KR102764199B1 - 웨이퍼 외관 검사 장치 및 방법 - Google Patents
웨이퍼 외관 검사 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명을 구현화하는 형태의 일례에 있어서의 촬상의 모습을 도시하는 개념도이다.
도 3은 본 발명을 구현화하는 형태의 일례에 있어서의 디바이스 칩 C 각각의 위치 관계를 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명을 구현화하는 형태의 일례에 있어서의 화상 Ps, 기준 화상 Pf, 검사 화상 Pk, 검사 화상 Pk와 기준 화상 Pf의 차분의 이미지를 나타내는 화상 도이다.
도 5는 본 발명을 구현화하는 형태의 일례에 있어서의 화상 Ps, 기준 화상 Pf, 검사 화상 Pk의 각 화소의 휘도값 그리고, 검사 화상 Pk와 기준 화상 Pf의 휘도값의 차분의 이미지를 나타내는 화상도이다.
도 6은 본 발명을 구현화하는 형태의 일례에 있어서의 흐름도이다.
2: 웨이퍼 보유 지지부
3: 촬상부
4: 상대 이동부
5: 칩 레이아웃 등록부
6: 기준 화상 등록부
7: 화상 처리부
1f: 장치 프레임
20: 적재대
30: 경통
31: 조명부
32: 하프 미러
33a, 33b: 대물 렌즈
34: 리볼버 기구
35: 촬상 카메라
41: X축 슬라이더
42: Y축 슬라이더
43: 회전 기구
71: 동적 마스크 처리부
72: 비교 검사부
CN: 제어부
W: 웨이퍼
C: 디바이스 칩
Cn: 완전 칩
Cb: 불완전 칩
F: 촬상 영역(시야)
Ri: 검사 영역
Rn: 비검사 영역
Ps: 검사 화상(처리 전)
Pk: 검사 화상(처리 후)
Pf: 기준 화상
L1: 조명광
L2: 웨이퍼측으로부터 입사한 광(반사광, 산란광)
T: 촬상 루트
Claims (2)
- 웨이퍼 상에 형성된 디바이스 칩의 반복 외관 패턴의 검사 대상 부위를 촬상하고, 기준 화상과 비교하여 당해 디바이스 칩의 검사를 행하는 웨이퍼 외관 검사 장치에 있어서,
상기 웨이퍼를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지부와,
상기 검사 대상 부위가 포함된 화상을 촬상하는 촬상부와,
상기 웨이퍼 보유 지지부와 상기 촬상부를 상대 이동시키는 상대 이동부와,
상기 웨이퍼의 기준 자세 및 기준 위치에 대한 당해 웨이퍼의 검사 영역 및 비검사 영역의 위치 정보 그리고 디바이스 칩의 배치 정보를 규정하는 칩 레이아웃을 등록하는 칩 레이아웃 등록부와,
상기 기준 화상을 등록하는 기준 화상 등록부와,
상기 촬상부에서 촬상된 상기 화상을 처리하는 화상 처리부를 구비하고,
상기 화상 처리부는,
상기 검사 영역 및 상기 비검사 영역에 걸쳐 형성된 불완전 칩의 상기 검사 대상 부위가 촬상된 상기 화상에 대하여, 당해 화상을 구성하는 화소 중, 상기 비검사 영역에 상당하는 화소의 휘도값을, 당해 화상이 촬상된 상기 웨이퍼 상의 위치 정보와 상기 칩 레이아웃에 기초하여, 상기 기준 화상의 휘도값으로 치환 처리하여 검사 화상을 생성하는, 동적 마스크 처리부와,
상기 동적 마스크 처리부에서 생성된 상기 검사 화상을 상기 기준 화상과 비교하여, 상기 검사 대상 부위에 대하여 검사하는 비교 검사부를 구비한
것을 특징으로 하는 웨이퍼 외관 검사 장치. - 웨이퍼 상에 형성된 디바이스 칩의 반복 외관 패턴의 검사 대상 부위를 촬상하고, 기준 화상과 비교하여 당해 디바이스 칩의 검사를 행하는 웨이퍼 외관 검사 방법에 있어서,
상기 웨이퍼의 기준 자세 및 기준 위치에 대한 당해 웨이퍼의 검사 영역 및 비검사 영역을 규정하는 칩 레이아웃을 미리 등록하는 스텝과,
상기 기준 화상을 미리 등록하는 스텝과,
상기 웨이퍼와 촬상 수단을 상대 이동시키면서 상기 검사 대상 부위가 포함된 화상을 촬상하는 스텝과,
상기 화상을 처리하는 스텝을 갖고,
상기 검사 영역 및 상기 비검사 영역에 걸쳐 형성된 불완전 칩이 촬상된 상기 화상에 대하여, 당해 화상을 구성하는 화소 중, 상기 비검사 영역에 상당하는 화소의 휘도값을, 당해 화상이 촬상된 상기 웨이퍼 상의 위치 정보와 상기 칩 레이아웃에 기초하여, 상기 기준 화상의 휘도값으로 치환 처리하여 검사 화상을 생성하는 스텝과,
상기 검사 화상을 상기 기준 화상과 비교하여, 상기 검사 대상 부위에 대하여 검사하는 스텝을 갖는
것을 특징으로 하는 웨이퍼 외관 검사 방법.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000346627A (ja) | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Toray Eng Co Ltd | 検査装置 |
JP2007155610A (ja) | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 外観検査装置および外観検査方法 |
JP2008244197A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2009097958A (ja) | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
JP2010151655A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000346627A (ja) | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Toray Eng Co Ltd | 検査装置 |
JP2007155610A (ja) | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 外観検査装置および外観検査方法 |
JP2008244197A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2009097958A (ja) | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
JP2010151655A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
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