KR20010084013A

KR20010084013A - Gsa supply system

Info

Publication number: KR20010084013A
Application number: KR1020000008746A
Authority: KR
Inventors: 이용욱; 노영석; 김종철; 김호왕
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 2000-02-23
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2001-09-06

Abstract

PURPOSE: A gas supply system of semiconductor manufacturing equipment is provided to prevent an alien substance from a supplied gas by installing refiners in each gas supply pipe. CONSTITUTION: The first refiner(F1) is installed between contact points of the first manual valve(810), a gas supply pipe A(100), and a gas supply pipe B(200). The first refiner(F1) has a chemical filter for performing the first chemical filtering process for the supplied gas, a backward flow prevention portion for preventing a backward flow of the filtered gas, and a mechanical filter for filtering the gas supplied from the backward flow prevention portion. The second refiner(F1) is installed between contact points of the second manual valve(820), a gas supply pipe A(100), and a gas supply pipe B(200). The fifth manual valve(821) and the sixth manual valve(822) are installed at a front end and a rear end of the second refiner(F2).

Description

Gas supply system for semiconductor device manufacturing facilities

본 발명은 가스공급시스템에 관한 것으로, 특히 고순도의 가스를 반응챔버로공급하기 위해 각 가스공급관 상에 정제기를 설치함으로써 가스공급에 따라 발생할 수 있는 이물질을 제거하여 공정사고를 예방할 수 있는 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas supply system. In particular, a refiner is installed on each gas supply pipe to supply high purity gas to a reaction chamber, thereby manufacturing a semiconductor device capable of preventing a process accident by removing foreign substances that may occur due to gas supply. A gas supply system of a facility.

통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착 등의 공정들이 반복 수행되어 반도체소자로 제작된다. 이러한 각 공정이 수행되는 반도체소자의 제조설비에는 웨이퍼 상에 요구되는 가스를 공급하기 위한 가스공급시스템이 필수적으로 설치되어 있다.In general, a wafer is fabricated as a semiconductor device by repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, and deposition. A gas supply system for supplying a gas required on a wafer is essentially provided in a manufacturing apparatus of a semiconductor device in which each of these processes is performed.

상기한 반도체소자의 제조설비는 일반적으로 주설비라하고, 가스공급시스템을 보조설비라 하는데, 상기 보조설비인 가스공급시스템은, MFC(Mass Flow Controller), 각종 밸브 및 가스 공급관 등으로 구성되어 있다.The manufacturing equipment of the semiconductor device is generally referred to as a main equipment, and the gas supply system is referred to as an auxiliary equipment. The gas supply system, which is the auxiliary equipment, includes a mass flow controller (MFC), various valves, and a gas supply pipe. .

반도체 장치 제조 공정에 사용되는 대부분의 부식성 가스(corrosive gas), 예컨대 건식식각에 사용되는 HBr, HF, 및 HCl 가스나 CVD(chemical vapor deposition) 공정에 사용되는 CF₄, SF₆, 및 PF₅등의 가스는 순도가 매우 높다. 그러나, 실제 반도체 제조 공정에서는 가스 실린더를 교체하거나 프로세스 챔버로 가스를 공급하는 절차에서 침투한 수분 성분과 가스 실린더에 저장된 부식성 가스가 반응하여 산(acid), 불순한 미세 입자, 혹은 기체 상태의 불순물이 발생하는 문제가 야기된다. 이렇게 발생한 불순물들은 스테인레스 강(stainless steel) 등을 빠르게 부식시켜 특히, MFC(mass flow controller)의 오동작을 초래하거나 공정상의결함(defect)을 야기시킨다.Most corrosive gases used in semiconductor device manufacturing processes, such as HBr, HF, and HCl for dry etching or CF ₄ , SF ₆ , and PF _{5 for} chemical vapor deposition (CVD) processes The gas is very high purity. However, in the actual semiconductor manufacturing process, the moisture component penetrated during the process of replacing the gas cylinder or supplying the gas to the process chamber reacts with the corrosive gas stored in the gas cylinder, resulting in acid, impure fine particles, or gaseous impurities. Problems arise. The impurities generated in this way quickly corrode stainless steel and the like, which may cause a malfunction of the MFC (mass flow controller) or process defects.

이와 같이, 반도체 공정에서 수분은 반도체 공정의 신뢰도를 떨어뜨리는 요인으로 작용하고 있다. 이외에도 액화가스에서 공급조건, 예를들어 온도 및 플로우비 등의 변화에 따른 먼저 변동(particle fluctuation)이 공정사고로 이어질 수도 있다.As described above, the moisture in the semiconductor process acts as a factor of lowering the reliability of the semiconductor process. In addition, particle fluctuation due to changes in supply conditions, for example, temperature and flow ratio, in liquefied gas may lead to process accidents.

그러면, 종래기술에 의한 가스공급시스템에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Then, a gas supply system according to the prior art will be described with reference to the drawings.

도 2는 종래의 가스공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 2를 참조하면, 가스공급시스템은 반응챔버로 가스를 공급하는 두 개의 공급관 즉, A가스공급관(100, 100')과 B가스공급관(200, 200')으로 구성되어 있다.2 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system. Referring to FIG. 2, the gas supply system is composed of two supply pipes supplying gas to the reaction chamber, that is, A gas supply pipes 100 and 100 'and B gas supply pipes 200 and 200'.

먼저, A가스가 저장된 A가스실린더(300)가 마련되며, 상기 A가스실린더(300)에서 다수의 반응챔버로 상기 A가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 A가스공급관(100, 100')이 각각 연결되어 있다. 상기 A가스공급관(100, 100') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 A가스제어부(400)가 설치되어 있다.First, an A gas cylinder 300 in which A gas is stored is provided, and the A gas supply pipes 100 and 100 ′ are connected to the A gas cylinder 300 so as to selectively supply the A gas to a plurality of reaction chambers. It is. The A gas control unit 400 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the A gas supply pipes 100 and 100 ′.

이 A가스제어부(400)는 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)가 순차적으로 구성되고, 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)의 각각에서 제3 제어부(430)로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 A가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다.The A gas control unit 400 includes a first control unit 410 and a second control unit 420 sequentially and each of the first control unit 410 and the second control unit 420 from the first control unit 410 to the third control unit 430. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the A gas supply.

상기 제1 제어부(410)는 제1 밸브(411)와 제2 밸브(412)로 구성되며, 제2 제어부(420)는 제3 밸브(421)와 제4 밸브(422)로 구성되며, 제3 제어부(430)는 제5 밸브(431)와 제6 밸브(432)로 구성되어 있다.The first control unit 410 is composed of a first valve 411 and a second valve 412, the second control unit 420 is composed of a third valve 421 and the fourth valve 422, The third control unit 430 is composed of a fifth valve 431 and a sixth valve 432.

그리고, 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420) 사이에는 A가스 공급량을 제어하는 제1 레귤레이터(440)가 설치되어 있다. 그리고, 제2 제어부(420)와 제3 제어부(430) 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제1 체크밸브(450)가 설치되어 있다.A first regulator 440 is provided between the first control unit 410 and the second control unit 420 to control the A gas supply amount. In addition, a first check valve 450 is installed between the second control unit 420 and the third control unit 430 to prevent a backflow of the supplied gas.

또한, B가스가 저장된 B가스실린더(500)가 마련되며, 상기 B가스실린더(500)에서 다수의 반응챔버로 상기 B가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 B가스공급관(200, 200')이 각각 연결되어 있다. 상기 B가스공급관(200, 200') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 B가스제어부(600)가 설치되어 있다.In addition, a B gas cylinder 500 in which the B gas is stored is provided, and the B gas supply pipes 200 and 200 ′ are respectively connected to selectively supply the B gas from the B gas cylinder 500 to a plurality of reaction chambers. It is. On the B gas supply pipes 200 and 200 ′, a B gas control unit 600 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed.

이 B가스제어부(600)는 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)가 순차적으로 구성되고, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)의 각각에서 A가스공급관(100)으로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 B가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다. 제4 제어부(610)는 제7 밸브(611)와 제8 밸브(612)로 구성되며, 제5 제어부(620)는 제9 밸브(621)와 제10 밸브(622)로 구성되어 있다.The B gas controller 600 includes a fourth control unit 610 and a fifth control unit 620 sequentially, and each of the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620 to the A gas supply pipe 100. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the B gas supply. The fourth control unit 610 includes a seventh valve 611 and an eighth valve 612, and the fifth control unit 620 includes a ninth valve 621 and a tenth valve 622.

그리고, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620) 사이에는 B가스 공급량을 제어하는 제2 레귤레이터(441)가 설치되어 있다. 제5 제어부(420)와 B가스공급관(200') 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제2 체크밸브(451)가 설치되어 있다.A second regulator 441 is provided between the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620 to control the B gas supply amount. A second check valve 451 is installed between the fifth control unit 420 and the B gas supply pipe 200 ′ to prevent backflow of the supplied gas.

한편, 제3 밸브(421)와 B가스공급관(200) 사이를 A가스공급관(100')으로 연결하며, 제8 밸브(612)와 제10 밸브(622)의 각각에서 A가스공급관(100)으로 합류될 수 있도록 B가스공급관(200')이 설치되어 있다.Meanwhile, the A gas supply pipe 100 is connected between the third valve 421 and the B gas supply pipe 200 by the A gas supply pipe 100 ′, and each of the eighth valve 612 and the tenth valve 622 is used. B gas supply pipe 200 'is installed to be joined to the.

또한, A가스공급관(100)과 B가스공급관(200)의 각각에는, 누설을 체크하기 위한 누설체크관(700)이 각 가스실린더(300, 500)와 각 가스제어부(400, 600) 사이에 연결되어 있다. 그리고, 이 누설체크관(700) 상에는 누설가스제어부(710)에서 제3 및 제4 체크밸브(720, 721), 제11 및 제12 밸브(730, 731)로 각각 분리되어 순차적으로 형성되어 있다.Further, in each of the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, a leak check pipe 700 for checking leakage is provided between each gas cylinder 300 and 500 and each gas control unit 400 and 600. It is connected. On the leak check pipe 700, the leak gas control unit 710 separates the third and fourth check valves 720 and 721 and the eleventh and twelfth valves 730 and 731, respectively, and are sequentially formed. .

그리고, 상기 가스공급시스템의 전체적인 제어를 담당하는 프로그래머블 로직 컨트롤러(Programmable Logic Controller; 이하 PLC라 함)가 상기 가스공급시스템에 포함되어 있다.In addition, a programmable logic controller (hereinafter referred to as a PLC) that is responsible for overall control of the gas supply system is included in the gas supply system.

상기와 같이 구성된 가스공급시스템은, 각 가스실린더(300, 500)에서 공급되는 가스가 각 가스공급관(100, 100', 200, 200')을 통해 반응챔버로 공급되어 수행하고자 하는 공정을 수행하게 되는데, 이 때 가스실린더에 저장된 원료가스의 공급조건이 변화됨에 따라 먼지 변동 및 수분에 의한 반응성 불순물이 생성되어 가스컴포넌트의 부식 및 공정사고가 발생하였다. 또한, 가스실린더의 교체에 따른 수분 및 불순물이 공급관 내로 유입됨에 따라 고순도의 가스를 공급하지 못함으로 인해 반도체소자의 특성을 열화시키는 문제점이 있었다.In the gas supply system configured as described above, the gas supplied from each gas cylinder (300, 500) is supplied to the reaction chamber through each gas supply pipe (100, 100 ', 200, 200') to perform a process to be performed. At this time, as supply conditions of the source gas stored in the gas cylinder are changed, dust impurities and reactive impurities are generated by moisture, thereby causing corrosion of the gas component and process accidents. In addition, there is a problem that deteriorates the characteristics of the semiconductor device due to the inability to supply high purity gas as moisture and impurities are introduced into the supply pipe due to the replacement of the gas cylinder.

따라서, 본 발명의 목적은 고순도의 가스를 반응챔버로 공급하기 위해 각 가스공급관 상에 정제기를 설치함으로써 가스공급에 따라 발생할 수 있는 이물질을 제거하여 공정사고를 예방할 수 있는 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템을 제공하는데 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide a gas supply of the semiconductor device manufacturing equipment that can prevent the process accident by removing the foreign matter that may occur due to the gas supply by installing a purifier on each gas supply pipe to supply high purity gas to the reaction chamber To provide a system.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템을 나타낸 구성도,1 is a configuration diagram showing a gas supply system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 종래의 가스공급시스템을 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

100, 100' : A가스공급관 200, 200' : B가스공급관100, 100 ': A gas supply pipe 200, 200': B gas supply pipe

300 : A가스실린더 400 : A가스제어부300: A gas cylinder 400: A gas control unit

500 : B가스실린더 600 : B가스제어부500: B gas cylinder 600: B gas control unit

F1 : 제1 정제기 F2 : 제2 정제기F1: First Purifier F2: Second Purifier

811, 812 : 제3, 제4 매뉴얼밸브811, 812: third and fourth manual valves

821, 822 : 제5, 제6 매뉴얼밸브821, 822: 5th and 6th manual valves

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 반응챔버와, 상기 반응챔버로 공급되는 가스를 저장한 적어도 하나 이상의 가스실린더와, 상기 반응챔버와 가스실린더를 연결하며 상기 가스흐름을 제어할 수 있도록 가스컴포넌트를 설치한 가스공급라인을 포함하여 이루어진 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템에 적용되는데, 본 발명의 가스공급시스템은 상기 반응챔버로 고순도 가스를 공급하기 위해 각 가스공급라인과 반응챔버 사이에 정제기를 설치하여서 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a reaction chamber, at least one gas cylinder storing gas supplied to the reaction chamber, and a gas component to connect the reaction chamber and the gas cylinder to control the gas flow. It is applied to the gas supply system of the semiconductor device manufacturing equipment comprising a gas supply line is installed, the gas supply system of the present invention is a purifier between each gas supply line and the reaction chamber to supply high purity gas to the reaction chamber. Characterized in that made by installing.

이 때, 상기 정제기는; 공급된 가스로부터 1차적으로 화학적 필터링을 수행하는 화학적필터와, 상기 화학적으로 필터링된 가스의 역유입을 차단하여 역오염을 방지하는 역유입방지수단과, 상기 역유입방지수단으로부터 유입되는 가스에서 2차적으로 필터링하는 매카니컬필터를 포함하여 구성된 것이 바람직하다.At this time, the purifier; A chemical filter that performs chemical filtering primarily from the supplied gas, a reverse flow preventing means for preventing reverse contamination by blocking reverse flow of the chemically filtered gas, and a gas flowing from the reverse flow preventing means. It is preferable to include a mechanical filter for filtering on a secondary basis.

또한, 상기 정제기의 양단에 매뉴얼밸브를 설치하는 것도 더욱 바람직하다.In addition, it is more preferable to provide a manual valve at both ends of the purifier.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 도면에 있어서, 종래기술에 의한 도 2의 가스공급시스템에 적용되는 것이므로 동일 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 종래와 동일한 참조번호를 사용한다.In the drawings of the present invention, since it is applied to the gas supply system of FIG.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 가스공급시스템은 반응챔버로 가스를 공급하는 두 개의 공급관 즉, A가스공급관(100, 100')과 B가스공급관(200, 200')으로 구성되어 있다.1 is a configuration diagram showing a gas supply system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the gas supply system according to the present invention includes two supply pipes that supply gas to the reaction chamber, that is, A gas supply pipes 100 and 100 'and B gas supply pipes 200 and 200'.

한편, 제3 밸브(421)와 B가스공급관(200) 사이를 A가스공급관(100')으로 연결하며, 제8 밸브(612)와 제10 밸브(622)의 각각에서 A가스공급관(100)으로 합류될 수 있도록 B가스공급관(200')이 설치되어 있다. 이 때, A가스실린더(300) 교체시에 제1 매뉴얼밸브(810)를 폐쇄하여 B가스에 의한 공정을 계속 진행하기 위해 제3 밸브(421)와 B가스공급관(200)을 연결하는 A가스공급관(100') 상에 제1 매뉴얼밸브(810)를 설치하는 것도 바람직하다. 또한, A가스공급관(100') 및 B가스공급관(200) 연접부와 제9 밸브(621) 사이에 제2 매뉴얼밸브(820)를 설치하고 있다. 이는 B가스 교체시에 제2 매뉴얼밸브(820)를 폐쇄하여 A가스에 의한 공정을 계속 진행하고자 하는 목적이다.Meanwhile, the A gas supply pipe 100 is connected between the third valve 421 and the B gas supply pipe 200 by the A gas supply pipe 100 ′, and each of the eighth valve 612 and the tenth valve 622 is used. B gas supply pipe 200 'is installed to be joined to the. At this time, the A gas connecting the third valve 421 and the B gas supply pipe 200 in order to continue the process by the B gas by closing the first manual valve 810 when replacing the A gas cylinder 300 It is also preferable to install the first manual valve 810 on the supply pipe 100 '. Further, a second manual valve 820 is provided between the A gas supply pipe 100 'and the B gas supply pipe 200 connecting portion and the ninth valve 621. This is to close the second manual valve 820 at the time of B gas replacement to continue the process by the A gas.

또한, A가스공급관(100)과 B가스공급관(200)의 각각에는, 누설을 체크하기 위한 누설체크관(700)이 각 가스실린더(300, 500)와 각 가스제어부(400, 600) 사이에 연결되어 있다. 그리고, 이 누설체크관(700) 상에는 누설가스제어부(710)에서 제3 및 제4 체크밸브(720, 721), 제11 및 제12 밸브(730, 731)로 각각 분리되어 순차적으로 형성되어 있다. 이 때, 각 가스실린더 교체시, 고압유입에 따른 바이패스를 방지하기 위해 누설가스 공급제어부(710)와 제3 체크밸브(720) 사이에 제1 완충밸브(900)를 설치하고, 누설가스 공급제어부(710)와 제4 체크밸브(721) 사이에 제2 완충밸브(910)를 설치한다.Further, in each of the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, a leak check pipe 700 for checking leakage is provided between each gas cylinder 300 and 500 and each gas control unit 400 and 600. It is connected. On the leak check pipe 700, the leak gas control unit 710 separates the third and fourth check valves 720 and 721 and the eleventh and twelfth valves 730 and 731, respectively, and are sequentially formed. . At this time, when replacing each gas cylinder, the first buffer valve 900 is installed between the leakage gas supply control unit 710 and the third check valve 720 to prevent bypass due to high pressure inflow, and supply the leakage gas. A second buffer valve 910 is installed between the controller 710 and the fourth check valve 721.

여기에 본 발명의 특징부로서, 제1 매뉴얼밸브(810)와 A가스공급관(100')과 B가스공급관(200)의 접점 사이에 제1 정제기(F1)를 설치하고 있다. 이 제1 정제기(F1)는 공급된 가스로부터 1차적으로 화학적 필터링을 수행하는 화학적필터와, 상기 화학적으로 필터링된 가스의 역유입을 차단하여 역오염을 방지하는 역유입방지수단과, 상기 역유입방지수단으로부터 유입되는 가스에서 2차적으로 필터링하는 매카니컬필터로 구성되어 있다. 또한, 제1 정제기(F1)의 전후단에는 제3 매뉴얼밸브(811)과 제4 매뉴얼밸브(812)가 설치되어 있다.As a feature of the present invention, a first purifier F1 is provided between the first manual valve 810 and the contact point of the A gas supply pipe 100 'and the B gas supply pipe 200. The first purifier F1 includes a chemical filter for performing chemical filtering primarily from a supplied gas, a reverse flow preventing means for preventing reverse contamination by blocking reverse flow of the chemically filtered gas, and reverse flow inflow. It consists of a mechanical filter which filters secondarily in the gas which flows in from a prevention means. In addition, the third manual valve 811 and the fourth manual valve 812 are provided at the front and rear ends of the first purifier F1.

또한, 제2 매뉴얼밸브(820)와 A가스공급관(100')과 B가스공급관(200)의 접점 사이에 제2 정제기(F2)를 설치하고 있다. 이 제2 정제기(F2)의 구성은 제1 정제기(F1)와 동일하다. 또한, 제2 정제기(F2)의 전후단에는 제5 매뉴얼밸브(821)과 제6 매뉴얼밸브(822)가 설치되어 있다.In addition, a second purifier F2 is provided between the second manual valve 820, the contact point of the A gas supply pipe 100 ′ and the B gas supply pipe 200. The structure of this 2nd refiner F2 is the same as that of 1st refiner F1. In addition, the fifth manual valve 821 and the sixth manual valve 822 are provided at the front and rear ends of the second purifier F2.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 정제기가 적용된 가스공급시스템의 작용효과를 간단히 설명한다.The operation and effect of the gas supply system to which the purifier according to the present invention configured as described above is briefly described.

각 가스실린더(300, 500)에서 공급되는 가스가 각 가스공급관(100, 100', 200, 200')을 통해 반응챔버로 공급되어 수행하고자 하는 공정을 수행하게 되는데, 이 때 가스실린더에 저장된 원료가스의 공급조건이 변화되어 먼지 변동 및 수분에 의한 반응성 불순물 생성되더라도 상기 정제기(F1, F2)에서 필터링되므로 공정사고를 미리 예방할 수 있다. 또한, 가스원료에 불순물이 섞여 있더라도 상기 정제기(F1, F2)에서 필터링되므로 고순도의 가스를 반응챔버로 공급할 수 있다.Gas supplied from each gas cylinder (300, 500) is supplied to the reaction chamber through each gas supply pipe (100, 100 ', 200, 200') to perform a process to be performed, at this time raw materials stored in the gas cylinder Even if the supply conditions of the gas are changed to generate reactive impurities due to dust fluctuations and moisture, the refiners F1 and F2 are filtered, thereby preventing process accidents. In addition, even if impurities are mixed in the gas raw material, the refiners F1 and F2 are filtered so that high purity gas can be supplied to the reaction chamber.

결국, 반응챔버로 고순도 가스를 공급함으로써 공정불량을 방지하여 반도체소자의 특성을 향상시킬 수 있다.As a result, by supplying high-purity gas to the reaction chamber, process defects can be prevented to improve the characteristics of the semiconductor device.

이상, 본 실시예에서는 두 개의 가스공급라인에 대해 적용하였으나, 다수개의 공급라인을 구비하는 경우에도 적용할 수 있다.As described above, the present invention is applied to two gas supply lines, but may also be applied to a case in which a plurality of supply lines are provided.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템은, 각 가스공급라인과 반응챔버 사이에 정제기를 설치함으로써 가스실린더 및 가스컴포넌트의 교체 및 수리시 유입된 불순물을 제거할 뿐만 아니라 공급관 내에서 공정중에 발생하는 반응성 생성물을 제거하여 고순도의 가스를 반응챔버로 공급할 수 있으므로 반도체소자의 특성을 향상시킬 수 있다.As described above, the gas supply system of the semiconductor device manufacturing equipment according to the present invention, by installing a purifier between each gas supply line and the reaction chamber to remove impurities introduced during the replacement and repair of the gas cylinder and gas components as well as It is possible to supply high purity gas to the reaction chamber by removing the reactive product generated in the process in the supply pipe can improve the characteristics of the semiconductor device.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

Claims

And a reaction chamber, at least one gas cylinder storing gas supplied to the reaction chamber, and a gas supply line connecting the reaction chamber and the gas cylinder to install a gas component to control the gas flow. In the gas supply system of the semiconductor device manufacturing equipment,

And a purifier is installed between each gas supply line and the reaction chamber to supply high purity gas to the reaction chamber.

According to claim 1, wherein the purifier;

A chemical filter that performs chemical filtering primarily from the supplied gas,

A back flow prevention means for preventing back contamination by blocking back flow of the chemically filtered gas;

And a mechanical filter for secondaryly filtering the gas flowing from the reverse inflow preventing means.

2. The gas supply system of a semiconductor device manufacturing facility according to claim 1, wherein manual valves are provided at both ends of said refiner.