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KR200341665Y1 - Plating treatment apparatus - Google Patents

Plating treatment apparatus Download PDF

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Publication number
KR200341665Y1
KR200341665Y1 KR20-2003-0035552U KR20030035552U KR200341665Y1 KR 200341665 Y1 KR200341665 Y1 KR 200341665Y1 KR 20030035552 U KR20030035552 U KR 20030035552U KR 200341665 Y1 KR200341665 Y1 KR 200341665Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating treatment
anode
plating
chamber
treatment liquid
Prior art date
Application number
KR20-2003-0035552U
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박용순
Original Assignee
주식회사 티케이씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 주식회사 티케이씨 filed Critical 주식회사 티케이씨
Priority to KR20-2003-0035552U priority Critical patent/KR200341665Y1/en
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Publication of KR200341665Y1 publication Critical patent/KR200341665Y1/en

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Abstract

본 고안은 캐소드(Cathode)실로 불순물의 침입을 대폭적으로 억제하면서 양극(anode) 금속을 안정되게 공급 가능한 도금처리장치에 관한 것으로, 도금 처리조 (10)내의 폭 방향의 양측에, 이 도금 처리조(10)내 중앙에 향하는 면이 포제부재(72)로 되는 동시에 전체로서 밀폐형의 양극(anode)실(10a)을 형성하는 밀폐 양극실 구조체(70)를 장착하는 것과 더불어 각 밀폐 양극실 구조체(70)에 각각의 양극 유니트(anode unit,11)를 수용시키고, 각 양극실(10A)내인 동시에 해당 각 양극 유니트(11)외의 도금 처리액(Q)의 일부를 추출하고 그 안의 불순물을 제거 가능하면서 불순물 제거 후의 추출도금 처리액을 캐소드(cathode)실(10K)에 되돌리고 공급 가능하게 형성되는 불순물 제거수단 (80)을 설치한 구조로 되어 있다.The present invention relates to a plating treatment apparatus capable of stably supplying an anode metal while significantly suppressing infiltration of impurities into a cathode chamber. The plating treatment vessel is provided on both sides of the width direction in the plating treatment tank 10. In addition to mounting the sealed anode chamber structure 70 in which the surface facing the center in the center becomes the foam member 72 and forms the sealed anode chamber 10a as a whole, each sealed anode chamber structure ( Each anode unit 11 can be accommodated in 70), and a portion of the plating treatment Q outside the respective anode unit 11 can be extracted at the same time in each anode chamber 10A and impurities can be removed therefrom. In addition, the impurity removal means 80 is formed so that the extraction plating treatment liquid after impurity removal is returned to the cathode chamber 10K and formed so as to be supplied.

Description

도금 처리장치{Plating treatment apparatus}Plating treatment apparatus

본 고안은 도금 처리조 내의 폭 방향의 양측에 포제 포위부재로 포위되는 양극인 양극 유니트를 장착하는 한편, 도금 처리액중인 동시에 양 양극 유니트의 사이에 캐소드를 형성하는 워크(캐소드)를 침지시키고, 도금 처리액중의 워크와 양 양극과의 사이에 전기를 공급하여 해당 워크의 표면에 도금 처리를 가하는 도금 처리장치에 관한 것이다..The present invention mounts a positive electrode unit, which is an anode surrounded by a wrapping material, on both sides in the width direction of the plating treatment tank, while immersing a work (cathode) which forms a cathode between both positive electrode units in the plating treatment liquid, The present invention relates to a plating treatment apparatus for supplying electricity between a workpiece in a plating treatment liquid and a positive electrode to apply a plating treatment to the surface of the workpiece.

종래에는 도 5에 도시된 바와 같이, 도금 처리조(10)내의 폭 방향으로 양측에 양극 (10P,12P)가 장착되고, 중앙 캐소드실(10K) 캐소드, 즉 워크(도금처리 대상물,W)가 침지된다. 그리고 외부 전원(50P)으로부터 도금처리 액(Q)중의 양극(12P)과 워크(W)에 전기를 공급하여 이 워크(W)의 표면에 양극금속을 석출하여 도금하도록 되어 있다. 이러한 도금 처리에 있어서, 석출 피막에 부츠가 없는 양호한 표면 상태로 처리를 가하기에는 도금처리 액(Q)중에 불순물(이물)이 혼입되는 것을 방지하는 것이 중요하고, 또한 품질(피막 품질, 피막 두께차 등)의 균일성 유지하기 위해서는 도금 처리조건(액(Q)의 성상 내지 조성, 전류밀도, 극사이 거리액, 액온 등)을 일정 범위 내로 유지하도록 되어 있다.Conventionally, as shown in FIG. 5, anodes 10P and 12P are mounted on both sides in the width direction in the plating vessel 10, and the cathode of the central cathode chamber 10K, that is, the workpiece (plating treatment object, W) Is immersed. Then, electricity is supplied from the external power supply 50P to the anode 12P and the workpiece W in the plating liquid Q to deposit and plate an anode metal on the surface of the workpiece W. In such plating treatment, it is important to prevent the incorporation of impurities (foreign substances) in the plating treatment Q in order to apply the treatment to a good surface state without boots in the precipitation coating, and to improve the quality (film quality, film thickness difference). In order to maintain uniformity, the plating treatment conditions (the properties and composition of the liquid Q, the current density, the distance between the poles, the liquid temperature, etc.) are maintained within a predetermined range.

그렇지만, 예를 들어 프린트 배선과 같은 워크(W)를 대량 생산하기 위해서는 다수가 독립한 도금 처리조를 열 배치하고 일괄 처리하는 방법(장치)을 채용한 것으로 품질(피막 품질, 피막 두께차 등)의 균일성을 유지하는 것이 실질적으로 곤란하였다.However, in order to mass produce the workpiece | work W, such as a printed wiring, for example, it employ | adopted the method (apparatus) which thermally arranges and batch-processes many independent plating process tanks, and quality (film quality, film thickness difference, etc.) It was substantially difficult to maintain the uniformity of.

즉 종래에는, 도금 처리조(10)를 워크(W)의 반송 방향(도 5로 지면에 수직방향)으로 긴 1조로 하는 동시에 워크(W)를 도금 처리액(Q) 중에 침지한 대로의 상태로 연속 반응시키면서, 연속 도금 처리를 실행 가능하게 형성되어 있는 것이 일반적이다.That is, conventionally, the plating process tank 10 is made into one set long in the conveyance direction (the perpendicular | vertical direction to the paper surface in FIG. 5) of the workpiece | work W, and the state as it immersed the workpiece | work W in the plating process liquid Q is carried out. It is common to form a continuous plating process while carrying out continuous reaction in the furnace.

따라서 양극 금속이온(Ion)을 효율적으로 또한 안정되고 캐소드실(10K)에 공급할 수 있도록 양극(12P) 자체에는 양극금속 용융 촉진용 물질이 함유되어 있는 경우가 많다. 즉 양극이 용출한다면, 필연적으로 불순물(양극) 금속 용융 촉진용 물질)이 슬라임(Slime)이라고 형태를 용출되어 진다.Therefore, the anode 12P itself often contains a material for promoting the melting of the anode metal so that the anode metal ion Ion can be efficiently and stably supplied to the cathode chamber 10K. In other words, if the anode is eluted, an impurity (anode) metal melting promoting material) is eluted as a slim.

이렇게 도금 처리조(10)안의 양측에 포제 포위 부재(13P)로 포위되는 양극실(10A)을 형성하고, 각 양극실(10A) 내에 수용되는 각 양극(12P)으로부터 용출한 슬라임(불순물)이 워크(W)를 삽입 침지하기 위한 캐소드실(10K) 내에 침입하지 않도록 형성되어 있었다.Thus, the anode chamber 10A surrounded by the wrapping material 13P is formed in both sides of the plating process tank 10, and the slime (impurity) eluted from each anode 12P accommodated in each anode chamber 10A is It was formed so as not to intrude into the cathode chamber 10K for inserting and immersing the workpiece | work W.

그렇지만, 상기 워크(W)가 예를 들면 전자부품(프린트 배선, 기판 등)의 도금처리의 경우, 한층 더 고품질이 요구되기에 이르고, 포제 포위 부재(13P)의 포 메시(mesh)의 협소화가 강해진다 경향에 있기 때문에 이 양극(12P)으로부터 용출한슬라임(불순물)의 캐소드실(10K)내에는 침입 방지 성능을 메시 협소화 정도에 비례적으로 향상시킬 수 있다.However, in the case where the workpiece W is, for example, plated with an electronic component (printed wiring, substrate, etc.), higher quality is required, and the narrowing of the mesh of the wrapping material 13P made of cloth Since it tends to be strong, intrusion prevention performance can be improved in proportion to the mesh narrowing degree in the cathode chamber 10K of the slime (impurity) eluted from this anode 12P.

그러나, 이러한 종래 방식은 운용의 실제를 만족할 수 없는바, 즉 운전 당초는 초기의 침입방지 성능을 발휘할 수 있지만, 시간 경과와 동시에 포제 포위부재(13P)가 슬라임(불순물)으로 그물눈이 막혀 버리기 때문에 캐소드실(10K)에의 양극 금속이온의 본래적인 공급량이 대폭적으로 감소해 버린다. 또한 양극 캐소드 간의 전류 밀도를 유지할 수 없게 됨으로서 고품질 도금처리를 안정되게 행할 수 없게 되는 문제점이 있었다.However, such a conventional method cannot satisfy the practicality of operation, that is, at the beginning of operation, the initial intrusion prevention performance can be exhibited, but at the same time, the sieve enclosing member 13P is clogged with slime (impurity) as time passes. The original supply amount of the anode metal ions to the cathode chamber 10K is greatly reduced. In addition, since the current density between the anode cathodes cannot be maintained, there is a problem that the high quality plating treatment cannot be stably performed.

본 고안의 목적은 워크를 침지하는 도금 처리액 중에 불순물의 침입을 대폭적으로 억제하면서 양극 금속을 안정되고 공급하는 것으로 있는 도금 처리장치를 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide a plating treatment apparatus which is capable of stably and supplying an anode metal while significantly suppressing the ingress of impurities in the plating treatment liquid for immersing the work.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 도금 처리조 내의 폭 방향의 양측에 포제 포위부재로 포위되는 양극인 양극 유니트를 장착하는 한편 도금 처리액중인 동시에 양 양극 유니트의 사이에 캐소드를 형성하는 워크를 침지시키고, 도금 처리액중의 워크와 양 양극과의 사이에 전기를 공급하면서 해당 워크의 표면에 도금처리를 가하는 도금처리 장치에 있어서, 상기 도금 처리조 내의 폭 방향의 양측에, 적어도 내부 중앙으로 향하는 면이 포제 부재로 되는 동시에 전체로서 밀폐형의 양극실을 형성하는 밀폐 양극실 구조체를 장착함과 더불어, 각 밀폐 양극실 구조체의 각각에 상기 양극 유니트를 수용시키고, 각 양극실내인 동시에 해당 각 양극 유니트 외의 도금 처리액이 일부를 추출하고 해당 추출 도금 처리액중의 불순물을 제거 가능하면서 불순물 제거후의 추출 도금 처리액을 도금 처리조 내인 동시에 각 밀폐 양극실 구조체 외의 캐소드실에 되돌리고 공급 가능하게 형성되는 불순물 제거 수단을 설치한 도금 처리장치로 되어 있다.The present invention for achieving the above object is to mount a positive electrode unit which is an anode surrounded by a wrapping material on both sides of the width direction in the plating treatment tank while forming a cathode between both positive electrode units in the plating treatment liquid. A plating treatment apparatus in which a workpiece is immersed and a plating treatment is applied to the surface of the workpiece while supplying electricity between the workpiece in the plating treatment liquid and the anode, at least on both sides in the width direction of the plating treatment tank. In addition to mounting a sealed anode chamber structure that forms a hermetically sealed anode chamber as a whole, the surface facing to the center is formed as a whole, and accommodates the anode unit in each of the sealed anode chamber structures, and simultaneously While the plating treatment liquid other than each anode unit extracts a part and removes impurities in the extraction plating treatment liquid, It is a plating processing apparatus provided with the impurity removal means which returns the extraction plating process liquid after impurity removal in a plating process tank, and returns to a cathode chamber other than each sealed anode chamber structure so that supply is possible.

도 1은 본 고안의 실시 형태를 설명하기 위한 전체 구성도,1 is an overall configuration diagram for explaining an embodiment of the present invention,

도 2는 본 고안의 양극 케이스를 설명하기 위한 도면,2 is a view for explaining a positive electrode case of the present invention,

도 3은 본 고안의 도금 처리조 내에 불순물 유출방지 수단을 설치한 상태를 설명하기 위한 평면도,3 is a plan view for explaining a state in which impurity leakage preventing means is installed in a plating treatment tank of the present invention;

도 4는 본 고안의 측면도,4 is a side view of the present invention,

도 5는 종래 예를 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for explaining a conventional example.

-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on the main parts of the drawing

1 : 본체, 10 : 도금 처리조,1 body, 10 plating treatment tank,

10K : 캐소드(cathode)실, 10A : 양극(anode)실,10K: cathode chamber, 10A: anode chamber,

11 : 양극 유니트(anode unit), 12 : 양극(anode),11: anode unit, 12: anode,

13 : 포대(포제 포위부재), 15 : 액 순환수단,13: bag (bubble enclosure), 15: liquid circulation means,

16 : 공급 박스(box), 17 : 표면 활성화 유지수단,16: supply box, 17 surface activation holding means,

18 : 노즐(nozzle)관, 19 : 노즐(nozzle),18: nozzle pipe, 19: nozzle,

20 : 지그,20: jig,

70 : 양극 케이스(밀폐 양극실 구조체) 불순물 유출 방지수단,70: anode case (sealed anode chamber structure) impurity leakage preventing means,

71 : 틀체(박스(box) 구조), 71H : 개구부,71: frame (box structure), 71H: opening,

72 : 포재 부재, 80 : 불순물 제거 수단,72: wrapping material member, 80: impurity removing means,

81 : 펌프, 85 : 필터,81: pump, 85: filter,

Q : 도금 처리액, W : 워크(캐소드)Q: plating treatment liquid, W: work (cathode)

이하, 본 고안의 실시 형태를 도면을 참조하고 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 고안에 따른 도금 처리장치는 도 1 ~ 도 4에 나타낸 것처럼, 도금 처리조(10) 내의 폭 방향의 양측에 적어도 조내 중앙으로 향하는 면이 포제 부재(72)로 되는 동시에 전체로서 밀폐형의 양극실(10A)을 형성하는 밀폐 양극실 구조체(양극 케이스(anode case) 71)를 장착하는 한편, 각 밀폐 양극실 구조체에 각 양극 유니트(11)을 수용시키고, 각 양극실(10A)내인 동시에 해당 각 양극 유니트(11)부터 추출한 일부 도금 처리액(Q)중의 불순물을 제거 가능하면서 불순물 제거후의 추출 도금 처리액(Q)을 도금 처리조(10) 내인 동시에 각 밀폐 양극실 구조체(71)밖의 캐소드실(10K)로 되돌리고 공급 가능하게 형성되는 불순물 제거수단(90)을 설치하고, 워크(W)를 침지하는 도금 처리액(Q) 중에의 불순물의 침입을 대폭적으로 억제하면서 양극 금속을 안정되고 공급 가능하게 형성되어 있다.In the plating apparatus according to the present invention, as shown in Figs. 1 to 4, at least both surfaces of the plating vessel 10 in the width direction toward the center of the tank become the foam member 72 and the closed anode chamber as a whole. While attaching the sealed anode chamber structure (anode case 71) which forms 10A, each anode unit 11 is accommodated in each sealed anode chamber structure, and it is in each anode chamber 10A, and each said Impurities in some of the plating treatment Q extracted from the anode unit 11 can be removed, and the extraction plating treatment Q after the removal of impurities is carried out in the plating treatment tank 10 and at the same time, the cathode chamber outside each sealed anode chamber structure 71. It is possible to stably and supply the anode metal while providing the impurity removing means 90 which is returned to (10K) and formed so as to be able to supply, and greatly suppresses the intrusion of impurities into the plating treatment Q which immerses the workpiece W. Make brother It is.

도금 처리장치의 기본적 구성 기능을 종래 예인 도 5와 같이 도금 처리조(10) 내의 폭 방향 양측에 포제 포위부재(13)와 이 포제 포위부재(13)로 포위되는 양극(12)인 양극 유니트(11 (11L,11R))를 장착함과 더불어, 도금 처리액(Q) 중인 동시에 양 양극 유니트(11L, 11R)의 사이에 캐소드(10K)를 형성하는 워크(W)를 침지시키고, 도금 처리액(Q)중의 워크(W)와 양 양극(12, 12) 사이에 전기를 공급하는 해당 워크(W)의 표면에 도금 처리(양극 금속의 석출)를 행할 수 있다.The basic configuration function of the plating apparatus is a positive electrode unit which is a positive electrode enveloping member 13 and a positive electrode 12 surrounded by the enveloping member 13 on both sides in the width direction in the plating processing tank 10 as shown in FIG. 5. 11 (11L, 11R), the work W which forms the cathode 10K between the positive electrode units 11L, 11R at the same time during the plating treatment liquid Q, and immersed the plating treatment liquid The surface of the said workpiece | work W which supplies electricity between the workpiece | work W in (Q) and the anodes 12 and 12 can be plated (precipitation of an anode metal).

도 1에 있어서, 지그(20)에 행거(hanger, 28)가 설치되고, 이 행거(28)에는 복수의 설치 나사(29)를 이용하고 워크(W)가 유지되어 있으며, 워크(W)가 지지된 지그(20)는 승강 수단(도시 생략)에 따라서 도금 처리조(10)의 폭 방향(도면으로 좌우 방향)의 중심에 설치되는 반송 레일(37) 상에 하강된다.In FIG. 1, a hanger 28 is provided on the jig 20, and the work W is held on the hanger 28 using a plurality of mounting screws 29. The supported jig 20 is lowered on the conveyance rail 37 provided in the center of the width direction (left-right direction to drawing) of the plating process tank 10 according to elevating means (not shown).

또한, 상기 지그(20)의 하단은 진동 방지부재(60) 내에 안내되고, 워크(W)의 좌우방향의 자세, 즉 극 사이 거리[양극(12)와 캐소드(워크(W))와의 거리]를 일정으로 유지할 수 있는데 이러한 것이 고품질 도금 처리를 행할 수 있다.In addition, the lower end of the jig 20 is guided in the anti-vibration member 60, and the posture in the left and right directions of the work W, that is, the distance between the poles (the distance between the positive electrode 12 and the cathode (work W)). Can be kept constant, which can perform a high quality plating process.

그리고 반송 수단(도시 생략)에 따라서 상기 지그(20)는 반송레일(37)에 따라 도면에서 지면 수직방향(반송방향)으로 이동된다. 즉 캐소드를 형성하는 워크(W)는 도금 처리조(10)의 폭 방향 중앙의 캐소드실(10K) 내에서 도금 처리액(Q)중 반송 방향으로 연속 반송된다.In addition, according to the conveying means (not shown), the jig 20 is moved along the conveying rail 37 in the paper vertical direction (conveying direction) in the drawing. That is, the workpiece | work W which forms a cathode is continuously conveyed in the conveyance direction in plating process liquid Q in the cathode chamber 10K of the width direction center of the plating process tank 10.

또한, 양극 케이스[70(70L, 70R)]는 적어도 조내 중앙으로 향하는 면이 포제 부재(72)로 되는 동시에 전체로서 밀폐형의 양극실(11A)을 형성하는 밀폐 양극실 구조체를 형성하고, 도금 처리조(10)내의 폭 방향 양측에 장착된다. 급전 바(bar)를 겸용하는 설치 훅(73)을 이용하고 도금 처리조(10)에 각각 착탈 가능하도록 되어 있다.In addition, the anode case 70 (70L, 70R) forms a hermetically sealed anode chamber structure in which at least a surface directed toward the center of the tank becomes the foam member 72 and forms the sealed anode chamber 11A as a whole, and the plating process is performed. It is attached to the width direction both sides in the tank 10. The attachment hook 73 which also serves as a feeding bar is used to be attached to and detached from the plating treatment tank 10.

즉 밀폐 양극실 구조체(70) 전체를 도금 처리조(10) 내에 착탈 가능한 박스 구조로 하는 것으로, 도금 처리조(10) 내에의 장착·착탈을 포함하는 유지 상태를 간단히 행할 수 있도록 형성하고 있으며, 박스 구조이기 때문에 도금 처리조(10)내의 내장품[예를 들면, 노즐관(18)]에 대한 간섭을 회피하기 쉽다.That is, the entire closed anode chamber structure 70 is formed in a box structure detachable from the plating treatment tank 10 so that the holding state including attachment and detachment in the plating treatment tank 10 can be easily performed. Since it is a box structure, it is easy to avoid the interference with the interior goods (for example, the nozzle pipe 18) in the plating process tank 10. FIG.

또 밀폐 양극실 구조체(70)는 도금 처리조(10) 내에의 장착 상태로 워크(W)를 향하는 표면을 포제 부재(72)라고 하는 동시에 그 밖의 면(배면 및 양측면)을 밀폐 판재로 구성되는 것으로 구조를 간단하게, 또한 저비용으로 제작할 수 있도록 되어 있다.In addition, the sealed anode chamber structure 70 is formed of the plating member 10 in which the surface facing the workpiece W is mounted in the plating treatment tank 10, and the other surfaces (back and both sides) are formed of a sealed plate. In this way, the structure can be produced easily and at low cost.

이 밀폐 양극실 구조체(70)에는 전기 공급을 겸용하는 훅부재(14)를 이용하고 양극 유니트(11)가 착탈된다. 즉 포제 부재(72)는 양극(12)과 캐소드[워크(W)]와의 통전을 허용하면서 양극(12)으로부터 용출되는 동시에 포제 포위부재(13)를 통과한 불순물이 캐소드실(10K) 측에 유출되는 것을 방지하기 때문에 상기 밀폐 양극실 구조체(70)는 불순물 유출방지 수단을 구성하더라도 된다.The positive electrode unit 11 is attached and detached to the hermetically sealed anode chamber structure 70 using a hook member 14 which also serves as an electric supply. That is, the foam member 72 is eluted from the anode 12 while allowing the anode 12 and the cathode (work W) to conduct electricity, and the impurities passing through the foam envelope member 13 are disposed on the cathode chamber 10K side. Since the leakage is prevented, the sealed anode chamber structure 70 may constitute an impurity leakage preventing means.

즉 양극(12)으로부터 용출한 양극 금속 및 슬라임을 포제 포위부재(13)를 통하여 캐소드실(10K)에 직접 공급하는 것이 아니라, 후술하는 불순물 제거 수단(80)을 통하여 슬라임 제거화한 양극 금속이온 함유 도금액(Q)을 포제 포위부재(13)를 통과시키는 일없이 캐소드실(10K)에 공급하도록 되어 있다.In other words, the anode metal and slime eluted from the anode 12 are not directly supplied to the cathode chamber 10K through the enveloping enclosure 13, but slime removed through the impurity removal means 80 to be described later. The containing plating liquid Q is supplied to the cathode chamber 10K without passing the foam enveloping member 13.

따라서 캐소드실(10K) 내에서 슬라임이 없는 청정한 도금액(Q)으로 고품질 도금 처리를 행할 수 있는 것과 동시에, 양극 유니트(11) 내의 슬라임 농도의 상승을 억제할 수 있는 동시에 포제 포위부재(13)의 통전성을 유지하면서 로딩을 방지할 수 있기 때문에 고품질 도금처리 운전을 장시간에 걸쳐 안전하게 행할 수 있다. 즉 프린트 배선 기판과 같은 고품질 제품을 대량으로 생산할 수 있다.Therefore, a high quality plating process can be performed with a clean plating liquid Q without slime in the cathode chamber 10K, and an increase in the slime concentration in the anode unit 11 can be suppressed, and at the same time, Since the loading can be prevented while maintaining the electrical conductivity, a high quality plating treatment can be safely performed for a long time. That is, high quality products such as printed wiring boards can be produced in large quantities.

더욱이, 양극 유니트(11)의 포제 포위부재(13)에 로딩이 생긴 경우에는 양극유니트(11) 자체를 해당 밀폐 양극실 구조체(70L, 70R) 안으로부터 꺼내고, 이 포제 포위부재(13)를 간단히 교환할 수 있다.In addition, when loading occurs in the enveloping enclosing member 13 of the positive electrode unit 11, the anode unit 11 itself is taken out from the sealed anode chamber structures 70L and 70R, and the enveloping enclosing member 13 is simply removed. I can exchange it.

또한 포제 포위부재(13)는 양극(12)으로 부터의 양극 금속 용출 용이화 등 때문에 사각형의 틀의 주변을 포제 포위부재로 덮는 구조로 되어 있다.In addition, the enveloping enclosing member 13 is structured to cover the periphery of the rectangular frame with the enveloping enveloping member due to the ease of elution of the anode metal from the anode 12 and the like.

양극 케이스(70)는 도 2(C)에 도시된 바와 같이 상부 개방으로 도 2(A)로 하측[(B)으로 지면 앞 축]의 저면판에 개구부(71H)가 마련하는 동시에 그 밖의 면 판(배면판 및 양 측면판)으로 구성되는 밀폐 구조의 틀체(71)과, 개구부(71H)를 막도록 장착되는 포제 부제(72)는 비스(vis) 등으로 전면판에 설치 고정된다.As shown in Fig. 2 (C), the anode case 70 has an opening 71H provided on the bottom plate of the bottom side ((B), the front axis of the paper to the bottom side) with the top opening, and the other surface. The frame 71 of an airtight structure composed of a plate (back plate and both side plates), and the foam subsidiary 72 mounted to block the opening 71H are fixed to the front plate by vis or the like.

또한 틀체(71)에는 2개의 개구부(71H)가 설치되고, 양극 케이스(70)로서는 도 3, 도 4에 나타나듯이 복수가 반송(X)방향에 정렬 설치된다.Moreover, two opening parts 71H are provided in the frame 71, and as the positive electrode case 70, as shown in FIG. 3, FIG. 4, the plurality is arranged in the conveyance (X) direction.

또한 밀폐 양극실 구조체[70(70L, 70R)]은 도금 처리조(10) 내에 장착되는 상태로 포제 부재(72)만을 교환 가능하다.The sealed anode chamber structures 70 (70L, 70R) can be replaced only with the fabric member 72 in a state where they are mounted in the plating treatment tank 10.

따라서 포제 부재(72)의 교환을 비교적 단시간에 행할 수 있는 동시에 교환 작업이 편안하고 도금처리 운전의 정기 기간을 대폭적으로 단출화할 수 있는바, 즉 이는 도금처리 운전 기간의 장기화를 도모할 수 있으며, 또한 고도의 품질 균일화를 도모할 수 있다.Therefore, the replacement of the fabric member 72 can be performed in a relatively short time, and at the same time, the replacement work is comfortable, and the regular period of the plating treatment operation can be significantly shortened, that is, the plating treatment operation period can be extended. In addition, high quality uniformity can be achieved.

또한 도금 처리조(10)의 폭 방향 치수가 작은 소형인 경우에는 밀폐 양극실 구조체(70) 전체를 도금 처리조 위 밖으로 꺼낼 수 있기 때문에 적응성이 향상된다.In addition, when the width direction dimension of the plating process tank 10 is small, since the whole closed anode chamber structure 70 can be taken out on the plating process tank, adaptability improves.

불순물 제거수단(80)은 이 실시 형태에서는 액 순환 수단(15)을 포함하고,양극실(10A) 내인 동시에 해당 각 양극 유니트(11)외의 도금 처리액(Q)의 일부를 추출하고, 해당 추출 도금 처리액(Q) 중의 불순물(양극 금속 용융 촉진용 물질)을 제거하며, 또한 불순물 제거후의 추출 도금 처리액(Q)을 도금 처리조(10) 내인 동시에 각 밀폐 양극실 구조체(70) 밖의 캐소드실(10K)에 되돌리고 공급 가능하게 형성되어 있다.The impurity removal means 80 includes liquid circulation means 15 in this embodiment, extracts a part of the plating treatment Q in the anode chamber 10A and other than the corresponding anode unit 11 and extracts the portion. Impurities (positive metal melting promoting substance) in the plating treatment liquid Q are removed, and the extraction plating treatment Q after the removal of impurities is carried out in the plating treatment tank 10 and at the cathode outside each sealed anode chamber structure 70. It returns to the chamber 10K, and is formed so that supply is possible.

이를 자세히 설명하면, 각 양극실(10A, 10A) 내의 도금 처리액(Q) 일부는 액 순환수단(15)으로 순환 재이동 된다. 즉 각 양극실(10A, 10A) 내의 처리액(Q0은 도금 처리조(10)의 밑면측의 칸막이벽(10T)에 의해 격리되는 배출경로(10BT, 10BT), 배출박스(10BT) 및, 배출 플랜지(10F82)에 접속되는 흡입 배관(82)을 통하여 도금 처리조(10)밖에 설치되는 펌프(81)로 흡입되면서 추출되고, 필터(85)를 통과시키고 불순물을 제거되는 뒤에 되돌리고 공급관(83), 공급 플랜지(10F83) 및, 공급 박스 (15)로부터 캐소드(10K) 실내에 되돌리고 공급됨에 따라 도금 처리액 청정 순환 재이용 방식으로 되어 있다.In detail, a part of the plating treatment Q in each of the anode chambers 10A and 10A is cyclically moved back to the liquid circulation means 15. In other words, the processing liquid Q0 in each of the anode chambers 10A and 10A is discharge paths 10BT and 10BT, discharge boxes 10BT, and discharged by the partition wall 10T on the bottom side of the plating chamber 10. The suction pipe 82 connected to the flange 10F82 is sucked into the pump 81 installed outside the plating bath 10 and extracted while passing through the filter 85 and the impurities are removed and returned to the supply pipe 83. , The supply flange 10F83 and the supply box 15 are returned from the supply box 15 to the inside of the cathode 10K and are supplied with the plating treatment liquid clean circulation recycling method.

필터(85), 펌프(81) 등이 상기 도금 처리조 밖에 설치되어 있기 때문에 필터 교환 등을 간단히 확인할 수 있는 동시에 유지가 용이하다.Since the filter 85, the pump 81, etc. are provided outside the said plating process tank, filter replacement etc. can be confirmed easily and it is easy to maintain.

더욱이 이 실시 형태에서는 표면 활성화 유지수단(17)을 이용하고 캐소드실(10K) 내에 상하 방향으로 도금 처리액(Q)을 균일히 공급하면서 워크(W)가 표면이 활성화를 유지 가능하도록 되어 있다.Furthermore, in this embodiment, the surface of the workpiece W can be kept activated while uniformly supplying the plating treatment liquid Q to the cathode chamber 10K in the vertical direction using the surface activation holding means 17.

즉 표면 활성화 유지수단(17)은 공급박스(16)에 기립 접속되는 좌우 1쌍의 노즐관(18)과 각 노즐관(18)에 예비 복수의 노즐(19)로 되어 있고, 공급 박스(16)에 되돌리고 공급되는 도금 처리액(Q)을 워크(W)에 직각으로 향하고 분류시키는 것에 의해, 워크(W)의 표면의 활성화를 높이는 동시에 전류 밀도를 시간적으로 균일히 안전시킬 수 있어서 즉 품질 향상을 도모할 수 있다.That is, the surface activation holding means 17 consists of a pair of left and right nozzle pipes 18 standing up and connected to the supply box 16 and a plurality of spare nozzles 19 in each nozzle pipe 18, and the supply box 16. By directing and sorting the plating treatment liquid Q supplied to the workpiece at right angles to the workpiece W, the activation of the surface of the workpiece W can be enhanced and the current density can be uniformly secured in time, that is, the quality is improved. Can be planned.

본 고안의 제 2의 실시 형태는 기본적 구성 기능이 제 1 실시예 형태의 경우와 마찬가지이나 밀폐 양극실 구조체(양극 케이스)의 구조는가 제 1의 실시예 형태의 경우와 다르다.In the second embodiment of the present invention, the basic configuration functions are the same as those in the first embodiment, but the structure of the sealed anode chamber structure (anode case) is different from that in the first embodiment.

즉 양극 케이스(70)가 박스 구조의 틀체(71)와 전면이 포제 부재(72)로 덮인 형태이지만, 이 제 2의 실시형태에서는 전체가 백(Back) 형태로 형성됨에 따라서 양극 케이스(70)를 저 비용으로 구현화할 수 있다.That is, although the anode case 70 is in a form in which the frame 71 and the entire surface of the box structure are covered with the fabric member 72, in the second embodiment, the anode case 70 is formed as a whole in the form of a back. Can be implemented at low cost.

상기와 같이 본 고안에 따른 도금 처리장치는 도금되는 워크(W)의 석출피막(표면상태)의 이상 없이 고품질 제품을 안정되게 생산할 수 있으며, 도금 처리액이 청정 순환방식으로 되어 있으면서 유지 보수가 용이한 잇점 등을 갖는다.As described above, the plating apparatus according to the present invention can stably produce high-quality products without abnormality of the precipitation film (surface state) of the workpiece W to be plated, and the maintenance is easy while the plating treatment liquid is in a clean circulation method. It has one advantage.

Claims (3)

도금 처리조 내의 폭 방향의 양측으로 포제 포위부재로 포위되는 양극인 양극 유니트를 장착함과 더불어 도금 처리액 중인 동시에 양 양극 유니트의 사이에 캐소드를 형성하는 워크를 침지시키고, 도금 처리액중의 워크와 양 양극과의 사이에 전기를 공급하면서 해당 워크의 표면에 도금 처리를 가하는 도금 처리장치에 있어서,Mounting the anode unit, which is the anode surrounded by the enveloping enclosing member, on both sides of the width direction in the plating treatment tank, and immersing the workpiece forming the cathode between the two anode units in the plating treatment liquid, and the workpiece in the plating treatment liquid. In the plating treatment apparatus for applying a plating treatment to the surface of the workpiece while supplying electricity between and the positive electrode, 상기 도금 처리조 내의 폭 방향 양측에 적어도 조내 중앙으로 향하는 면이 포제 부재로 되는 동시에 전체로서 밀폐형의 양극실을 형성하는 밀폐 양극실 구조체를 장착함과 더불어, 각 밀폐 양극실 구조체의 각각에 상기 양극 유니트를 수용시키며 각 양극 실내인 동시에 해당 각 양극 유니트 외의 도금 처리액의 일부를 추출하고, 해당 추출 도금 처리액중의 불순물을 제거 가능하면서 불순물 제거후의 추출 도금 처리액을 도금 처리조 내인 동시에 각 밀폐 양극실 구조체외의 캐소드실에 되돌리는 공급 가능한 불순물 제거수단을 설치한 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.On both sides in the width direction of the plating chamber, at least a surface facing the center of the tank becomes a fabric member, and a hermetically sealed anode chamber structure is formed to form a hermetically sealed anode chamber as a whole. It accommodates the unit and extracts a part of the plating solution outside each anode unit at the same time as the inside of each anode, and removes impurities in the extraction plating treatment liquid, and seals the extraction plating treatment liquid after removing impurities in the plating treatment tank and at the same time. A plating treatment apparatus comprising a supplyable impurity removing unit returning to a cathode chamber other than an anode chamber structure. 제 1항에 있어서, 상기 불순물 제거수단이 상기 도금 처리조 밖에 설치되고, 상기 각 양극 실내의 도금 처리액의 일부를 펌프로 흡입하면서 추출하고 필터를 통과 후에 상기 캐소드 실내에 되돌리고 공급하는 도금 처리액 청정 순환 재이용 방식으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 도금 처리장치.2. The plating treatment liquid according to claim 1, wherein the impurity removing means is provided outside the plating treatment tank, and extracts a portion of the plating treatment liquid inside each of the anode chambers by suction with a pump, and returns and supplies the mixture to the cathode interior after passing through a filter. Plating treatment apparatus characterized in that the clean circulation reuse method. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 각 밀폐 양극실 구조체가 상기 도금 처리조 내에 착탈 가능한 박스 구조인 동시에 상기 워크를 향하는 면이 상기 포제 부재로부터 형성되어 있는 것을 특징을 하는 도금 처리장치.The plating treatment apparatus according to claim 1 or 2, wherein each of the sealed anode chamber structures has a box structure detachable from the plating treatment tank, and a surface facing the work is formed from the fabric member.
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