(C3)를 형성하는 상기 제2 도전막(116)과 제3 도전막(117)의 제2 이격 거리이다. 또한, 'A' 상기 제1 내지 제3 도전막(115, 116, 117)의 면적이다.Here, '4.5d' is a first separation distance between the first conductive layer 115 and the second conductive layer 116 forming the second capacitor C2, and '2d' is the third capacitor ( It is a second separation distance between the second conductive film 116 and the third conductive film 117 forming C3). Also, 'A' is the area of the first to third conductive films 115, 116, and 117.
수학식 2에 따르면, 상기 합성 용량(Ct)은 약 '0.72A'이고, 상기 제2 커패시턴스(C2)는 약 '0.22A'이며, 상기 제3 커패시턴스(C3)는 약 '0.5A'이다. 상기 합성 용량(Ct)은 상기 제2 커패시턴스(C2)보다 약 3.25배, 상기 제3 커패시턴스(C3)보다 약 1.43배 정도 큰 것으로 나타난다.According to Equation 2, the combined capacitance Ct is about '0.72A', the second capacitance C2 is about '0.22A', and the third capacitance C3 is about '0.5A'. The synthesized capacitance Ct is about 3.25 times larger than the second capacitance C2 and about 1.43 times larger than the third capacitance C3.
즉, 상기 제2 충전부가 상기 제2 또는 제3 커패시터(C2, C3)만으로 이루어질 때의 커패시턴스보다, 병렬 연결된 제2 및 제3 커패시터(C2, C3)로 이루어질 때의 합성용량(Ct)이 더 크다. That is, the composite capacitance Ct when the second charging unit is formed of the second and third capacitors C2 and C3 connected in parallel is greater than the capacitance when the second charging unit is composed of only the second or third capacitors C2 and C3. Big.
또한, 상기 제1 및 제2 이격 거리(4.5d, 2d)가 일정한 수치로 정해진 상태에서 제1 내지 제3 도전막(115, 116, 117)의 면적(A)을 소정의 수치까지 감소시키더라도, 상기 제2 충전부는 상기 제2 또는 제3 커패시턴스(C2, C3)와 동일한 상기 합성용량(Ct)을 가질 수 있다.Further, even when the first and second separation distances 4.5d and 2d are set to a constant value, even if the area A of the first to third conductive films 115, 116 and 117 is reduced to a predetermined value. The second charging unit may have the same combined capacitance Ct as the second or third capacitance C2 and C3.
이로써, 상기 제2 충전부가 차지하는 면적을 감소시킬 수 있고, 그로 인해서 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있다.As a result, the area occupied by the second charging unit can be reduced, thereby reducing the overall size of the display device.
이와 같은 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치에 따르면, 홀딩부는 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어져 제1 클럭을 충전하는 제1 충전부와 제1 클럭과 위상이 다른 제2 클럭에 응답하여 제1 충전부에 충전된 전하를 방전시키는 제1 방전부에 의해서 제어된다.According to such a gate driving circuit and a display device having the same, the holding part includes two or more capacitors connected in parallel to the first charging part in response to a second clock that is out of phase with the first clock to charge the first clock. It is controlled by the first discharge portion which discharges the charged charge.
따라서, 홀딩부는 게이트 라인으로 제공되는 출력신호를 풀다운 상태에서 안정화시킬 수 있고, 그로 인해서 게이트 구동회로가 오동작 하는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the holding part can stabilize the output signal provided to the gate line in the pull-down state, thereby preventing the gate driving circuit from malfunctioning.
또한, 제1 충전부가 병렬 연결된 두 개 이상의 커패시터로 이루어짐으로써 상기 게이트 구동회로에서 커패시터들이 차지하는 면적이 감소되고, 그로 인해서 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시킬 수 있다.In addition, since the first charging unit includes two or more capacitors connected in parallel, the area occupied by the capacitors in the gate driving circuit is reduced, thereby reducing the overall size of the display device.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating the gate driving circuit shown in FIG. 1 in detail.
도 3은 도 2에 도시된 n번째 스테이지를 나타낸 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an nth stage illustrated in FIG. 2.
도 4는 도 3에 도시된 제2 충전부를 구체적으로 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating in detail the second charging unit illustrated in FIG. 3.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 하부기판 200 : 상부기판100: lower substrate 200: upper substrate
300 : 액정표시패널 351 : 풀업부300: liquid crystal display panel 351: pull-up part
352 : 풀다운부 353 : 버퍼부352: pull-down section 353: buffer section
354 : 제1 충전부 355 : 제1 방전부354: First charging unit 355: First discharge unit
356 : 홀딩부 357 : 스위칭부356: holding unit 357: switching unit
500 : 표시장치500 display device
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