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KR20050032696A - Biaxial oriented polyethylene naphthalate film - Google Patents

Biaxial oriented polyethylene naphthalate film Download PDF

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KR20050032696A
KR20050032696A KR1020030068618A KR20030068618A KR20050032696A KR 20050032696 A KR20050032696 A KR 20050032696A KR 1020030068618 A KR1020030068618 A KR 1020030068618A KR 20030068618 A KR20030068618 A KR 20030068618A KR 20050032696 A KR20050032696 A KR 20050032696A
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KR
South Korea
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film
polyethylene naphthalate
circuit board
naphthalate film
present
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020030068618A
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Korean (ko)
Inventor
한준희
백형준
박상현
전영기
김용원
Original Assignee
에스케이씨 주식회사
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Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이씨 주식회사 filed Critical 에스케이씨 주식회사
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Abstract

본 발명은 내열성, 치수안정성, 가공 안정성 등이 우수한 회로기판 마스킹용 폴리에틸렌나프탈레이트 필름에 관한 것으로, 고온 및 가혹한 조건하에서 장시간 사용되어도 기계적 성질 및 치수안정성이 우수하고, 회로기판에 레이저가공 등을 수행하여도 변형이 적어 다층회로기판의 제작이 용이한 이축배향 폴리에스테르 필름을 제공한다. 상기 필름은 두께방향굴절률이 1.49 내지 1.54이고, 150℃에서 30분간의 열수축률이 -1 내지 1%, 180℃에서 1분간의 열수축률이 -2 내지 2%, 결정화도가 30% 내지 60%인 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a polyethylene naphthalate film for masking circuit boards having excellent heat resistance, dimensional stability, processing stability, etc., which has excellent mechanical properties and dimensional stability even when used for a long time under high temperature and harsh conditions, and performs laser processing on circuit boards. The present invention also provides a biaxially oriented polyester film which is less deformed and is easy to manufacture a multilayer circuit board. The film has a refractive index of 1.49 to 1.54 in thickness direction, a heat shrinkage of -1 to 1% for 30 minutes at 150 ° C, a heat shrinkage of -2 to 2% for 1 minute at 180 ° C, and a crystallinity of 30% to 60%. It is characterized by.

Description

이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름 {Biaxial oriented polyethylene naphthalate film}Biaxial Oriented Polyethylene Naphthalate Film

본 발명은 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름에 관한 것으로서, 구체적으로는 고온 및 가혹한 조건하에서 장시간 사용되어도 기계적 성질 및 치수안정성이 우수하고, 레이저가공 등을 수행하여도 변형이 적어 다층회로기판의 제작이 용이한 이축배향 폴리에스테르 필름을 제공한다The present invention relates to a biaxially oriented polyethylene naphthalate film, specifically, excellent mechanical properties and dimensional stability even when used for a long time under high temperature and harsh conditions, easy to manufacture a multilayer circuit board with less deformation even when laser processing or the like Provide one biaxially oriented polyester film.

일반적으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름으로 대표되는 포화 선상 폴리에스테르 필름은 우수한 역학특성, 내열성, 내후성, 전기절연성, 내약품성 등을 가지고 있으므로 포장용도, 사진용도, 콘덴서, 전기 절연 용도, 자기테이프 등의 폭 넓은 분야에서 많이 사용되고 있다. 특히 내열성과 함께 고온에서의 치수 안정성이 대단히 우수하므로 유연성 인쇄배선(Flexible Printed Circuit), 유연성 플랫 케이블(Flexible Flat Cable), 멤브레인 터치 스위치(Membrane Touch Switch), 콘덴서, 내열성 점착테이프, 변압기나 모터 등의 전기절연재료 및 전자부품의 가공공정 등의 캐리어 테이프 등 공업용 필름으로 이용이 점차 증가하고 있다. Saturated linear polyester film, generally represented by polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate film, has excellent mechanical properties, heat resistance, weather resistance, electrical insulation, chemical resistance, etc., so it is suitable for packaging, photography, condenser, electrical insulation, magnetic tape It is widely used in a wide range of fields. In particular, it has excellent heat resistance and dimensional stability at high temperature, so it is flexible printed circuit, flexible flat cable, membrane touch switch, condenser, heat resistant adhesive tape, transformer or motor, etc. Increasingly, industrial films, such as carrier tapes for electrical insulating materials and electronic component processing processes, are increasingly being used.

지금까지 전기전자 분야에 적합한 폴리에틸렌나프탈레이트 필름을 제공하기 위해서 많은 연구자들에 의해 연구가 진행되어 왔으며, 그 결과로 다수의 제안들이 나와 있다.Until now, research has been conducted by many researchers to provide a polyethylene naphthalate film suitable for the field of electric and electronic, and as a result, a number of proposals have been made.

한편 전자부품의 핵심 소재인 회로기판은 전자기기의 경박 단소화, 특히 휴대전화 PDA 등의 3차원 실장기술의 발전, IC카드 보급의 확대, 회로기판에 직접 칩을 실장하는 등 점점 크기가 작아지고 있다.On the other hand, circuit boards, which are the core materials of electronic components, are getting smaller and smaller, such as the shortening and thinning of electronic devices, especially the development of three-dimensional mounting technologies such as mobile phone PDAs, the expansion of IC cards, and the direct mounting of chips on circuit boards. have.

이에 따라 반도체 칩의 크기도 작아지고 반도체칩을 실장하는 회로기판 자체도 얇아짐과 동시에 다층으로의 설계가 이루어지고 있다. 예를 들면 폴리이미드 필름의 표면에 동박으로 회로를 형성하고, 그 회로에 따라 부품이 실장되는데 복수층으로 설계함으로써 장치의 컴팩트화가 이루어질 수 있게 되었다. 이와 같이 복수층으로 설계된 회로기판의 경우에 당연히 상하 층간에 회로 연결이 필요하다. 이 연결은 내부를 관통하는 홀을 드릴 등을 이용하여 천공한 후 상기 홀의 내부를 도전성 물질로 채워줌으로써 손쉽게 이루어 질 수 있다. 이와 같이 회로기판에 도전성 물질로 채울 때 필요한 부분에만 채워질 수 있도록 마스킹이 필요하고, 마스킹 필름은 회로기판에 천공을 하기 전에 커버되어야 한다.As a result, the size of the semiconductor chip is also reduced, the circuit board itself on which the semiconductor chip is mounted is also thinned, and a multilayered design is made. For example, a circuit is formed on the surface of a polyimide film with copper foil, and the component is mounted according to the circuit, but it can be made compact by designing in multiple layers. As described above, in the case of a circuit board designed with a plurality of layers, a circuit connection is required between the upper and lower layers. This connection can be easily made by drilling a hole penetrating the inside using a drill or the like and filling the inside of the hole with a conductive material. As such, masking is required so that the circuit board can be filled only with the necessary portions when the circuit board is filled with a conductive material.

최근에는 전자제품의 소형 정밀화와 더불어 상하 연결 홀의 크기도 작아지고 분진의 발생 등이 적은 레이저 천공을 실시하는 것이 주류이다.In recent years, along with the miniaturization of electronic products, laser drilling is mainly performed to reduce the size of vertical connection holes and to reduce dust generation.

폴리이미드 필름과 같은 내열성 회로기판에 천공을 하기 위하여 레이저는 국소부에 매우 높은 열을 발생시키게 되는데, 천공 부위 주변에 변형이 생기지 않는 것이 중요하다. 따라서 마스킹 필름으로 폴리이미드 필름과 같은 내열성 소재를 사용하기도 하나, 이는 고가이기 때문에 생산 비용 측면에서 바람직하지 못하다. 그러나 일반적인 내열성이 부족한 필름을 사용하게 되면 레이저 천공시에 발생되는 열에 의해 필름이 수축을 하거나, 천공 부위의 주변에 용융 덩어리를 형성하여 마스킹 밀착이 손상되어 도전성 물질 충진시 필요없는 부위까지 도전성 물질이 공급되는 등 치명적인 손실을 가져올 우려가 있다.In order to puncture a heat resistant circuit board such as a polyimide film, the laser generates very high heat in the local area, and it is important that there is no deformation around the puncture site. Therefore, although a heat resistant material such as a polyimide film is used as the masking film, it is not preferable in terms of production cost because it is expensive. However, when the film lacking general heat resistance is used, the film shrinks due to heat generated during laser drilling, or molten lumps are formed around the perforation to damage masking adhesion, and thus the conductive material is not needed to fill the conductive material. It may cause fatal losses such as supply.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 내열성, 치수안정성, 가공 안정성 등이 개선된 이축배향 폴리에스테르 필름을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a biaxially oriented polyester film with improved heat resistance, dimensional stability, processing stability and the like.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above technical problem,

두께방향굴절률이 1.49 내지 1.54이고, 150℃에서 30분간의 열수축률이 -1 내지 1%이며, 180℃에서 1분간의 열수축률이 -2 내지 2%이고, 결정화도가 30% 내지 60%인 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름을 제공한다.Biaxial with a thickness direction refractive index of 1.49 to 1.54, thermal shrinkage of -1 to 1% at 150 ° C for 30 minutes, thermal shrinkage of 1 minute at 180 ° C to -2 to 2%, and crystallinity of 30% to 60% An oriented polyethylene naphthalate film is provided.

본 발명의 일실시예에 따르면 상기 이축 배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름은 회로기판 제조공정에서 유용하다.According to one embodiment of the present invention, the biaxially oriented polyethylene naphthalate film is useful in a circuit board manufacturing process.

본 발명을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 내열성, 치수안정성, 가공 안정성 등이 개선된 폴리에틸렌나프탈레이트 필름에 관한 것으로, 고온 및 가혹한 조건하에서 장시간 사용되어도 기계적 성질 및 치수안정성이 우수하고, 레이저가공 등을 수행하여도 변형이 적어 다층회로기판의 제작을 용이하게 할 수 있는 이축배향 폴리에스테르 필름에 관한 것이다. The present invention relates to a polyethylene naphthalate film with improved heat resistance, dimensional stability, processing stability, etc., which is excellent in mechanical properties and dimensional stability even when used for a long time under high temperature and harsh conditions, and is less deformed even when laser processing is performed. The present invention relates to a biaxially oriented polyester film that can easily manufacture a circuit board.

본 발명에서 사용되는 폴리에틸렌나프탈레이트는 에틸렌-2,6-나프탈레이트를 주된 반복단위로 하며, 다음과 같은 방법으로 제조된다.Polyethylene naphthalate used in the present invention is ethylene-2,6-naphthalate as the main repeating unit, it is produced by the following method.

디메틸-2,6-나프탈레이트와 에틸렌글리콜을 1 : 2의 몰비로 하고, 망간, 칼륨, 리튬, 칼슘, 마그네슘, 아연 등의 금속 성분을 포함하는 촉매를 투입하여 에스테르 교환반응을 시킨다. 상기 디메틸-2,6-나프탈레이트와 동일한 기능적 유도체로서, 디메틸-1,2-나프탈레이트, 디메틸-1,5-나프탈레이트, 디메틸-1,6-나프탈레이트, 디메틸-1,7-나프탈레이트, 디메틸-1,8-나프탈레이트, 디메틸-2,3-나프탈레이트, 디메틸-2,7-나프탈레이트 등이 사용될 수 있다.A dimethyl-2,6-naphthalate and ethylene glycol are used at a molar ratio of 1: 2, and a catalyst containing a metal component such as manganese, potassium, lithium, calcium, magnesium, and zinc is added to undergo a transesterification reaction. Functional derivatives similar to the above dimethyl-2,6-naphthalate include dimethyl-1,2-naphthalate, dimethyl-1,5-naphthalate, dimethyl-1,6-naphthalate, dimethyl-1,7-naphthalate , Dimethyl-1,8-naphthalate, dimethyl-2,3-naphthalate, dimethyl-2,7-naphthalate and the like can be used.

또한 상기 에틸렌글리콜 이외에 사용될 수 있는 디올류는 폴리에틸렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,4-시클로디메탄올 등이 있다.In addition, the diols that may be used in addition to the ethylene glycol are polyethylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,2-propylene glycol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 2,2-dimethyl-1, 3-propanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,4-cyclodimethanol, and the like .

상기 에스테르 교환반응을 종료한 후부터 축중합 반응을 시작하기 전에, 에틸렌글리콜에 분산시킨 안정제와 축중합 촉매를 투입하게 된다. 상기 안정제로는 트리메틸렌포스페이트 등의 포스페이트계를 투입할 수 있으며, 상기 촉매로는 티타늄, 게르마늄, 주석, 안티몬, 아연, 코발트, 망간, 칼슘 등의 금속성분을 포함하는 촉매를 투입할 수 있다.After the transesterification reaction is finished, the stabilizer and the polycondensation catalyst dispersed in ethylene glycol are added before the condensation polymerization reaction is started. As the stabilizer, a phosphate system such as trimethylene phosphate may be added, and as the catalyst, a catalyst containing a metal component such as titanium, germanium, tin, antimony, zinc, cobalt, manganese, or calcium may be added.

상기 축중합 반응은, 260℃ 내지 300℃의 온도에서 5 내지 0.1 Torr의 고진공 조건에서 진행시키며, 이렇게 하여 만들어진 폴리에틸렌나프탈레이트 수지의 극한점도는 0.5 이상이 바람직하다. The polycondensation reaction proceeds at a high vacuum condition of 5 to 0.1 Torr at a temperature of 260 ° C. to 300 ° C., and the intrinsic viscosity of the polyethylene naphthalate resin thus produced is preferably 0.5 or more.

필름의 취급성과 가공성을 위하여, 평균 입경 0.05 내지 5 미크론의 유기질 또는 무기질 미립자를 0.05 내지 0.5중량% 함유하는 것이 좋다. 이와 같은 미립자의 형태는 특별한 제한이 없으며 무정형, 판상, 구상 등이 모두 사용이 가능하다. 상기 미립자는 에틸렌글리콜에 완전히 분산시켜 축중합 반응 개시 전에 투입하는 것이 바람직하며, 습식 또는 건식 실리카, 콜로이달 실리카, 탄산칼슘 중 1종 또는 이들 미립자들 중에서 선택된 2종 이상을 병용해도 좋다. For the handleability and processability of the film, it is preferable to contain 0.05 to 0.5% by weight of organic or inorganic fine particles having an average particle diameter of 0.05 to 5 microns. The form of such fine particles is not particularly limited, and amorphous, plate, spherical, etc. can be used. It is preferable to disperse | distribute the said microparticles | fine-particles completely in ethylene glycol before starting a polycondensation reaction, and you may use together a 1 type of wet or dry silica, colloidal silica, calcium carbonate, or 2 or more types selected from these microparticles | fine-particles.

본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 폴리에틸렌나프탈레이트와 기타 폴리에스테르의 혼합물 또는 에틸렌나프탈레이트를 주요 구성 단위체로 하는 공중합물을 사용할 수 있다. Within the scope of not impairing the effects of the present invention, a mixture of polyethylene naphthalate and other polyesters or a copolymer having ethylene naphthalate as the main structural unit can be used.

본 발명에 따른 이축연신 폴리에틸렌나프탈레이트 필름은, 폴리에틸렌나프탈레이트를 통상의 용융압출법과 다이를 이용해서 성형하여 미연신 시트를 제조하고, 종방향과 횡방향으로 축차 또는 동시이축법으로 연신을 시킨 후 텐터에서 열처리하여 제조한다. In the biaxially stretched polyethylene naphthalate film according to the present invention, polyethylene naphthalate is molded using a conventional melt extrusion method and a die to prepare an unstretched sheet, and the tenter is stretched by a sequential or coaxial method in the longitudinal and transverse directions. It is prepared by heat treatment at.

상기 종방향 연신 온도는 폴리에틸렌나프탈레이트의 유리전이온도(Tg=123℃) 내지 유리전이온도보다 30℃ 높은 온도범위가 적당하며, 바람직하기로는 유리전이온도보다 10℃ 높은 온도 내지 유리전이온도보다 20℃ 높은 온도범위가 적당하다. 종방향 연신온도가 상기 범위보다 낮은 경우에는 시트에 백탁현상이 발생하고 파단이 심해지며 열수축률이 높아진다. 반면 상기 범위보다 높은 경우에는 연신롤에 점착이 심해져서 연신무늬가 발생하거나, 배향된 고분자 사슬의 이완현상으로 인해서 배향도가 떨어지며, 두께가 불균일해지는 등의 단점이 있다.The longitudinal stretching temperature is preferably in the temperature range of the glass transition temperature (T g = 123 ℃) to 30 ℃ higher than the glass transition temperature of polyethylene naphthalate, preferably 10 ℃ higher than the glass transition temperature to the glass transition temperature A high temperature range of 20 ° C is suitable. If the longitudinal stretching temperature is lower than the above range, turbidity occurs in the sheet, the fracture becomes more severe, and the heat shrinkage rate is increased. On the other hand, when it is higher than the above range, there is a disadvantage in that the stretching pattern is increased due to the adhesion of the stretching roll, or the orientation is lowered due to the relaxation phenomenon of the oriented polymer chain, and the thickness is uneven.

상기 종방향 연신비는 3.2배 내지 4.2배가 적당하며, 바람직하기로는 3.7배 내지 4.0배이다. 종방향 연신비가 3.2배 미만일 때는, 고분자 사슬의 배향이 불충분하여 필름의 강도, 내열성, 내구성 등이 떨어지게 된다. 종방향 연신비가 4.2배를 초과할 때는, 종방향 열수축률이 높아지고 디라미네이션이 심해지므로 좋지 않다. The longitudinal draw ratio is suitably 3.2 to 4.2 times, preferably 3.7 to 4.0 times. When the longitudinal draw ratio is less than 3.2 times, the orientation of the polymer chains is insufficient, resulting in poor strength, heat resistance and durability of the film. When the longitudinal stretching ratio exceeds 4.2 times, the longitudinal heat shrinkage rate increases and the delamination becomes severe, which is not good.

횡방향 연신 온도는 폴리에틸렌나프탈레이트의 유리전이온도 보다 10℃ 높은 온도 내지 유리전이온도보다 30℃ 높은 온도범위가 적당하다. 횡방향 연신온도가 상기 범위보다 낮은 경우에는 파단이 심해지고, 열수축률이 높아지며, 보잉이 증가하여 횡방향 물성편차가 심해진다. 상기 온도범위보다 높은 경우에는 고분자 사슬의 이완현상으로 인해서 배향도가 떨어지고, 횡방향의 두께가 불균일해지는 단점이 있다. The transverse stretching temperature is preferably in the range of 10 ° C higher than the glass transition temperature of polyethylene naphthalate to 30 ° C higher than the glass transition temperature. If the transverse stretching temperature is lower than the above range, the fracture is severe, the thermal contraction rate is increased, the bowing is increased, and the transverse physical deviation is increased. If the temperature is higher than the temperature range, the degree of orientation decreases due to the relaxation phenomenon of the polymer chain, and there is a disadvantage in that the thickness in the lateral direction becomes uneven.

횡방향 연신비는 3.6배 내지 4.3배가 적당하며, 바람직하기로는 3.9배 내지 4.1배가 적당하다. 횡방향 연신비가 3.6 배 미만일 때는, 종연신에서와 마찬가지로 고분자 사슬의 배향이 불충분하여 필름의 강도, 내열성, 내구성이 떨어지게 된다. 횡방향 연신비가 4.3배를 초과할 때는, 횡방향 열수축률이 높아지고 파단이 심해져서 공정이 불안정해지므로 좋지 않다.The transverse draw ratio is suitably 3.6 to 4.3 times, preferably 3.9 to 4.1 times. When the transverse stretching ratio is less than 3.6 times, the orientation of the polymer chains is insufficient as in the longitudinal stretching, resulting in poor strength, heat resistance and durability of the film. When the transverse draw ratio exceeds 4.3 times, the transverse heat shrinkage rate increases and the fracture becomes severe, which is not good because the process becomes unstable.

열처리 온도는 200℃ 내지 250℃가 적당하며, 바람직하기는 220℃ 내지 240℃ 이다. 열처리 온도가 200℃ 미만일 때는, 열처리 효과가 불충분하여 필름의 열수축률이 높아지게 되고, 250℃를 초과할 때는 필름의 결정화도 및 두께 편차가 증가하게 되므로 좋지 않다. The heat treatment temperature is suitably 200 ° C to 250 ° C, preferably 220 ° C to 240 ° C. When the heat treatment temperature is less than 200 ° C., the heat treatment effect is insufficient to increase the thermal shrinkage of the film, and when it exceeds 250 ° C., the crystallinity and thickness variation of the film increase, which is not good.

본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 필름에 각종 코팅, 코로나 방전 처리 등의 표면처리를 실시해도 좋다. You may give surface treatments, such as various coating and corona discharge treatment, to a film in the range which does not impair the effect of this invention.

본 발명에서 제공하는 회로기판 제조공정에서 바람직한 폴리에틸렌나프탈레이트 필름이란, 회로기판 제조공정에 있어서 마스킹 필름으로 사용되는 동안 변형이 적어 회로기판의 변형이나 파손의 발생을 최소로 하고, 천공성이 우수한 필름으로서, 두께방향 굴절률이 1.49 내지 1.54이고, 150℃에서 30분간의 열수축률이 -1 내지 1%, 180℃에서 1분간의 열수축률이 -2 내지 2%, 결정화도가 30 내지 60%인 2축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름을 지칭한다.Polyethylene naphthalate film, which is preferable in the circuit board manufacturing process provided by the present invention, is a film that is less deformed during use as a masking film in the circuit board manufacturing process, minimizes the deformation and breakage of the circuit board, and is excellent in perforation. , Biaxial orientation with a refractive index of 1.49 to 1.54 in thickness direction, a heat shrinkage of -1 to 1% at 150 ° C for 30 minutes, a heat shrinkage of -2 to 2% for 1 minute at 180 ° C, and a crystallinity of 30 to 60% Refers to polyethylene naphthalate film.

이와 같은 2축 배향 필름의 굴절률은 연신 배향 과정을 통하여 결정이 되는 수치로 배향의 정도를 가늠할 수 있는데, 두께방향의 굴절률이 1.49보다 작게 되면, 회로기판의 레이저 천공공정에서 필름자체의 변형이 쉽게 발생하여 바람직하지 않고, 1.54보다 크면, 강도, 신도, 내절강도, 유연성 등의 기계적 물성이 크게 저하되어 외부충격에 의하여 필름이 깨지거나 먼지의 발생가능성이 높아지게 된다. 상기 굴절률 값을 갖는 폴리에틸렌나프탈레이트 필름은 종방향과 횡방향의 연신온도, 연신배율 등의 제막조건을 발명의 범위 내에서 조절함으로써 얻을 수 있다.The refractive index of the biaxially oriented film is a numerical value determined through the stretching orientation process. When the refractive index in the thickness direction is smaller than 1.49, the film itself is easily deformed in the laser drilling process of the circuit board. If it is not desirable to occur, and greater than 1.54, mechanical properties such as strength, elongation, cut strength, flexibility, and the like are greatly reduced to increase the likelihood of breaking the film or generating dust due to external impact. The polyethylene naphthalate film which has the said refractive index value can be obtained by adjusting film forming conditions, such as extending | stretching temperature of a longitudinal direction and a lateral direction, a draw ratio, within the scope of invention.

본 발명에서 필름의 열수축률은, 150℃의 무하중 상태에서 30분간 방치한 후 종방향과 횡방향 각각에 대해서 -1 내지 1.0%, 바람직하게는 -0.7 내지 0.7%가 되도록 하는 것이 적당하다. 열수축률이 1.0%보다 크거나 -1.0%보다 작게되면 레이저 천공공정에서 회로기판과의 열변형률 차이에 의하여 회로기판의 변형이 발생될 수 있으므로 바람직하지 않다.In the present invention, the film's thermal contraction rate is preferably set to -1 to 1.0%, preferably -0.7 to 0.7%, in each of the longitudinal and transverse directions after being left for 30 minutes in a 150 ° C unloaded state. If the thermal shrinkage is greater than 1.0% or less than -1.0%, deformation of the circuit board may occur due to a difference in thermal strain from the circuit board in the laser drilling process.

또한 180℃, 1분에서의 열수축률이 -2 내지 2%이어야 되는데, 이는 고온에서의 열수축률이 크게 되면 필름이 순간적으로 몰려 용융 덩어리가 커지는 것을 방지하기 위함이다. 상기 용융 덩어리가 커지게 되면 계속되는 회로기판 작업중 덩어리가 이탈되어 불순물로 작용될 가능성이 높으며, 이 용융덩어리로 인하여 마스킹필름과 회로기판사이에 틈새가 벌어져 도전성물질의 충진시 해당틈새로 도전성 물질이 침입하여 회로에 치명적인 결함을 발생시킬 수 있다. 또한 180℃ 1분간 열수축률이 -2%보다 작게되면 마스킹 필름이 회로기판으로부터 박리되는 부분이 생기기 쉽다.In addition, the thermal contraction rate at 180 ° C. for 1 minute should be -2 to 2%. This is to prevent the film from momentarily flocking to increase the molten mass when the thermal contraction rate at high temperature is increased. When the molten mass becomes large, the mass is likely to be separated and act as an impurity during the subsequent work of the circuit board, and the molten mass opens a gap between the masking film and the circuit board to infiltrate the conductive material into the corresponding gap when filling the conductive material. This can cause fatal defects in the circuit. In addition, when the heat shrinkage rate is lower than −2% at 180 ° C. for 1 minute, a part where the masking film is separated from the circuit board is likely to occur.

또한 결정화도는 30 내지 60%가 적당한데, 바람직하기는 35 내지 57%이다. 만약 결정화가 이루어지지 않으면 필름의 열안정성이 부족되어 필름의 변형이 일어나기 쉽고 결정화도가 60% 이상 진행되면 충격에 대한 내성이 부족하여 공정상에서 깨지거나 부스러기가 발생될 가능성이 높아 회로기판 제조공정용 필름으로 바람직하지 않다.In addition, the crystallinity is preferably 30 to 60%, preferably 35 to 57%. If the crystallization is not made, the film's thermal stability is insufficient, and the film is easily deformed. If the crystallinity is more than 60%, the resistance to impact is insufficient, which is likely to cause breakage or debris in the process. Not preferred.

본 발명은 또한 상기 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름으로 제조된 테이프를 채용한 회로기판 가공 공정을 제공하는 바, 이와 같은 회로기판 가공 공정은 에칭 회로형성, 적층, 마스킹, 천공, 도전물 충진과 같은 단계로 이루어지며, 본 발명에 따른 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름으로 제조된 테이프를 채용할 경우, 천공공정에서 천공상태가 양호하여 이물질의 발생이 적고 도전물 충진시의 결함발생이 적은 장점을 가지므로 보다 유용하게 사용할 수 있다. The present invention also provides a circuit board processing process employing the tape made of the biaxially oriented polyethylene naphthalate film, such a circuit board processing process steps such as etching circuit formation, lamination, masking, punching, conductive material filling When the tape made of the biaxially oriented polyethylene naphthalate film according to the present invention is adopted, the punching state is good in the punching process, so that less foreign matters are generated and less defects occur when filling the conductive material. It can be useful.

이하, 본 발명을 실시예와 비교예를 들어 다시 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described again with reference to Examples and Comparative Examples.

본 발명의 실시예와 비교예에 있어서 여러가지 물성치 및 특성은 다음과 같은 방법으로 측정하였다.Various physical properties and properties in Examples and Comparative Examples of the present invention were measured by the following method.

1) 열수축률1) Thermal Shrinkage

길이가 200mm이고, 너비가 10mm인 필름을 무하중 상태로 150℃의 공기순환식 오븐에 넣고 30분 동안 열처리한다. 이 필름을 오븐에서 꺼내어 실온에서 2시간 방치한 후 길이변화를 측정한다. 열수축률은 다음 식으로 결정된다.The film having a length of 200 mm and a width of 10 mm was placed in an air circulating oven at 150 ° C. without a load and heat treated for 30 minutes. The film is taken out of the oven and left at room temperature for 2 hours to measure the change in length. The heat shrinkage rate is determined by the following equation.

[(Lo-L)/Lo] X 100[(L o -L) / L o ] X 100

(Lo: 열처리 전의 길이, L: 열처리 후의 길이)(L o : length before heat treatment, L: length after heat treatment)

또한 180℃에서 1분간의 열수축률도 열처리 온도와 시간을 제외하고 같은 방법으로 측정한다.In addition, the thermal contraction rate of 1 minute at 180 ℃ is also measured in the same manner except for the heat treatment temperature and time.

2) 굴절률2) refractive index

ABBE 굴절계와 나트륨 D선(589nm)을 광원으로 하여, 필름의 두께방향에 대해서 측정한다.The ABBE refractometer and sodium D-ray (589 nm) were used as a light source, and it measured about the thickness direction of a film.

3) 결정화도3) crystallinity

밀도 구배관을 이용하여 비중(d)을 측정한 후 다음의 식에 의하여 결정화도(Xc)를 계산한다.After measuring the specific gravity (d) using a density gradient tube, the crystallinity (X c ) is calculated by the following equation.

Xc = dc(d-da)/d(dc-da)X c = d c (dd a ) / d (d c -d a )

여기서 dc=1.407Where d c = 1.407

da=1.325d a = 1.325

4) 천공성평가4) Perforation Evaluation

회로기판에 마스킹 필름을 150℃, 15분, 5kg/cm2의 조건으로 라미네이트시킨후 CO2 가스 레이저로 출력전압 6000V, 펄스 폭 6.0μsec, 에너지 레벨 5.0mJ, tit 수 4의 조건으로 가공을 한 후 마스킹 필름의 형태를 현미경으로 관찰하였다.The masking film was laminated on the circuit board at 150 ° C for 15 minutes at 5kg / cm 2 , and processed with CO 2 gas laser under the condition of output voltage 6000V, pulse width 6.0μsec, energy level 5.0mJ and tit number 4 The shape of the masking film was then observed under a microscope.

◎ 천공상태가 양호하여 원형유지◎ Maintaining circular shape with good drilling

○ 천공상태가 약간의 타원형, 10미크론 미만의 용융돌기 발생○ Slightly elliptical, with less than 10 micron molten protrusions perforated

△ 천공상태가 타원형이며 50미크론 이하의 용융돌기발생△ Oval with oval shape and less than 50 micron melt projections

X 천공주위가 탄화되어 부스러짐X Perforation is carbonized and shattered

<실시예 1><Example 1>

디메틸-2,6-나프탈레이트와 에틸렌글리콜을 1 : 2 몰비로 하고, 망간아세테이트 4수화물을 0.05중량% 투입하여 메탄올을 유출시키면서 에스테르 교환반응을 완료하였다. 반응 혼합물에 불활성 미립자로서 평균 입경이 3미크론인 습식 실리카와 0.1미크론인 콜로이달 실리카를 각각 0.1중량%와 0.2중량% 첨가하고, 안정제로서 0.05중량%의 트리메틸렌포스페이트와 중축합 촉매로서 0.04중량%의 안티몬 트리옥시드를 첨가한 후, 축중합반응을 실시하여 폴리에틸렌나프탈레이트 수지를 얻었다. 180℃에서 6시간 동안 수지를 건조한 후 290℃에서 용융압출하여 미연신 시트를 얻고, 이 미연신 시트를 135℃에서 종방향으로 3.8배 연신하고, 145℃에서 횡방향으로 4.1배 연신한 다음, 230℃에서 20초간 열처리하여 두께가 25미크론인 이축배향 폴리에틸렌나프탈레이트 필름을 얻었다. 이때의 두께 방향 굴절률은 1.511, 150℃, 30분에서의 열수축률은 0.5%, 180℃, 1분의 열수축률은 1.2%, 결정화도는 44.2%였다. 이렇게 하여 얻어진 필름에 실리콘계 이형 점착 코팅을 하여 폴리이미드계 회로기판에 마스킹 필름으로 사용하였다. 당 회로기판의 천공성을 평가한 결과 천공상태가 매우 양호한 결과를 보였다. Dimethyl-2,6-naphthalate and ethylene glycol were added in a 1: 2 molar ratio, and 0.05% by weight of manganese acetate tetrahydrate was added to complete the transesterification reaction with methanol being distilled out. 0.1 wt% and 0.2 wt% of wet silica having an average particle diameter of 3 microns and colloidal silica having 0.1 micron, respectively, were added to the reaction mixture as inert fine particles, 0.05 wt% of trimethylene phosphate as a stabilizer and 0.04 wt% of a polycondensation catalyst. After addition of the antimony trioxide, polycondensation reaction was performed and the polyethylene naphthalate resin was obtained. After drying the resin at 180 ° C. for 6 hours, melt extruding at 290 ° C. to obtain an unstretched sheet, stretching the unstretched sheet 3.8 times longitudinally at 135 ° C., and stretching 4.1 times transversely at 145 ° C., Heat treatment at 230 ° C. for 20 seconds yielded a biaxially oriented polyethylene naphthalate film having a thickness of 25 microns. The thickness direction refractive index at this time was 1.511, 150 degreeC, the thermal contraction rate in 0.5 minute, the thermal contraction rate in 0.5 degreeC, 180 degreeC, and 1 minute was 1.2%, and the crystallinity was 44.2%. The film thus obtained was subjected to a silicone release adhesive coating and used as a masking film on a polyimide circuit board. As a result of evaluating the perforation of the circuit board, the perforation state was very good.

<실시예 2 내지 4><Examples 2 to 4>

본 발명의 범위 내에서, 종방향 또는 횡방향의 연신비를 변경하거나, 종방향 또는 횡방향의 연신 온도 또는 열고정 온도를 변경하여 굴절율, 열수축률, 결정화도가 다른 필름을 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 연신 필름을 얻었다. 이렇게 하여 얻어진 필름의 물성을 평가한 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 상기 필름을 회로기판에 마스킹 필름으로 사용하여 천공성을 측정해 본 결과 모든 물성이 우수하였다.Within the scope of the present invention, Example 1 was changed except that a film having a different refractive index, thermal shrinkage, and crystallinity was prepared by changing the stretching ratio in the longitudinal or transverse direction, or changing the stretching temperature or the heat setting temperature in the longitudinal or transverse direction. It carried out similarly to the obtained stretched film. The results of evaluating the physical properties of the film thus obtained are shown in Table 1 below. The film was used as a masking film on the circuit board to measure the puncture, and as a result, all the physical properties were excellent.

<비교예 1 내지 3><Comparative Examples 1 to 3>

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되 열처리 조건을 250℃에서 30초간 실시한 이외에는 동일한 방법으로 비교예 1의 필름을 얻었다. 또한 실시예 1과 동일한 실시하되, 종 방향으로 4.2배 연신하고 횡방향으로 4.6배 연신한 이외에는 동일한 방법으로 비교예 2의 필름을 얻었다. 또한 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 종방향으로 3.0배 연신하고 횡방향으로 4.0배 연신하고 열처리 조건을 220℃에서 10초간 실시한 이외에는 동일한 방법으로 비교예 3의 필름을 얻었다. The film of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment conditions were performed at 250 ° C. for 30 seconds. The film of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film was stretched 4.2 times in the longitudinal direction and 4.6 times in the transverse direction. The film of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 3.0-fold stretching in the longitudinal direction and 4.0-fold stretching in the transverse direction and heat treatment conditions were performed at 220 ° C. for 10 seconds.

이렇게 하여 얻어진 필름의 물성을 평가한 결과를 하기 표 1에 나타내었으며, 비교예 1의 경우 변형이 없이 양호하였으나 마스킹 필름을 제거하는 과정 중에 필름이 부스러지는 현상이 나타나 이물의 발생우려가 매우 높아 바람직하지 못하였으며, 비교예 2 내지 3의 경우에는 천공성이 불량하였다. The results of evaluating the physical properties of the film thus obtained are shown in Table 1 below. In Comparative Example 1, although the film was satisfactory without deformation, a phenomenon in which the film collapsed during the process of removing the masking film appeared, which is very high. In the case of Comparative Examples 2 to 3, the puncture property was poor.

<비교예 4><Comparative Example 4>

시중에 판매되고 있는 25미크론의 PET 필름을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 이형 점착 코팅을 실시하여 회로기판 마스킹 필름으로 사용한 결과 천공상태가 매우 불량하였다.Using a 25 micron PET film on the market, the release adhesive coating was carried out in the same manner as in Example 1 and used as a circuit board masking film.

<비교예 5>Comparative Example 5

시중에서 판매되고 있는 25미크론의 PP 필름을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 이형점착 코팅을 실시하여 회로기판 마스킹 보호필름으로 사용한 결과 필름수축이 매우 커서 적합하지 못하였다.As a result of using a release adhesive coating in the same manner as in Example 1 using a commercially available 25 micron PP film as a circuit board masking protective film, the shrinkage of the film was very large and unsuitable.

구분division 굴절률Refractive index 열수축률Heat shrinkage 결정화도Crystallinity 천공성Perforation 종합평가Comprehensive Evaluation 150℃*30분150 ℃ * 30 minutes 180℃*1분180 ℃ * 1 minute 실시예 1Example 1 PEN필름*PEN Film * 1.5111.511 0.5%0.5% 1.2%1.2% 44.3%44.3% 실시예 2Example 2 PEN필름PEN Film 1.5001.500 0.9%0.9% 1.8%1.8% 36.9%36.9% 실시예 3Example 3 PEN필름PEN Film 1.4951.495 0.9%0.9% 1.5%1.5% 47.4%47.4% 실시예 4Example 4 PEN필름PEN Film 1.5311.531 0.4%0.4% 0.6%0.6% 52.3%52.3% 비교예 1Comparative Example 1 PEN필름PEN Film 1.5421.542 0.4%0.4% 0.7%0.7% 58.0%58.0% XX 비교예 2Comparative Example 2 PEN필름PEN Film 1.5201.520 1.2%1.2% 2.2%2.2% 44.8%44.8% XX 비교예 3Comparative Example 3 PEN필름PEN Film 1.5201.520 0.9%0.9% 3.2%3.2% 25%25% XX 비교예 4Comparative Example 4 PET필름PET film -- 2.5%2.5% 3.7%3.7% -- XX XX 비교예 5Comparative Example 5 PP필름PP film -- -- -- -- XX xx

* PEN필름 : 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름* PEN Film: Polyethylene Naphthalate Film

PET필름 : 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 PET Film: Polyethylene Terephthalate Film

PP필름 : 폴리프로필렌 필름PP film: polypropylene film

본 발명에 의한 이축연신 폴리에틸렌나프탈레이트 필름은 내열성, 치수안정성이 개선된 필름으로서, 고온 및 가혹한 조건하에서 장시간 사용되어도 기계적 성질 및 치수 안정성이 우수하여, 회로기판의 마스킹 필름으로 사용될 시 변형이 적고 천공성이 우수하여 고품질의 정밀 회로기판의 제작공정에 유용하게 사용된다.The biaxially stretched polyethylene naphthalate film according to the present invention is a film having improved heat resistance and dimensional stability, and has excellent mechanical properties and dimensional stability even when used for a long time under high temperature and harsh conditions, and has low deformation and puncture resistance when used as a masking film of a circuit board. It is excellent in that it is useful for the manufacturing process of high quality precision circuit board.

Claims (2)

두께방향굴절률이 1.49 내지 1.54이고 , 150℃에서 30분간의 열수축률이 -1 내지 1%이며, 180℃에서 1분간의 열수축률이 -2 내지 2%이고, 결정화도가 30% 내지 60%인 것을 특징으로 하는 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름.The thickness direction refractive index is 1.49 to 1.54, the heat shrinkage rate at 150 ° C for 30 minutes is -1 to 1%, the heat shrinkage rate at 180 ° C for 1 minute is -2 to 2%, and the crystallinity is 30% to 60%. A biaxially oriented polyethylene naphthalate film, characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 회로기판 제조공정용인 것을 특징으로 하는 이축배향 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름.The biaxially oriented polyethylene naphthalate film according to claim 1, which is for a circuit board manufacturing process.
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