KR19990040283U - Layer alignment mark - Google Patents
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Abstract
본 고안은 1번의 레이어 정렬 검사로 가로 및 세로 방향이 서로 다른 하부레이어들의 패턴과 상부레이어를 정렬시키기 위한 레이어 정렬 마크에 관한 것이다.The present invention relates to a layer alignment mark for aligning an upper layer with a pattern of lower layers having different horizontal and vertical directions in one layer alignment inspection.
본 고안의 정렬 마크는 제 1 레이어와 제 2 레이어가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 상부레이어가 형성된 상태에서 상기 제 1 레이어에 형성되며 일방향의 두 개의 바형태인 제 1 마크, 상기 제 2 레이어에 형성되며 상기 제 1 마크와 수직방향의 두 개의 바형태인 제 2 마크와, 상기 상부레이어에 형성되며 상기 제 1, 제 2 마크와 비교하여 안쪽 박스 형태의 제 3 마크를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The alignment mark of the present invention is formed on the first layer in a state in which an upper layer is formed on a pattern having a structure in which a first layer and a second layer are stacked, and a first mark having two bars in one direction and the second layer. And a second mark formed at two bars in a vertical direction with the first mark, and a third mark formed at the upper layer and having an inner box shape compared to the first and second marks. It is done.
Description
본 고안은 레이어 정렬 마크에 관한 것으로, 특히 경제적 효율을 향상시키는 레이어 정렬 마크에 관한 것이다.The present invention relates to a layer alignment mark, and more particularly to a layer alignment mark to improve the economic efficiency.
도 1a는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 1 마크를 나타낸 평면도이고, 도 1b는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 2 마크를 나타낸 평면도이며, 도 1c는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 3 마크를 나타낸 평면도이다.1A is a plan view showing a first mark of a conventional layer alignment mark, FIG. 1B is a plan view showing a second mark of a conventional layer alignment mark, and FIG. 1C is a plan view showing a third mark of a conventional layer alignment mark. .
그리고, 도 2a는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 1 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 3 마크를 나타낸 평면도이고, 도 2b는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도이다.2A is a plan view showing first and third marks when the first layer of the conventional layer alignment mark and the photosensitive film are aligned, and FIG. 2B is a second planar measure of the alignment between the second layer and the photosensitive film of the conventional layer alignment mark. 2, a plan view showing a third mark.
제 1 레이어(11)와 제 2 레이어(13)가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 제 1 감광막(15)이 형성된 상태에서 종래의 박스-인-박스(Box-in-Box)의 레이어 정렬 마크는 도 1a에서와 같이, 상기 제 1 레이어(11)에 형성된 바깥쪽 박스 형태의 제 1 마크(12), 도 1b에서와 같이, 상기 제 1 마크(12)와 마찬가지로 상기 제 2 레이어(13)에 형성된 바깥쪽 박스 형태의 제 2 마크(14)와, 도 1c에서와 같이, 상기 제 1 감광막(15)에 형성되며 상기 제 1, 제 2 마크(12,14)와 비교하여 안쪽 박스 형태의 제 3 마크(16)로 형성된다.Layer alignment mark of a conventional box-in-box in a state in which the first photosensitive film 15 is formed on a pattern having a structure in which the first layer 11 and the second layer 13 are stacked. 1A, the first mark 12 in the form of an outer box formed on the first layer 11, as in the first mark 12, as shown in FIG. 1B, the second layer 13. The second mark 14 in the form of an outer box formed in the first photosensitive film 15, as shown in Figure 1c, and compared to the first and second marks 12, 14 in the form of an inner box The third mark 16 is formed.
상기와 같이 구성된 종래의 박스-인-박스의 레이어 정렬 마크를 사용하여 상기 패턴에 대해 제 1 감광막(15)의 정렬 방법은 다음과 같다.The alignment method of the first photosensitive film 15 for the pattern using the layer alignment mark of the conventional box-in-box configured as described above is as follows.
제 1 레이어(11)와 제 2 레이어(13)가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 제 1 감광막(15)이 형성된 상태에서 도 2a에서와 같이, 상기 제 1, 제 3 마크(12,16)의 에지(Edge)를 검출하여 정렬검사기(도면에 도시하지 않음)에 의해 상기 제 1, 제 3 마크(12,16)의 각 중심위치를 비교하므로 즉 상기 제 1, 제 3 마크(12,16)의 상대적인 위치 차이를 측정하므로 상기 제 1 레이어(11)와 제 1 감광막(15)의 정렬위치 차이를 발견한다.As shown in FIG. 2A, the first and third marks 12 and 16 are formed in a state in which the first photosensitive film 15 is formed on a pattern having a structure in which the first layer 11 and the second layer 13 are stacked. Edges of the first and third marks 12 and 16 are compared by an alignment checker (not shown), that is, the first and third marks 12 and 16 are compared. Since the relative position difference between the first layer 11 and the first photosensitive film 15 is found, the relative position difference between the first layer 11 and the first photosensitive film 15 is found.
그리고, 도 2b에서와 같이, 상기 제 2, 제 3 마크(14,16)의 에지를 검출하여 정렬검사기(도면에 도시하지 않음)에 의해 상기 제 2, 제 3 마크(14,16)의 각 중심위치를 비교하므로 즉 상기 제 2, 제 3 마크(14,16)의 상대적인 위치 차이를 측정하므로 상기 제 2 레이어(13)와 제 1 감광막(15)의 정렬위치 차이를 발견한다.As shown in FIG. 2B, the edges of the second and third marks 14 and 16 are detected, and each of the second and third marks 14 and 16 is detected by an alignment checker (not shown). By comparing the center position, that is, by measuring the relative position difference between the second and third marks 14 and 16, the difference between the alignment positions of the second layer 13 and the first photosensitive film 15 is found.
이때, 상기 패턴에 대해 제 1 감광막(15)이 정렬되지 않으면 상기 제 1 감광막(15)을 제거하고 그 측정 결과에 의해 다시 상기 패턴과 정렬된 제 2 감광막(도시하지 않음)을 상기 패턴상에 형성한다.At this time, if the first photoresist film 15 is not aligned with the pattern, the first photoresist film 15 is removed and a second photoresist film (not shown) aligned with the pattern is again formed on the pattern by the measurement result. Form.
그러나 종래의 박스-인-박스의 레이어 정렬 마크는 각 레이어에 박스 형태의 정렬마크가 형성되어 일방향에서만 레이어 정렬 정도가 측정되기 때문에 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the layer alignment mark of the conventional box-in-box has the following problems because the alignment mark of the box shape is formed in each layer so that the degree of layer alignment is measured only in one direction.
첫째, 가로 및 세로 방향이 서로 다른 제 1, 제 2 레이어가 적층된 패턴과 감광막의 정렬시 가로 및 세로 방향을 측정하여야 하므로 가로 및 세로 방향의 즉 제 1 레이어와 감광막 및 제 2 레이어와 감광막의 2번의 레이어 정렬 검사가 필요하다.First, since the horizontal and vertical directions should be measured when the first and second layers having different horizontal and vertical directions are stacked and the photosensitive film is aligned, that is, the first and second layers and the second and Two layer alignment checks are required.
둘째, 제 1, 제 2 레이어와 감광막을 동시에 정렬 검사하지 못하므로 일방향에 대하여 제 1, 제 2 레이어간의 정렬 정도를 알 수 없다.Second, since the first and second layers and the photoresist may not be aligned at the same time, the degree of alignment between the first and second layers in one direction may not be known.
본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 1번의 레이어 정렬 검사로 가로 및 세로 방향이 서로 다른 하부레이어들의 패턴과 상부레이어를 정렬시키는 레이어 정렬 마크를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a layer alignment mark for aligning a pattern and an upper layer of lower layers having different horizontal and vertical directions by one layer alignment inspection.
도 1a는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 1 마크를 나타낸 평면도1A is a plan view showing a first mark of a conventional layer alignment mark
도 1b는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 2 마크를 나타낸 평면도1B is a plan view showing a second mark of a conventional layer alignment mark
도 1c는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 3 마크를 나타낸 평면도1C is a plan view showing a third mark of a conventional layer alignment mark
도 2a는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 1 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 3 마크를 나타낸 평면도2A is a plan view showing first and third marks when measuring alignment of a first layer and a photosensitive film of a conventional layer alignment mark;
도 2b는 종래의 레이어 정렬 마크의 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도FIG. 2B is a plan view illustrating second and third marks when measuring alignment of a second layer and a photosensitive film of a conventional layer alignment mark; FIG.
도 3a와 도 3b는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 1 마크를 나타낸 평면도3A and 3B are plan views showing first marks of alignment marks according to an embodiment of the present invention.
도 3c와 도 3d는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 2 마크를 나타낸 평면도3C and 3D are plan views illustrating second marks of alignment marks according to an embodiment of the present invention.
도 3e는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 3 마크를 나타낸 평면도Figure 3e is a plan view showing a third mark of the alignment mark in accordance with an embodiment of the present invention
도 4a는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 1, 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도4A is a plan view illustrating first, second, and third marks when measuring alignment of the first and second layers of the alignment mark and the photosensitive film according to an embodiment of the present invention;
도 4b는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 가로방향의 제 1, 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도4B is a plan view illustrating first, second, and third marks in the alignment measurement of the first and second layers and the photosensitive film in the horizontal direction of the alignment mark according to an embodiment of the present invention;
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
31: 제 1 레이어 32: 제 1 마크31: first layer 32: first mark
33: 제 2 레이어 34: 제 2 마크33: second layer 34: second mark
35: 제 1 감광막 36: 제 3 마크35: first photosensitive film 36: third mark
본 고안의 정렬 마크는 제 1 레이어와 제 2 레이어가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 상부레이어가 형성된 상태에서 상기 제 1 레이어에 형성되며 일방향의 두 개의 바형태인 제 1 마크, 상기 제 2 레이어에 형성되며 상기 제 1 마크와 수직방향의 두 개의 바형태인 제 2 마크와, 상기 상부레이어에 형성되며 상기 제 1, 제 2 마크와 비교하여 안쪽 박스 형태의 제 3 마크를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The alignment mark of the present invention is formed on the first layer in a state in which an upper layer is formed on a pattern having a structure in which a first layer and a second layer are stacked, and a first mark having two bars in one direction and the second layer. And a second mark formed at two bars in a vertical direction with the first mark, and a third mark formed at the upper layer and having an inner box shape compared to the first and second marks. It is done.
상기와 같은 본 고안에 따른 레이어 정렬 마크의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, preferred embodiments of the layer alignment mark according to the present invention as described above in detail as follows.
도 3a와 도 3b는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 1 마크를 나타낸 평면도이고, 도 3c와 도 3d는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 2 마크를 나타낸 평면도이며, 도 3e는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 3 마크를 나타낸 평면도이다.3A and 3B are plan views illustrating first marks of alignment marks according to embodiments of the present invention, and FIGS. 3C and 3D are plan views illustrating second marks of alignment marks according to embodiments of the present invention and FIG. 3E. Is a plan view showing a third mark of the alignment mark according to an embodiment of the present invention.
그리고, 도 4a는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 제 1, 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도이며, 도 4b는 본 고안의 실시예에 따른 정렬 마크의 가로방향의 제 1, 제 2 레이어와 감광막의 정렬 측정시 제 1, 제 2, 제 3 마크를 나타낸 평면도이다.And, Figure 4a is a plan view showing the first, second, third marks in the alignment measurement of the first, second layer and the photosensitive film of the alignment mark according to an embodiment of the present invention, Figure 4b is an embodiment of the present invention Fig. 1 is a plan view showing first, second and third marks in the alignment measurement of the first and second layers in the transverse direction of the alignment mark and the photosensitive film.
제 1 레이어(31)와 제 2 레이어(33)가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 제 1 감광막(35)이 형성된 상태에서 본 고안의 실시예에 따른 레이어 정렬 마크는 도 3a에서와 같이, 제 1 레이어(31)에 형성되며 왼쪽과 오른쪽의 두 개의 바형태인 제 1 마크(32), 도 3c에서와 같이, 제 2 레이어(33)에 형성되며 위와 아래의 두 개의 바형태인 제 2 마크(34)와, 도 3e에서와 같이, 제 1 감광막(35)에 형성되며 상기 제 1, 제 2 마크(32,34)와 비교하여 안쪽 박스형태의 제 3 마크(36)로 형성된다.In the state in which the first photosensitive film 35 is formed on a pattern having a structure in which the first layer 31 and the second layer 33 are stacked, the layer alignment mark according to the embodiment of the present invention is as shown in FIG. A first mark 32 formed in one layer 31 and having two bars on the left and right sides, as shown in FIG. 3C, a second mark formed in the second layer 33 and having two bars on the top and bottom. 3, and as shown in FIG. 3E, it is formed in the first photosensitive film 35 and is formed of a third mark 36 in the form of an inner box compared with the first and second marks 32 and 34. FIG.
여기서, 상기 제 1, 제 2 마크(32,34)는 1 ~ 5㎛의 폭을 갖는다.Here, the first and second marks 32 and 34 have a width of 1 to 5 μm.
상기 제 1, 제 2 마크(32,34)는 바형태대신 마름모꼴형태로 형성되어도 같은 결과를 얻는다. 그리고 제 3 마크(36)도 박스형태대신 바형태로 형성되어도 같은 결과를 얻는다.제 1 레이어(31)제 1 마크(32)제 2 레이어(33)제 2 마크(34)제 1 감광막(35)제 3 마크(36)Even if the first and second marks 32 and 34 are formed in a lozenge instead of a bar, the same result is obtained. The same result is obtained even if the third mark 36 is formed in a bar shape instead of a box shape. The first layer 31, the first mark 32, the second layer 33, the second mark 34, and the first photoresist film 35 are obtained. The third mark (36)
상기와 같이 구성된 본 고안의 실시예에 따른 레이어 정렬 마크를 사용하여 상기 패턴에 대해 제 1 감광막(35)의 정렬 방법은 다음과 같다.The alignment method of the first photosensitive film 35 with respect to the pattern using the layer alignment mark according to the embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
제 1 레이어(31)와 제 2 레이어(33)가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 제 1 감광막(35)이 형성된 상태에서 도 4a에서와 같이, 상기 제 1 마크(32)의 왼쪽과 오른쪽의 두 개의 바를 상기 제 2 마크(34)의 위와 아래의 두 개의 바를 그리고 상기 제 3 마크(36)의 에지를 검출하여 정렬검사기(도면에 도시하지 않음)에 의해 상기 제 1, 제 2, 제 3 마크(32,34,36)의 각 중심위치를 동시에 비교하므로 즉 상기 제 1, 제 2, 제 3 마크(32,34,36)의 상대적인 위치 차이를 동시에 측정하므로 상기 제 1, 제 2 레이어(31,33)와 제 1 감광막(35)의 정렬위치 차이를 발견한다.In the state where the first photosensitive film 35 is formed on a pattern having a structure in which the first layer 31 and the second layer 33 are stacked, as shown in FIG. 4A, the left and right sides of the first mark 32 are formed. Two bars, two bars above and below the second mark 34, and an edge of the third mark 36 to detect the edges of the first, second and third by an alignment checker (not shown). Since the central positions of the marks 32, 34 and 36 are compared at the same time, that is, the relative position difference between the first, second and third marks 32, 34 and 36 is simultaneously measured. 31, 33 and the alignment position difference between the first photosensitive film 35 is found.
이때, 상기 패턴에 대해 제 1 감광막(35)이 정렬되지 않으면 상기 제 1 감광막(35)을 제거하고 그 측정 결과에 의해 다시 상기 패턴과 정렬된 제 2 감광막(도시하지 않음)을 상기 패턴상에 형성한다.At this time, if the first photoresist film 35 is not aligned with the pattern, the first photoresist film 35 is removed and a second photoresist film (not shown) aligned with the pattern is again formed on the pattern by the measurement result. Form.
또한, 상기 제 1 마크(32)를 도 3b에서와 같이, 왼쪽과 위의 두 개의 바형태로 상기 제 1 레이어(31)에 형성하며, 상기 제 2 마크(34)를 도 3d에서와 같이, 오른쪽과 아래의 두 개의 바형태로 상기 제 2 레이어(33)에 형성한 상태에서 상기 제 1, 제 2 레이어(31,33)와 감광막(35)을 동시에 가로 방향으로 정렬 검사하는 방법은 다음과 같다.In addition, the first mark 32 is formed in the first layer 31 in the form of two bars on the left side and the upper side as in FIG. 3B, and the second mark 34 is formed in FIG. 3D. The first and second layers 31 and 33 and the photoresist film 35 are simultaneously aligned and inspected in the horizontal direction in the form of two bars on the right and the bottom thereof. same.
도 4b에서와 같이, 상기 제 1 마크(32)의 왼쪽의 바와 제 2 마크(34)의 오른쪽의 바 그리고 상기 제 3 마크(36)의 에지를 검출하여 정렬검사기(도면에 도시하지 않음)에 의해 상기 제 1, 제 2, 제 3 마크(32,34,36)의 각 수평위치를 동시에 비교하므로 즉 상기 제 1, 제 2, 제 3 마크(32,34,36)의 상대적인 위치 차이를 동시에 측정하므로 상기 제 1, 제 2 레이어(31,33)와 제 1 감광막(35)의 가로 방향의 정렬위치 차이를 발견한다.As shown in FIG. 4B, the bar on the left side of the first mark 32 and the bar on the right side of the second mark 34 and the edge of the third mark 36 are detected and placed in an alignment checker (not shown). By comparing the horizontal position of the first, second, third marks (32, 34, 36) at the same time, that is, the relative position difference of the first, second, third marks (32, 34, 36) at the same time As a result of the measurement, a difference in the alignment position of the first and second layers 31 and 33 and the first photosensitive layer 35 in the horizontal direction is found.
본 고안의 레이어 정렬 마크는 제 1 레이어와 제 2 레이어가 적층된 구조를 갖는 패턴상에 감광막이 형성된 상태에서 제 1 레이어에 왼쪽과 오른쪽 또는 왼쪽과 위의 두 개의 바형태인 제 1 마크가 형성되고 제 2 레이어에 위와 아래 또는 오른쪽과 아래의 두 개의 바형태인 제 2 마크가 형성되므로 다음과 같은 효과가 있다.In the layer alignment mark of the present invention, a first mark having two bars in the form of left and right or left and top is formed on a first layer in a state in which a photosensitive film is formed on a pattern having a structure in which a first layer and a second layer are stacked. And a second mark in the form of two bars on the second layer above and below or to the right and below are formed as follows.
첫째, 가로 및 세로 방향이 서로 다른 제 1, 제 2 레이어가 적층된 패턴과 감광막의 정렬시 상기 제 1 마크의 왼쪽과 오른쪽의 두 개의 바를, 상기 제 2 마크의 위와 아래의 두 개의 바를 그리고 상기 제 3 마크의 에지를 검출하여 상기 제 1, 제 2, 제 3 마크의 상대적인 위치 차이를 동시에 측정하므로 1번의 레이어 정렬 검사로 제 1, 제 2 레이어와 감광막을 동시에 정렬시켜 경제적 효율을 향상시킨다.First, two bars on the left and right sides of the first mark, two bars on the top and bottom of the second mark, and the photoresist layer when the first and second layers having different horizontal and vertical directions are stacked and the photoresist layer is aligned. Since edges of the third mark are detected and the relative positional differences of the first, second and third marks are simultaneously measured, the first, second layer and the photoresist are simultaneously aligned by one layer alignment inspection to improve economic efficiency.
둘째, 일방향에 대한 정렬시 일방향에 해당하는 제 1 마크의 바와 제 2 마크의 바 그리고 상기 제 3 마크의 에지를 검출하여 제 1, 제 2, 제 3 마크의 각 일방향 위치를 동시에 비교하므로 일방향에 대한 제 1, 제 2 레이어간의 정렬 정도를 알 수 있다.Second, when aligning in one direction, the bars of the first mark corresponding to the one direction and the bars of the second mark and the edges of the third mark are detected to compare the position of each one direction of the first, second, and third marks simultaneously. The degree of alignment between the first and second layers can be known.
Claims (9)
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |