KR102729103B1 - 유기 금속 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 금속 화합물과, 상기 유기 금속 화합물이 발광물질층에 도입된 유기발광다이오드 및 유기발광장치에 관한 것이다. 본 발명의 유기 금속 화합물을 발광 유닛에 도입하여 유기발광다이오드의 발광 효율, 발광 색순도 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
화학식 1
화학식 1
Description
본 발명은 금속 화합물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 유기 금속 화합물과, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치에 관한 것이다.
현재 널리 사용되고 있는 평면표시소자 중에서 유기발광다이오드는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)를 빠르게 대체하는 표시 소자로서 주목을 받고 있다. 유기발광다이오드(organic light emitting diodes; OLED)는 2000 Å 이내의 얇은 유기 박막으로 형성되고, 사용되는 전극의 구성에 따라 단일 방향 또는 양방향으로 화상을 구현할 수 있다. 또한 유기발광다이오드는 플라스틱과 같은 플렉서블(flexible) 투명 기판 위에도 형성될 수 있어서 플렉서블 또는 폴더블(foldable) 표시장치를 용이하게 구현한다. 뿐만 아니라, 유기발광다이오드는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 색 순도가 우수하여, 액정표시장치에 비하여 큰 장점을 가지고 있다.
종래의 일반적인 형광 물질은 단일항 엑시톤만이 발광에 참여하기 때문에 발광 효율이 낮다. 삼중항 엑시톤도 발광에 참여하는 인광 물질은 형광 물질에 비하여 발광 효율이 높다. 하지만, 대표적인 인광 물질인 유기 금속 화합물은 발광 수명이 짧아서 상용화에 한계가 있다. 따라서 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 화합물을 개발할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 유기 금속 화합물과, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치를 제공하고자 하는 것이다.
일 측면에 따르면, 본 발명은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 제공한다.
화학식 1
화학식 1에서, A 고리 및 B 고리는 각각 독립적으로 C3~C30 헤테로 방향족 고리임; M은 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd)임; X는 산소(O), 황(S) 또는 NR6임; Y는 단일 결합, *-O-*, *-S-*, *-Se-*, *-CR7R8-*, *-CR7=CR8-*, *-NR6-*, *-C=O-*, *-S=O-*, *-S(=O)2-* 또는 *-SiR7R8-*임; R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기, C1~C20 알콕시기, C3~C20 지환족, C3~C20 헤테로 지환족, C6~C30 방향족 및 C3~C30 헤테로 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, 상기 지환족, 헤테로 지환족, 방향족 및 헤테로 방향족은 각각 독립적으로 치환되지 않거나 치환되거나, a 내지 e가 각각 2 이상의 정수인 경우 인접한 R1 내지 R5는 각각 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하거나, R3와 R6, R4와 R7, R7과 R8 및 R4와 R5 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 고리를 형성하며, R3와 R6, R4와 R7 및 R7과 R8는 각각 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C6~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하고, R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 지환족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 방향족 고리를 형성함; a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, c는 0 내지 2의 정수이며, d는 0 내지 3의 정수이며, e는 0 내지 4의 정수임.
다른 측면에서, 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 발광물질층을 포함하는 적어도 하나의 발광 유닛을 포함하고, 상기 발광물질층은 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드를 제공한다.
일례로, 상기 유기 화합물은 발광물질층의 제 1 도펀트로 사용될 수 있다.
상기 유기발광다이오드는 단일 발광 유닛으로 이루어질 수도 있고, 복수의 발광 유닛을 포함하는 탠덤(tandem) 구조를 가질 수 있다.
다른 측면에 따르면, 본 발명은 전술한 유기 화합물이 발광물질층에 도입된 유기발광다이오드가 기판 상에 배치되는 유기발광장치, 예를 들어 유기발광 조명장치 또는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.
본 발명의 유기 금속 화합물은 4개의 공유결합 또는 배위결합을 통하여 다수의 축합 방향족 또는 헤테로 방향족 고리와 연결되는 금속 원자를 포함한다. 중앙 배위 금속은 평면 사각 구조를 가지기 때문에 금속-리간드 사이의 결합에 관여하는 d 오비탈 개수가 감소한다. 본 발명에 따른 유기 금속 화합물은 발광 반치폭이 좁아서, 발광할 때 색순도가 향상된다.
또한, 본 발명의 유기 금속 화합물은 중앙 금속에 결합되는 리간드가 상이한 이종리간드성(heteroleptic) 화합물이다. 리간드가 동일한 동종리간드성(homoleptic) 유기 금속 화합물과 비교해서 발광 컬러를 용이하게 조절할 수 있다. 본 발명의 유기 금속 화합물은 녹색 또는 황록색으로 발광하는 인광 화합물로서, 유기발광다이오드를 구성하는 발광물질층의 녹색 도펀트로 사용되어 발광 색 순도, 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 회로를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따라 단일 발광 유닛을 가지는 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 예시적인 제 4 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 제 5 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따라 단일 발광 유닛을 가지는 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 예시적인 제 4 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 제 5 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 필요한 경우에 첨부하는 도면을 참조하면서 본 발명을 설명한다.
[유기 금속 화합물]
인광 물질에서 생성된 엑시톤이 발광할 때 발광 스펙트럼의 폭이 넓어져서 색 순도가 저하되며, 양자 효율도 높지 않다. 본 발명에 따른 유기 금속 화합물은 견고한 화학 구조를 가지면서 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킨다. 본 발명에 따른 유기 금속 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다.
화학식 1
화학식 1에서, A 고리 및 B 고리는 각각 독립적으로 C3~C30 헤테로 방향족 고리임; M은 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd)임; X는 산소(O), 황(S) 또는 NR6임; Y는 단일 결합, *-O-*, *-S-*, *-Se-*, *-CR7R8-*, *-CR7=CR8-*, *-NR6-*, *-C=O-*, *-S=O-*, *-S(=O)2-* 또는 *-SiR7R8-*임; R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기, C1~C20 알콕시기, C3~C20 지환족, C3~C20 헤테로 지환족, C6~C30 방향족 및 C3~C30 헤테로 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, 상기 지환족, 헤테로 지환족, 방향족 및 헤테로 방향족은 각각 독립적으로 치환되지 않거나 치환되거나, a 내지 e가 각각 2 이상의 정수인 경우 인접한 R1 내지 R5는 각각 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하거나, R3와 R6, R4와 R7, R7과 R8 및 R4와 R5 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 고리를 형성하며, R3와 R6, R4와 R7 및 R7과 R8는 각각 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C6~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하고, R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 지환족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 방향족 고리를 형성함; a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, c는 0 내지 2의 정수이며, d는 0 내지 3의 정수이며, e는 0 내지 4의 정수임.
본 명세서에서 '치환되지 않은' 또는 '치환되지 않거나'란, 수소 원자가 치환된 것을 의미하며, 이 경우 수소 원자는 경수소, 중수소 및 삼중수소가 포함된다.
본 명세서에서 '치환된'에서 치환기는 예를 들어, 치환되지 않거나 할로겐으로 치환된 알킬기, 치환되지 않거나 할로겐으로 치환된 알콕시기, 할로겐, 시아노기, 카르복시기, 카르보닐기, 아민기, 알킬아민기, 니트로기, 하이드라질기(hydrazyl group), 술폰산기, 알킬 실릴기, 알콕시 실릴기, 사이클로 알킬 실릴기, 아릴 실릴기, 치환되지 않거나 치환된 아릴기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 '헤테로 방향족', '헤테로 사이클로 알킬렌기', '헤테로 아릴렌기', '헤테로 아릴 알킬렌기', '헤테로 아릴 옥실렌기', '헤테로 사이클로 알킬기', '헤테로 아릴기', '헤테로 아릴 알킬기', '헤테로 아릴옥실기', '헤테로 아릴 아미노기' 등에서 사용된 용어 '헤테로'는 이들 방향족(aromatic) 또는 지환족(alicyclic) 고리를 구성하는 탄소 원자 중 1개 이상, 예를 들어 1 내지 5개의 탄소 원자가 N, O, S, Si, Se, P, B 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로 원자로 치환된 것을 의미한다.
예를 들어, 화학식 1에서 R1 내지 R8가 C6~C30 방향족 작용기인 경우, 이들 방향족 작용기는 C6~C30 아릴기, 아랄킬기, 아릴옥시기, 아릴 아미노기 등일 수 있다. 예를 들어, R1 내지 R8가 C6~C30 아릴기인 경우, 아릴기는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 안트라세닐, 펜탄레닐, 인데닐, 인데노인데닐, 헵탈레닐, 바이페닐레닐, 인다세닐, 페날레닐, 페난트레닐, 벤조페난트레닐, 디벤조페난트레닐, 아줄레닐, 파이레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 크라이세닐, 테트라페닐, 테트라세닐, 플레이다에닐, 파이세닐, 펜타페닐, 펜타세닐, 플루오레닐, 인데노플루오레닐 또는 스파이로 플루오레닐과 같은 축합되지 않거나 축합된(fused) 아릴기일 수 있다.
또한, 1에서 R1 내지 R8가 C3~C30 헤테로 방향족 작용기인 경우, 이들 헤테로 방향족 작용기는 C3~C30 헤테로 아릴기, 헤테로 아랄킬기, 헤테로 아릴옥시기, 헤테로 아릴 아미노기 등일 수 있다. 예를 들어, R1 내지 R8가 C5~C30 헤테로 아릴기인 경우, 헤테로 아릴기는 각각 독립적으로 피롤릴, 피리디닐, 피리미디닐, 피라지닐, 피리다지닐, 트리아지닐, 테트라지닐, 이미다졸일, 피라졸일, 인돌일, 이소인돌일, 인다졸일, 인돌리지닐, 피롤리지닐, 카바졸일, 벤조카바졸일, 디벤조카바졸일, 인돌로카바졸일, 인데노카바졸일, 벤조퓨로카바졸일, 벤조티에노카바졸일, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 프탈라지닐, 퀴녹살리닐, 시놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴노졸리닐, 퀴놀리지닐, 퓨리닐, 벤조퀴놀리닐, 벤조이소퀴놀리닐, 벤조퀴나졸리닐, 벤조퀴녹살리닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 페리미디닐, 페난트리디닐, 프테리디닐, 나프타리디닐, 퓨라닐, 파이라닐, 옥사지닐, 옥사졸일, 옥사디아졸일, 트리아졸일, 디옥시닐, 벤조퓨라닐, 디벤조퓨라닐, 티오파이라닐, 잔테닐, 크로메닐, 이소크로메닐, 티오아지닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 디퓨로피라지닐, 벤조퓨로디벤조퓨라닐, 벤조티에노벤조티오페닐, 벤조티에노디벤조티오페닐, 벤조티에노벤조퓨라닐, 벤조티에노디벤조퓨라닐 또는 N-치환된 스파이로 플루오레닐과 같은 축합되지 않거나 축합된 헤테로 아릴기일 수 있다.
일례로, 화학식 1에서 R1 내지 R8을 각각 구성하는 방향족 작용기 또는 헤테로 방향족 작용기는 1개 내지 3개의 방향족 고리로 이루어질 수 있다. 화학식 1에서 R1 내지 R8을 각각 구성하는 방향족 또는 헤테로 방향족 작용기의 방향족 또는 헤테로 방향족 고리의 개수가 많아지면, 전체 유기 화합물에서 공액화(conjugated) 구조가 지나치게 길어져서, 유기 금속 화합물의 밴드갭이 지나치게 줄어들 수 있다. 일례로, 화학식 1에서 R1 내지 R8을 각각 구성하는 아릴기 또는 헤테로 아릴기는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 나프틸, 안트라세닐, 피롤릴, 트리아지닐, 이미다졸일, 피라졸일, 피리디닐기, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 퓨라닐, 벤조퓨라닐, 디벤조퓨라닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 카바졸일, 아크리디닐, 카볼리닐, 페나지닐, 페녹사지닐 및/또는 페노티아지닐을 포함하지만, 본 발명이 이에 제한되지 않는다.
한편, 화학식 1에서 a 내지 e가 각각 2 이상의 정수인 경우 인접한 R1 내지 R5는 각각 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하고/형성하거나, R2와 R6, R4와 R6, R7과 R8 및 R4와 R5 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 고리를 형성할 수 있다. 일례로, R2와 R6, R4와 R6 및 R7과 R8는 각각 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C6~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하고, R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 지환족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 방향족 고리를 형성할 수 있다.
예를 들어, 화학식 1의 구조를 가지는 화합물로서, 보론 원자를 중심으로 우측 페닐 고리에 연결되는 R4와, 보론 원자를 중심으로 아래쪽 페닐 고리에 연결되는 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 고리를 형성할 수 있다. 일례로, R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 지환족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 방향족 고리를 형성할 수 있다.
서로 인접한 각각의 R1 내지 R5, 및/또는 R3와 R6, R4와 R7, R4와 R5 및 R7 및 R8이 합쳐져서 형성되는 축합 방향족 고리, 축합 헤테로 방향족 고리 및/또는 축합 지환족 고리는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 이들 작용기가 합쳐져서 형성할 수 있는 축합 방향족 고리 또는 축합 헤테로 방향족 고리는 축합 벤젠 고리, 축합 피리딘 고리, 축합 인돌 고리, 축합 파이란 고리 등을 형성할 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 일례로, 화학식 1에서 A 고리와 B 고리는 각각 축합하여, 퀴논, 이소퀴논 등을 형성할 수 있다.
화학식 1의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 중앙의 배위 금속으로 평면사각 구조를 가지는 백금 또는 팔라듐을 사용하고, 다수의 방향족 및/또는 헤테로 방향족 고리가 축합된 리간드를 갖는다. 중앙 배위 금속은 평면 사각 구조를 가지고 있어서 금속-리간드 사이의 결합에 관여하는 d 오비탈 개수가 감소하기 때문에 발광 스펙트럼에서 반치폭(Full-width at half maximum; FWHM)이 좁다. 특히, 견고한 화학 구조를 가지고 있기 때문에 발광 과정에서 화학 구조가 회전되지 않으면서 양호한 발광 수명을 안정적으로 유지할 수 있다. 엑시톤의 발광에 의하여 본 발명에 따른 금속 화합물의 발광 스펙트럼을 특정 범위로 제한할 수 있기 때문에 색 순도가 향상된다.
또한, 중앙 금속에 결합되는 두자리 리간드가 상이한 이종리간드성(heteropleptic) 금속 착화합물이다. 상이한 두자리 리간드의 결합에 의하여 발광 색 순도와 발광 컬러를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 각각의 리간드에 다양한 치환기를 도입하여 색 순도나 발광 피크를 조절할 수 있다. 화학식 1의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 녹색 또는 황록색으로 발광할 수 있으며, 유기발광다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
예시적인 실시형태에서, 화학식 1의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 2개의 피리딘 리간드를 포함할 수 있다. 이와 같은 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 하기 화학식 2의 구조를 가질 수 있다.
화학식 2
화학식 2에서, M, X, Y, R1 내지 R5 및 a 내지 e는 각각 화학식 1에서 정의된 것과 동일함.
전술한 바와 같이, 화학식 2의 구조를 가지는 화합물 중에서, R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 고리, 예를 들어, 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 지환족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C4~C20 헤테로 방향족 고리를 형성할 수 있다.하나의 예시적인 실시형태에 따르면, 화학식 1 또는 화학식 2에 정의된 Y는 직접 결합, 에테르 결합 또는 축합 인돌 고리를 통하여 연결될 수 있다. 예를 들어, 화학식 1 또는 화학식 2의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 5 중에서 어느 하나의 구조를 가질 수 있다.
화학식 3
화학식 4
화학식 5
화학식 3 내지 화학식 5에서, X, R1 내지 R5 및 a 내지 e는 각각 화학식 1에서 정의된 것과 동일함; 화학식 5에서 R9은 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기, C1~C20 알콕시기, C3~C20 지환족, C3~C20 헤테로 지환족, C6~C30 방향족 및 C3~C30 헤테로 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, 상기 지환족, 헤테로 지환족, 방향족 및 헤테로 방향족은 각각 독립적으로 치환되지 않거나 치환되거나, f가 2 이상의 정수인 경우 인접한 R9은 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성함; f는 0 내지 4의 정수임.
다른 예시적인 실시형태에 따르면, 화학식 1 또는 화학식 2에 정의된 유기 화합물 중에서 R4와 R5는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 헤테로 지환족 고리 또는 헤테로 방향족 고리를 형성할 수 있다. 필요에 따라, 화학식 1 또는 화학식 2에 정의된 Y는 직접 결합, 에테르 결합 또는 축합 인돌 고리를 통하여 연결될 수 있다. 예를 들어, 화학식 1 또는 화학식 2의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중에서 어느 하나의 구조를 가질 수 있다.
화학식 6
화학식 7
화학식 8
화학식 6 내지 화학식 8에서, R1 내지 R3 및 a 내지 c는 각각 화학식 1에서 정의된 것과 동일함; Xa는 화학식 1의 X와 동일하고, Xb는 산소(O), 황(S) 또는 NR10임; R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진지, 히드라존기, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기, C1~C20 알콕시기, C3~C20 지환족, C3~C20 헤테로 지환족, C6~C30 방향족 및 C3~C30 헤테로 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, R1 내지 R3, R10, R14 및 R15를 각각 구성하는 상기 지환족, 헤테로 지환족, 방향족 및 헤테로 방향족은 각각 독립적으로 치환되지 않거나 치환되며, a, b, c, g 및 h가 각각 2 이상의 정수인 경우, R1 내지 R3, R14 및 R15는 각각 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성하거나, R3와 R6, R10과 R14 중에서 적어도 하나는 각각 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 C6~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성함; g는 0 내지 2의 정수이고, h는 0 내지 3의 정수임; 화학식 8에서 R9은 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기, C1~C20 알콕시기, C3~C20 지환족, C3~C20 헤테로 지환족, C6~C30 방향족 및 C3~C30 헤테로 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, 상기 지환족, 헤테로 지환족, 방향족 및 헤테로 방향족은 각각 독립적으로 치환되지 않거나 치환되거나, f가 2 이상의 정수인 경우 인접한 R9은 서로 합쳐져서 C5~C20 축합 방향족 고리 또는 치환되지 않거나 치환된 C3~C20 축합 헤테로 방향족 고리를 형성함; f는 0 내지 4의 정수이고, i는 0 내지 1의 정수임.보다 구체적으로 살펴보면, 화학식 1 또는 화학식 2의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 하기 화학식 9의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 금속 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 9
선택적인 실시형태에서, 화학식 6 내지 화학식 8의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 상기 화학식 9의 구조를 가지는 화합물 중에서 화합물 1 내지 화합물 12 및 화합물 31 내지 화합물 110의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 금속 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 2 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 평면 사각 구조로 배위 결합을 형성하는 중앙 금속 성분과, 다수의 축합 방향족 또는 헤테로 방향족 고리로 이루어지는 리간드를 포함한다. 금속-리간드 사이의 결합에 관여하는 d 오비탈 개수가 감소하여 발광 반치폭이 좁고, 견고한 화학 구조를 가지고 있다. 발광 과정에서 안정적인 화학 구조가 유지되면서 색 순도가 향상될 수 있으며 발광 수명을 개선할 수 있다. 이종리간드성 금속 유기 화합물이기 때문에, 발광 색 순도와 발광 컬러를 용이하게 조절할 수 있다. 화학식 2 내지 화학식 9의 구조를 가지는 발광물질층에 도입하여 우수한 발광 효율을 가지는 유기발광다이오드를 구현할 수 있다.
[유기발광장치 및 유기발광다이오드]
화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 발광 유닛에 도입하여 유기발광다이오드의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다. 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 금속 유기 화합물이 도입된 유기발광다이오드는 유기발광표시장치 또는 유기발광 조명 장치와 같은 유기발광장치에 적용될 수 있다. 일례로, 본 발명에 따른 유기발광표시장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 회로를 나타낸 모식도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 유기발광 표시장치에는, 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL)과, 데이터 배선(DL) 및 파워 배선(PL)이 형성된다. 화소영역(P)에는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기발광다이오드(D)가 형성된다. 화소영역(P)은 적색(R) 화소영역, 녹색(G) 화소영역 및 청색(B) 화소영역을 포함할 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL)에 연결되고, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 파워 배선(PL) 사이에 연결된다. 유기발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결된다. 이러한 유기발광 표시장치에서는, 게이트 배선(GL)에 인가된 게이트 신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 데이터 배선(DL)에 인가된 데이터 신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.
구동 박막트랜지스터(Td)는 게이트 전극에 인가된 데이터 신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 데이터 신호에 비례하는 전류가 파워 배선(PL)으로부터 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 유기발광다이오드(D)로 흐르게 되고, 유기발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다. 따라서, 유기발광 표시장치는 원하는 영상을 표시할 수 있다.
도 2는 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 유기발광 표시장치(100)는 기판(102), 기판(120) 상부에 배치되는 박막트랜지스터(Tr)와, 박막 트랜지스터(Tr)에 연결되는 유기발광다이오드(200)를 포함한다.
예를 들어, 기판(102)에는 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소가 정의되고, 유기발광다이오드(200)는 각 화소마다 위치한다. 즉, 적색, 녹색 및 청색 빛을 발광하는 유기발광다이오드(200)가 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 구비된다.
기판(102)은 유리 기판, 얇은 플렉서블(flexible) 기판 또는 고분자 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(102)은 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene Terephthalate; PET) 및 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 박막트랜지스터(Tr)와, 유기발광다이오드(200)가 상부에 위치하는 기판(102)은 어레이 기판을 이룬다.
기판(102) 상에 버퍼층(106)이 형성되고, 버퍼층(106) 상에 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다. 버퍼층(106)은 생략될 수 있다.
버퍼층(104) 상부에 반도체층(110)이 형성된다. 예를 들어, 반도체층(110)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 반도체층(110)이 산화물 반도체 물질로 이루어지는 경우, 반도체층(110) 하부에 차광패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 차광패턴(도시하지 않음)은 반도체층(110)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 반도체층(110)이 빛에 의하여 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(110)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(110)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
반도체층(110) 상부에는 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(120)이 기판(102) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(120)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(120) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(130)이 반도체층(110)의 중앙에 대응하여 형성된다. 도 2에서 게이트 절연막(120)은 기판(102) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(120)은 게이트 전극(130)과 동일한 모양으로 패터닝 될 수도 있다.
게이트 전극(130) 상부에는 절연 물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 기판(102) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(140)은 반도체층(110)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(142, 144)을 갖는다. 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(142, 144)은 게이트 전극(130)의 양측에서 게이트 전극(130)과 이격되어 위치한다. 도 2에서 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(142, 144)은 게이트 절연막(120) 내에도 형성된 것으로 도시하였다. 이와 달리, 게이트 절연막(120)이 게이트 전극(130)과 동일한 모양으로 패터닝 될 경우, 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(142, 144)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다.
층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 소스 전극(152)과 드레인 전극(154)이 형성된다. 소스 전극(152)과 드레인 전극(154)은 게이트 전극(130)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(142, 144)을 통해 반도체층(110)의 양측과 접촉한다.
반도체층(110), 게이트 전극(130), 소스 전극(152) 및 드레인 전극(154)은 박막트랜지스터(Tr)를 이루며, 박막트랜지스터(Tr)는 구동 소자(driving element)로 기능한다. 도 2에 예시된 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층(110)의 상부에 게이트 전극(130), 소스 전극(152) 및 드레인 전극(154)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다. 이와 달리, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고, 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
도 2에 도시하지 않았으나, 게이트 배선(GL, 도 1 참조)과 데이터 배선(DL, 도 1 참조)이 서로 교차하여 화소영역을 정의하며, 게이트 배선과 데이터 배선에 연결되는 스위칭 소자(Ts, 도 1 참조)가 더 형성된다. 상기 스위칭 소자(Ts)는 구동 소자인 박막트랜지스터(Tr)에 연결된다. 또한, 파워 배선(PL, 도 1 참조)이 데이터 배선(DL)과 평행하게 이격되어 형성되며, 일 프레임(frame) 동안 구동 소자인 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(130)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 스토리지 커패시터(Cst)가 더 구성될 수 있다.
소스 전극(152)과 드레인 전극(154) 상부에는 보호층(160)이 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 기판(102) 전면에 형성된다. 보호층(160)은 상면이 평탄하며, 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(154)을 노출하는 드레인 컨택홀(162)을 갖는다. 여기서, 드레인 컨택홀(162)은 제 2 반도체층 컨택홀(144) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제 2 반도체층 컨택홀(144)과 이격되어 형성될 수도 있다.
유기발광다이오드(200)는 보호층(160) 상에 위치하며 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(154)에 연결되는 제 1 전극(210)과, 제 1 전극(210) 상에 순차 적층되는 발광 유닛(230) 및 제 2 전극(220)을 포함한다.
1 전극(210)은 각 화소영역 별로 분리되어 형성된다. 제 1 전극(210)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(210)은 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제 1 전극(210)은 인듐-주석-산화물 (indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO)으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광 방식(top-emission type)인 경우, 제 1 전극(210) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-palladium-copper: APC) 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 보호층(160) 상에는 제 1 전극(210)의 가장자리를 덮는 뱅크층(164)이 형성된다. 뱅크층(164)은 화소영역에 대응하여 제 1 전극(210)의 중앙을 노출한다.
제 1 전극(210) 상에는 발광 유닛(230)이 형성된다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 발광 유닛(230)은 발광물질층(emitting material layer, EML)으로만 이루어질 수 있다. 선택적인 실시형태에서, 발광 유닛(230)은 발광물질층 이외에도 정공주입층(hole injection layer; HIL), 정공수송층(hole transport layer; HTL), 전자차단층(electron blocking layer; EBL), 정공차단층(hole blocking layer; HBL), 전자수송층(electron transport layer; ETL), 전자주입층(electron injection layer; EIL) 및/또는 전하생성층(charge generation layer; CGL)을 포함할 수 있다(도 3, 5, 6, 7 및 8 참조). 발광 유닛(230)은 단층으로 이루어질 수도 있고, 2개 이상의 발광 유닛이 탠덤 구조를 형성할 수도 있다.
발광 유닛(230)은 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함할 수 있다. 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 유기발광다이오드(200) 및 유기발광표시장치(1000의 발광 효율 및 발광 수명을 크게 향상시킬 수 있는데, 이에 대해서는 후술한다.
발광 유닛(230)이 형성된 기판(102)의 상부로 제 2 전극(220)이 형성된다. 제 2 전극(220)은 표시영역의 전면에 위치하며, 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 전자를 주입하는 음극(cathode)일 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(220)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(ca), 은(Ag) 또는 이들의 합금이나 조합(예를 들어, 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg))과 같은 반사 특성이 좋은 소재로 이루어질 수 있다.
제 2 전극(220) 상에는, 외부 수분이 유기발광다이오드(200)로 침투하는 것을 방지하기 위해, 인캡슐레이션 필름(encapsulation film, 170)이 형성된다. 인캡슐레이션 필름(170)은 제 1 무기 절연층(172)과, 유기 절연층(174)과, 제 2 무기 절연층(176)의 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 인캡슐레이션 필름(170)은 생략될 수 있다.
인캡슐레이션 필름(170) 상에는 외부광의 반사를 줄이기 위한 편광판(도시하지 않음)이 부착될 수 있다. 예를 들어, 편광판은 원형 편광판일 수 있다. 또한, 인캡슐레이션 필름(170) 또는 편광판(도시하지 않음) 상에 커버 윈도우(도시하지 않음)가 부착될 수 있다. 이때, 기판(102)과 커버 윈도우(도시하지 않음)가 플렉서블 특성을 가져, 플렉서블 표시장치를 구성할 수 있다.
이어서, 본 발명의 유기 금속 화합물이 도입된 유기발광다이오드에 대해서 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따라 단일 발광 유닛을 가지는 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기발광다이오드(300)는 서로 마주하는 제 1 전극(310) 및 제 2 전극(320)과, 제 1 및 제 2 전극(310, 320) 사이에 위치하는 발광 유닛(330)을 포함한다.
예시적인 실시형태에서, 발광 유닛(330)은 제 1 전극(310)으로부터 순차적으로 적층되는 정공주입층(hole injection layer, HIL, 340), 정공수송층(hole transfer layer, HTL, 350), 발광물질층(emissitve material layer, EML, 360), 전자수송층(electron transfer layer, ETL, 370) 및 전자주입층(electron injection layer, EIL, 380)을 포함한다. 선택적으로, 발광 유닛(330)은 정공수송층(350)과 발광물질층(360) 사이에 위치하는 제 1 엑시톤 차단층인 전자차단층(electron blocking layer, EBL, 355) 및/또는 발광물질층(360)과 전자수송층(370) 사이에 위치하는 제 2 엑시톤 차단층인 정공차단층(hole blocking layer, HBL, 375)을 더욱 포함할 수 있다.
제 1 전극(310)은 발광물질층(360)에 정공을 공급하는 양극(anode)일 수 있다. 제 1 전극(310)은 일함수(work function) 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 형성되는 것이 바람직하다. 예시적인 실시형태에서, 제 1 전극(310)은 인듐-주석-산화물 (indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO)으로 이루어질 수 있다.
제 2 전극(320)은 발광물질층(360)에 전자를 공급하는 음극(cathode)일 수 있다. 제 2 전극(320)은 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 또는 이들의 합금이나 조합과 같은 반사 특성이 좋은 소재로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(310)과 제 2 전극(320)은 각각 30 내지 300 nm의 두께로 적층될 수 있다.
정공주입층(340)은 제 1 전극(310)과 정공수송층(350) 사이에 위치하는데, 무기물인 제 1 전극(310)과 유기물인 정공수송층(350) 사이의 계면 특성을 향상시킨다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 정공주입층(340)은 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민(4,4',4"-Tris(3-methylphenylamino)triphenylamine; MTDATA), 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐-아미노)트리페닐아민(4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamine; NATA), 4,4',4"-트리스(N-(나프탈렌-1-일)-N-페닐-아미노)트리페닐아민(4,4',4"-Tris(N-(naphthalene-1-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamine; 1T-NATA), 4,4',4"-트리스(N-(나프탈렌-2-일)-N-페닐-아미노)트리페닐아민(4,4',4"-Tris(N-(naphthalene-2-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamine; 2T-NATA), 프탈로시아닌구리(Copper phthalocyanine; CuPc), 트리스(4-카바조일-9일-페닐)아민(Tris(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)amine; TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-1,1'-바이페닐-4,4"-디아민(N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamine; NPB; NPD), 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌헥사카보니트릴(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile, Dipyrazino[2,3-f:2'3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile; HAT-CN), 1,3,5-트리스[4-(디페닐아미노)페닐]벤젠(1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene; TDAPB), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리스티렌 술포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiphene)polystyrene sulfonate; PEDOT/PSS), N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민(N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine) 및/또는 N,N'-디페닐-N,N'-디-[4-(N,N-디페닐-아미노)페닐]벤지딘(N,N'-diphenyl-N,N'-di[4-(N,N-diphenyl-amino)phenyl]benzidine; NPNPB) 등으로 이루어지는 어느 하나의 화합물로 이루어질 수 있다. 유기발광다이오드(300)의 특성에 따라 정공주입층(340)은 생략될 수 있다.
정공수송층(350)은 제 1 전극(310)과 발광물질층(360) 사이에 발광물질층(360)에 인접하여 위치한다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 정공수송층(350)은 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine; TPD), NPB(NPD), 4,4'-비스(N-카바졸릴)-1,1'-바이페닐(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl; CBP), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘](Poly[N,N'-bis(4-butylpnehyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]; Poly-TPD), 폴리[(9,9-디옥닐플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(4-sec-부틸페닐)디페닐아민))](Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine))], TFB), 디-[4-(N,N-디-p-톨릴-아미노)페닐]사이클로헥산(Di-[4-(N,N-di-p-tolyl-amino)-phenyl]cyclohexane; TAPC), 3,5-디(9H-카바졸-9-일)-N,N-디페닐아닐린(3,5-Di(9H-carbazol-9-yl)-N,N-diphenylaniline; DCDPA), N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민(N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine), N-(바이페닐]-4-일)-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)바이페닐)-4-아민(N-(biphenyl-4-yl)-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)biphenyl-4-amine) 및/또는 N-([1,1'-바이페닐]-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민(N-([1,1'-Biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine) 등으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
예시적인 실시형태에서, 정공주입층(340) 및 정공수송층(350)은 각각 5 nm 내지 200 nm, 바람직하게는 5 nm 내지 100 nm의 두께로 적층될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
발광물질층(360)은 호스트(제 1 호스트)와 도펀트(제 2 도펀트)를 포함하며, 실질적인 발광은 도펀트에서 수행될 수 있다. 일례로, 발광물질층(360)은 녹색 또는 황록색으로 발광할 수 있다. 예를 들어, 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 도펀트로 사용될 수 있다.
발광물질층(360)과 제 2 전극(320) 사이에는 전자수송층(370)과 전자주입층(380)이 순차적으로 적층될 수 있다. 전자수송층(370)을 이루는 소재는 높은 전자 이동도가 요구되는데, 원활한 전자 수송을 통하여 발광물질층(360)에 전자를 안정적으로 공급한다.
하나의 예시적인 실시형태에서, 전자수송층(370)은 옥사디아졸계(oxadiazole-base), 트리아졸계(triazole-base), 페난트롤린계(phenanthroline-base), 벤족사졸계(benzoxazole-based), 벤조티아졸계(benzothiazole-base), 벤즈이미다졸계(benzimidazole-base), 트리아진(triazine-base) 등의 유도체 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 전자수송층(370)은 트리스(8-하이드록시퀴놀린)알루미늄(tris-(8-hydroxyquinoline aluminum; Alq3), 2-바이페닐-4-일-5-(4-터셔리-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(2-biphenyl-4-yl-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole; PBD), 스파이로-PBD, 리튬 퀴놀레이트(lithium quinolate; Liq), 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-Tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene; TPBi), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토-N1,O8)-(1,1'-바이페닐-4-올라토)알루미늄(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminum; BAlq), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Bphen), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(2,9-Bis(naphthalene-2-yl)4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; NBphen), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenathroline; BCP), 3-(4-바이페닐)-4-페닐-5-터르-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; TAZ), 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; NTAZ), 1,3,5-트리(p-피리드-3-일-페닐)벤젠(1,3,5-Tri(p-pyrid-3-yl-phenyl)benzene; TpPyPB), 2,4,6-트리스(3'-(피리딘-3-일)바이페닐-3-일)1,3,5-트리아진(2,4,6-Tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)1,3,5-triazine; TmPPPyTz), 폴리[(9,9-비스(3'-((N,N-디메틸)-N-에틸암모늄)-프로필)-2,7-플루오렌)-알트-2,7-(9,9-디옥틸플루오렌)](Poly[9,9-bis(3'-((N,N-dimethyl)-N-ethylammonium)-propyl)-2,7-fluorene]-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)]; PFNBr), 트리스(페닐퀴녹살린)(tris(phenylquinoxaline; TPQ), 디페닐-4-트리페닐실릴-페닐포스핀옥사이드(Diphenyl-4-triphenylsilyl-phenylphosphine oxide; TSPO1), 2-[4-(9,10-디-나프탈렌-2-일-안트라센-2-일)페닐)]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(2-[4-(9,10-Di-2-naphthalen2-yl-2-anthracen-2-yl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazole; ZADN) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
전자주입층(380)은 제 2 전극(320)과 전자수송층(370) 사이에 위치하는데, 제 2 전극(320)의 특성을 개선하여 소자의 수명을 개선할 수 있다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 전자주입층(380)의 소재로는 LiF, CsF, NaF, BaF2 등의 알칼리 할라이드계 물질 및/또는 Liq(lithium quinolate), 리튬 벤조에이트(lithium benzoate), 소듐 스테아레이트(sodium stearate) 등의 유기금속계 물질이 사용될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 선택적인 실시형태에서, 전자주입층(380)은 생략될 수 있다.
예를 들어, 전자수송층(370) 및 전자주입층(380)은 각각 10 내지 200 nm, 바람직하게는 10 내지 100 nm의 두께로 적층될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
한편, 정공이 발광물질층(360)을 제 2 전극(320)으로 이동하거나, 전자가 발광물질층(360)을 지나 제 1 전극(310)으로 가는 경우, 소자의 수명과 효율에 감소를 가져올 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 본 발명의 예시적인 제 1 실시형태에 따른 유기발광다이오드(300)는 발광물질층(360)에 인접하여 적어도 1개의 엑시톤 차단층이 위치한다.
예를 들어, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기발광다이오드(300)는 정공수송층(350)과 발광물질층(360) 사이에 전자의 이동을 제어, 방지할 수 있는 전자차단층(355)이 위치한다. 일례로, 전자차단층(355)은 TCTA, 트리스[4-(디에틸아미노)페닐]아민(tris[4-(diethylamino)phenyl]amine), N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, TAPC, MTDATA, 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene; mCP), 3,3-디(9H-카바졸-9-일)바이페닐(3,3-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl; mCBP), CuPC, N,N'-비스[4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐]-N,N'-디페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-디아민(N,N'-bis[4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl]-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine; DNTPD), TDAPB, DCDPA 및/또는 2,8-비스(9-페닐-9H-카바졸-3-일)디벤조[b,d]티오펜(2,8-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)dibenzo[b,d]thiophene)으로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
또한, 발광물질층(360)과 전자수송층(370) 사이에 제 2 엑시톤 차단층으로서 정공차단층(375)이 위치하여 발광물질층(360)과 전자수송층(370) 사이에 정공의 이동을 방지한다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 정공차단층(375)의 소재로서 전자수송층(370)에 사용될 수 있는 옥사디아졸계, 트리아졸계, 페난트롤린계, 벤족사졸계, 벤조티아졸계, 벤즈이미다졸계, 트리아진계 등의 유도체가 사용될 수 있다.
예를 들어, 정공차단층(375)은 발광물질층(360)에 사용된 소재와 비교해서 HOMO 에너지 준위가 낮은 BCP, BAlq, Alq3, PBD, 스파이로-PBD, Liq, 비스-4,6-(3,5-디-3-피리딜페닐)-2-메틸피리미딘(bis-4,6-(3,5-di-3-pyridylphenyl)-2-methylpyrimidine; B3PYMPM), 비스[2-(디페닐포스피노)페닐]에테르옥사이드(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]teeth oxide; DPEPO), 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, TSPO1 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있다.
전술한 바와 같이, 발광물질층(360)은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함할 수 있다. 제 1 도펀트는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다.
한편, 제 1 도펀트와 병용될 수 있는 호스트는 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-카바졸-3-카보니트릴(9-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-9H-carbazole-3-carbonitrile; mCP-CN), CBP, 3,3'-비스(N-카바졸릴)-1,1'-바이페닐(3,3'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl; mCBP), 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene; mCP), DPEPO, 2,8-비스(디페닐포스포릴)디벤조티오펜(2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzothiophene; PPT), 1,3,5-트리[(3-피리딜)-펜-3-일]벤젠(1,3,5-Tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene; TmPyPB), 2,6-디(9H-카바졸-9-일)피리딘(2,6-Di(9H-carbazol-9-yl)pyridine; PYD-2Cz), 2,8-디(9H-카바졸-9-일)디벤조티오펜(2,8-di(9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene; DCzDBT), 3', 5'-디(카바졸-9-일)-[1,1'-바이페닐]-3,5-디카보니트릴(3',5'-Di(carbazol-9-yl)-[1,1'-bipheyl]-3,5-dicarbonitrile; DCzTPA), 4'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3,5-디카보니트릴(4'-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl-3,5-dicarbonitrile(4'-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl-3,5-dicarbonitrile; pCzB-2CN), 3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3,5-디카보니트릴(3'-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl-3,5-dicarbonitrile; mCzB-2CN), TSPO1, 9-(9-페닐-9H-카바졸-6-일)-9H-카바졸(9-(9-phenyl-9H-carbazol-6-yl)-9H-carbazole; CCP), 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)디벤조[b,d]티오펜(4-(3-(triphenylen-2-yl)phenyl)dibenzo[b,d]thiophene), 9-(4-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸(9-(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-9H-3,9'-bicarbazole), 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸(9-(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-9H-3,9'-bicarbazole), 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸(9-(6-(9H-carbazol-9-yl)pyridin-3-yl)-9H-3,9'-bicabazole), 9,9'-디페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(9,9'-Diphenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole; BCzPh), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠(1,3,5-Tris(carbazole-9-yl)benzene; TCP), TCTA, 4,4'-비스(카바졸-9-일)-2,2'-디메틸바이페닐(4,4'-Bis(carbazole-9-yl)-2,2'-dimethylbipheyl; CDBP), 2,7-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸플루오렌(2,7-Bis(carbazole-9-yl)-9,9-dimethylfluorene(DMFL-CBP), 2,2',7,7'-테트라키스(카바졸-9-일)-9,9-스파이로플루오렌(2,2',7,7'-Tetrakis(carbazole-9-yl)-9,9-spiorofluorene; Spiro-CBP), 3,6-비스(카바졸-9-일)-9-(2-에틸-헥실)-9H-카바졸(3,6-Bis(carbazole-9-yl)-9-(2-ethyl-hexyl)-9H-carbazole; TCz1) 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제 1 도펀트는 발광물질층(360)에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 발광물질층(360)은 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물은 금속-리간드 사이의 결합에 관여하는 d 오비탈 개수가 감소하여 발광 반치폭이 좁다. 견고한 화학 구조를 가지고 있기 때문에, 발광 과정에서 안정적인 화학 구조가 유지되면서 색 순도 및 발광 수명이 향상된다. 이종 리간드의 구조 및 리간드에 치환되는 작용기를 변경하여 발광 컬러를 조절할 수 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(300)의 발광 효율과 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
전술한 제 1 실시형태에서는 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하는 단일 발광 유닛으로 이루어진 유기발광표시장치 및 유기발광다이오드에 대하여 설명하였다. 이와 달리, 백색(W) 발광을 포함하는 풀-컬러 표시장치를 또한 구현할 수 있는데, 이에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치(400)는 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP)가 각각 정의된 제 1 기판(402)과, 제 1 기판(402)과 마주하는 제 2 기판(404)과, 제 1 기판(402)과 제 2 기판(404) 사이에 위치하며 백색 빛을 발광하는 유기발광다이오드(500)와, 유기발광다이오드(500)와 제 2 기판(404) 사이에 위치하는 컬러필터층(480)을 포함한다.
제 1 기판(402) 및 제 2 기판(404)은 각각 유리 기판, 플렉서블 기판 또는 고분자 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 기판(402, 404)은 각각 PI, PES, PEN, PET 및 PC 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다.
제 1 기판(402) 상에 버퍼층(406)이 형성되고, 버퍼층(406) 상에는 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각에 대응하여 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다. 버퍼층(406)은 생략될 수 있다.
버퍼층(406) 상에 반도체층(410)이 형성된다. 일례로, 반도체층(410)은 산화물 반도체 물질로 이루어지거나, 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
반도체층(410) 상부에는 절연 물질, 예를 들어, 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어지는 게이트 절연막(420)이 형성된다.
게이트 절연막(420) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(430)이 반도체층(410)의 중앙에 대응하여 형성된다. 게이트 전극(430) 상부에는 절연 물질, 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질이나, 벤조사이클로부텐이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연 물질로 이루어지는 층간 절연막(440)이 형성된다.
층간 절연막(440)은 반도체층(410)의 양 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(442, 444)을 갖는다. 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(442, 444)은 게이트 전극(430)의 양측에서 게이트 전극(430)과 이격되어 위치한다.
층간 절연막(440) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 소스 전극(452)과 드레인 전극(454)이 형성된다. 소스 전극(452)과 드레인 전극(454)은 게이트 전극(430)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(442, 444)을 통해 반도체층(410)의 양측과 접촉한다.
반도체층(410), 게이트 전극(430), 소스 전극(452) 및 드레인 전극(454)은 박막트랜지스터(Tr)를 이루며, 박막트랜지스터(Tr)는 구동 소자(driving element)로 기능한다.
도 4에 도시하지 않았으나, 게이트 배선(GL, 도 1 참조)과 데이터 배선(DL, 도 1 참조)이 서로 교차하여 화소영역을 정의하며, 게이트 배선과 데이터 배선에 연결되는 스위칭 소자(Ts, 도 1 참조)가 더 형성된다. 상기 스위칭 소자(Ts)는 구동 소자인 박막트랜지스터(Tr)에 연결된다. 또한, 파워 배선(PL, 도 1 참조)이 데이터 배선(DL)과 평행하게 이격되어 형성되며, 일 프레임(frame) 동안 구동 소자인 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(130)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 스토리지 커패시터(Cst)가 더 구성될 수 있다.
소스 전극(452)과 드레인 전극(454) 상부에는 보호층(460)이 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 제 1 기판(402) 전면에 형성된다. 보호층(460)은 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(454)을 노출하는 드레인 컨택홀(462)을 갖는다.
보호층(460) 상에 유기발광다이오드(500)가 위치한다. 유기발광다이오드(500)는 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(452)에 연결되는 제 1 전극(510)과, 제 1 전극(510)과 마주하는 제 2 전극(520)과, 제 1 및 제 2 전극(510, 520) 사이에 위치하는 발광 유닛(530)을 포함한다.
각각의 화소영역 별로 형성되는 제 1 전극(510)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 제 1 전극(510)은 ITO, IZO, ITZO, SnO, ZnO, ICO 및 AZO 등으로 이루어질 수 있다. 제 1 전극(510) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 APC 합금으로 이루어질 수 있다.
보호층(460) 상에는 제 1 전극(510)의 가장자리를 덮는 뱅크층(464)이 형성된다. 뱅크층(464)은 화소(RP, GP, BP)에 대응하여 제 1 전극(510)의 중앙을 노출한다. 뱅크층(464)은 생략될 수 있다.
제 1 전극(510) 상에 발광 유닛을 포함하는 유기 발광층(530)이 형성된다. 도 5 내지 도 8에 도시한 바와 같이, 유기 발광층(530)은 다수의 발광 유닛(630, 730, 730A, 830, 930, 930A, 1030, 1030A)과 하나 이상의 전하생성층(690, 890, 990)을 포함할 수 있다. 각각의 발광 유닛(630, 730, 730A, 830, 930, 930A, 1030, 1030A)은 발광물질층을 포함하고, 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층 및/또는 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다.
유기발광층(530)이 형성된 제 1 기판(402) 상부에 제 2 전극(520)이 형성된다. 제 2 전극(520)은 표시영역의 전면에 위치하며, 일함수 값이 비교적 적은 물질로 이루어져, 전자를 주입하는 음극(cathode)일 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(520)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(ca), 은(Ag) 또는 이들의 합금이나 조합(예를 들어, 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg))과 같은 반사 특성이 좋은 소재로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치(400)는 유기발광층(530)에서 발광된 빛이 제 2 전극(520)을 통해 컬러필터층(480)으로 입사되므로, 제 2 전극(520)은 빛이 투과될 수 있도록 얇은 두께를 갖는다.
컬러필터층(480)은 유기발광다이오드(500)의 상부에 위치하며, 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각에 대응되는 적색 컬러필터(482), 녹색 컬러필터(484) 및 청색 컬러필터(486)을 포함한다. 도시하지는 않았으나, 컬러필터층(480)은 접착층에 의하여 유기발광다이오드(500)에 부착될 수 있다. 이와 달리, 컬러필터층(480)은 유기발광다이오드(500)의 바로 위에 형성될 수 있다.
도시하지 않았으나, 외부 수분이 유기발광다이오드(500)로 침투하는 것을 방지하기 위해, 인캡슐레이션 필름이 형성될 수 있다. 예를 들어, 인캡슐레이션 필름은 제 1 무기 절연층과, 유기 절연층과 제 2 무기 절연층의 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다(도 2의 170 참조). 또한, 제 2 기판(404)의 외측면에는 외부광 반사를 줄이기 위한 편광판이 부착될 수 있다. 예를 들어, 편광판은 원형 편광판일 수 있다.
도 4에서, 유기발광다이오드(500)에서 방출된 빛은 제 2 전극(520)을 통과하고, 컬러필터층(480)은 유기발광다이오드(500)의 상부에 배치되고 있다. 이와 달리, 유기발광다이오드(500)의 빛은 제 1 전극(510)을 통과하고, 컬러필터층(480)은 유기발광다이오드(500)와 제 1 기판(402) 사이에 배치될 수도 있다. 또한, 유기발광다이오드(500)와 컬러필터층(480) 사이에는 색변환층(도시하지 않음)이 구비될 수도 있다. 색변환층은 각 화소에 대응하여 적색 색변환층, 녹색 색변환층 및 청색 색변환층을 포함하며, 유기발광다이오드(500)로부터 방출된 백색 광을 적색, 녹색 및 청색으로 각각 변환할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기발광다이오드(500)로부터 방출된 백색 빛은 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각에 대응되는 적색 컬러필터(482), 녹색 컬러필터(484), 청색 컬러필터(486)를 통과함으로써, 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP)에서 적색, 녹색 및 청색 빛이 표시된다.
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기발광표시장치에 적용될 수 있는 유기발광다이오드에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 본 발명의 예시적인 제 2 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기발광다이오드(400)는 서로 마주하는 제 1 전극(610) 및 제 2 전극(620)과, 제 1 전극(610)과 제 2 전극(620) 사이에 위치하는 제 1 발광 유닛(630)과, 제 1 발광 유닛(630)과 제 2 전극(620) 사이에 위치하는 제 2 발광 유닛(730)과, 제 1 및 제 2 발광 유닛(630, 730) 사이에 위치하는 전하생성층(690)을 포함한다.
제 1 전극(610)은 양극일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)로 형성되는 것이 바람직하다. 예시적인 실시형태에서, 제 1 전극(610)은 ITO, IZO, ITZO, SnO, ZnO, ICO) 및/또는 AZO로 이루어질 수 있다. 제 2 전극(620)은 음극일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질, 예를 들어 Al, Mg, Ca, Ag, 또는 이들의 합금이나 조합과 같은 반사 특성이 좋은 소재로 이루어질 수 있다. 제 1 전극(610)과 제 2 전극(620)은 각각 30 내지 300 nm의 두께로 적층될 수 있다.
제 1 발광 유닛(630)은 순차적으로 적층되는 정공주입층(640), 제 1 정공수송층(하부 정공수송층, 650), 제 1 발광물질층(660) 및 제 1 전자수송층(하부 전자수송층, 670)을 포함한다. 선택적으로, 제 1 발광 유닛(630)은 제 1 정공수송층(650)과 제 1 발광물질층(660) 사이에 위치하는 제 1 전자차단층(하부 전자차단층, 655) 및/또는 제 1 발광물질층(660)과 제 1 전자수송층(670) 사이에 위치하는 제 1 정공차단층(하부 정공차단층, 675)을 더욱 포함할 수 있다.
제 2 발광 유닛(730)은 순차적으로 적층되는 제 2 정공수송층(상부 정공수송층, 750)과, 제 2 발광물질층(760)과, 제 2 전자수송층(상부 전자수송층, 770) 및 전자주입층(780)을 포함한다. 필요에 따라, 제 2 발광 유닛(730)은 제 2 정공수송층(750)과 제 2 발광물질층(760) 사이에 위치하는 제 2 전자차단층(상부 전자차단층, 755) 및/또는 제 2 발광물질층(760)과 제 2 전자수송층(770) 사이에 제 2 정공차단층(상부 정공차단층, 775)을 더욱 포함할 수 있다.
이때, 제 1 발광물질층(660) 및 제 2 발광물질층(760) 중에서 적어도 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광할 수 있다. 제 1 발광물질층(660) 및 제 2 발광물질층(660)에서 다른 하나는 적색(R) 및/또는 청색(B)으로 발광하여, 유기발광다이오드(600)는 백색(W) 발광을 구현할 수 있다. 이하에서는, 제 2 발광물질층(660)이 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 경우를 중심으로 설명한다.
정공주입층(640)은 제 1 전극(610)과 제 1 정공수송층(650) 사이에 위치하여, 무기물인 제 1 전극(610)과 유기물인 제 1 정공수송층(650) 사이의 계면 특성을 향상시킨다. 일례로, 정공주입층(440)은 MTDATA, NATA, 1T-NATA, 2T-NATA, CuPc, TCTA, NPB(NPD), HAT-CN, TDAPB, PEDOT/PSS, N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민 및/또는 NPNPB 등으로 이루어지는 어느 하나의 화합물로 이루어질 수 있다. 유기발광다이오드(600)의 특성에 따라 정공주입층(640)은 생략될 수 있다.
제 1 및 제 2 정공수송층(650, 750)은 각각 TPD, NPB, CBP, Poly-TPD, TFB, TAPC, DCDPA, N-(비페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, N-(바이페닐-4-일)-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)바이페닐)-4-아민 및/또는 N-([1,1'-바이페닐]-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민 등으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 정공주입층(640) 및 제 1 및 제 2 정공수송층(650, 750)은 각각 5 nm 내지 200 nm, 바람직하게는 5 nm 내지 100 nm의 두께로 적층될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 전자수송층(670)과 제 2 전자수송층(770)은 각각 제 1 발광 유닛(630)과 제 2 발광 유닛(730)에서의 전자 수송을 원활하게 한다. 일례로, 제 1 및 제 2 전자수송층(670, 770)은 각각 옥사디아졸계(oxadiazole-base), 트리아졸계(triazole-base), 페난트롤린계(phenanthroline-base), 벤족사졸계(benzoxazole-based), 벤조티아졸계(benzothiazole-base), 벤즈이미다졸계(benzimidazole-base), 트리아진(triazine-base) 등의 유도체로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제 1 및 제 2 전자수송층(670, 770)은 각각 Alq3, PBD, 스파이로-PBD, Liq, TPBi, BAlq, Bphen, NBphen, BCP, TAZ, NTAZ, TpPyPB, TmPPPyTz, PFNBr, TPQ, TSPO1, ZADN 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 소재로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
전자주입층(780)은 제 2 전극(620)과 제 2 전자수송층(770) 사이에 위치하는데, 제 2 전극(620)의 특성을 개선하여 소자의 수명을 개선할 수 있다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 전자주입층(780)의 소재로는 LiF, CsF, NaF, BaF2 등의 알칼리 할라이드계 물질 및/또는 Liq(lithium quinolate), 리튬 벤조에이트(lithium benzoate), 소듐 스테아레이트(sodium stearate) 등의 유기금속계 물질이 사용될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 선택적인 실시형태에서, 전자주입층(780)은 생략될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 전자수송층(670, 770) 및 전자주입층(780)은 각각 10 내지 200 nm, 바람직하게는 10 내지 100 nm의 두께로 적층될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
또한, 제 1 및 제 2 전자차단층(655, 755)은 각각 TCTA, 트리스[4-(디에틸아미노)페닐]아민, N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, TAPC, MTDATA, mCP, mCBP, CuPC, DNTPD, TDAPB, DCDPA 및/또는 2,8-비스(9-페닐-9H-카바졸-3-일)디벤조[b,d]티오펜으로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 및 제 2 정공차단층(675, 775)은 각각 제 1 및 제 2 전자수송층(670, 770)에 사용될 수 있는 옥사디아졸계, 트리아졸계, 페난트롤린계, 벤족사졸계, 벤조티아졸계, 벤즈이미다졸계, 트리아진계 등의 유도체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 정공차단층(675, 775)은 각각 BCP, BAlq, Alq3, PBD, 스파이로-PBD, Liq, B3PYMPM, DPEPO, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, TSPO1 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있다.
전하생성층(charge generation layer, CGL; 690)은 제 1 발광 유닛(630)과 제 2 발광 유닛(730) 사이에 위치한다. 전하생성층(690)은 제 1 발광 유닛(630)에 인접하게 위치하는 N타입 전하생성층(N-CGL, 710)과 제 2 발광 유닛(730)에 인접하게 위치하는 P타입 전하생성층(P-CGL, 720)을 포함한다. N타입 전하생성층(710)은 제 1 발광 유닛(630)으로 전자(electron)를 주입해주고, P타입 전하생성층(720)은 제 2 발광 유닛(730)으로 정공(hole)을 주입해준다.
N타입 전하생성층(710)은 Li, Na, K, Cs와 같은 알칼리 금속 및/또는 Mg, Sr, Ba, Ra와 같은 알칼리토 금속으로 도핑된 유기층일 수 있다. 예를 들어, N타입 전하생성층(710)에 사용되는 호스트 유기물은 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-dipheny-1,10-phenanthroline; Bphen), MTDATA와 같은 물질일 수 있으며, 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속은 약 0.01 내지 30 중량%로 도핑될 수 있다.
한편, P타입 전하생성층(720)은 텅스텐산화물(WOx), 몰리브덴산화물(MoOx), 베릴륨산화물(Be2O3), 바나듐산화물(V2O5) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 무기물 및/또는 NPD, HAT-CN, F4TCNQ, TPD, N,N,N',N'-테트라나프탈레닐-벤지딘(TNB), TCTA, N,N'-디옥틸-3,4,9,10-페릴렌디카복시미드(N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide; PTCDI-C8) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다.
한편, 제 2 발광물질층(760)은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함할 수 있다. 일례로, 제 1 도펀트는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여, 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광할 수 있다. 제 1 호스트는 mCP-CN, CBP, mCBP, mCP, DPEPO, PPT, TmPyPB, PYD-2Cz, DCzDBT, DCzTPA, pCzB-2CN, mCzB-2CN, TSPO1, CCP, 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)디벤조[b,d]티오펜, 9-(4-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, BCzPh, TCP, TCTA, CDBP, DMFL-CBP, Spiro-CBP, TCz1 등을 포함할 수 있다.
제 1 도펀트는 제 2 발광물질층(760) 중에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 2 발광물질층(760)은 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
한편, 본 실시형태에서, 제 1 발광물질층(660)은 청색(B) 및/또는 적색(R) 발광물질층일 수 있다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 제 1 발광물질층(660)은 청색 발광물질층과 적색 발광물질층을 포함할 수 있다. 제 1 발광물질층(660)이 청색(B) 발광물질층인 경우, 청색 발광물질층 외에 스카이 블루(Sky Blue) 발광물질층 또는 진청색(Deep Blue) 발광물질층일 수 있다.
일례로, 제 1 발광물질층(660)은 제 1 전자차단층(655)과 제 1 정공차단층(675) 사이에 위치하는 하부 발광물질층(도시하지 않음)과, 하부 발광물질층과 제 1 정공차단층(675) 사이에 위치하는 상부 발광물질층(도시하지 않음)으로 이루어질 수 있다. 하부 발광물질층(도시하지 않음)과 상부 발광물질층(도시하지 않음) 중에서 어느 하나는 적색 발광물질층이고, 다른 하나는 청색 발광물질층일 수 있다.
일례로, 하부 발광물질층(도시하지 않음)이 적색 발광물질층인 경우, 하부 발광물질층(도시하지 않음)은 적색(R) 호스트인 제 2 호스트와 적색(R) 도펀트인 제 2 도펀트를 포함할 수 있다.
적색(R) 호스트로 사용될 수 있는 제 2 호스트는 전술한 제 1 호스트가 사용될 수 있다. 선택적으로, 적색(R) 호스트로 사용될 수 있는 제 2 호스트는 비스(2-(2-하이드록시페닐)-피리딘)베릴륨(Bis(2-hydroxylphenyl)-pyridine)beryllium; Bepp2), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(Bis(10-hydroxylbenzo[h] quinolinato)beryllium; Bebq2), 1,3,5-트리스(1-파이레닐)벤젠(1,3,5-Tris(1-pyrenyl)benzene; TPB3) 등을 포함할 수 있다.
한편, 적색(R) 도펀트로 적용될 수 있는 제 2 도펀트는 하기 화학식 10 또는 화학식 11의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
화학식 10
화학식 11
화학식 10 및 화학식 11에서, R31, R32, R36, R37은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐 원자, C1~C6 알킬기, C3~C6 사이클로 알킬기, C6~C10 아릴기 또는 C4~C10 헤테로 아릴기임; o와 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, p와 r은 각각 독립적으로 0 내지 6의 정수임; R33 내지 R35와 R38 내지 R40은 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 C1~C6 알킬기임.
일례로, 화학식 10 또는 화학식 11의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여, 제 2 도펀트인 적색(R) 도펀트는 [비스(2-(4,6-디메틸)페닐퀴놀린)](2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐(Ⅲ)([Bis(2-(4,6-dimethyl)phenylquinoline)](2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)iridium(Ⅲ), 비스[2-(4-n-헥실페닐)퀴놀린](아세틸아세토네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline](acetylacetonate)iridium(Ⅲ); Hex-Ir(phq)2(acac)), 트리스[2-(4-n-헥실페닐)퀴놀린]이리듐(Ⅲ)(Tris[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline]iridium(Ⅲ), Hex-Ir(phq)3), 트리스[2-페닐-4-메틸퀴놀린]이리듐(Ⅲ)(Tris[2-phenyl-4-methylquinoline]iridium(Ⅲ), Ir(Mphq)3), 비스(2-페닐퀴놀린)(2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis(2-phenylquinoline)(2,2,6,6-tetramethylheptene-3,5-dionate)iridium(Ⅲ), Ir(dpm)PQ2), 비스(페닐이소퀴놀린)(2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis(phenylisoquinoline)(2,2,6,6-tetramethylheptene-3,5-dionate)iridium(Ⅲ), Ir(dpm)(piq)2), 비스[(4-n-헥실페닐)이소퀴놀린](아세틸아세토네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis[(4-n-hexylphenyl)isoquinoline](acetylacetonate)iridium(Ⅲ); Hex-Ir(piq)2(acac)), 트리스[2-(4-n-헥실페닐)퀴놀린]이리듐(Ⅲ)(Tris[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline]iridium(Ⅲ), Hex-Ir(piq)3), 트리스(2-(3-메틸페닐)-7-메틸-퀴놀라토)이리듐(Tris(2-(3-methylphenyl)-7-methyl-quinolato)iridium; Ir(dmpq)3), 비스[2-(2-메틸페닐)-7-메틸-퀴놀린](아세틸아세토네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis[2-(2-methylphenyl)-7-methyl-quinoline](acetylacetonate)iridium(Ⅲ); Ir(dmpq)2(acac)), 비스[2-(3,5-디메틸페닐)-4-메틸-퀴놀린](아세틸아세토네이트)이리듐(Ⅲ)(Bis[2-(3,5-dimethylphenyl)-4-methyl-quinoline](acetylacetonate)iridium(Ⅲ); Ir(mphmq)2(acac)) 등을 포함할 수 있다.
한편, 상부 발광물질층(도시하지 않음)은 청색(B) 호스트일 수 있는 제 3 호스트와 청색(B) 도펀트일 수 있는 제 3 도펀트를 포함한다.
예를 들어, 청색(B) 호스트일 수 있는 제 3 호스트는 mCP, mCP-CN, mCBP, CBP-CN, CBP, 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-3-(디페닐포스포릴)-9H-카바졸(9-(3-(9H-Carbazol-9-yl)phenyl)-3-(diphenylphosphoryl)-9H -carbazole, mCPPO1), 3,5-디(9H-카바졸-9-일)바이페닐(3,5-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl; Ph-mCP), TSPO1, 9-(3'-(9H-카바졸-9-일-[1,1'-바이페닐]-3-일)-9H-피리도[2,3-b]인돌(9-(3'-(9H-carbazol-9-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-yl)-9H-pyrido[2,3-b]indole; CzBPCb), 비스(2-메틸페닐)디페닐실란(Bis(2-methylphenyl)diphenylsilane; UGH-1), 1,4-비스(트리페닐실릴)벤젠(1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene; UGH-2), 1,3-비스(트리페닐실릴)벤젠(1,3-Bis(triphenylsilyl)benzene; UGH-3), 9,9-스파이로바이플루오렌-2-일-디페닐-포스핀옥사이드(9,9-Spiorobifluoren-2-yl-diphenyl-phosphine oxide; SPPO1), 9,9'-(5-트리페닐실릴)-1,3-페닐렌)비스(9H-카바졸)(9,9'-(5-(Triphenylsilyl)-1,3-phenylene)bis(9H-carbazole); SimCP) 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
한편, 청색(B) 도펀트일 수 있는 제 3 도펀트는 페릴렌(perylene), 4,4'-비스[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]바이페닐(4,4'-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl; DPAVBi), 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤(4-(Di-p-tolylamino)-4-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene; DPAVB), 4,4'-비스[4-(디페닐아미노)스티릴]바이페닐(4,4'-Bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl; BDAVBi), 2,5,8,11-테트라-터르-부틸페릴렌(2,5,8,11-Tetra-tetr-butylperylene; TBPe), Bepp2, 9-(9-페닐카바졸-3-일)-10-(나프탈렌-1-일)안트라센(9-(9-Phenylcarbazole-3-yl)-10-(naphthalene-1-yl)anthracene; PCAN), mer-트리스(1-페닐-3-메틸이미다졸린-2-일리덴-C,C(2)'이리듐(Ⅲ)(mer-Tris(1-phenyl-3-methylimidazolin-2-ylidene-C,C(2)'iridium(Ⅲ), mer-Ir(pmi)3), 팩-트리스(1,3-디페닐-벤즈이미다졸린-2-일리덴-C,C(2)'이리듐((Ⅲ)(fac-Tris(1,3-diphenyl-benzimidazolin-2-ylidene-C,C(2)'iridium(Ⅲ), fac-Ir(dpbic)3), 비스(3,4,5-트리플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜)이리듐(Ⅲ)(Bis(3,4,5-trifluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(Ⅲ); Ir(tfpd)2pic), 트리스(2-(4,6-디플루오로페닐)피리딘)이리듐(Ⅲ); Ir(Fppy)3), 비스[2-(4,6-디플루오로페닐)피리디나토-C2,N](피콜리나토)이리듐(Ⅲ)(Bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinato-C2,N](picolinato)iridium(Ⅲ); FIrpic) 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제 1 발광물질층(660)을 형성할 수 있는 적색 및 청색 발광물질층 각각에서 제 2 도펀트 또는 제 3 도펀트는 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 한편, 제 1 발광물질층(660)을 형성할 수 있는 하부 및 상부 발광물질층(도시하지 않음)은 각각 10 내지 100 nm, 바람직하게는 10 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기발광다이오드(500)는 탠덤 구조를 가지며, 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 내열 특성이 우수하고, 견고한 화학 구조를 가지고 있으며, 발광 컬러를 용이하게 조절할 수 있는 본 발명의 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드(500)의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태에서 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 발광물질층, 예를 들어 제 2 발광물질층(760)이 녹색 발광물질층인 경우를 설명하였다. 이와 달리, 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 발광물질층은 적록색(RG)으로 발광할 수 있다. 도 6은 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따라 2개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기발광다이오드(600A)는 서로 마주하는 제 1 전극(610) 및 제 2 전극(620)과, 제 1 전극(610)과 제 2 전극(620) 사이에 위치하는 제 1 발광 유닛(630A)과, 제 1 발광 유닛(630A)과 제 2 전극(420) 사이에 위치하는 제 2 발광 유닛(730A)과, 제 1 및 제 2 발광 유닛(630A, 730A) 사이에 위치하는 전하생성층(690)을 포함한다. 제 1 발광 유닛(630)은 정공주입층(640), 제 1 정공수송층(650), 제 1 발광물질층(660A), 제 1 전자수송층(670)을 포함하고, 필요에 따라 제 1 전자차단층(655) 및/또는 제 1 정공차단층(675)을 포함한다.
제 2 발광 유닛(730A)은 제 2 정공수송층(750), 제 2 발광물질층(760A), 제 2 전자수송층(770) 및 전자주입층(780)을 포함하고, 필요에 따라 제 2 전자차단층(755) 및/또는 제 2 정공차단층(775)을 포함한다.
또한, 제 1 및 제 2 발광 유닛(630A, 730A) 사이에 위치하는 전하생성층(690)은 제 1 발광 유닛(630)에 인접하게 위치하는 N타입 전하생성층(710)과, 제 2 발광 유닛(730A)에 인접하게 위치하는 P타입 전하생성층(720)을 포함한다.
도 5에 나타낸 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기발광다이오드(600)와 비교하면, 도 6에 나타낸 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기발광다이오드(600A)에서 제 1 발광물질층(660A) 및 제 2 발광물질층(760A)을 제외한 나머지 구성은 동일하므로, 제 1 및 제 2 발광물질층(660A, 760A)을 제외한 나머지 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 실시형태에서, 제 1 및 제 2 발광물질층(660A, 760A) 중에서 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함할 수 있다. 이하에서는 제 2 발광물질층(760A)이 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 경우를 중심으로 설명한다.
제 2 발광물질층(660A)은 제 2 전자차단층(655)과 제 2 정공차단층(675) 사이에 위치하는 하부 발광물질층(762)과, 하부 발광물질층(762)과 제 2 정공차단층(775) 사이에 위치하는 상부 발광물질층(764)을 포함한다. 이때, 상부 및 하부 발광물질층(762, 764) 중에서 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하며, 상부 및 하부 발광물질층(762, 764) 중에서 다른 하나는 적색(R)으로 발광할 수 있다. 이하에서는 하부 발광물질층(762)이 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하고, 상부 발광물질층(764)이 적색(R)으로 발광하는 경우를 중심으로 설명한다.
제 2 발광물질층(760A)을 구성하는 하부 발광물질층(762)은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함한다. 제 1 호스트는 mCP-CN, CBP, mCBP, mCP, DPEPO, PPT, TmPyPB, PYD-2Cz, DCzDBT, DCzTPA, pCzB-2CN, mCzB-2CN, TSPO1, CCP, 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)디벤조[b,d]티오펜, 9-(4-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, BCzPh, TCP, TCTA, CDBP, DMFL-CBP, Spiro-CBP, TCz1 등을 포함할 수 있다. 제 1 도펀트는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여, 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광할 수 있다.
제 2 발광물질층(760A)을 구성하는 상부 발광물질층(764)은 제 2 호스트와 제 2 도펀트를 포함할 수 있다. 예시적인 실시형태에서, 제 2 호스트는 적색(R) 호스트이고, 제 2 도펀트는 적색(R) 도펀트일 수 있다. 적색(R) 호스트일 수 있는 제 2 호스트는 전술한 제 2 호스트 이외에도, Bepp2, Bebq2, TPB3 등을 포함할 수 있다. 적색(R) 도펀트일 수 있는 제 2 도펀트는 화학식 10 또는 화학식 11의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 일례로, 적색(R) 도펀트인 제 2 도펀트는 [비스(2-(4,6-디메틸)페닐퀴놀린)](2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐, Hex-Ir(phq)2(acac), Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(dpm)PQ2, Ir(dpm)(piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), Ir(mphmq)2(acac) 등을 포함할 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 하부 및 상부 발광물질층(762, 764)이 각각 제 1 및 제 2 도펀트를 포함하는 경우, 제 1 및 제 2 도펀트는 각각의 발광물질층 중에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 하부 발광물질층(762)과 상부 발광물질층(764)은 각각 10 내지 100 nm, 바람직하게는 10 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 실시형태에서, 제 1 발광물질층(660A)은 청색(B) 발광물질층일 수 있다. 제 1 발광물질층(660A)은 청색 이외에도, 스카이 블루 또는 진청색 발광물질층일 수 있다. 제 1 발광물질층(660A)은 청색(B) 호스트인 제 3 호스트와 청색(B) 도펀트인 제 3 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 청색(B) 호스트인 제 4 호스트는 mCP, mCP-CN, mCBP, CBP-CN, mCPPO1, Ph-mCP, TSPO1, CzBPCb, UGH-1, UGH-2, UGH-3, SPPO1, SimCP 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 청색(B) 도펀트인 제 3 도펀트는 페릴렌, DPAVBi, DPAVB, BDAVBi, TBPe, PCAN, mer-Ir(pmi)3, fac-Ir(dpbic)3, Ir(tfpd)2pic, Ir(Fppy)3, FIrpic 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 발광물질층(660A)을 형성하는 청색 도펀트인 제 3 도펀트는 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광물질층(660A)은 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 제 2 및 제 3 실시형태에 따른 유기발광다이오드는 적어도 하나의 발광물질층 중에 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 본 발명에 따른 유기 금속 화합물은 발광 반치폭이 좁고, 발광 과정에서 안정적인 화학 구조가 유지된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 유기 금속 화합물을 포함하며, 2개의 발광 유닛을 가지는 유기발광다이오드의 발광 효율, 색 순도 및 발광 수명이 향상된 백색 발광을 구현할 수 있다.
선택적으로, 유기발광다이오드는 3개 이상의 발광 유닛이 적층된 탠덤 구조를 가질 수 있다. 도 7은 본 발명의 예시적인 제 4 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 유기발광다이오드(800)는 서로 마주하는 제 1 전극(810) 및 제 2 전극(820)과, 제 1 전극(810)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 1 발광 유닛(830)과, 제 1 발광 유닛(830)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 2 발광 유닛(930)과, 제 2 발광 유닛(930)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 3 발광 유닛(1030)과, 제 1 및 제 2 발광 유닛(830, 930) 사이에 위치하는 제 1 전하생성층(890)과, 제 2 및 제 3 발광 유닛(930, 1030) 사이에 위치하는 제 2 전하생성층(990)을 포함한다.
제 1 전극(810)은 양극일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)로 형성되는 것이 바람직하다. 예시적인 실시형태에서, 제 1 전극(810)은 ITO, IZO, ITZO, SnO, ZnO, ICO) 및/또는 AZO로 이루어질 수 있다. 제 2 전극(820)은 음극일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질, 예를 들어 Al, Mg, Ca, Ag, 또는 이들의 합금이나 조합과 같은 반사 특성이 좋은 소재로 이루어질 수 있다. 제 1 전극(810)과 제 2 전극(820)은 각각 30 내지 300 nm의 두께로 적층될 수 있다.
제 1 발광 유닛(830)은 순차적으로 적층되는 정공주입층(840), 제 1 정공수송층(850), 제 1 발광물질층(860) 및 제 1 전자수송층(870)을 포함한다. 필요에 따라, 제 1 발광 유닛(830)은 제 1 정공수송층(850)과 제 1 발광물질층(860) 사이에 위치하는 제 1 전자차단층(855) 및/또는 제 1 발광물질층(860)과 제 1 전자수송층(870) 사이에 위치하는 제 1 정공차단층(875)을 더욱 포함할 수 있다.
제 2 발광 유닛(930)은 순차적으로 적층되는 제 2 정공수송층(950), 제 2 발광물질층(960) 및 제 2 전자수송층(970)을 포함한다. 필요에 따라, 제 2 발광 유닛(930)은 제 2 정공수송층(950)과 제 2 발광물질층(960) 사이에 위치하는 제 2 전자차단층(955) 및/또는 제 2 발광물질층(960)과 제 2 전자수송층(970) 사이에 위치하는 제 2 정공차단층(975)을 더욱 포함할 수 있다.
제 3 발광 유닛(1030)은 순차적으로 적층되는 제 3 정공수송층(1050)과, 제 3 발광물질층(1060)과, 제 3 전자수송층(1070) 및 전자주입층(1080)을 포함한다. 필요에 따라, 제 3 발광 유닛(1030)은 제 3 정공수송층(1050)과 제 3 발광물질층(1060) 사이에 위치하는 제 3 전자차단층(1055) 및/또는 제 3 발광물질층(1060)과 제 3 전자수송층(1070) 사이에 제 3 정공차단층(1075)을 더욱 포함할 수 있다.
이때, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860, 960, 1060) 중에서 적어도 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광할 수 있다. 예를 들어, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860, 960, 1060) 중에서 어느 하나는 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광할 수 있다. 이때, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860, 960, 1060) 중에서 다른 하나는 적색(R)으로 발광하고, 나머지 다른 하나는 청색(B)으로 발광하여, 유기발광다이오드(800)는 백색(W) 발광을 구현할 수 있다. 이하에서는, 제 2 발광물질층(960)이 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하고, 제 1 발광물질층(860)은 적색(R)으로 발광하며, 제 3 발광물질층(1060)이 청색(B)으로 발광하는 경우를 중심으로 설명한다.
정공주입층(840)은 제 1 전극(810)과 제 1 정공수송층(850) 사이에 위치하여, 무기물인 제 1 전극(810)과 유기물인 제 1 정공수송층(850) 사이의 계면 특성을 향상시킨다. 일례로, 정공주입층(840)은 MTDATA, NATA, 1T-NATA, 2T-NATA, CuPc, TCTA, NPB(NPD), HAT-CN, TDAPB, PEDOT/PSS, N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민 및/또는 NPNBP 등으로 이루어지는 어느 하나의 화합물로 이루어질 수 있다. 유기발광다이오드(800)의 특성에 따라 정공주입층(840)은 생략될 수 있다.
제 1 내지 제 3 정공수송층(850, 950, 1050)은 각각 TPD, NPB, CBP, Poly-TPD, TFB, TAPC, DCDPA, N-(비페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, N-(바이페닐-4-일)-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)바이페닐)-4-아민 및/또는 N-([1,1'-바이페닐]-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민 등으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 정공주입층(840) 및 제 1 내지 제 3 정공수송층(850, 950, 1050)은 각각 5 nm 내지 200 nm, 바람직하게는 5 nm 내지 100 nm의 두께로 적층될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 내지 제 3 전자수송층(870, 970, 1070)은 각각 제 1 내지 제 3 발광 유닛(830, 930, 1030)에서의 전자 수송을 원활하게 한다. 일례로, 제 1 내지 제 3 전자수송층(870, 970, 1070)은 각각 옥사디아졸계(oxadiazole-base), 트리아졸계(triazole-base), 페난트롤린계(phenanthroline-base), 벤족사졸계(benzoxazole-based), 벤조티아졸계(benzothiazole-base), 벤즈이미다졸계(benzimidazole-base), 트리아진(triazine-base) 등의 유도체로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제 1 내지 제 3 전자수송층(870, 970, 1070)은 각각 Alq3, PBD, 스파이로-PBD, Liq, TPBi, BAlq, Bphen, NBphen, BCP, TAZ, NTAZ, TpPyPB, TmPPPyTz, PFNBr, TPQ, TSPO1 및/또는 ZADN 등으로 구성되는 군에서 선택되는 소재로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
전자주입층(1080)은 제 2 전극(820)과 제 3 전자수송층(1070) 사이에 위치하는데, 제 2 전극(1020)의 특성을 개선하여 소자의 수명을 개선할 수 있다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 전자주입층(1080)의 소재로는 LiF, CsF, NaF, BaF2 등의 알칼리 할라이드계 물질 및/또는 Liq(lithium quinolate), 리튬 벤조에이트(lithium benzoate), 소듐 스테아레이트(sodium stearate) 등의 유기금속계 물질이 사용될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 제 1 내지 제 3 전자차단층(855, 955, 1055)은 각각 TCTA, 트리스[4-(디에틸아미노)페닐]아민, N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, TAPC, MTDATA, mCP, mCBP, CuPC, DNTPD, TDAPB, DCDPA 및/또는 2,8-비스(9-페닐-9H-카바졸-3-일)디벤조[b,d]티오펜으로 이루어질 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 내지 제 3 정공차단층(875, 975, 1075)은 각각 제 1 내지 제 3 전자수송층(770, 870, 970)에 사용될 수 있는 옥사디아졸계, 트리아졸계, 페난트롤린계, 벤족사졸계, 벤조티아졸계, 벤즈이미다졸계, 트리아진계 등의 유도체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내지 제 3 정공차단층(875, 975, 1075)은 각각 BCP, BAlq, Alq3, PBD, 스파이로-PBD, Liq, B3PYMPM, DPEPO, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, TSPO1 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물로 이루어질 수 있다.
제 1 전하생성층(890)은 제 1 발광 유닛(830)과 제 2 발광 유닛(930) 사이에 위치하고, 제 2 전하생성층(990)은 제 2 발광 유닛(930)과 제 3 발광 유닛(1030) 사이에 위치한다. 제 1 전하생성층(890)은 제 1 발광 유닛(830)에 인접하게 위치하는 제 1 N타입 전하생성층(910)과, 제 2 발광 유닛(930)에 인접하게 위치하는 제 1 P타입 전하생성층(920)을 포함한다. 제 2 전하생성층(990)은 제 2 발광 유닛(930)에 가깝게 인접하게 위치하는 제 2 N타입 전하생성층(1010)과, 제 3 발광 유닛(1030)에 인접하게 위치하는 제 2 P타입 전하생성층(1020)을 포함한다. 이때, 제 1 및 제 2 N타입 전하생성층(910, 1010)은 각각 제 1 및 제 2 발광 유닛(830, 930)으로 전자(electron)를 주입해주고, 제 1 및 제 2 P타입 전하생성층(920, 1020)은 각각 제 2 및 제 3 발광 유닛(930, 1030)으로 정공(hole)을 주입해준다.
제 1 및 제 2 N타입 전하생성층(910, 1010)은 각각 독립적으로 Li, Na, K, Cs와 같은 알칼리 금속 및/또는 Mg, Sr, Ba, Ra와 같은 알칼리토금속으로 도핑된 유기층일 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 N타입 전하생성층(910, 1010)에 사용되는 호스트 유기물은 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-dipheny-1,10-phenanthroline; Bphen), MTDATA와 같은 물질일 수 있으며, 알칼리 금속 또는 알칼리토금속은 약 0.01 내지 30 중량%로 도핑될 수 있다.
한편, 제 1 및 제 2 P타입 전하생성층(920, 1020)은 각각 독립적으로 텅스텐산화물(WOx), 몰리브덴산화물(MoOx), 베릴륨산화물(Be2O3), 바나듐산화물(V2O5) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 무기물 및/또는 NPD, HAT-CN, F4TCNQ, TPD, N,N,N',N'-테트라나프탈레닐-벤지딘(TNB), TCTA, N,N'-디옥틸-3,4,9,10-페릴렌디카복시미드(N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide; PTCDI-C8) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다.
본 실시형태에서, 제 2 발광물질층(960)은 제 1 호스트와, 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물일 수 있는 제 1 도펀트를 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광한다. 제 1 호스트는 mCP-CN, CBP, mCBP, mCP, DPEPO, PPT, TmPyPB, PYD-2Cz, DCzDBT, DCzTPA, pCzB-2CN, mCzB-2CN, TSPO1, CCP, 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)디벤조[b,d]티오펜, 9-(4-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, BCzPh, TCP, TCTA, CDBP, DMFL-CBP, Spiro-CBP, TCz1 등을 포함할 수 있다.
제 1 도펀트는 제 2 발광물질층(960) 중에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 3 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 2 발광물질층(960)은 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
한편, 본 실시형태에서, 제 1 발광물질층(860)은 적색(R) 발광물질층일 수 있다. 제 1 발광물질층(860)은 적색(R) 호스트일 수 있는 제 2 호스트와 적색(R) 도펀트일 수 있는 제 2 도펀트를 포함할 수 있다. 제 1 발광물질층(860)에 포함될 수 있는 적색 호스트인 제 2 호스트는 전술한 제 1 호스트 이외에도, Bepp2, Bebq2, TPB3 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 적색(R) 도펀트일 수 있는 제 2 도펀트는 화학식 10 또는 화학식 11의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 일례로, 적색(R) 도펀트인 제 2 도펀트는 [비스(2-(4,6-디메틸)페닐퀴놀린)](2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐, Hex-Ir(phq)2(acac), Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(dpm)PQ2, Ir(dpm)(piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), Ir(mphmq)2(acac) 등을 포함할 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 3 발광물질층(1060)은 청색(B) 호스트일 수 있는 제 3 호스트와 청색(B) 도펀트일 수 있는 제 3 도펀트를 포함할 수 있다. 제 3 발광물질층(1060)에 포함되는 청색 호스트일 수 있는 제 4 호스트는 mCP, mCP-CN, mCBP, CBP-CN, mCPPO1, Ph-mCP, TSPO1, CzBPCb, UGH-1, UGH-2, UGH-3, SPPO1, SimCP 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 청색 도펀트일 수 있는 제 3 도펀트는 페릴렌, DPAVBi, DPAVB, BDAVBi, TBPe, Bepp2, PCAN, mer-Ir(pmi)3, fac-Ir(dpbic)3, Ir(tfpd)2pic, Ir(Fppy)3, FIrpic 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 내지 제 3 발광물질층(860, 960, 1060) 중에 제 1 내지 제 3 도펀트는 각각 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 또한, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860, 960, 1060)은 각각 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 제 4 실시형태에서 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 제 2 발광물질층(760)이 녹색 발광물질층인 경우를 설명하였다. 이와 달리, 화학식 1 내지 화학식 5의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 발광물질층은 적록색(RG)으로 발광할 수 있다. 도 8은 본 발명의 예시적인 제 5 실시형태에 따라 3개의 발광 유닛이 탠덤 형태로 형성된 유기발광다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 유기발광다이오드(800A)는 서로 마주하는 제 1 전극(810) 및 제 2 전극(820)과, 제 1 전극(810)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 1 발광 유닛(830A)과, 제 1 발광 유닛(830A)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 2 발광 유닛(930A)과, 제 2 발광 유닛(930A)과 제 2 전극(820) 사이에 위치하는 제 3 발광 유닛(1030A), 제 1 및 제 2 발광 유닛(830A, 930A) 사이에 위치하는 제 1 전하생성층(810) 및 제 2 및 제 3 발광 유닛(930A, 1030A) 사이에 위치하는 제 2 전하생성층(990)을 포함한다.
제 1 발광 유닛(830A)은 순차적으로 적층되는 정공주입층(840), 제 1 정공수송층(850), 제 1 발광물질층(860A), 제 1 전자수송층(870)을 포함하고, 필요에 따라 제 1 전자차단층(855) 및/또는 제 1 정공차단층(875)을 포함한다.
제 2 발광 유닛(930A)은 순차적으로 적층되는 제 2 정공수송층(950), 제 2 발광물질층(960A), 제 2 전자수송층(970)을 포함하고, 필요에 따라 제 2 전자차단층(955) 및/또는 제 2 정공차단층(975)을 포함한다.
제 3 발광 유닛(1030A)은 순차적으로 적층되는 제 3 정공수송층(1050), 제 3 발광물질층(1060A), 제 3 전자수송층(1070) 및 전자주입층(1080)을 포함하고, 필요에 따라 제 3 전자차단층(1055) 및/또는 제 3 정공차단층(1075)을 포함한다.
제 1 및 제 2 발광 유닛(830A, 930A) 사이에 위치하는 제 1 전하생성층(890)은 제 1 발광 유닛(830A)에 인접하게 위치하는 제 1 N타입 전하생성층(910)과, 제 2 발광 유닛(930A)에 인접하게 위치하는 제 1 P타입 전하생성층(920)을 포함한다. 한편, 제 2 및 제 3 발광 유닛(930A, 1030A) 사이에 위치하는 제 2 전하생성층(990)은 제 2 발광 유닛(930A)에 인접하게 위치하는 제 2 N타입 전하생성층(1010)과, 제 3 발광 유닛(1030A)에 인접하게 위치하는 제 2 P타입 전하생성층(1020)을 포함한다.
도 7에 나타낸 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 유기발광다이오드(800)와 비교하면, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860A, 960A, 1060A)을 제외한 나머지 구성은 동일하므로, 제 1 내지 제 3 발광물질층(860A, 960A, 1060A)을 제외한 나머지 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 실시형태에서, 제 1 내지 및 제 3 발광물질층(860A, 960A, 1060A) 중에서 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함할 수 있다. 이하에서는 제 2 발광물질층(860A)이 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하는 경우를 중심으로 설명한다.
제 2 발광물질층(960A)은 제 2 전자차단층(955)과 제 2 정공차단층(975) 사이에 위치하는 하부 발광물질층(962)과, 하부 발광물질층(962)과 제 2 정공차단층(975) 사이에 위치하는 상부 발광물질층(964)을 포함한다. 이때, 상부 및 하부 발광물질층(962, 964) 중에서 어느 하나는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하여 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하며, 상부 및 하부 발광물질층(962, 964) 중에서 다른 하나는 적색(R)으로 발광할 수 있다. 이하에서는 하부 발광물질층(962)이 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광하고, 상부 발광물질층(964)이 적색(R)으로 발광하는 경우를 중심으로 설명한다.
제 2 발광물질층(960A)을 구성하는 하부 발광물질층(962)은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함한다. . 제 1 호스트는 mCP-CN, CBP, mCBP, mCP, DPEPO, PPT, TmPyPB, PYD-2Cz, DCzDBT, DCzTPA, pCzB-2CN, mCzB-2CN, TSPO1, CCP, 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)디벤조[b,d]티오펜, 9-(4-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(3-(9H-카바졸-9-일)페닐)-9H-3,9'-바이카바졸, 9-(6-(9H-카바졸-9-일)피리딘-3-일)-9H-3,9'-바이카바졸, BCzPh, TCP, TCTA, CDBP, DMFL-CBP, Spiro-CBP, TCz1 등을 포함할 수 있다. 제 1 도펀트는 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함하며, 하부 발광물질층(962)은 녹색(G) 또는 황록색(YG)으로 발광한다.
제 2 발광물질층(960A)을 구성하는 상부 발광물질층(964)은 제 2 호스트와 제 2 도펀트를 포함할 수 있다. 예시적인 실시형태에서, 제 2 호스트는 적색(R) 호스트이고, 제 2 도펀트는 적색(R) 도펀트일 수 있다. 적색(R) 호스트일 수 있는 제 3 호스트는 전술한 제 2 호스트 이외에도, Bepp2, Bebq2, TPB3 등을 포함할 수 있다. 한편, 적색(R) 도펀트일 수 있는 제 2 도펀트는 화학식 10 또는 화학식 11의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 일례로, 제 2 도펀트인 적색(R) 도펀트는 [비스(2-(4,6-디메틸)페닐퀴놀린)](2,2,6,6-테트라메틸헵텐-3,5-디오네이트)이리듐, Hex-Ir(phq)2(acac), Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(dpm)PQ2, Ir(dpm)(piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), Ir(mphmq)2(acac) 등을 포함할 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 하부 및 상부 발광물질층(962, 964)이 각각 제 1 및 제 2 도펀트를 포함하는 경우, 제 1 및 제 2 도펀트는 각각의 발광물질층 중에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 하부 발광물질층(962)과 상부 발광물질층(964)은 각각 10 내지 100 nm, 바람직하게는 10 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 실시형태에서, 제 1 및 제 3 발광물질층(860A, 1060A)은 청색(B) 발광물질층일 수 있다. 제 1 및 제 3 발광물질층(860A, 1060A)은 각각 청색 이외에도, 스카이 블루 또는 진청색 발광물질층일 수 있다. 제 1 및 제 3 발광물질층(860A, 1060A)은 청색(B) 호스트인 제 3 호스트와 청색(B) 도펀트인 제 3 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 청색(B) 호스트인 제 3 호스트는 mCP, mCP-CN, mCBP, CBP-CN, mCPPO1, Ph-mCP, TSPO1, CzBPCb, UGH-1, UGH-2, UGH-3, SPPO1, SimCP 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 청색(B) 도펀트인 제 3 도펀트는 페릴렌, DPAVBi, DPAVB, BDAVBi, TBPe, PCAN, mer-Ir(pmi)3, fac-Ir(dpbic)3, Ir(tfpd)2pic, Ir(Fppy)3, FIrpic 등을 포함하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제 1 및 제 3 발광물질층(860A, 1060A)을 각각 형성하는 청색 도펀트인 제 3 도펀트는 각각의 발광물질층 내에 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%의 비율로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 3 발광물질층(860A, 1060A)은 각각 10 내지 200 nm, 바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 제 4 및 제 5 실시형태에 따른 유기발광다이오드는 적어도 하나의 발광물질층 중에 화학식 1 내지 화학식 9의 구조를 가지는 유기 금속 화합물을 포함한다. 본 발명에 따른 유기 금속 화합물은 발광 반치폭이 좁고, 발광 과정에서 안정적인 화학 구조가 유지된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 유기 금속 화합물을 포함하며, 3개의 발광 유닛을 가지는 유기발광다이오드의 발광 효율, 색 순도 및 발광 수명이 향상된 백색 발광을 구현할 수 있다.
다른 예시적인 실시형태에서, 본 발명에 따른 유기발광장치는 색변환층을 포함할 수 있다. 도 9는 본 발명의 예시적인 제 3 실시형태에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 유기발광표시장치(1100)는 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP)가 정의된 제 1 기판(1102)과, 제 1 기판(1102)과 마주하는 제 2 기판(1104)과, 제 1 기판(1102)과 제 2 기판(1104) 사이에 위치하며 청색 빛을 발광하는 유기발광다이오드(1200)와, 유기발광다이오드(1200)와 제 2 기판(1104) 사이에 위치하는 색변환층(1180)을 포함한다. 도시하지 않았으나, 제 2 기판(1104)과 색변환층(1180) 각각의 사이에는 컬러필터가 형성될 수 있다.
제 1 기판(1102) 상에는 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각에 대응하여 박막트랜지스터(Tr)가 구비되고, 박막트랜지스터(Tr)를 구성하는 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(도시하지 않음)을 노출하는 드레인 컨택홀(1162)을 갖는 보호층(1160)이 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 형성된다.
보호층(1160) 상에는 제 1 전극(1210), 유기발광층(1230) 및 제 2 전극(1220)을 포함하는 유기발광다이오드(1200)가 형성된다. 이때, 제 1 전극(1210)은 드레인 컨택홀(1162)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결될 수 있다. 또한, 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각의 경계에는 제 1 전극(1210)의 가장자리를 덮는 뱅크층(1164)이 형성된다.
이때, 유기발광다이오드(1200)는 도 4의 구조를 갖고 청색(B)을 발광할 수 있다. 즉, 유기발광다이오드(1200)는 적색 화소(RP), 녹색 화소(GP) 및 청색 화소(BP) 각각에 구비되어 청색 빛을 제공한다.
색변환층(1180)은 적색 화소(RP)에 대응하는 제 1 색변환층(1182)과 녹색 화소(BP)에 대응하는 제 2 색변환층(1184)을 포함한다. 예를 들어, 색변환층(1180)은 양자점과 같은 무기발광물질로 이루어질 수 있다.
적색 화소(RP)에서 유기발광다이오드(1200)로부터 방출된 청색 빛은 제 1 색변환층(1182)에 의하여 적색 빛으로 변환되고, 녹색 화소(GP)에서 유기발광다이오드(1200)로부터 방출된 청색 빛은 제 2 색변환층(1184)에 의해 녹색 빛으로 변환된다. 따라서, 유기발광표시장치(1100)는 컬러 영상을 구현할 수 있다.
한편, 유기발광다이오드(1200)로부터 방출된 빛이 제 1 기판(1102)을 통과하여 표시되는 경우, 색변환층(1180)은 유기발광다이오드(1200)와 제 1 기판(1102) 사이에 구비될 수도 있다.
이하, 예시적인 실시형태를 통하여 본 발명을 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 기재된 기술사상으로 한정되지 않는다.
합성예 1: 화합물 1의 합성
(1) 중간체 1-1의 합성
[반응식 1-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-1 4.5 g (20 mmol), SM-2 6.8 g (40 mmol), Bis(dibenzylideneacetone) palladium (0) (Pd(dba)2) 1.15 g (2.0 mmol), 4,5-bis(diphenylphosphine)-9,9-dimethylxanthene (xantphos) 1.16 g (2.0 mmol), sodium tert-butoxide (NaOtBu) 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열, 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 1-1 5.02 g (수율: 56 %)를 얻었다.
(2) 중간체 1-2의 합성
[반응식 1-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-1 4.5 g (10 mmol), SM-3 5.1 g,(30 mmol), K2CO3 6.9 g (50 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 1-2 5.66 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(3) 중간체 1-3의 합성
[반응식 1-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-2 6.3 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후, boron tribromide (BBr3) 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 N,N-diisopropylethylamine (EtN(i-Pr)2) 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드: 헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 1-3 2.41 g (수율:40 %)를 얻었다.
(4) 중간체 1-4의 합성
[반응식 1-4]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-3 6.03 g ( 10 mmol), 팔라듐차콜 1g (10% Pd/C) 을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 1-4 3.38 g (수율:80 %)를 얻었다.
(5) 중간체 1-5의 합성
[반응식 1-5]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-4 8.45 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), triphenylphosphine (PPh3) 0.52 g (2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 1-5 10.9 g (수율:95 %)를 얻었다.
(6) 화합물 1의 합성
[반응식 1-6]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-5 5.75 g (10 mmol), Bis(benzonitrile) platinum (Ⅱ) chloride(Pt(PhCN)2Cl2) 4.72 g (10 mmol)을 benzonitrile (PhCN) 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 1 1.92 g (수율: 25 %)를 얻었다.
합성예 2: 화합물 3의 합성
(1) 중간체 3-1의 합성
[반응식 2-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-5 5.84 g (20 mmol), SM-6 8.49 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 3-1 6.77 g (수율: 61%)를 얻었다.
(2) 중간체 3-2의 합성
[반응식 2-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 3-1 5.55 g (10 mmol), SM-3 5.1 g (30 mmol), K2CO3 6.9 g (50 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 3-2 6.76 g (수율: 92 %)를 얻었다.
(3) 중간체 3-3의 합성
[반응식 2-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 3-2 7.35 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 90℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후, BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 10시간 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 3-3 2.75 g (수율: 37 %)를 얻었다.
(4) 중간체 3-4의 합성
[반응식 2-4]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 3-3 7.43 g (10 mmol), 팔라듐차콜 (1g, 10% Pd/C)을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 3-4 4.95 g (수율: 88 %)를 얻었다.
(5) 중간체 3-5의 합성
[반응식 2-5]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 3-4 11.3 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), PPh3 0.52 g (2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 3-5 13.6 g (수율: 95 %)를 얻었다.
(6) 화합물 3의 합성
[반응식 2-6]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 3-5 7.15 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 3 2.45 g (수율: 27 %)를 얻었다.
합성예 3: 화합물 8의 합성
(1) 중간체 8-1의 합성
[반응식 3-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-5 5.84 g (20 mmol), SM-2 6.81 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 8-1 6.31 g (수율 : 67%)를 얻었다.
(2) 중간체 8-2의 합성
[반응식 3-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 8-1 4.71 g (10 mmol), SM-3 5.1 g (30 mmol), K2CO3 6.9 g (50 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 8-2 5.86 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(3) 중간체 8-3의 합성
[반응식 3-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 8-2 6.51 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 90℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후, BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 10시간 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 8-3 2.11 g (수율: 32 %)를 얻었다.
(4) 중간체 8-4의 합성
[반응식 3-4]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 8-3 6.89 g (10 mmol), 팔라듐차콜 (1g, 10% Pd/C) 을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 8-4 4.31 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(5) 중간체 8-5의 합성
[반응식 3-5]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 8-4 9.57 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), PPh3 0.52 g (2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 8-5 11.5 g (수율: 91 %)를 얻었다.
(6) 화합물 8의 합성
[반응식 3-6]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 8-5 6.31 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 8 2.47 g (수율: 30 %)를 얻었다.
합성예 4: 화합물 13의 합성
(1) 중간체 13-1의 합성
[반응식 4-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-5 5.84 g (20 mmol), SM-7 8.81 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 13-1 7.53 g (수율: 66%)를 얻었다.
(2) 중간체 13-2의 합성
[반응식 4-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 13-1 5.71 g (10 mmol), SM-3 5.1 g (30 mmol), K2CO3 6.9 g (50 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 13-2 6.76 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(3) 중간체 13-3의 합성
[반응식 4-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 13-2 7.51 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 90℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후, BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 10시간 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마트그래피를 수행하여 중간체 13-3 2.96 g (수율: 39 %)를 얻었다.
(4) 중간체 13-4의 합성
[반응식 4-4]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 13-3 7.59 g (10 mmol), 팔라듐차콜 (1g, 10% Pd/C)을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 13-4 5.20 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(5) 중간체 13-5의 합성
[반응식 4-5]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 13-4 11.6 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), PPh3 0.52 g (2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 13-5 13.4 g (수율: 92 %)를 얻었다.
(6) 화합물 13의 합성
[반응식 6]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 13-5 7.31 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 13 2.77 g (수율: 30 %)를 얻었다.
합성예 5: 화합물 16의 합성
(1) 중간체 16-1의 합성
[반응식 5-1]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-8 4.80 g (10 mmol)을 diethtylether 100 mL에 녹인 후 온도를 -78℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 SM-9 2.38 g (10 mmol)을 적가한 후 1 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 올린 후 5 시간 동안 추가로 교반하였다. 반응이 종료되면, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 16-1 3.56 g (수율: 73 %)를 얻었다.
(2) 중간체 16-2의 합성
[반응식 5-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 16-1 9.74 g (20 mmol), SM-10 2.46 g (20 mmol), Tetrakis(triphenylphosphine) palladium (0) (Pd(PPh3)4) 1.16 g (1.0 mmol), K2CO3 8.28 g (60 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 2 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드: 헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 16-2 9.22 g (수율: 95%)를 얻었다.
(3) 화합물 16의 합성
[반응식 5-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 16-2 4.85 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 16 2.51 g (수율: 37 %)를 얻었다.
합성예 6: 화합물 17의 합성
(1) 중간체 17-1의 합성
[반응식 6-1]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-11 5.36 g (10 mmol)을 diethtylether 100 mL에 녹인 후 온도를 -78℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 SM-9 2.38 g (10 mmol)을 적가한 후 1 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 올린 후 5 시간 동안 추가로 교반하였다. 반응이 종료되면 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 17-1 4.18 g (수율: 77 %)를 얻었다.
(2) 중간체 17-2의 합성
[반응식 6-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 17-1 10.9 g (20 mmol), SM-12 3.58 g (20 mmol), Pd(PPh3)4 1.16 g (1.0 mmol), K2CO3 8.28 g (60 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 2 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 17-2 10.9 g (수율: 91%)를 얻었다.
(3) 화합물 17의 합성
[반응식 6-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 17-2 5.98 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 17 2.69 g (수율: 34 %)를 얻었다.
합성예 7: 화합물 42의 합성
(1) 중간체 42-1의 합성
[반응식 7-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-13 2.76 g (20 mmol), SM-14 3.40 g (20 mmol), Pd(PPh3)4 1.16 g (1.0 mmol), K2CO3 8.28 g (60 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 2 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 42-1 4.23 g (수율: 93%)를 얻었다.
(2) 중간체 42-2의 합성
[반응식 7-2]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 42-1 4.55 g (20 mmol), SM-15 1.93 g (10 mmol), K2CO3 6.90 g (50 mmol)을 N-metnyl-2-pyrrolidone (NMP) 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거한 후 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 42-2 5.04 g (수율: 83%)를 얻었다.
(3) 중간체 42-3의 합성
[반응식 7-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 42-2 6.08 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 42-3 1.99 g (수율: 37 %)를 얻었다.
(4) 화합물 42의 합성
[반응식 7-4]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 42-3 5.37 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 42 2.85 g (수율: 39 %)를 얻었다.
합성예 8: 화합물 31의 합성
(1) 중간체 31-1의 합성
[반응식 8-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-1 4.52 g (20 mmol), SM-2 3.40 g (20 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-1 5.04 g (수율: 80 %)를 얻었다.
(2) 중간체 31-2의 합성
[반응식 8-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-1 6.30 g (20 mmol), SM-3 3.42 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-2 7.54 g ( 수율: 93 %)를 얻었다.
(3) 중간체 31-3의 합성
[반응식 8-3]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-2 8.11 g (20 mmol), SM-16 5.19 g (20 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-3 10.7 g (수율: 85 %)를 얻었다.
(4) 중간체 31-4의 합성
[반응식 8-4]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-3 12.6 g (20 mmol), SM-3 3.42 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-4 12.9 g (수율: 90 %)를 얻었다.
(5) 중간체 31-5의 합성
[반응식 8-5]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-4 7.13 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 ml (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-5 6.69 g (수율: 33 %)를 얻었다.
(6) 중간체 31-6의 합성
[반응식 8-6]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-5 6.92 g (10 mmol), 팔라듐차콜 (1g, 10% Pd/C)을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-6 3.94 g (수율: 77 %)를 얻었다.
(7) 중간체 31-7의 합성
[반응식 8-7]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-6 10.2 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), PPh3 0.52 g )(2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 31-7 12.2 g (수율: 92 %)를 얻었다.
(8) 화합물 31의 합성
[반응식 8-8]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-7 6.64 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 31 2.31 g (수율: 27 %)를 얻었다.
합성예 9: 화합물 71의 합성
(1) 중간체 7-1의 합성
[반응식 9-1]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 42-1 4.55 g (20 mmol), SM-15 3.86 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거한 후 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 71-1 6.40 g (수율: 80%)를 얻었다.
(2) 중간체 71-2의 합성
[반응식 9-2]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 71-1 4.55 g (20 mmol), SM-17 3.86 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거한 후 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 71-1 6.40 g (수율: 80%)를 얻었다.
(3) 중간체 71-3의 합성
[반응식 9-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 71-2 6.41 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 71-3 1.88 g (수율 : 33 %)를 얻었다.
(4) 화합물 71의 합성
[반응식 9-4]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 71-3 5.70 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 71 2.82 g (수율: 37 %)를 얻었다.
합성예 10: 화합물 96의 합성
(1) 중간체 96-1의 합성
[반응식 10-1]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 31-2 8.11 g (20 mmol), SM-18 3.72 g (20 mmol), Pd(dba)2 1.15 g (2.0 mmol), xantphos 1.16 g (2.0 mmol), NaOtBu 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 1 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 96-1 8.99 g (수율: 81 %)를 얻었다.
(2) 중간체 96-2의 합성
[반응식 10-2]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 96-1 11.1 g (20 mmol), SM-3 3.42 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 메탄올 200 mL에 녹인 후 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 96-2 11.6 g (수율: 88 %)를 얻었다.
(3) 중간체 96-3의 합성
[반응식 10-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 96-2 6.45 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (2 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 96-3 1.86 g (수율: 30 %)를 얻었다.
(4) 중간체 96-4의 합성
[반응식 10-4]
수소 1 기압 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 96-3 6.19 g (10 mmol), 팔라듐차콜 (1g, 10% Pd/C)을 메탄올 100 mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 96-4 3.51 g (수율: 80 %)를 얻었다.
(5) 중간체 96-5의 합성
[반응식 10-5]
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 96-4 8.77 g (20 mmol), SM-4 8.16 g (40 mmol), Pd(dba)2 1.15 g, 2.0 mmol), PPh3 0.52 g (2.0 mmol), K2CO3 0.31 g (80 mmol)을 toluene 200 mL에 녹인 후 110℃에서 3 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 96-5 11.2 g (수율: 95 %)를 얻었다.
(6) 화합물 96의 합성
[반응식 10-6]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 96-5 5.91 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 96 2.35 g (수율: 30 %)를 얻었다.
합성예 11: 화합물 82의 합성
(1) 중간체 82-1의 합성
[반응식 11-1]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 SM-19 4.43 g (20 mmol), SM-15 3.86 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거한 후 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 82-1 6.46 g (수율: 82%)를 얻었다.
(2) 중간체 82-2의 합성
[반응식 11-2]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 82-1 7.88 g (20 mmol), SM-20 4.87 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15 시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거한 후 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 82-2 9.51 g (수율: 77%)를 얻었다.
(3) 중간체 82-3의 합성
[반응식 11-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 82-2 6.18 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane) 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2 시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 82-3 1.64 g (수율: 30 %)를 얻었다.
(4) 화합물 82의 합성
[반응식 11-4]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 82-3 5.46 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 82 2.96 g (수율: 40 %)를 얻었다.
합성예 12: 화합물 52의 합성
(1) 중간체 52-1의 합성
[반응식 12-1]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 42-1 4.55 g (20 mmol), SM-15 3.86 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후, 180℃에서 15시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMP를 제거하고, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드: 헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 52-1 6.40 g (수율: 80%)를 얻었다.
(2) 중간체 52-2의 합성
[반응식 12-2]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 52-1 8.00 g (20 mmol), SM-21 4.43 g (20 mmol), K2CO3 4.14 g (30 mmol)을 NMP 100 mL에 녹인 후 180℃에서 15시간 동안 가열 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 감압 하에서 NMR을 제거하고 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 52-2 10.2 g (수율: 85%)를 얻었다.
(3) 중간체 52-3의 합성
[반응식 12-3]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 52-2 6.02 g (10 mmol)을 t-butylbenzene 100 mL에 녹인 후 온도를 60℃로 조정하였다. t-BuLi (1.7 M in pentane, 7 mL (12 mmol)을 적가한 후 2시간 동안 교반하였다. 그 후에 온도를 상온으로 내린 후 BBr3 3.00 g (12 mmol)을 천천히 적가하고 상온에서 30분 동안 교반하였다. 이어서 EtN(i-Pr)2 2.58 g (20 mmol)을 적가한 후 120℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 1:3의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 중간체 52-3 1.75 g (수율: 33 %)를 얻었다.
(4) 화합물 52의 합성
[반응식 12-4]
질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 52-3 5.30 g (10 mmol), Pt(PhCN)2Cl2 4.72 g (10 mmol)을 PhCN 100 mL에 녹인 후 190℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 세척하였다. 무수황산마크네슘으로 수분을 제거하고 감압 농축시키고 메틸렌클로라이드:헥산 = 5:1의 전개용매를 사용한 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 화합물 52 2.39 g (수율: 33 %)를 얻었다.
실시예 1: 유기발광다이오드 제조
합성예 1에서 합성한 화합물 1을 발광물질층에 적용한 유기발광다이오드를 제조하였다. 먼저 40 mm x 40 mm x 두께 0.5 mm 크기의 ITO(반사판 포함)가 100 nm 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세척하고, 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세정을 진행한 후 100℃ Oven에 건조하였다. 기판 세정 후 진공상태에서 2분 동안 O2 플라즈마 처리하고 상부에 다른 층들을 증착하기 위하여 증착 챔버로 이송하였다. 약 5~7 X 10-7 Torr 진공 하에 가열 보트로부터 증발에 의해 다음과 같은 순서로 유기물층을 증착하였다. 이때, 유기물의 증착 속도는 1 Å/s로 설정하였다.
정공주입층(하기에 표시한 HI-1(NPNPB), 두께 60 nm), 정공수송층(NPB, 두께 80 nm), 발광물질층(호스트 CBP에 도펀트인 화합물 1을 5% 도핑, 두께 30 nm), 전자수송층-전자주입층(ET-1(2-[4-(9,10-Di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazole; ZADN): Liq (1:1), 두께: 30 nm), 음극(Al, 두께 100 nm).
CPL(capping layer)을 성막한 뒤에 유리로 인캡슐레이션 하였다. 이러한 층들의 증착 후 피막 형성을 위해 증착 챔버에서 건조 박스 내로 옮기고 후속적으로 UV 경화 에폭시 및 수분 게터(getter)를 사용하여 인캡슐레이션 하였다. 발광다이오드를 제조하기 위하여 사용된 화합물 중에서 정공 주입 재료와 전자 수송 재료의 구조를 아래에 나타낸다.
실시예 2 내지 실시예 11: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 화합물 3 (실시예 2), 화합물 8 (실시예 3), 화합물 13 (실시예 4), 화합물 16 (실시예 5), 화합물 17 (실시예 6), 화합물 25 (실시예 7), 화합물 26 (실시예 8), 화합물 41 (실시예 9), 화합물 42 (실시예 10) 및 화합물 52 (실시예 11)을 각각 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 물질 및 절차를 반복하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 4: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 아래에 표시한 비교화합물 1 (비교예 1), 비교화합물 2 (비교예 2), 비교화합물 3 (비교예 3) 및 비교 화합물 4(비교예 4)을 각각 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 물질 및 절차를 반복하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
실험예 1: 유기발광다이오드의 발광 특성 측정
실시예 1 내지 실시예 11과, 비교예 1 내지 비교예 4에서 각각 제조한 유기발광다이오드의 광학적 특성을 측정하였다. 9 ㎟의 방출 영역을 갖는 각각의 유기발광다이오드를 외부전력 공급원에 연결하였으며, 전류 공급원(KEITHLEY) 및 광도계(PR 650)를 사용하여 실온에서 소자 특성을 평가하였다. 10 ㎃/㎠의 전류밀도에서 각각의 유기발광다이오드에 대한 구동 전압(V), 최대발광양자효율(%, 상대 값), 외부양자효율(%, 상대 값), 최초 휘도에서 95% 휘도로 감소하기까지의 시간(LT95, %, 상대 값)을 각각 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
| 샘플 | 도펀트 | 구동 전압 (V) |
최대발광양자효율 (%, 상대 값) |
EQE (%, 상대값) |
LT95 (%, 상대값) |
| 비교예 1 | 비교화합물 1 | 4.25 | 100 | 100 | 100 |
| 비교예 2 | 비교화합물 2 | 4.42 | 108 | 106 | 106 |
| 비교예 3 | 비교화합물 3 | 4.38 | 102 | 101 | 102 |
| 비교예 4 | 비교화합물 4 | 4.42 | 105 | 103 | 107 |
| 실시예 1 | 화합물 1 | 4.22 | 129 | 123 | 133 |
| 실시예 2 | 화합물 3 | 4.22 | 122 | 120 | 121 |
| 실시예 3 | 화합물 8 | 4.26 | 132 | 125 | 122 |
| 실시예 4 | 화합물 13 | 4.21 | 119 | 116 | 138 |
| 실시예 5 | 화합물 16 | 4.26 | 135 | 133 | 125 |
| 실시예 6 | 화합물 17 | 4.30 | 113 | 110 | 133 |
| 실시예 7 | 화합물 25 | 4.24 | 123 | 112 | 140 |
| 실시예 8 | 화합물 26 | 4.22 | 125 | 116 | 151 |
| 실시예 9 | 화합물 41 | 4.29 | 138 | 142 | 108 |
| 실시예 10 | 화합물 42 | 4.26 | 139 | 141 | 123 |
| 실시예 11 | 화합물 52 | 4.29 | 133 | 140 | 122 |
실시예 12 내지 실시예 17: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 화합물 82 (실시예 12), 화합물 87 (실시예 13), 화합물 92 (실시예 14), 화합물 96 (실시예 15), 화합물 99 (실시예 16), 화합물 103 (실시예 17)을 각각 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 물질 및 절차를 반복하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
비교예 5: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 아래에 표시한 비교화합물 5를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1의 물질 및 절차를 사용하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
실험에 2: 유기발광다이오드의 발광 특성 측정
실시예 12 내지 실시예 17과 비교예 5에서 각각 제조된 유기발광다이오드에 대한 광학적 특성을 실험예 1의 절차를 반복하여 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
| 샘플 | 도펀트 | 구동 전압 (V) |
최대발광양자효율 (%, 상대 값) |
EQE (%, 상대값) |
LT95 (%, 상대값) |
| 비교예 5 | 비교화합물 5 | 4.22 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 12 | 화합물 82 | 4.23 | 135 | 129 | 119 |
| 실시예 13 | 화합물 87 | 4.19 | 131 | 127 | 121 |
| 실시예 14 | 화합물 92 | 4.22 | 138 | 133 | 125 |
| 실시예 15 | 화합물 96 | 4.26 | 129 | 124 | 118 |
| 실시예 16 | 화합물 99 | 4.18 | 127 | 127 | 117 |
| 실시예 17 | 화합물 103 | 4.18 | 126 | 126 | 109 |
실시예 18 내지 실시예 22: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 화합물 31 (실시예 18), 화합물 33 (실시예 19), 화합물 38 (실시예 20), 화합물 71 (실시예 21), 화합물 77 (실시예 22)을 각각 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 물질 및 절차를 반복하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
비교예 6: 유기발광다이오드 제조
발광물질층의 도펀트로서 화합물 1을 대신하여, 아래에 표시한 비교화합물 6을 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 물질 및 절차를 반복하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
실험에 3: 유기발광다이오드의 발광 특성 측정
실시예 18 내지 실시예 22와 비교예 6에서 각각 제조된 유기발광다이오드에 대한 광학적 특성을 실험예 1의 절차를 반복하여 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
| 샘플 | 도펀트 | 구동 전압 (V) |
최대발광양자효율 (%, 상대 값) |
EQE (%, 상대값) |
LT95 (%, 상대 값) |
| 비교예 6 | 비교화합물 6 | 4.31 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 18 | 화합물 31 | 4.29 | 115 | 111 | 121 |
| 실시예 19 | 화합물 33 | 4.24 | 109 | 109 | 124 |
| 실시예 20 | 화합물 38 | 4.26 | 112 | 110 | 126 |
| 실시예 21 | 화합물 71 | 4.21 | 126 | 124 | 119 |
| 실시예 22 | 화합물77 | 4.22 | 129 | 122 | 114 |
실험예 1 내지 실험예 3의 결과를 종합하면, 비교예에서 제조된 유기발광다이오드와 비교해서, 본 발명에 따라 합성된 유기 금속 화합물을 발광물질층의 도펀트로 도입하면, 최대발광양자효율, EQE 및 LT95는 각각 최대 39%, 최대 40%, 최대 51% 향상되었다. 따라서, 본 발명에 따라 합성된 유기 금속 화합물을 발광물질층에 도입하여, 발광 효율 및 발광 수명이 크게 향상된 유기발광다이오드를 제조할 수 있다는 것을 확인하였다.
상기에서는 본 발명의 예시적인 실시형태 및 실시예에 기초하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명이 상기 실시형태 및 실시예에 기재된 기술사상으로 한정되는 것은 아니다. 오히려 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 전술한 실시형태 및 실시예를 토대로 다양한 변형과 변경을 용이하게 추고할 수 있다. 하지만, 이러한 변형과 변경은 모두 본 발명의 권리범위에 속한다는 점은, 첨부하는 청구범위에서 분명하다.
100, 400, 1100: 유기발광표시장치
200, 300, 500, 600, 600A, 800, 800A, 1200: 유기발광다이오드
210, 310, 410, 510, 610, 810, 1210: 제 1 전극
220, 320, 420, 520, 620, 810, 1220: 제 2 전극
230, 330, 430, 530, 630, 730, 730A, 830, 930, 930A, 1030, 1030A, 1230: 발광 유닛
360, 460, 660, 760, 760A, 860, 960, 960A, 1060,1060A: 발광물질층
762, 962: 하부 발광물질층
764, 964: 상부 발광물질층
690, 890, 990: 전하생성층
200, 300, 500, 600, 600A, 800, 800A, 1200: 유기발광다이오드
210, 310, 410, 510, 610, 810, 1210: 제 1 전극
220, 320, 420, 520, 620, 810, 1220: 제 2 전극
230, 330, 430, 530, 630, 730, 730A, 830, 930, 930A, 1030, 1030A, 1230: 발광 유닛
360, 460, 660, 760, 760A, 860, 960, 960A, 1060,1060A: 발광물질층
762, 962: 하부 발광물질층
764, 964: 상부 발광물질층
690, 890, 990: 전하생성층
Claims (23)
- 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중에서 어느 하나의 구조를 가지는 유기 금속 화합물.
화학식 6
화학식 7
화학식 8
화학식 6 내지 화학식 8에서,
Xa는 NR6임;
Xb는 NR10임;
R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기 및 C6~C30 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고,
a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며,
상기 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15를 각각 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환됨;
a, b 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수임;
c와 g는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수임;
h는 0 내지 3의 정수임;
i는 0 내지 1의 정수임.
- 제 1항에 있어서, 상기 화학식 6 내지 화학식 8에서 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C20 알킬기 및 C6~C30 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며, 상기 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15를 각각 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환된 유기 금속 화합물.
- 제 1항에 있어서, 상기 화학식 6 내지 화학식 8에서, R1 내지 R3, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 C1~C20 알킬기로 구성되는 군에서 선택되고, a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며,
R6는 C6~C30 방향족이며, 상기 R6를 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환된 유기 금속 화합물.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 유기 금속 화합물은 하기 화학식 9의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 금속 화합물에서 선택되는 유기 금속 화합물.
화학식 9
- 제 5항에 있어서, 상기 유기 금속 화합물은 상기 화학식 9의 구조를 가지는 화합물 중에서 화합물 31 내지 화합물 40 및 화합물 96 내지 화합물 110의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 금속 화합물에서 선택되는 유기 금속 화합물.
- 제 1 전극;
상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 발광물질층을 포함하는 적어도 하나의 발광 유닛을 포함하고,
상기 발광물질층은 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중에서 어느 하나로 표시되는 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
화학식 6
화학식 7
화학식 8
화학식 6 내지 화학식 8에서,
Xa는 NR6임;
Xb는 NR10임;
R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C20 알킬기, C2~C20 알케닐기, C2~C20 알키닐기 및 C6~C30 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고,
a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며,
상기 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15를 각각 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환됨;
a, b 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수임;
c와 g는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수임;
h는 0 내지 3의 정수임;
i는 0 내지 1의 정수임.
- 제 7항에 있어서, 상기 화학식 6 내지 화학식 8에서 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C20 알킬기 및 C6~C30 방향족으로 구성되는 군에서 선택되고, a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며, 상기 R1 내지 R3, R6, R9, R10, R14 및 R15를 각각 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환된 유기발광다이오드.
- 제 7항에 있어서, 상기 화학식 6 내지 화학식 8에서, R1 내지 R3, R9, R10, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 C1~C20 알킬기로 구성되는 군에서 선택되고, a가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R1, 및 b가 2 이상의 정수인 경우, 인접한 2개의 R2 중에서 적어도 하나는 서로 합쳐져서 치환되지 않거나 치환된 벤젠 고리를 형성할 수 있으며,
R6는 C6~C30 방향족이며, 상기 R6를 구성하는 상기 방향족은 치환되지 않거나 치환된 유기발광다이오드.
- 삭제
- 제 7항에 있어서,
상기 발광물질층은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함하고, 상기 제 1 도펀트는 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 유닛은, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 1 발광물질층을 포함하는 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 2 발광물질층을 포함하는 제 2 발광 유닛을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 발광물질층 중에서 어느 하나는 상기 유기 금속 화합물을 포함하고,
상기 제 1 발광 유닛과 상기 제 2 발광 유닛 사이에 위치하는 제 1 전하생성층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 12항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 발광물질층 중에서 어느 하나는 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함하고, 상기 제 1 도펀트는 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 12항에 있어서, 상기 제 2 발광물질층은 상기 제 1 전하생성층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 하부 발광물질층과, 상기 하부 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 상부 발광물질층을 포함하고,
상기 하부 발광물질층과 상기 상부 발광물질층 중에서 어느 하나는 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함하고, 상기 제 1 도펀트는 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 14항에 있어서, 상기 하부 발광물질층과 상기 상부 발광물질층 중에서 다른 하나는 제 2 호스트와 제 2 도펀트를 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 12항에 있어서, 상기 제 2 발광 유닛과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 3 발광물질층을 포함하는 제 3 발광 유닛과, 상기 제 2 발광 유닛과 상기 제 3 발광 유닛 사이에 위치하는 제 2 전하생성층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 16항에 있어서,
상기 제 2 발광물질층은 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 16항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층 및 상기 제 3 발광물질층은 각각 청색으로 발광하는 유기발광다이오드.
- 제 16항에 있어서, 상기 제 2 발광물질층은 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함하고, 상기 제 1 도펀트는 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 제 16항에 있어서, 상기 제 2 발광물질층은 상기 제 1 전하생성층과 상기 제 2 전하생성층 사이에 위치하는 하부 발광물질층과, 상기 하부 발광물질층과 상기 제 2 전하생성층 사이에 위치하는 상부 발광물질층을 포함하고,
상기 하부 발광물질층과 상기 상부 발광물질층 중에서 어느 하나는 제 1 호스트와 제 1 도펀트를 포함하고, 상기 제 1 도펀트는 상기 유기 금속 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.
- 기판; 및
상기 기판 상에 위치하며, 제 7항 내지 제 9항 및 제 11항 내지 제 20항 중에서 어느 하나의 청구항에 기재된 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치.
- 제 21항에 있어서,
상기 기판에는 적색화소, 녹색화소 및 청색화소가 정의되고, 상기 유기발광다이오드는 상기 적색화소, 상기 녹색화소 및 상기 청색화소에 대응되게 위치하고,
상기 적색화소, 상기 녹색화소 및 상기 청색화소에 대응하여 상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이 또는 상기 유기발광다이오드 상부에 위치하는 컬러필터층을 더욱 포함하는 유기발광장치.
- 제 21항에 있어서,
상기 기판에는 적색화소, 녹색화소 및 청색화소가 정의되고, 상기 유기발광다이오드는 상기 적색화소, 상기 녹색화소 및 상기 청색화소에 대응되게 위치하며,
상기 적색화소, 상기 녹색화소 및 상기 청색화소에 대응하여 상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이 또는 상기 유기발광다이오드 상부에 위치하는 색변환층을 더욱 포함하는 유기발광장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190112389A KR102729103B1 (ko) | 2019-09-10 | 유기 금속 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 | |
| CN202010864667.1A CN112552347B (zh) | 2019-09-10 | 2020-08-25 | 有机金属化合物、具有该化合物的有机发光二极管和有机发光装置 |
| US17/009,609 US12144242B2 (en) | 2019-09-10 | 2020-09-01 | Organic metal compound, organic light emitting diode and organic light emitting device having the compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190112389A KR102729103B1 (ko) | 2019-09-10 | 유기 금속 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210030783A KR20210030783A (ko) | 2021-03-18 |
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Family
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014058504A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-04-03 | Universal Display Corp | ジベンゾ［１，４］アザボリニン構造を含むリン光発光体 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014058504A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-04-03 | Universal Display Corp | ジベンゾ［１，４］アザボリニン構造を含むリン光発光体 |
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