KR20020058291A - 선폭 상호 보정용 마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 선폭 상호 보정용 마스크에 관한 것으로서, 마스크 제조사 및 마스크 선폭 측정 장치의 보다 정확한 선폭 보정을 실시하기 위하여 선폭 상호 보정용 마스크를 제작하는 경우 특정 위치에 정확한 선폭 측정 위치를 나타낼 수 있는 마크 패턴을 삽입하여 특정한 위치에서 각각 노광마스크에 형성되는 라인/스페이스패턴의 선폭을 측정함으로써 노광마스크 상의 패턴에 존재하는 라인 에지 러프니스(line edge roughness)효과에 의한 선폭 측정 에러 요소를 제거하는 기술이다.
Description
본 발명은 반도체 리소그라피 공정에서 사용되는 선폭 상호 보정용 마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선폭 보정용 마스크 제작 시 정확한 선폭 측정위치를 나타낼 수 있는 마크 패턴(mark pattern)을 삽입하여 정확한 포인트에서 각각 마스크 선폭을 측정함으로써 선폭 측정 에러요소를 제거하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 제조공정에는 많은 패턴 형성 공정이 실시되는데 상부에 형성되는 패턴이 하부에 형성되는 패턴과 일치되는지 여부를 검사하기 위해 중첩도 측정 마크가 이용된다.
또한, 디자인 룰(design rule)이 감소함에 따라 마스크 상의 선폭에러(error)가 웨이퍼 상에서 증폭되어 나타나기 때문에 마스크 상의 선폭 허용범위는 점점 더 작아지고 있다. 따라서, 마스크 메이커(mask maker)의 입장에서 보면 마스크 상의 선폭 조절이 무엇보다도 중요한 요소(factor)가 되고 있다.
일반적으로 마스크 상의 선폭 측정은 1.0㎛ 패턴 사이즈 이상에서는 광학(optical)방식을 사용하고 있으며, 그 이하의 사이즈에서는 해상도(resolution)가 우수한 SEM 장비를 사용하고 있다.
마스크 상의 선폭 측정은 각 마스크 메이커 회사에서 각기 다른 장비로 측정을 하고 있으나, 만약 마스크 메이커 회사 간이나, 측정 장비 간의 절대 기준이 차이가 나면 동일한 마스크라도 서로 선폭 측정치의 차이가 발생할 수가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 서로 간의 선폭의 상호 보정이 반드시 필요하며, 이 과정은 아주 정확하게 이루어져야 한다. 이러한 보정작업을 위한 마스크 내에는 다양한 패턴들이 존재하나, 보통 도 1에 도시된 라인/스페이스 패턴을 가장 많이 사용하고 있다. 이 경우, 라인이나 스페이스 패턴의 마스크 선폭 측정(h) 시 적당한 부분을 선택하여 선폭을 측정하고 있다. 그러나, 실제적으로 마스크 상의 패턴은 도 2의 ⓧ부분과 같이 자체적으로 불균일한 라인 에지 러프니스(line edge roughness)를 가지고 있으며, 이러한 서로 다른 러프니스를 가지는 부분에서 마스크 선폭을 측정할 경우 서로간 선폭 측정하는 부분이 상이하여 선폭 측정 치 간에 에러요인으로 작용하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 노광마스크에 형성된 라인/스페이스 패턴의 선폭을 측정하기 위하여 상호 보정용 마스크에 측정부분을 지정하는 마크패턴을 삽입하여 측정 시의 에러 요소를 감소시키는 선폭 상호 보정용 마스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 종래기술에 따른 선폭 상호 보정용 마스크 레이아웃.
도 2 는 종래기술에 따른 마스크 상에 나타나는 라인패턴의 에지 러프니tm(edge roughness)를 나타내는 SEM 사진.
도 3 은 본 발명에 따른 선폭 측정 마크패턴이 구비되는 선폭 상호 보정용 마스크의 레이아웃도.
이를 위해 본 발명에 따른 선폭 상호 보정용 마스크는,
노광마스크에 형성된 라인/스페이스패턴의 선폭을 측정하는 선폭 상호 보정용 마스크에 있어서,
상기 선폭 상호 보정용 마스크의 소정 위치에 선폭 측정 위치를 결정하는 마크 패턴이 삽입되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다.
도 3 은 본 발명에 따른 선폭 측정 마크패턴이 구비되는 선폭 상호 보정용 마스크의 레이아웃도이다.
독립 라인(isolate line)패턴이나 조밀한 라인(dense line) 패턴의 경우 마스크 패턴 디자인 시 마스크 패터닝공정에서 해상도(resolution)에 영항을 받지 않을 정도로 충분히 큰 패턴 크기로 노광마스크 상에 형성된 라인/스페이스 패턴의 선폭을 측정하기 위한 마크 패턴을 도 3 의 ⓨ부분에 삽입한다. 상기 마크 패턴은 화살표형태 등 여러 가지 형태가 사용될 수 있으며, 크기는 1 ∼ 5㎛ 의 크기로 형성할 수 있다.
그 후, 이 디자인으로 마스크를 제작하여 실제적으로 각 마스크 메이커사에서 마스크 선폭 측정 시 표식이 되는 부분에서 선폭을 측정하여 마스크 상의 라인에지 러프니스에 의한 임계치수(critical dimension ; CD) 측정치의 에러(error)요소를 제거하여 서로 간의 선폭 측정치의 신뢰도를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 선폭 상호 보정용 마스크는 마스크 제조사 및 마스크 선폭 측정 장치의 보다 정확한 선폭 보정을 실시하기 위하여 선폭 상호 보정용 마스크를 제작하는 경우 특정 위치에 정확한 선폭 측정 위치를 나타낼 수 있는 마크 패턴을 삽입하여 특정한 위치에서 각각 노광마스크에 형성되는 라인/스페이스패턴의 선폭을 측정함으로써 노광마스크 상의 패턴에 존재하는 라인 에지 러프니스(line edge roughness)효과에 의한 선폭 측정 에러 요소를 제거하는 이점이 있다.
Claims (2)
- 노광마스크에 형성된 라인/스페이스패턴의 선폭을 측정하는 선폭 상호 보정용 마스크에 있어서,상기 선폭 상호 보정용 마스크의 소정 위치에 선폭 측정 위치를 결정하는 마크 패턴이 삽입되는 것을 특징으로 하는 선폭 상호 보정용 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 마크 패턴은 1 ∼ 5㎛ 의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 선폭 상호 보정용 마스크.
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| KR1020000086353A KR20020058291A (ko) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | 선폭 상호 보정용 마스크 |
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| KR20020058291A true KR20020058291A (ko) | 2002-07-12 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737433B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-07-09 | 주식회사 중앙벽돌 | 천연재료를 이용한 유색 점토 벽돌의 제조 방법 및 그 제조장치 |
| CN102543684A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-07-04 | 上海华力微电子有限公司 | 集线宽和套刻精度测量的图形结构设计 |
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- 2000-12-29 KR KR1020000086353A patent/KR20020058291A/ko not_active Application Discontinuation
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