KR20040099148A - 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 처리실내에 플라즈마를 발생시켜 피 처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 처리실내에 배치된 제 1 전극과, 상기 처리실내에서 상기 제 1 전극에 대향하는 위치에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극으로 제 1 전력을 공급하는 제 1 전력원이 속하는 제 1 전력계와, 상기 제 2 전극으로 제 2 전력을 공급하는 제 2 전력원이 속하는 제 2 전력계와, 상기 제 1 전력계 및 상기 제 2 전력계를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 제 2 전극에 대하여, 상기 처리실내의 피 처리체에 플라즈마 처리를 개시하기 전의 소정 기간동안, 상기 피 처리체의 플라즈마 처리중에 상기 제 2 전극에 인가되는 전압보다도 높은 처리전 전압이 인가되도록 상기 제 1 전력계와 상기 제 2 전력계의 양쪽 또는 어느 한쪽을 제어하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전력계는 제 1 전원측의 임피던스와 상기 제 1 전극측의 임피던스를 정합시키는 제 1 정합기를 구비하고, 상기 제 2 전력계는 상기 제 2 전원측의 임피던스와 상기 제 2 전극측의 임피던스를 정합시키는 제 2 정합기를 구비하고, 상기 제어부는 상기 제 1 정합기와 상기 제 2 정합기의 양쪽 또는 어느 한쪽의 리액턴스를 조정함으로써, 상기 제 2 전극에 인가되는 상기 처리전 전압을 생성하는것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어부는 상기 제 1 전원으로부터 상기 제 1 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 1 전력의 전력 레벨 및 상기 제 2 전원으로부터 상기 제 2 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 2 전력의 전력 레벨을 조정함으로써, 상기 제 2 전극에 인가되는 상기 처리전 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 처리실내에 배치된 제 1 전극과, 상기 처리실내에서 상기 제 1 전극에 대향하는 위치에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극으로 제 1 전력을 공급하는 제 1 전력원과, 상기 제 2 전극으로 제 2 전력을 공급하는 제 2 전력원을 구비한 플라즈마 처리 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 제 2 전극에 대하여, 상기 처리실내의 피 처리체에 플라즈마 처리를 개시하기 전의 소정 기간동안, 상기 피 처리체의 플라즈마 처리중에 상기 제 2 전극에 인가하는 전압보다도 높은 처리전 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전원측의 임피던스와 상기 제 1 전극측의 임피던스를 정합시키는 제 1 정합기 및 상기 제 2 전원측의 임피던스와 상기 제 2 전극측의 임피던스를 정합시키는 제 2 정합기의 양쪽 또는 어느 한쪽의 리액턴스를 조정함으로써, 상기 제 2 전극에 인가하는 상기 처리전 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전원으로부터 상기 제 1 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 1 전력의 전력 레벨 및 상기 제 2 전원으로부터 상기 제 2 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 2 전력의 전력 레벨을 조정함으로써, 상기 제 2 전극에 인가하는 상기 처리전 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
- 처리실내에 배치된 제 1 전극과, 상기 처리실내에 상기 제 1 전극에 대향하는 위치에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 제 1 전력을 공급하는 제 1 전력원과, 상기 제 2 전극에 제 2 전력을 공급하는 제 2 전력원을 구비하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 각 전극에 고주파 전력을 공급함으로써 처리실내에 플라즈마를 발생시켜 피 처리체를 처리하는 플라즈마 처리 공정 및 상기 플라즈마 처리 공정 전에 실시되고, 소정의 기간동안, 상기 플라즈마 처리 공정에서의 플라즈마 형성 조건과는 다른 플라즈마 형성 조건에 근거하여 플라즈마를 형성하는 플라즈마 처리 준비 공정을 갖는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 준비 공정에서는 상기 제 2 전극에 대하여, 상기 플라즈마 처리 공정중에 소정의 기간동안 상기 제 2 전극에 인가하는 전압보다도 높은 처리전 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 전원으로부터 상기 제 1 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 1 전력의 전력 레벨 및 상기 제 2 전원으로부터 상기 제 2 전력이 출력되는 타이밍과 상기 제 2 전력의 전력 레벨을 조정함으로써, 상기 제 2 전극에 인가하는 상기 처리전 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
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