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KR20030055140A - Organic electroluminescent device comprising a layer containing a electroconductive polymer - Google Patents

Organic electroluminescent device comprising a layer containing a electroconductive polymer Download PDF

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Publication number
KR20030055140A
KR20030055140A KR1020020083312A KR20020083312A KR20030055140A KR 20030055140 A KR20030055140 A KR 20030055140A KR 1020020083312 A KR1020020083312 A KR 1020020083312A KR 20020083312 A KR20020083312 A KR 20020083312A KR 20030055140 A KR20030055140 A KR 20030055140A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
integer
organic electroluminescent
electroluminescent device
mol
Prior art date
Application number
KR1020020083312A
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Korean (ko)
Inventor
니이가즈미
Original Assignee
후지 샤신 필름 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 filed Critical 후지 샤신 필름 가부시기가이샤
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Abstract

(과제) 높은 발광효율로 발광이 가능한 발광소자, 저전압 구동가능한 발광소자, 특히 청색영역에서도 높은 발광효율로 발광하는 발광소자를 제공한다.The present invention provides a light emitting device capable of emitting light with high luminous efficiency, a light emitting device capable of low voltage driving, and a light emitting device emitting light with high luminous efficiency even in a blue region.

(해결수단) 1쌍의 전극 사이에 1층 이상의 발광층을 가지는 발광소자에 있어서, 발광층의 인접층은 도전성 고분자를 함유하고, 또한 발광층은 증착법에 의해 제막되며 삼중항 여기상태에서 발광하는 발광 재료를 1종 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(Solution means) A light emitting device having at least one light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the adjacent layer of the light emitting layer contains a conductive polymer, and the light emitting layer is formed by vapor deposition and emits light in a triplet excited state. Light-emitting element containing 1 or more types.

Description

도전성 고분자를 함유하는 층을 가지는 유기 전계발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING A LAYER CONTAINING A ELECTROCONDUCTIVE POLYMER}ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING A LAYER CONTAINING A ELECTROCONDUCTIVE POLYMER}

본 발명은 백라이트, 플랫패널 디스플레이, 조명광원, 표시소자, 전자 사진, 유기 반도체 레이저, 기록광원, 노광광원, 판독광원, 표식, 간판, 광통신 디바이스 등의 분야에 이용가능한 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device usable in the fields of backlight, flat panel display, illumination light source, display device, electrophotographic, organic semiconductor laser, recording light source, exposure light source, read light source, mark, signage, optical communication device, etc. .

오늘날 다양한 발광소자의 연구개발이 활발하게 이루어지고 있지만, 그 중에서 유기 전계 발광 (EL) 소자는 초박형ㆍ경량성, 고속응답성, 광시야각성, 저전압 구동 등의 특징을 가지고 있어 유망한 발광소자로서 주목되고 있다. 일반적으로 유기 EL 소자는 발광층 및 이 층을 사이에 둔 1쌍의 대향전극으로 구성되어 있고, 음극에서 주입된 전자와 양극에서 주입된 정공이 재결합하여 생성된 여기자로부터의 발광을 이용하는 것이다.Today, research and development of various light emitting devices are being actively conducted. Among them, organic electroluminescent (EL) devices are noted as promising light emitting devices because they are characterized by ultra-thin, lightweight, high-speed response, wide viewing angle, and low voltage driving. It is becoming. In general, an organic EL element is composed of a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiched between the layers, and utilizes light emission from excitons generated by recombination of electrons injected from the cathode and holes injected from the anode.

현재, 저전압에서 고휘도로 발광하는 유기 EL 소자로는, Tang 등에 의해 제시된 적층구조를 가지는 것이 알려져 있다 [Applied Physics Letters, 51 권, 913 페이지, 1987 년]. 이 소자는 전자 수송 재료와 발광 재료를 겸한 재료를, 홀수송 재료와 적층함으로써 고휘도의 녹색 발광을 얻고 있고, 6 내지 7V 의 직류전압에서 휘도는 수천 cd/㎡ 에 달하고 있다. 그러나 실용적인 소자를 생각했을 때, 더욱 고휘도이고, 고효율인 발광소자의 개발이 요구되고 있다.At present, it is known that the organic EL device that emits light with high luminance at low voltage has a laminated structure proposed by Tang et al. [Applied Physics Letters, Vol. 51, p. 913, 1987]. The device obtains high luminance green light emission by laminating a material serving as an electron transporting material and a light emitting material with a hole transporting material, and the luminance reaches thousands of cd / m 2 at a DC voltage of 6 to 7V. However, considering practical devices, development of light emitting devices with higher brightness and higher efficiency is required.

최근, 더욱 고효율로 발광가능한 소자로서 이리듐의 오르토메탈화 착물 (Ir (ppy)3: 2-페닐피리딘과의 트리스-오르토이리듐화 착물) 을 발광 재료로 사용한 발광소자가 보고되었다 (어플라이드 피직스 레터즈, 75 권, 4 페이지, 1999 년). 이 발광소자는 삼중항 여기자로부터의 인광 발광을 이용한 것이고, 이의 외부양자효율 (발광효율) 은 8.3% 로서, 종래 한계라고 알려진 외부양자효율 5% 를 초과하는 것으로서 우수하다. 일반적으로 형광 발광에 기여하는 일중항 여기자와 인광 발광에 기여하는 삼중항 여기자의 비율은 1:3 이며, 삼중항 여기자를 이용함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있다. 그러나 상기 이리듐의 오르토메탈화 착물은 녹색 발광소자에 한정되어 있기 때문에, 풀칼라 디스플레이나 백색 발광소자에 응용하는 경우에는 그외의 색 특히 청색에 대해서도 고효율로 발광하는 소자의 개발이 필요하다.Recently, a light emitting device using an ortho-metallized complex of iridium (tris-orthoiridium complex with Ir (ppy) 3 : 2-phenylpyridine) as a light emitting device as a light emitting material has been reported (Applied Physics Letters). , Vol. 75, p. 4, 1999). This light emitting device uses phosphorescence emission from triplet excitons, and its external quantum efficiency (luminescence efficiency) is 8.3%, which is excellent as it exceeds the external quantum efficiency of 5% known as a conventional limit. In general, the ratio of singlet excitons contributing to fluorescence and triplet excitons contributing to phosphorescence is 1: 3, and luminescence efficiency can be improved by using triplet excitons. However, since the orthometallized complex of iridium is limited to a green light emitting device, when applied to a full color display or a white light emitting device, it is necessary to develop a device that emits light with high efficiency in other colors, especially blue.

상기 이리듐의 오르토메탈화 착물과 같은 삼중항 여기자를 이용하는 발광소자에 있어서는, 발광층 중 호스트 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위가 발광 재료보다 낮으면 소자의 발광효율이 저하되어 버리기 때문에, 호스트 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위는 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위보다 높아야 한다.In a light emitting device using triplet excitons such as the orthometallated complex of iridium, when the lowest triplet excitation energy level of the host material in the light emitting layer is lower than the light emitting material, the luminous efficiency of the device is lowered. The triplet energy level here must be higher than the lowest triplet energy level of the luminescent material.

특히 삼중항 여기자를 이용하는 발광소자가 색순도가 우수한 청색 발광하는 경우 발광 재료의 발광 스펙트럼은 단파가 되고, 즉 상기 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위가 높아진다. 그리고 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위가 높아짐에 따라 호스트 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위도 높일 필요가 있다. 호스트 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위가 높아지면 전하주입성이 저하되어 버리고, 전하주입성을 유지하고자 하면 구동전압이 높아져 소자의 내구성을 떨어뜨릴 수도 있다. 따라서 삼중항 여기자를 이용하는 발광소자에서 고효율 발광을 달성시키기 위해서는 호스트 재료에 전하를 효율적으로 주입하는 방법의 개발이 요구되었다.In particular, when the light emitting device using triplet excitons emits blue light having excellent color purity, the emission spectrum of the light emitting material becomes shortwave, that is, the lowest triplet excitation energy level of the light emitting material is increased. As the lowest triplet excitation energy level of the luminescent material increases, it is also necessary to increase the lowest triplet excitation energy level of the host material. If the lowest triplet excitation energy level of the host material is high, the charge injection property is lowered. If it is desired to maintain the charge injection property, the driving voltage is increased, which may reduce the durability of the device. Therefore, in order to achieve high efficiency light emission in a light emitting device using triplet excitons, development of a method of efficiently injecting charge into a host material has been required.

또한 고효율 발광에는 발광층의 인접층의 최저 여기 삼중항 에너지 준위도 중요하게 생각되어 인접층의 최저 여기 삼중항 에너지 준위가 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위보다 낮은 경우, 호스트 재료 중에서 생성된 삼중항 여기자가 발광 재료로 에너지 이동하는 것이 아니고, 인접층으로 에너지 이동하여 발광효율이 저하되는 경우가 있어 발광 재료로의 에너지 이동을 방해하지 않는 인접층의 개발이 요구되었다. 또한 고휘도 발광시의 내구성이 우수한 소자의 개발이 요구되었다.In addition, the lowest triplet excitation energy level of the adjacent layer of the light emitting layer is considered important for high-efficiency light emission. When the lowest triplet excitation energy level of the adjacent layer is lower than the lowest triplet energy level of the light emitting material, triplet generated in the host material The excitons do not move energy to the luminescent material but instead move energy to the adjacent layer, whereby the luminous efficiency is lowered. Therefore, development of an adjacent layer that does not prevent energy transfer to the luminescent material has been required. In addition, development of a device having excellent durability in high luminance light emission has been required.

따라서 삼중항 청색 발광소자를 고효율 발광시키는 방법을 예의 검토한 결과, 도전성 고분자를 증착형 발광층에 인접시킴으로써 고효율 청색 발광을 실현하였다.Therefore, as a result of earnestly examining the method of high efficiency light emission of a triplet blue light emitting element, high efficiency blue light emission was achieved by making a conductive polymer adjoin the vapor deposition type light emitting layer.

본 발명은 상기 여러 문제를 감안하여, 높은 발광효율로 발광이 가능한 발광소자, 저전압 구동가능한 발광소자, 특히 청색영역에서도 높은 발광효율로 발광하는 발광소자를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a light emitting device capable of emitting light with high luminous efficiency, a light emitting device capable of low voltage driving, particularly a light emitting device emitting light with high luminous efficiency even in a blue region.

상기 과제는 하기 수단에 의해 달성되었다.The said subject was achieved by the following means.

(1) 양극 및 음극 사이에 증착에 의해 형성된 발광층을 가지고, 발광층은 삼중항 여기상태에서 발광하는 발광 재료를 1종 이상 함유하며, 발광층의 양극측 및 음극층의 적어도 한쪽에 인접하는 인접층을 가지고, 인접층은 도전성 고분자를 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.(1) A light emitting layer formed by vapor deposition between an anode and a cathode, the light emitting layer containing at least one light emitting material that emits light in a triplet excited state, and an adjacent layer adjacent to at least one of the anode side and the cathode layer of the light emitting layer. And an adjacent layer contains a conductive polymer.

(2) 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위는 63㎉/㏖ (264kJ/㏖) 이상 81㎉/㏖ (340kJ/㏖) 이하인 것을 특징으로 하는 (1) 에 기재된 유기 전계발광 소자.(2) The organic electroluminescent element according to (1), wherein the lowest triplet excitation energy level of the light emitting material is 63 kW / mol (264 kJ / mol) or more and 81 kW / mol (340 kJ / mol) or less.

(3) 발광 재료의 인광의 양자 수율은 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2) 에 기재된 유기 전계발광 소자.(3) The organic electroluminescent element according to (1) or (2), wherein the quantum yield of phosphorescence of the light emitting material is 0.5 or more.

(4) 발광 재료를 제외한 발광층의 최저 여기 삼중항 에너지 준위는 64㎉/㏖ (268kJ/㏖) 이상 82㎉/㏖ (344kJ/㏖) 이하인 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자.(4) The lowest triplet excitation energy level of the light emitting layer excluding the light emitting material is 64 kW / mol (268 kJ / mol) or more and 82 kW / mol (344 kJ / mol) or less, wherein any one of (1) to (3) The organic electroluminescent element described in.

(5) 인접층의 전기 전도도는 10-6Sㆍ㎝-1이상인 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자.(5) The organic electroluminescent element according to any one of (1) to (4), wherein the electrical conductivity of the adjacent layer is 10 -6 S · cm −1 or more.

(6) 도전성 고분자는 도펀트를 도핑한 공액 고분자인 것을 특징으로 하는(1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자.(6) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (5), wherein the conductive polymer is a conjugated polymer doped with a dopant.

(7) 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환을 2 가 이상의 연결기로 연결한 비공액 고분자 재료 또는 공액 고분자 재료인 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자.(7) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (6), which is a nonconjugated polymer material or a conjugated polymer material in which an aromatic carbocyclic ring or an aromatic heterocycle is linked with a bivalent or higher linking group.

(8) 도전성 고분자는 하기 화학식 1 로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자:(8) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (6), wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the following general formula (1):

(식 중,(In the meal,

R11은 치환기를 나타내고,R 11 represents a substituent,

m11은 0 내지 2 의 정수를 나타내며,m 11 represents an integer of 0 to 2,

m11이 2 를 나타낼 때, 복수의 R11은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m 11 represents 2, a plurality of R 11 may be the same or different, and may be connected to each other to form a ring,

n11은 1 이상의 정수를 나타냄).n 11 represents an integer of 1 or more).

(9) 도전성 고분자는 화학식 2 로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자:(9) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (6), wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the formula (2):

(식 중,(In the meal,

L21, L22는 2 가의 연결기를 나타내고,L 21 and L 22 represent a divalent linking group,

R21, R22, R23은 치환기를 나타내며,R 21 , R 22 , R 23 represent a substituent,

m21, m22는 0 내지 4 의 정수를 나타내고,m 21 , m 22 represent an integer of 0 to 4,

m23은 0 내지 5 의 정수를 나타내며,m 23 represents an integer of 0 to 5,

m21, m22가 2 내지 4 의 정수를, m23이 2 내지 5 의 정수를 나타낼 때, 복수의 R21, R22, R23은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m 21 and m 22 represent an integer of 2 to 4 and m 23 represents an integer of 2 to 5, a plurality of R 21 , R 22 , and R 23 may be the same or different, and may be connected to each other to form a ring. ,

n21은 1 이상의 정수를 나타냄).n 21 represents an integer of 1 or more).

(10) 도전성 고분자는 하기 화학식 3 으로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 유기 전계발광 소자:(10) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (6), wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the following formula (3):

(식 중,(In the meal,

L31은 3 가의 연결기를 나타내고,L 31 represents a trivalent linking group,

L32는 단결합 또는 2 가의 연결기를 나타내며,L 32 represents a single bond or a divalent linking group,

R31, R32, R33은 치환기를 나타내고,R 31 , R 32 , R 33 represent a substituent,

m31은 0 내지 4 의 정수를 나타내며,m 31 represents an integer of 0 to 4,

m32, m33은 0 내지 5 의 정수를 나타내고,m 32 and m 33 represent an integer of 0 to 5,

m31이 2 내지 4 의 정수를, m32, m33이 2 내지 5 의 정수를 나타낼 때, 복수의 R31, R32, R33은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m <31> represents the integer of 2-4 and m <32> , m <33> represents the integer of 2-5, some R <31> , R <32> , R <33> may be same or different, and may mutually connect and form a ring. ,

n31은 1 이상의 정수를 나타냄).n 31 represents an integer of 1 or more).

이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 발광소자는 1쌍의 전극 사이에 적어도 1 층의 발광층을 가지는 발광소자로서, 발광층의 인접층은 도전성 고분자를 함유하고, 또한 발광층은 증착법에 의해 제막되며 삼중항 여기상태에서 발광하는 발광 재료를 적어도 1 종 함유하는 것을 특징으로 한다.The light emitting device of the present invention is a light emitting device having at least one light emitting layer between a pair of electrodes, the adjacent layer of the light emitting layer contains a conductive polymer, and the light emitting layer is formed by vapor deposition and emits light in a triplet excited state. It is characterized by containing at least 1 type of material.

본 발명의 발광소자에 있어서, 통상 발광층은 양극 및 음극으로 이루어지는 1쌍의 전극 사이에 끼워진다. 본 발명에서도 1쌍의 전극 사이에는 발광층에는 도전성 고분자를 함유하는 층이 인접하지만 (인접층), 그 외에 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 보호층 등이 배치되어 있어도 되고, 또한 이들 각 층은 각각 다른 기능을 구비한 것이어도 되고, 인접층이 이들 각 층의 기능을 구비한 것이어도 된다.In the light emitting device of the present invention, the light emitting layer is usually sandwiched between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode. In the present invention, a layer containing a conductive polymer is adjacent to the light emitting layer between the pair of electrodes (adjacent layer), but in addition, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a protective layer, and the like may be disposed. In addition, each of these layers may have a different function, or the adjacent layer may have the function of each of these layers.

본 발명의 발광소자에 있어서, 인접층을 발광층에 대해 양극측 또는 음극측의 양쪽에 가질 수 있다. 인접층은 바람직하게는 양극측에 가지는 것이 바람직하다. 이 경우 발광소자의 최소의 수가 되는 층구성은 양극/인접층/발광층/음극 (/: 계면) 이다. 원하는 기능이나 성질에 따라 그 이외의 층 (상기 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 보호층 등) 을 가져도 된다.In the light emitting device of the present invention, an adjacent layer may be provided on both the anode side and the cathode side with respect to the light emitting layer. It is preferable to have an adjacent layer on the anode side preferably. In this case, the layer structure which becomes the minimum number of light emitting elements is an anode / adjacent layer / light emitting layer / cathode (/: interface). According to a desired function or property, you may have other layers (the said hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron carrying layer, a protective layer, etc.).

본 발명에서는 인접층에는 도전성 고분자가 함유되고, 인접층의 전기 전도도 (단위: Sㆍ㎝-1) 를 10-6Sㆍ㎝-1이상으로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 10-3Sㆍ㎝-1이상이고, 더욱 바람직하게는 10-1Sㆍ㎝-1이상이다. 인접층의 전기 전도도가 높을수록 발광층에 대한 전하주입 수송성이 상승하여 발광효율을 높일 수 있다. 또한 소자의 구동전압을 억제하는 데에도 효과가 있다. 인접층을 형성함으로써 전극과 발광층 사이에 준위가 발생하기 때문에 전하주입이 쉽게 이루어진다. 여기서 준위란 이온화 포텐셜 또는 전자친화력을 말한다.In the present invention, the conductive layer contains a conductive polymer, and the electrical conductivity (unit: S · cm −1 ) of the adjacent layer is preferably set to 10 −6 S · cm −1 or more. More preferably, it is 10-3 S * cm <-1> or more, More preferably, it is 10-1 S * cm <-1> or more. The higher the electrical conductivity of the adjacent layer, the higher the charge injection transportability to the light emitting layer, thereby increasing the luminous efficiency. It is also effective in suppressing the driving voltage of the device. By forming an adjacent layer, charge injection is easily performed because a level is generated between the electrode and the light emitting layer. The level here means ionization potential or electron affinity.

본 발명에서 인접층에 함유되는 도전성 재료는 저분자이어도 고분자이어도 된다. 바람직하게는 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환을 2 가 이상의 연결기로 연결한 비공액 분자 재료 또는 공액 분자 재료이고, 보다 바람직하게는 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환을 2 가 이상의 연결기로 연결한 비공액 고분자 재료 또는 공액 고분자 재료이다.In the present invention, the conductive material contained in the adjacent layer may be a low molecule or a polymer. Preferably it is a nonconjugated molecular material or conjugated molecular material which connected the aromatic carbocyclic ring or aromatic heterocycle to the bivalent or more coupling group, More preferably, the nonconjugated polymer which connected the aromatic carbocyclic ring or the aromatic heterocycle to the bivalent or more coupling group is carried out. Material or conjugated polymer material.

상기 고분자 재료로는, 발광층에 대한 전하주입성을 좋게 하여 발광효율을 상승시키는 관점에서 공액 고분자 재료인 것이 더욱 바람직하다. 공액 고분자의 예로는 폴리아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리(파라페닐렌), 폴리플루오렌, 폴리아즈렌, 폴리(파라페닐렌술파이드), 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리이소티아나프텐, 폴리아닐린, 폴리(파라페닐렌비닐렌), 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌), 복쇄형 공액계 고분자 (폴리페리나프탈렌 등), 금속 프탈로시아닌계 고분자, 기타 공액계 고분자 (폴리(파라자일릴렌), 폴리[α-(5,5'-비티오펜디일)벤질리덴] 등) 을 들 수 있다.The polymer material is more preferably a conjugated polymer material from the viewpoint of improving charge injection property to the light emitting layer to increase luminous efficiency. Examples of conjugated polymers include polyacetylene, polydiacetylene, poly (paraphenylene), polyfluorene, polyazene, poly (paraphenylene sulfide), polypyrrole, polythiophene, polyisothianaphthene, polyaniline, poly (Paraphenylenevinylene), poly (2,5-thienylenevinylene), cyclic conjugated polymers (polyperinaphthalene, etc.), metal phthalocyanine polymers, other conjugated polymers (poly (paraxylylene), poly [(alpha)-(5,5'-bithiophendiyl) benzylidene] etc. are mentioned.

상기 고분자 재료를 형성하는 방향족 탄소환으로는, 예컨대 벤젠환을 들 수 있고 축환을 형성해도 된다. 또한 방향족 복소환으로는, 예컨대 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 옥사졸환, 티아졸환, 이미다졸환, 옥사디아졸환, 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 인돌환, 카르바졸환, 펜조이미다졸환, 이미다조피리딘환 등을 들 수 있고, 또한 축환을 형성해도 되며 치환기를 가져도 된다.As an aromatic carbocyclic ring which forms the said polymeric material, a benzene ring is mentioned, for example, You may form a condensed ring. Moreover, as an aromatic heterocyclic ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a triazine ring, an oxazole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, a thiadiazole ring, a triazole ring, tetrazole ring, furan A ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, an indole ring, a carbazole ring, a penzoimidazole ring, an imidazopyridine ring, etc. are mentioned, You may form a condensed ring and may have a substituent.

공액계 고분자로는, 바람직하게는 폴리(파라페닐렌), 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리(파라페닐렌비닐렌), 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 폴리(파라페닐렌), 폴리티오펜, 폴리(파라페닐렌비닐렌) 등을 들 수 있고, 특히 바람직하게는 화학식 1 로 표시되는 부분구조를 가지는 도전성 고분자이다. 식 중, R11은 치환기를 나타내고, 상기 치환기군을 이하에 나타낸다. m11은 0 내지 2 의 정수를 나타낸다. m11이 2 를 나타낼 때, 복수의 R11은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 된다.As the conjugated polymer, poly (paraphenylene), polypyrrole, polythiophene, polyaniline, poly (paraphenylenevinylene), and poly (2,5-thienylenevinylene) are preferable. Preferably, poly (paraphenylene), polythiophene, poly (paraphenylene vinylene), etc. are mentioned, Especially preferably, it is a conductive polymer which has the partial structure represented by General formula (1). In formula, R <11> represents a substituent and the said substituent group is shown below. m 11 represents an integer of 0 to 2; When m <11> represents 2, some R <11> may be the same or different, and may mutually connect and form a ring.

(치환기군)(Substituent group)

알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 12, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 8 이고, 예컨대 메틸, 에틸, iso-프로필, tert-부틸, n-옥틸, n-데실, n-헥사데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 등을 들 수 있음), 알케닐기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 12, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 8 이고, 예컨대 비닐, 알릴, 2-부테닐, 3-펜테닐, 2-헥세닐, 3-헥세닐, 4-헥세닐, 2-옥테닐 등을 들 수 있음), 알키닐기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 12, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 8 이고, 예컨대 프로파르길, 3-펜티닐 등을 들 수 있음), 아릴기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12 이고, 예컨대 페닐, p-메틸페닐, 나프틸 등을 들 수 있음), 아미노기 (바람직하게는 탄소수 0 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 0 내지 10, 특히 바람직하게는 탄소수 0 내지 6 이고, 예컨대 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디벤질아미노, 디페닐아미노 등을 들 수 있음), 알콕시기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 12, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 8 이고, 예컨대 메톡시, 에톡시, 부톡시, 헥실옥시, 옥틸옥시 등을 들 수 있음), 아릴옥시기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12 이고, 예컨대 페닐옥시, 2-나프틸옥시 등을 들 수 있음), 아실기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 아세틸, 벤조일, 포르밀, 피발로일 등을 들 수 있음), 알콕시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 12 이고, 예컨대 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐 등을 들 수 있음), 아릴옥시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수 7 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 7 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 7 내지 10 이고, 예컨대 페닐옥시카르보닐 등을 들 수 있음), 아실옥시기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 16, 특히 바람직하게는 2 내지 10 이고, 예컨대 아세톡시, 벤조일옥시 등을 들 수 있음), 아실아미노기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 10 이고, 예컨대 아세틸아미노, 벤조일아미노 등을 들 수 있음), 알콕시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 12 이고, 예컨대 메톡시카르보닐아미노등을 들 수 있음), 아릴옥시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수 7 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 7 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 7 내지 12 이고, 예컨대 페닐옥시카르보닐아미노 등을 들 수 있음), 술포닐아미노기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 메탄술포닐아미노, 벤젠술포닐아미노 등을 들 수 있음), 술파모일기 (바람직하게는 탄소수 0 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 0 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 0 내지 12 이고, 예컨대 술파모일, 메틸술파모일, 디메틸술파모일, 페닐술파모일 등을 들 수 있음), 카르바모일기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 카르바모일, 메틸카르바모일, 디에틸카르바모일, 페닐카르바모일 등을 들 수 있음), 알킬티오기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 메틸티오, 에틸티오 등을 들 수 있음), 아릴티오기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12 이고, 예컨대 페닐티오 등을 들 수 있음), 술포닐기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 메실, 토실 등을 들 수 있음), 술피닐기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 메탄술피닐, 벤젠술피닐 등을 들 수 있음), 우레이드기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 우레이드, 메틸우레이드, 페닐우레이드 등을 들 수 있음), 인산아미드기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 16, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 예컨대 디에틸인산아미드, 페닐인산아미드 등을 들 수 있음), 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐원자 (예컨대, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자), 시아노기, 술포기, 카르복실기, 니트로기, 히드록삼산기, 술피노기, 히드라지노기, 이미노기, 복소환기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 12 이고, 헤테로원자로서는 예컨대 질소원자, 산소원자, 황원자, 구체적으로는 예컨대, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 티오펜, 푸란, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리다진, 트리아졸, 트리아진, 인돌, 인다졸, 푸린, 티아졸린, 티아졸, 티아디아졸, 옥사졸린, 옥사졸, 옥사디아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프텔리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 테트라졸, 벤즈이미다졸, 벤즈옥사졸, 벤즈티아졸, 벤조트리아졸, 테트라자인덴 등을 들 수 있음), 실릴기 (바람직하게는 탄소수 3 내지 40, 보다 바람직하게는 3 내지 30, 특히 바람직하게는 3 내지 24 이고, 예컨대 트리메틸실릴, 트리페닐실릴 등을 들 수 있음) 등을 들 수 있다. 이들 치환기는 또한 치환되어도 된다.An alkyl group (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms, such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), alkenyl group (preferably C2-C20, more preferably C2-C12, especially preferably C2-C8, Such as vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, 2-hexenyl, 3-hexenyl, 4-hexenyl, 2-octenyl, etc.), alkynyl groups (preferably having from 2 to 3 carbon atoms) 20, more preferably 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably 2 to 8 carbon atoms, such as propargyl, 3-pentynyl, and the like, and an aryl group (preferably 6 to 30 carbon atoms). Preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. Phenyl, p-methylphenyl, naphthyl and the like), an amino group (preferably 0 to 20 carbon atoms, more preferably 0 to 10 carbon atoms, particularly preferably 0 to 6 carbon atoms, such as amino, methylamino, Dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, etc.), an alkoxy group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms). For example, methoxy, ethoxy, butoxy, hexyloxy, octyloxy, etc.), aryloxy group (preferably C6-C20, More preferably, C6-C16, Especially preferably, C4- 6-12, for example, phenyloxy, 2-naphthyloxy, and the like, an acyl group (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). For example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl and the like, alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, for example) Methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, and the like), aryloxycarbonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 16 carbon atoms, particularly preferably 7 to 10 carbon atoms, for example, phenyloxy). Carbonyl etc.), an acyloxy group (preferably C2-C20, More preferably, it is C2-C16, Especially preferably, it is 2-10, For example, acetoxy, benzoyloxy etc. are mentioned. ), Acylamino group (preferably 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example, acetylamino, benzoylami And an alkoxycarbonylamino group (preferably with 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms), for example, methoxycarbonylamino and the like. Aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 16 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, for example, phenyloxycarbonylamino, etc.); Phenylamino group (preferably C1-C20, More preferably, it is C1-C16, Especially preferably, it is C1-C12, For example, methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), A sulfamoyl group (Preferably 0 to 20 carbon atoms, more preferably 0 to 16 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, for example sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethyl Pamoyl, phenylsulfamoyl and the like), carbamoyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example carbamoyl, methyl Carbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl, etc.), an alkylthio group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). And methylthio, ethylthio, etc.), an arylthio group (preferably 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 16 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example, phenylthio, etc.). Sulfonyl group (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, mesyl, tosyl, etc.), sulfinyl Groups (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl, etc.), and a ureide group (preferably Is 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as ureide, methyl ureide, phenyl ureide, etc.), phosphate amide group (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. Examples include diethyl phosphate amide, phenyl phosphate amide, and the like, hydroxy group, mercapto group and halogen atom (e.g. , Fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably It is a minority 1-20, More preferably, it is C1-C12, As a hetero atom, For example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, specifically, for example, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, thiophene, furan , Pyrrole, imidazole, pyrazole, pyridine, pyrazine, pyridazine, triazole, triazine, indole, indazole, purine, thiazolin, thiazole, thiadiazole, oxazoline, oxazole, oxadiazole, quinoline Isoquinoline, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, phthalidine, acridine, phenanthroline, phenazine, tetrazole, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, Benzotriazole, tetrazaindene and the like), silyl group (preferably 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms), such as trimethylsilyl, triphenylsilyl, etc. And the like). These substituents may also be substituted.

상기 치환기는 또한 치환되어 있어도 된다. 또한, 치환기를 복수개 가지는 경우, 이들의 치환기는 서로 동일하거나 상이해도 되고, 또한 가능한 경우는 연결되어 환을 형성해도 된다. 형성되는 환으로는, 예컨대 벤젠환, 티오펜환, 디옥산환, 디티안환 등을 들 수 있다.The said substituent may be substituted further. In addition, when having two or more substituents, these substituents may mutually be same or different, and when possible, may connect and form a ring. As a ring formed, a benzene ring, a thiophene ring, a dioxane ring, a dithiane ring, etc. are mentioned, for example.

상기 치환기는 바람직하게는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기이고, 더욱 바람직하게는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기이며, 특히 바람직하게는 m11이 2 일 때 2 개의 R11은 환을 형성한 알콕시기, 알킬티오기로서, 예컨대 디옥산환, 디티안환 등을 들 수 있고, m11이 1 일 때 R11은 알킬기이다 (탄소수 2 내지 8 의 알킬기가 바람직함). 또한, R11이 알킬기인 폴리(3-알킬티오펜) 일 때, 인접한 티오펜환과의 연결양식은 모두 2-5' 로 연결된 입체 규칙적인 것과, 2-2', 5-5' 연결이 포함되는 입체 불규칙적인 것이 있지만, 입체 불규칙적인 것이 바람직하다. n11은 바람직하게는 10 내지 10000, 보다 바람직하게는 50 내지 5000, 특히 바람직하게는 50 내지 1000 의 정수이다.The substituent is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, particularly preferably two R 11 when m 11 is 2 Examples of the alkoxy group and alkylthio group having a silver ring include a dioxane ring and a dithiane ring. When m 11 is 1, R 11 is an alkyl group (preferably an alkyl group having 2 to 8 carbon atoms). In addition, when R 11 is a poly (3-alkylthiophene) which is an alkyl group, the connection form with adjacent thiophene rings includes stereoregular all connected by 2-5 ', and 2-2' and 5-5 '. There are three-dimensional irregular ones, but three-dimensional irregular ones are preferable. n 11 is preferably an integer of 10 to 10000, more preferably 50 to 5000, and particularly preferably 50 to 1000.

이하에, 공액계 고분자의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, WO98/01909 에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.Although the specific example of a conjugated polymer is shown below, it is not limited to these. Moreover, the compound etc. which were described in WO98 / 01909 are mentioned.

상기 비공액 고분자를 형성하는 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환을 연결하는 2 가 이상의 연결기로서, 바람직하게는 단결합, 탄소, 규소, 질소, 붕소, 산소,황, 금속, 금속이온 등으로 형성되는 연결기, 보다 바람직하게는 단결합, 탄소원자, 질소원자, 규소원자, 붕소원자, 산소원자, 황원자 및 이들의 조합이며, 조합으로는 치환 또는 무치환의 메틸렌기, 카르보닐기, 이미노기, 술포닐기, 술피닐기, 에스테르기, 아미드기, 실릴기 등을 들 수 있다.As a bivalent or more linking group which connects the aromatic carbocyclic ring or aromatic heterocyclic ring which forms the said nonconjugated polymer, Preferably, it is a coupling group formed from a single bond, carbon, silicon, nitrogen, boron, oxygen, sulfur, a metal, metal ion, etc. More preferably, they are a single bond, a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a boron atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a combination thereof, and the combination may be a substituted or unsubstituted methylene group, carbonyl group, imino group, sulfonyl group, sulfi And a silyl group, an ester group, an amide group and a silyl group.

비공액 고분자로서 특히 바람직하게는, 화학식 2 또는 화학식 3 으로 표시되는 부분구조를 가지는 도전성 고분자이고, 식 중, R21, R22, R23, R31, R32, R33은 치환기를 나타내고, 상기 치환기는 화학식 1 중의 R11과 동일한 의미이다. m21, m22, m31은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, R23, R32, R33은 0 내지 5 의 정수이다. m21, m22, m23, m31, m32, m33이 2 이상의 정수를 나타낼 때, 복수의 R21, R22, R23, R31, R32또는 R33은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 된다. 형성하는 환은 바람직하게는 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환이다. L21, L22, L32는 2 가의 연결기, L31은 3 가의 연결기이고, 단결합, 방향족 탄소환, 방향족 복소환, 탄소원자, 질소원자, 규소원자, 붕소원자, 산소원자 및 황원자 또는 이들의 조합이고, 조합으로는 치환 또는 무치환의 메틸렌기, 방향족 탄소환기, 카르보닐기, 이미노기, 술포닐기, 술피닐기, 에스테르기, 아미드기 등을 들 수 있다.As the nonconjugated polymer, particularly preferably, it is a conductive polymer having a partial structure represented by the formula (2) or (3), wherein R 21 , R 22 , R 23 , R 31 , R 32 , and R 33 represent a substituent, The substituent has the same meaning as R 11 in formula (1). m <21> , m <22> and m <31> represent the integer of 0-4, and R <23> , R <32> , R <33> is the integer of 0-5. When m 21 , m 22 , m 23 , m 31 , m 32 , and m 33 represent an integer of 2 or more, a plurality of R 21 , R 22 , R 23 , R 31 , R 32, or R 33 may be the same or different. May be connected to each other to form a ring. The ring to be formed is preferably an aromatic carbocyclic ring or an aromatic heterocycle. L 21 , L 22 , L 32 are divalent linking groups, L 31 is a trivalent linking group, and a single bond, aromatic carbocyclic ring, aromatic heterocycle, carbon atom, nitrogen atom, silicon atom, boron atom, oxygen atom and sulfur atom or these And a substituted or unsubstituted methylene group, aromatic carbocyclic group, carbonyl group, imino group, sulfonyl group, sulfinyl group, ester group, amide group and the like.

화학식 2 에 있어서, R21, R22, R23은 바람직하게는 알킬기, 알콕시기, 아릴기이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 아릴기이다. m21, m22, m23이 2 이상의 정수를 나타낼 때, 복수의 R21, R22, R23은 연결되어 환을 형성해도 되고, 형성되는 환은 바람직하게는 방향족 탄소환, 방향족 복소환 등을 들 수 있다. R23은 특히 바람직하게는 디아릴아미노기를 치환기로서 가지는 방향족 탄소환이다. L21, L22는 바람직하게는 치환 또는 무치환의 메틸렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 술피닐기, 에스테르기, 방향족 탄소환 실릴기 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기이다.In the general formula (2), R 21 , R 22 and R 23 are preferably an alkyl group, an alkoxy group or an aryl group, and more preferably an alkyl group or an aryl group. When m 21 , m 22 , m 23 represent an integer of 2 or more, a plurality of R 21 , R 22 , R 23 may be linked to each other to form a ring, and the formed ring is preferably an aromatic carbocyclic ring, an aromatic heterocycle, or the like. Can be mentioned. R 23 is particularly preferably an aromatic carbocyclic ring having a diarylamino group as a substituent. L 21 and L 22 are preferably a group consisting of a substituted or unsubstituted methylene group, carbonyl group, sulfonyl group, sulfinyl group, ester group, aromatic carbocyclic silyl group or a combination thereof.

화학식 3 에 있어서, R31, R32, R33은 바람직하게는 알킬기, 알콕시기, 아릴기이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 아릴기이다. m31, m32, m33이 2 이상의 정수를 나타낼 때, 복수의 R31, R32, R33은 연결되어 환을 형성해도 되고, 형성되는 환은 바람직하게는 방향족 탄소환, 방향족 복소환 등을 들 수 있다. R33은 특히 바람직하게는 디아릴아미노기를 치환기로서 가지는 방향족 탄소환이다. L21, L22는 바람직하게는 치환 또는 무치환의 메틸렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 술피닐기, 에스테르기, 방향족 탄소환 실릴기 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기이다. n21, n31은 바람직하게는 5 내지 5000, 보다 바람직하게는 20 내지 2000, 특히 바람직하게는 20 내지 1000 의 정수이다.In the general formula (3), R 31 , R 32 and R 33 are preferably an alkyl group, an alkoxy group or an aryl group, more preferably an alkyl group or an aryl group. When m 31 , m 32 , m 33 represent an integer of 2 or more, a plurality of R 31 , R 32 , R 33 may be linked to each other to form a ring, and the formed ring is preferably an aromatic carbocyclic ring, an aromatic heterocycle, or the like. Can be mentioned. R 33 is particularly preferably an aromatic carbocyclic ring having a diarylamino group as a substituent. L 21 and L 22 are preferably a group consisting of a substituted or unsubstituted methylene group, carbonyl group, sulfonyl group, sulfinyl group, ester group, aromatic carbocyclic silyl group or a combination thereof. n 21 and n 31 are preferably an integer of 5 to 5000, more preferably 20 to 2000, and particularly preferably 20 to 1000.

이하에, 비공액계 고분자의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of a nonconjugated polymer is shown below, it is not limited to these.

또한 특허 제 3109895호, 일본 공개특허공보 평7-188398호, 일본 공개특허공보 평8-188773호, 일본 공개특허공보 평8-269446호, 일본 공개특허공보 평8-295880호, 일본 공개특허공보 2000-80167호, 일본 공개특허공보 2000-150169호, 일본 공개특허공보 2001-208087호, 일본 공개특허공보 2002-75654호, 일본 공개특허공보 2002-117982호, 일본 공개특허공보 2002-117983호, 일본 특허공표공보 2002-506481호 등에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.Further, Patent No. 3109895, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-188398, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-188773, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-269446, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-295880, Japanese Patent Application Laid-Open 2000-80167, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-150169, Japanese Laid-Open Patent Publication 2001-208087, Japanese Laid-Open Patent Publication 2002-75654, Japanese Laid-Open Patent Publication 2002-117982, Japanese Laid-Open Patent Publication 2002-117983, The compound etc. which were described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-506481 etc. are mentioned.

본 발명에서 사용하는 도전성 고분자의 중량평균분자량은 1000 내지 1000000 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000 내지 500000 이며, 더욱 바람직하게는10000 내지 100000 이다.As for the weight average molecular weight of the conductive polymer used by this invention, 1000-1 million are preferable, More preferably, it is 10000-500000, More preferably, it is 10000-100000.

인접층의 전기 전도도를 상승시키고, 또한 발광층에 대한 전하주입성을 개선하여 발광효율을 상승시키는 관점에서, 도전성 고분자 재료는 적어도 1 종의 도펀트를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 상기 공액 고분자에 도펀트를 함유시킨 것인 것이 보다 바람직하다. 도전성 고분자 재료에 함유되는 도펀트로서는, 전자 수용성 (억셉터) 도펀트, 전자 공여성 (도너) 도펀트를 들 수 있다.From the viewpoint of increasing the electrical conductivity of the adjacent layer and improving the charge injection property to the light emitting layer to increase the luminous efficiency, the conductive polymer material preferably contains at least one dopant, and the dopant is added to the conjugated polymer. It is more preferable to make it contain. Examples of the dopant contained in the conductive polymer material include an electron accepting (acceptor) dopant and an electron donating (donor) dopant.

전자 수용성 (억셉터) 도펀트의 예로서는, 할로겐 (Cl2, Br2, I2, ICl, ICl3, IBr, IF), 루이스산 (PF5, AsF5, SbF5, BF3, BCl3, BBr3, SO3), 프로톤산 (HF, HCl, HNO3, H2SO4, HClO4, FSO3H, CISO3H, CF3SO3H, 각종 유기산, 아미노산 등), 전이 금속 화합물 (FeCl3, FeOCl, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, NbF5, NbCl5, TaCl5, MoF5, MoCl5, WF6, WCl6, UF6, LnCl3(Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm 등의 랜타노이드), 전해질 음이온 (Cl-, Br-, I-, ClO4 -, PF6 -, AsF6 -, SbF6 -, BF4 -, 각종 술폰산 음이온), 기타 (O2, XeOF4, (NO2 +) (SbF6 -), (NO2 +) (SbCl6 -), (NO2 +) (BF4 -), FSO2OOSO2F, AgClO4, H2IrCl6, La(NO3)3ㆍ6H2O 등을 들 수 있다.Examples of electron accepting (acceptor) dopants include halogens (Cl 2 , Br 2 , I 2 , ICl, ICl 3 , IBr, IF), Lewis acids (PF 5 , AsF 5 , SbF 5 , BF 3 , BCl 3 , BBr 3 , SO 3 ), protonic acid (HF, HCl, HNO 3 , H 2 SO 4 , HClO 4 , FSO 3 H, CISO 3 H, CF 3 SO 3 H, various organic acids, amino acids, etc.), transition metal compounds (FeCl 3, FeOCl, TiCl 4, ZrCl 4, HfCl 4, NbF 5, NbCl 5, TaCl 5, MoF 5, MoCl 5, WF 6, WCl 6, UF 6, LnCl 3 (Ln = La, Ce, Pr, Nd, raenta cannabinoids, such as Sm), electrolyte anions (Cl -, Br -, I -, ClO 4 -, PF 6 -, AsF 6 -, SbF 6 -, BF 4 -, various sulfonic acid anion), or other (O 2, XeOF 4, (NO 2 +) ( SbF 6 -), (NO 2 +) (SbCl 6 -), (NO 2 +) (BF 4 -), FSO 2 OOSO 2 F, AgClO 4, H 2 IrCl 6, La (NO 3 ) 3 ㆍ 6H 2 O and the like.

전자 공여성 (도너) 도펀트의 예로는, 알칼리 금속 (Li, Na, K, Rb, Cs), 알칼리 토금속류 (Ca, Sr, Ba), 랜타노이드 (Eu 등), 기타 (R4N+, R4P+, R4As+, R3S+,아세틸콜린) 등을 들 수 있다.Examples of electron donor (donor) dopants include alkali metals (Li, Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metals (Ca, Sr, Ba), lanoids (Eu, etc.), others (R 4 N + , R 4 P + , R 4 As + , R 3 S + , and acetylcholine).

도펀트와 상기 공액 고분자 재료의 조합으로는, 예컨대 폴리아세틸렌과 I2, AsF5, FeCl3등, 폴리(p-페닐렌) 과 AsF5, K, AsF6 -등, 폴리피롤과 ClO4 -등, 폴리티오펜과 ClO4 -등, 폴리스티렌술폰산, 니트롤리늄염, 아미늄염, 퀴논류 등, 폴리이소티아나프텐과 I2등, 폴리(p-페닐술파이드) 와 AsF5, 폴리(p-페닐렌옥시드) 와 AsF5, 폴리아닐린과 HCl 등, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 과 H2SO4등, 폴리티오페닐렌비닐렌과 I2등, 니켈프탈로시아닌과 I2등을 들 수 있다.In combination with a dopant of the conjugated polymer materials, for example, such as polyacetylene and I 2, AsF 5, FeCl 3 , poly (p- phenylene), and AsF 5, K, AsF 6 -, such as, polypyrrole, and ClO 4 -, etc., polythiophene and ClO 4 -, etc., polystyrene sulfonic acid, knitted Raleigh salts, amino salts, quinones, such as polyisobutylene thianaphthene I 2 and the like, poly (p- phenylene sulfide) and AsF 5, poly (p- phenylene Ethylene oxide), AsF 5 , poly (p-phenylenevinylene) and H 2 SO 4 such as polyaniline and HCl, and polythiophenylenevinylene and I 2 ; nickel phthalocyanine and I 2 .

또한, 도전성 고분자 재료는 고분자쇄에 전해질을 도핑한 이온 도전성 고분자이어도 되고, 고분자쇄의 예로는, 폴리에테르 (폴리에틸렌옥시드, 폴리프로필렌옥시드 등), 폴리에스테르 (폴리에틸렌숙시네이트, 폴리-β-프로피오락톤 등), 폴리아민 (폴리에틸렌이민 등), 폴리술피드 (폴리알킬렌술피드 등) 등을 들 수 있고, 도핑된 전해질로는 각종 알칼리 금속염 등을 들 수 있다.The conductive polymer material may be an ion conductive polymer in which the polymer chain is doped with an electrolyte, and examples of the polymer chain include polyether (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.), polyester (polyethylene succinate, poly-β- Propiolactone, etc.), polyamine (polyethylene imine, etc.), polysulfide (polyalkylene sulfide, etc.), etc. are mentioned, and various alkali metal salt etc. are mentioned as a doped electrolyte.

상기 알칼리 금속염을 구성하는 알칼리 금속 이온으로는, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+등을, 짝염을 형성하는 음이온으로는, F-, Cl-, Br-, I-, NO3 -, SCN-, ClO4 -, CF3SO3 -, BF4 -, AsF6 -, BPh4 -등을 들 수 있다.Examples of the alkali metal ions constituting the alkali metal salt include Li + , Na + , K + , Rb + , Cs + and the like, and an anion forming a paired salt includes F , Cl , Br , I , NO 3 -, SCN -, ClO 4 -, CF 3 SO 3 -, BF 4 -, AsF 6 -, BPh 4 - , and the like.

고분자쇄와 알칼리 금속염의 조합으로는, 예컨대 폴리에틸렌옥시드와LiCF3SO3, LiClO4등, 폴리에틸렌숙시네이트와 LiClO4, LiBF4, 폴리-β-프로피오락톤과 LiClO4등, 폴리에틸렌이민과 NaCF3SO3, LiBF4등, 폴리알킬렌술피드와 AgNO3등을 들 수 있다.Examples of the combination of the polymer chain and the alkali metal salt include polyethylene oxide, LiCF 3 SO 3 , LiClO 4 , polyethylene succinate, LiClO 4 , LiBF 4 , poly-β-propiolactone and LiClO 4 , and polyethyleneimine and NaCF. 3 SO 3, LiBF 4 or the like, there may be mentioned polyalkyl sulfide with AgNO 3 or the like.

본 발명의 발광소자에 있어서, 인접층은 발광소자의 내구성 향상의 관점에서 도포에 의해 제막되는 것이 바람직하다. 또한 한번에 대면적을 도포할 수 있는 소자 제작의 간편성 관점에서도 도포에 의한 제막은 바람직하다. 이 때문에 인접층에 함유되는 도전성 고분자는 유기 용제로 도포할 수 있는 것이 특히 바람직하다.In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the adjacent layer is formed by coating in view of improving durability of the light emitting device. Moreover, the film forming by application | coating is preferable also from the viewpoint of the simplicity of element manufacture which can apply a large area at once. For this reason, it is especially preferable that the conductive polymer contained in the adjacent layer can be coated with an organic solvent.

이어서, 발광층을 형성하는 재료에 대해 설명한다.Next, the material which forms a light emitting layer is demonstrated.

본 발명의 소자에 함유되는 발광 재료는 그 자체가 발광소자의 발광에 기여하는 것으로, 적어도 1 종은 삼중항 여기상태에서 발광하는 삼중항 발광 재료이다. 삼중항 발광 재료로는 상온에서 삼중항 여기상태에서 발광하는 것이 바람직하고, 중원자를 함유하는 방향족 탄소환 내지 방향족 복소환 등, 보다 바람직하게는 방향족 탄소환 내지 방향족 복소환을 배위자로서 가지는 전이 금속 착물 등을 들 수 있다.The light emitting material contained in the element of the present invention itself contributes to light emission of the light emitting element, and at least one kind is a triplet light emitting material which emits light in a triplet excited state. As a triplet luminescent material, it is preferable to emit light in a triplet excited state at normal temperature, More preferably, the transition metal complex which has aromatic carbocyclic ring or aromatic heterocycle as a ligand, such as an aromatic carbocyclic ring to an aromatic heterocycle containing a heavy atom, etc. Etc. can be mentioned.

전이 금속 착물을 구성하는 전이 금속 원자는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 루테늄, 로듐, 파라듐, 텅스텐, 레늄, 이리듐, 백금이고, 보다 바람직하게는 루테늄, 레늄, 이리듐, 백금이다.The transition metal atoms constituting the transition metal complex are not particularly limited, but are preferably ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, iridium and platinum, and more preferably ruthenium, rhenium, iridium and platinum.

전이 금속 착물의 배위자로는 예컨대, G, Wilkinson 외 저,[「Comprehensive Coordination Chemistry」, Pergamon Press 사, 1987 년 발행], H.Yersin 저, [「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」, Springer-Verlag 사, 1987 년 발행], 야마모토 아키오 저, [「유기금속화학-기초와 응용-」, 쇼카보사, 1982 년 발행] 등에 기재된 배위자를 들 수 있고, 바람직하게는 할로겐 배위자 (바람직하게는 염소 배위자), 질소함유 복소환 배위자 (예컨대, 페닐피리딘, 벤조퀴놀린, 퀴놀리놀, 비피리딜, 페난트롤린 등), 디케톤 배위자 (예컨대, 아세틸아세톤 등), 카르복실산 배위자 (예컨대, 아세트산 배위자 등), 일산화탄소 배위자, 이소니트릴 배위자, 시아노 배위자이다.Examples of ligands for transition metal complexes include G, Wilkinson et al., [Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987], H. Yersin, Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds, and Springer-Verlag. , Published in 1987], by Akio Yamamoto, [Organic Metal Chemistry-Foundations and Applications-, Shokabosa, 1982], and the like, preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), Nitrogen-containing heterocyclic ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, phenanthroline, etc.), diketone ligands (eg, acetylacetone, etc.), carboxylic acid ligands (eg, acetic acid ligands, etc.) , Carbon monoxide ligand, isonitrile ligand, cyano ligand.

전이 금속 착물로는 오르토메탈화 금속 착물이 바람직하다. 오르토메탈화 금속 착물이란, 예컨대 [「유기금속화학-기초와 응용-」, p150, 232, 쇼카보사 야마모토 아키오 저, 1982 년 발행], [「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」, p71-77, p135-146, Springer-Verlag 사, H.Yersin 저, 1987 년 발행] 등에 기재되어 있는 화합물군의 총칭이다. 특히 바람직하게는 오르토메탈화 이리듐 착물 (orthometalated Ir Complexes) 로 이루어지는 발광소자 재료이다.As the transition metal complex, an orthometalated metal complex is preferable. Orthometallic complexes include, for example, "Organic Metal Chemistry-Foundations and Applications-", p150, 232, by Akio Yamamoto, Shokabosa, 1982], "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds", p71-77, p135 -146, Springer-Verlag, H. Yersin, 1987, et al. Especially preferably, it is a light emitting element material which consists of orthometalated Ir complexes.

오르토메탈화 이리듐 착물의 이리듐의 가수는 특별히 한정되지 않지만, 3 가가 바람직하다. 오르토메탈화 이리듐 착물의 배위자는 오르토메탈화 착물을 형성할 수 있는 것이라면 특별히 상관없지만, 예컨대 아릴기 치환 질소함유 복소환 유도체 (아릴기의 치환 위치는 질소함유 복소환 질소원자의 인접 탄소상이고, 아릴기로는, 예컨대 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기 등을 들 수 있고, 또한, 탄소환, 복소환과 축환을 형성해도 된다. 질소함유 복소환으로는 예컨대, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹사린, 프탈라진, 퀴나졸린, 나프티리딘, 신놀린, 페리미딘, 페난트롤린, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 트리아졸, 티아디아졸, 벤즈이미다졸, 벤즈옥사졸, 벤즈티아졸, 페난트리딘 등을 들 수 있음), 헤테로아릴기 치환 질소함유 복소환 유도체 (헤테로아릴기의 치환 위치는 질소함유 복소환 질소원자의 인접 탄소상이다. 헤테로아릴기로는, 예컨대 상기 질소함유 복소환 유도체를 함유하는 기, 티에닐기, 푸릴기 등을 들 수 있음), 7,8-벤조퀴놀린, 포스피노아릴, 포스피노헤테로아릴, 포스피녹시아릴, 포스피녹시헤테로아릴, 아미노메틸아릴, 아미노메틸헤테로아릴 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다.Although the valence of the iridium of an ortho metal iridium complex is not specifically limited, Trivalent is preferable. The ligand of the ortho-metalated iridium complex is not particularly limited as long as it can form an ortho-metalated complex, but for example, an aryl group-substituted nitrogen-containing heterocyclic derivative (the substitution position of the aryl group is on the adjacent carbon of the nitrogen-containing heterocyclic nitrogen atom, and aryl Examples of the group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, and the like, and a carbocyclic ring, a heterocyclic ring and a condensed ring may be formed. Midine, pyrazine, pyridazine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phthalazine, quinazoline, naphthyridine, cinnoline, perimidine, phenanthroline, pyrrole, imidazole, pyrazole, oxazole, oxadiazole , Triazole, thiadiazole, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, phenanthridine and the like), heteroaryl group substituted nitrogen-containing heterocyclic derivative (substituted position of heteroaryl group is nitrogen) Heteroaryl groups include, for example, groups containing the nitrogen-containing heterocyclic derivatives, thienyl groups, furyl groups, and the like, 7,8-benzoquinoline, phosphinoaryl, Phosphinoheteroaryl, phosphinoxyaryl, phosphinoxyheteroaryl, aminomethylaryl, aminomethyl heteroaryl, and derivatives thereof.

바람직하게는 아릴기 치환 질소함유 방향족 복소환, 헤테로아릴기 치환 질소함유 방향족 복소환, 7,8-벤조퀴놀린 및 이들의 유도체이고, 페닐피리딘, 티에닐피리딘, 7,8-벤조퀴놀린, 벤질피리딘, 페닐피라졸, 페닐이소퀴놀린, 질소원자를 2 개 이상 가지는 아졸의 페닐 치환체 및 이들의 유도체가 더욱 바람직하며, 전자 흡인성 기 (예컨대, 할로겐 원자, 시아노기, 아졸기) 를 가지는 아릴기가 치환된 방향족 복소환 및 그 유도체가 특히 바람직하다.Preferably, an aryl group-substituted nitrogen-containing aromatic heterocycle, heteroaryl group-substituted nitrogen-containing aromatic heterocycle, 7,8-benzoquinoline and derivatives thereof, phenylpyridine, thienylpyridine, 7,8-benzoquinoline, benzylpyridine , Phenylpyrazole, phenylisoquinoline, phenyl substituents of azoles having two or more nitrogen atoms, and derivatives thereof, more preferably, aryl groups having electron withdrawing groups (e.g., halogen atoms, cyano groups, azole groups) are substituted. Aromatic heterocycles and derivatives thereof are particularly preferred.

상기의 것을 함유하는 삼중항 발광 재료의 예로는, 일본 공개특허공보 2001-181616호, 일본 공개특허공보 2001-181617호, 일본 공개특허공보 2001-247859호, 일본 특허출원 2000-89274호, 일본 특허출원 2000-398908호, 일본 특허출원 2001-45476호, 일본 특허출원 2001-189539호, 일본 특허출원 2001-219909호, 일본 특허출원 2001-239281호, 일본 특허출원 2001-248165 호, WO00/57676호, WO00/70655호, WO01/39234A2호, WO01/41512A1호, US6097147A호에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As an example of the triplet light-emitting material containing the above, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-181616, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-181617, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-247859, Japan Patent Application 2000-89274, Japanese Patent Application 2000-398908, Japanese Patent Application 2001-45476, Japanese Patent Application 2001-189539, Japanese Patent Application 2001-219909, Japanese Patent Application 2001-239281, Japanese Patent Application 2001-248165, WO00 / 57676 And the compounds described in WO00 / 70655, WO01 / 39234A2, WO01 / 41512A1, US6097147A, and the like.

본 발명의 바람직한 발광재료로는 이하의 것을 들 수 있다.Preferred light emitting materials of the present invention include the following.

[바람직한 발광 재료의 구체예][Specific Examples of Preferred Luminescent Materials]

본 발명의 발광소자의 발광 스펙트럼은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 풀칼라 디스플레이 등에 대한 적용을 고려할 경우, 발광 극대 파장이 500㎚ 이하 (청색의 발광) 인 것이 바람직하다. 발광 재료로는 최저 여기 삼중항 에너지 준위 (T1레벨) 가 45㎉/㏖ (188kJ/㏖) 이상 90㎉/㏖ (378kJ/㏖) 이하인 것이 바람직하고, 55㎉/㏖ (230kJ/㏖) 이상 85㎉/㏖ (356kJ/㏖) 이하인 것이 더욱 바람직하며, 청색 발광소자로 하기 위해 63㎉/㏖ (264kJ/㏖) 이상 81㎉/㏖ (340kJ/㏖) 이하인것이 특히 바람직하다. 또한, 소자의 발광효율을 높이기 위해, 발광 재료의 인광의 양자 수율은 바람직하게는 0.5 이상 (보다 바람직하게는 0.6 이상, 특히 바람직하게는 0.7 이상) 이다.Although the emission spectrum of the light emitting element of this invention is not specifically limited, When considering application to a full color display etc., it is preferable that the maximum emission wavelength is 500 nm or less (blue light emission). A light-emitting material is a minimum here triplet energy level (T 1 level) is 45㎉ / ㏖ (188kJ / ㏖) over 90㎉ / ㏖ (378kJ / ㏖) or less is preferred and, 55㎉ / ㏖ (230kJ / ㏖ ) above It is more preferable that it is 85 kPa / mol (356 kJ / mol) or less, and it is especially preferable that it is 63 kPa / mol (264 kJ / mol) or more and 81 kPa / mol (340 kJ / mol) or less for a blue light emitting element. In addition, in order to increase the luminous efficiency of the device, the quantum yield of phosphorescence of the light emitting material is preferably 0.5 or more (more preferably 0.6 or more, particularly preferably 0.7 or more).

다음에, 호스트 재료에 대해 설명한다.Next, the host material will be described.

호스트 재료는 발광 재료와 함께 발광층을 형성하는 것으로, 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층, 정공 수송층으로부터 정공을 발광층에 주입하고, 음극 또는 전자 주입층, 전자 수송층으로부터 전자를 발광층에 주입하는 기능을 가지며, 또한 주입된 전하를 발광층내에서 이동시키고 정공과 전자를 재결합시켜 생성된 전자ㆍ정공쌍의 여기자를 발광 재료로 보내어 발광 재료를 발광시키는 기능을 가지는 것이다. 호스트 재료로서는 상기 기능을 가지는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.The host material forms a light emitting layer together with the light emitting material, and when the electric field is applied, holes are injected into the light emitting layer from the anode or the hole injection layer and the hole transport layer, and electrons are injected into the light emitting layer from the cathode or the electron injection layer and the electron transport layer. It also has a function of moving the injected charge in the light emitting layer and sending electrons and hole pair excitons generated by recombining holes and electrons to the light emitting material to emit light of the light emitting material. The host material is not particularly limited as long as it has the above function.

본 발명의 발광소자에 호스트 재료로서 사용되는 화합물로는, 예컨대 카르바졸, 인돌, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피라졸로피리딘, 이미다졸로피리딘, 이미다졸로피라진, 벤즈이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티아졸과 같은 질소함유 복소환 화합물, 티오펜, 벤즈티오펜과 같은 황함유 복소환 화합물, 스티릴벤젠, 폴리페닐, 디페닐부타디엔, 플루오렌, 방향족 축환 탄소환 화합물 (나프탈렌, 안트라센, 피렌 등), 테트라페닐부타디엔, 나프탈이미드, 쿠마린, 페릴렌, 페리논, 옥사디아졸, 알다진, 피라리딘, 시클로펜타디엔, 비스스티릴안트라센, 퀴나크리돈, 피롤로피리딘, 티아디아졸로피리딘, 스티릴아민, 방향족 디메틸리덴 화합물, 트리아릴아민 화합물, 디알킬아닐린 화합물과 같은 아닐린 유도체, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착물, 유기 금속 착물이나 희토류 착물로 대표되는 각종 금속 착물나 상기의 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the compound used as the host material in the light emitting device of the present invention include carbazole, indole, pyrrole, pyrazole, imidazole, benzimidazole, pyrazolopyridine, imidazolopyridine, imidazolopyrazine and benzimidazole. Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as benzoxazole, benzoimidazole, benzothiazole, sulfur-containing heterocyclic compounds such as thiophene and benzthiophene, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, fluorene, aromatic condensation Carbocyclic compounds (such as naphthalene, anthracene, pyrene), tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, perylene, perinone, oxadiazole, aldazine, pyriridine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quina Metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as aniline derivatives such as credon, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, styrylamine, aromatic dimethylidene compound, triarylamine compound, dialkylaniline compound There may be mentioned various metal complexes, or of the derivative represented by the organometallic complexes or rare earth complexes.

호스트 재료 자체가 생성한 여기자에 의해 발광해도 된다. 그 경우, 소자 전체에서의 원하는 발광 영역에 따라 허용할 수 있는 발광 영역은 변화되지만, 통상 호스트 재료 단독막으로서 자외에서 녹색 영역에 발광을 가지는 것이 바람직하다. 그러한 호스트 재료로는 바람직하게는 카르바졸, 인돌, 피롤, 벤즈이미다졸, 푸릴, 벤즈이미다졸, 피라졸로피리딘, 이미다졸로피리딘, 이미다졸로피라진 등의 질소함유 복소환, 이치환 아닐린 화합물, 티오펜 화합물, 폴리페닐 및 이들의 유도체 또는 유기금속 착물 등을 들 수 있다. 호스트 재료로서 더욱 바람직하게는 일본 특허출원 2001-197135호에 기재된 재료를 들 수 있다. 또한 본 발명에서는 상기한 바와 같이, 호스트 재료와 발광 재료로 이루어지는 발광층은 도전성 고분자를 함유하는 층과 인접해 있다.Light may be emitted by excitons generated by the host material itself. In this case, the allowable light emitting area is changed depending on the desired light emitting area in the entire element, but it is usually preferable to have light emission in the green region in the ultraviolet as the host material single film. Such host materials are preferably carbazole, indole, pyrrole, benzimidazole, furyl, benzimidazole, pyrazolopyridine, imidazolopyridine, imidazolopyrazine and the like, nitrogen-containing heterocycles, disubstituted aniline compounds, thi Offenne compounds, polyphenyls and derivatives thereof, or organometallic complexes. More preferably, the material described in Japanese Patent Application No. 2001-197135 is mentioned as a host material. In the present invention, as described above, the light emitting layer made of the host material and the light emitting material is adjacent to the layer containing the conductive polymer.

발광층을 형성하는 재료 중, 발광 재료를 제외한 재료 (호스트 재료) 의 여기 삼중항 에너지 준위 (T1레벨) 는 발광 재료의 T1레벨보다 큰 것이 요구된다. 호스트 재료의 T1레벨을 발광 재료의 T1레벨보다 크게 함으로써, 호스트 재료에서 생성된 여기자가 발광 재료로 이동하여, 발광을 일으킬 확률이 높아지고 발광효율이 향상된다. 따라서, 발광 재료를 제외한 발광층으로서 T1레벨은 45㎉/㏖ (188kJ/㏖) 이상 90㎉/㏖ (378kJ/㏖) 이하인 것이 바람직하고, 55㎉/㏖ (230kJ/㏖) 이상 85㎉/㏖ (356kJ/㏖) 이하인 것이 더욱 바람직하다. 특히 청색 발광소자의경우는 바람직하게는 64㎉/㏖ (268kJ/㏖) 이상 82㎉/㏖ (344kJ/㏖) 이하 (하한치로는, 보다 바람직하게는 65㎉/㏖ (272kJ/㏖), 특히 바람직하게는 67㎉/㏖ (280kJ/㏖) 이상이다.Of the materials forming the light emitting layer, the excitation triplet energy level (T 1 level) of the material (host material) other than the light emitting material is required to be larger than the T 1 level of the light emitting material. By increasing the T 1 level of the host material than the T 1 level of the light emitting material, the excitons generated on a host material to move to the light emitting material, the chance of emission is improved higher luminous efficiency. Thus, a light-emitting layer other than the light emitting material T 1 level 45㎉ / ㏖ (188kJ / ㏖) over 90㎉ / ㏖ (378kJ / ㏖) is preferable and, 55㎉ / ㏖ (230kJ / ㏖ ) over 85㎉ / ㏖ or less It is more preferable that it is (356 kJ / mol) or less. Especially in the case of a blue light emitting element, 64 kPa / mol (268 kJ / mol) or more and 82 kPa / mol (344 kJ / mol) or less (as a lower limit, More preferably, 65 kPa / mol (272 kJ / mol), especially Preferably it is 67 kPa / mol (280 kJ / mol) or more.

본 발명의 바람직한 호스트재료로는 이하의 것을 들 수 있다.Preferred host materials of the present invention include the following.

[바람직한 호스트 재료의 구체예][Specific Examples of Preferred Host Materials]

본 발명의 발광소자의 발광층은 증착법에 의해 제막된다. 증착법에 의해제막함으로써, 도포법 등에 비하여 고효율 발광이 가능하다.The light emitting layer of the light emitting element of this invention is formed into a film by the vapor deposition method. By forming a film by the evaporation method, high efficiency light emission is possible compared with the coating method.

증착법으로는 저항 가열 증착법 등을 들 수 있다.As a vapor deposition method, a resistive heating vapor deposition method etc. are mentioned.

발광층은 전술한 발광 재료 및 호스트 재료로 이루어지지만, 전자 수송 재료를 함유해도 된다. 발광층의 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1㎚ 내지 5㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎚ 내지 1㎛ 이며, 더욱 바람직하게는 10㎚ 내지 500㎚ 이다.The light emitting layer is made of the above-described light emitting material and host material, but may contain an electron transporting material. Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, it is preferable that it is the range of 1 nm-5 micrometers, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.

전자 수송 재료로는 후술하는 전자 수송층의 예를 들 수 있다.As an electron carrying material, the example of the electron carrying layer mentioned later is mentioned.

다음, 본 발명의 도전 재료를 함유하는 인접층, 발광층 이외의 층에 관하여 설명한다.Next, layers other than the adjacent layer and the light emitting layer containing the conductive material of the present invention will be described.

양극은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 등에 정공을 공급하는 것으로, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 일함수가 4eV 이상인 재료이다. 구체예로는, 산화주석, 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO) 등의 도전성 금속 산화물 또는 금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속, 그리고 이들의 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 또는 적층물, 요오드화구리, 황화구리 등의 무기도전성 물질, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기도전성 고분자 및 이들과 ITO 의 적층물 등을 들 수 있고, 바람직하게는 도전성 금속 산화물이며, 특히 생산성, 고전도성, 투명성 등의 관점에서 ITO 가 바람직하다. 양극의 막두께는 재료에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 통상 10㎚ 내지 5㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎚ 내지 1㎛ 이며, 더욱 바람직하게는 100㎚ 내지 500㎚ 이다.An anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, etc., and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used, and preferably a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO) or metals such as gold, silver, chromium and nickel, and mixtures or laminates of these metals with conductive metal oxides. And inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive polymers such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these and ITO, and are preferably conductive metal oxides. , ITO is preferable from the viewpoint of transparency. Although the film thickness of an anode can be suitably selected according to a material, it is preferable that it is the range of 10 nm-5 micrometers normally, More preferably, it is 50 nm-1 micrometer, More preferably, it is 100 nm-500 nm.

양극은 통상 소다라임 유리, 무알칼리 유리, 투명 수지기판 등의 위에 층형성한 것이 사용된다. 유리를 사용하는 경우, 그 재질에 대해서는 유리로부터의 용출 이온을 적게 하기 위해 무알칼리 유리를 사용하는 것이 바람직하다. 또 소다라임 유리를 사용하는 경우, 실리카 등의 배리어 코팅을 실시한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 기판의 두께는 기계적 강도를 유지하기에 충분한 두께라면 특별히 제한되지 않지만, 유리를 사용하는 경우에는 통상 0.2㎜ 이상, 바람직하게는 0.7㎜ 이상인 것을 사용한다.As the anode, a layer formed on a soda lime glass, an alkali free glass, a transparent resin substrate, or the like is usually used. When using glass, it is preferable to use alkali-free glass in order to reduce the elution ion from glass about the material. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coating, such as a silica. Although the thickness of a board | substrate will not be restrict | limited especially if it is thickness enough to maintain mechanical strength, When using glass, the thing of 0.2 mm or more normally, Preferably it is 0.7 mm or more is used.

양극의 제작에는 재료에 따라 여러 방법이 이용되는데, 예컨대 ITO 의 경우, 전자 빔법, 스퍼터링법, 저항 가열 증착법, 화학반응법 (졸-겔법 등), ITO 의 분산물의 도포 등의 방법으로 막이 형성된다.Various methods are used to fabricate the anode, depending on the material. For example, in the case of ITO, a film is formed by an electron beam method, a sputtering method, a resistive heating deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method, etc.), or a dispersion of ITO. .

양극은 세정 및 기타 처리에 의해, 소자의 구동전압을 낮추거나 발광효율을 높이는 것도 가능하다. 예컨대 ITO 의 경우, UV-오존 처리, 플라즈마 처리 등이 효과적이다.It is also possible to lower the drive voltage of the device or to increase the luminous efficiency by cleaning and other processes of the anode. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment and the like are effective.

음극은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층 등에 전자를 공급하는 것이며, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층 등의 음극과 인접하는 층과의 밀착성이나 이온화 포텐셜, 안정성 등을 고려하여 선택된다. 음극의 재료로는 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, 구체예로는 알칼리 금속 (예컨대 Li, Na, K, Cs 등) 또는 그의 불소화물, 그의 산화물, 알칼리 토금속류 (예컨대 Mg, Ca 등) 또는 그의 불소화물, 그의 산화물, 금, 은, 납, 알루미늄, 나트륨-칼륨 합금 또는 그들의 혼합 금속, 리튬-알루미늄 합금 또는 그들의혼합 금속, 마그네슘-은 합금 또는 그들의 혼합 금속, 인듐, 이테르븀 등의 희토금속류을 들 수 있고, 바람직하게는 일함수가 4eV 이하인 재료이며, 보다 바람직하게는 알루미늄, 리튬-알루미늄 합금 또는 그들의 혼합 금속, 마그네슘-은 합금 또는 그들의 혼합 금속 등이다. 음극의 막두께는 재료에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 통상 10㎚ 내지 5㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎚ 내지 1㎛ 이며, 더욱 바람직하게는 100㎚ 내지 1㎛ 이다.A cathode supplies electrons to an electron injection layer, an electron carrying layer, a light emitting layer, etc., and it selects in consideration of adhesiveness, ionization potential, stability, etc. with layers adjacent to a cathode, such as an electron injection layer, an electron carrying layer, and a light emitting layer. As the material of the negative electrode, a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include an alkali metal (for example, Li, Na, K, Cs, etc.) or a fluoride thereof, an oxide thereof, an alkali Earth metals (such as Mg, Ca, etc.) or fluorides thereof, oxides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or mixed metals thereof, lithium-aluminum alloys or mixed metals thereof, magnesium-silver alloys or mixtures thereof Rare earth metals, such as a metal, indium, and ytterbium, are mentioned, Preferably it is a material which has a work function of 4 eV or less, More preferably, they are aluminum, a lithium-aluminum alloy, their mixed metal, magnesium-silver alloy, their mixed metal, etc. Although the film thickness of a cathode can be suitably selected according to a material, it is preferable that it is the range of 10 nm-5 micrometers normally, More preferably, it is 50 nm-1 micrometer, More preferably, it is 100 nm-1 micrometer.

음극의 제작에는 전자 빔법, 스퍼터링법, 저항 가열 증착법, 코팅법 등의 방법이 이용되고, 금속을 단일체로 증착할 수도 있고 2 성분 이상을 동시에 증착할 수도 있다. 또한, 복수의 금속을 동시에 증착하여 합금 전극을 형성하는 것도 가능하고, 사전에 조정한 합금을 증착시켜도 된다.In the preparation of the cathode, a method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistive heating vapor deposition method, or a coating method is used. The metal may be deposited in a single body or two or more components may be deposited simultaneously. It is also possible to form an alloy electrode by depositing a plurality of metals at the same time, or may deposit a previously adjusted alloy.

양극 및 음극의 시트 저항은 낮은 것이 바람직하고, 수백 Ω/□이하가 바람직하다.It is preferable that the sheet resistance of an anode and a cathode is low, and several hundred ohm / square or less is preferable.

정공 주입층, 정공 수송층의 재료는 양극에서 정공을 주입하는 기능, 정공을 수송하는 기능, 음극에서 주입된 전자를 장벽하는 기능 중 어느 하나를 가지고 있는 것이면 된다. 그 구체예로는 카르바졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 폴리아릴알칸, 피라졸린, 피라졸론, 페닐렌디아민, 아릴아민, 아미노 치환 칼콘, 스티릴안트라센, 플루오레논, 히드라존, 스틸벤, 실라잔, 방향족 3차 아민 화합물, 스티릴아민, 방향족 디메틸리덴 화합물, 포르필린계 화합물, 폴리실란계 화합물, 폴리(N-비닐카르바졸), 아닐린계 공중합체, 티오펜 올리고머 및 폴리머, 폴리티오펜 등의 도전성 고분자 올리고머 및 폴리머, 카본 막이나 상기 유도체 등을 들 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층의 막두께는 재질에 따라 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1㎚ 내지 5㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎚ 내지 1㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 10㎚ 내지 500㎚ 이다. 정공 주입층, 정공 수송층은 상술한 재료의 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어진 단층구조여도 되고, 동일 조성 또는 상이한종 조성의 복수층으로 이루어진 다층 구조여도 된다.The material of the hole injection layer and the hole transport layer may be any one of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, and a function of barriering electrons injected from the cathode. Specific examples thereof include carbazole, imidazole, triazole, oxazole, oxadiazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydra Zone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine, aromatic dimethylidene compound, porphyrin compound, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymer, thiophene oligomer And conductive polymer oligomers such as polymers and polythiophenes, polymers, carbon films and the derivatives thereof. The film thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited depending on the material, but is usually in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, still more preferably 10 nm to 500 nm. The hole injection layer and the hole transport layer may be a single layer structure composed of one or two or more kinds of the above-described materials, or may be a multilayer structure composed of a plurality of layers of the same composition or different species composition.

정공 주입층, 정공 수송층의 형성방법으로는, 진공증착법이나 LB 법, 잉크젯법, 인쇄법, 전사법, 전자 사진법, 상기 정공 주입 재료, 정공 수송 재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 코팅하는 방법 (스핀코팅법, 캐스트법, 딥 코팅법 등) 이 이용된다. 코팅법의 경우, 수지성분과 함께 용해 또는 분산할 수 있고, 수지성분으로는 예컨대, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리부타디엔, 폴리(N-비닐카르바졸), 탄화수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드, 에틸셀룰로스, 아세트산비닐, ABS 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.As a method of forming the hole injection layer and the hole transport layer, a method of coating by dissolving or dispersing the hole injection material and the hole transport material in a solvent by vacuum deposition, LB method, ink jet method, printing method, transfer method, electrophotographic method ( Spin coating, casting, dip coating, etc.) are used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component, and the resin component is, for example, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene , Poly (N-vinylcarbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethylcellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone Resin and the like.

전자 주입층, 전자 수송층의 재료는 음극에서 전자를 주입하는 기능, 전자를 수송하는 기능, 양극에서 주입될 수 있는 정공을 장벽하는 기능 중 어느 하나를 가지고 있는 것이라면 된다. 그 구체예로는 헤테로원자를 2 개 이상 함유하는 복소환 골격, 옥사디아졸, 플루오레논, 안트라퀴노디메탄, 안트론, 디페닐퀴논, 티오피란디옥시드, 카르보디이미드, 플루오레닐리덴메탄, 디스티릴피라진, 나프탈렌페릴렌 등의 방향환 테트라카르복실산 무수물, 프탈로시아닌, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착물이나 메탈프탈로시아닌, 벤조옥사졸이나 벤조티아졸을 배위자로 하는 금속 착물로 대표되는 각종 금속 착물이나 상기 유도체 등을 들 수 있다.The material of the electron injection layer and the electron transport layer may be any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of barriering holes that can be injected from the anode. Specific examples thereof include a heterocyclic skeleton containing two or more heteroatoms, oxadiazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyrandioxide, carbodiimide, and fluorenylidene Represented by metal complexes of aromatic ring tetracarboxylic anhydrides such as methane, distyrylpyrazine, naphthalene perylene, phthalocyanine and 8-quinolinol derivatives, and metal complexes having metal phthalocyanine, benzoxazole or benzothiazole as ligands Various metal complexes, the said derivatives, etc. are mentioned.

헤테로원자를 2 개 이상 함유하는 복소환 골격으로는 적어도 2 개 이상의 헤테로원자를 함유하는 복소환 화합물로는, 탄소원자, 수소원자 이외의 원자를 기본 골격내에 2 개 이상 갖는 화합물이며, 단환 또는 축환이어도 된다. 복소환 골격으로는, 바람직하게는 N, O, S 원자에서 선택되는 원자를 2 개 이상 갖는 것이며, 더욱 바람직하게는 적어도 1 개의 N 원자를 골격내에 갖는 방향족 복소환이며, 특히 바람직하게는 N 원자를 골격내에 2 개 이상 갖는 방향족 복소환이다. 또, 헤테로원자는 축합 위치에 있어도, 비축합 위치에 있어도 된다. 예컨대, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 피라진, 피리미딘, 이미다졸, 푸린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 페리미딘, 페난트롤린, 피롤로이미다졸, 피롤로트리아졸, 피라졸로이미다졸, 피라졸로트리아졸, 피라졸로피리미딘, 피라졸로트리아진, 이미다조이미다졸, 이미다조피리다진, 이미다조피리딘, 이미다조피라진, 트리아졸로피리딘, 벤조이미다졸, 나프토이미다졸, 벤조옥사졸, 나프토옥사졸, 벤조티아졸, 나프토티아졸, 벤조트리아졸, 테트라자인덴, 트리아진 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 바람직하게는 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 이미다조피리다진, 이미다조피리딘, 이미다조피라진, 벤조이미다졸, 나프토이미다졸, 벤조옥사졸, 나프토옥사졸, 벤조티아졸, 나프토티아졸, 트리아진이며, 보다 바람직하게는 이미다조피리딘, 이미다조피라진,벤조이미다졸, 나프토이미다졸이며, 더욱 바람직하게는 이미다조피리딘, 벤조이미다졸, 나프토이미다졸, 트리아진이다.As a heterocyclic skeleton containing two or more heteroatoms, a heterocyclic compound containing at least two heteroatoms is a compound having two or more atoms in the basic skeleton having atoms other than carbon atoms and hydrogen atoms, and monocyclic or condensed. It may be. The heterocyclic skeleton is preferably one having two or more atoms selected from N, O, and S atoms, more preferably an aromatic heterocycle having at least one N atom in the skeleton, particularly preferably an N atom Is an aromatic heterocycle having two or more in the skeleton. The heteroatoms may be in the condensation position or in the non-condensation position. For example, pyrazole, imidazole, oxazole, thiazole, triazole, oxadiazole, thiadiazole, pyrazine, pyrimidine, imidazole, purine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline , Pteridine, perimidine, phenanthroline, pyrrolimidazole, pyrrolotriazole, pyrazoloimidazole, pyrazolotriazole, pyrazolopyrimidine, pyrazolotriazine, imidazoimidazole, imidazo Pyridazine, imidazopyridine, imidazopyrazine, triazolopyridine, benzoimidazole, naphthoimidazole, benzoxazole, naphthooxazole, benzothiazole, naphthothiazole, benzotriazole, tetrazadene, triazine Etc. can be mentioned. Among these, Preferably triazole, oxadiazole, thiadiazole, imidazopyridazine, imidazopyridine, imidazopyrazine, benzoimidazole, naphthoimidazole, benzoxazole, naphthooxazole, benzothiazole , Naphthothiazole, triazine, more preferably imidazopyridine, imidazopyrazine, benzoimidazole, naphthoimidazole, still more preferably imidazopyridine, benzoimidazole, naphthoimidazole, triazine. .

전자 주입층, 전자 수송층으로는, 특히 바람직하게는 발광층을 형성하는 재료보다 높은 T1레벨을 갖는 화합물로 이루어지는 것이 발광효율면에서 바람직하다. 따라서, 전자 수송 재료 단독막의 T1레벨은, 45㎉/㏖ (188kJ/㏖) 이상 90㎉/㏖ (378kJ/㏖) 이하인 것이 바람직하고, 58㎉/㏖ (243kJ/㏖) 이상 85㎉/㏖ (356kJ/㏖) 이하인 것이 보다 바람직하다. 특히 청색 발광소자의 경우는, 64㎉/㏖ (268kJ/㏖) 이상 82㎉/㏖ (344kJ/㏖) 이하인 것이 바람직하다.An electron injection layer, an electron transport layer is in the preferred in that light-emitting efficiency comprising a, particularly preferably a compound having a high T 1 level higher than the material forming the light emitting layer. Therefore, T 1 level of the electron transporting material is a single film, 45㎉ / ㏖ (188kJ / ㏖ ) over 90㎉ / ㏖ (378kJ / ㏖) is preferable and, 58㎉ / ㏖ (243kJ / ㏖ ) over 85㎉ / ㏖ or less It is more preferable that it is (356 kJ / mol) or less. In particular, in the case of a blue light emitting element, it is preferable that they are 64 kPa / mol (268kJ / mol) or more and 82 kPa / mol (344kJ / mol) or less.

본 발명의 바람직한 전자 수송재료로는 이하의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a preferable electron transport material of this invention.

[바람직한 전자 수송 재료의 구체예][Specific Examples of Preferred Electron Transport Materials]

전자 주입층, 전자 수송층의 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1㎚ 내지 5㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎚ 내지 1㎛ 이며, 더욱 바람직하게는 10㎚ 내지 500㎚ 이다. 전자 주입층, 전자 수송층은 전술한 재료의 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어진 단층구조여도 되고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어진 다층 구조여도 된다.Although the film thickness of an electron injection layer and an electron carrying layer is not specifically limited, Usually, it is preferable that it is the range of 1 nm-5 micrometers, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. . The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or two or more kinds of the above materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers of the same composition or different compositions.

전자 주입층, 전자 수송층의 형성방법으로는 진공증착법이나 LB 법, 잉크젯법, 인쇄법, 전사법, 전자 사진법, 상기 전자 주입 재료, 전자 수송 재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 코팅하는 방법 (스핀코팅법, 캐스트법, 딥 코팅법 등) 이 이용된다. 코팅법의 경우, 수지성분과 함께 용해 또는 분산할 수 있고, 수지성분으로는 예컨대 정공 주입ㆍ수송층의 경우에 예시한 것을 적용할 수 있다.As a method for forming an electron injection layer and an electron transporting layer, a method of coating by dissolving or dispersing a vacuum deposition method, an LB method, an inkjet method, a printing method, a transfer method, an electrophotographic method, the electron injection material, or an electron transporting material in a solvent (spinning Coating method, cast method, dip coating method, etc.) are used. In the case of a coating method, it can melt | dissolve or disperse | distribute with a resin component, and what was illustrated in the case of a hole injection / transport layer as a resin component is applicable, for example.

본 발명의 발광소자에서는 최표면에 보호층을 형성해도 된다.In the light emitting device of the present invention, a protective layer may be formed on the outermost surface.

보호층의 재료로는 수분이나 산소 등의 소자 열화를 촉진하는 것이 소자내에 들어가는 것을 억제하는 기능을 가지고 있는 것이면 된다. 그 구체예로는, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni 등의 금속, MgO, SiO, SiO2, Al2O3, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, TiO2등의 금속 산화물, SiNx, SiNxOy 등의 질소화물, MgF2, LiF, AlF3, CaF2등의 금속 불소화물, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 적어도 1 종의 코모노머를함유하는 모노머 혼합물을 공중합시켜 얻어지는 공중합체, 공중합 주쇄에 환상 구조를 갖는 불소함유 공중합체, 흡수율 1% 이상의 흡수성 물질, 흡수율 0.1% 이하의 방습성 물질 등을 들 수 있다.The material of the protective layer may be one having a function of suppressing entry into the device by promoting device degradation such as moisture and oxygen. Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 , TiO 2 , nitrides such as SiNx, SiNxOy, metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2 , polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, poly Mead, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymers of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one nose The copolymer obtained by copolymerizing the monomer mixture containing a monomer, the fluorine-containing copolymer which has a cyclic structure in a copolymer main chain, the water absorptivity of 1% or more of water absorption, and the moisture proof material of 0.1% or less of water absorption, etc. are mentioned.

보호층의 형성방법에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 진공증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE (분자선 에피탁시) 법, 클래스터 이온 빔법, 이온 플레이팅법, 플라즈마 중합법 (고주파 여기 이온 플레이팅법), 플라즈마 CVD 법, 레이저 CVD 법, 열 CVD 법, 가스소스 CVD 법, 코팅법, 잉크젯법, 인쇄법, 전사법, 전자 사진법을 적용할 수 있다.The method for forming the protective layer is not particularly limited, and for example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the MBE (molecular beam epitaxy) method, the citter ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method (high frequency excitation ion) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, inkjet method, printing method, transfer method, and electrophotographic method.

[실시예]EXAMPLE

이하에 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 의해 한정되는 것은 아니다.Although an Example is given to the following and this invention is concretely demonstrated to it, this invention is not limited by this.

실시예 1Example 1

25㎜ ×25㎜ ×0.7㎜ 의 유리기판 위에 ITO 를 150nm 의 두께로 제막한 것 (도쿄산요신쿠(주) 제조) 을 투명 지지기판으로 하였다. 이 투명 지지기판을 에칭, 세정한 후, 인접층을 형성하는 도전성 고분자로서 Baytron P (PEDOT-PSS 수분산물 (폴리에틸렌디옥시티오펜-폴리스티렌술폰산 도핑체)/바이엘사 제조) 을 세정한 기판 위에 스핀코팅하고 (1000rpm, 30 초), 150 ℃ 에서 1.5 시간 진공 건조시켰다. 인접층의 막두께는 50㎚ 이었다. 이 기판을 증착장치에 넣어 10-3내지 10-4Pa 의 진공중에서, 기판온도 실온의 조건하, 다음에 발광 재료 (D-1) 및 호스트 재료 (H-1) 를 각각 증착속도 0.04㎚/초, 0.4㎚/초로 막두께가 36㎚ 이 되도록 공증착하여 발광층을 형성하였다. 다시 전자 수송 재료 (E-1) 를 36㎚ 증착하고, 유기 박막위에 패터닝한 마스크 (발광면적이 4㎜ ×5㎜ 이 됨) 를 장착하여 불소화리튬을 5㎚ 증착한 후, 알루미늄 50㎚ 을 증착하고, 이어서 소자를 밀봉하여 EL 소자를 제작하였다 (소자 No.101).A film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 25 mm x 25 mm x 0.7 mm (manufactured by Tokyo Sanyo Shinku Co., Ltd.) was used as a transparent support substrate. After etching and cleaning the transparent support substrate, spin coating is performed on the substrate on which Baytron P (PEDOT-PSS aqueous product (polyethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonic acid dopant) / Bayer Corporation) was washed as a conductive polymer to form an adjacent layer. (1000 rpm, 30 seconds) and vacuum dried at 150 캜 for 1.5 hours. The film thickness of the adjacent layer was 50 nm. The substrate was placed in a vapor deposition apparatus under a vacuum of 10 -3 to 10 -4 Pa, and the light emitting material (D-1) and the host material (H-1) were respectively deposited at a deposition rate of 0.04 nm / under conditions of a substrate temperature of room temperature. The light emitting layer was formed by evaporating at a thickness of 36 nm at 0.4 nm / second. Again, electron transport material (E-1) was deposited at 36 nm, a mask (pattern having a light emission area of 4 mm x 5 mm) was deposited on the organic thin film to deposit 5 nm of lithium fluoride, and then aluminum 50 nm was deposited. Then, the element was sealed and the EL element was produced (element No. 101).

실시예 2Example 2

실시예 1 의 Baytron P 대신, 동일하게 도전성 고분자인 TPDPES-TBPA 를 스핀코팅한 기판을 증착장치에 넣고, 실시예 1 과 동일한 소자를 제작하였다 (소자 No.102).Instead of Baytron P of Example 1, a substrate spin-coated with the same conductive polymer TPDPES-TBPA was placed in a vapor deposition apparatus, and the same device as in Example 1 was fabricated (Device No. 102).

실시예 3Example 3

실시예 2 의 전자 수송 재료 (E-1) 대신 BCP 를 10㎚, 그 위에 Alq3을 30㎚ 증착하고, 실시예 1 과 동일한 방법으로 불소화리튬, 알루미늄을 증착하고, 이어서 소자를 밀봉하여 EL 소자를 제작하였다 (소자 No.103).Instead of the electron transporting material (E-1) of Example 2, 10 nm of BCP and 30 nm of Alq 3 were deposited thereon, and lithium fluoride and aluminum were deposited in the same manner as in Example 1, and then the element was sealed to seal the EL element. Was prepared (device No. 103).

실시예 4Example 4

실시예 3 의 발광 재료 (D-1) 대신 Ir(ppy)3을 사용하여, 호스트 재료로서 CBP 를 사용한 소자를 제작하였다 (소자 No.104).An element using CBP as a host material was manufactured using Ir (ppy) 3 instead of the light emitting material (D-1) of Example 3 (device No. 104).

비교예 1Comparative Example 1

실시예 2 와 동일하게 TPDPES-TBPA 를 스핀코팅한 기판을 증착장치에 넣고, 10-3내지 10-4Pa 의 진공중에서, 기판온도 실온의 조건하, NPD 를 50㎚ 증착하였다. 다음, 발광 재료 Ir(ppy)3및 호스트 재료 (CBP) 를 각각 증착속도 0.04㎚/초, 0.4㎚/초로 막두께가 36㎚ 이 되도록 공증착하여 발광층을 형성하였다. 또한, BCP 를 10㎚, 그 위에 Alq3을 30㎚ 증착하고, 실시예 1 과 동일한 방법으로 불소화리튬, 알루미늄을 증착하고, 이어서 소자를 밀봉하여 EL 소자를 제작하였다 (소자 No.105).In the same manner as in Example 2, a substrate spin-coated with TPDPES-TBPA was placed in a vapor deposition apparatus, and NPD was deposited by 50 nm under conditions of a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -3 to 10 -4 Pa. Next, the light emitting material Ir (ppy) 3 and the host material (CBP) were co-deposited at a deposition rate of 0.04 nm / second and 0.4 nm / second so as to have a thickness of 36 nm, thereby forming a light emitting layer. Further, 10 nm of BCP and 30 nm of Alq 3 were deposited thereon, and lithium fluoride and aluminum were deposited in the same manner as in Example 1, and then the device was sealed to prepare an EL device (Device No. 105).

비교예 2Comparative Example 2

비교예 1 의 발광 재료를 (D-1) 로 변경하여 동일한 소자를 제작하였다 (소자 No.106).The same device was produced by changing the light emitting material of Comparative Example 1 to (D-1) (device No. 106).

비교예 3Comparative Example 3

비교예 2 의 호스트 재료를 (H-1) 로 변경하여 동일한 소자를 제작하였다 (소자 No.107).The same device was produced by changing the host material of Comparative Example 2 to (H-1) (device No. 107).

비교예 4Comparative Example 4

실시예 1 과 동일하게 PEDOT-PSS 를 스핀코팅한 기판 위에 폴리(N-비닐카르바졸) 40㎎, Ir(ppy)34㎎ 를 디클로로에탄 2.5㎖ 에 용해시킨 것을 스핀코팅하였다. 유기층의 총 막두께는 80㎚ 이었다. 이 기판을 증착장치에 넣고 10-3내지 10-4Pa 의 진공중에서, 기판온도 실온의 조건하, 다음 TAZ 를 30㎚, Alq 를 20㎚ 증착하고, 실시예 1 과 동일한 방법으로 불소화리튬, 알루미늄을 증착하고, 이어서 소자를 밀봉하여 EL 소자를 제작하였다 (소자 No.108).As in Example 1, 40 mg of poly (N-vinylcarbazole) and 4 mg of Ir (ppy) 3 were dissolved in 2.5 ml of dichloroethane on a substrate coated with PEDOT-PSS. The total film thickness of the organic layer was 80 nm. The substrate was placed in a vapor deposition apparatus, and then, in a vacuum of 10 -3 to 10 -4 Pa, the following TAZ was deposited at 30 nm and Alq at 20 nm under the conditions of a substrate temperature of room temperature, and lithium fluoride and aluminum in the same manner as in Example 1. Was deposited, and the device was then sealed to prepare an EL device (device No. 108).

이하에 본 발명에서 사용한 화합물의 구조를 나타낸다.The structure of the compound used by this invention below is shown.

다음에, 이하와 같은 방법으로 제작한 각 소자를 평가하였다. 평가결과는 표 1 에 나타낸다.Next, each element produced by the following method was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

도요테크니카 제조 소스메져유닛 2400 을 이용하여, ITO 를 양극, 알루미늄을 음극으로 하여, 직류 정전류를 유기박막에 인가하여, 비교예 및 본 발명의 소자를 발광시켜, 그 휘도를 도프콘사의 휘도계 BM-8, 발광 파장을 하마마츠 포토닉스사 제조 스펙트럼 애널라이저 PMA-11 을 이용하여 측정하여 발광효율을 구했다. 또, 소자를 초기 휘도 100cd/㎡ 으로 정전류 구동시켜 휘도 반감시간을 측정하였다. 또, 발광층으로부터 발광 재료를 제외한 발광층 막의 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 측정한 결과, CBP 는 62㎉/㏖ (260kJ/㏖), H-1 은 65㎉/㏖ (272kJ/㏖) 이었다.Using a Toyo Technica source measure unit 2400, ITO is used as an anode and aluminum as a cathode, a direct current constant current is applied to the organic thin film, and the comparative example and the device of the present invention are made to emit light, and the luminance thereof is measured by the luminance meter BM of Dofcon Corporation. -8 and emission wavelength were measured using the spectrum analyzer PMA-11 by Hamamatsu Photonics, and the luminous efficiency was calculated | required. In addition, the device was driven with a constant current at an initial luminance of 100 cd / m 2, and the luminance half life time was measured. Moreover, as a result of measuring the lowest triplet excitation energy level of the light emitting layer film | membrane except a light emitting material from the light emitting layer, CBP was 62 kV / mol (260kJ / mol), and H-1 was 65 kV / mol (272kJ / mol).

소자 No.Element No. ELmaxELmax 색도(x,y)Chromaticity (x, y) 외부양자효율External quantum efficiency 구동전압(5000cd/㎡)Driving voltage (5000cd / ㎡) 비고Remarks 101101 488㎚488 nm (0.15,0.52)(0.15,0.52) 22%22% 10.0V10.0 V 본 발명The present invention 102102 486㎚486 nm (0.17,0.49)(0.17,0.49) 20%20% 10.2V10.2V 본 발명The present invention 103103 484㎚484 nm (0.16,0.52)(0.16,0.52) 15%15% 10.5V10.5V 본 발명The present invention 104104 517㎚517 nm (0.31,0.61)(0.31,0.61) 17%17% 10.4V10.4V 본 발명The present invention 105105 516㎚516 nm (0.31,0.61)(0.31,0.61) 16%16% 12.0V12.0V 비교예Comparative example 106106 485㎚485 nm (0.17,0.49)(0.17,0.49) 4%4% 15.0V15.0 V 비교예Comparative example 107107 485㎚485 nm (0.17,0.49)(0.17,0.49) 5%5% 14.1V14.1V 비교예Comparative example 108108 514㎚514 nm (0.31,0.60)(0.31,0.60) 2%2% 12.3V12.3V 비교예Comparative example

여기서, 색도는 CIE 표색계로 정의된 색도좌표 (x, y) 의 값을 나타낸다.Here, chromaticity represents the value of chromaticity coordinates (x, y) defined by the CIE colorimetric system.

표 1 의 결과에서 알 수 있는 바와 같이 발광층의 도포에 의해 제작한 소자 (소자 No.108) 에 비해 발광층을 증착으로 제작한 소자는 발광효율이 우수하다. 그리고, 고효율 녹색 발광소자 (소자 No.105) 의 발광 재료를 청색 발광의 단파 발광 재료 (D-1) 로 변경하면 발광효율은 크게 저하됐지만 (소자 No.106, 107), 발광층에 도전성 고분자층을 인접시켜 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 갖는 호스트 재료를 사용함으로써 고효율 발광할 수 있음을 알 수 있다 (소자 No.101 내지103). 또, 소자의 발광휘도가 5000cd/㎡ 일 때의 구동전압을 비교하면, 본 발명 소자는 거의 10V 정도이며 비교소자에 비해 저전압 구동이 가능하다. 본 발명의 고효율 발광소자는 내구성도 우수하며, 초기 휘도 5000cd/㎡ 로 정전압 구동을 30 분간 실시한 후의 휘도유지율을 비교하면 소자101/소자107 = 11 배, 소자104/소자105 = 2 배이며, 본 발명 소자는 고휘도 발광시의 내구성이 뛰어나다. 또한 본 발명의 소자는 비교예의 소자에 비해 고전압, 고전류하에서 소자의 파괴가 일어나지 않아 고휘도 발광이 가능하다.As can be seen from the results in Table 1, the device produced by evaporation of the light emitting layer is excellent in luminous efficiency as compared with the device (device No. 108) produced by application of the light emitting layer. When the light emitting material of the high-efficiency green light emitting device (element No. 105) was changed to the short-wave light emitting material (D-1) of blue light emission, the light emission efficiency was greatly reduced (device No. 106, 107), but the conductive polymer layer was formed on the light emitting layer. It can be seen that high-efficiency light emission can be achieved by using a host material having a high lowest triplet excitation energy level in the vicinity of each other (elements No. 101 to 103). In addition, when the driving voltage when the light emission luminance of the device is 5000 cd / m 2 is compared, the device of the present invention is about 10V, and it is possible to drive a lower voltage as compared with the comparison device. The high-efficiency light emitting device of the present invention is excellent in durability, and the device 101 / element 107 = 11 times and element 104 / element 105 = 2 times compared with the luminance maintenance ratio after constant voltage driving for 30 minutes at an initial luminance of 5000 cd / m 2. The device of the invention is excellent in durability at the time of high luminance light emission. In addition, the device of the present invention does not cause destruction of the device under a high voltage and a high current as compared with the device of the comparative example, it is possible to emit high luminance.

본 발명에 의해, 발광층이 증착법으로 형성되어, 특정 도전성 (재료나 물성) 의 인접층을 갖기 때문에, 저전압 구동이 가능하며 고효율 발광하는 발광소자를 얻을 수 있다. 특히 삼중항 청색 발광소자에 있어서 고효율 발광이 가능하다.According to the present invention, since the light emitting layer is formed by a vapor deposition method and has an adjacent layer of a specific conductivity (material or physical property), a light emitting device capable of low voltage driving and emitting high efficiency can be obtained. In particular, the triplet blue light emitting device can emit high efficiency.

Claims (10)

양극 및 음극 사이에 증착에 의해 형성된 발광층을 가지고, 발광층은 삼중항 여기상태에서 발광하는 발광 재료를 1 종 이상 함유하며, 발광층의 양극측 및 음극층의 적어도 한쪽에 인접하는 인접층을 가지고, 인접층은 도전성 고분자를 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.A light emitting layer formed by vapor deposition between the anode and the cathode, the light emitting layer containing at least one light emitting material that emits light in a triplet excited state, and having an adjacent layer adjacent to at least one of the anode side and the cathode layer of the light emitting layer, The layer contains an organic electroluminescent device, characterized in that it contains a conductive polymer. 제 1 항에 있어서, 발광 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 준위는 63㎉/㏖ (264kJ/㏖) 이상 81㎉/㏖ (340kJ/㏖) 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the lowest triplet excitation energy level of the light emitting material is 63 kW / mol (264 kJ / mol) or more and 81 kW / mol (340 kJ / mol) or less. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 발광 재료의 인광의 양자 수율은 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the quantum yield of phosphorescence of the light emitting material is 0.5 or more. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 재료를 제외한 발광층의 최저 여기 삼중항 에너지 준위는 64㎉/㏖ (268kJ/㏖) 이상 82㎉/㏖ (344kJ/㏖) 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The lowest excitation triplet energy level of the light emitting layer excluding the light emitting material is 64 kV / mol (268 kJ / mol) or more and 82 kV / mol (344 kJ / mol) or less, characterized in that An organic electroluminescent device. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 인접층의 전기 전도도는 10-6Sㆍ㎝-1이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device, characterized in that at least 6S and ㎝ -1 - any one of claims 1 to A method according to any one of claim 4, wherein the electric conductivity of the adjacent layer 10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 고분자는 도펀트를 도핑한 공액 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 5, wherein the conductive polymer is a conjugated polymer doped with a dopant. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 방향족 탄소환 또는 방향족 복소환을 2 가 이상의 연결기로 연결한 비공액 고분자 재료 또는 공액 고분자 재료인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the organic electroluminescent device is a nonconjugated polymer material or a conjugated polymer material obtained by connecting an aromatic carbocyclic ring or an aromatic heterocycle with a bivalent or more linking group. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 고분자는 하기 화학식 1 로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the following Chemical Formula 1. [화학식 1][Formula 1] (식 중,(In the meal, R11은 치환기를 나타내고,R 11 represents a substituent, m11은 0 내지 2 의 정수를 나타내며,m 11 represents an integer of 0 to 2, m11이 2 를 나타낼 때, 복수의 R11은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m 11 represents 2, a plurality of R 11 may be the same or different, and may be connected to each other to form a ring, n11은 1 이상의 정수를 나타냄).n 11 represents an integer of 1 or more). 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 고분자는 하기 화학식 2 로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the following general formula (2): [화학식 2][Formula 2] (식 중,(In the meal, L21, L22는 2 가의 연결기를 나타내고,L 21 and L 22 represent a divalent linking group, R21, R22, R23은 치환기를 나타내며,R 21 , R 22 , R 23 represent a substituent, m21, m22는 0 내지 4 의 정수를 나타내고,m 21 , m 22 represent an integer of 0 to 4, m23은 0 내지 5 의 정수를 나타내며,m 23 represents an integer of 0 to 5, m21, m22가 2 내지 4 의 정수를, m23이 2 내지 5 의 정수를 나타낼 때, 복수의 R21, R22, R23은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m 21 and m 22 represent an integer of 2 to 4 and m 23 represents an integer of 2 to 5, a plurality of R 21 , R 22 , and R 23 may be the same or different, and may be connected to each other to form a ring. , n21은 1 이상의 정수를 나타냄).n 21 represents an integer of 1 or more). 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 고분자는 하기 화학식 3 으로 표시되는 부분구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive polymer has a partial structure represented by the following general formula (3): [화학식 3][Formula 3] (식 중,(In the meal, L31은 3 가의 연결기를 나타내고,L 31 represents a trivalent linking group, L32는 단결합 또는 2 가의 연결기를 나타내며,L 32 represents a single bond or a divalent linking group, R31, R32, R33은 치환기를 나타내고,R 31 , R 32 , R 33 represent a substituent, m31은 0 내지 4 의 정수를 나타내며,m 31 represents an integer of 0 to 4, m32, m33은 0 내지 5 의 정수를 나타내고,m 32 and m 33 represent an integer of 0 to 5, m31이 2 내지 4 의 정수를, m32, m33이 2 내지 5 의 정수를 나타낼 때, 복수의 R31, R32, R33은 동일하거나 상이해도 되고, 서로 연결되어 환을 형성해도 되며,When m <31> represents the integer of 2-4 and m <32> , m <33> represents the integer of 2-5, some R <31> , R <32> , R <33> may be same or different, and may mutually connect and form a ring. , n31은 1 이상의 정수를 나타냄).n 31 represents an integer of 1 or more).
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