KR200448311Y1 - Vacuun chuck table for sawing apparatus of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것으로서, 척 베이스, 상기 척 베이스의 상면에 결합되고 복수의 진공홀이 형성되는 경질지지부, 및 격자 모양으로 연결된 띠 형상으로 이루어져 상기 경질지지부의 상면에 고정되고 상기 경질지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지며 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 연질지지밴드를 포함하되, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨에 따라 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 연질지지밴드에 흡착된다.
본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블을 이용하면, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체라 하더라도 견고하고 안정적으로 흡착 지지할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때에 반도체소자 몰딩체의 밀림 현상을 방지할 수 있다.
반도체소자, 절단장치, 척 테이블, 진공척, 경도
The present invention relates to a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device, comprising: a chuck base, a hard support portion coupled to an upper surface of the chuck base and having a plurality of vacuum holes formed therein, and a band shape connected in a lattice shape to an upper surface of the hard support portion. It includes a soft support band is fixed to the material having a lower hardness than the material of the hard support portion and supports the semiconductor device molding body, the semiconductor device molding body is the soft support as the air is sucked through the vacuum hole Adsorbed to the band.
By using the vacuum chuck table for semiconductor device cutting device of the present invention, it is possible to reduce the impact applied to the semiconductor device molding body when the semiconductor device molding body is adsorbed, and even the curved semiconductor device molding body can be supported firmly and stably. When the semiconductor device molded body is cut, the sliding phenomenon of the semiconductor device molded body may be prevented.
Semiconductor element, cutting device, chuck table, vacuum chuck, hardness
Description
본 고안은 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 몰딩체를 견고하고 안정적으로 흡착 지지할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체에 대한 절단 정확성을 향상시킬 수 있는 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device, and more particularly, semiconductor device molding which can stably and stably support the semiconductor device molding, and can improve the cutting accuracy of the semiconductor device molding. A vacuum chuck table for an apparatus.
일반적으로 반도체소자 몰딩체는 반도체칩('다이(Die)'라고도 한다)을 리드 프레임(Lead frame)의 탑재판 또는 회로기판에 부착시키는 다이본딩(Die bonding) 공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임 또는 회로기판의 리드를 와이어로 연결시키는 와이어본딩(Wire bonding) 공정, 반도체칩과 와이어 등의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩(Molding) 공정 등을 거쳐 제조된다.Generally, a semiconductor device molding includes a die bonding process in which a semiconductor chip (also called a die) is attached to a mounting board or a circuit board of a lead frame, and a chip provided on the semiconductor chip. It is manufactured through a wire bonding process for connecting pads and leads of lead frames or circuit boards with wires, and a molding process for enclosing the outside with an encapsulant to protect components such as semiconductor chips and wires. .
이렇게 제조된 반도체소자 몰딩체는 반도체소자 절단장치(Sawing apparatus)로 이송되어 각각의 반도체칩 단위인 반도체소자들로 절단된다. 이러한 반도체소자 절단장치에는 절단칼(Sawing blade)을 이용하여 각각의 반도체칩 단위로 반도체소 자 몰딩체를 절단하기 위해, 반도체소자 몰딩체를 안정적으로 흡착 지지하는 진공척 테이블이 구비된다.The semiconductor device molding manufactured as described above is transferred to a semiconductor device cutting apparatus and cut into semiconductor devices that are each semiconductor chip unit. The semiconductor device cutting device includes a vacuum chuck table for stably adsorbing and supporting the semiconductor device molding in order to cut the semiconductor device molding in units of semiconductor chips using a cutting blade.
이와 같은 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 진공척 테이블의 몸체를 이루는 척 베이스(10) 및 척 베이스(10)의 상면에 위치되어 반도체소자 몰딩체를 정렬된 상태로 지지하는 하나 이상의 지지부(20)로 구성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the conventional vacuum chuck table for cutting a semiconductor device is located on the upper surface of the
상기 척 베이스(10)에는 상ㆍ하면을 관통하도록 복수의 연통홀(11)이 형성되고, 지지부(20)에는 마찬가지로 상ㆍ하면을 관통하도록 복수의 진공홀(21)이 형성된다. 이때, 복수의 연통홀(11)과 복수의 진공홀(21)은 각각 서로 연통되도록 구비되고, 복수의 연통홀(11)은 진공압을 제공하는 별도의 진공장치(미도시)와 연결된다.A plurality of
따라서, 지지부(20)의 상면에 반도체소자 몰딩체가 위치되면 진공장치가 작동하여 복수의 연통홀(11)과 복수의 진공홀(21)을 통해 공기가 흡입됨으로써, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착된다. 이처럼 흡착된 반도체소자 몰딩체는 절단칼에 의해 각각의 반도체칩 단위로 절단된다.Therefore, when the semiconductor device molding body is positioned on the upper surface of the
이러한 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 있어서, 지지부(20)는 하나의 단일 부재로 구성되는데, 이러한 지지부(20)가 Hs60 이상의 높은 경도를 갖는 재질로 이루어질 경우, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 위치되거나 흡착될 때 충격을 받아 파손될 수 있는 문제점이 있다.In the conventional vacuum chuck table for semiconductor device cutting device, the
또한, 일반적으로 반도체소자 몰딩체는 유연성이 있어 1mm 안팎의 휘어짐이 발생할 수 있는데, 이렇게 휘어짐이 발생한 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착될 때, 반도체소자 몰딩체가 평평한 지지부(20)의 상면에 밀착되면서 반도체소자 몰딩체가 휘어진 방향과 반대 방향으로 힘을 받아 파손되거나, 정렬된 상태가 흐트러지는 단점이 있다.In addition, in general, the semiconductor device molding may have flexibility, and may cause warpage of about 1 mm. When the semiconductor device molding in which the bending occurs is adsorbed to the
반대로, 상기 지지부(20)가 Hs55 이하의 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어질 경우, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착된 상태에서 절단칼에 의해 절단될 때 발생하는 절삭측압에 따라 밀림 현상이 발생하여 정렬된 상태가 흐트러지는 단점이 있다.On the contrary, when the
이와 같이, 반도체소자 몰딩체의 정렬된 상태가 흐트러지면 반도체소자 몰딩체에 대한 절단 정확성이 떨어져 불량률이 증가하는 문제점이 있다.As such, when the aligned state of the semiconductor device molding is disturbed, the cutting accuracy of the semiconductor device molding is lowered, thereby increasing the defective rate.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 고안은, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 견고하고 안정적으로 흡착할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때 반도체소자 몰딩체가 밀려 정렬 상태가 불량해지는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블을 제공하고자 한다.In order to solve the problems as described above, the present invention can reduce the impact applied to the semiconductor device molding when the semiconductor device molding adsorbed, it is possible to adsorb firmly and stably the curved semiconductor device molding, An object of the present invention is to provide a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device capable of preventing the semiconductor device molding from being pushed out so that the alignment state is poor when the device molding is cut.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 고안에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은, 척 베이스, 상기 척 베이스의 상면에 결합되고 복수의 진공홀이 형성되는 경질지지부, 및 격자 모양으로 연결된 띠 형상으로 이루어져 상기 경질지지부의 상면에 고정되고 상기 경질지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지며 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 연질지지밴드를 포함하되, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨에 따라 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 연질지지밴드에 흡착된다.In order to solve the above problems, the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the present invention, the chuck base, the hard support portion coupled to the upper surface of the chuck base and a plurality of vacuum holes are formed, and connected in a grid shape Consists of a band shape is fixed to the upper surface of the hard support portion and made of a material having a lower hardness than the material of the hard support portion and includes a soft support band for supporting the semiconductor element molding body, the air is sucked through the vacuum hole Accordingly, the semiconductor device molding is adsorbed to the soft support band.
상기 경질지지부에는 복수의 상기 진공홀을 각각 감싸며 서로 연결되는 격자 모양으로 삽입홈이 형성되고, 상기 연질지지밴드가 상기 삽입홈에 대응되는 격자 모양으로 이루어져 상기 삽입홈에 삽입 접착될 수 있다.The hard support part may include an insertion groove formed in a lattice shape to surround each of the plurality of vacuum holes and be connected to each other, and the soft support band may be inserted into the insertion groove and formed in a lattice shape corresponding to the insertion groove.
상기 연질지지밴드는, 단면이 사각 형상으로 이루어질 수 있다.The soft support band, the cross section may be formed in a square shape.
상기 경질지지부와 상기 연질지지밴드는, 고무 재질로 이루어질 수 있다.The hard support part and the soft support band may be made of a rubber material.
상기 경질지지부는, 경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비될 수 있다.The hard support portion, the hardness may be provided with Hs60 to Hs95.
상기 연질지지밴드는, 경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비될 수 있다.The soft support band may have a hardness of Hs10 to Hs55.
상기 연질지지밴드는, 0.1mm 내지 1.0 mm의 두께로 구비될 수 있다.The soft support band may be provided with a thickness of 0.1mm to 1.0mm.
상기 경질지지부는, 상기 베이스의 상면에 형성되는 수용홈에 삽입 결합될 수 있다.The hard support portion may be inserted into the receiving groove formed on the upper surface of the base.
상기 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 있어서, 상기 척 베이스에는 진공압을 제공하는 진공장치와 연결되는 복수의 연통홀이 형성되고, 복수의 상기 연통홀은 복수의 상기 진공홀과 각각 연통되도록 구비될 수 있다.In the vacuum chuck table for the semiconductor device cutting device, a plurality of communication holes are formed in the chuck base to be connected to the vacuum device for providing a vacuum pressure, the plurality of communication holes are in communication with the plurality of vacuum holes, respectively. Can be.
이러한 본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 의하면, 경도가 낮은 연질지지밴드가 반도체소자 몰딩체를 지지하여 반도체소자 몰딩체가 경질지지부에 직접 접촉되는 것을 방지함으로써, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 안정적으로 흡착할 수 있다.According to the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device of the present invention, the soft support band having a low hardness supports the semiconductor device molding and prevents the semiconductor device molding from directly contacting the hard support, thereby adsorbing the semiconductor device molding. At this time, the impact applied to the semiconductor device molding can be reduced, and the curved semiconductor device molding can be stably adsorbed.
또한, 연질지지밴드가 격자 띠 형상으로 이루어져 반도체소자 몰딩체와 접촉되는 면적이 감소되고, 이에 따라 반도체소자 몰딩체에 대해 진공압이 작용하는 면적이 넓어짐으로써, 반도체소자 몰딩체를 견고하게 흡착할 수 있다.In addition, since the soft support band has a lattice band shape, the area in contact with the semiconductor device molding is reduced, and accordingly, the area in which vacuum pressure is applied to the semiconductor device molding is widened, so that the semiconductor device molding can be firmly adsorbed. Can be.
그러므로, 반도체소자 몰딩체들의 휘어짐 정도에 상관없이 견고하고 정상적인 흡착이 가능하며, 반도체소자 몰딩체의 파손을 방지할 수 있다.Therefore, firm and normal adsorption is possible regardless of the degree of bending of the semiconductor device moldings, and it is possible to prevent breakage of the semiconductor device moldings.
뿐만 아니라, 상기 연질지지밴드의 하측은 경도가 높은 경질지지부가 구비되 어, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때에 절삭측압으로 인해 반도체소자 몰딩체의 밀림 현상이 발생하여 정렬 상태가 불량해지는 것을 방지할 수 있다.In addition, the lower side of the soft support band is provided with a hard support having a high hardness, when cutting the semiconductor device molding to prevent the semiconductor device molding from being pushed due to the cutting side pressure to prevent the alignment state is poor. Can be.
따라서, 절단 불량의 반도체소자 몰딩체가 양산되는 것을 방지할 수 있으므로, 불량률을 감축시켜 시간당 생산량을 증대시킬 수 있다.Therefore, mass production of semiconductor element moldings with poor cutting can be prevented, thereby reducing the defective rate and increasing the production per hour.
본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 안착 지지되는 반도체소자 몰딩체는, 반도체칩을 리드 프레임의 탑재판 또는 회로기판에 부착시키는 다이본딩 공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임 또는 회로기판의 리드를 와이어로 연결시키는 와이어본딩 공정, 반도체칩의 내부회로와 그 외의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정 등을 거쳐 제조되는, 다수의 반도체칩들이 리드 프레임 또는 회로기판에 실장되어 함께 몰딩된 몰딩체이다.The semiconductor device molding body seated and supported on the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device of the present invention includes a die bonding step of attaching a semiconductor chip to a mounting plate or a circuit board of a lead frame, a chip pad and a lead frame provided on the semiconductor chip. Alternatively, a plurality of semiconductor chips manufactured through a wire bonding process of connecting leads of a circuit board with wires and a molding process of enclosing the outside with an encapsulant to protect the internal circuits and other components of the semiconductor chip may include a lead frame or A molded body molded on a circuit board together.
이하, 첨부된 도 3 내지 5를 참고하여, 본 고안의 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 구성, 작용효과 및 사용상태를 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 고안에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 3 to 5, the structure of the vacuum chuck table for semiconductor device cutting device according to an embodiment of the present invention, the effect and the state of use of the present invention is easy for those skilled in the art It will be described in detail so that it can be carried out. However, the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the present invention may be implemented in various different forms, the scope of which is not limited to the embodiments described herein.
본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은 척 베이스(100), 경질지지부(200) 및 연질지지밴드(300)를 포함한다.Vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to a preferred embodiment of the present invention includes a
상기 척 베이스(100)는 진공척 테이블의 몸체를 이루고, 상면에 사각 형상의 수용홈(110)이 일정 깊이로 형성된다. 그리고, 상기 수용홈(110)의 바닥면과 척 베이스(100)의 하면을 관통하도록 복수의 연통홀(120)이 형성된다.The
상기 경질지지부(200)는 바람직하게는 Hs60 내지 Hs95의 경도를 갖는 경질의 고무 재질로 이루어지고, 반도체소자 몰딩체(SM; Semiconductor device Molding)를 접촉 지지하는 연질지지밴드(300)의 하측에 결합되어 연결지지밴드(300)를 견고하게 지지한다.The
반도체소자 몰딩체(SM)는 진공척 테이블에 지지된 상태로 절단칼에 의해 절단될 때, 절단칼의 진행에 따른 절삭측압에 의해 밀림 현상이 발생될 수 있는데, 경질지지부(200)는 높은 경도를 갖도록 구비되어 반도체소자 몰딩체(SM)의 밀림 현상을 방지하므로 진공척 테이블의 안정성이 확보된다.When the semiconductor device molding body SM is cut by a cutting knife while being supported by a vacuum chuck table, a rolling phenomenon may occur due to the cutting side pressure according to the progress of the cutting knife, and the
상기 경질지지부(200)는, 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 사각 형상으로 구비되어 수용홈(110)의 내부에 삽입된 상태로 척 베이스(100)의 상면에 돌출되도록 척 베이스(100)와 결합되고, 복수의 연통홀(120)에 각각 대응되도록 상ㆍ하면을 관통하는 복수의 진공홀(210)이 형성된다.The
상기 경질지지부(200)는 척 베이스(100)에 형성된 수용홈(110)에 삽입 접착되어 복수의 진공홀(210)이 복수의 연통홀(120)과 각각 연통되고, 복수의 연통홀(120)은 진공압을 제공하는 별도의 진공장치(Vacuum device; 미도시)와 각각 연결됨으로써, 진공장치의 작동에 따라 복수의 연통홀(120) 및 진공홀(210)을 통해 공기가 흡입된다.The
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체소자 몰딩체(SM)가 연질지지밴 드(300)에 안착 정렬된 상태로 진공장치가 작동되면, 반도체소자가 연질지지밴드(300)의 상면에 흡착 고정된다.Therefore, as shown in FIG. 5, when the vacuum device is operated with the semiconductor device molding SM seated and aligned on the
본 고안의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 수용홈(110)과 경질지지부(200)의 형상은 긴 직사각형으로 구비되었으나, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체소자 몰딩체의 형상에 대응되도록 구비될 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the shape of the
한편, 복수의 진공홀(210)은 반도체칩 단위로 각각 절단된 반도체소자 몰딩체(SM)를 흡착할 수 있도록 하나의 진공홀(210)이 하나의 절단된 반도체소자 몰딩체(SM)에 대응되도록 구비된다.Meanwhile, the plurality of
또한, 상기 진공홀(210)의 상단에는 진공홀(210)의 직경보다 더 넓은 직경을 갖는 흡착홈(211)이 형성된다. 상기 흡착홈(211)은 진공홀(210)을 통해 인가되는 진공압이 반도체소자 몰딩체(SM)의 더 넓은 면적에 작용될 수 있도록 한다.In addition, the upper end of the
상기 경질지지부(200)의 상면에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 진공홀(210) 및 흡착홈(211)을 각각 감싸며 서로 연결되는 격자 형태로 삽입홈(220)이 형성된다. 상기 삽입홈(220)에는 후술되는 연질지지밴드(300)가 삽입 접착되는데, 이 경우 접착면적이 넓어지고 삽입홈(220)이 이탈방지턱과 같은 역할을 하므로 연질지지밴드(300)는 삽입홈(220)에 의해 그 위치가 견고하게 유지된다.On the upper surface of the
상기 연질지지밴드(300)는 바람직하게는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 연질의 고무 재질로 이루어지고, 상면에 정렬 안착된 반도체소자 몰딩체(SM)를 접촉 지지한다. 상기 연질지지밴드(300)는 이처럼 연질의 재질로 이루어지므로 반도체소자 몰딩체(SM)가 안착 또는 흡착될 때 발생하는 충격을 최소화할 수 있다.The
또한, 연질지지밴드(300)는 단면이 사각형이고 그 폭이 약 1 mm 안팎인 띠가 연결된 형상으로 이루어진다. 그리고, 연질지지밴드(300)는 경질지지부(200)의 상면에 형성되는 삽입홈(220)에 삽입된 상태로 수지 접착물질에 의해 접착될 수 있도록 삽입홈(220)의 형상에 대응되는 격자 형태로 구비된다.In addition, the
상기 연질지지밴드(300)와 경질지지부(200)는 동일한 고무 재질로 구비되는데, 이와 같은 경우 서로 수지 접착될 때에 접착성이 향상될 수 있다.The
그리고, 이처럼 진공홀(210) 및 흡착홈(211)을 감싸고 약 1 mm 안팎의 좁은 폭을 갖는 띠 형상의 연질지지밴드(300) 상단에 반도체소자 몰딩체(SM)가 안착될 경우, 반도체소자 몰딩체(SM)가 경질지지부(200)는 접촉되지 않으므로 접촉면적이 최소화된다.When the semiconductor device molding body SM is seated on the top of the band-shaped
그러면, 도 5에서 보는 바와 같이, 진공홀(210)을 통해 인가되는 진공압이 반도체소자 몰딩체(SM)에 작용될 수 있는 면적이 상대적으로 넓어진다. 따라서, 상기 연질지지밴드(300)가 이와 같은 형상으로 구비될 경우, 강한 흡입력으로 안정적으로 반도체소자 몰딩체(SM)를 연질지지밴드(300)에 흡착시킬 수 있다.Then, as shown in FIG. 5, the area in which the vacuum pressure applied through the
본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은 상술한 바와 같이 진공압 작용 면적을 넓히기 위해 흡착홀(211)이 구비되지만, 반도체소자 몰딩체(SM)와 접촉되는 연질지지밴드(300)의 형상으로 인해 진공압 작용 면적이 넓으므로, 별도로 진공압 작용 면적을 넓히기 위한 흡착홈(211)은 구비되지 않을 수 있다.The vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the preferred embodiment of the present invention is provided with a
한편, 반도체소자 몰딩체(SM)는 플라스틱 등으로 이루어져 있으므로 1mm 안 팎의 휘어짐 현상이 발생할 수 있는데, 이처럼 휘어진 반도체소자 몰딩체(SM)가 평평한 면에 흡착될 때, 휘어진 형상이 복원되면서 휘어진 방향의 반대 방향으로 힘(Bending force)을 받게 된다. 즉, 반도체소자 몰딩체(SM)가 1mm 만큼 휘어졌다면, 평평한 면에 흡착될 때에 1mm 만큼 복원되어 평평하게 되도록 힘을 받게 되는데, 이 과정에서 반도체소자 몰딩체(SM)가 과도한 힘을 받아 파손될 우려가 있다.On the other hand, since the semiconductor element molding body SM is made of plastic or the like, a warpage phenomenon of about 1 mm may occur. When the curved semiconductor element molding body SM is adsorbed on a flat surface, the curved shape is restored and the curved direction is restored. The bending force is applied in the opposite direction of. That is, when the semiconductor device molding body SM is bent by 1 mm, it is forced to be restored and flattened by 1 mm when adsorbed on a flat surface. In this process, the semiconductor device molding body SM may be damaged due to excessive force. There is.
그러나, 본 고안의 바람직한 실시예에 있어서, 연질지지밴드(300)는 반도체소자 몰딩체(SM)가 흡착될 때, 경질지지부(200)와 반도체소자 몰딩체(SM)를 이격시키고, 이렇게 이격되어 발생한 공간, 및 낮은 경도를 갖는 연질지지밴드(300)가 반도체소자 몰딩체(SM)의 휘어짐을 일부 수용함으로써, 흡착시 반도체소자 몰딩체(SM)에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지한다.However, in a preferred embodiment of the present invention, the
보다 상세히 설명하면, 반도체소자 몰딩체(SM)가 1mm만큼 휘어졌다면, 연질지지밴드(300)의 상단에 흡착될 때에 1mm만큼 복원되지 않고서도, 경질지지부(200)와 반도체소자 몰딩체(SM) 간의 공간 및 연질지지밴드(300)의 연성으로 인해 0.5mm 정도 휘어진 상태로도 흡착이 될 수 있다. 따라서, 1mm 만큼 휘어진 반도체소자 몰딩체(SM)라 하더라도 연질지지밴드(300)의 상단에 흡착될 때에는 약 0.5mm 만큼만 복원되면 흡착될 수 있어, 과도한 힘을 받지 않게 된다.In more detail, if the semiconductor device molding body SM is bent by 1 mm, the
또한, 이렇게 휘어진 반도체소자 몰딩체(SM)는 정렬된 상태로 평평한 면에 위치될 때, 휘어짐으로 인해 특정 일부분만 평평한 면에 접촉된 상태인데, 그 상태로 형상이 복원되는 과정에서 접촉된 특정 일부분 중 평평한 면과의 사이에 작용하는 마찰력이 작은 곳이 미끄러지면서 반도체소자 몰딩체(SM)가 위치 이동될 수 있 다.In addition, when the semiconductor element molding body SM is bent in an aligned state and is positioned on a flat surface, only a portion of the semiconductor device molding SM is in contact with the flat surface due to the bending. As the frictional force acting between the flat surface is slipped, the semiconductor element molding body SM may be moved.
이와 같이, 정렬되어 있던 반도체소자 몰딩체(SM)의 위치가 이동되어 정렬 상태가 훼손되면, 흡착 완료 후 절단 과정이 진행될 때에 절단 정확성이 저하될 수 있다.As such, when the positions of the aligned semiconductor element moldings SM are moved and the alignment state is impaired, the cutting accuracy may decrease when the cutting process is completed after the adsorption is completed.
상기 연질지지밴드(300)는 상술한 바와 같이, 연질의 재질로 이루어지므로 복원량도 적을 뿐 아니라, 흡착 전에 반도체소자 몰딩체(SM)와 접촉되는 부분과의 마찰력도 크다. 따라서, 휘어진 반도체소자 몰딩체(SM)를 흡착할 때의 미끄러짐이 차단되므로, 반도체소자 몰딩체(SM)의 위치 이동이 방지된다. 이와 같이, 반도체소자 몰딩체(SM)의 위치 이동이 방지되면, 절단 정확성이 향상될 수 있다.As described above, since the
한편, 상기 연질지지밴드(300)는 바람직하게는 0.1mm 내지 1.0mm의 두께로 구비된다. 전술된 바와 같이 연질지지밴드(300)는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 고무 재질로 이루어지는데, 큰 경도의 고무 재질로 구비될수록 연질지지밴드(300)의 두께는 두껍게 구비되는 것이 바람직하다.On the other hand, the
그러나, 연질지지밴드(300)가 Hs55의 경도로 구비되더라도, 두께가 1.0mm를 초과하는 경우에는 흡착 지지된 반도체소자 몰딩체(SM)에 대해 절단 작업이 수행될 때, 연질지지밴드(300)의 연성으로 인해 반도체소자 몰딩체(SM)가 절단칼의 절삭측압에 따라 밀림으로써 절단 정확성이 저하될 수 있어 바람직하지 않다.However, even if the
또한, 연질지지밴드(300)가 Hs10의 경도로 구비되더라도, 두께가 0.1mm 미만일 경우에는 반도체소자 몰딩체(SM)의 휘어짐을 충분히 수용할 수 없고, 반도체소자 몰딩체(SM)의 안착 및 흡착 충격도 충분히 흡수할 수 없으므로 바람직하지 않 다.In addition, even if the
본 고안의 바람직한 실시예에서는 경질지지부(200)에 형성된 복수의 진공홀(210)과 각각 연통되는 복수의 연통홀(120)이 척 베이스(100)의 상ㆍ하면을 관통하도록 형성되고, 복수의 연통홀(120)이 진공장치와 연결되도록 구비되었으나, 복수의 진공홀(210)이 진공장치와 연결되는 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of
예를 들어, 복수의 진공홀(210)의 하측과 연통되는 공동부가 척 베이스(100)에 형성되고, 상기 공동부가 별도의 연결관들을 통해 진공장치와 연결되는 형태로 구비될 수도 있다.For example, the cavity communicating with the lower side of the plurality of vacuum holes 210 may be formed in the
이상에서 본 고안은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 고안의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 실용신안등록청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes are possible within the technical spirit of the present invention, and those belonging to the utility model registration claims to which such modifications and modifications are attached. Is a matter of course.
도 1은 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 사시도,1 is a perspective view of a vacuum chuck table for a conventional semiconductor device cutting device,
도 2는 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 도 1에 도시된 A-A 단면도,2 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 1 of a vacuum chuck table for a conventional semiconductor device cutting device;
도 3은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 분해 사시도,3 is an exploded perspective view of a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to an embodiment of the present invention;
도 4는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 도 3에 도시된 B-B 단면도,4 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 3 of a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to a preferred embodiment of the present invention;
도 5는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 의해 반도체소자 몰딩체가 흡착 지지된 상태를 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a state in which a semiconductor device molding is adsorbed and supported by a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊＊ Explanation of symbols for main part of drawing ＊
100 : 척 베이스 110 : 수용홈100: chuck base 110: receiving groove
120 : 연통홀 200 : 경질지지부120: communication hole 200: hard support
210 : 진공홀 211 : 흡착홈210: vacuum hole 211: adsorption groove
220 : 삽입홈 300 : 연질지지밴드220: insertion groove 300: soft support band
SM : 반도체소자 몰딩체SM: Semiconductor device molding
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