KR20030085065A - 정보층 내에 흡광 화합물로서의 염료를 함유하는 광학데이터 매체 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하나 이상의 배리어층으로 임의로 예비 코팅되고, 그 표면 상에 광을 이용하여 기록될 수 있는 정보층, 임의로 하나 이상의 배리어층, 및 커버층이 도포된 바람직하게는 투명한 기판을 함유하고; 상기 정보층 상의 상기 커버층을 통해 초점이 맞추어진 청색광, 바람직하게는 360 nm 및 460 nm 사이의 파장을 갖는 레이저광을 이용하여 기록되고 판독될 수 있고; 상기 정보층이 흡광 화합물 및 임의로 결합제를 포함하는 것인 광학 데이터 매체에 있어서, 상기 흡광 화합물로서 하나 이상의 염료가 사용되고, 상기 접착제층을 포함한 상기 정보층 위의 커버층이 10 ㎛ 내지 177 ㎛의 총 두께를 가지며 초점을 맞추는 대물렌즈 셋업 (setup)의 수 구경 NA는 0.8 이상인 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체에 관한 것이다.
Description
"단독으로 (singly) 기록가능한" 이라는 용어는 "한 번 (once) 기록가능한" 이라는 용어와 동일한 의미를 갖는다.
특정 흡광 물질 또는 이들의 혼합물을 이용한 단독으로 기록가능한 광학 데이터 매체는 청색 레이저 다이오드, 특히 GaN 또는 SHG 레이저 다이오드 (360-460 nm)로 작동하는 고밀도 기록가능 광학 데이터 매체에 사용되는 경우 및(또는) 적색 (635-660 nm) 또는 적외선 (760-830 nm) 레이저 다이오드로 작동되는 DVD-R 또는 CD-R 디스크에 사용되는 경우에, 그리고, 예를 들어 폴리카르보네이트, 코폴리카르보네이트, 폴리시클로올레핀, 폴리올레핀으로 제조된 중합체 기판에 스핀-코팅, 증착 또는 스퍼터링 (sputtering)에 의해 상술한 염료를 도포하는 것에 특히 적합하다.
단독으로 기록가능한 컴팩트 디스크 (CD-R, 780 nm)는 최근 양적인 면에서 막대한 성장을 경험하였으며, 기술적으로 확립된 시스템이다.
최근에, 차세대 광학 데이터 저장체- DVD가 시판을 시작하였다. 단파장 레이저 방사선 (635 내지 660 nm) 및 보다 높은 수 구경NA를 이용함으로써, 상기 저장 밀도는 증가할 수 있다. 이러한 경우에, 상기 단독으로 기록가능한 포맷 (format)은 DVD-R이다.
현재, 고 레이저 전력을 갖는 청색 레이저 다이오드 (GaN, JP-A-08 191 171 또는 제2 고조파 발생 (SHG; Second Harmonic Generation), JP-A-09 050 629에 근거한 것) (360 nm 내지 460 nm)에 사용되는 광학 데이터 저장 포맷이 개발중에 있다. 따라서, 기록가능한 광학 데이터 저장체는 또한 현재 세대에 사용되고 있다. 상기 기록가능한 저장 밀도는 정보판 (information plane)의 레이저 스폿 (spot)의 초점 맞추기에 의존한다. 상기 스폿의 크기는 레이저 파장 λ/NA로 측량된다.NA는 사용된 렌즈의 수 구경이다. 가능한 높은 저장 밀도를 얻기 위해서, 가능한 파장 λ이 짧은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 현재는 반도체 레이저 다이오드를 기준으로 390 nm가 가능하다.
특허 문헌은 염료를 기재로 하고 CD-R 및 DVD-R 시스템에 매우 적합한 기록가능한 광학 데이터 저장체를 개시한다 (JP-A 11 043 481 및 JP-A 10 181 206). 여기에서, 고 반사율 및 고 변조 진폭의 판독 신호를 위해, 그리고 기록 과정 동안의 충분한 민감성을 위해, 상기 CD-R의 IR 파장 780 nm가 상기 염료의 흡수 피크의장파 플랭크 (flank)의 바닥에 있고, 상기 DVD-R의 적색 파장 635 nm 또는 650 nm가 또한 상기 염료의 흡수 피크의 장파 플랭크의 바닥에 있다는 사실을 이용한다. 이러한 개념은 상기 흡수 피크의 장파 플랭크 상의 파장을 작동시키는 450 nm의 지역을 포함하는 것으로 확장된다.
상술한 광학적 특성 이외에도, 흡광 유기 물질을 포함하는 기록가능한 정보층은 기록 및 판독 과정 동안의 노이즈 (noise) 신호를 최소화하기 위해 가능한 무정형인 형태를 가져야 한다. 이러한 목적을 위해, 용액으로부터의 스핀-코팅, 스퍼터링 또는 증착 및(또는) 승화를 통해 상기 물질을 도포하는 동안에, 진공에서 금속층 또는 유전층으로 연속적으로 재코팅되는 동안의 상기 흡광 물질의 결정화가 방지된다면 특히 바람직하다.
흡광 물질의 무정형층은 바람직하게는 높은 열 변형 저항성을 가져야 하는데, 이는 그렇지 않으면 스퍼터링 또는 증착에 의해 상기 흡광 정보층에 도포되는 추가의 유기 또는 무기 물질의 층이 확산을 통해 불명확한 경계면을 형성하게 될 것이고, 따라서 반사율에 역효과를 주게 되기 때문이다. 그리고, 중합체 기판과의 경계면에서 지나치게 낮은 열 변형 저항성을 갖는 흡광 물질은 중합체 기판 내로 분산될 수 있고 다시 한번 반사율에 역효과를 주게 된다.
흡광 물질이 지나치게 높은 증기압을 갖는 경우, 상기 물질은 높은 진공에서 상술한 추가의 층의 스퍼터링 또는 증착 과정 동안에 승화될 수 있고, 따라서 소망하는 층의 두께를 감소시키게 된다. 이것은 이번에는 반사율에 역효과를 가져온다.
가능한 높은 구역 밀도를 얻기 위한 목적에서 대물 렌즈로서 고NA렌즈를 포함하면, 상기 정보층에 초점을 맞출 때 판독 빔이 투과하는 투명층, 즉 기판 또는 커버층의 두께는 그의 스큐 마진 (skew margin)을 제한할 것이다. CD 및 DVD 대물 렌즈의NA가 각각 0.45 및 0.60이기 때문에, 이들의 기판 두께는 질량 생성 광학 드라이브에 대해 충분한 스큐 마진을 확보하기 위해 각각 1.2 mm 및 0.6 mm로 선택되었다. 질량 생성 과정이 통상의 매체와 전체적으로 상이하기 때문에 상기 커버층의 두께는 질량 생성에서 매우 중요하며, 따라서 상기 매체의 기록/판독의 수행은 또한 이러한 신규하게 고안된 매체에 대해 최적화되어야 한다. 이러한 얇은 커버층은 쉽게 구부러질 수 있고 따라서 상기 정보층을 상기 커버에 직접적으로 코팅하기에 적합하지 않기 때문에, 상기 커버층이 상기 기판에 고정되기 전에 상기 정보층 및 보호층은 두꺼운 기판 상에 형성될 것이다. CD-R 및 DVD-R은 그의 기록 특성을 개선하기 위해, 보호층을 위한 목적에서, 그리고 또한 충분한 경질도를 갖는 정보층을 코팅하기 위해 UV 수지 경질 커버를 사용한다.
따라서, 본 발명의 목적은 단독으로 기록가능한 광학 데이터 매체의 정보층으로 사용되기 위해, 특히 360 내지 460 nm의 레이저 파장 범위에서 고밀도의 기록가능한 광학 데이터 저장 포맷을 위해 높은 요구 사항 (예를 들어, 광 안정성, 유리한 신호/노이즈 비율, 기판 물질에 손상을 가하지 않는 도포 등)을 충족시키는 적합한 화합물을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 본 발명에 이르러NA에 수반된 커버층의 두께의 특정 변수와 조합으로 염료, 바람직하게는 프탈로시아닌 염료 및 메로시아닌 염료로 구성된 군으로부터의 흡광 화합물이 상술한 요구 사항의 프로파일을 특히 잘 수행할 수 있음을 발견하였다. 특히 프탈로시아닌은 레이저에 중요한 360-460 nm의 파장 범위, 즉 B 또는 소렛 (Soret) 밴드에서 강한 흡수도를 갖는다. 메로시아닌은 420-550 nm의 파장 범위에서 그들을 레이저에 적합하게 하는 강한 흡수도를 갖는다.
따라서, 본 발명은 하나 이상의 배리어층으로 임의로 예비 코팅되고, 그 표면 상에 광을 이용하여 기록될 수 있는 정보층, 임의로 하나 이상의 배리어층, 및 커버층이 도포된 바람직하게는 투명한 기판을 함유하고; 상기 정보층 상의 상기 커버층을 통해 초점이 맞추어진 청색광, 바람직하게는 360 nm 및 460 nm 사이의 파장을 갖는 레이저광을 이용하여 기록되고 판독될 수 있고; 상기 정보층이 흡광 화합물 및 임의로 결합제를 포함하는 것인 광학 데이터 매체에 있어서, 상기 흡광 화합물로서 하나 이상의 염료가 사용되고, 상기 접착제층을 포함한 상기 정보층 위의 커버층이 10 ㎛ 내지 177 ㎛의 총 두께를 가지며 초점을 맞추는 대물렌즈 셋업 (setup)의 수 구경 NA는 0.8 이상인 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체에 관한 것이다.
흡광 화합물로서 바람직한 것은 메로시아닌이며, 가장 바람직하게는 하기 화학식 I의 화합물이 바람직하다.
상기 식에서,
A는 하기 화학식 II, III 또는 IV의 라디칼을 나타내고,
X1은 CN, CO-R1, COO-R2, CONHR3또는 CONR3R4를 나타내고,
X2는 할로겐, C1- 내지 C6-알킬, C6- 내지 C10-아릴, 5원 또는 6원의 헤테로시클릭 라디칼, CN, CO-R1, COO-R2, CONHR3또는 CONR3R4를 나타내거나,
CX1X2는 벤조- 또는 나프타-융합 및(또는) 비이온성 또는 이온성 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기 화학식의 고리를 나타내고,
(상기 식들에서, 별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄)
X3는 N 또는 CH를 나타내고,
X4는 O, S, N, N-R6또는 CH를 나타내고 (여기에서, X3및 X4는 동시에 CH를 나타내지 않음),
X5는 O, S 또는 N-R6을 나타내고,
X6은 O, S, N, N-R6, CH 또는 CH2를 나타내고,
X4, X3및 그 사이에 결합된 C 원자와 함께 상기 화학식 II의 고리 B, 및
X5, X6및 그 사이에 결합된 C 원자와 함께 하기 화학식 V의 고리 C는 서로 독립적으로 1 내지 4개의 헤테로 원자를 함유할 수 있고 및(또는) 벤조- 또는 나프타-융합될 수 있고 및(또는) 비이온성 또는 이온성 라디칼에 의해 치환될 수 있는 5원 또는 6원의 방향족 또는 준방향족 헤테로시클릭 고리를 나타내고,
Y1은 N 또는 C-R7을 나타내고,
Y2는 N 또는 C-R8을 나타내고,
R1내지 R6은 서로 독립적으로, 수소, C1내지 C6-알킬, C3내지 C6-알케닐, C5내지 C7-시클로알킬, C6내지 C10-아릴 또는 C7내지 C15-아랄킬을 나타내고,
R7및 R8은 서로 독립적으로 수소, 시아노 또는 C1내지 C6-알킬을 나타내고,
R9내지 R10은 서로 독립적으로 C1내지 C6-알킬, C6내지 C10-아릴, C7내지 C15-아랄릴을 나타내거나,
NR9R10은 5원 또는 6원의 포화 헤테로시클릭 고리를 나타낸다.
또한, 화학식 I의 올리고머 및 중합체 메로시아닌 염료 중에서, 하나 이상의 라디칼 R1내지 R10또는 하나 이상의 비이온성 라디칼이 가교를 나타내는 것이 바람직하다. 상기 가교는 둘 이상의 메로시아닌 염료를 연결하여 올리고머 또는 중합체를 형성할 수 있다. 그러나, 이것은 또한 중합체 사슬로 가교를 나타낼 수도 있다. 이러한 경우에, 상기 메로시아닌 염료는 빗형의 형태로 이러한 사슬에 결합된다.
적합한 가교는 예를 들어 화학식 -(CH2)n- 또는 -(CH2)m-Z-(CH2)p- (식 중, n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이고, Z는 -O- 또는 -C6H4-를 나타냄)이다.
중합체 사슬은 예를 들어 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴아미드, 폴리실록산, 폴리-α-옥시란, 폴리에테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리우레아, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌 또는 폴리말레산이다.
적합한 비이온성 라디칼은 예를 들어 C1내지 C4-알킬, C1내지 C4-알콕시, 할로겐, 시아노, 니트로, C1내지 C4-알콕시카르보닐, C1내지 C4-알킬티오, C1내지 C4-알카노일아미노, 벤조일아미노, 모노- 또는 디-C1내지 C4-알킬아미노, 피롤리디노, 피페리디노, 피페라지노 또는 모르폴리노이다.
적합한 이온성 라디칼은 예를 들어 암모늄 라디칼 또는 직접 결합을 통해 또는 -(CH2)n- (식 중, n은 1 내지 6의 정수를 나타냄)을 통해 결합될 수 있는 COO-- 또는 SO3 -- 라디칼이다.
알킬, 알콕시, 아릴 및 헤테로시클릭 라디칼은 임의로 알킬, 할로겐, 니트로, 시아노, CO-NH2, 알콕시, 트리알킬실릴, 트리알킬실록시 또는 페닐과 같은 다른 라디칼을 함유할 수 있고, 상기 알킬 및 알콕시 라디칼은 직쇄 또는 분재쇄일 수 있고, 상기 알킬 라디칼은 부분적으로 할로겐화 또는 과할로겐화될 수 있고, 상기 알킬 및 알콕시 라디칼은 에톡실화 또는 프로폭실화 또는 실릴화될 수 있고, 아릴 또는 헤테로시클릭 라디칼에 인접한 알킬 및(또는) 알콕시 라디칼은 함께 3원 또는 4원의 가교를 형성할 수 있고, 상기 헤테로시클릭 라디칼은 벤조 융합될 수 있고(있거나) 사원화될 수 있다.
특히 바람직하게는,
상기 화학식 II의 고리 B는 푸란-2-일, 티오펜-2-일, 피롤-2-일, 벤조푸란-2-일, 벤조티오펜-2-일, 티아졸-5-일, 이미다졸-5-일, 1,3,4-티아디아졸-2-일, 1,3,4-트리아졸-2-일, 2- 또는 4-피리딜, 2- 또는 4-퀴놀릴이며, 상기 개별 고리는 C1내지 C6-알킬, C1내지 C6-알콕시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, C1내지 C6-알콕시카르보닐, C1내지 C6-알킬티오, C1내지 C6-아실아미노, C6내지 C10-아릴, C6내지 C10-아릴옥시, C6내지 C10-아릴카르보닐아미노, 모노- 또는 디-C1내지 C6-알킬아미노, N-C1내지 C6-알킬-N-C6내지 C10-아릴아미노, 피롤리디노, 모르폴리노 또는 피페리디노에 의해 치환될 수 있고,
상기 화학식 V의 고리 C는 벤조티아졸-2-일리덴, 벤즈옥사졸-2-일리덴, 벤즈이미다졸-2-일리덴, 티아졸-2-일리덴, 이소티아졸-3-일리덴, 이소옥사졸-3-일리덴, 이미다졸-2-일리덴, 피라졸-5-일리덴, 1,3,4-티아디아졸-2-일리덴, 1,3,4-옥사디아졸-2-일리덴, 1,2,4-티아디아졸-5-일리덴, 1,3,4-트리아졸-2-일리덴, 3H-인돌-2-일레덴, 디히드로피리딘-2- 또는 4-일리덴, 또는 디히드로퀴놀린-2- 또는 -4-일리덴을 나타내고, 상기 개별 고리는 C1내지 C6-알킬, C1내지 C6-알콕시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, C1내지 C6-알콕시카르보닐, C1내지 C6-알킬티오, C1내지 C6-아실아미노, C6내지 C10-아릴, C6내지 C10-아릴옥시, C6내지 C10-아릴카르보닐아미노, 모노- 또는 디-C1내지 C6-알킬아미노, N-C1내지 C6-알킬-N-C6내지 C10-아릴아미노, 피롤리디노, 모르폴리노 또는 피페리디노에 의해 치환될 수 있다.
특히 바람직한 형태에서, 이용되는 메로시아닌은 하기 화학식 VI의 것들이다.
상기 식에서,
X1은 CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내고,
X2는 할로겐, 메틸, 에틸, 페닐, 2- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내거나,
CX1X2는 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 불소, 염소, 브롬, 시아노, 니트로, 메톡시카르보닐 ,에톡시카르보닐, 페닐,,, SO3 -M+및 -CH2-SO3 -M+를 포함하는 군으로부터의 최대 3개의 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기 화학식의 고리를 나타내고,
(상기 식들에서, 별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄),
An-은 음이온을 나타내고,
M+는 양이온을 나타내고,
X3는 CH를 나타내고,
X4는 O, S 또는 N-R6을 나타내고,
상기 화학식 II의 고리 B는 푸란-2-일, 티오펜-2-일, 피롤-2-일 또는 티아졸-5-일을 나타내고, 상술한 고리는 각각 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 불소, 염소, 브롬, 시아노, 니트로, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 메틸티오, 에틸티오, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디프로필아미노, 디부틸아미노, N-메틸-N-페닐아미노, 피롤리디노 또는 모르폴리노에 의해 치환될 수 있고,
Y1은 N 또는 C-R7을 나타내고,
R1, R2, R5및 R6은 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 페닐 또는 벤질을 나타내고,
R5는 추가적으로 -(CH2)3-N(CH3)2또는 -(CH2)3-N+(CH3)3An-을 나타내고,
R7은 할로겐 또는 시아노를 나타낸다.
또한, 특히 바람직한 형태에서, 이용되는 메로시아닌은 하기 화학식 VII의 것들이다.
상기 식에서,
X1은 CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내고,
X2는 할로겐, 메틸, 에틸, 페닐, 2- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 벤조옥사졸-2-일, CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내거나,
CX1X2는 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 불소, 염소, 브롬, 시아노, 니트로, 메톡시카르보닐 ,에톡시카르보닐, 페닐,,, SO3 -M+및 -CH2-SO3 -M+를 포함하는 군으로부터의 최대 3개의 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기 화학식의 고리를 나타내고,
(상기 식들에서, 별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄),
An-은 음이온을 나타내고,
M+는 양이온을 나타내고,
X5는 N-R6을 나타내고,
X6은 S, N-R6또는 CH2를 나타내고,
상기 화학식 IV의 고리 C는 벤조티아졸-2-일리덴, 벤즈이미다졸-2-일리덴, 티아졸-2-일리덴, 1,3,4-티아디아졸-2-일리덴, 1,3,4-트리아졸-2-일리덴, 디히드로피리딘-4-일리덴, 디히드로퀴놀린-4-일리덴 또는 3H-인돌-2-일리덴을 나타내고, 상술한 고리는 각각 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 불소, 염소, 브롬, 시아노, 니트로, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 메틸티오, 에틸티오, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디프로필아미노, 디부틸아미노, N-메틸-N-페닐아미노, 피롤리디노 또는 모르폴리노에 의해 치환될 수 있고,
Y2-Y1은 N-N 또는 (C-R8)-(C-R7)을 나타내고,
R1, R2, R5및 R6은 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 페닐 또는 벤질을 나타내고,
R5는 추가적으로 -(CH2)3-N(CH3)2또는 -(CH2)3-N+(CH3)3An-을 나타내고,
R7및 R8은 할로겐을 나타낸다.
또한 특히 바람직한 형태에서, 이용되는 메로시아닌은 하기 화학식 VIII의 것들이다.
상기 식에서,
X1은 CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내고,
X2는 수소, 메틸, 에틸, 페닐, 2- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, CN, CO-R1또는 COO-R2를 나타내거나,
CX1X2는 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 불소, 염소, 브롬, 시아노, 니트로, 메톡시카르보닐 ,에톡시카르보닐, 페닐,,, SO3 -M+및 -CH2-SO3 -M+를 포함하는 군으로부터의 최대 3개의 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기 화학식의 고리를 나타내고,
(상기 식들에서, 별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄),
An-은 음이온을 나타내고,
M+는 양이온을 나타내고,
NR9N10은 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디프로필아미노, 디부틸아미노, N-메틸-N-페닐아미노, 피롤리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
Y1은 N 또는 C-R7을 나타내고,
R1, R2및 R5는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 페닐 또는 벤질을 나타내고,
R5는 추가적으로 -(CH2)3-N(CH3)2또는 -(CH2)3-N+(CH3)3An-을 나타낸다.
적합한 음이온 An-은 모든 1가 음이온 또는 다가 음이온의 하나의 등가물이다. 바람직하게는 상기 음이온은 무색이다. 적합한 음이온은 예를 들어 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 테트라플루오로보레이트, 퍼클로레이트, 헥사플루오로실리케이트, 헥사플루오로포스페이트, 메토술페이트, 에토술페이트, 임의로 염소, 히드록실 또는 C1내지 C4-알콕시에 의해 치환된 C1내지 C10-알칸술포네이트, C1내지 C10-퍼플루오로알칸술포네이트, C1내지 C10-알카노에이트, 임의로 니트로, 시아노, 히드록실, C1내지 C25-알킬, 퍼플루오로-C1내지 C4-알킬, C1내지 C4-알콕시카르보닐 또는 염소에 의해 치환된 벤젠 술포네이트, 나프탈렌 술포네이트 또는 비페닐 술포네이트, 임의로 니트로, 시아노, 히드록실, C1내지 C4-알킬, C1내지 C4-알콕시, C1내지 C4-알콕시카르보닐 또는 염소에 의해 치환된 벤젠 디술포네이트, 나프탈렌 디술포네이트 또는 비페닐 디술포네이트, 임의로 니트로, 시아노, C1내지 C4-알킬, C1내지 C4-알콕시, C1내지 C4-알콕시카르보닐, 벤조일, 클로로벤조일 또는톨루오일에 의해 치환된 벤조에이트, 임의로 하나 또는 둘의 C1내지 C12-알킬 또는 페닐기에 의해 B 및(또는) C 원자에 치환된 나프탈렌디카르복시산, 디페닐 에테르 디술포네이트, 테트라페닐 보레이트, 시아노트리페닐 보레이트, 테트라-C1내지 C20-알콕시보레이트, 테트라페녹시보레이트, 7,8- 또는 7,9-디카르바-니도-운데카보레이트(1) 또는 (2), 또는 도데카히드로-디카르바도데카보레이트(2) 또는 B-C1내지 C12-알킬-C-페닐-도데카히드로-디카르바도데카-보레이트(1)의 음이온이다.
브롬화물, 요오드화물, 테트라플루오로보레이트, 퍼클로레이트, 메탄 술포네이트, 벤젠 술포네이트, 톨루엔 술포네이트, 도데실벤젠 술포네이트 및 테트라데칸 술포네이트가 바람직하다.
적합한 M+양이온은 모든 1가 양이온 또는 다가 양이온의 하나의 등가물이다. 상기 양이온은 바람직하게는 무색이다. 적합한 양이온은 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 테트라메틸 암모늄, 테트라에틸 암모늄, 테트라부틸 암모늄, 트리메틸벤질 암모늄, 트리메틸카프릴 암모늄 또는 Fe(C5H5)2 +(식 중 C5H5= 시클로펜타디에닐임)이다.
테트라메틸 암모늄, 테트라에틸 암모늄 및 테트라부틸 암모튬이 바람직하다.
바람직하게는 단독으로 기록가능한, 청색 레이저로부터의 광에 의해 기록되고 판독되는 본 발명에 따른 광학 데이터 운반체에 있어서, 흡수 최대값 λmax2가420 내지 550 nm 범위인 메로시아닌 염료가 바람직하며, 상기 파장의 흡수 최대값 λmax2의 단파 기울기에서의 흡광도가 λmax2에서의 값의 반인 파장 λ1/2및 상기 파장의 흡수 최대값 λmax2의 단파 기울기에서의 흡광도가 λmax2에서의 값의 1/10인 λ1/10은 바람직하게는 각각의 경우에 서로로부터 50 nm 이하의 범위 내에서 있다. 바람직하게는 이러한 메로시아닌 염료는 350 nm 미만, 특히 바람직하게는 320 nm 미만, 매우 특히 바람직하게는 290 nm 미만의 파장에서 보다 단파의 최대값 λmax1을 나타내지 않는다.
바람직한 메로시아닌 염료는 410 내지 530 nm의 흡수 최대값 λmax2을 갖는 것들이다.
특히 바람직한 메로시아닌 염료는 420 내지 510 nm의 흡수 최대값 λmax2을 갖는 것들이다.
매우 특히 바람직한 메로시아닌 염료는 430 내지 500 nm의 흡수 최대값 λmax2을 갖는 것들이다.
상기 정의된 바와 같이, 상기 메로시아닌 염료에서 λ1/2및 λ1/10은 서로로부터 바람직하게는 40 nm 이하, 특히 바람직하게는 30 nm 이하, 매우 특히 바람직하게는 20 nm 이하의 범위 내에서 떨어져있다.
상기 메로시아닌 염료는 상기 흡수 최대값 λmax2에서 >40000 1/몰 cm, 바람직하게는 >60000 1/몰 cm, 특히 바람직하게는 >80000 1/몰 cm, 그리고 매우 특히바람직하게는 >100000 1/몰 cm의 몰 흡광도 계수 ε를 갖는다.
상기 흡수 스펙트럼은 예를 들어 용액에서 측정된다.
요구되는 스펙트럼 특성을 갖는 적합한 메로시아닌은 특히 쌍극자 모멘트의 변화 Δμ= |μg- μag|, 즉 바닥 상태에서의 쌍극자 모멘트와 제1 들뜬 상태에서의 쌍극자 모멘트의 양의 차이값이 가능한 작은 것들, 바람직하게는 <5 D, 특히 바람직하게는 <2 D인 것들이다. 이러한 쌍극자 모멘트의 변화 Δμ를 결정하는 한 가지 방법은 예를 들어 문헌 [F. Wuerthner 등, Angew. Chem. 1997, 109, 2933] 및 그의 인용 문헌에 기재되어 있다. 또한, 저 용매화 발색 (디옥산/DMF)이 선택을 위한 기준으로 적합하다. 메로시아닌은 용매화 발색 Δλ= |λDMF- λ디옥산|, 즉 디메틸포름아미드 용매에서의 흡수 파장과 디옥산에서의 흡수 파장의 양의 차이값이 <20 nm, 특히 바람직하게는 <10 nm, 그리고 매우 바람직하게는 <5 nm인 것이 바람직하다.
본 발명에 따라 매우 특히 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CI의 것들이다.
상기 식에서,
X101은 O 또는 S를 나타내고,
X102는 N 또는 CR104를 나타내고,
R101및 R102는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 벤질 또는 페닐을 나타내고, R101은 추가적으로 수소를 나타내거나,
NR101R102는 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
R103은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐, 티에닐, 염소 또는 NR101R102를 나타내고,
R104는 수소, 메틸, 에틸, 페닐, 염소, 시아노, 포르밀 또는 하기 화학식 CII의 라디칼을 나타낸다.
상기 식들에서, 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R101을 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 매우 특히 적합한 메로시아닌은 하기 화학식 CIII의 것들이다.
상기 식에서,
X101은 O 또는 S를 나타내고,
X102는 N 또는 CR104를 나타내고,
R101및 R102는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 벤질 또는 페닐을 나타내고, R101은 추가적으로 수소를 나타내거나,
NR101R102는 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
R103은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐, 티에닐, 염소 또는 NR101R102를 나타내고,
R104는 수소, 메틸, 에틸, 페닐, 염소, 시아노, 포르밀 또는 하기 화학식 CIV의 라디칼을 나타낸다.
[상기 식에서,
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
CX103X104는 하기 화학식 CV, CVI, CVII, CVIII, CIX 또는 CX의 고리를 나타낸다.
상기 식들에서,
별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타내고,
R105는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐 또는 하기 화학식 CXI의 라디칼을 나타내고, 화학식 CX의 경우에 두 개의 라디칼 R105는 다를 수 있으며,
R106은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 또는 트리플루오로메틸을 나타내고,
R107은 시아노, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, -CH2SO3 -M+또는 하기 화학식 CXII 또는 CXIII의 라디칼을 나타낸다.
상기 식들에서,
M+는 양이온을 나타내고,
An-는 음이온을 나타낸다.
상기 식들에서, 프로필, 부틸 등의 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R101또는 R105를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 매우 특히 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식의 것들이다.
<화학식 CIII>
상기 식에서,
X101은 O 또는 S를 나타내고,
X102는 N 또는 CR104를 나타내고,
R101및 R102는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 벤질 또는 페닐을 나타내고, R101은 추가적으로 수소를 나타내거나,
NR101R102는 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
R103은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐, 티에닐, 염소 또는 NR101R102를 나타내고,
R104는 수소, 메틸, 에틸, 페닐, 염소, 시아노, 포르밀 또는 하기 화학식 CIV의 라디칼을 나타낸다.
<화학식 CIV>
상기 식에서,
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
X103은 시아노, 아세틸, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
X104는 2-, 3- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, 벤즈이미다졸-2-일, N-메틸- 또는 N-에틸-벤즈이미다졸-2-일을 나타낸다.
상기 식들에서, 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 X103이 에스테르기를 나타낸다면 R101또는 X103을 통해 일어난다.
바람직하게는, 상기 화학식 CI 및 CIII의 메로시아닌에서,
R103은 수소, 메틸, i-프로필, tert-부틸 또는 페닐을 나타내고,
R104는 수소 또는 시아노를 나타낸다.
본 발명에 따라 또한 매우 특히 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXIV의 것들이다.
상기 식에서,
X105는 S 또는 CR110R111을 나타내고,
R108은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R109는 수소, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 시아노, 염소, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
R110및 R111은 서로 독립적으로 메틸 또는 에틸을 나타내거나,
CR110R111은 하기 화학식의 2가 라디칼을 나타내고,
(상기 식에서, 별표 (*)를 갖는 원자로부터 두 개의 결합이 생김),
상기 식에서 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R108을 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 매우 특히 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXVI의 것들이다.
상기 식에서,
X105는 S 또는 CR110R111을 나타내고,
R108은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R109는 수소, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 시아노, 염소, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
R110및 R111은 서로 독립적으로 메틸 또는 에틸을 나타내거나,
CR110R111은 하기 화학식 CXV의 2가 라디칼을 나타내고,
<화학식 CXV>
(상기 식에서, 별표 (*)를 갖는 원자로부터 두 개의 결합이 생김),
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
CX103X104는 하기 화학식 CV, CVI, CVII, CVIII, CIX 또는 CX의 고리를 나타낸다.
<화학식 CV>
<화학식 CVI>
<화학식 CVII>
<화학식 CVIII>
<화학식 CIX>
<화학식 CX>
상기 식들에서,
별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타내고,
R105는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐 또는 하기 화학식 CXI의 라디칼을 나타내고,
R106은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 또는 트리플루오로메틸을 나타내고,
R107은 시아노, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, -CH2SO3 -M+또는 하기 화학식 CXII 또는 CXIII의 라디칼을 나타낸다.
<화학식 CXI>
<화학식 CXII>
<화학식 CXIII>
상기 식들에서,
M+는 양이온을 나타내고,
An-는 음이온을 나타낸다.
상기 식들에서, 프로필, 부틸 등의 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R108또는 R105를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXVI의 것들이다.
<화학식 CXVI>
상기 식에서,
X105는 S 또는 CR110R111을 나타내고,
R108은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R109는 수소, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 시아노, 염소, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
R110및 R111은 서로 독립적으로 메틸 또는 에틸을 나타내거나,
CR110R111은 하기 화학식 CXV의 2가 라디칼을 나타내고,
<화학식 CXV>
(상기 식에서, 별표 (*)를 갖는 C 원자로부터 두 개의 결합이 생김),
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
X103은 시아노, 아세틸, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
X104는 2-, 3- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, 벤즈이미다졸-2-일, N-메틸- 또는 N-에틸-벤즈이미다졸-2-일을, 바람직하게는 2-피리딜을 나타내고,
상기 식에서 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 X103이 에스테르기라면 R108또는 X103를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXVII의 것들이다.
상기 식에서,
R112는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R113및 R114는 수소를 나타내거나, 함께 -CH=CH-CH=CH- 가교를 나타내고,
상기 식에서 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R112를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXVIII의 것들이다.
상기 식에서,
R112는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R113및 R114는 수소를 나타내거나, 함께 -CH=CH-CH=CH- 가교를 나타내고,
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
CX103X104는 하기 화학식 CV, CVI, CVII, CVIII, CIX 또는 CX의 고리를 나타낸다.
<화학식 CV>
<화학식 CVI>
<화학식 CVII>
<화학식 CVIII>
<화학식 CIX>
<화학식 CX>
상기 식들에서,
별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄),
R105는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐 또는 하기 화학식 CXI의 라디칼을 나타내고,
R106은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 또는 트리플루오로메틸을 나타내고,
R107은 시아노, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, -CH2SO3 -M+또는 하기 화학식 CXII 또는 CXIII의 라디칼을 나타낸다.
<화학식 CXI>
<화학식 CXII>
<화학식 CXIII>
상기 식들에서,
M+는 양이온을 나타내고,
An-는 음이온을 나타낸다.
상기 식에서, 프로필, 부틸 등의 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R112또는 R105를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXVIII의 것들이다.
<화학식 CXVIII>
상기 식에서,
R112는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 벤질 또는 페네틸을 나타내고,
R113및 R114는 수소를 나타내거나, 함께 -CH=CH-CH=CH- 가교를 나타내고,
Y101은 N 또는 CH를 나타내고,
X103은 시아노, 아세틸, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
X104는 2-, 3- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, 벤즈이미다졸-2-일, N-메틸- 또는 N-에틸-벤즈이미다졸-2-일을 나타내고,
상기 식에서 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 X103이 에스테르기라면 R112또는 X103을 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXIX의 것들이다.
상기 식에서,
R115및 R116은 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 페닐, 벤질 또는 페네틸을 나타내거나,
NR115R116은 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
CX103X104는 하기 화학식 CV, CVI, CVII, CVIII, CIX 또는 CX의 고리를 나타낸다.
<화학식 CV>
<화학식 CVI>
<화학식 CVII>
<화학식 CVIII>
<화학식 CIX>
<화학식 CX>
상기 식들에서,
별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타내고,
R105는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 히드록시에틸, 아세톡시에틸, 클로로에틸, 시클로헥실, 페닐, 톨릴, 메톡시페닐 또는 하기 화학식 CXI의 라디칼을 나타내고,
R106은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 또는 트리플루오로메틸을 나타내고,
R107은 시아노, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, -CH2SO3 -M+또는 하기 화학식 CXII 또는 CXIII의 라디칼을 나타낸다.
<화학식 CXI>
<화학식 CXII>
<화학식 CXIII>
상기 식들에서,
M+는 양이온을 나타내고,
An-는 음이온을 나타낸다.
상기 식들에서, 프로필, 부틸 등의 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 R115또는 R105를 통해 일어난다.
본 발명에 따라 또한 특히 매우 바람직한 메로시아닌은 하기 화학식 CXIX의 것들이다.
<화학식 CXIX>
상기 식에서,
R115및 R116은 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 페닐, 벤질 또는 페네틸을 나타내거나,
NR115R116은 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
X103은 시아노, 아세틸, 메톡시카르보닐 또는 에톡시카르보닐을 나타내고,
X104는 2-, 3- 또는 4-피리딜, 티아졸-2-일, 벤조티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 벤즈옥사졸-2-일, 벤즈이미다졸-2-일, N-메틸- 또는 N-에틸-벤즈이미다졸-2-일을, 바람직하게는 2-피리딜을 나타내고,
상기 식에서 프로필, 부틸 등과 같은 알킬 라디칼은 분지될 수 있다.
올리고머 또는 중합체 구조를 위한 가교의 부착은 X103이 에스테르기라면 R115또는 X103을 통해 일어난다.
상기 화학식 CIII, CXVI 및 CXVIII에서,
Y101은 바람직하게는 CH를 나타내고,
상기 화학식 CIII, CXVI, CXVIII 및 CXIX에서,
CX103X104는 바람직하게는 상기 화학식 CV, CVII 및 CIX 또는 하기 화학식 CXX, CXXI, CXXII, CXXIII, CXXIV 또는 CXXV의 라디칼을 나타낸다.
(상기 식들에서, 이중 결합은 별표 (*)를 갖는 C 원자로부터 생김).
-(CH2)2-, -(CH2)3-, -(CH2)4-, -(CH2)2-O-(CH2)2- 및 -CH2-C6H4-CH2-가 바람직한 가교이다.
폴리아크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트, 그리고 이들과 아크릴아미드의 공중합체가 바람직한 중합체 사슬이다. 그러면, 상술한 라디칼 R101, R105, R108, R112및 R115는 예를 들어 하기 화학식의 단량체 단위를 나타낸다.
상기 식에서,
R은 수소 또는 메틸을 나타내고,
메로시아닌 염료의 N 원자에의 단일 결합은 물결 기호 (∼)로 표시된 원자 로부터 생기며, 별표 (*)로 표시된 원자는 사슬의 연속을 나타낸다.
상기 화학식 I의 메로시아닌의 몇 종류가 예를 들면 문헌 [F. Wuerthner, Synthesis 1999, 2103]; [F. Wuerthner, R. Sens, K.-H. Etzbach, G. Seybold, Angew. Chem. 1999, 111, 1753]; DE-OS 43 44 116; DE-OS 44 40 066; WO 98/23688; JP 52 99 379; JP 53 14 734에 공지되어 있다.
또한, 흡광 화합물로서 프탈로시아닌이 바람직하다.
바람직한 일 구현예에서, 이용되는 프탈로시아닌은 하기 화학식 1의 화합물이다.
상기 식에서,
Pc는 프탈로시아닌 또는 나프탈로시아닌을 나타내며, 양 경우 모두에서 상기 방향족 고리는 또한 헤테로 고리, 예를 들어 테트라피리디노포르피라진일 수 있고,
M은 두 개의 독립적인 H 원자를 나타내거나, 2가의 금속 원자를 나타내거나, 또는 하기 화학식 1a의 3가의 축방향으로 일치환된 금속 원자를 나타내거나, 또는 하기 화학식 1b의 4가의 축방향으로 이치환된 금속 원자를 나타내거나,
하기 화학식 1c의 3가의 축방향으로 일치환되고 축방향으로 일배위된 금속 원자를 나타내고,
(상기 식들에서,
전하를 띤 리간드 또는 치환기 X1또는 X2의 경우에, 상기 전하는 반대 이온, 예를 들어 음이온 An-또는 양이온 Kat+및 프탈로시아닌 고리의 치환기에 상응하는 라디칼 R3내지 R6에 의해 상쇄되고,
X1및 X2는 서로 독립적으로 F, Cl, Br, I와 같은 할로겐, 히드록실, 산소, 시아노, 티오시아네이토, 시아네이토, 알케닐, 알키닐, 아릴티오, 디알킬아미노,알킬, 알콕시, 아실옥시, 알킬티오, 아릴, 아릴옥시, -O-SO2R8, O-PR10R11, -O-P(O)R12R13, -O-SiR14R15R16, NH2, 알킬아미노 및 헤테로시클릭 아민의 라디칼이다)
R3, R4, R5및 R6은 서로 독립적으로 F, Cl, Br, I와 같은 할로겐, 시아노, 니트로, 알킬, 아릴, 알킬아미노, 디알킬아미노, 알콕시, 알킬티오, 아릴옥시, 아릴티오, SO3H, SO2NR1R2, CO2R9, CONR1R2, NH-COR7또는 화학식 -(B)m-D의 라디칼이고, [여기에서, B는 직접 결합, CH2, CO, CH(알킬), C(알킬)2, NH, S, O 또는 -CH=CH-, 가교 원 B의 화학적으로 합당한 연속적인 배열을 나타내는 (B)m(식 중, m=1 내지 10이고, m은 바람직하게는 1,2,3 또는 4임)으로 구성된 군으로부터 선택되는 가교 원을 나타내고,
D는 하기 화학식의 산화환원계의 1가 라디칼을 나타내거나, 금속 중심으로서 적합한 메탈로세닐 라디칼 또는 메탈로세닐카르보닐 라디칼, 티타늄, 망간, 철, 루테늄 또는 오스뮴을 나타내고,
<산화>
또는
<환원>
(상기 식에서,
Z1및 Z2는 서로 독립적으로 NR'R", OR" 또는 SR"를 나타내고,
Y1은 NR', O 또는 S를 나타내고, Y2는 NR'를 나타내고,
n은 1 내지 10을 나타내고,
R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤트아릴을 나타내거나,또는사슬의 C 원자의 하나에 직접 결합 또는 가교를 형성한다)
R1및 R2는 서로 독립적으로 알킬, 히드록시알킬 또는 아릴을 나타내거나, R1및 R2는 이들이 결합된 N 원자와 함께, 임의로 추가의 헤테로 원자의 참여로, 특히 O, N 및 S로 구성된 군으로부터 헤테로시클릭 5-, 6- 또는 7-원의 고리를 형성하고, NR1R2는 특히 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,
R7및 R16은 서로 독립적으로 알킬, 아릴, 헤트아릴 또는 수소, 특히 바람직하게는 알킬, 아릴 또는 헤타릴을 나타낸다]
w, x, y 및 z는 서로 독립적으로 0 내지 4를 나타내고, w+x+y+z ≤16이다.
An-은 음이온, 특히 할로겐화물, C1- 내지 C20-알킬COO-, 포름산염, 옥살산염, 락트산염, 글리콜산염, 시트르산염, CH3OSO3-, NH2SO3-, CH3SO3-, 1/2SO4 2-또는 1/3PO4 3-를 나타낸다.
M이 화학식 1c의 라디칼, 특히 금속 원자로서 Co(III)을 나타낼 때, X1및 X2의 의미로 바람직한 헤테로시클릭 아민 리간드 또는 치환기는 모르폴린, 피페리딘, 피페라진, 피리딘, 2,2-비피리딘, 4,4-비피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 이소옥사졸, 벤즈이소옥사졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 티아졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 피롤, 인돌 및 3,3-디메틸인돌이며, 각각은 질소 원자에서 금속 원자에 의해 배위되거나 치환된다.
알킬, 알콕시, 아릴 및 헤테로시클릭 라디칼은 임의로 알킬, 할로겐, 히드록실, 히드록시알킬, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노, 니트로, 시아노, CO-NH2, 알콕시, 알콕시카르보닐, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노, 피롤리도노, 트리알킬실릴, 트리알킬실록시 또는 페닐과 같은 추가의 라디칼을 가질 수 있다. 상기 알킬 및 알콕시 라디칼은 포화, 불포화, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 상기 알킬 라디칼은 부분적으로 할로겐화 또는 과할로겐화될 수 있고, 상기 알킬 및 알콕시 라디칼은 에톡실화, 프로폭실화 또는 실릴화될 수 있다. 아릴 또는 헤테로시클릭 라디칼 상의 인접 알킬 및(또는) 알콕시 라디칼은 함께 3- 또는 4-원의 가교를 형성할 수 있다.
바람직한 화학식 I의 화합물은 라디칼 R1내지 R16, R' 및 R"에 대해서 및 리간드 또는 치환기 X1및 X2에 대해서 하기 정의가 적용되는 화합물들이다.
"알킬"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 C1-C16-알킬, 특히 C1-C6-알킬을 나타내며, 이들은 염소, 브롬 또는 불소와 같은 할로겐, 히드록실, 시아노 및(또는) C1-C6-알콕시에 의해 임의로 치환된다.
"알콕시"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 C1-C16-알콕시, 특히 C1-C6-알콕시를 나타내며, 이들은 염소, 브롬 또는 불소와 같은 할로겐, 히드록실, 시아노 및(또는) C1-C6-알킬에 의해 임의로 치환된다.
"시클로알킬"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 C4-C8-시클로알킬, 특히 C5- 내지 C6-시클로알킬을 나타내며, 이들은 할로겐, 예를 들어 염소, 브롬 또는 불소, 히드록실, 시아노 및(또는) C1-C6-알킬에 의해 임의로 치환된다.
"알케닐"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 C6-C8-알케닐을 나타내며, 이들은 염소, 브롬 또는 불소와 같은 할로겐, 히드록실, 시아노 및(또는) C1-C6-알킬에 의해 임의로 치환되고, 알케닐은 특히 알릴이다.
"헤타릴"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 N, S 및(또는) O로 구성된 군으로부터의 헤테로 원자를 함유하고, 임의로 방향족 고리와 융합되거나 임의로 예를들어 할로겐, 히드록실, 시아노 및(또는) 알킬과 같은 추가의 치환기를 갖는 5- 내지 7-원 고리 헤테로시클릭 라디칼을 나타내고, 피리딜, 푸릴, 티에닐, 옥사졸릴, 티아졸릴, 이미다졸릴, 퀴놀릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조티아졸릴 및 벤즈이미다졸릴이 특히 바람직하다.
"아릴"로 지칭되는 치환기는 바람직하게는 C6-C10-아릴, 특히 페닐 또는 나프틸을 나타내며, 이들은 F 또는 Cl과 같은 할로겐, 히드록실, C1-C6-알킬, C1-C6-알콕시, NO2및(또는) CN에 의해 임의로 치환된다.
R3, R4, R5및 R6은 서로 독립적으로 바람직하게는 염소, 불소, 브롬, 요오드, 시아노, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, tert-아밀, 히드록시에틸, 3-디메틸아미노프로필, 3-디에틸아미노프로필, 페닐, p-tert-부틸페닐, p-메톡시페닐, 이소프로필페닐, 트리플루오로메틸페닐, 나프틸, 메틸아미노, 에틸아미노, 프로필아미노, 이소프로필아미노, 부틸아미노, 이소부틸아미노, tert-부틸아미노, 펜틸아미노, tert-아밀아미노, 벤질아미노, 메틸페닐헥실아미노, 히드록시에틸아미노, 아미노프로필아미노, 아미노에틸아미노, 3-디메틸아미노프로필아미노, 3-디에틸아미노프로필아미노, 디에틸아미노에틸아미노, 디부틸아미노프로필아미노, 모르폴리노프로필아미노, 피페리디노프로필아미노, 피롤리디노프로필아미노, 피롤리도노프로필아미노, 3-(메틸히드록시에틸아미노)프로필아미노, 메톡시에틸아미노, 에톡시에틸아미노, 메톡시프로필아미노, 에톡시프로필아미노, 메톡시에톡시프로필아미노, 3-(2-에틸헥실옥시)프로필아미노, 이소프로필옥시프로필아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디에탄올아미노, 디프로필아미노, 디이소프로필아미노, 디부틸아미노, 디이소부틸아미노, 디-tert-부틸아미노, 디펜틸아미노, 디-tert-아밀아미노, 비스(2-에틸헥실)아미노, 비스(아미노프로필)아미노, 비스(아미노에틸)아미노, 비스(3-디메틸아미노프로필)아미노, 비스(3-디에틸아미노프로필)아미노, 비스(디에틸아미노에틸)아미노, 비스(디부틸아미노프로필)아미노, 디(모르폴리노프로필)아미노, 디(피페리디노프로필)아미노, 디(피롤리디노프로필)아미노, 디(피롤리도노프로필)아미노, 비스(3-(메틸-히드록시에틸아미노)프로필)아미노, 디메톡시에틸아미노, 디에톡시에틸아미노, 디메톡시프로필아미노, 디에톡시프로필아미노, 디(메톡시에톡시에틸)아미노, 디(메톡시에톡시프로필)아미노, 비스(3-(2-에틸헥실옥시)프로필)아미노, 디(이소프로필옥시이소프로필)아미노, 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 이소부틸옥시, tert-부틸옥시, 펜틸옥시, tert-아밀옥시, 메톡시에톡시, 에톡시에톡시, 메톡시프로필옥시, 에톡시프로필옥시, 메톡시에톡시프로필옥시, 3-(2-에틸헥실옥시)프로필옥시, 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 이소부틸티오, tert-부틸티오, 펜틸티오, tert-아밀티오, 페닐, 메톡시페닐, 트리플루오로-메틸페닐, 나프틸, CO2R7, CONR1R2, NH-COR7, SO3H, SO2NR1R2을 나타내거나, 바람직하게는 하기 화학식의라디칼을 나타내고,
[상기 식에서, (B)m은를 나타내고,
(상기 식에서, 별표 (*)는 5-원 고리에 연결되는 것을 나타냄),
M1은 Mn 또는 Fe 양이온을 나타낸다]
w, x, y 및 z은 서로 독립적으로 0 내지 4를 나타내며, w+x+y+z ≤12이고,
NR1R2는 바람직하게는 아미노, 메틸아미노, 에틸아미노, 프로필아미노, 이소프로필아미노, 부틸아미노, 이소부틸아미노, tert-부틸아미노, 펜틸아미노, tert-아밀아미노, 벤질아미노, 메틸페닐헥실아미노, 2-에틸-1-헥실아미노, 히드록시에틸아미노, 아미노프로필아미노, 아미노에틸아미노, 3-디메틸아미노프로필아미노, 3-디에틸아미노프로필아미노, 모르폴리노프로필아미노, 피페리디노프로필아미노, 피롤리디노프로필아미노, 피롤리도노프로필아미노, 3-(메틸-히드록시에틸아미노)프로필아미노, 메톡시에틸아미노, 에톡시에틸아미노, 메톡시프로필아미노, 에톡시프로필아미노, 메톡시에톡시프로필아미노, 3-(2-에틸헥실옥시)프로필아미노, 이소프로필옥시이소프로필아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디프로필아미노, 디이소프로필아미노, 디부틸아미노, 디이소부틸아미노, 디-tert-부틸아미노, 디펜틸아미노, 디-tert-아밀아미노, 비스(2-에틸헥실)아미노, 디히드록시에틸아미노, 비스(아미노프로필)아미노, 비스(아미노에틸)아미노, 비스(3-디메틸아미노프로필)아미노, 비스-(3-디에틸아미노프로필)아미노, 디(모르폴리노프로필)아미노, 디(피페리디노프로필)아미노, 디(피롤리디노프로필)아미노, 디(피롤리도노프로필)아미노, 비스(3-(메틸-히드록시에틸아미노)프로필)아미노, 디메톡시에틸아미노, 디에톡시에틸아미노, 디메톡시프로필아미노, 디에톡시프로필아미노, 디(메톡시에톡시프로필)아미노, 비스(3-(2-에틸헥실옥시)프로필)아미노, 디(이소프로필옥시이소프로필)아미노, 아닐리노, p-톨루이디노, p-tert-부틸아닐리노, p-아니시디노, 이소프로필아닐리노 또는 나프틸아미노를 나타내거나, NR1R2는 바람직하게는 피롤리디노, 피페리디노, 피페라지노 또는 모르폴리노를 나타내고,
R7및 R16은 서로 독립적으로 바람직하게는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, tert-아밀, 페닐, p-tert-부틸페닐, p-메톡시페닐, 이소프로필페닐, p-트리플루오로메틸페닐, 시아노페닐, 나프틸, 4-피리딜, 2-피리딜, 2-퀴놀리닐, 2-피롤릴 또는 2-인돌릴을 나타내고,
상기 알킬, 알콕시, 아릴 및 헤테로시클릭 라디칼이 임의로 알킬, 할로겐, 히드록실, 히드록시알킬, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노, 니트로, 시아노, CO-NH2, 알콕시, 알콕시카르보닐, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노, 피롤리도노,트리알킬실릴, 트리알킬실릴옥시 또는 페닐과 같은 추가의 라디칼을 갖고, 상기 알킬 및(또는) 알콕시 라디칼이 포화, 불포화, 직쇄 또는 분지쇄이고, 상기 알킬 라디칼이 부분적으로 할로겐화 또는 과할로겐화되고, 상기 알킬 및(또는) 알콕시 라디칼이 에톡실화, 프로폭실화 또는 실릴화되고, 아릴 또는 헤테로시클릭 라디칼 상의 인접 알킬 및(또는) 알콕시 라디칼이 함께 3- 또는 4-원의 가교를 형성하는 것이 가능하다.
본 출원의 내용상, 산화환원계는 특히 문헌 [Angew. Chem. 1978, page 927] 및 [Topics of Current Chemistry, Vol. 92, page 1 (1980)]에 기재된 산화환원계를 의미하는 것으로 이해한다.
p-페닐렌디아민, 페노티아진, 디히드로페나진, 비피리디늄염 (바이올로겐) 및 퀴노디메탄이 바람직하다.
바람직한 실시양태로,
M이 두 개의 독립적인 H 원자를 나타내거나, Cu, Ni, Zn, Pd, Pt, Fe, Mn, Mg, Co, Ru, Ti, Be, Ca, Ba, Cd, Hg, Pb 및 Sn으로 구성된 군으로부터 선택되는 2가의 금속 원자 Me를 나타내거나,
M은 금속 Me가 Al, Ga, Ti, In, Fe 및 Mn으로 구성된 군으로부터 선택되는 화학식 1a의 3가의 축방향으로 일치환된 금속 원자를 나타내거나,
M은 금속 Me가 Si, Ge, Sn, Zr, Cr, Ti, Co 및 V로 구성된 군으로부터 선택되는 화학식 1b의 4가의 축방향으로 이치환된 금속 원자를 나타내는 화학식 1의 프탈로시아닌을 사용한다.
X1및 X2는 특히 바람직하게는 할로겐, 특히 염소, 아릴옥시, 특히 페녹시, 또는 알콕시, 특히 메톡시이다.
R3내지 R6은 특히 할로겐, C1-C6-알킬 또는 C1-C8-알콕시를 나타낸다.
M이 화학식 1a 또는 1b의 라디칼을 나타내는 화학식 1의 프탈로시아닌이 매우 특히 바람직하다. 매우 특히 바람직한 w, x, y 및 z는 각각 0이다. 화학식 1a 또는 1b에서 X1및(또는) X2는 각각 할로겐인 것이 매우 특히 바람직하다.
본 발명에 따라 사용되는 프탈로시아닌은 예를 들어
- 상응하는 금속, 금속 할로겐화물 또는 금속 산화물의 존재하에 상응하게 치환된 프탈로디니트릴로부터 핵을 합성하는 방법,
- 프탈로시아닌의 화학적 개질 방법, 예를 들어 프탈로시아닌의 술포염소화 또는 염소화 및 그로부터 생성된 생성물의 축합 또는 치환과 같은 추가의 반응 방법,
- 일반적으로 축방향 치환기 X1및 X2를 교환에 의해 상응하는 할로겐화물로부터 제조하는 방법과 같은 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
흡광 화합물은 바람직하게는 열적 개질이 가능해야 한다. 열적 개질 방법은 바람직하게는 700℃ 미만의 온도에서 수행된다. 이러한 개질 방법은 예를 들어 흡광 화합물의 발색 중심의 분해, 형태 변화 또는 화학적 개질일 수 있다.
상기 기재된 흡광 물질은 비기록 상태에서 광학 데이타 매체의 충분히 높은반사율을 보장하며, 초점을 맞춘 청색광, 특히 레이저광, 바람직하게는 광파장이 360 내지 460 nm 범위인 레이저광으로 일정 지점을 조사하는 동안 정보층의 열적 붕괴에 대한 충분히 높은 흡수성을 보장한다. 데이타 매체에서 기록된 부분과 비기록된 부분 사이의 콘트라스트는 진폭의 면에서의 반사율 변화 뿐만 아니라 기록 후 정보층의 변화된 광학 특성의 결과로서 입사광의 상변화를 통해 실현된다. 특히, 상기 흡광 물질은 기록된 마크에서 반사율의 떨어짐에 의해 판독 신호의 매우 명확한 형태를 보장한다.
달리 말하면, 광학 데이타 매체는 바람직하게는 파장이 360 내지 460 nm인 레이저광을 이용하여 기록 및 판독될 수 있다.
프탈로시아닌으로의 코팅은 바람직하게는 스핀 코팅, 스퍼터링 또는 진공 증착에 의해 수행된다. 특히 유기 또는 수성 매질에 불용성인 프탈로시아닌, 바람직하게는 w, x, y 및 z가 각각 0를 나타내고, M이또는(X1및 X2는 상기 정의된 의미를 가짐)을 나타내는 화학식 1의 화합물의 경우에는 진공 증착 또는 스퍼터링에 의해 도포하는 것이 가능하다.
특히, 유기 또는 수성 매질에 가용성인 프탈로시아닌은 또한 스핀 코팅에 의해 도포하는 것이 적합하다. 프탈로시아닌은 서로 혼합하거나, 유사한 스펙트럼 특성을 갖는 다른 염료와 혼합할 수 있다. 정보층은 첨가제, 예를 들어 결합제, 습윤화제, 안정화제, 희석제 및 감작제, 및 프탈로시아닌 이외의 추가의 성분을 포함할 수 있다.
메로시아닌 염료는 바람직하게는 스핀 코팅 또는 진공 증발에 의해 광학 데이타 보유체에 도포한다. 메로시아닌은 서로 혼합하거나, 유사한 스펙트럼 특성을 갖는 다른 염료와 혼합할 수 있다. 정보층은 첨가제, 예를 들어 결합제, 습윤화제, 안정화제, 희석제 및 감작제 뿐만 아니라 다른 성분을 포함할 수 있다.
광학 데이타 저장체는 정보층 이외에 금속층, 유전체층, 배리어층 및 보호층과 같은 추가의 층을 가질 수 있다. 금속층 및 유전층 및(또는) 배리어층은 특히 반사율 및 열균형을 조정하는 역할을 한다. 금속은 레이저 파장에 따라 금, 은, 알루미늄, 합금 등일 수 있다. 유전층은 예를 들어 실리카 및 질화규소이다. 배리어층은 유전층 또는 금속층으로 구성될 수 있다. 보호층은 예를 들어 열경화성 코팅층, 용융 접착제층, 감압성 접착제층 및 보호 필름이다.
바람직하게는 아크릴 접착제, 예를 들어 니또 덴코 (Nitto Denko) DA-8320 또는 DA-8310으로 구성되는 감압성 접착제층은 JP-A 11-273147호에 개시된 바와 같이 상기 용도에 적합하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 광학 데이타 저장체는 바람직하게는 기판 (1), 임의로 배리어층 (2), 정보층 (3), 임의로 추가의 배리어층 (4), 임의로 접착제층 (5), 및 커버층 (6)을 함유한다.
바람직하게는, 광학 데이타 매체의 구조체는
· 바람직하게는 투명 기판 (1), 그의 표면상에 도포된, 광을 이용하여 기록될 수 있는 하나 이상의 정보층 (3), 임의로 배리어층 (4) 및 임의로 접착제층 (5) 및 커버층 (6)을 함유할 수 있고,
·바람직하게는 투명 기판 (1), 그의 표면상에 도포된, 임의로 배리어층 (2), 광을 이용하여 기록될 수 있는 하나 이상의 정보층 (3), 임의로 접착제층 (5) 및 투명 커버층 (6)을 함유할 수 있고,
·바람직하게는 투명 기판 (1), 그의 표면상에 도포된, 임의로 배리어층 (2), 광을 이용하여 기록될 수 있는 하나 이상의 정보층 (3), 임의로 배리어층 (4), 임의로 접착제층 (5) 및 투명 커버층 (6)을 함유할 수 있고,
·바람직하게는 투명 기판 (1), 그의 표면상에 도포된, 광을 이용하여 기록될 수 있는 하나 이상의 정보층 (3), 임의로 접착제층 (5) 및 투명 커버층 (6)을 함유할 수 있다.
또한, 본 발명은 청색광, 특히 레이저광, 특히 바람직하게는 파장이 360 내지 460 nm인 레이저광을 이용하여 기록될 수 있는 본 발명에 따른 광학 데이타 매체에 관한 것이다.
하기 실시예는 본 발명의 주제를 설명한다.
본 발명은 정보층 내에 흡광 화합물로서의 하나 이상의 염료를 함유하며, 모든 커버층이 명확한 두께를 갖고, 명확한 수 구경 (aperture)을 갖는 초첨을 맞추는 광학 셋업 (setup)으로 기록되고 판독될 수 있는, 바람직하게는 단독으로 기록가능한 광학 데이터 매체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
실시예 1
염료 모노클로로-알루미늄-프탈로시아닌 (AlClPc)을 정보층에 도포하였다. 사용된 디스크 구조체는 도 2a에 도시된 것과 같다.
폴리카르보네이트 기판을 사출 방법에 의해 성형하여 피치가 0.64 ㎛이고 깊이가 40 nm인 그루브형 구조체를 형성하였다. 그루브형 표면의 상단에 40 nm의 정보층을 진공 증착 방법에 의해 직접 코팅하였다. 정보층이 접착제층으로 확산되는 것을 방지하기 위해, 정보층을 RF 반응형 스퍼터링 방법에 의해 25 nm 두께의 SiO2완충층으로 피복하였다. 다음, 감압성 접착제 (PSA; 니또 덴코 DA/8320)를 접착제층으로서 도포하고, 추가의 커버층 (폴리카르보네이트)을 매체의 입사빔측에 도포하였다. 접착제층 및 커버층의 전체 두께는 100 ㎛으로 고정되었다.
판독/기록 셋업의 변수는 다음과 같다.
레이저 파장 = 405 nm
대물 렌즈의 수 구경 = 0.85, 2개의 요소 렌즈
판독 레이저 전력 = 0.30 mW
기입 레이저 전력 = 6.0 mW
디스크 회전의 선속도 = 5.72 m/s
기입 마크 및 공간 길이 = 0.69 ㎛, 주기적
펄스 방식 = 한 마크의 내부에 50%로 7 펄스
결과적으로, 그루브형 트랙상에 기록한 후, 도 2에 도시된 바와 같이 장방형 파형이 얻어졌다. 여기서, R은 매체로부터의 반사율을 나타내고, R초기은 초기 반사율을 나타낸다. 이 도면으로부터, 기록된 영역이 목적하는 바와 같이 균일하게 낮은 반사율을 나타낸다는 것을 명확히 알 수 있다. 반송파-대-노이즈 비 (C/N)는 30 kHz 해상도 대역폭 (RBW)에서 48.4 dB이었다. 정보층을 얇은 SiO2완충층 및 연질 PSA 층으로만 피복하였음에도 불구하고, 그의 판독 안정성이 놀라울 정도로 양호하였고, UV 수지 경질 커버를 포함하는 CD-R 또는 DVD-R 매체와 거의 유사한 수준이었다. 그루브형 구조체의 랜드 표면 상에서 기록을 수행하는 경우에도 유사한 결과를 얻었다.
실시예 2
염료 디클로로-규소-프탈로시아닌 (SiCl2Pc)을 정보층에 도포하였다. 사용된 디스크 구조체는 SiO2두께가 40 nm로 고정된 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하였다. 기록 조건 또한 실시예 1과 동일하였다.
그 결과, 이 매체에 매우 낮은 노이즈 및 높은 변조율로 장방형 파형이 명확하게 기록되었다 (도 3). 반송파-대-노이즈 비는 30 kHz RBW에서 55 dB이었다. 판독 마크의 왜곡률은 매우 작으므로, 이 염료와 층 구조체의 조합이 매체 포맷 및광학 픽업 파라미터에 적합하다는 것이 명백하다. 또한, 매우 높은 판독 안정성을 나타내었다. 0.7 mW 이하의 판독 전력에서, C/N 수준이 높은 수준으로 유지되었다.
기록 및 판독 안정성의 높은 성능에 따라, 이 매체는 고집적 기록에 대한 잠재성이 대단히 높은 것으로 나타났다. (1,7) RLL 변조의 랜덤 패턴 기록을 0.173 ㎛의 최소형 마크 길이에서 수행하였다. 랜드 및 그루브 둘다에 기록할 경우에도, 단일면 12 cm 직경 디스크 상에서 데이타 용량은 21 GB로 호환될 것이다. 랜드형 기록의 경우 도 4에 도시된 바와 같이 10%의 지터 수준으로서 육안으로 명확한 패턴이 얻어졌다. 그루브형의 경우에도 유사한 결과가 얻어졌으며, 따라서 이는 단일면 디스크 상에서 21 GB가 넘는 잠재적인 용량을 나타내는 것으로 확인되었다.
실시예 3
상기 염료를 정보층에 도포하였다. 디스크 구조체 및 기록 변수는 실시예 2와 동일하였다. 실시예 1 및 2와 마찬가지로, 높은 판독 안정성으로서 장방형 파형을 나타내었다 (도 5). C/N 수준은 30 kHz 해상도 대역폭에서 45 dB이었다.
유사한 방식으로 실시예 3 내지 23의 염료를 사용할 수 있다.
실시예 3 내지 23
실시예 24
1-부틸-3-시아노-4-메틸-6-히드록시-2-피리돈 2.1 g 및 1,3,3-트리메틸인돌-2-메틸렌-ω-알데히드 2.0 g을 아세트산 무수물 5 ml 중에서 90℃에서 2시간 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 상기 혼합물을 빙수 100 ml 상으로 배출시키고, 흡인 여과해 내고, 잔류물을 물로 세척하였다. 다음, 물/메탄올 3:1 20 ml 중에서 교반하고, 흡인 여과해 내고, 건조시켰다. 화학식 CCI의 적색 분말 3.3 g (이론치의 85%)을 수득하였다.
융점 = 249 내지 251℃.
UV (디옥산):λmax= 520 nm
UV (DMF):λmax= 522 nm
ε= 113100 ℓ/mol cm
Δλ= 2 nm
λ1/2- λ1/10(장파 기울기) = 12 nm
용해도: TFP (2,2,3,3-테트라플루오로프로판올) 중 > 2%
실시예 25
1-프로필-3-시아노-4-메틸-6-히드록시-2-피리돈 1.7 g 및 N-메틸-N-(4-메톡시페닐)-아크롤레인 1.7 g을 이용하여 동일한 절차에 따라 화학식 CCII의 적색 분말 2.6 g (이론치의 79%)을 수득하였다.
융점 = 206 내지 216℃.
UV (디옥산):λmax= 482 nm
UV (DMF):λmax= 477 nm
ε= 73013 ℓ/mol cm
Δλ= 5 nm
λ1/2- λ1/10(단파 기울기) = 33 nm
용해도: TFP 중 >2%
실시예 26
3-피리디노-4-메틸-6-히드록시-피리돈 클로라이드 2.03 g 및 1,3,3-트리메틸인돌-2-메틸렌-ω-알데히드 2.0 g을 아세트산 무수물 10 ml 중에서 90℃에서 2시간 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 혼합물을 물 200 ml 상으로 배출시켰다. 나트륨 테트라플루오로보레이트 2.8 g을 오렌지색 용액에 첨가하였다. 혼합물을 밤새 교반한 후, 흡인 여과해 내고, 잔류물을 물 20 ml으로 세척하고 건조시켰다. 화학식 CCIII의 적빛 오렌지색 분말 3.3 g (이론치의 74%)을 수득하였다.
융점 > 300℃.
UV (메탄올):λmax= 513 nm
ε= 86510 ℓ/mol cm
λ1/2- λ1/10(단파 기울기) = 38 nm
용해도: TFP 중 >2%
실시예 27
5-디메틸아미노푸란-2-카르브알데히드 0.7 g 및 N-메틸-N'-도데실-바르비투르산 1.5 g을 아세트산 무수물 15 ml 중에서 90℃에서 30분 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 혼합물을 빙수 100 ml 상으로 배출시키고, 흡인 여과해 내고, 잔류물을 물로 세척하였다. 화학식 CCIV의 오렌지색 분말 1.7 g (이론치의 79%)을 수득하였다.
융점 118 내지 120℃.
UV (디옥산):λmax= 483 nm
ε= 53360 ℓ/mol cm
λ1/2- λ1/10(단파 기울기) = 32 nm
용해도: 벤질 알콜 중 >1%
본 발명에 따른 실시예를 하기 표에 요약하였다.
<표 1> (화학식 VI)
<표 1a>
<표 1b>
<표 1c>
<표 2> (화학식 VII)
<표 2a>
<표 2b>
<표 2c>
<표 3> (화학식 VIII)
<표 3a>
실시예 87
하기 화학식을 갖는 실시예 76에 도시된 염료를 정보층에 도포하였다. 사용된 디스크 구조체는 도 2a에 도시된 것과 같다.
폴리카르보네이트 기판을 사출 방법에 의해 성형하여 피치가 0.64 m이고 깊이가 40 nm인 그루브형 구조체를 형성하였다. 그루브형 구조체의 상단에 정보층을 스핀 코팅 방법에 의해 직접 코팅하였다. 스핀 코팅에 대한 변수는 하기와 같다.
용매:테트라플루오로프로판올 (TFP)
용액: 1.0 중량%
용매 코팅시 디스크 회전 속도: 220 rpm, 12초
스핀 제거 및 건조시 디스크 회전 속도: 1200 rpm, 30초
그루브형 및 랜드형에서 염료층의 두께는 각각 80 nm 및 60 nm이었다. 정보층이 접착제층으로 확산되는 것을 방지하기 위해, 정보층을 RF 반응형 스퍼터링 방법에 의해 40 nm 두께의 SiN 완충층으로 피복하였다. 다음, 감압성 접착제 (PSA; 니또 덴코 DA/8320)를 접착제층으로서 도포하고, 추가의 커버층 (폴리카르보네이트)을 매체의 입사빔측에 도포하였다. 접착제층 및 커버층의 전체 두께는 100 ㎛으로 고정되었다.
판독/기록 셋업의 변수는 하기와 같다.
레이저 파장 = 404 nm
대물 렌즈의 구경 = 0.85, 2개의 렌즈 요소
판독 레이저 전력 = 0.30 mW
기록 레이저 전력 = 6.0 mW
디스크 회전의 선속도 = 5.72 m/s
기입 마크 및 공간 길이 = 0.69 ㎛, 주기적
펄스 방식 = 한 마크의 내부에 50%로 7 펄스
결과적으로, 그루브형 트랙 상에 기록한 후, 도 6a 및 6b에 도시된 바와 같이 명확한 장방형 파형이 각각 그루브형 및 랜드형에 대해 얻어졌다. 여기서, R은 매체로부터의 반사율을 나타내고, R초기는 초기 반사율을 나타낸다. 이 도면으로부터, 기록된 영역이 목적하는 바와 같이 균일하게 낮은 반사율을 나타낸다는 것을 명확히 알 수 있다. 반송파-대-노이즈 비 (C/N)를 다께다 리켄 (Takeda Riken) TR4171을 이용하여 측정한 결과, 그루브형 및 랜드형의 경우 30 kHz 해상도 대역폭(RBW)에서 각각 57.4 dB 및 53.0 dB이었다. 이 매체가 랜드형/그루브형 둘다에서 기록가능하였기 때문에 이와 같이 높은 C/N은 고집적 기록에 대한 그의 높은 성능을 입증하는 것이며, 이는 실질적으로 이중 트랙 피치, 즉 0.32 ㎛로 이르게 한다. 또한, 변조율 (마크/RInit로부터의 반사율)이 거의 80%에 이른다는 점을 주시해야 한다. 이러한 높은 변조율을 가질 경우, 이 매체는 이상적인 신호 품질 및 최고의 반송파 수준을 나타낸다.
또한, 소형 마크 기록은 하기와 같은 변수를 이용하여 수행하였다.
기입 마크 및 공간 길이 = 0.17 m, 주기적
펄스 방식 = 한 마크의 내부에 1 펄스
다른 조건은 0.69 ㎛ 마크 기록의 경우와 동일하였다.
결과적으로, 도 7에 도시된 바와 같이 명확한 파형이 얻어졌다. 변조 증폭은 도 6a 또는 6b보다 작았으나, 판독광의 차단 주파수에 가까운 이러한 소형 마크에 대한 이론치에 근접하였다. 이 판독 신호에 대한 C/N 값은 40.0 dB이었다. (1,7) RLL 변조의 최소형 마크로서 길이 0.17 ㎛의 마크를 이용한 경우, 12 cm 직경의 단일면 디스크에 대한 용량이 21 GB에 이르렀다. 이 염료는 고집적 기록에 대한 가능성을 나타내었다.
Claims (14)
- 하나 이상의 배리어층으로 임의로 예비 코팅되고, 그 표면 상에 광을 이용하여 기록될 수 있는 정보층, 임의로 하나 이상의 배리어층, 및 커버층이 도포된 바람직하게는 투명한 기판을 함유하고; 상기 정보층 상의 상기 커버층을 통해 초점이 맞추어진 청색광, 바람직하게는 360 nm 및 460 nm 사이의 파장을 갖는 레이저광을 이용하여 기록되고 판독될 수 있고; 상기 정보층이 흡광 화합물 및 임의로 결합제를 포함하는 것인 광학 데이터 매체에 있어서,상기 흡광 화합물로서 하나 이상의 염료가 사용되고, 상기 접착제층을 포함한 상기 정보층 위의 커버층이 10 ㎛ 내지 177 ㎛의 총 두께를 가지며 초점을 맞추는 대물렌즈 셋업 (setup)의 수 구경 NA는 0.8 이상인 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 흡광 화합물로 사용되는 염료가 프탈로시아닌 또는 나프탈로시아닌이며, 양 경우 모두에서 상기 방향족 고리가 또한 헤테로 고리인 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 흡광 화합물로 사용되는 염료가 메로시아닌 염료인 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 정보층 위의 배리어층이 적어도, 하나의 유전층을 함유하는 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 배리어층이 상기 정보층의 바로 위에 유전층, 및 상기 유전층 위의 감압성 접착제층, 그리고 그 위의 상단 커버층을 함유하는 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 상단 커버층이 폴리카르보네이트, 코폴리카르보네이트, 폴리시클로올레핀 또는 폴리올레핀인 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 염료는 하기 화학식 I에 상응하는 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체.<화학식 I>상기 식에서,Pc는 프탈로시아닌 또는 나프탈로시아닌을 나타내며, 양 경우 모두에서 상기 방향족 고리는 또한 헤테로 고리일 수 있고,M은 두 개의 독립적인 H 원자를 나타내거나, 2가의 금속 원자를 나타내거나, 하기 화학식 Ia의 3가의 축방향으로 일치환된 금속 원자를 나타내거나, 또는 하기화학식 Ib의 4가의 축방향으로 이치환된 금속 원자를 나타내거나, 또는 하기 화학식 Ic의 3가의 축방향으로 일치환되고 축방향으로 일배위된 금속 원자를 나타내고,<화학식 Ia><화학식 Ib><화학식 Ic>(상기 식들에서,전하를 띤 리간드 또는 치환기 X1또는 X2의 경우에, 상기 전하는 반대 이온 및 프탈로시아닌의 치환기에 상응하는 라디칼 R3내지 R6에 의해 상쇄되고,X1및 X2는 서로 독립적으로 할로겐, 히드록실, 산소, 시아노, 티오시아네이토, 시아네이토, 알케닐, 알키닐, 아릴티오, 디알킬아미노, 알킬, 알콕시, 아실옥시, 알킬티오, 아릴, 아릴옥시, -O-SO2R8, O-PR10R11, -O-P(O)R12R13, -O-SiR14R15R16,NH2, 알킬아미노 및 헤테로시클릭 아민의 라디칼이다)R3, R4, R5및 R6은 서로 독립적으로 할로겐, 시아노, 니트로, 알킬, 아릴, 알킬아미노, 디알킬아미노, 알콕시, 알킬티오, 아릴옥시, 아릴티오, SO3H, SO2NR1R2, CO2R9, CONR1R2, NH-COR7또는 화학식 -(B)m-D의 라디칼이고 [여기에서 B는 직접 결합, CH2, CO, CH(알킬), C(알킬)2, NH, S, O 또는 -CH=CH-, 가교 원 B의 화학적으로 합당한 연속적인 배열을 나타내는 (B)m(식 중,m=1 내지 10이고, m은 바람직하게는 1,2,3 또는 4임)으로 구성된 군으로부터 선택되는 가교 원을 나타내고,D는 하기 화학식의 산화환원계의 1가 라디칼을 나타내거나, 금속 중심으로서 적합한 메탈로세닐 라디칼 또는 메탈로세닐카르보닐 라디칼, 티타늄, 망간, 철, 루테늄 또는 오스뮴을 나타내고,<산화>또는<환원>(상기 식에서,Z1및 Z2는 서로 독립적으로 NR'R", OR" 또는 SR"를 나타내고,Y1은 NR', O 또는 S를 나타내고, Y2는 NR'를 나타내고,n은 1 내지 10을 나타내고,R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤트아릴을 나타내거나,또는사슬의 C 원자의 하나에 직접 결합 또는 가교를 형성한다)R1및 R2는 서로 독립적으로 알킬, 히드록시알킬 또는 아릴을 나타내거나, R1및 R2는 이들이 결합된 N 원자와 함께, 임의로 추가의 헤테로 원자의 참여로, 특히 O, N 및 S로 구성된 군으로부터 헤테로시클릭 5-, 6- 또는 7-원의 고리를 형성하고, NR1R2는 특히 피롤리디노, 피페리디노 또는 모르폴리노를 나타내고,R7및 R16은 서로 독립적으로 알킬, 아릴, 헤트아릴 또는 수소를 나타낸다]w, x, y 및 z는 서로 독립적으로 0 내지 4를 나타내고, w+x+y+z ≤16이다.
- 제7항에 있어서,M이 두 개의 독립적인 H 원자를 나타내거나, Cu, Ni, Zn, Pd, Pt, Fe, Mn, Mg, Co, Ru, Ti, Be, Ca, Ba, Cd, Hg, Pb 및 Sn으로 구성된 군으로부터의 2가의 금속 원자를 나타내거나, 상기 화학식 Ia (상기 식에서, Me는 Al, Ga, Ti, In, Fe 또는 Mn을 나타냄)의 3가의 축방향으로 일치환된 금속 원자를 나타내거나, 상기 화학식 Ib (상기 식에서, Me는 Si, Ge, Sn, Zn, Cr, Ti, Co 또는 V를 나타냄)의 4가의 금속 원자를 나타내는 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체.
- 제2항에 있어서,M이 상기 화학식 Ia 또는 Ib (상기 식에서, Me는 Al 또는 Si를 나타냄)의 라디칼을 나타내고,X1및 X2가 할로겐, 특히 염소, 아릴옥시, 특히 페녹시, 또는 알콕시, 특히 메톡시를 나타내고,w, x, y 및 z가 각각 0을 나타내는 것을 특징으로 하는 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 흡광 화합물이 메로시아닌인 광학 데이터 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 흡광 화합물이 하기 화학식 I에 상응하는 광학 데이터 매체.<화학식 I>바람직하게는, 상기 식에서,A는 하기 화학식 II, III 또는 IV의 라디칼을 나타내고,<화학식 II><화학식 III>또는<화학식 IV>X1은 CN, CO-R1, COO-R2, CONHR3또는 CONR3R4를 나타내고,X2는 할로겐, C1- 내지 C6-알킬, C6- 내지 C10-아릴, 5원 또는 6원의 헤테로시클릭 라디칼, CN, CO-R1, COO-R2, CONHR3또는 CONR3R4를 나타내거나,CX1X2는 벤조- 또는 나프타-융합 및(또는) 비이온성 또는 이온성 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기 화학식의 고리를 나타내고,(상기 식들에서, 별표 (*)는 그로부터 이중 결합이 생기는 고리 원자를 나타냄),X3는 N 또는 CH를 나타내고,X4는 O, S, N, N-R6또는 CH를 나타내고 (여기에서, X3및 X4는 동시에 CH를 나타내지 않음),X5는 O, S 또는 N-R6을 나타내고,X6은 O, S, N, N-R6, CH 또는 CH2를 나타내고,X4, X3및 그 사이에 결합된 C 원자와 함께 상기 화학식 II의 고리 B, 및X5, X6및 그 사이에 결합된 C 원자와 함께 하기 화학식 V의 고리 C는 서로 독립적으로 1 내지 4개의 헤테로 원자를 함유할 수 있고 및(또는) 벤조- 또는 나프타-융합될 수 있고 및(또는) 비이온성 또는 이온성 라디칼에 의해 치환될 수 있는 5원 또는 6원의 방향족 또는 준방향족 헤테로시클릭 고리를 나타내고,<화학식 V>Y1은 N 또는 C-R7을 나타내고,Y2는 N 또는 C-R8을 나타내고,R1내지 R6은 서로 독립적으로, 수소, C1내지 C6-알킬, C3내지 C6-알케닐, C5내지 C7-시클로알킬, C6내지 C10-아릴 또는 C7내지 C15-아랄킬을 나타내고,R7및 R8은 서로 독립적으로 수소, 시아노 또는 C1내지 C6-알킬을 나타내고,R9및 R10은 서로 독립적으로 C1내지 C6-알킬, C6내지 C10-아릴, C7내지 C15-아랄릴을 나타내거나,NR9R10은 5원 또는 6원의 포화 헤테로시클릭 고리를 나타낸다.
- 배리어층으로 임의로 예비 코팅된 바람직하게는 투명한 기판이 염료로, 임의로 적합한 결합제 및 첨가제와 임의로 적합한 용매와 조합하여 코팅되고, 상기 기판에 배리어층, 추가의 중간체층, 및 접착제층에 의해 붙여지는 커버층이 임의로 제공되는 것을 특징으로 하는, 제1항에 따른 광학 데이터 매체의 제조 방법.
- 염료로의 코팅은 스핀-코팅, 스퍼터링 또는 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 제1항에 따른 광학 데이터 매체의 제조 방법.
- 청색광, 바람직하게는 레이저광, 특히 360-460 nm의 파장을 갖는 레이저광을 이용하여 제1항에 따른 광학 데이터 매체 상에 기록함으로써 수득될 수 있는, 기록가능한 정보층을 갖는 광학 데이터 매체.
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