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KR20020071995A - 킥백 전압을 보상하는 액정 표시 장치 - Google Patents

킥백 전압을 보상하는 액정 표시 장치 Download PDF

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Publication number
KR20020071995A
KR20020071995A KR1020010011915A KR20010011915A KR20020071995A KR 20020071995 A KR20020071995 A KR 20020071995A KR 1020010011915 A KR1020010011915 A KR 1020010011915A KR 20010011915 A KR20010011915 A KR 20010011915A KR 20020071995 A KR20020071995 A KR 20020071995A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
storage capacitor
gate
liquid crystal
data
Prior art date
Application number
KR1020010011915A
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English (en)
Inventor
문승환
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020010011915A priority Critical patent/KR20020071995A/ko
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract

본 발명은 킥백 전압을 보상하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명은 다수의 게이트선, 상기 다수의 게이트선에 절연되어 교차하는 다수의 데이터선, 상기 게이트선과 평행하게 배치되는 다수의 보조 용량 배선, 상기 게이트선과 데이터선이 교차하는 영역에 형성되며 각각 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 스위칭 소자와 보조 용량 전극을 가지는 다수의 화소를 포함하는 액정 패널; 상기 게이트선으로 게이트 전압을 공급하는 스캔 구동부; 및 인가되는 데이터 신호에 따라 해당하는 계조 전압을 상기 데이터선으로 공급하는 데이터 구동부를 포함하며, 상기 스캔 구동부로부터의 보조 용량 전극의 위치에 따라 서로 다른 보조 용량 전압이 상기 보조 용량 전극으로 인가된다.
이러한 본 발명에 따르면, 액정 패널의 각 화소에서 발생되는 킥백 전압이 동일하도록 함으로써, 킥백 전압 차이에 의한 플리커가 방지될 수 있으며, 그 결과 액정 표시 장치의 화질을 현저하게 개선시킬 수 있다.

Description

킥백 전압을 보상하는 액정 표시 장치 {liquid crystal device for compensating kick-back voltage}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 킥백 전압을 보상하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명은 액정 표시 장치(liquid crystal display; 이하 'LCD'라 함)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서로 다른 공통 전압을 가지는 박막 트랜지스터(thin film transistor; 이하 'TFT'라 함) 액정 표시 장치에 관한 것이다.
TFT-LCD는 두 기판 사이에 주입되어 있는 이방성 유전율을 갖는 액정 물질에 전계를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써, 원하는 화상 신호를 얻는 표시장치이다.
이러한 TFT-LCD의 기판 위에는 서로 평행한 복수의 게이트선과 이 게이트선에 절연되어 교차하는 복수의 데이터선이 형성되며, 이들 게이트선과 데이터선에 의해 둘러싸인 영역은 하나의 화소를 규정한다. 각 화소의 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에는 TFT가 형성된다.
도 1은 일반적인 TFT-LCD에서 단위 화소에 대한 등가회로를 나타낸다.
도 1에 도시한 바와 같이, TFT(10)의 게이트 전극(g), 소스 전극(s), 드레인 전극(d)은 각각 게이트선(Gn), 데이터선(Dm), 화소 전극(P)에 연결된다. 화소 전극(P)과 공통 전극(Com)사이에는 액정 물질이 형성되는데 이를 등가적으로 액정용량(Clc)으로 나타내었다. 그리고, 화소 전극과 전단 게이트선(Gn-1)사이에는 보조 용량(Cst)이 형성되며, 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 오정렬(misalignment)등에 기인한 기생 용량(Cgd)이 생긴다. 액정 용량(Ccl)과 보조 용량(Cst)은 TFT-LCD가 구동해야 하는 부하로서 작용한다.
이와 같은 TFT-LCD의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 표시하고자 하는 게이트선(Gn)에 연결된 게이트 전극에 게이트 온 전압을 인가하여 TFT(10)를 도통시킨 후에, 화상 신호를 나타내는 데이터 전압을 소스 전극(s)에 인가하여 이 데이터 전압을 드레인 전극(d)에 인가하도록 한다. 그러면, 상기 데이터 전압은 화소 전극(P)을 통해 각각 액정 용량(Clc)과 보조 용량(Cst)에 인가되고, 화소 전극(Cp)과 공통 전극(Com)의 전위차에 의해 전계가 형성된다. 이 때, 액정 물질에 같은 방향의 전계가 계속해서 인가되면 액정이 열화되기 때문에, LCD 패널에서는 액정의 열화를 방지하기 위해 화상 신호를 공통 전극에 대해 양, 음 반복되도록 구동하며, 이와 같은 구동 방식을 반전 구동 방식이라 한다.
한편, TFT가 온 상태로 된 경우에 액정 용량(Clc) 및 보조 용량(Cst)에 인가된 전압은 TFT가 오프 상태로 된 후에도 계속 지속되어야 하나, 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 있는 기생 용량(Cgd) 때문에, 화소 전극에 인가된 전압은 왜곡이 생기게 된다. 이와 같이 왜곡된 전압을 킥백 전압(kick-back)전압이라 하는데, 이 킥백 전압(ΔV)은 다음의 수학식으로 구해진다.
여기서, △Vg는 게이트 전압의 변화량(Vgon-Vgoff)을 의미한다.
이 전압 왜곡은 데이터 전압의 극성에 관계없이 항상 화소 전극의 전압을 끌어내리는 방향으로 작용하게 되며, 이를 도 2a에 도시하였다.
도 2a에서, Vg, Vd, Vp는 각각 게이트 전압, 데이터 전압, 화소 전극의 전압을 나타내며, Vcom, ΔV는 각각 공통 전극 전압(공통 전압)과 킥백 전압을 나타낸다. 도 2a에 점선으로 도시한 바와 같이, 이상적인 TFT-LCD에서는 게이트 전압 Vg이 온일 때 데이터 전압(Vd)이 화소 전극에 인가되어 게이트 전압이 오프로 되는 경우에도 상기 데이터 전압을 유지하나, 실제 TFT-LCD에서는 도 2의 실선으로 도시한 바와 같이, 게이트 전압이 바뀌는 부분에서는 킥백 전압(ΔV)의 영향으로 화소전압이 킥백 전압 만큼 아래쪽으로 내려가게 된다.
한편, 액정에 인가되는 전압의 실효치는 화소 전압(Vd)과 공통 전압(Vcom) 사이의 면적으로 정해지는데, 액정표시장치를 반전구동방식으로 구동하는 경우에는 공통전압을 중심으로 한 화소전압의 면적이 대칭이 되도록 공통 전압 레벨을 조절할 필요가 있으며, 이를 위해 종래에는 화소 전압의 면적이 대칭이 되는 일정한 공통 전압을 공통 전극에 인가하였다.
이는 공통 전압(Vcom)을 중심으로 한 화소 전압(Vp)의 면적이 대칭이 되지 않을 경우에는 각 화소에 충전되는 화소 전압의 양이 프레임마다 차이가 발생하여, 화소 전압이 반전될 때 화면이 깜박이는 플리커(flicker) 현상이 발생하기 때문이다.
그러나, 플리커 현상을 방지하기 위해 종래와 같이 일정한 공통 전압을 공통 전극에 인가하는 경우에도 다음과 같은 이유로 플리커 현상이 여전히 발생하게 된다.
일반적으로 게이트선과 데이터선에는 저항과 기생 용량을 가지고 있기 때문에, 이 두 값의 곱에 의해 결정되는 시정수 만큼의 게이트 전압과 데이터 전압의 지연이 생기게 되며, 이 신호 지연은 액정 패널의 크기가 커질수록 더욱 커지게 된다.
도 2b는 게이트선의 길이에 따라 지연되는 게이트 전압 Vg의 측정값을 정성적으로 나타낸 도면이며, Vg1과 Vg2는 각각 게이트 전압의 입력단에서 가까운 곳(A)과 먼 곳(B)의 게이트 선에서 측정되는 게이트 전압을 나타낸다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 게이트 전압의 입력단에서 멀수록, 즉 게이트 신호의 지연이 클수록 게이트 전압의 변화량(수학식1의 ΔVg)은 작게 되며, 이에 따라 수학식 1로부터 알 수 있듯이 킥백 전압(ΔV)은 작게 된다.
이와 같이, 액정 패널 전체에 걸쳐서 서로 다른 값을 가지는 킥백 전압이 발생하기 때문에, 공통 전압이 일정하게 인가되어도 이 전압이 화소 전압의 중심값으로 유지되지 않아서 프레임 단위로 화소에 충전되는 전압의 값이 달라지고 그에 따라 플리커 현상이 발생하게 된다. 이러한 현상은 액정 표시 장치의 화면이 대형화되어 게이트선이 길어짐에 따라 더욱 더 문제로 된다.
그러므로 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 패널에 전반에 걸쳐 균일한 킥백 전압이 발생하도록 하여 플리커의 발생을 억제할 수 있도록 하는데 있다.
특히, 본 발명은 킥백 전압이 큰 위치에서는 킥백 전압 보상을 크게 하고, 킥백 전압이 작은 위치에서는 킥백 전압 보상이 작거나 없도록 하여, 액정 패널 전반에 걸쳐서 균일한 크기를 가지는 킥백 전압이 발생하도록 하는데 있다.
도 1은 일반적인 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 화소 등가 회로도이다.
도 2a는 킥백 전압에 의한 전압 왜곡을 나타내는 도면이다
도 2b는 게이트선의 신호 지연에 따라 지연되는 게이트 전압의 측정값을 정성적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 킥백 전압 보상 원리를 설명하기 위한 신호 파형도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정 패널의 개략적인 구조도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 게이트선별로 위치된 화소로 인가되는 보조 용량 전압과의 관계를 나타낸 등가 회로도이다.
도 6의 (a)는 액정 표시 장치에서의 게이트선의 신호 지연에 의해 발생되는 킥백 전압 분포도를 나타낸 그래프이다.
도 6의 (b) 및 도 6의 (c)는 도 6의 (a)에 도시된 킥백 전압이 본 발명의 실시예에 따른 전압 보상에 의하여 보상되는 과정을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 액정 표시 장치는, 다수의 게이트선, 상기 다수의 게이트선에 절연되어 교차하는 다수의 데이터선, 상기 게이트선과 평행하게 배치되는 다수의 보조 용량 배선, 상기 게이트선과 데이터선이 교차하는 영역에 형성되며 각각 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 스위칭 소자와 보조 용량 전극을 가지는 다수의 화소를 포함하는 액정 패널; 상기 게이트선으로 게이트 전압을 공급하는 스캔 구동부; 및 인가되는 데이터 신호에 따라 해당하는 계조 전압을 상기 데이터선으로 공급하는 데이터 구동부를 포함하며, 상기 스캔 구동부로부터의 보조 용량 전극의 위치에 따라 서로 다른 보조 용량 전압이 상기 보조 용량 전극으로 인가된다.
여기서, 상기 스캔 구동부에 가장 근접한 보조 용량 전극에는, 상기 스캔 구동부로부터 멀어지는 보조 용량 전극에 인가되는 보조 용량 전압보다 큰 전압이 인가된다.
상기 보조 용량 전압은 구형파로 이루어지며, 상기 각 보조 용량 배선의 일측에는 구형파의 보조 용량 전압이 인가되고, 보조 용량 배선의 타측에는 가변 저항 또는 DC 전압이 연결된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위해 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 킥백 전압 보상 원리를 설명하기 위한 신호 파형도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 1H 폭을 가지는 게이트 온 신호가 발생되는 동안 데이터 전압이 데이터선으로 공급되어 액정 용량 (Clc) 및 보조 용량 (Cst)에 충전될 때, 충전이 완료되기 전에 보조 용량 배선으로 게이트 온 신호의 50% 듀티비를 가지는 구형파의 보조 용량 전압(Vst)을 인가하면, 화소의 박막 트랜지스터가 턴오프 되었을 때 보조 용량 전압(Vst)의 진폭(△Vst)에 비례하여 화소 전위(Vp)가 △Vp만큼 레벨 시프트되며, 다음에 보조 용량 전압(Vst)의 전압 강하에 따라 화소 전위(Vp)는 레벨 시트프되기 전 상태로 된다. 따라서 화소 전위(Vp)는 평균값인 △Vp/2만큼 올라가게 되며, 이에 따라 발생되는 킥백 전압 Vk=△Vp/2가 되도록 조절하면 Vk 보상이 이루어지게 된다.
이 때, △Vp는 다음과 같이 화소 설계 파라미터들과 외부에서 인가되는 보조 용량 전압(Vst)의 진폭(△Vst)으로 결정된다.
따라서 외부에서 인가되는 보조 용량 전압(Vst)의 진폭(△Vst)을 조정하여 화소 전위의 평균적인 상승과 킥백 전압이 일치하도록 조정할 수 있으며, 보조 용량 전압의 진폭(△Vst)이 고정되어 있는 경우에는 보조 용량 전압(Vst)의 듀티비를 조정하여 화소 전위의 평균적인 상승과 킥백 전압이 일치하도록 조정할 수 있다. 예를 들어, 듀티비가 "D"인 경우에 보조 용량 전압(Vst)에 의한 화소 전위의 평균적인 상승은 D×△Vp 이므로, D값을 조절하여 D×△Vp = Vk가 되도록 할 수 있다.
본 발명에서는 보조 용량 전압의 진폭 또는 듀티비를 조절하여 각 화소에서의 유효 킥백 전압을 조절하여, 액정 패널 전체에서 킥백 전압이 균일하게 발생하되도록 한다.
도 4에 본 발명의 실시예에 따른 액정 패널의 개략적인 구조가 도시되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 게이트선에 배치되어 있는 제1 화소(P1)와 제n 화소(Pn)의 보조 용량 배선으로 서로 다른 보조 용량 전압(Vst1, Vs수)을 인가한다.
즉, 게이트선의 신호 지연에 의한 플리커를 감소시키기 위해 게이트 신호의 입력단에서 가장 가깝고 킥백 전압이 가장 크게 발생하는 제1 화소(P1)와, 게이트 신호의 입력단으로부터 가장 먼 곳에 위치되어 신호 지연에 의하여 킥백 전압이 가장 작게 발생하는 제n 화소(Pn)에 각각 서로 다른 보조 용량 전압(Vst1,Vstn)을 인가한다.
예를 들어, 제 1화소에서 발생되는 킥백 전압이 Vk1이고, 제2 화소에서 발생되는 킥백 전압이 Vkn이며, Vk1 > Vkn일 때, Vk1 = Vkn이 되도록 하기 위하여 제1 화소(P1)의 보조 용량 배선으로 Vst1의 보조 용량 전압을 인가하고, 제n 화소(Pn)의 보조 용량 배선으로 Vstn의 보조 용량 전압을 인가한다. 여기서, Vst1 > Vstn이며, Vstn≥0일 수 있다. Vst1은 Vk1 = Vkn이 되도록 하기 위한 값을 가진다.
그 결과, 제1 화소에서 발생하는 킥백 전압(Vk1)과, 제n 화소에서 발생하는 킥백 전압(vkn)이 동일하게 되어, 액정 패널의 양단에서의 킥백 전압 차이에 따른 플리커가 방지된다.
이와 같이 킥백 전압의 차이가 가장 큰 액정 패널의 양단의 킥백 전압이 동일하도록 할 수 있으며, 액정 패널 전체에 걸쳐서 킥백 전압을 균일하게 하기 위하여, 액정 패널 전체의 각 화소별로 인가되는 보조 용량 전압을 서로 다르게 할 수 있다.
일반적으로, 게이트선 길이가 길어질수록 발생되는 킥백 전압의 크기가 감소되며, 게이트 신호의 입력단에서 가장 멀리 위치된 화소(제n화소)에서의 킥백 전압이 가장 적게 발생된다.
따라서, 모든 화소에서 발생되는 킥백 전압(Vk1, Vk2, ...,Vkn-1)이 제n 화소에서 발생되는 킥백 전압(Vkn)과 동일하도록, 위에 기술된 바와 같이 보조 용량 배선으로 인가되는 보조 용량 전압(Vst)의 진폭을 조절하여 각 화소에 공급할 수 있다. 그 결과, 모든 화소에서 발생되는 킥백 전압(Vk1, Vk2, ..., Vkn-1, Vkn)이 동일하게 되어 전 화면에 걸친 킥백 전압에 의한 플리커가 제거된다.
이와 같이, 킥백 전압이 큰 위치에서는 보조 용량 전압의 진폭을 크게 하여 킥백 전압 보상이 커지도록 하고, 킥백 전압이 작은 위치에서는 보조 용량 전압의 진폭을 작게 하여 킥백 전압 보상이 작아지도록 하여, 전체적으로 모든 위치에서의 킥백 전압이 동일해지도록 할 수 있다.
도 5에 이러한 킥백 전압 보상을 위하여, 게이트선별로 위치된 화소로 인가되는 보조 용량 전압과의 관계를 나타낸 등가 회로도가 도시되어 있으며, 도 6의(a)에는 액정 표시 장치에서의 게이트선의 신호 지연에 의해 발생되는 킥백 전압 분포도가 도시되어 있으며, 도 6의 (b) 및 도 6의 (c)에는 킥백 전압이 본 발명의 실시예에 의하여 보상되는 과정이 순차적으로 도시되어 있다.
도 5에, R1, R2, ..., Rn-1, Rn은 패널 내부의 보조 용량 전극 배선 저항 Rs를 화소수인 n개로 나눈 등가 저항이다. 즉, ∑(R1, R2, ..., Rn-1, Rn)=Rs이다. 이 전극 배선 저항을 기준으로 보조 용량 전극 배선의 한 쪽에는 도 5에서와 같이, 임의의 전압 V를 기준으로 진폭이 △Vst(0)인 구형파(보조 용량 전압)를 인가하고, 또 다른 쪽에는 임의 전압 V와 직렬로 연결되는 가변 저항 Rc를 설치하면, 내부의 x번째 위치하는 화소에서의 △Vst(x)는 다음과 같이 계산될 수 있다.
따라서, △Vst의 보조 용량 전극 배선에서의 전압 분포 기울기는 외부에서 인가되는 △Vst(0) 또는 외부에 설치된 가변 저항 Rc으로 조절할 수 있다.
즉, 외부에서 인가되는 보조 용량 전압의 진폭(△Vst)이 고정되어 있는 경우에, 가변 저항(Rc)을 적절하게 설정하면 각 화소에서의 △Vst가 비례적으로 가변되고, 그에 따라 △Vst에 의하여 해당 화소에서의 전위가 △Vp가 가변되기 때문에, △Vst에 의하여 각 화소에서의 유효 킥백 전압이 변경된다.
한편, 액정 패널 전체에 걸쳐서 도 6의 (a)에서와 같이 킥백 전압이 발생하는 경우, 가변 저항 Rc를 0으로 세팅하고, 게이트 온 신호의 50% 듀티를 가지는 △Vst(0) 진폭을 가지는 보조 용량 전압을 인가하면 화소별로 걸리는 △Vst 크기와 △Vp는 도 6의 (b)와 같은 분포를 가지게 된다.
이 때, 화소 전위 보상 전압이 되는 △Vp(1)/2=Vk(1)-Vk(n)이 되도록 △Vst(0)를 결정하면, 각 화소 위치에서의 유효 킥백 전압량 Vk'(x)는 Vk(x)-△Vp(x)/2가 되어, 모든 화소에서의 유효 킥백 전압량이 도 6의 (c)에서와 같이 균일하게 된다.
도 7에 이러한 액정 표시 장치의 구조가 도시되어 있다.
첨부한 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 액정 패널(1), 스캔 구동부(2), 데이터 구동부(3), 전압 발생부(4), 타이밍 제어부(5) 및 계조 전압 발생부(6)를 포함하며, 타이밍 제어부(5)는 액정에 인가할 화상 신호 Vs를 신호원(도시하지 않음)으로부터 받고, 입력된 화상 신호를 처리하여 데이터 신호를 만들어 데이터 구동부(3)로 보내고, 구동회로에 필요한 각종 타이밍 신호를 만든다. 데이터 구동부(3)는 타이밍 제어부(5)에서 입력된 데이터 신호에 따라 액정 패널(1)의 각 화소에 인가할 데이터 전압(계조 전압)을 인가하고, 스캔 구동부(2)는 화소에 데이터 전압이 인가될 수 있도록 각 화소의 박막트랜지스터를 온시키는 주사 신호인 게이트 전압을 출력한다.
액정 패널(1)에는 데이터 구동부(3)로부터 데이터 전압을 전달하는 데이터선과 스캔 구동부(2)로부터 게이트 전압을 전달하는 게이트선이 서로 교차되어 형성되며, 게이트선과 평행하게 보조 용량 배선이 형성된다. 보조 용량 배선은 공통 전극 배선과 동일할 수도 있으며, 별도로 형성될 수도 있다.
전압 발생부(4)는 게이트 신호를 온으로 하는 Von 전압과 게이트 신호를 오프로 하는 Voff 전압 및, 박막 트랜지스터내의 데이터 전압차의 기준이 되는 공통 전압 Vcom 전압도 생성하며, 특히 킥백 전압 보상을 위한 보조 용량 전압(Vst)을 생성하여 보조 용량 배선으로 공급한다. 본 실시예에서 전압 발생부(4)는 게이트선 상의 게이트 전압을 측정하여 게이트선에 기인한 게이트 전압의 지연 레벨을 검출하고, 검출된 값에 따라 보조 용량 전압을 설정하여 액정 패널(1)의 보조 용량 전극(도시하지 않음)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 게이트선의 전단과 후단에서의 각각 게이트 전압 Vg1과 Vg2을 측정하고, 두 개의 전압간의 전압차 Vgd을 산출하여 그 값을 토대로 킥백 전압의 보상을 위한 보조 용량 전압의 진폭이나 듀티비를 조절하여 실질적으로 보조 용량 배선으로 인가되는 보조 용량 전압을 생성할 수 있다.
이러한 실시예에 따르면 패널 전체에 걸쳐서 발생되는 킥백 전압이 균일하게됨으로써, 하나의 공통 전극 전압 조정만으로도 킥백 전압을 용이하게 제거할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 그 외의 다양한 변형이나 변경이 가능한 것은 물론이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 액정 패널의 각 화소에서 발생되는 킥백 전압이 동일하도록 함으로써, 킥백 전압 차이에 의한 플리커가 방지될 수 있다. 또한 공통 전압을 한번 조정하는 것으로 플리커를 용이하게 제거할 수 있다.
따라서 액정 표시 장치의 화질을 현저하게 개선시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 다수의 게이트선, 상기 다수의 게이트선에 절연되어 교차하는 다수의 데이터선, 상기 게이트선과 평행하게 배치되는 다수의 보조 용량 배선, 상기 게이트선과 데이터선이 교차하는 영역에 형성되며 각각 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 스위칭 소자와 보조 용량 전극을 가지는 다수의 화소를 포함하는 액정 패널;
    상기 게이트선으로 게이트 전압을 공급하는 스캔 구동부; 및
    인가되는 데이터 신호에 따라 해당하는 계조 전압을 상기 데이터선으로 공급하는 데이터 구동부
    를 포함하며, 상기 스캔 구동부로부터의 보조 용량 전극의 위치에 따라 서로 다른 보조 용량 전압이 상기 보조 용량 전극으로 인가되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스캔 구동부에 가장 근접한 보조 용량 전극에는, 상기 스캔 구동부로부터 멀어지는 보조 용량 전극에 인가되는 보조 용량 전압보다 큰 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보조 용량 전압은 구형파로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 각 보조 용량 배선의 일측에는 구형파의 보조 용량 전압이 인가되고, 보조 용량 배선의 타측에는 가변 저항 또는 DC 전압이 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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