[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20030064825A - 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워맞춤 타겟 어셈블리 - Google Patents

고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워맞춤 타겟 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR20030064825A
KR20030064825A KR10-2003-7007969A KR20037007969A KR20030064825A KR 20030064825 A KR20030064825 A KR 20030064825A KR 20037007969 A KR20037007969 A KR 20037007969A KR 20030064825 A KR20030064825 A KR 20030064825A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
backing plate
assembly
mating surfaces
female grooves
Prior art date
Application number
KR10-2003-7007969A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100824928B1 (ko
Inventor
에우게네 와이. 이바노브
해리 더블유. 코나르드
Original Assignee
토소우 에스엠디, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토소우 에스엠디, 인크 filed Critical 토소우 에스엠디, 인크
Publication of KR20030064825A publication Critical patent/KR20030064825A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100824928B1 publication Critical patent/KR100824928B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B23K15/0006—Electron-beam welding or cutting specially adapted for particular articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B23K15/04—Electron-beam welding or cutting for welding annular seams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B23K15/06—Electron-beam welding or cutting within a vacuum chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/12—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/12—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding
    • B23K20/129—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding specially adapted for particular articles or workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
    • B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/0026—Arc welding or cutting specially adapted for particular articles or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/02—Seam welding; Backing means; Inserts
    • B23K9/025—Seam welding; Backing means; Inserts for rectilinear seams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 고전력 작업을 위한 최신 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트(target/backing assembly) 어셈블리들(10) 및 저온에서 상기 어셈블리들(10)을 제작하는 방법에 관한 것이다. 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들(10)은 유사하지 않은 팽창의 열 계수들을 갖는 타겟들(12) 및 백킹 플레이트들(16)을 포함한다. 합체된 타겟들(12) 및 백킹 플레이트들(16)이 유사하지 않은 팽창의 열 계수들을 가질지라도, 그것들은 구부러지거나 휘지 않고 높은 스퍼터링 온도에서 함께 본딩되어 사용될 수 있고, 특정 타겟 금속과 일반적으로 본딩된 백킹 플레이트들(16)을 이용할 수 있다. 상기 제작 방법에 있어서, 복수의 수 돌출부(male projection)들(16)은 다른 표면에 형성된 복수의 대응하는 암 홈(female groove)들(32)과 어셈블리(10)의 하나의 부재에 형성된다. 어셈블리(10)는 수(26) 및 암 부분들(32)을 둘러싸는 고리모양의 존(annular zone) 주위에 종래 기술들에 의해 본딩된다. 그 결과, 어셈블리(10)는, 돌출부들이 암 리세스들로 강제 끼워맞춰지도록 저온에서 압력 합체된다.

Description

고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워맞춤 타겟 어셈블리{Friction fit target assembly for high power sputtering operation}
캐소딕 스퍼터링(cathodic sputtering)은 바람직한 기판들 상에 재료의 얇의 층들을 침착시키기 위해 넓리 사용되고 있다. 기본적으로, 이러한 공정은 기판 상의 층 또는 박막으로서 침착될 재료로 형성된 면을 갖는 타겟의 가스 이온 충돌을 요구한다. 타겟의 이온 충돌은, 타겟 재료의 원자들 또는 분자들이 스퍼터링되도록 할 뿐만 아니라, 상당한 열 에너지를 그 타겟에 전달한다. 이러한 열은 타겟과 열 교환 관련하여 배치되는 열 전도 백킹 플레이트 아래 또는 그 주변에서 통상적으로 순환되는 냉각액의 사용에 의해 분산된다.
그러한 타겟은 불활성 가스, 양호하게는 아르곤을 포함하는 진공 챔버 내에 애노드와 함께 배치되는 캐소드 어셈블리의 일부를 형성한다. 고전압 전계는 캐소드 및 애노드에 걸쳐 인가된다. 불활성 가스는 캐소드로부터 배출된 전자들과 충돌함으로써 이온화된다. 양극으로 하전된 가스 이온들은, 타겟 표면과 충돌할 시에캐소드로 끌어 당겨지고, 타겟 재료를 제거한다. 제거된 타겟 재료들은 진공 엔클로져(evacuated enclosure)을 트래버싱(traverse)하고, 일반적으로 애노드 근방에 배치되는 바람직한 기판 상에 박막으로서 침착한다.
전계의 사용 이외에, 스퍼터링 레이트들을 증가시키는 것은, 전계를 통해 겹쳐지고 타겟의 표면을 통해 폐쇄된 루프 구성에서 형성되는 아치 형상의 자계의 동시 사용에 의해 달성되어 왔다. 이러한 방법들은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법들로서 공지되어 있다. 아치 형상의 자계는 타겟 표면에 인접한 고리모양의 영역(annular region)에서 전자들을 트랩(trap)시키고, 그에 의해 타겟 재료를 제거하도록 타겟에 충격을 가하는 상기 영역에서 양극으로 하전된 가스 이온들의 수를 증가시키기 위해 그 영역에서 전자 가스 원자 충돌들의 수를 증가시킨다. 따라서, 타겟 재료는, 타겟 레이스웨이(target raceway)로서 공지된, 타겟 면의 일반적인 고리모양 섹션에서 침식된다(즉, 기판 상의 후속하는 침착을 위해 소모된다).
통상적인 타겟 캐소드 어셈블리들에 있어서, 타겟은 비자기성 백킹 플레이트에 부착된다. 일반적으로, 백킹 플레이트는 타겟의 이온 충돌에 의해 생성된 열을 빼앗도록 물로 냉각된다. 통상적으로, 타겟의 노출된 면 주위에서 확장하는 루프 또는 터널의 형태로 상기 언급된 자계를 형성하도록, 공지된 침착 방식으로 자석들이 백킹 플레이트 아래에 배열된다.
타겟 및 백킹 플레이트 사이에 양호한 열 및 전기 접촉을 달성하기 위해, 이러한 부재들은 일반적으로, 솔더링(soldering), 브레이징(brazing), 확산본딩(diffusion bonding), 클램핑(clamping) 수단, 및 에폭시 시멘트(epoxy cement) 등에 의해 서로 부착된다. 그러나, 이러한 방법들에 의해 본딩된 스퍼터 타겟 어셈블리들은 높은 스퍼터링 온도에서, 특히 타겟 및 백킹 플레이트에 대한 열 팽창의 계수들 사이에 큰 차가 존재할 때 구부러지거나 휘어질 수 있다. 많은 경우들에 있어서, 높은 스퍼터링 조건들에서 플레이트들의 구부러짐 및 휨을 최소화하기 위해, 유사한 열 팽창 계수들을 갖는 타겟들 및 백킹 플레이트들이 함께 본딩된다.
많은 경우들에서, 타겟들 및 백킹 플레이트들은 확산 본딩될 수 있다. 그러나, HIP 캔(HIP can)들에서 수행되는 확산 본딩들과 관련하여 구체적으로 말하면, HIP 캔들은 HIP 공정 동안 누설될 수 있고, 그에 의해 HIP 캔 내의 오염 또는 잔여 공기로 인해 백킹 플레이트에 본딩하는 금속 타겟을 방해하거나 감소시킬 수 있다.
추가적으로, 상기 개시된 본딩 방법들 중 일부와 관련될 수 있는 고온은 타겟 금속 내에서 바람직하지 않은 그레인 성장(grain growth)을 결과로 나타낼 수 있다.
본 발명은 고전력 작업을 위한 타겟 및 백킹 플레이트(target/backing plate) 어셈블리들을 스퍼터링하고, 그것들을 저온에서 제작하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 원통형 구멍들로의 인서트를 위해 준비한 원통형의 수 돌출부(male projection)들의 형태로 마찰 끼워맞춤 접합 메카니즘들을 도시하는 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리의 간략화된 단면도.
도 2는 하나의 부재에서 사각의 수 돌출부들을 갖는 접합 부재들의 또다른실시예를 도시하는 개략적인 단면도.
도 3은 짝이되거나 본딩되는 위치에서의 도 1에 도시된 어셈블리의 개략적인 단면도.
도 4는 짝이되거나 접합되는 위치에서의 도 2 에 도시된 어셈블리의 개략적인 단면도.
도 5는 본딩 이전에 도 1의 어셈블리의 부분적으로 확대된 사시도.
도 6은 본딩 이전에 도 2의 어셈블리의 부분적으로 확대된 사시도.
본 발명은 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들의 합체(consolidation)를 제공하는 저온에서의 본딩 방법에 관한 것이다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트는 유사하지 않은 열 팽창 계수들을 갖는 타겟들 및 백킹 플레이트들로 구성된다. 타겟 및 백킹 플레이트가 유사하지 않은 열 팽창 계수들을 가질지라도, 상기 방법들은, 이러한 최신 어셈블리들이 현저한 구부러짐 또는 휨 없이도 높은 스퍼터링 온도에서 함께 본딩되어 사용되도록 한다. 결과적으로, 이러한 스퍼터 타겟 어셈블리들은 특정 타겟 금속과 일반적으로 본딩된 종래의 백킹 플레이트들 보다 더 높은 열 및 더 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트들을 이용할 수 있다. 최근에, 이러한 방법은, 타겟 어셈블리가 저온에서의 합체로 인해 타겟 금속에서 그레인 성장을 최소화하도록 한다.
본 발명에 있어서, 타겟 및 백킹 플레이트는 복수의 돌출부(projection)들 및 홈(groove)들이나, 그의 다른 튀어나온 표면 부분들을 갖도록 형성된다. 두드러지게는, 돌출부들 또는 튀어나온 부분들의 머시닝(machining)은 가장 단단한 표면을 갖는 타겟 또는 백킹 플레이트에 반드시 제한되지는 않는다. 이러한 돌출부들 또는 튀어나온 부분들은 타겟 또는 백킹 플레이트의 내부 표면을 따라 형성된다. 그 결과, 돌출된 표면은, 접합이 발생할 타겟 및 백킹 플레이트 인터페이스를 따라 어셈블리의 다른 부재의 짝이되는 표면(적절하게 배치된 짝이되는 부재들을 가짐) 옆에 배치된다.
계면(interfacial) 표면 어셈블리의 주변 경계는, 양호하게는 진공 하에서, 전자 빔 웰딩(electron beam welding), TIG 웰딩, 마찰 웰딩, 솔더링, 브레이징 등과 같은 종래 수단에 의해 접합된다. 그 결과, 상기 어셈블리에서는 저온, 양호하게는 실온에서 압력이 가해진다.
타겟 또는 백킹 플레이트 중 어느 하나를 따라 형성된 돌출부들은 타겟 및 백킹 플레이트 인터페이스를 따라 짝이되는 부재들로 침입한다. 돌출부들은 반대의 짝이되는 표면 상의 홈들로 침입한다. 돌출부들 및 홈들은, 침입 후에 강제 또는마찰 끼워맞춤 접합이 형성되도록 서로 다른 크기들을 갖는다.
이러한 저온 본딩 방법은 최신 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들의 합체를 가능하게 한다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들은, 자신들이 유사하지 않은 열 팽창 계수들을 갖는 타겟들 및 백킹 플레이트들 포함하므로 종래 방식이 아니다. 예를 들어, 타겟 및 백킹 플레이트의 열 팽창 계수들(TEC) 사이의 차는 약 2.4 보다 더 클 수 있고, 사전 데이터는, 4 보다 더 큰 TEC에서의 차들을 갖는 타겟들 및 백킹 플레이트들이 또한 성공적으로 본딩될 수 있고, 그 결과 고전력 20-30kw 스퍼터링 공정들에서 사용될 수 있다는 것을 제안한다. 그러한 공정들에서, 타겟 온도는 약 200℃- 300℃에 도달할 수 있다. 추가적인 금속 인서트(insert)는, 어셈블리 공정 동안 타겟 및 백킹 플레이트 사이에 배치될 수 있다.
Ti 타겟들에 관하여 구체적으로 말하면, 종래 기술의 확산 본딩은 저온 전도성을 갖는 종래의 AL 6061 백킹 플레이트들에 제한되어 왔다. 이와 대조적으로, 일시적인 방법에 의해 형성된 한가지 그러한 양호한 어셈블리는 Ti 타겟, 또는 어셈블리의 주변 경계에 인접하여 배치된 최신 Cu-1%Cr 백킹 플레이트 및 Cu-Ni 인서트를 갖는 Ti들의 합금이다.
이러한 양호한 최신 어셈블리에 있어서, Ti 타겟 및 Cu-1%Cr 백킹 플레이트는, 약 17.6인 Cu-1%Cr 및 약 8.9인 Ti와 서로 다른 열 팽창 계수들을 갖는다. 열 팽창 계수들이 유사하지 않을지라도, 본딩된 어셈블리는 고전력 레벨 스퍼터링 조건들 동안 실질적으로 분리되고/되거나 구부러지지 않는다. 결과적으로, 이러한 최신 어셈블리는, 보다 높은 열 전도성 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 Cu-1%Cr 백킹 플레이트를 이용할 수 있고, 그 밖에 종래 AL 6061 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
추가적으로, 양호한 어셈블리에서 사용되는 Cu-Ni 인서트는 또한, 맴돌이 전류(eddy current)를 감소시키는 낮은 전기 전도성을 갖고, 고전력 애플리케이션들에서의 사용을 허용하는 합리적인 고열 전도성을 갖는다. 따라서, 이러한 Cu-Ni 인서트는 또한, Ti 타겟, 및 최신 고전력 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리를 형성하도록 본 명세서에 개시된 저온 방법들 하에서의 Ti의 합금들에 본딩될 수 있는 백킹 플레이트로서 사용될 수 있다.
저온에서 성공적으로 본딩될 수 있는 다른 고전력 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조합들은 Co 타겟, 또는 Cu-1%Cr 백킹 플레이트에 본딩된 Co의 합금들이거나, Ta 타겟, 또는 Ti 또는 Ti 합금 백킹 플레이트에 본딩된 Ta의 합금들을 포함하는 것들로 발견되었다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 다음에 따르는 기술, 첨부 도면, 및 특허 청구 범위로부터 명확해질 것이다.
우선 도 1로 가면, 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리(10)가 도시된다. 어셈블리(10)는, 종래의 스퍼터링 방법들에 따라 이온 충돌을 통해 타겟(12)으로부터 배출되고, 바람직한 기판(도시되지 않음)으로 트래블링(travel)하고 그에 코딩하려는 금속 또는 금속 합금을 전달하는 상부측(14)을 갖는 타겟(12)을 포함한다.
백킹 플레이트(16)에는 계면 표면 영역(22)(도 3 및 도 4)을 규정하도록 백킹 플레이트(16)의 짝이되는 표면(20)과 짝이되도록 적응된 타겟(12)의 짝이되는 표면(18)이 타겟(12) 아래에 제공된다. 일반적으로, 물과 같은 열 교환액(도시되지 않음)은 어셈블리(10)의 스퍼터링 작업 동안 어셈블리(10)를 냉각시키도록 백킹 플레이트(16)의 하부측(24)에 인접하여 순환된다.
도 1의 실시예에 도시되는 바와 같이, 복수의 원통형 수 돌출부들(26)은 백킹 플레이트(16)의 짝이되는 표면(20)으로 머시닝되고, 타겟 플레이트(12)의 짝이되는 표면(18)에는 수 돌출부들(26)의 직경 보다 더 작은 직경의 대응하는 원통형암 홈(female groove)들(32)이 제공된다.
어떤 경우들에 있어서, 링과 같은 형태로, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16) 사이에 어셈블리(10)의 주변 경계(34)에 인접하여 인서트(33)를 제공하는 것이 바람직하다. 인서트(32)는 백킹 플레이트(16)에 타겟(12)의 본딩을 향상시킨다.
어셈블리(10)는 우선적으로, 주변 경계(34)에 인접한 고리모양의 밴드 또는 존(36)(도 3 및 도 4)을 따라 본딩된다. 어셈블리(10)의 고리모양 존(36)에 따른 이러한 초기의 본딩은 진공 조건들 하에서의 E 빔 웰딩, TIG 웰딩, 및 마찰 웰딩 등과 같은 종래 수단에 의해 달성될 수 있다. 양호하게는, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16)의 주변 경계들(34)의 본딩은 진공 조건들 하에서 E 빔 웰딩을 통해 수행된다.
주변 본딩 후에, 어셈블리(10)는 약 50 톤-5,000 톤의 압력으로 가압을 통해 합체된다; 양호하게는 실온 내지 약 38℃의 저온 조건들 하에서, 약 1,000 톤 보다 작다. 수 돌출부들(26)은 대응하는 암 홈들(32)로 마찰 끼워맞춰진다. 그 결과, 본 발명의 잠금 접합(locking joint)은 수 돌출부(26) 및 대응하는 암 홈(32) 사이에 형성된 마찰 끼워맞춤 접합으로서 기술될 수 있다. 또한, 당업자는, 주변 본딩이 압력 합체 후에 발생할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
저온 압력 합체 후에, 어셈블리(10)는 0.5 내지 4 시간의 기간 동안 실온 내지 400℃에서 행해지는 저온 어닐링 단계에 적용될 수 있다. 이것은 압력 합체된 표면들의 적절한 유착을 보증할 것이다.
용어 "저온 압력 합체"는, 타겟 및 백킹 플레이트의 보다 낮은 용융 부재의용융 온도의 약 50% 보다 작은 온도에서 발생할 수 있는 압력 합체를 뜻한다.
양호하게는, 이러한 온도는 약 200℃ 보다 더 작다; 가장 양호하게는 실온에서 약 38℃ 까지이다.
도 2로 가면, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16)가 저온 압력 합체에 의해 접합될 수 있는, 본 발명의 또다른 실시예가 도시되어 있다. 여기서, 수 돌출부들(26)은, 타겟 플레이트(12)에 형성된 사각 암 홈들(32)로 강제 끼워맞춰지는 연장된 사각의 단면화된 부재들의 형태로 도시된다.
도 3 및 도 4는, 저온 압력 합체에 의해 수 돌출부들(26)이 그들의 짝인 암 홈들(32)에 마찰없이 끼워맞춰지고, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16)가 긴밀하게 접합되는 도 1 및 도 2의 어셈블리들의 짝이되는 위치들 각각에서의 상기 어셈블리들을 도시한다.
도 5는 도 1의 실시예의 수 돌출부들(26) 및 암 홈들(32)을 사시적으로 도시한다. 수 돌출부들(26)은 원통형 암 홈들(32)과 짝이되도록 적응된 원통형 다웰(dowel)같은 돌출부의 형태이다. 암 홈들(32)은 돌출한 수 돌출부들(26)의 외부 직경 보다 더 작은 내부 직경을 갖는다. 도시되는 바와 같이, 수 돌출부들(26) 및 암 구멍들(32)은 집중적으로 배열된 고리모양의 열들의 패턴으로 배열된다.
도 6은 도 2의 실시예에 도시된 수 돌출부들(26)/암 홈들(32)을 도시한다. 여기서, 수 돌출부들(26)은 보다 작은 암 구멍들(32)로의 수용을 위해 적응된 연장된 사각의 단면화된 스터드들의 형태이다.
이러한 본딩 방법은 최신 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들(10)의합체를 가능하게 한다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들(10)은, 자신들이 유사하지 않은 열 팽창 계수들을 갖는 타겟들(12) 및 백킹 플레이트들(16)을 포함하므로, 종래 방식과 다르다. 추가적인 금속 인서트(33)는 어셈블리(10)를 본딩하는 것을 보조하도록 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16) 사이에 배치될 수 있다. 합체된 타겟들(12) 및 백킹 플레이트들(16)이 유사하지 않은 열 팽창 계수들을 가질지라도, 이러한 최신 어셈블리들(10)은 구부러짐 또는 휨 없이 높은 스퍼터링 온도에서 함께 본딩되어 사용될 수 있다. 또한, 이러한 최신 스퍼터 타겟 어셈블리들(10)은, 보다 높은 열 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트들(16)을 이용할 수 있고, 따라서 종래 백킹 플레이트들은 일반적으로, 특정 타겟 금속(12)과 본딩된다.
추가적으로, 이러한 저온 방법이 최소로 타겟 금속(12)에 그레인 성장을 유지하기 때문에, 본 발명은 또한, 합체에 있어서 보다 높은 온도를 요구하는 확산 본딩 및 다른 접합 기술들에 대한 장점들을 제공한다.
본 발명은, 본 발명을 제한하지 않는 본 발명의 특정 실시예들과 관련하여 추가적으로 기술될 것이다.
예 1
최신 스퍼터 타겟 어셈블리는 도 1 및 도 2 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따라 본딩되었다. 타겟은 고순도 Ti로 구성되었고, 백킹 플레이트는 Cu-1%Cr로 구성되었다. 타겟 및 백킹 플레이트의 열 팽창 계수들 각각은 약 8.9 및 17.6이다. 수 돌출부들에는 약 0.05"의 높이를 갖는 각각의 돌출부가 백킹 플레이트에서 제공된다. 양호하게는 1-50% Ni를 갖는 Cu-Ni를 포함하는 인서트는 어셈블리의 주변 경계에 인접하여 배치되었다. 어셈블리의 주변 경계 주위의 고리모양의 존은 진공 하에서 웰딩된 E 빔이다. 그 결과, 어셈블리의 전체 두께가 약 0.1"만큼 감소되도록 실온에서 압력 합체되었다.
타겟 및 백킹 플레이트의 열 팽창 계수들이 유사하지 않을 지라도, 본딩된 어셈블리는, 이러한 어셈블리가 보다 높은 열 전도성 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트와, 그 밖에 Ti 또는 Ti 합금 타겟들을 이용하는 종래 어셈블리들을 이용하는 것을 가능하게 하는 고전력 레벨 스퍼터링 조건들 동안 분리되고/되거나 구부러지지 않는다.
예 2
최신 스퍼터 타겟 어셈블리는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 본 발명에 따라 본딩되었다. 타겟은, 양호하게는 1-50% Ni를 갖는 Cu-Ni로 구성된 백킹 플레이트와 고순도 Ti로 구성되었다. 수 돌출부들에는 약 0.1"의 높이를 갖는 각각의 돌출부가 백킹 플레이트에서 제공되었다. 인서트는 사용되지 않았다. 어셈블리의 주변 경계 주위의 고리모양의 존은 진공 하에서 웰딩된 E 빔이다. 그 결과, 어셈블리의 전체 두께가 약 0.1"만큼 감소되도록 어셈블리는 실온에서 압력 합체되었다.
Cu-Ni 백킹 플레이트는, 맴돌이 전류를 감소시키는 낮은 전기 전도성을 갖고, 보다 높은 열 전도성을 가지며, 그 밖에 종래 백킹 플레이트들은, 타겟이 Ti 또는 Ti 합금들로 구성된 고전력 애플리케이션들에서 사용된다. 열 팽창 계수들이 유사하지 않을 지라도, 예 1과 유사한 본딩된 어셈블리는, 이러한 어셈블리가 보다높은 열 전도성 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트와, 그 밖에 Ti 또는 Ti 합금 타겟들을 사용하는 종래 어셈블리들을 이용하는 것을 가능하게 하는 고전력 레벨 스퍼터링 조건들 동안 분리되고/되거나 구부러지지 않는다.
예 3
본 발명에 따라 본딩될 수 있는 또다른 최신 스퍼터 타겟 어셈블리는 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 고순도 Co로 구성된 타겟 및 Cu-1%Cr로 구성된 백킹 플레이트를 포함한다. 수 돌출부들에는 약 0.1"의 높이를 갖는 각각의 돌출부가 백킹 플레이트에서 제공된다. NiV를 포함하는 인서트는 어셈블리의 주변 경계에 인접하여 배치된다. 어셈블리의 주변 경계 주위의 고리모양의 존은 진공 하에서 웰딩된 E 빔이다. 그 결과, 어셈블리의 전체 두께가 약 0.1"만큼 감소시키도록 실온에서 압력 합체된다.
열 팽창 계수들이 서로 다를 지라도, 본딩된 어셈블리는, 이러한 어셈블리가 보다 높은 열 전도성 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트와, 그 밖에 Co 또는 Co 합금 타겟들을 사용하는 종래 어셈블리들을 이용하는 것을 가능하게 하는 고전력 레벨 스퍼터링 조건들 동안 분리되고/되거나 구부러지지 않는다.
예 4
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 본딩될 수 있는 또다른 최신 스퍼터 타겟 어셈블리는 고순도 Ta로 구성된 타겟 및 Ti 또는 Ti 합금들로 구성된 백킹 플레이트를 포함한다. 수 돌출부들에는, 약 0.1"의 높이를 갖는 각각의 돌출부가 백킹 플레이트에 제공된다. 인서트는 사용되지 않았다. 어셈블리 주변 경계 주위의 고리모양의 존은 진공 하에서 웰딩된 E 빔이다. 그 결과, 어셈블리의 전체 두께가 약 0.1"만큼 감소되도록 어셈블리는 실온에서 압력 합체되었다.
다시, 상기 예들과 유사하게는, 열 팽창 계수들이 서로 다를 지라도, 본딩된 어셈블리는, 이러한 어셈블리가 보다 높은 열 전도성 및 보다 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트와, 그 밖에 Ta 또는 Ta 합금 타겟들을 사용하는 종래 어셈블리들을 이용하는 것을 가능하게 하는 고전력 레벨 스퍼터링 조건들 동안 분리되고/되거나 구부러지지 않는다.
본 명세서에 기술된 상기 방법들, 및 상기 방법들에 따라 생성된 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리들이 임의의 특정 형태들 및 그의 특정한 수정들과 함께 기술된 반면에, 폭넓은 다양한 수정들이 첨부된 특허 청구 범위에 규정된 바와 같은 본 발명의 범위 및 정신으로부터 벗어나지 않고도 이루어 질수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 본 명세서에서의 금속 또는 금속 구성요소에 대한 레퍼런스는 상기 언급된 금속의 합금화된 형태들에 대한 레퍼런스를 포함한다는 것을 유념해야 한다.

Claims (32)

  1. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟 및 밑에 있는 금속 백킹 플레이트 부재(underlying metallic backing plate member)를 포함하는 본딩된 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리를 준비하는 방법에서, 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 짝이되는 표면들을 따라 접합하는 방법에 있어서,
    a) 상기 짝이되는 표면들 중 적어도 하나에 복수의 수 돌출부(male projection)들 및 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 복수의 암 홈(female groove)들을 형성하는 단계,
    b) 서로 인접한 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 배치하는 단계로서, 상기 타겟 및 백킹 플레이트는 상기 짝이되는 표면들에 의해 규정된 인터페이스를 갖고, 상기 타겟은 Ti, Co, Ta, 및 그의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하며, 상기 백킹 플레이트는 CuCr, Ti, Ti 합금, Cu, 및 CuNi로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 상기 배치 단계,
    c) 어셈블리를 형성하도록 주변 경계에 가까운 상기 타겟 및 백킹 플레이트 사이에 웰딩가능한 인서트(insert)를 삽입하는 단계, 및
    d) 상기 수 돌출부들이 상기 암 홈들로 마찰 끼워맞춰지도록 저온 조건들 하에서 상기 어셈블리를 압력 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 주변 경계에 가까운 상기 어셈블리를 본딩하는 추가적인 단계 e)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 단계 c) 이후 및 상기 단계 d) 이전에 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 어셈블리의 e 빔 웰딩(e-beam welding) 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 고리모양의 존(annular zone)에 따라 상기 타겟 및 상기 백킹 플레이트를 e 빔 웰딩하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 압력 합체된 어셈블리를 저온 어닐링하는 단계 f)를 더 포함하는,타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 인서트는 Cu-Ni을 포함하고, 상기 타겟은 Ti를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 인서트는 1-50% Ni를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 인서트는 NiV를 포함하고, 상기 타겟은 Co를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 압력 합체 단계는 약 100℃ 보다 낮은 저온의 조건들 하에서 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  11. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟 및 밑에 있는 금속 백킹 플레이트 부재를 포함하는 본딩된 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리를 준비하는 방법에서, 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 짝이되는 표면들을 따라 접합하는 방법에 있어서,
    a) 상기 짝이되는 표면들 중 적어도 하나에 복수의 수 돌출부들 및 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 복수의 암 홈들을 형성하는 단계,
    b) 상기 짝이되는 표면들에 의해 규정된 인터페이스를 갖는 어셈블리를 형성하도록 서로 인접한 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 배치하는 단계로서, 상기 타겟은 Ti 및 Ti 합금들을 포함하고, 상기 백킹 플레이트는 Cu-Ni를 포함하는, 상기 배치 단계, 및
    c) 상기 수 돌출부들이 상기 암 홈들로 마찰 끼워맞춰지도록 저온 조건들 하에서 상기 어셈블리를 압력 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 주변 경계에 가까운 상기 어셈블리를 본딩하는 추가적인 단계 d)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 단계 b) 이후 및 상기 단계 c) 이전에 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 어셈블리의 e 빔 웰딩 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹플레이트 접합 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 고리모양의 존에 따라 상기 타겟 및 상기 백킹 플레이트를 e 빔 웰딩하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 압력 합체된 어셈블리를 저온 어닐링하는 단계 e)를 더 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 1-50% Ni를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 압력 합체 단계는 약 100℃ 보다 낮은 저온의 조건들 하에서 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  19. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟 및 밑에 있는 금속 백킹 플레이트 부재를 포함하는 본딩된 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 어셈블리를 준비하는 방법에서, 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 짝이되는 표면들을 따라 접합하는 방법에 있어서,
    a) 상기 짝이되는 표면들 중 적어도 하나에 복수의 수 돌출부들 및 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 복수의 암 홈들을 형성하는 단계,
    b) 상기 짝이되는 표면들에 의해 규정된 인터페이스를 갖는 어셈블리를 형성하도록 서로 인접한 상기 타겟 및 백킹 플레이트를 배치하는 단계로서, 상기 타겟은 Ta 및 Ta 합금들을 포함하고, 상기 백킹 플레이트는 Ti 및 Ti 합금들의 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 상기 배치 단계, 및
    c) 상기 수 돌출부들이 상기 암 홈들로 마찰 끼워맞춰지도록 저온 조건들 하에서 상기 어셈블리를 압력 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 주변 경계에 가까운 상기 어셈블리를 본딩하는 추가적인 단계 d)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 단계 b) 이후 및 상기 단계 c) 이전에 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 어셈블리의 e 빔 웰딩 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 고리모양의 존에 따라 상기 타겟 및 상기 백킹 플레이트를 e 빔 웰딩하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 압력 합체된 어셈블리를 저온 어닐링하는 단계 e)를 더 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 어셈블리의 상기 압력 합체 단계는 약 100℃ 보다 낮은 저온의 조건들 하에서 수행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  26. Ti, Co, 및 그의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는 타겟과, Cu-1%Cr을 포함하는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체에 있어서,
    상기 타겟 및 백킹 플레이트는 각각의 짝이되는 표면들에 의해 규정된 평면을 따라 짝이되고, 복수의 수 돌출부들이 상기 짝이되는 표면들 중 하나에 형성되고, 복수의 대응하는 암 홈들이 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 형성되고, 상기 타겟 및 백킹 플레이트는 상기 짝이되는 표면들에 따라 형성되고 상기 수 돌출부들 및 상기 암 홈들을 둘러싸는 주변 경계를 더 포함하고, 본딩가능한 인서트 재료가 상기 주변 경계에 배치되며, 상기 수 돌출부들은 상기 암 홈들로 강제적으로 끼워맞춰지는, 조합체.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 인서트는 Cu-Ni를 포함하고, 상기 타겟은 Ti를 포함하는, 조합체.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 인서트는 1-50% Ni를 포함하는, 조합체.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 인서트는 NiV를 포함하고, 상기 타겟은 Co를 포함하는, 조합체.
  30. Ti 및 Ti 합금들을 포함하는 타겟과, Cu-Ni를 포함하는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체에 있어서,
    상기 타겟 및 백킹 플레이트는 각각의 짝이되는 표면들에 의해 규정된 평면을 따라 짝이되고, 복수의 수 돌출부들이 상기 짝이되는 표면들 중 하나에 형성되고 복수의 대응하는 암 홈들이 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 형성되며, 상기 수 돌출부들은 상기 암 홈들로 강제적으로 끼워맞춰지는, 조합체.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 1-50% Ni를 포함하는, 조합체.
  32. Ta 및 Ta 합금들을 포함하는 타겟과, Ti-Cp 및 Ti 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체에 있어서,
    상기 타겟 및 백킹 플레이트는 각각의 짝이되는 표면들에 의해 규정된 평면을 따라 짝이되고, 복수의 수 돌출부들이 상기 짝이되는 표면들 중 하나에 형성되고 복수의 대응하는 암 홈들이 상기 짝이되는 표면들 중 다른 하나에 형성되며, 상기 수 돌출부들은 상기 암 홈들로 강제적으로 끼워맞춰지는, 조합체.
KR1020037007969A 2000-12-15 2001-12-13 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체 KR100824928B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25611000P 2000-12-15 2000-12-15
US60/256,110 2000-12-15
PCT/US2001/048480 WO2002047865A1 (en) 2000-12-15 2001-12-13 Friction fit target assembly for high power sputtering operation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030064825A true KR20030064825A (ko) 2003-08-02
KR100824928B1 KR100824928B1 (ko) 2008-04-28

Family

ID=22971128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037007969A KR100824928B1 (ko) 2000-12-15 2001-12-13 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7114643B2 (ko)
EP (1) EP1349698B1 (ko)
KR (1) KR100824928B1 (ko)
DE (1) DE60140899D1 (ko)
WO (1) WO2002047865A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110883540A (zh) * 2019-11-27 2020-03-17 西安长峰机电研究所 一种发动机薄壁喷管壳体焊接装配工艺

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6848608B2 (en) * 2002-10-01 2005-02-01 Cabot Corporation Method of bonding sputtering target materials
KR101047722B1 (ko) * 2002-10-21 2011-07-08 캐보트 코포레이션 스퍼터링 타겟 조립체 형성 방법 및 그로부터 제조된조립체
JP4422975B2 (ja) * 2003-04-03 2010-03-03 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US6992261B2 (en) 2003-07-15 2006-01-31 Cabot Corporation Sputtering target assemblies using resistance welding
US20050061857A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
EP2626444A3 (en) * 2003-12-25 2013-10-16 JX Nippon Mining & Metals Corporation Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly
US7504008B2 (en) * 2004-03-12 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Refurbishment of sputtering targets
US20060021870A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Profile detection and refurbishment of deposition targets
US20060081459A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of target erosion
SG157362A1 (en) 2004-11-04 2009-12-29 Microchips Inc Compression and cold weld sealing methods and devices
CN101378985A (zh) * 2005-01-12 2009-03-04 纽约大学 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法
US20060289305A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Applied Materials, Inc. Centering mechanism for aligning sputtering target tiles
KR20080054414A (ko) * 2005-09-28 2008-06-17 캐보트 코포레이션 스퍼터링 타켓 조립체를 형성하는 관성 접합 방법 및그로부터 제조된 조립체
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) * 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US8968536B2 (en) * 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US8702919B2 (en) 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
US7901552B2 (en) 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US8992747B2 (en) * 2010-03-12 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber
EP3431628A1 (en) 2011-04-21 2019-01-23 View, Inc. Lithium sputter targets
CN109097746A (zh) 2011-06-30 2018-12-28 唯景公司 溅射靶和溅射方法
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US9341912B2 (en) 2012-03-13 2016-05-17 View, Inc. Multi-zone EC windows
US10315279B2 (en) 2014-08-08 2019-06-11 Siemens Aktiengesellschaft Hot isostatic pressing system for the assembly of modular components usable in a turbine engine
CN105900210B (zh) * 2014-12-15 2021-06-01 应用材料公司 用于纹理化腔室部件的方法和具有纹理化表面的腔室部件
US10307861B2 (en) * 2014-12-27 2019-06-04 Cooler Master Corp. Bonded aluminum-dissimilar metal structure and method of making same
CN108367537B (zh) * 2015-07-13 2021-05-07 雅宝公司 将固态锂低压冷结合至金属基材的方法
WO2020023174A1 (en) 2018-07-23 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Pre-conditioned chamber components
CN109807453B (zh) * 2019-03-18 2020-10-02 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 一种高纯铜旋转靶的焊接方法
JP2021146359A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 三菱マテリアル株式会社 接合体、および、接合体の製造方法
CN113043219A (zh) * 2021-03-19 2021-06-29 哈尔滨工业大学 一种用于惯性约束聚变自动换靶的安装装置
CN114959618A (zh) * 2022-06-29 2022-08-30 浙江最成半导体科技有限公司 一种溅射靶材及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143590A (en) * 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5269899A (en) 1992-04-29 1993-12-14 Tosoh Smd, Inc. Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus
TW234767B (ko) * 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5693203A (en) * 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5487822A (en) * 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US6073830A (en) * 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5836506A (en) 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5799860A (en) * 1995-08-07 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies
JP3198284B2 (ja) * 1996-04-08 2001-08-13 有限会社刀水企画 押し出し材同志の結合方法及び液冷ヒートシンク
EP0800890A1 (en) * 1996-04-08 1997-10-15 Tousui Ltd Heat sink
US6749103B1 (en) * 1998-09-11 2004-06-15 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
KR100642034B1 (ko) * 1998-09-11 2006-11-03 토소우 에스엠디, 인크 저온 스퍼터 타겟 접착방법 및 이 방법으로 제조된 타겟조립체
TW483793B (en) * 1999-07-12 2002-04-21 Tosoh Smd Inc Friction fit target assembly
US6725522B1 (en) * 2000-07-12 2004-04-27 Tosoh Smd, Inc. Method of assembling target and backing plates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110883540A (zh) * 2019-11-27 2020-03-17 西安长峰机电研究所 一种发动机薄壁喷管壳体焊接装配工艺

Also Published As

Publication number Publication date
DE60140899D1 (de) 2010-02-04
US20040035698A1 (en) 2004-02-26
EP1349698B1 (en) 2009-12-23
EP1349698A1 (en) 2003-10-08
WO2002047865A1 (en) 2002-06-20
EP1349698A4 (en) 2008-01-16
US7114643B2 (en) 2006-10-03
KR100824928B1 (ko) 2008-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20030064825A (ko) 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워맞춤 타겟 어셈블리
US6749103B1 (en) Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
US6955852B2 (en) Method of manufacturing sputter targets with internal cooling channels
EP1349682B1 (en) Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby
EP1115899B1 (en) Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
US5009765A (en) Sputter target design
US20020134675A1 (en) Insert target assembly and method of making same
US6619537B1 (en) Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers
US5143590A (en) Method of manufacturing sputtering target assembly
KR20010015117A (ko) 스퍼터링 타겟을 백킹 플레이트에 접착하는 방법
WO2008033192A1 (en) Sputtering target assembly and method of making same
US20170084434A1 (en) Diffusion-bonded sputter target assembly and method of manufacturing
KR20060033013A (ko) 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130408

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140407

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160407

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170411

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee