KR20000077037A - 압전 공진기 - Google Patents
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Abstract
Description
공식 | 계산 | 절대 차이 | |
제 1차 | 5 | 5.4 | 0.4 |
제 2차 | 2.5 7.5 | 2.43 7.15 | 0.07 0.35 |
제 3차 | 1.7 5 8.3 | 1.6 4.52 7.86 | 0.1 0.48 0.44 |
제 4차 | 1.25 3.75 6.25 8.75 | 1.25 3.54 5.94 8.4 | 0 0.21 0.34 0.35 |
제 5차 | 1 3 5 7 9 | 0.97 3 5.02 7.02 9.03 | 0.03 0 0.02 0.02 0.03 |
Claims (38)
- 두께 확장 진동 모드를 사용한 압전 공진기로서,n층의 압전 박막(thin-film)으로 이루어진 진동부를 포함하고, n은 2이상 정수이며, 상기 각 압전 박막층은 각각의 절연 박막층에 의해 분리되고, 상기 진동부의 제 1면으로부터 n번째 압전 박막층의 거리 d는 다음 공식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.d = t(2m-1)/2n(여진서, t는 상기 진동부의 두께이고, m은 n이하의 정수이다)
- 제 1항에 있어서, 상기 각 압전 박막층은, 일반적으로, 대향면에 형성된 전극을 갖는 평면 압전 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 2항에 있어서, 상기 각 압전 박막층 및 상기 각 절연 박막층은, 일반적으로, 평면형이고 서로 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 2항에 있어서, 상기 압전 박막층 및 상기 절연 박막층은, 탄성 정수의 온도 계수가 서로 역부호인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 동일 방향으로 분극되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막은 반대 방향으로 분극되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1항에 있어서, 상기 두께 t가 상기 두께 확장 진동 모드의 제 1공진 파장의 반파장과 동일한 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- a)두께 확장 진동 모드를 사용하며, n층의 압전 박막으로 이루어진 진동부를 포함하고, n은 2이상 정수이며, 상기 각 압전 박막층은 각각의 절연 박막층에 의해 분리되는 압전 공진기; 및b)상기 압전 공진기에서 여진되는 주요 진동 모드를 고차(higher-order) 진동 모드가 되도록, 상기 압전 공진기에 교류 전압을 인가하는 전압원;을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체(combination).
- 제 8항에 있어서, 상기 교류 전압은 상기 각 압전 박막층에 독립적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 8항에 있어서, 상기 고차 진동 모드는 n차 진동 모드인 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 10항에 있어서, 상기 진동부의 제 1면으로부터 n번째 압전 박막층의 거리 d는 다음 공식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.d = t(2m-1)/2n(여진서, t는 상기 진동부의 두께이고, m은 n이하의 정수이다)
- 제 11항에 있어서, 상기 각 압전 박막층은, 일반적으로, 대향면에 형성된 전극을 갖는 평면 압전 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 12항에 있어서, 상기 각 압전 박막층 및 상기 각 절연 박막층은, 일반적으로, 평면형이고 서로 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 13항에 있어서, 상기 압전 박막층 및 상기 절연 박막층은, 탄성 정수의 온도 계수가 서로 역부호인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 14항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 동일 방향으로 분극되고, 상기 전압원은 역위상의 교류 전압을 인접한 상기 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 14항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 반대 방향으로 분극되고, 상기 전압원은 동위상의 교류 전압을 상기 각 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 14항에 있어서, 상기 전압원은 교류 전압을, 역위상의 진동이 인접한 상기 압전 박막층에서 유도되도록, 상기 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 8항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 동일 방향으로 분극되고, 상기 전압원은 역위상의 교류 전압을 인접한 상기 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 8항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 반대 방향으로 분극되고, 상기 전압원은 동위상의 교류 전압을 상기 각 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 8항에 있어서, 상기 전압원은 교류 전압을, 역위상의 진동이 인접한 상기 압전 박막층에서 유도되도록, 상기 압전 박막층에 인가하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 11항에 있어서, 상기 두께 t가 상기 두께 확장 진동 모드의 제 1공진 파장의 반파장과 동일한 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- n층의 압전 박막으로 이루어진 진동부를 포함하고, n은 2이상 정수이며, 상기 각 압전 박막층은 각각의 절연 박막층에 의해 분리되는 압전 공진기;를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법으로서,상기 압전 공진기에서 여진되는 주요 진동 모드를 고차 진동 모드가 되도록, 상기 압전 박막층에 교류 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 교류 전압은 상기 각 압전 박막층에 독립적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 고차 진동 모드는 n차 진동 모드인 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 24항에 있어서, 상기 진동부의 제 1면으로부터 n번째 압전 박막층의 거리 d는 다음 공식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.d = t(2m-1)/2n(여진서, t는 상기 진동부의 두께이고, m은 n이하의 정수이다)
- 제 25항에 있어서, 상기 각 압전 박막층은, 일반적으로, 대향면에 형성된 전극을 갖는 평면 압전 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 각 압전 박막층 및 상기 각 절연 박막층은, 일반적으로, 평면형이고 서로 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 압전 박막층 및 상기 절연 박막층은, 탄성 정수의 온도 계수가 서로 역부호인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 28항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 동일 방향으로 분극되고, 역위상의 교류 전압은 인접한 상기 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 28항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 반대 방향으로 분극되고, 동위상의 교류 전압은 상기 각 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 28항에 있어서, 교류 전압은, 역위상의 진동이 인접한 상기 압전 박막층에서 유도되도록, 상기 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 동일 방향으로 분극되고, 역위상의 교류 전압은 인접한 상기 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 인접한 상기 압전 박막층은 반대 방향으로 분극되고, 동위상의 교류 전압은 상기 각 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 교류 전압은, 역위상의 진동이 인접한 상기 압전 박막층에서 유도되도록, 상기 압전 박막층에 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 25항에 있어서, 상기 두께 t가 상기 두께 확장 진동 모드의 제 1공진 파장의 반파장과 동일한 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 진동부의 제 1면으로부터 상기 각 압전 박막층의 거리 d는, 상기 압전 박막층의 중앙에서 두께 방향으로 측정되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 11항에 있어서, 상기 진동부의 제 1면으로부터 상기 각 압전 박막층의 거리 d는, 상기 압전 박막층의 중앙에서 두께 방향으로 측정하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기와 전압원의 결합체.
- 제 25항에 있어서, 상기 진동부의 제 1면으로부터 상기 각 압전 박막층의 거리 d는, 상기 압전 박막층의 중앙에서 두께 방향으로 측정하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기를 두께 확장 진동 모드에서 여진하는 방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20030073842A (ko) * | 2002-03-13 | 2003-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 박막용적 탄성공진기 필터 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6441539B1 (en) | 1999-11-11 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
JP3903842B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
US6936954B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-08-30 | Honeywell International Inc. | Bulk resonator |
DE10149542A1 (de) * | 2001-10-08 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator |
DE10155927A1 (de) * | 2001-11-14 | 2003-06-05 | Infineon Technologies Ag | Passivierter BAW-Resonator und BAW-Filter |
US6670866B2 (en) * | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
US7358831B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
US6946928B2 (en) | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
US7019605B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
EP1528677B1 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements |
US7391285B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-06-24 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Film acoustically-coupled transformer |
US7242270B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
JPWO2005107066A1 (ja) | 2004-04-30 | 2008-03-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子 |
US7615833B2 (en) | 2004-07-13 | 2009-11-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same |
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
JP2006203304A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 圧電薄膜共振器及びそれを用いた発振器並びにそれを内蔵した半導体集積回路 |
US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
US7436269B2 (en) | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
US7934884B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-05-03 | Lockhart Industries, Inc. | Ring binder cover |
US7443269B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-10-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit |
FR2889374A1 (fr) * | 2005-07-29 | 2007-02-02 | Michelin Soc Tech | Structure resonnante hybride pour verifier des parametres d'un pneumatique |
US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
US7391286B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
US7525398B2 (en) | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
US7425787B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
US7423503B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
US7561009B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
KR100718095B1 (ko) | 2005-12-19 | 2007-05-16 | 삼성전자주식회사 | 결합 공진 필터 및 그 제작 방법 |
US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
US7629865B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-12-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters |
US7515018B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-04-07 | Martin Handtmann | Acoustic resonator |
US7508286B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
DE102007042663A1 (de) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Krohne Ag | Ultraschallsonde |
US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
US9406865B2 (en) * | 2011-08-19 | 2016-08-02 | Qualcomm Incorporated | Composite piezoelectric laterally vibrating resonator |
US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
US20160352307A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mems resonator with high quality factor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1207974A (en) | 1966-11-17 | 1970-10-07 | Clevite Corp | Frequency selective apparatus including a piezoelectric device |
JPS58137317A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
JPS6016010A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
JPS60189307A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
JPS6367910A (ja) | 1986-09-10 | 1988-03-26 | Fujitsu Ltd | 圧電薄膜共振子 |
US5075641A (en) * | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
US5231327A (en) | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
US5587620A (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
JP3371050B2 (ja) | 1995-10-27 | 2003-01-27 | 三菱電機株式会社 | 薄膜圧電素子 |
US6140740A (en) * | 1997-12-30 | 2000-10-31 | Remon Medical Technologies, Ltd. | Piezoelectric transducer |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11129999A patent/JP3531522B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-11 US US09/547,193 patent/US6437482B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-12 DE DE60045628T patent/DE60045628D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-12 EP EP00108101A patent/EP1047189B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-18 KR KR10-2000-0020336A patent/KR100503664B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030073842A (ko) * | 2002-03-13 | 2003-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 박막용적 탄성공진기 필터 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1047189A3 (en) | 2001-09-19 |
DE60045628D1 (de) | 2011-03-31 |
JP3531522B2 (ja) | 2004-05-31 |
US6437482B1 (en) | 2002-08-20 |
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KR100503664B1 (ko) | 2005-08-19 |
EP1047189B1 (en) | 2011-02-16 |
EP1047189A2 (en) | 2000-10-25 |
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