KR20050006926A - 전계방출소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전계방출 에미터로 탄소 나노튜브를 이용하며 게이트와 캐소드를 동일 평면상에 위치시키는 코플래너형 소자를 제조함에 있어 관통홀을 형성하지 않는 단순화된 제조공정을 이용하여 공정 시간을 줄이고 수율을 높일 수 있도록 한 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래 탄소 나노튜브를 이용한 코플래너 구조의 전계방출소자는 게이트 전극을 캐소드 전극과 동일한 평면에 구성하기 위해 관통홀을 형성한 후 이를 금속으로 채우는 공정이 필수적으로 요구되기 때문에 공정 난이도가 높은 관통홀 형성공정에 의해 수율이 낮아지는 문제점이 있었다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 게이트 전극과 캐소드 전극을 동일 평면상에 형성하고 상기 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차할 부분에만 선택적으로 절연층을 스크린 프린팅법으로 형성하도록 한 후 상기 교차 부분에 형성된 절연층 상부에 도전성 버스 전극을 형성하도록 하는 것으로 관통홀을 형성하지 않고서도 서로 교차하는 게이트 전극과 캐소드 전극의 버스 구조를 전기적으로 분리할 수 있도록 하는 전계방출소자 및 그 제조방법을 제공함으로써 복잡한 사진 식각공정을 통한 관통홀 형성 공정을 거치지 않고서도 코플래너 구조의 전계방출소자를 용이한 공정만으로 형성할 수 있도록 하여 공정 비용과 수율을 높이는 효과가 있다.

Description

전계방출소자 및 그 제조방법{FIELD EMISSION DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전계방출 에미터로 탄소 나노튜브를 이용하며 게이트와 캐소드를 동일 평면상에 위치시키는 코플래너형 소자를 제조함에 있어 관통홀을 형성하지 않는 단순화된 제조공정을 이용하여 공정 시간을 줄이고 수율을 높일 수 있도록 한 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

정보통신 기술의 급속한 발달과 다양화되는 정보의 시각화 요구에 따라 전자 디스플레이의 수요는 더욱 증가하고, 요구되는 디스플레이 모습 또한 다양해 지고 있다. 그 예로 휴대형 정보기기와 같이 이동성이 강조되는 환경에서는 무게, 부피 및 소비전력이 작은 디스플레이가 요구되며, 대중을 위한 정보 전달매체로 사용되는 경우에는 시야각이 넓은 대화면의 디스플레이 특성이 요구된다. 또한, 이와 같은 요구를 만족시켜 나가기 위해 전자 디스플레이는 대형화, 저가격화, 고성능화, 고정세화, 박형화, 경량화 등의 조건이 필수적이어서, 이러한 요구사항을 만족시키기 위해서는 기존의 CRT를 대체할 수 있는 가볍고 얇은 평판 디스플레이 장치의 개발이 절실히 필요하게 되었다. 이러한 다양한 표시 소자의 요구에 따라 최근에는 전계방출(field emission)을 이용한 소자가 디스플레이 분야에 적용되면서, 크기 및 전력 소모를 감소시키면서도 높은 해상도를 제공할 수 있는 박막 디스플레이의 개발이 활발해지고 있다.

상기 전계방출소자는 현재 개발 혹은 양산중인 평판 디스플레이들(LCD와 PDP, VFD등)의 단점을 모두 극복한 차세대 정보 통신용 평판 디스플레이로 주목을 받고 있다. 전계방출소자 디스플레이는 전극 구조가 간단하고, CRT와 같은 원리로 고속동작이 가능하며, 무한대의 칼라, 무한대의 그레이 스케일, 높은 휘도, 높은 비디오(video rate) 속도 등 디스플레이가 가져야 할 장점들을 고루 갖추고 있다.

전계방출 표시소자는 진공 속의 금속 또는 도체 표면(에미터)상에 고전계가 인가될 때 전자들이 금속 또는 도체로부터 진공 밖으로 나오는 양자역학적 터널링 현상을 이용한 것이다. 이 때 소자는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 법칙에 의하여 전류-전압 특성을 나타내게 된다. 전계방출 표시소자는 전자 방출 원인 에미터와 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 애노드 부, 상하판 사이를 지지하는 스페이서, 그리고 진공기밀을 유지하기 위한 실링부 등으로 구성되어 있다.

최근 들어 탄소 나노튜브가 기계적으로 강하고, 화학적으로 상당히 안정하여 비교적 낮은 진공도에서 전자방출특성이 우수한 이유로 인해 이를 이용한 전계방출소자의 중요성이 인식되고 있다. 이와같은 탄소 나노튜브는 작은 직경(약, 1.0∼ 수십[nm])을 갖기 때문에 종래의 마이크로팁형(spindt형) 전계방출 팁에 비해 전계강화효과(field enhancement factor)가 상당히 우수하여 전자방출이 낮은 임계 전계(turn-on field, 약 1∼5[V/㎛])에서 이루어질 수 있게 되므로, 전력손실 및 생산단가를 줄일 수 있는 장점이 있다. 종래 전계방출소자 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출소자의 3전극 구조를 나타낸것으로, 도시한 바와 같이 실리콘기판(1) 상부에 순차적으로 저항층(2), 절연층(4) 및 게이트전극(5)을 형성하고, 사진식각을 통해 게이트전극(5) 및 절연층(4) 일부를 식각하여 홀을 형성한 다음 증착(evaporation)을 통해 홀 바닥의 저항층(2) 상부에 촉매전이금속층(3)을 형성하고, 실리콘기판(1) 전체를 600∼900[℃] 정도의 온도범위로 가열하여 탄화수소(hydrocarbon) 가스를 이용한 열(thermal) 화학기상증착 또는 플라즈마(plasma) 화학기상증착 방법을 통해 촉매전이금속층(3) 상부에만 선택적으로 탄소 나노튜브(6)를 형성한다.

이때, 상기 탄소 나노튜브(6)는 촉매전이금속층(3) 상부에만 선택적으로 형성되므로, 촉매전이금속층(3)의 면적이 클수록 탄소 나노튜브(6)의 면적도 커진다. 이와같이 탄소 나노튜브(6)의 면적이 커지게 되면, 게이트전극(5)을 통하여 가해지는 전계가 집중되지 않아 방출전자의 빔이 퍼지게 될 뿐만 아니라 전자방출영역도 고르지 못하여 전계가 제일 강한 홀의 주변에서만 국부적으로 전자방출이 일어날 가능성이 높고, 또한 비대칭적인 전계분포에 의해 게이트전극(5)으로의 누설전류가 많은 문제점을 안고 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하면서 보다 기계적인 구성을 가지도록 한 구조를 도 2에 도시한다.

도 2는 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 다른 예를 보인 단면도로서, 이에 도시한 바와같이 제 1기판(10) 상에 스크린 프린팅(screen printing) 또는 박막 패턴 등의 방법을 통해 일정하게 이격되는 캐소드전극(11)을 형성한 다음 탄소 나노튜브 분말을 바인더(binder) 및 전도성 필러(filler) 등과혼합하여 슬러리(slurry) 형태로 만들어 스크린 프린팅 등과 같은 방법으로 도포하고, 일련의 바인더 제거과정을 거쳐 캐소드전극(11) 상부에 탄소 나노튜브(12)가 노출되도록 한다.

상기 캐소드전극(11) 및 탄소 나노튜브(12)가 형성된 결과물의 상부에 일정한 공간이 이격되도록 금속 그리드(metal grid)를 형성하여 게이트전극(13)으로 적용하며, 이때 게이트전극(13)으로 적용되는 금속 그리드는 탄소 나노튜브(12)가 형성된 영역과 이격되도록 정렬하여야 한다.

한편, 제2 기판(14) 상에 순차적으로 ITO(indium tin oxide) 애노드전극(15)과 발광층(16)을 적층하여 일정하게 이격되도록 형성한 다음 상기 게이트전극(13)이 형성된 결과물의 상부에 일정한 공간이 이격되며, 발광층(16)이 상기 탄소 나노튜브(12)와 마주보도록 정렬한다.

상기한 바와같은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 다른 예는 상기 게이트전극(13)으로 적용되는 금속 그리드의 이격영역과 패터닝된 캐소드전극(11)과의 정렬이 어렵다. 즉, 상기와 같은 금속 그리드로 형성된 게이트(13)를 각 픽셀마다 독립 구동되도록 형성해야 하므로 작은 조각의 금속 구조물을 인접 픽셀들과 전기적으로 이격되도록 위치시켜야 하기 때문에 조립공정이 대단히 복잡하고 정확한 정렬을 달성하기 어렵게 된다. 또한, 탄소 나노튜브(12)에서 방출되는 전자들의 많은 양이 금속 그리드의 게이트전극(13)을 통하여 누설되기 때문에 방출전자의 효율이 낮은 문제점이 있었다.

상기와 같은 고전적인 종래 탄소 나노튜브를 사용한 전계방출소자들의 제조상 어려움을 개선하기 위해서 게이트의 위치를 캐소드와 같거나 더욱 낮은 위치에 형성한 탄소 나노튜브 전계방출소자의 구조들이 제시되었다.

도 3은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 언더게이트(under gate) 구조 전계방출소자의 단면도를 보인 것으로, 도시한 바와 같이 전자 방출을 일으키는 전기장을 나노 튜브(24)의 하부에 있는 게이트 전극(21)으로 인가하는 방식이다. 이는 유리기판(20) 상부에 게이트 전극(21)을 형성한 후 그 상부에 차례로 절연층(22), 캐소드 전극(23)을 형성한 다음, 상기 캐소드 전극(23) 상부에 탄소 나노튜브 혼합 슬러리를 스크린 프린팅법 등으로 도포하고 일련의 바인더 제거공정을 통해 탄소 나노튜브(24)를 형성한다. 이는 그 제조 공정이 대단히 단순하기 때문에 종래의 다른 방법들에 비해 대면적 표시부에 적용하기 쉽다.

하지만, 이러한 경우 게이트 전극(21)이 캐소드 전극(24) 하부에 위치하기 때문에 턴온 전압이 상대적으로 높은 단점이 있으며 이후 형성되는 상판 애노드 전극(미도시)에 의해 이상 발광이 나타날 수 있다는 문제점이 있다.

도 4는 종래 탄소 나노튜브를 이용한 코플래너(coplanar) 구조 전계방출소자의 단면도로서, 도시한 바와 같이 게이트 전극(33)과 캐소드 전극(34)이 동일층에 형성되는 형태이다. 이러한 구조적 배치에 의해 나노튜브(35)에서 전자 방출이 일어나는 턴온 전압이 낮아서 구동 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다. 하지만 캐소드 전극(34) 하부를 지나는 게이트 배선(31)이 상기 캐소드 전극(34)과 동일 평면상에 위치하기 위해서는 노광 및 식각 공정을 부가하여 상기 게이트 배선(31)의 일부가 노출되도록 절연층(32)에 관통홀(via)을 형성하고, 그 부분을 금속(33)으로 채워야한다.

도 5a 내지 도 5d는 종래 코플래너 전계방출소자의 제조방법을 보이는 수순 단면도로서, 도시한 바와 같이 복잡한 관통홀 형성공정이 필요하다.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 유리기판(30) 상부에 도전층을 형성하고 패턴하여 게이트 배선층(31)을 형성한다. 상기 게이트 배선층(31)은 게이트 전극을 연결하는 공통 라인의 역할을 하게 된다.

그 다음, 도 5b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 구조물 상부 전면에 절연층(32)을 형성한 후 상기 게이트 배선층(31)의 일부가 노출되도록 상기 절연층(32)을 식각하여 관통홀을 형성한다.

그 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이 상기 구조물 상부에 도전층을 형성하여 상기 관통홀을 채우고, 그 상부에 다시 도전층을 형성한 후 패턴하여 상기 게이트 배선층(31)과 관통홀을 통해 연결되는 게이트 전극(33)과 캐소드 전극 및 배선(34)을 형성한다.

마지막으로 상기 도 5d에 도시한 바와 같이 상기 캐소드 전극(34) 상부에 탄소 나노튜브를 스크린 프린팅법을 이용하여 형성한다.

상기 살펴본 바와 같이 종래 코플래너 구조의 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조방법은 관통홀을 이용하여 게이트 전극 배선과 연결되는 게이트 전극을 캐소드 전극과 동일한 층에 형성하게 된다. 하지만, 상기 관통홀 형성은 공정 난이도가 높은 공정 중 하나로 전체적인 수율에 큰 영향을 미치게 된다.

상기한 바와같은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 코플래너 구조의 전계방출소자는 게이트 전극을 캐소드 전극과 동일한 평면에 구성하기 위해 관통홀을 형성한 후 이를 금속으로 채우는 공정이 필수적으로 요구되기 때문에 공정 난이도가 높은 관통홀 형성공정에 의해 수율이 낮아지는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점들을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명은 게이트 배선 및 전극과 캐소드 전극을 동일 평면상에 형성하고 상기 게이트 배선과 이후 형성될 캐소드 배선이 교차할 부분에만 절연막을 적용한 후 상기 절연막 상부를 지나면서 상기 캐소드 전극과 일부에서 전기적으로 연결되도록 캐소드 배선을 형성하도록 하여 공정을 단순화한 전계방출소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 일 예를 보인 단면도.

도 2는 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 다른 예를 보인 단면도.

도 3은 종래 탄소 나노튜브를 이용한 언더게이트 구조 전계방출소자의 단면도.

도 4는 종래 탄소 나노튜브를 이용한 코플래너 구조 전계방출소자의 단면도.

도 5a 내지 도 5d는 종래 코플래너 구조 전계방출소자의 제조방법을 보인 수순단면도.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명 일 실시예의 제조방법을 보인 수순단면도.

도 7은 본 발명 일 실시예의 단면을 바라본 측면도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

40: 유리기판 41: 게이트 배선 및 전극

42: 캐소드 전극 43: 절연층

44: 캐소드 배선 45: 탄소 나노튜브

먼저, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 전계방출소자는 유리기판 상의 동일층에 형성된 게이트 전극, 캐소드 전극 그리고 이들 중 한 종류에 대해 형성된 버스 전극과; 상기 게이트 전극 및 캐소드 전극이 교차할 부분에 선택적으로 형성된 절연층과; 상기 절연층 상부를 지나면서 게이트 전극 혹은 캐소드 전극 중 버스가 형성되지 않은 종류의 전극과 일부에서 전기적으로 연결된 도전성 버스 전극과; 상기 캐소드 전극 상에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 유리기판 상에 도전성 물질을 성막하여 게이트 전극과 캐소드 전극을 동시에 형성하면서 이들 중 한 종류에 대한 버스 전극을 동일층 상에 형성하는 단계와; 이후 형성될 다른 종류의 버스가 교차할 상기 형성된 버스의 일부에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 형성된 절연층 상부를 지나며 상기 버스가 형성되지 않은 전극과 일부에서 전기적으로 연결되는 도전성 버스 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극 상에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 전계방출소자 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 일 실시예로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 전계방출소자 제조방법을 보이는 수순단면도로서, 도시한 바와 같이 유리기판(40) 상부에 게이트 배선 및 전극(41)과 캐소드 전극(42)을 동시에 형성하는 단계와; 상기 형성된 캐소드 전극(42)들의 위치에 맞추어 상기 형성된 게이트 배선을 가로지르면서 캐소드 전극(42) 부분은 노출시키도록 절연층(43)을 형성하는 단계와; 상기 절연층(43) 상부에 상기 노출된 캐소드 전극(42)과 일부에서 전기적으로 연결되도록 캐소드 배선(44)을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극(42) 상부 일부에 탄소 나노튜브(45)를 형성하는 단계로 이루어진다.

상기 단계를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이 유리기판(40) 상부에 금속막을 증착한 후 사진 식각 공정으로 패터닝하는 방법으로 게이트 배선 및 전극(41)과 캐소드 전극(42)을 동시에 형성한다. 본 실시예에서는 게이트 배선이 동일 평면 상에 형성되어 있지만, 캐소드 배선을 형성할 수 도 있다는데 주의한다. 즉, 본 발명에서는게이트 전극(41)과 캐소드 전극(42)이 형성되는 동일 평면상에 이들 중 한 종류의 전극에 대한 버스 전극을 기본적으로 형성하는 것으로 공정을 시작한다. 종래에는 게이트 전극과 캐소드 전극이 형성되는 층의 하부에 미리 게이트 배선을 형성해 두고 관통홀을 통해 전기적으로 연결하지만, 본 발명에서는 전극들이 동시에 형성되는 평면 하부에 교차 배치되는 전극을 미리 형성하는 것이 아니라 교차 배치되는 배선을 나중에 형성한다는데 특징이 있다.

그 다음, 도 6b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 게이트 배선(41)과 교차되어 형성될 캐소드 배선을 위해 상기 캐소드 전극(42)이 형성된 위치에 맞추어 상기 게이트 배선(41)과 교차하도록 절연층(43)을 형성한다. 상기 절연층(43)은 스크린 프린팅 방법으로 형성하는 것이 공정 상 간편하며, 이 경우 상기 절연층(43)이 지날 캐소드 전극(42)의 일부 부분이 노출되도록 한다. 물론, 상기와 같은 방법이 아니라 이후 캐소드 배선이 지날 영역의 게이트 배선(41) 상부에만 충분한 폭으로 절연층(43)을 형성할 수도 있다는데 주의한다. 이미 도 6a를 설명하면서 언급했지만 캐소드 배선이 형성되어 있는 경우라면 게이트 배선을 형성하기 위해 캐소드 배선의 일부 영역에 절연층(43)을 형성할 수도 있다.

그 다음, 도 6c에 도시한 바와 같이 상기 형성된 절연층(43) 상부에 도전성 버스 전극을 스크린 프린팅법으로 형성하여 캐소드 배선(44)을 위치시키면 상기 캐소드 배선(44)은 교차하는 게이트 배선(41)과는 절연층(43)에 의해 절연되고 캐소드 전극(42)의 일부와는 전기적으로 연결되어 버스 기능을 수행할 수 있게 된다.

그리고, 도 6d에 도시한 바와 같이 상기 캐소드 전극(42) 상부에 탄소 나노튜브(45)를 형성한다.

도 7은 상기 도 6d의 A-A'를 자른 단면을 바라본 측면도로서, 본 발명의 특징을 나타내는 구조를 볼 수 있다. 즉, 유리기판(40) 상부에 게이트 배선 및 전극(41)과 캐소드 전극(42)이 동일 평면상에 위치하고 있으며, 상기 캐소드 전극(42)과 연결되어 버스 구조를 형성하는 캐소드 배선(44)은 상기 게이트 배선(41) 상부에 형성된 절연층(43)에 의해 게이트 배선 및 전극(41)과 전기적으로 절연된다. 상기 절연층(43)은 캐소드 전극(42)의 일부를 노출시켜 상기 캐소드 배선(44)이 캐소드 전극(42)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 혹은 상기 게이트 배선(41)과 캐소드 배선(44)이 교차하는 영역에만 절연층(43)이 형성되도록 할 수도 있다는데 주의한다.

전술한 바와 같이, 본 발명은 관통홀을 형성하지 않고서도 비교적 공정이 쉬운 스크린 프린팅 방법을 통해 코플래너 구조의 전계방출소자를 제조할 수 있도록 하여 대량생산에서 수율을 높일 수 있게 된다.

상기한 바와같은 본 발명 전계방출소자 및 그 제조방법은 게이트 전극과 캐소드 전극을 동일 평면상에 형성하고 상기 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차할 부분에만 선택적으로 절연층을 스크린 프린팅법으로 형성하도록 한 후 상기 교차 부분에 형성된 절연층 상부에 도전성 버스 전극을 형성하도록 하는 것으로 관통홀을 형성하지 않고서도 서로 교차하는 게이트 전극과 캐소드 전극의 버스 구조를 전기적으로 분리할 수 있도록 함으로써 복잡한 사진 식각공정을 통한 관통홀 형성 공정을 거치지 않고서도 코플래너 구조의 전계방출소자를 용이한 공정만으로 형성할 수 있도록 하여 공정 비용과 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

1. 유리기판 상의 동일층에 형성된 게이트 전극, 캐소드 전극 그리고 이들 중 한 종류에 대해 형성된 버스 전극과; 상기 게이트 전극 및 캐소드 전극이 교차할 부분에 선택적으로 형성된 절연층과; 상기 절연층 상부를 지나면서 게이트 전극 혹은 캐소드 전극 중 버스가 형성되지 않은 종류의 전극과 일부에서 전기적으로 연결된 도전성 버스 전극과; 상기 캐소드 전극 상에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 동일층에 형성된 게이트 전극은 버스 전극을 통해 동일 평면상에서 연결되며, 상기 캐소드 전극은 상기 게이트 전극 버스의 일부에 형성된 상기 절연층 상부를 지나는 캐소드 버스 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
3. 유리기판 상에 도전성 물질을 성막하여 게이트 전극과 캐소드 전극을 동시에 형성하면서 이들 중 한 종류에 대한 버스 전극을 동일층 상에 형성하는 단계와; 이후 형성될 다른 종류의 버스가 교차할 상기 형성된 버스의 일부에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 형성된 절연층 상부를 지나며 상기 버스가 형성되지 않은 전극과 일부에서 전기적으로 연결되는 도전성 버스 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극 상에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.
4. 제 3항에 있어서, 상기 절연층과 도전성 버스 전극은 스크린 프린팅 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.
5. 제 3항에 있어서, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극을 동시에 형성하는 단계는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극을 공통으로 연결하는 게이트 버스 전극과 전계 발광을 위해 상기 게이트 전극과 이격되어 위치하는 캐소드 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연층을 형성하는 단계는 캐소드 전극이 형성된 위치에 맞추어 상기 게이트 버스 전극의 일부를 절연하면서 캐소드 전극은 노출하도록 절연물질을 스크린 프린팅 법으로 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형성된 절연층 상부에 위치하며 상기 노출된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 캐소드 버스 전극을 스크린 프린팅법으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.