[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20030002102A - 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 - Google Patents

줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030002102A
KR20030002102A KR1020010038842A KR20010038842A KR20030002102A KR 20030002102 A KR20030002102 A KR 20030002102A KR 1020010038842 A KR1020010038842 A KR 1020010038842A KR 20010038842 A KR20010038842 A KR 20010038842A KR 20030002102 A KR20030002102 A KR 20030002102A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
zoom lens
illumination
variable blade
exposure apparatus
reticle
Prior art date
Application number
KR1020010038842A
Other languages
English (en)
Inventor
조병호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020010038842A priority Critical patent/KR20030002102A/ko
Publication of KR20030002102A publication Critical patent/KR20030002102A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70183—Zoom systems for adjusting beam diameter
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 종래의 회절광학소자를 사용하는 것 없이 4점 조명을 형성하고 4점 조명의 각도를 용이하게 변경할 수 있는 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치를 제공한다.
본 발명에 따른 노광장치는 광원으로부터 출사된 레이저빔으로부터 형성된 조명을 통하여 레티클의 마스크 패턴을 투영렌즈에 의해 웨이퍼 상에 투영하여 전사하며, 광원과 레이클 사이에 배치되고, 레이저빔으로부터 환형조명을 형성하는 줌렌즈; 줌렌즈 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드를 구비하여, 줌렌즈로부터 입사되는 환형조명의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛; 가변 블래이드 유닛과 레티클 사이에 배치되어 가변 블래이드 유닛으로부터 형성된 4점 조명을 반사하는 미러; 및 미러에서 반사된 4점 조명을 집광하여 레티클에 조명하는 조명렌즈를 포함한다.

Description

줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치{ZOOM LENS ARRAY AND EXPOSURE APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 노광장치에 관한 것으로, 4점 조명(quadropole illumination)의 각도를 자유롭게 조절할 수 있는 노광장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 고집적화 및 고밀도화에 따라, 보다 더 미세한 패턴을 형성하기 위한 포토리소그라피 기술들이 개발되고 있다. 특히, 초고집적소자(ULSI)를 제고하기 위해서는 높은 해상도와 적절한 초점심도가 필요하기 때문에 조명법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
도 1은 4점 조명을 이용한 종래의 노광장치를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 레이저 광원(미도시)으로부터 출사된 레이저빔(110)이 회절광학소자(diffractive optical element; DOE; 120)의 회절 표면 상에 집광되고, 회절광학소자(120)는 집광된 레이저빔(110)을 4개의 빔으로 분리하고 각도를 결정하여 4점 조명(130)을 형성한다. 이 4점 조명(130)은 줌렌즈(140)를 통과하면서 부분 코히런스(partial coherence)인 내부 및 외부 시그마(sigma)가 결정되어 최종 4점 조명으로 된다. 최종 4점 조명은 미러(M1, M2)를 통하여 반사되고, 조명렌즈(150)를 통하여 집광된 후 웨이퍼(180)의 표면에 광학적으로 결합된 위치에 배치된 레티클(160)에 조명되고, 레티클(160)의 마스크 패턴(미도시)이 투영렌즈(170)에 의해 웨이퍼(180) 상에 투영되어 전사된다.
상술한 바와 같이, 종래의 노광장치에서는 4점 조명을 형성하기 위하여 줌렌즈(140) 하부에 회절광학소자(120)와 같은 광학모듈을 배치하였다.
그러나, 이러한 회절광학소자(120)는 4점 조명(130)의 각도를 소정의 정해진 각도로만 결정할 뿐 자유롭게 각도를 변경하는 것이 용이하지 못하다. 이에 따라, 각도를 변경하고자 할 때마다 새로운 회절광학소자를 제작 구입해야 하므로 비용이 증가될 뿐만 아니라, 제작기간이 길기 때문에 패턴의 미세화에 따라 작게 변경되는각도에 빠르게 대응하는데 어려움이 있었다.
또한, 새로운 회절광학소자를 제작하여 동일한 위치에 장착하여 사용하더라도, 광로가 변경되어 원하는 시그마 값을 정확하게 얻을 수 없는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 종래의 회절광학소자를 사용하는 것 없이 4점 조명을 형성하고 또한 4점 조명의 각도를 용이하게 변경할 수 있는 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 노광장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광장치를 나타낸 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110, 210 : 레이저빔 120 : 회절광학소자
130 : 4점 조명 140, 221 : 줌 렌즈
150, 230 : 조명렌즈 160, 240 : 레티클
170, 250 : 투영렌즈 180, 260 : 웨이퍼
220 : 줌렌즈 어레이 222 : 환형조명
223 : 가변 블래이드 유닛
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 줌렌즈 어레이는 광원으로부터 출사된 레이저빔으로부터 환형조명을 형성하는 줌렌즈; 및 줌렌즈 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드를 구비하여, 줌렌즈로부터 입사되는 환형조명의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛을 포함한다.
또한, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 노광장치는 광원으로부터 출사된 레이저빔으로부터 형성된 조명을 통하여 레티클의 마스크 패턴을 투영렌즈에 의해 웨이퍼 상에 투영하여 전사하며, 광원과 레이클 사이에 배치되고, 레이저빔으로부터 환형조명을 형성하는 줌렌즈; 줌렌즈 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드를 구비하여, 줌렌즈로부터 입사되는 환형조명의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛; 가변 블래이드 유닛과 레티클 사이에 배치되어 가변 블래이드 유닛으로부터 형성된 4점 조명을 반사하는 미러; 및 미러에서 반사된 4점 조명을 집광하여 레티클에 조명하는 조명렌즈를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광장치를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 노광장치는 종래와는 달리 레티클(240)과 레이저 광원(미도시) 사이에 배치된 줌렌즈 어레이(220)를 구비한다.
이 줌렌즈 어레이(220)는 상기 레이저 광원으로부터 출사된 레이저빔(210)으로부터 환형(annular) 조명(222)을 형성하는 줌렌즈(221)와, 줌렌즈(221) 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드(223A∼223E)를 구비하여, 줌렌즈(221)로부터 입사되는 환형조명(222)의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드(223A)로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛(variable blade unit; 223)를 구비한다. 여기서, 환형조명(222)의 부분 코히런스인 시그마값은 줌렌즈(221)에서 결정되고, 4점 조명의 각도는 가변 블래이드 유닛(223)에 다른 각도를 갖는 여러 종류의 블래이드를 장착함으로써 자유롭게 변경될 수 있다.
상술한 줌렌즈 어레이(220)를 통하여 형성된 4점 조명은 종래와 마찬가지로, 미러(M1, M2)를 통하여 반사되고, 조명렌즈(230)를 통하여 집광된 후, 웨이퍼(260)의 표면에 광학적으로 결합된 위치에 배치된 레티클(240)에 조명되어, 레티클(240)의 마스크 패턴(미도시)이 투영렌즈(250)를 통하여 웨이퍼(260) 상에 투영되어 전사된다.
상술한 본 발명에 의하면, 노광장치에서 4점 조명을 형성하기 위한 종래의 회절광학소자를 배제하고, 줌렌즈 상부에 가변 블래이드 유닛이 배치된 줌렌즈 어레이를 장착함으로써, 4점 조명을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 4점 조명의 각도를 자유롭게 변경할 수 있게 된다.
이에 따라, 패턴의 미세화에 용이하게 대응할 수 있고, 회절광학소자의 제작으로 인한 제작비용 및 시간 등의 손실을 막을 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

Claims (5)

  1. 광원으로부터 출사된 레이저빔으로부터 환형조명을 형성하는 줌렌즈; 및
    상기 줌렌즈 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드를 구비하여, 상기 줌렌즈로부터 입사되는 환형조명의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 줌렌즈 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 환형조명의 시그마값은 상기 줌렌즈에서 결정되는 것을 특징으로 하는 줌렌즈 어레이.
  3. 광원으로부터 출사된 레이저빔으로부터 형성된 조명을 통하여 레티클의 마스크 패턴을 투영렌즈에 의해 웨이퍼 상에 투영하여 전사하는 노광장치로서,
    상기 광원과 레이클 사이에 배치되고, 상기 레이저빔으로부터 환형조명을 형성하는 줌렌즈; 및
    상기 줌렌즈 상부에 배치되고 다수개의 가변 블래이드를 구비하여, 상기 줌렌즈로부터 입사되는 환형조명의 광을 선택된 하나의 가변 블래이드로 차단하여 소정의 각도를 갖는 4점 조명을 형성하는 가변 블래이드 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 환형조명의 시그마값은 상기 줌렌즈에서 결정되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 가변 블래이드 유닛과 레티클 사이에 배치되어 상기 가변 블래이드 유닛으로부터 형성된 4점 조명을 반사하는 미러; 및
    상기 미러에서 반사된 4점 조명을 집광하여 상기 레티클에 조명하는 조명렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
KR1020010038842A 2001-06-30 2001-06-30 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 KR20030002102A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010038842A KR20030002102A (ko) 2001-06-30 2001-06-30 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010038842A KR20030002102A (ko) 2001-06-30 2001-06-30 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030002102A true KR20030002102A (ko) 2003-01-08

Family

ID=27712736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010038842A KR20030002102A (ko) 2001-06-30 2001-06-30 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030002102A (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260395A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品
JPH07283128A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Canon Inc 露光装置
JPH09190976A (ja) * 1997-01-23 1997-07-22 Nikon Corp 投影露光装置及び走査露光方法
KR980003852A (ko) * 1996-06-14 1998-03-30 문정환 노광장치
KR19980021658U (ko) * 1996-10-22 1998-07-15 문정환 반도체 스테퍼장비의 조명계
KR19990022976U (ko) * 1997-12-02 1999-07-05 구본준 웨이퍼의 노광장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260395A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品
JPH07283128A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Canon Inc 露光装置
KR980003852A (ko) * 1996-06-14 1998-03-30 문정환 노광장치
KR19980021658U (ko) * 1996-10-22 1998-07-15 문정환 반도체 스테퍼장비의 조명계
JPH09190976A (ja) * 1997-01-23 1997-07-22 Nikon Corp 投影露光装置及び走査露光方法
KR19990022976U (ko) * 1997-12-02 1999-07-05 구본준 웨이퍼의 노광장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5608575A (en) Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same
KR100538362B1 (ko) 노광방법 및 장치
JP3264224B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
KR100818320B1 (ko) 마이크로리소그래피에서 사용하기 위한 개선된 조명 시스템
JP4545874B2 (ja) 照明光学系、および該照明光学系を備えた露光装置と該露光装置によるデバイスの製造方法
JP3631094B2 (ja) 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2852169B2 (ja) 投影露光方法および装置
KR100869307B1 (ko) 개구수를 변화시키는 광학 시스템
US6762823B2 (en) Illumination system and scanning exposure apparatus using the same
KR20080056094A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100675918B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의하여제조되는 디바이스
US4498009A (en) Optical lithographic system having a dynamic coherent optical system
KR100806826B1 (ko) 레티클 유도 ｃｄｕ를 보상하는 디바이스 제조 방법 및리소그래피 장치
KR20070092144A (ko) 노광장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005055878A (ja) マスク及びその製造方法、並びに、露光方法
JP3997199B2 (ja) 露光方法及び装置
JPH01114035A (ja) 露光装置
JP4612849B2 (ja) 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP4838430B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US4560235A (en) Fiber optic condenser for an optical imaging system
KR20030002102A (ko) 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치
JP2002057081A (ja) 照明光学装置並びに露光装置及び露光方法
JP2005331651A (ja) ３次元構造形成方法および３次元構造形成方法を用いて製造された光学素子、光学系、装置、デバイスおよびデバイス製造方法
JP3563888B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
CN102749811B (zh) 以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20010630

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040331

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20041130

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20040331

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I