KR20000041459A - 집광기로서 경사진 반사층을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광집속력이 증대되어 광감도를 향상시키고, 단위화소들 간의 광감도 균일도를 개선하며, 내열성이 우수한 이미지센서를 제공하고자 하는 것으로서, 이를 위한 본 발명의 이미지센서는, 광감지소자; 상기 광감지소자 상부에서 그 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 홈을 갖는 제1광투과절연막; 상기 홈의 측벽에 형성되어 외부로부터 입사되는 광을 상기 광감지소자로 집속하는 반사층; 상기 반사층이 형성된 기판 전면에 형성되어 평탄화된 제2광투과절연막; 및 상기 제2광투과절연막 상에 형성된 칼라필터를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 입사하는 광을 효과적으로 집광할 수 있도록 구현된 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서(image sensor)라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(charge coupled device: 이하 CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon: 이하 MOS) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 감광도(photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는바 그 중 하나가 집광기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 많이 연구되고 잇다.
도1은 종래기술에 의한 집광기술을 보여주는 종래의 이미지센서 단면도로서, 도1에는 집광에 관련된 이미지센서의 주요부분만이 개략적으로 도시되어 있다.
도1을 참조하면, 종래의 이미지센서는 광감지소자(102a, 102b, 102c) 이외의 영역(103)으로 광이 입사되는 것을 방지하기 위하여 층간절연막(105a, 105b) 내에 광차폐층(light shield layer)(104)이 형성되어 있으며, 그 위로 칼라필터(106a, 106b, 106c)가 어레이되어 있고, 칼라필터 위에는 마이크로렌즈(108a, 108b, 108c)가 형성되어 있다. 통상적으로 광감지소자(102a, 102b, 102c)는 포토게이트 또는 포토다이오드 등으로 형성되며 광차폐층(104)은 금속층으로 형성된다. 칼라필터(106a, 106b, 106c)의 재료로는 염료가 첨부된 레지스트가 주로 이용되고 있으며, 마이크로렌즈(108a, 108b, 108c)의 재료로는 레지스트 또는 그와 유사한 수지(resin)가 주로 이용된다. 광감지소자 102a에는 레드(Red)칼라필터 106a를 통과한 빛을 입사받으며, 입사되는 빛은 마이크로렌즈 108a를 통해 광감지소자 102a에 집광된다. 마찬가지로 그린(Green)칼라필터 106b 및 블루(Blue) 칼라필터 106c를 통과하는 빛은 그 상부에 형성된 마이크로렌즈 108b 및 108c에 의해 각각 집광되어 광감지소자 102b 및 102c에 입사된다. 잘 알려진 바와 같이, 층간절연막(105a, 105b)은 투명물질로서 통상 실리콘산화물계 박막이 적용되고, 칼라필터(106a, 106b, 106c) 상부에는 평탄화 또는 광투과도 향상을 목적으로 버퍼층이 형성되는바, 이 역시 통상 실리콘산화물계 물질 또는 포토레지스트가 적용된다.
한편, 마이크로렌즈는 각 광감지소자의 구성 즉, 단위화소의 크기와 위치, 모양, 그리고 광감지소자의 깊이, 그리고 광차폐층의 높이, 위치, 크기 등등에 의해 결정되는 최적의 크기와 두께 그리고 곡률반경으로 형성되어야 한다. 그러나, 점점 이미지센서가 고집적화 되어감에 따라 역시 단위화소의 크기가 축소되면서 마이크로렌즈의 크기도 그에 따라 축소되며 또한 마이크로렌즈로부터 광감지소자까지의 깊이는 깊어지게 되는 바, 이에 의해 마이크로렌즈가 정확한 광집속 기능을 수행하도록, 즉 원하는 광감지소자에 정확히 광을 집속하도록, 그 두께 및 곡률 반경 등을 설정하기가 매우 어렵게 된다.
또한, 원하는 광감지소자에 정확히 광이 집속되지 않고 벗어나므로써 어레이된 광감지소자들끼리의 광감도가 균일하지 않게 된다. 즉, 각 단위화소에 형성되는 마이크로렌즈는 각 단위화소의 광감지소자에 일정하게 정렬되기 때문에 가운데와 외곽 단위화소의 광감지소자에 도달하는 광의 양이 다르게되어 광감도의 불 균일도를 가져온다.
또한, 볼록렌즈 형상의 마이크로렌즈를 형성하는 방법은, 포토리소그라피 공정에 의해 레지스트 패턴을 형성하고 열처리에 의해 레지스트를 플로우시킨 다음, 베이킹(baking)을 실시하여 경화시키는 방법이 사용되고 있으나, 레지스트 물질 자체가 고온에 약하기 때문에 소자의 내열성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 광집속력이 증대되어 광감도를 향상시키는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 단위화소들 간의 광감도 균일도를 개선하기 위한 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 내열성이 우수한 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
도1은 종래기술에 의한 집광기술을 보여주는 종래의 이미지센서 단면도,
도2a 내지 도2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지센서 제조 공정도,
도3a 내지 도3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지센서 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
202 : 광감지소자 204 : 광차폐층
205, 209 : 절연막 206 : 버퍼절연막
207 : 쐐기형 홈 208 : 반사층
210 : 칼라필터
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서는, 광감지소자; 상기 광감지소자 상부에서 그 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 홈을 갖는 제1광투과절연막; 상기 홈의 측벽에 형성되어 외부로부터 입사되는 광을 상기 광감지소자로 집속하는 반사층; 상기 반사층이 형성된 기판 전면에 형성되어 평탄화된 제2광투과절연막; 및 상기 제2광투과절연막 상에 형성된 칼라필터를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도2a 내지 도2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지센서 제조 공정도이다.
도2a에는 통상적인 방법으로 광감지소자(202) 형성, 절연막(205) 형성, 광차폐층(204) 형성 등의 공정을 실시하여, 칼라필터가 형성되기 직전까지 공정이 완료된 상태이다.
이어서 본 실시예에서는, 도2b에 도시된 바와 같이, 버퍼절연막(206)을 소정두께로 증착하는 바, 이 버퍼절연막(206)은 평탄화 및 기판의 높이를 높이기 위한 목적으로 형성되는 것이다. 한편, 제품 및 그 설계에 따라 버퍼절연막(206)의 형성은 생략 가능하다.
이어서, 도2c에 도시된 바와 같이, 광감지소자(202) 상부의 절연막(205, 206)을 선택적으로 식각하여 하부로 갈수록 그 오픈 폭이 좁아지도록 경사진 쐐기형 홈(207)을 형성한다. 이때, 광감지소자(202)와 홈(207)의 저부가 서로 맞닿지 않도록 식각정도를 조절한다. 쐐기 형상으로 홈(207)을 형성하는 방법, 즉 경사지게 절연막을 식각하는 기술은 당업자라면 용이하게 실시할 수 있으므로 여기서 그 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 도2d에 도시된 바와 같이, 기판 전면에 반사층을 증착한 후 다시 비등방성 식각하여 홈의 측벽에 스페이서 형상의 반사층(208)을 형성한다. 반사층(208)은 실리콘(Si)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN), 알루미늄(Al)층, 구리(Cu)층 및 텅스텐(W)층 등 광에 대해 고반사율을 갖는 박막은 모두 적용될 수 있다.
이어서, 도2e에 도시된 바와 같이, 절연막(209)을 증착하여 기판을 평탄화시킨 다음, 이 절연막(209) 위에 칼라필터(210)를 어레이한다. 물론 칼라필터는 흑백이미지센서일 경우 필요가 없을 것이다.
결국, 도2e를 참조하면, 본 실시예에 따른 이미지센서는 광감지소자(202) 상부에서 하부로 갈수록 좁아지는 쐐기형 반사층(208)이 형성되어 있기 때문에, 빛이 다소 경사져서 입사되더라도 그 빛이 일단 반사층(208)과 만나게 되면 광감지소자(202) 쪽으로 집광되기 때문에 광감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 도2에서는 하나의 광감지소자에 대응되는 반사층만을 도시하였으나, 모든 광감지소자 상부에도 이러한 반사층이 형성되므로, 각 단위화소 들간의 광감지 균일도가 개선되게 된다. 그리고, 고온에 약한 레지스트 계열의 수지를 사용하는 마이크로렌즈가 필요 없기 때문에 이미지센서의 내열성을 개선할 수 있다.
도3a 내지 도3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지센서 제조 공정도이다.
먼저, 도 3a는 소자분리절연막(322), 포토다이오드(323), 층간절연막(324)이 형성된 반도체기판(321) 상에 포토다이오드(323)의 상부가 오픈되도록 금속막패턴(325)을 형성하고, 평탄화된 층간절연막(326) 및 절연막(327)을 적층한 상태를 나타내고 있다. 여기서, 상기 반도체기판(321)은 에피택셜실리콘층 또는 반도체층이 될 수도 있다. 포토다이오드(323)는 광감지소자로서 불순물확산에 의해 형성되는 베리드(buried) 포토다이오드로 도시되어 있다. 금속막패턴(325)은 광차폐(photo-shield) 역할을 하는데, 단위 포토다이오드(323)의 상부에서 그 주변을 에워싸는 막대 형태의 패턴으로 형성되어 있다. 물론 층간절연막(326)이 충분한 두께로 형성되어 절연 효과가 충분하다면, 상기 절연막(327)은 형성하지 않을 수도 있다.
그 다음에, 도3b에 도시된 바와 같이, 상기 절연막(327) 및 층간절연막(326)을 선택적으로 식각하여, 상기 포토다이오드(323) 상부가 오픈되는 홈(328)을 형성하되, 홈의 저부로 갈수록 그 폭이 좁아지도록 측벽(329)이 경사지도록 형성한다. 그리고 그 저부는 상기 금속막패턴(25)과 맞닿도록 금속막패턴(25)이 노출될때까지 식각을 수행한다.
이어서, 도3c에 도시된 바와 같이, 전체구조의 상부의 타포로지를 따라 일정두께의 금속막(330)을 증착한다. 이때 상기 금속막(330)은 고반사율을 갖는 알루미늄(Al) 합금막을 사용한다.
이어서, 도3d에 도시된 바와 같이, 선택적 식각 공정으로 홈(328)의 저면에 증착된 금속막(330a)만을 식각하여 포토다이오드(323) 상부에는 금속막이 오버랩되어 존재하지 않도록 한다.
이어서, 도3e와 같이, 전면에 평탄화된 절연막(332)을 증착하여 기판을 평탄화시킨 다음, 이 절연막(332) 위에 칼라필터(333)를 어레이한다. 물론 칼라필터는 흑백이미지센서일 경우 필요가 없을 것이다.
결국, 도3e를 참조하면, 본 실시예에 따른 이미지센서는 광감지소자 상부에 하부로 갈수록 좁아지는 경사진 반사층이 형성되어 있기 때문에, 빛이 다소 경사져서 입사되더라도 그 빛이 일단 반사층과 만나게 되면 광감지소자 쪽으로 집광되기 때문에 광감도를 향상시킬 수 있다. 그리고, 단위화소들간의 광감도 균일도를 향상시킬 수 있으며, 레지스트를 사용하는 마이크로렌즈와 달리 상대적으로 내열성이 증대되어 소자의 신뢰성이 향상되는 또 다른 이점이 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지센서는 광집속력이 증대되어 광감도가 향상되고, 단위화소들 간의 광감도 균일도를 개선할 수 있으며, 또한 내열성이 우수하기 때문에 이미지센서의 성능 및 신뢰성을 크게 향상시키는 탁월한 효과가 있다.
Claims (8)
- 이미지센서에 있어서,광감지소자;상기 광감지소자 상부에서 그 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 홈을 갖는 제1광투과절연막; 및상기 홈의 측벽에 형성되어 외부로부터 입사되는 광을 상기 광감지소자로 집속하는 반사층을 포함하여 이루어진 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 반사층이 형성된 기판 전면에 형성되어 평탄화된 제2광투과절연막; 및상기 제2광투과절연막 상에 형성된 칼라필터를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반사층은 금속막임을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1광투과절연막은 다층으로 이루어짐을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반사층이 실리콘층, 티타늄층, 티타늄나이트라이드, 알루미늄층, 구리층 및 텅스텐층 중 어느 하나임을 특징으로 하는 이미지센서.
- 이미지센서 제조 방법에 있어서,반도체층에 광감지소자를 형성하는 제1단계;상기 제1단계가 완료된 결과물 전면에 제1광투과절연막을 형성하는 제2단계;상기 광감지소자 상부 지역의 상기 제1광투과절연막을 선택적으로 식각하여 홈을 형성하되, 상기 홈이 그 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 갖도록 경사식각하는 제3단계; 및상기 홈의 측벽에 상기 광감지소자로 광을 집속하는 반사층을 형성하는 제4단계를 포함하여 이루어진 이미지센서 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 제4단계가 완료된 결과물 전면에 평탄화된 제2광투과절연막을 형성하는 제5단계;상기 제2광투과절연막 상에 칼라필터를 형성하는 제6단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서,상기 반사층은 실리콘층, 티타늄층, 티타늄나이트라이드, 알루미늄층, 구리층 및 텅스텐층 중 어느 하나임을 특징으로 하는 이미지센서.
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| KR1019980057318A KR20000041459A (ko) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 집광기로서 경사진 반사층을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 |
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056338A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR100689582B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2007-03-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 트렌치 측벽에 광집속도 향상을 위한 반사층을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100700273B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-03-26 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반사막을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100748326B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2007-08-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR100754742B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-09-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광도파관을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100755666B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-09-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100760137B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100778870B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2007-11-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반사 방식의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| US7446359B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor integrated circuit devices including a photo absorption layer |
| KR100906556B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100949257B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-03-25 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
| KR101045206B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2011-06-30 | 삼성전자주식회사 | 여기광 흡수 도파로가 삽입된 집적된 바이오칩 및 그 제조방법 |
| KR101327096B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2013-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조방법 |
| CN107240592A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-10-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高光利用率的图像传感器及其制备方法 |
-
1998
- 1998-12-22 KR KR1019980057318A patent/KR20000041459A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689582B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2007-03-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 트렌치 측벽에 광집속도 향상을 위한 반사층을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100754742B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-09-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광도파관을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100700273B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-03-26 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반사막을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100748326B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2007-08-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR20030056338A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US7446359B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor integrated circuit devices including a photo absorption layer |
| KR100760137B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100755666B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-09-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100778870B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2007-11-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반사 방식의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100906556B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100949257B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-03-25 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
| KR101045206B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2011-06-30 | 삼성전자주식회사 | 여기광 흡수 도파로가 삽입된 집적된 바이오칩 및 그 제조방법 |
| US8263001B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated bio-chip, method of fabricating the integrated bio-chip, and apparatus for detecting bio-material |
| KR101327096B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2013-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조방법 |
| CN107240592A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-10-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高光利用率的图像传感器及其制备方法 |
| CN107240592B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-05-15 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高光利用率的图像传感器及其制备方法 |
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