[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20010074030A - 콘덴서 마이크로폰의 제조방법 - Google Patents

콘덴서 마이크로폰의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010074030A
KR20010074030A KR1020000085218A KR20000085218A KR20010074030A KR 20010074030 A KR20010074030 A KR 20010074030A KR 1020000085218 A KR1020000085218 A KR 1020000085218A KR 20000085218 A KR20000085218 A KR 20000085218A KR 20010074030 A KR20010074030 A KR 20010074030A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fet
matching
circuit board
printed circuit
amplifying circuit
Prior art date
Application number
KR1020000085218A
Other languages
English (en)
Inventor
김종규
Original Assignee
이중국
주식회사 원일커뮤닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이중국, 주식회사 원일커뮤닉스 filed Critical 이중국
Priority to KR1020000085218A priority Critical patent/KR20010074030A/ko
Publication of KR20010074030A publication Critical patent/KR20010074030A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

웨이퍼에 형성한 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor: 이하, "FET"이라 한다.)와 커패시터를 포함하는 증폭회로를 구성하여 인쇄회로기판에 직접 본딩 (bonding)하여 콘덴서 마이크로폰의 소형화 및 특성을 향상시키는데 적당한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 관한 것으로, 소정 크기의 셀로 분할된 웨이퍼에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 형성하여 웨이퍼 상태의 정합 및 증폭회로 칩을 인쇄회로기판상의 패턴에 직접 본딩 처리하므로 제품의 조립공정 및 제품의 크기를 현저히 줄일 수 있어, 초소형의 제품을 생산할 수 있을 뿐만 아니라 단자를 납땜함에서 오는 노이즈를 제거할 수 있으며, 납땜할 때 발생된 열로 인하여 정합 및 증폭회로 칩의 FET에 접합된 단자가 단선되는 불량을 제거할 수 있는 것이다.

Description

콘덴서 마이크로폰의 제조방법{Method for manufacturing of condenser microphone}
본 발명은 콘덴서 마이크로폰에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor: 이하, "FET"이라 한다.)와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로를 형성하고, 이를 인쇄회로기판에 직접 본딩(bonding)하여 콘덴서 마이크로폰의 소형화 및 특성을 향상시키는데 적당한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 콘덴서 마이크로폰(Condenser Microphone)은 평행판 콘덴서의 정전 용량 변화를 이용한 마이크로폰으로서, 한 쪽을 고정전극, 다른 쪽을 도전성의 진동판 전극으로 하고, 이 양 전극간에 수 10 KΩ의 저항을 통해서 높은 직류전압을 가하게 되는데, 음압에 의해서 전극 간격이 달라지는 동시에 정전 용량이 변화할 때 생기는 전압이 음성신호로서 꺼내어진다.
주파수의 특성은 30,000 Hz부근까지 거의 평탄하며, 고충실도의 마이크로폰이지만 출력은 작고, 측정용 및 방송용을 포함하여 최근에는 휴대폰 등의 이동통신 단말기 등에 광범위하게 적용되고 있다.
이와 같은 콘덴서 마이크로폰의 동작이론 및 원리를 살펴보면, 이른바 콘덴서 마이크로폰의 내부 구성부품은 매우 정밀하고 또 외부의 전기잡음(Electric Noise)에 민감하므로 먼지 및 이물질의 침투와 전기잡음으로부터 충분하게 보호되기 위해 음파 유입구가 형성된 금속의 케이스 속에 적층 밀봉되어 있다.
음파 유입구를 통해 금속 진동판(Diaphragm)에 음파가 가해졌을 때 진동판이 진동하면 배극판(Polar Plate or Back Plate)과의 거리변화, 즉 음파에 따른 거리변화가 일어나는데, 이러한 물리적 변화현상을 전기적으로 해석하여 정전용량의 변화를 이해할 수 있다.
통상, 콘덴서 마이크로폰은 정전용량이 작고 전기적 임피던스가 높아 일반 증폭기(Amplifier)와 직결하여 사용할 수 없으므로 상기 증폭기가 요구하는 입력 임피던스와 정합시키기 위하여 임피던스 변환소자인 FET와 결합하여 사용된다.
여기서, FET는 전계효과 트랜지스터로서 소스, 게이트, 드레인의 3단자로 구성된 능동소자인데, 게이트의 전위가 변화함에 따라 드레인과 소스 간에 흐르는 전류 값이 변화함으로 ECMs(Electrostatic Condenser Microphone system)의 기본 작동회로를 구성하여 음파에 따른 전기적 신호를 얻을 수 있게 된다.
콘덴서 마이크로폰은 성극전압으로 수백 V의 직류 외부공급 전원이 요구되지만 ECMs는 무극성 콘덴서 마이크로폰의 일종으로 전하축적 특성이 우수한 고분자필름에 금속을 증착하여 진동판으로 사용하거나 고분자 필름을 배극판에 접착하여 전하를 축적시킴으로써 외부 공급전원을 생략시킨 것이다.
이와 같은 콘덴서 마이크로폰은 마이크나 전화기, 테이프 레코드 등에 장착하여 사용할 수 있도록 한 것이다.
이하에서는 첨부된 예시도면을 참조하여 종래의 콘덴서 마이크로폰에 대하여 설명하기로 한다.
도 1에 도시한 바와 같이 음파 유입구(9)가 천공된 케이스(8)와, 케이스(8) 상부에 위치하여 음파 유입구(9)를 통해 먼저, 습기 및 이물질 등이 케이스(8) 내부로 유입되는 것을 방지하는 필터(11)와, 케이스(8) 내부에 위치하며 음파 유입구(9)를 통해 유입된 음의 진동을 유도하도록 케이스(8) 내부에 공간을 유지시키는 진동판 링(7)과, 진동판 링(7)의 하단에 위치하여 음파 유입구(9)를 통해 유입된 음에 의해 진동하는 진동판(6)과, 진동판(6)의 하단에 위치하여 음의 진동을 전달하도록진공상태를 유지시키는 스페이서(5)와, 스페이서(5) 하단에 위치하며 각 부의 유동을 방지 및 지지하고, 전체 형상의 변형을 방지하는 지지물(3)과, 지지물(3) 내부에 위치하고 스페이서(5)에 의해 진동판(6)과 일정간격으로 진공상태를 유지하며 진동판(6)의 진동에 따라 변하는 정전용량을 검출하는 배극판(4)과, 지지물(3) 내부 및 배극판(4) 하단에 위치하며 정합용 FET(2)의 게이트와 상기 배극판(4)을 접속시키는 커넥션 링(10)과, 도전성 물질로 회로가 배선되어 있는 인쇄회로기판(1)과, 인쇄회로기판(1) 위에 접합되어 정전용량의 변화에 따른 전위변화를 전기신호로 증폭 변환하는 FET(2)로 구성된다.
여기서, FET(2)는 반도체 회사에서 패키지 처리하여 제품화한 것으로서, FET(2)를 패키지화 처리하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 반도체 회사에서 웨이퍼를 소정 크기로 스크라이빙(scribing)한 후 스크라이빙된 각 셀에 FET 칩(FET chip)을 형성한다. 이와 같이 웨이퍼에 형성된 각 FET 칩을 잘라낸 후 FET 칩의 밑면 표면에 형성된 게이트(gate), 소스(source), 드레인(drain) 부분에 각각 소정 길이의 단자(needle)를 각각 본딩한다. 본딩된 각 FET가 에폭시(epoxy)로 몰딩 처리되므로 하나의 FET(2)가 완성된다.
종래 기술은 상기와 같이 완성된 FET(2)를 이용하여 콘덴서 마이크로폰을 제조하는 것이다.
케이스(8) 내에 진동판 링(7)과 진동판(6), 스페이서(5), 배극판(4) 및 지지물(3)을 순차적으로 결합한다. 그리고 마지막으로 FET(2)가 납땜된 인쇄회로기판(1)을 지지물(3) 하단과 케이스(8)에 결합 고정시킴으로 하나의 콘덴서 마이크로폰을 제조한다.
여기서, FET(2)와 인쇄회로기판(1)을 납땜으로 결합하는 과정은 다음과 같다.
먼저, FET(2)의 드레인단자, 소스단자, 게이트단자를 각각 인쇄회로기판(1)에 구비된 해당 홀에 접속하고, FET(2)의 게이트단자는 배극판(4)에 연결한다. 여기서, 상기 FET(2)의 게이트와 배극판(4)의 연결은 점접촉으로 직접 연결하는 방법과, 케넥션 링(10)을 이용하는 방법이 있는데, 최근에는 커넥션 링(10)을 이용하여 연결하는 방법이 주로 사용되고 있다.
FET(2)와 인쇄회로기판(1)을 연결하기 위해 각 드레인단자, 소스단자, 게이트단자의 끝단은 각각 인쇄회로기판(1)을 향하도록 소정 각도로 절곡한다.
각각 절곡된 드레인단자, 소스단자 및 게이트단자의 끝단은 인쇄회로기판(1)에 구비된 관통홀에 삽입한다. 관통홀을 통해 인쇄회로기판(1)을 관통한 드레인단자, 소스단자, 게이트단자는 인쇄회로기판(1)을 일시적으로 고정시킨다. 제조공정 후에는 일시적으로 고정시키기 위해 절곡시킨 각각의 단자는 다시 원상태로 절곡해야 한다.
여기서, FET(2)와 인쇄회로기판(1)과의 연결은 납땜을 사용하거나, 표면 장착기기 (SMD:Surface Mount Device)를 사용하여 접합한다.
이와 같이 FET(2)와 인쇄회로기판(1)의 연결이 완료된 후 인쇄회로기판(1)을 케이스(9) 내에 결합함으로써 하나의 콘덴서 마이크로폰이 완성된다.
콘덴서 마이크로폰의 크기는 그 크기의 가장 큰 요인인 FET(2)의 크기에 의해 결정되며, 일반적으로 이와 같이 제조된 FET(2)를 이용하여 콘덴서 마이크로폰을 제조할 경우 그 두께(T)는 1.5mm까지 제조가 가능하다.
그러나 이와 같은 종래 기술에 따른 콘덴서 마이크로폰은 드레인단자, 소스단자 및 게이트단자를 반복적으로 절곡하므로 인해서 절곡부위가 단선되는 등의 문제가 있다.
또한, FET의 단자와 인쇄회로기판을 납을 이용하여 본딩함으로 접촉저항으로 인한 노이즈가 발생하며, 인쇄회로기판의 배면에서 선을 연결하기 위해 열을 가할 경우 FET에 접합된 단자가 단선되는 불량이 발생하는 문제점이 있다.
한편, 콘덴서 마이크로폰의 핵심 소재인 FET를 생산하는 반도체 제조회사의 생산방법과 생산량에 의존해야 함으로 인해 콘덴서 마이크로폰의 생산량에도 제한을 받는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로 웨이퍼의 각 셀에 형성된 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 인쇄회로기판상의 패턴에 직접 본딩함으로써 정합 및 증폭회로를 구성하는 FET단자의 단선으로 인한 불량을 방지하고, 노이즈 제거 및 초소형의 제품을 생산하는데 적당한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
뿐만 아니라 본 발명은 인쇄회기판상의 패턴에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 직접 본딩함으로써 콘덴서 마이크로폰의 제조공정에서의 에러를 줄일 수 있고, 제조공정 시간을 단축할 수 있는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래의 콘덴서 마이크로폰의 소정부위를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 소정부위를 절단하여 나타낸 단면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
31 : 인쇄회로기판 32 : 정합 및 증폭회로 칩
33 : 사출물 34 : 배극판
35 : 스페이스 36 : 진동판
37 : 배극판 링 38 : 케이스
39 : 유입구 40 : 커넥션 링
41 : 필터
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 케이스, 진동판 링, 진동판, 스페이서, 지지물, 배극판, 커넥션 링, FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩 인쇄회로기판을 구비한 콘덴서 마이크로폰 제조방법에 있어서, 웨이퍼를 소정 크기의 셀로 분할한 후 상기 각 셀에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 형성하는 단계와, 상기 정합 및 증폭회로 칩을 도전체로 패턴된 인쇄회로기판의 해당 위치에 고정시키는 단계와, 상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET에 형성된 드레인, 소스, 게이트단과 인쇄회로기판의 해당 연결부분을 금속 와이어로 본딩하는 단계와, 상기 정합 및 증폭회로 칩과 함께 인쇄회로기판의 표면을 몰딩한 후 동작상태를 테스트하는 단계 및 상기 케이스 내에 진동판 링, 스페이서, 지지물, 배극판, 커넥션링 및 상기 정합 및 증폭회로 칩이 본딩된 인쇄회로기판을 순차적으로 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 접착시키기 위한 인쇄회로기판은 상하면에 각각 도전성 물질로 회로가 패턴되어 있고 이 면은 납으로 리플로우(reflow) 된 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판의 고정은 정합 및 증폭회로 칩의 FET의 드레인, 소스, 게이트 노출부위를 상기 인쇄회로기판 중 회로패턴에 접착하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 상기 인쇄회로기판을 고정할 때 반도전성의 접착제로 접착 고정하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 접착제는 은(Ag)과 에폭시(epoxy)를 일정비율로 혼합한 은에폭시(Ag epoxy)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 정합 및 증폭회로의 FET와 인쇄회로기판의 와이어 본딩은 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어 중 어느 하나를 선택적으로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판의 몰딩은 에폭시 레진으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 에폭시 레진은 CR-2000, CRH-210을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 있어서, 상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판을 에폭시 레진으로 몰딩한 후 120 내지 180℃에서 1시간 10분 내지 1시간 50분 동안 건조하는 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부된 도면들에 의거하여 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 소정부위를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 콘덴서 마이크로폰의 각 부를 보호하고 외형을 유지시키며, 음파 유입구(39)가 그 상부에 천공되어 있는 케이스(38)와, 상기 케이스(38)의 외부에 위치하며 케이스(38)의 음파 유입구(39)를 통해 습기와 먼지 등의 이물질이 유입되는 것을 방지하는 필터(41)와, 케이스(38) 내부에 공간을 유지시키는 진동판 링 (37)과, 상기 진동판 링(37)의 하단에 위치하며 음파 유입구(39)를 통해 유입된 음에 의해 진동하는 진동판(36)과, 진동판(36)의 하단에 위치하여 음의 진동을 전달하도록 진공상태를 유지시키는 스페이서(35)와, 스페이서(35) 하단에 위치하며 각 부의 유동을 방지 및 지지하고, 전체형상의 변형을 방지하는 지지물(33)과, 지지물 (33) 내부에 위치하고 스페이서(35)에 의해 진동판(36)과 일정간격 진공상태를 유지하며 진동판(36)의 진동에 따른 정전용량의 변화를 검출하는 배극판(34)과, 지지물(33) 내부 및 배극판(34) 하단에 위치하며 정합 및 증폭회로 칩(32)을 구성하는 FET의 게이트와 상기 배극판(34)을 접촉시키는 커넥션 링(40), 도전성 물질로 회로가 배선되어 있는 인쇄회로기판(31)과, 인쇄회로기판(31) 위에 접합되어 정전용량의 변화에 따른 전위변화를 전기신호로 정합 및 증폭하는 FET와 커패시터 등을 포함하는 정합 및 증폭회로 칩(32)으로 구성된다.
여기서, 상기와 같이 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 반도체 집적회로(IC)의 원재료로 사용되는 실리콘 단결정으로 된 원판 모양의 웨이퍼(도면에 도시하지 않았음)를 다수개의 셀로 분할한다. 웨이퍼 분할은 다이아몬드 커터 등을 이용해 웨이퍼 표면에 가로ㆍ세로로 일정한 간격으로 홈을 내는 스크라이빙 방법이 있으며, 날카로운 칼이 달린 휠을 회전시켜 웨이퍼 표면에 가로ㆍ세로 일정한 간격을 홈을 내는 쏘잉(sawing) 방법이 있다. 최근에는 분할면이 거칠지 않고 보다 정교하게 분할이 가능한 쏘잉방법을 주로 사용하고 있다. 이때 웨이퍼의 각 셀은 0.4mm×0.4mm의 크기로 분할한다.
이와 같이 분할된 상기 웨이퍼의 각 셀에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩(32)을 형성한다.
한편, 도전성 물질로 회로가 배선된 인쇄회로기판(31)의 배면은 납(solder paster)을 이용하여 리플로우 처리한다. 인쇄회로기판(31)의 리플로우로 인하여 납땜이 필요한 부분에 납을 접착시킨다.
이어서, 납으로 리플로우된 인쇄회로기판(31)의 다른 일측에 웨이퍼에 형성된 정합 및 증폭회로 칩(32)을 고정시킨다. 고정하는 방법은 정합 및 증폭회로 칩(32)의 밑면에 노출된 FET의 게이트, 드레인, 소스와 인쇄회로기판(31)의 해당 위치에 접착제를 사용하여 접착함으로서 고정시킨다. 접착제는 은(Ag)과 에폭시가 적당한 비율로 혼합된 반 도전성의 물질을 사용한다.
정합 및 증폭회로 칩(32)이 인쇄회로기판에 고정된 상태에서 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어를 사용하여 정합 및 증폭회로 칩(32)의 FET의 드레인, 소스, 게이트와 인쇄회로기판(31)의 해당 위치를 본딩한다. 드레인, 소스에 본딩되는 부분은 인쇄회로기판의 밑면의 패턴과 연결되어 음성신호를 출력할 외부단자로 연결한다.
게이트와 본딩되는 인쇄회로기판(31)의 일부 면은 커넥션 링(40)과 접속되어 도전되며 커넥션 링(40)은 배극판(34)에 접속되어 도전시키도록 한다.
여기서, 정합 및 증폭회로 칩(32)의 FET와 인쇄회로기판(31)의 본딩은 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어를 사용하며 그 두께는 30㎛이고, 에폭시 레진은 'CR-2000', 'CRH-210'을 사용하고, 120 내지 180℃에서 1시간 10분 내지 1시간 50분 동안 건조하여 완성한다. 위의 건조온도와 시간을 150℃에서 1시간 30분으로 하는 것이 가장 적절하다.
정합 및 증폭회로 칩(32)의 FET의 드레인, 소스, 게이트를 인쇄회로기판(31)에 각각 본딩한 후 인쇄회로기판(31)과 정합 및 증폭회로 칩(32)을 에폭시 레진(epoxy resin)으로 몰딩하여 제품의 부식을 방지하고, 이물질로부터 제품을 보호한다.
이와 같이 인쇄회로기판(31)과 정합 및 증폭회로 칩(32)의 연결을 완성하고, 정상적으로 동작하는지 도전상태 등을 테스트한다.
이어서, 상기 케이스(38) 내에 진동판 링(37)과 진동판(36), 스페이서(35), 지지물 (33), 배극판(34), 커넥션 링(40) 및 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩(32)이 여기서, 정합 및 증폭회로 칩(32)의 높이(T:thickness)는 0.2mm이고, 전체 콘덴서 마이크로폰의 높이(T)는 0.8∼1.0mm까지 가능하다.
따라서 본 발명에 의한 콘덴서 마이크로폰 제조방법에 의하면, 소정 크기의 셀로 분할된 웨이퍼에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 형성하여 웨이퍼 상태의 정합 및 증폭회로 칩을 인쇄회로기판상의 패턴에 직접 본딩 처리하므로 제품의 조립공정 및 제품의 크기를 현저히 줄일 수 있어, 초소형의 제품을 생산할수 있을 뿐만 아니라 단자를 납땜함에서 오는 노이즈를 제거할 수 있으며, 납땜시 발생된 열로 인하여 정합 및 증폭회로 칩의 FET에 접합된 단자가 단선되는 불량을 제거할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (9)

  1. 케이스, 진동판 링, 진동판, 스페이서, 지지물, 배극판, 커넥션 링, FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩 인쇄회로기판을 구비한 콘덴서 마이크로폰 제조방법에 있어서,
    웨이퍼를 소정 크기의 셀로 분할한 후 상기 각 셀에 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 형성하는 단계;
    상기 정합 및 증폭회로 칩을 도전체로 패턴된 인쇄회로기판의 해당 위치에 고정시키는 단계;
    상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET에 형성된 드레인, 소스, 게이트단과 인쇄회로기판의 해당 연결부분을 금속 와이어로 본딩하는 단계;
    상기 정합 및 증폭회로 칩과 함께 인쇄회로기판의 표면을 몰딩한 후 동작상태를 테스트하는 단계; 및
    상기 케이스 내에 진동판 링, 스페이서, 지지물, 배극판, 커넥션링 및 상기 정합 및 증폭회로 칩이 본딩된 인쇄회로기판을 순차적으로 결합하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 FET와 커패시터를 포함하는 정합 및 증폭회로 칩을 접착시키기 위한 인쇄회로기판은 상하면에 각각 도전성 물질로 회로가 패턴되어 있고 이 면은 납으로 리플로우 된 것을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판의 고정은 정합 및 증폭회로 칩의 FET의 드레인, 소스, 게이트 노출부위를 상기 인쇄회로기판 중 회로패턴에 접착함을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 상기 인쇄회로기판이 고정할 때 반도전성의 접착제로 접착 고정함을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 접착제는 은(Ag)과 에폭시(epoxy)를 일정비율로 혼합한 은에폭시(Ag epoxy)를 사용함을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 정합 및 증폭회로의 FET와 인쇄회로기판의 와이어 본딩은 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어 중 어느 하나를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판의 몰딩은 에폭시 레진으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 에폭시 레진은 CR-2000, CRH-210을 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 정합 및 증폭회로 칩의 FET와 인쇄회로기판을 에폭시 레진으로 몰딩한 후 120내지 180℃에서 1시간 10분 내지 1시간 50분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 상기 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
KR1020000085218A 2000-12-29 2000-12-29 콘덴서 마이크로폰의 제조방법 KR20010074030A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000085218A KR20010074030A (ko) 2000-12-29 2000-12-29 콘덴서 마이크로폰의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000085218A KR20010074030A (ko) 2000-12-29 2000-12-29 콘덴서 마이크로폰의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010074030A true KR20010074030A (ko) 2001-08-04

Family

ID=19703878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000085218A KR20010074030A (ko) 2000-12-29 2000-12-29 콘덴서 마이크로폰의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010074030A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411619B1 (ko) * 2001-08-13 2003-12-18 송기영 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
KR100486870B1 (ko) * 2002-07-30 2005-05-03 주식회사 비에스이 셀프 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰
KR100486868B1 (ko) * 2002-07-30 2005-05-03 주식회사 비에스이 증폭기를 내장한 콘덴서 마이크로폰
KR100502171B1 (ko) * 2002-07-30 2005-07-22 주식회사 비에스이 저전압 인가형 콘덴서 마이크로폰
KR100508915B1 (ko) * 2002-10-10 2005-08-19 송기영 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
KR100696166B1 (ko) * 2005-07-07 2007-03-20 주식회사 비에스이 와이어본딩 인쇄회로기판을 가지는 일렉트릿 콘덴서마이크로폰 및 이의 제조방법
WO2013077485A1 (ko) * 2011-11-24 2013-05-30 이오스 재팬, 인코포레이티드 조립이 간편한 콘덴서 마이크로

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411619B1 (ko) * 2001-08-13 2003-12-18 송기영 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
KR100486870B1 (ko) * 2002-07-30 2005-05-03 주식회사 비에스이 셀프 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰
KR100486868B1 (ko) * 2002-07-30 2005-05-03 주식회사 비에스이 증폭기를 내장한 콘덴서 마이크로폰
KR100502171B1 (ko) * 2002-07-30 2005-07-22 주식회사 비에스이 저전압 인가형 콘덴서 마이크로폰
KR100508915B1 (ko) * 2002-10-10 2005-08-19 송기영 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
KR100696166B1 (ko) * 2005-07-07 2007-03-20 주식회사 비에스이 와이어본딩 인쇄회로기판을 가지는 일렉트릿 콘덴서마이크로폰 및 이의 제조방법
WO2013077485A1 (ko) * 2011-11-24 2013-05-30 이오스 재팬, 인코포레이티드 조립이 간편한 콘덴서 마이크로

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8605919B2 (en) Microphone
US8842858B2 (en) Electret condenser microphone
KR100331600B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰의 제조방법
US7872404B2 (en) Piezoelectric vibrating reed device having improved electrode design
JP2009118468A (ja) Pcbに音孔が形成されたmemsマイクロホンパッケージ
KR20000006110A (ko) 압전음향부품
JPS63104512A (ja) 圧電共振子の封止構造
KR20050076564A (ko) 표면실장을 위한 평행육면체형 콘덴서 마이크로폰
KR20010074030A (ko) 콘덴서 마이크로폰의 제조방법
KR101066557B1 (ko) 플로팅 구조의 콘덴서 마이크로폰 조립체
KR101001108B1 (ko) 커패시터 마이크로폰용 피시비 모듈
KR100411619B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
KR101633643B1 (ko) 필터 모듈
EP1107642A2 (en) Condenser microphone
KR20090119268A (ko) 실리콘 콘덴서 마이크로폰 및 이에 사용되는 실리콘칩의제조방법
KR100409273B1 (ko) 칩 마이크로폰
JP2005057645A (ja) エレクトレットコンデンサマイクロホン
KR100644991B1 (ko) 표면실장형 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법
KR100643911B1 (ko) 초소형 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법
KR101241588B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰
CN218587330U (zh) 一种硅麦克风
JP2006332799A (ja) 音響センサ
JP2001332932A (ja) 圧電発振器
KR100409272B1 (ko) 칩 마이크로폰
KR200269433Y1 (ko) 콘덴서 마이크로폰

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early opening
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application