KR102716919B1 - Apparatus for Supporting Substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 챔버(Chamber) 내부에 배치되고, 기판을 지지하기 위한 지지부, 기판을 정전기적으로 고정시키기 위해 상기 지지부에 설치된 정전유닛, 및 상기 기판에 형성된 잔류전류를 제거하기 위한 접지유닛을 포함하고, 상기 접지유닛은 상기 기판에 연결되기 위한 연결부, 상기 기판으로부터 잔류전류가 제거되도록 상기 연결부를 접지시키는 접지상태와 상기 접지상태를 해제하는 해제상태 간에 전환되는 전환부, 및 상기 연결부를 통해 상기 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키기 위한 지연부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device, which is disposed inside a chamber and includes a support for supporting a substrate, an electrostatic unit installed on the support for electrostatically fixing the substrate, and a grounding unit for removing residual current formed on the substrate, wherein the grounding unit includes a connecting portion for connecting to the substrate, a switching portion for switching between a grounding state for grounding the connecting portion so that residual current is removed from the substrate and a releasing state for releasing the grounding state, and a delay portion for delaying a time at which the residual current is removed through the connecting portion.
Description
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 기판처리공정이 이루어지는 기판처리장치에 있어서, 기판을 지지하는 기판지지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device that supports a substrate in a substrate processing device in which a substrate processing process, such as a deposition process or an etching process, is performed on the substrate.
일반적으로, 반도체 소자, 평판 디스플레이, 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판처리공정이 이루어진다.In general, in order to manufacture semiconductor devices, flat panel displays, solar cells, etc., a predetermined thin film layer, thin film circuit pattern, or optical pattern must be formed on a substrate. To this end, substrate processing processes such as a deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process for removing the thin film in a selectively exposed portion to form a pattern are performed.
이러한 기판처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다. 기판지지장치는 상기 기판처리장치가 갖는 챔버의 내부에 배치되어서 기판을 지지하는 기능을 담당한다.This substrate processing process is performed by a substrate processing device. The substrate support device is placed inside a chamber of the substrate processing device and is responsible for supporting the substrate.
도 1은 종래 기술에 따른 기판지지장치의 개념적인 측단면도이다.Figure 1 is a conceptual cross-sectional view of a substrate support device according to the prior art.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판지지장치(110)는 지지부(120), 및 정전유닛(121)을 포함한다.Referring to Fig. 1, a substrate support device (110) according to the prior art includes a support member (120) and an electrostatic unit (121).
상기 지지부(120)는 기판을 지지하는 것이다. 상기 지지부(120)는 기판처리공정이 이루어지는 챔버(미도시)의 내부에 배치되어서 기판처리공정이 수행되는 기판을 지지한다. 상기 정전유닛(121)은 정전기력을 이용하여 기판을 상기 지지부(120)에 부착시키는 것이다. 상기 정전유닛(121)은 상기 지지부(120)의 내부에 배치된 정전전극을 이용하여 정전기력을 발생킴으로써, 기판을 상기 지지부(120)에 부착시킬 수 있다.The above support member (120) supports the substrate. The support member (120) is placed inside a chamber (not shown) where a substrate processing process is performed, and supports the substrate where the substrate processing process is performed. The electrostatic unit (121) uses electrostatic force to attach the substrate to the support member (120). The electrostatic unit (121) generates electrostatic force using an electrostatic electrode placed inside the support member (120), thereby attaching the substrate to the support member (120).
기판처리공정에서는 플라즈마를 이용한 다양한 공정이 수행된다. 플라즈마를 이용한 공정이 수행되는 과정에서, 플라즈마로 인해 발생된 하전입자들의 상당수가 기판에 도달하게 된다. 여기서, 종래 기술에 따른 기판지지장치는 다음과 같은 문제점이 있다.In the substrate treatment process, various processes using plasma are performed. In the process of performing the process using plasma, a significant number of charged particles generated by plasma reach the substrate. Here, the substrate support device according to the prior art has the following problems.
첫째, 종래 기술에 따른 기판지지장치는 공정 중에 기판에 잔류하는 하전입자(이하, '잔류전류'라 함)가 증가함에 따라 아킹(Arcing)이 유발되며, 막균일성이 저하되는 문제가 있다.First, the substrate support device according to the prior art has a problem in that arcing is induced and film uniformity deteriorates as the charged particles remaining on the substrate during the process (hereinafter referred to as “residual current”) increase.
둘째, 종래 기술에 따른 기판지지장치는 잔류전류로 인하여 공정이 완료되었음에도 기판에 불필요한 정전기력이 작용됨에 따라 공정이 완료된 기판을 상기 지지부로부터 분리하는 작업의 용이성 및 안정성이 저하되는 문제가 있다.Second, the substrate support device according to the prior art has a problem in that the ease and stability of separating the substrate, which has undergone a process, from the support member are reduced because an unnecessary electrostatic force is applied to the substrate even after the process is completed due to residual current.
한편, 기판처리공정의 특성상 기판으로부터 잔류전류가 제거되는 속도가 지나치게 빠를 경우 막균일성에 좋지 않은 영향을 줄 수 있고, 컨택안정성이 저하됨에 따라 아킹(Arcing)이 유발될 수 있다. 따라서, 높은 안정성을 확보하면서 기판으로부터 잔류전류를 제거하는 기술의 개발이 요구되는 실정이다.Meanwhile, due to the characteristics of the substrate processing process, if the speed at which residual current is removed from the substrate is too fast, it may have a negative effect on film uniformity, and arcing may be induced as contact stability deteriorates. Therefore, there is a need for the development of a technology that removes residual current from the substrate while ensuring high stability.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판으로부터 잔류전류를 높은 안정성을 확보하며 제거할 수 있는 기판지지장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the problems described above, and to provide a substrate support device capable of removing residual current from a substrate with high stability.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problem, the present invention may include the following configuration.
본 발명에 따른 기판지지장치는 챔버(Chamber) 내부에 배치되고, 기판을 지지하기 위한 지지부; 기판을 정전기적으로 고정시키기 위해 상기 지지부에 설치된 정전유닛; 및 상기 기판에 형성된 잔류전류를 제거하기 위한 접지유닛을 포함할 수 있다. 상기 접지유닛은 상기 기판에 연결되기 위한 연결부; 상기 기판으로부터 잔류전류가 제거되도록 상기 연결부를 접지시키는 접지상태와 상기 접지상태를 해제하는 해제상태 간에 전환되는 전환부; 및 상기 연결부를 통해 상기 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키기 위한 지연부를 포함할 수 있다.A substrate support device according to the present invention may include a support portion arranged inside a chamber and supporting a substrate; an electrostatic unit installed on the support portion to electrostatically fix the substrate; and a grounding unit for removing residual current formed on the substrate. The grounding unit may include a connecting portion for connecting to the substrate; a switching portion for switching between a grounding state for grounding the connecting portion so that residual current is removed from the substrate and a releasing state for releasing the grounding state; and a delay portion for delaying a time at which the residual current is removed through the connecting portion.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.
본 발명은 접지유닛을 이용해 기판의 잔류전류를 직접 제거함으로써, 공정 중에 기판의 잔류전류로 인하여 아킹이 유발되거나 막균일성이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 잔류전류로 인하여 공정이 완료되었음에도 기판에 불필요한 정전기력이 작용되는 것을 방지함으로써 공정이 완료된 기판을 지지부로부터 분리하는 작업의 용이성 및 안정성을 향상시킬 수 있다.The present invention can effectively prevent arcing or film uniformity degradation caused by the residual current of the substrate during the process by directly removing the residual current of the substrate using a grounding unit. In addition, the present invention can improve the ease and stability of the work of separating the substrate, which has completed the process, from the support by preventing unnecessary electrostatic force from being applied to the substrate due to the residual current of the substrate even after the process is completed.
본 발명은 지연부를 이용하여 기판의 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 기판으로부터 높은 안정성을 확보하여 기판으로부터 잔류전류를 효과적으로 제거하도록 구현될 수 있다.The present invention is implemented to delay the time for removing residual current from a substrate by using a delay unit. Accordingly, the present invention can be implemented to effectively remove residual current from a substrate by securing high stability from the substrate.
도 1은 종래 기술에 따른 기판지지장치의 개념적인 측단면도
도 2는 본 발명에 따른 기판지지장치에 대한 개락적인 블록도
도 3은 본 발명에 따른 기판지지장치의 접지유닛에 대한 개략적인 블록도
도 4는 본 발명에 따른 기판지지장치에 대한 개념적인 측단면도
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판지지장치에 있어서 전환부와 지연부에 대한 실시예를 설명하기 위한 개략적인 도면
도 8은 본 발명에 따른 기판지지장치에 대한 부분적인 측단면도Figure 1 is a conceptual cross-sectional view of a substrate support device according to the prior art.
Figure 2 is a schematic block diagram of a substrate support device according to the present invention.
Figure 3 is a schematic block diagram of a grounding unit of a substrate support device according to the present invention.
Figure 4 is a conceptual cross-sectional view of a substrate support device according to the present invention.
Figures 5 to 7 are schematic drawings for explaining embodiments of a switching unit and a delay unit in a substrate support device according to the present invention.
Figure 8 is a partial cross-sectional view of a substrate support device according to the present invention.
이하에서는 본 발명에 따른 기판지지장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate support device according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 기판처리장치(미도시)에 적용되는 것이다. 상기 기판처리장치는 기판(W)에 박막을 증착하는 증착공정, 기판(W)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등과 같은 기판처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 상기 기판처리장치는 타겟(Target), 마그넷(Magnet) 등을 이용하여 상기 기판처리공정을 수행하는 스퍼터링장치일 수 있다. 상기 기판(W)은 유리기판, 메탈기판, 실리콘기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판처리장치가 갖는 챔버(Chamber)의 내부에 설치될 수 있다. 상기 챔버는 상기 기판처리공정이 이루어지는 처리공간(C)을 제공하는 것이다.Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate support device (1) according to the present invention is applied to a substrate processing device (not shown). The substrate processing device performs a substrate processing process, such as a deposition process for depositing a thin film on a substrate (W), an etching process for removing a portion of the thin film deposited on the substrate (W), etc. For example, the substrate processing device may be a sputtering device that performs the substrate processing process using a target, a magnet, etc. The substrate (W) may be a glass substrate, a metal substrate, a silicon substrate, etc. The substrate support device (1) according to the present invention may be installed inside a chamber of the substrate processing device. The chamber provides a processing space (C) in which the substrate processing process is performed.
본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 지지부(2), 정전유닛(3), 및 접지유닛(4)을 포함할 수 있다.A substrate support device (1) according to the present invention may include a support member (2), an electrostatic unit (3), and a grounding unit (4).
상기 지지부(2)는 기판(W)을 지지하기 위한 것이다. 상기 지지부(2)는 지지베이스(21)를 포함할 수 있다. 상기 지지베이스(21)는 상기 기판(W)을 지지하기 위한 것이다. 상기 지지베이스(21)는 상기 처리공간 상에서 기설정된 위치에 위치하도록 상기 챔버에 결합될 수 있다. 상기 지지베이스(21)는 승하강 기능을 수행할 수도 있다. 이 경우, 상기 지지베이스(21)는 작업과정에서 필요에 따라 하강되거나 승강될 수 있다.The above support member (2) is for supporting the substrate (W). The above support member (2) may include a support base (21). The support base (21) is for supporting the substrate (W). The support base (21) may be coupled to the chamber so as to be positioned at a preset position in the processing space. The support base (21) may also perform a raising/lowering function. In this case, the support base (21) may be lowered or raised as needed during the work process.
상기 정전유닛(3)은 기판(W)을 정전기적으로 고정시키기 위한 것이다. 상기 정전유닛(3)은 상기 지지부(2)에 설치된다. 상기 정전유닛(3)은 정전기력을 이용하여 상기 기판(W)을 상기 지지부(2)에 부착시킬 수 있다. 예컨대, 상기 정전유닛(3)은 전원부(미도시)로부터 전원을 공급받아 정전기력을 발생시킴으로써 상기 기판(W)을 상기 지지부(2) 쪽으로 끌어당길 수 있다. 이에 따라, 기판처리장치는 상기 지지부(2)에 고정된 기판(W)에 대해 공정을 수행할 수 있다. 상기 정전유닛(3)은 필요에 따라 상기 기판(W)을 상기 지지부(2)에 선택적으로 부착 가능하도록 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 정전유닛(3)은 공정 중인 경우 상기 기판(W)을 상기 지지부(2)에 부착되도록 정전기력을 발생시키고, 공정이 완료된 경우 상기 기판(W)이 상기 지지부(2)로부터 분리 가능하도록 정전기력을 발생시키는 것을 중단할 수 있다. 상기 정전유닛(3)은 상기 지지부(2)의 내부에 매설된 정전전극과 상기 정전전극에 전원을 인가하기 위한 전원부로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 정전유닛(3)은 정전전극이 전원부로부터 전원을 인가받음으로써 기판(W)을 상기 지지부(2) 쪽으로 끌어당기기 위한 정전기력을 발생시킬 수 있다.The above electrostatic unit (3) is for electrostatically fixing the substrate (W). The electrostatic unit (3) is installed on the support (2). The electrostatic unit (3) can attach the substrate (W) to the support (2) using electrostatic force. For example, the electrostatic unit (3) can receive power from a power supply (not shown) to generate electrostatic force to pull the substrate (W) toward the support (2). Accordingly, the substrate processing device can perform a process on the substrate (W) fixed to the support (2). The electrostatic unit (3) can be implemented so as to selectively attach the substrate (W) to the support (2) as needed. For example, the electrostatic unit (3) can generate electrostatic force to attach the substrate (W) to the support (2) during a process, and can stop generating electrostatic force so that the substrate (W) can be separated from the support (2) when the process is completed. The above electrostatic unit (3) may be composed of an electrostatic electrode embedded in the interior of the support member (2) and a power supply unit for applying power to the electrostatic electrode. In this case, the electrostatic unit (3) may generate an electrostatic force for pulling the substrate (W) toward the support member (2) by having the electrostatic electrode receive power from the power supply unit.
상기 접지유닛(4)은 상기 기판(W)에 형성된 잔류전류를 제거하기 위한 것이다. 상기 잔류전류는 플라즈마를 이용한 기판처리공정에서 발생된 하전입자가 상기 기판(W)에 도달함에 따라 형성되는 것이다. 상기 접지유닛(4)은 상기 기판(W)으로부터 잔류전류를 제거하도록 구현될 수 있다.The above grounding unit (4) is for removing the residual current formed on the substrate (W). The residual current is formed when charged particles generated in a substrate processing process using plasma reach the substrate (W). The above grounding unit (4) can be implemented to remove the residual current from the substrate (W).
이를 위해, 상기 접지유닛(4)은 연결부(41), 전환부(42), 및 지연부(43)를 포함할 수 있다.For this purpose, the grounding unit (4) may include a connecting portion (41), a switching portion (42), and a delay portion (43).
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 연결부(41)는 상기 기판(W)에 연결되기 위한 것이다. 상기 연결부(41)는 상기 지지부(2)에 지지된 기판(W)에 직접 연결되도록 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다. 상기 연결부(41)는 일측이 상기 기판(W)에 연결되고, 타측이 그라운드(G)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)의 잔류전류는 상기 연결부(41)를 통해 상기 그라운드(G)로 제거될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 연결부(41)를 이용하여 상기 기판(W)의 잔류전류를 직접 제거함으로써 상기 기판(W)에 잔류전류로 인해 아킹(Arcing)이 유발되거나, 막균일성이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 기판(W)의 잔류전류로 인하여 공정이 완료되었음에도 기판(W)에 불필요한 정전기력이 작용되는 것을 방지함으로써 공정이 완료된 기판(W)을 상기 지지부(2)로부터 분리하는 작업의 용이성 및 안정성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, the connecting portion (41) is for connecting to the substrate (W). The connecting portion (41) can be coupled to the support portion (2) so as to be directly connected to the substrate (W) supported by the support portion (2). The connecting portion (41) can have one side connected to the substrate (W) and the other side connected to the ground (G). Accordingly, the residual current of the substrate (W) can be removed to the ground (G) through the connecting portion (41). Therefore, the substrate support device (1) according to the present invention can effectively prevent arcing from being induced or film uniformity from being deteriorated due to the residual current in the substrate (W) by directly removing the residual current of the substrate (W) using the connecting portion (41). In addition, the substrate support device (1) according to the present invention can improve the ease and stability of the task of separating the substrate (W) whose process has been completed from the support member (2) by preventing unnecessary electrostatic force from being applied to the substrate (W) even after the process has been completed due to the residual current of the substrate (W).
상기 전환부(42)는 상기 기판(W)로부터 잔류전류를 선택적으로 제거하는 기능을 수행하는 것이다. 상기 전환부(42)는 상기 기판(W)으로부터 잔류전류를 제거하기 위한 접지상태와 상기 접지상태를 해제하는 해제상태 간에 전환되도록 구현될 수 있다.The above switching unit (42) performs a function of selectively removing residual current from the substrate (W). The switching unit (42) can be implemented to switch between a grounding state for removing residual current from the substrate (W) and a release state for releasing the grounding state.
예컨대, 상기 전환부(42)가 접지상태인 경우, 상기 전환부(42)는 상기 기판(W)으로부터 상기 연결부(41)를 통해 잔류전류가 제거되도록 상기 연결부(41)를 상기 그라운드(G)에 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)은 상기 연결부(41)를 통해 상기 그라운드(G)로 접지됨으로써 잔류전류가 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 전환부(42)가 해제상태인 경우, 상기 전환부(42)는 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G)의 연결을 차단할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)은 상기 연결부(41)를 통해 상기 그라운드(G)로 접지되는 것이 제한될 수 있다. 상기 전환부(42)는 공정이 수행되는 동안 상기 해제상태로 전환되어서 상기 기판(W)이 상기 정전유닛(3)에 의해 정전기적으로 고정되도록 구현되고, 공정이 완료되는 경우 상기 접지상태로 전환되어서 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 제거되도록 구현될 수 있다. 상기 전환부(42)는 on/off 기능을 가지는 릴레이 스위치로 구성될 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G)를 선택적으로 연결하거나 연결해제 할 수 있으면 다른 전자부품으로 구성될 수 있다. 한편, 상기 전환부(42)는 사용자에 의해 직접 조작됨으로써 상기 접지상태와 상기 해제상태 간에 전환될 수도 있으나, 별도의 제어부를 통해 자동으로 상기 접지상태와 상기 해제상태 간에 전환되도록 구현될 수도 있다.For example, when the switching unit (42) is in a grounded state, the switching unit (42) can connect the connecting unit (41) to the ground (G) so that a residual current is removed from the substrate (W) through the connecting unit (41). Accordingly, the substrate (W) can be grounded to the ground (G) through the connecting unit (41), thereby removing a residual current. For example, when the switching unit (42) is in a released state, the switching unit (42) can block the connection between the connecting unit (41) and the ground (G). Accordingly, the substrate (W) can be restricted from being grounded to the ground (G) through the connecting unit (41). The above switching unit (42) may be implemented so that it switches to the release state while the process is being performed so that the substrate (W) is electrostatically fixed by the electrostatic unit (3), and when the process is completed, it switches to the ground state so that residual current is removed from the substrate (W). The switching unit (42) may be configured as a relay switch having an on/off function, but is not limited thereto, and may be configured as other electronic components so long as it can selectively connect or disconnect the connection unit (41) and the ground (G). Meanwhile, the switching unit (42) may be switched between the ground state and the release state by being directly operated by a user, but may also be implemented so that it is automatically switched between the ground state and the release state through a separate control unit.
상기 지연부(43)는 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키기 위한 것이다. 상기 전환부(42)가 상기 접지상태인 경우, 상기 지연부(43)는 상기 연결부(41)를 통해 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키도록 구현될 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 연결부(41)를 통해 상기 그라운드(G)에 직접 연결되지 않고 상기 연결부(41)와 상기 지연부(43)를 거쳐 상기 그라운드(G)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판(W)이 그라운드(G)에 직접 연결되는 비교예와 대비하여 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 급속도로 제거되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 과도하게 빠른 속도로 제거됨에 따라 막균일성이 저하되는 것을 방지함과 아울러 컨택안정성이 저하됨에 따라 아킹이 유발되는 것을 방지할 수 있다.The above delay unit (43) is to delay the time at which the residual current is removed from the substrate (W). When the switching unit (42) is in the ground state, the delay unit (43) can be implemented to delay the time at which the residual current is removed from the substrate (W) through the connection unit (41). The substrate (W) may not be directly connected to the ground (G) through the connection unit (41), but may be connected to the ground (G) through the connection unit (41) and the delay unit (43). Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can prevent the residual current from being rapidly removed from the substrate (W) compared to the comparative example in which the substrate (W) is directly connected to the ground (G). Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can prevent the film uniformity from being lowered due to the residual current being removed from the substrate (W) at an excessively fast rate, and can also prevent arcing from being induced due to the deterioration of contact stability.
이하에서는 상기 연결부(41), 전환부(42), 및 지연부(43)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.Below, the connecting portion (41), switching portion (42), and delay portion (43) are specifically described with reference to the attached drawings.
도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 연결부(41)는 상기 기판(W)에 연결되기 위한 것이다. 상기 연결부(41)는 일측이 상기 기판(W)에 연결되고 타측이 상기 그라운드(G)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)은 상기 연결부(41)를 통해 상기 그라운드(G)에 접지됨으로써 플라즈마 공정에서 형성된 잔류전류가 제거될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the connecting portion (41) is for connection to the substrate (W). The connecting portion (41) may have one side connected to the substrate (W) and the other side connected to the ground (G). Accordingly, the substrate (W) may be grounded to the ground (G) through the connecting portion (41), thereby removing residual current formed in the plasma process.
상기 전환부(42)는 상기 접지상태와 상기 해제상태 간에 전환되는 것이다. 상기 전환부(42)가 상기 접지상태인 경우 상기 연결부(41)는 상기 그라운드(G)에 연결되고, 상기 전환부(42)가 해제상태인 경우 상기 연결부(41)는 상기 그라운드(G)에 연결 해제될 수 있다.The above switching unit (42) switches between the ground state and the release state. When the switching unit (42) is in the ground state, the connecting unit (41) is connected to the ground (G), and when the switching unit (42) is in the release state, the connecting unit (41) can be disconnected from the ground (G).
상기 지연부(43)는 상기 연결부(41)를 통해 상기 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키기 위한 것이다. 구체적으로, 상기 전환부(42)가 상기 접지상태인 경우, 상기 기판(W)에 형성된 잔류전류는 상기 연결부(41)에서 상기 지연부(43)를 거친 후에 상기 그라운드(G)로 흐르도록 구현될 수 있다. 상기 지연부(43)로 인하여, 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 제거되는 시간은 충분히 지연될 수 있다. 이를 위해, 상기 지연부(43)는 제1저항부재(431)를 포함할 수 있다. 상기 제1저항부재(431)는 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G) 사이에 위치할 수 있다. 잔류전류는 상기 제1저항부재(431)를 거치면서 전압강하가 일어남에 따라 상기 그라운드(G)를 통해 제거되는 시간이 지연될 수 있다. 상기 제1저항부재(431)는 기설정된 저항값으로 구현된 고정저항일 수도 있으나, 이에 한정되지 않으며 필요에 따라 저항값을 변경할 수 있는 가변저항으로 구현될 수도 있다. 상기 지연부(43)가 상기 제1저항부재(431)를 포함하는 경우, 상기 전환부(42)는 제1릴레이(421)를 포함할 수 있다. 상기 제1릴레이(421)는 상기 연결부(41)로부터 상기 제1저항부재(431)로 전류가 흐르는 것을 선택적으로 제한하기 위한 것이다. 상기 제1릴레이(421)는 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G) 사이에 위치하여서 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G)를 선택적으로 연결시킬 수 있다. 예컨대, 상기 전환부(42)가 상기 접지상태인 경우, 상기 제1릴레이(421)는 닫힘(Closed)상태가 됨으로써 상기 연결부(41)와 상기 제1저항부재(431)를 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)의 잔류전류는 상기 연결부(41)로부터 상기 제1저항부재(431)를 거쳐 상기 그라운드(G)로 흐르는 것이 허용될 수 있다. 예컨대, 상기 전환부(42)가 상기 해제상태인 경우, 상기 제1릴레이(421)는 열림(Opened)상태가 됨으로써 상기 연결부(41)와 상기 제1저항부재(431)의 연결을 해제할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(W)의 잔류전류는 상기 연결부(41)로부터 상기 제1저항부재(431)를 거쳐 상기 그라운드(G)로 흐르는 것이 제한될 수 있다.The above delay unit (43) is intended to delay the time at which the residual current is removed through the connection unit (41). Specifically, when the switching unit (42) is in the ground state, the residual current formed in the substrate (W) may be implemented to flow from the connection unit (41) through the delay unit (43) and then to the ground (G). Due to the delay unit (43), the time at which the residual current is removed from the substrate (W) may be sufficiently delayed. To this end, the delay unit (43) may include a first resistance member (431). The first resistance member (431) may be located between the connection unit (41) and the ground (G). As the voltage drop occurs when the residual current passes through the first resistance member (431), the time at which it is removed through the ground (G) may be delayed. The first resistance member (431) may be a fixed resistor implemented with a preset resistance value, but is not limited thereto, and may be implemented as a variable resistor whose resistance value can be changed as needed. When the delay unit (43) includes the first resistance member (431), the switching unit (42) may include a first relay (421). The first relay (421) is for selectively limiting the current flowing from the connection unit (41) to the first resistance member (431). The first relay (421) is located between the connection unit (41) and the ground (G), and can selectively connect the connection unit (41) and the ground (G). For example, when the switching unit (42) is in the ground state, the first relay (421) becomes a closed state, thereby connecting the connecting unit (41) and the first resistance member (431). Accordingly, the residual current of the substrate (W) can be allowed to flow from the connecting unit (41) through the first resistance member (431) to the ground (G). For example, when the switching unit (42) is in the released state, the first relay (421) becomes an opened state, thereby disconnecting the connecting unit (41) and the first resistance member (431). Accordingly, the residual current of the substrate (W) can be restricted from flowing from the connecting unit (41) through the first resistance member (431) to the ground (G).
본 발명에 따른 일 실시예에 있어서, 상기 지연부(43)는 병렬 연결된 복수개의 저항부재로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 전환부(42)는 상기 지연부(43)가 갖는 저항부재의 개수에 대응되는 개수만큼의 릴레이들로 구성될 수 있다. 이하에서는 상기 지연부(43)가 2개의 저항부재로 구성되고, 상기 전환부(42)가 2개의 릴레이로 구성되는 실시예에 대해 구체적으로 살펴본다.In one embodiment according to the present invention, the delay unit (43) may be composed of a plurality of resistance elements connected in parallel. In this case, the switching unit (42) may be composed of a number of relays corresponding to the number of resistance elements included in the delay unit (43). Hereinafter, an embodiment in which the delay unit (43) is composed of two resistance elements and the switching unit (42) is composed of two relays will be specifically described.
도 4 및 도 6을 참고하면, 상기 지연부(43)는 상기 제1저항부재(431)와 병렬 연결된 제2저항부재(432)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 전환부(42)는 상기 연결부(41)로부터 상기 제2저항부재(432)로 전류가 흐르는 것을 선택적으로 차단하기 위한 제2릴레이(422)를 포함할 수 있다. 상기 제1저항부재(431)와 상기 제1릴레이(421)는 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G)를 선택적으로 연결함과 아울러 상기 잔류전류가 상기 그라운드(G)를 통해 제거되는 속도를 지연시키는 제1조절기능을 수행할 수 있다. 상기 제2저항부재(432)와 상기 제2릴레이(422)는 상기 연결부(41)와 상기 그라운드(G)를 선택적으로 연결함과 아울러 상기 잔류전류가 상기 그라운드(G)를 통해 제거되는 속도를 지연시키는 제2조절기능을 수행할 수 있다. 여기서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 제1조절기능과 상기 제2조절기능을 개별적으로 수행할 수도 있을 뿐만 아니라, 상기 제1조절기능과 상기 제2조절기능을 동시에 수행할 수도 있다.Referring to FIGS. 4 and 6, the delay unit (43) may include a second resistance unit (432) connected in parallel with the first resistance unit (431). In this case, the switching unit (42) may include a second relay (422) for selectively blocking current from flowing from the connection unit (41) to the second resistance unit (432). The first resistance unit (431) and the first relay (421) may perform a first regulating function of selectively connecting the connection unit (41) and the ground (G) and delaying the speed at which the residual current is removed through the ground (G). The second resistance member (432) and the second relay (422) can selectively connect the connection portion (41) and the ground (G) and perform a second regulating function of delaying the speed at which the residual current is removed through the ground (G). Here, the substrate support device (1) according to the present invention can perform the first regulating function and the second regulating function individually, and can also perform the first regulating function and the second regulating function simultaneously.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 제1조절기능과 상기 제2조절기능의 조합을 통해 다양한 저항값을 구현함으로써, 상기 기판(W)으로부터 잔류전류가 제거되는 속도를 세밀하게 조절 가능하도록 구현된다. 예컨대, 상기 제1릴레이(421)가 닫힘상태이고 상기 제2릴레이(422)가 열림상태인 경우, 상기 지연부(43)의 저항값은 제1저항부재(431)의 저항값에 따라 결정된다. 예컨대, 제1릴레이(421)가 열림상태이고 상기 제2릴레이(422)가 닫힘상태인 경우, 상기 지연부(43)의 저항값은 상기 제2저항부재(432)의 저항값에 따라 결정된다. 예컨대, 상기 제1릴레이(421)와 상기 제2릴레이(422)가 모두 닫힘상태인 경우, 상기 지연부(43)의 저항값은 상기 제1저항부재(431)와 상기 제2저항부재(432)를 합성한 저항값에 따라 결정된다. 이와 같이, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 제1저항부재(431)와 상기 제2저항부재(432) 각각의 저항값 뿐만 아니라 상기 제1저항부재(431)와 상기 제2저항부재(432)의 합성 저항값을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지연부(43)가 보다 다양한 저항값을 갖도록 구현됨으로써 상기 잔류전류가 제거되는 속도를 조절하는 작업의 정확성을 더 향상시킬 수 있다.Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention is implemented so as to be able to finely control the speed at which the residual current is removed from the substrate (W) by implementing various resistance values through a combination of the first control function and the second control function. For example, when the first relay (421) is in a closed state and the second relay (422) is in an open state, the resistance value of the delay unit (43) is determined according to the resistance value of the first resistance member (431). For example, when the first relay (421) is in an open state and the second relay (422) is in a closed state, the resistance value of the delay unit (43) is determined according to the resistance value of the second resistance member (432). For example, when both the first relay (421) and the second relay (422) are in the closed state, the resistance value of the delay unit (43) is determined according to the resistance value synthesized from the first resistance member (431) and the second resistance member (432). In this way, the substrate support device (1) according to the present invention can implement not only the resistance values of each of the first resistance member (431) and the second resistance member (432), but also the synthesized resistance value of the first resistance member (431) and the second resistance member (432). Therefore, the substrate support device (1) according to the present invention can further improve the accuracy of the operation of controlling the speed at which the residual current is removed by implementing the delay unit (43) to have more diverse resistance values.
한편, 상기 지연부(43)가 갖는 저항부재와 상기 전환부(42)가 갖는 릴레이는 각각 3개 이상으로 구성될 수 있다. 이 경우, 저항부재와 릴레이가 각각 2개로 구성된 경우와 대비하여 상기 저항부재들의 합성저항값을 더 다양하게 구현할 수 있으므로, 상기 잔류전류의 제거속도를 조절하는 작업의 정확성을 더 향상시킬 수 있다. 이러한 효과는 상기 저항부재와 상기 릴레이의 개수가 증가할수록 더 증대될 수 있다.Meanwhile, the resistance elements of the delay unit (43) and the relays of the switching unit (42) may each be configured with three or more. In this case, compared to the case where the resistance elements and the relays are each configured with two, the composite resistance values of the resistance elements can be implemented in a more diverse manner, so that the accuracy of the operation of controlling the removal speed of the residual current can be further improved. This effect can be further increased as the number of the resistance elements and the relays increases.
본 발명에 따른 일 실시예에 있어서, 상기 지연부(43)는 병렬 연결된 복수개의 저항부재로 구성되되, 상기 전환부(42)는 단일 릴레이로 구성될 수 있다. 이하에서는 상기 지연부(43)가 2개의 저항부재로 구성되고, 상기 전환부(42)가 단일 릴레이로 구성되는 실시예에 대해 구체적으로 살펴본다.In one embodiment according to the present invention, the delay unit (43) is composed of a plurality of resistance elements connected in parallel, while the switching unit (42) may be composed of a single relay. Hereinafter, an embodiment in which the delay unit (43) is composed of two resistance elements and the switching unit (42) is composed of a single relay will be specifically described.
도 4 및 도 7을 참고하면, 상기 지연부(43)는 상기 제1저항부재(431)와 병렬 연결된 제2저항부재(432)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 전환부(42)는 상기 연결부(41)를 상기 제1저항부재(431) 또는 상기 제2저항부재(432)에 연결하기 위한 통합릴레이(420)를 포함할 수 있다. 상기 전환부(42)는 일측이 상기 연결부(41)에 연결된 상태에서 타측이 상기 제1저항부재(431)와 상기 제2저항부재(432) 중 어느 하나에 연결됨으로써 상기 연결부(41)를 상기 제1저항부재(431) 또는 상기 제2저항부재(432)에 연결시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제1저항부재(431)의 저항값과 상기 제2저항부재(432)의 저항값은 서로 상이할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지연부(43)를 구성하는 저항부재의 개수가 증가하더라도 상기 전환부(42)를 구성하는 릴레이의 개수가 증가하지 않도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지연부(43)를 구성하는 저항부재의 개수를 증가시킴으로써 상기 잔류전류가 제거되는 속도를 조절하는 작업의 정확성을 더 향상시키면서도, 상기 지연부(43)의 릴레이 개수가 증가하는 것을 제한함으로써 제품 소형화, 제품 경량화, 및 제조비용 절감을 도모할 수 있다. 이러한 효과는 상기 저항부재의 개수가 증가할수록 더 증대될 수 있다. 상기 지연부(43)가 갖는 저항부재는 3개 이상으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상술한 바와 같이 상기 전환부(42)가 상기 통합릴레이(420)를 이용하여 3개 이상의 저항부재들에 선택적으로 연결되도록 구현될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 7, the delay unit (43) may include a second resistance member (432) connected in parallel with the first resistance member (431). In this case, the switching unit (42) may include an integrated relay (420) for connecting the connection unit (41) to the first resistance member (431) or the second resistance member (432). The switching unit (42) may connect the connection unit (41) to the first resistance member (431) or the second resistance member (432) by having one side connected to the connection unit (41) and the other side connected to either the first resistance member (431) or the second resistance member (432). In this case, the resistance value of the first resistance member (431) and the resistance value of the second resistance member (432) may be different from each other. Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can be implemented so that the number of relays constituting the switching unit (42) does not increase even if the number of resistance members constituting the delay unit (43) increases. Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can further improve the accuracy of the operation of controlling the speed at which the residual current is removed by increasing the number of resistance members constituting the delay unit (43), while limiting the increase in the number of relays of the delay unit (43), thereby achieving product miniaturization, product weight reduction, and reduced manufacturing cost. This effect can be further increased as the number of resistance members increases. The delay unit (43) can be configured with three or more resistance members. In this case, as described above, the switching unit (42) can be implemented to be selectively connected to three or more resistance elements using the integrated relay (420).
도 2 내지 도 7을 참고하면, 상기 전환부(42)는 상기 기판(W)으로부터 측정된 잔류전류의 전류값에 따라 상기 접지상태 또는 상기 해제상태로 전환될 수 있다. 상기 잔류전류의 전류값은 상기 지지부(2)에 설치된 측정부(미도시)에 의해 직접 측정될 수 있다. 상기 전환부(42)는 상기 전류값이 기설정된 상한전류값을 초과하는 경우 상기 접지상태로 전환되고, 상기 전류값이 기설정된 하한전류값 미만인 경우 상기 해제상태로 전환될 수 있다. 상기 상한전류값과 상기 하한전류값은 공정의 종류 및 목적에 따라 작업자에 의해 미리 설정될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치는 공정이 수행되는 중에 상기 기판의 잔류전류가 기설정된 상한전류값과 하한전류값 사이에서 유지되도록 구현될 수 있다. 따라서, 상기 기판은 공정 중에 높은 잔류전류로 인하여 과도한 정전기력이 작용됨에 따라 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있으며, 반대로 공정 중에 과도하게 낮은 잔류전류로 인하여 충분한 정전기력이 작용되지 않음에 따라 상기 지지부로부터 이탈되는 것을 방지할 수도 있다.Referring to FIGS. 2 to 7, the switching unit (42) can be switched to the ground state or the release state according to the current value of the residual current measured from the substrate (W). The current value of the residual current can be directly measured by a measuring unit (not shown) installed on the support unit (2). The switching unit (42) can be switched to the ground state when the current value exceeds a preset upper limit current value, and can be switched to the release state when the current value is lower than a preset lower limit current value. The upper limit current value and the lower limit current value can be preset by the operator according to the type and purpose of the process. Accordingly, the substrate support device according to the present invention can be implemented so that the residual current of the substrate is maintained between the preset upper limit current value and the lower limit current value while the process is performed. Accordingly, the substrate can be prevented from being damaged or broken due to excessive electrostatic force applied due to high residual current during the process, and conversely, the substrate can be prevented from being detached from the support due to insufficient electrostatic force applied due to excessively low residual current during the process.
도 4를 참고하면, 상기 연결부(41)는 상기 지지부(2)에 결합된 냉각배관(411), 및 상기 냉각배관(411)을 관통하여 형성된 냉각유로(412)를 포함할 수 있다. 상기 냉각배관(411)은 상기 연결부(41)의 전체적인 형상을 이루는 것이다. 상기 냉각유로(412)는 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각유체가 유동하는 공간을 제공하는 것이다. 상기 냉각유로(412)는 상기 냉각배관(411)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 냉각배관(411)은 유체펌프(P)에 연결될 수 있다. 상기 유체펌프(P)로부터 공급된 냉각유체는 상기 냉각유로(412)를 통해 이동하여 상기 기판(W)을 냉각시키는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판(W)을 냉각시키기 위해 기존에 마련된 냉각배관(411)이 상기 연결부(41)의 역할을 수행할 수 있으므로, 상기 기판(W)의 잔류전류를 제거하기 위해 요구되는 부품의 개수를 줄임으로써 제조비용을 절감하고 제품의 경량화를 도모할 수 있다. 상기 냉각배관(411)은 내부가 비어 있는 중공(中空)의 원통 형태로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되지 않으며, 상기 냉각배관(411)의 내부에 냉각유로(412)가 배치될 수 있으면 다른 형태로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the connecting portion (41) may include a cooling pipe (411) coupled to the support portion (2), and a cooling channel (412) formed by penetrating the cooling pipe (411). The cooling pipe (411) forms the overall shape of the connecting portion (41). The cooling channel (412) provides a space in which a cooling fluid for cooling the substrate flows. The cooling channel (412) may be arranged inside the cooling pipe (411). The cooling pipe (411) may be connected to a fluid pump (P). The cooling fluid supplied from the fluid pump (P) may move through the cooling channel (412) to perform the function of cooling the substrate (W). Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can reduce the manufacturing cost and promote weight reduction of the product by reducing the number of parts required to remove residual current of the substrate (W) since the cooling pipe (411) previously provided to cool the substrate (W) can perform the role of the connecting portion (41). The cooling pipe (411) may be formed in a hollow cylindrical shape with an empty interior, but is not necessarily limited thereto, and may be formed in other shapes as long as a cooling path (412) can be arranged inside the cooling pipe (411).
상기 냉각배관(411)은 상부배관본체(4111), 하부배관본체(4112), 및 절연본체를 포함할 수 있다.The above cooling pipe (411) may include an upper pipe body (4111), a lower pipe body (4112), and an insulating body.
상기 상부배관본체(4111)는 상기 기판(W)에 연결되기 위한 것이다. 예컨대, 상기 기판(W)이 상기 지지부(2)에 지지된 상태에서 상기 상부배관본체(4111)의 상단이 상기 기판(W)에 접촉됨에 따라 상기 상부배관본체(4111)가 상기 기판(W)에 연결될 수 있다.The upper pipe body (4111) is to be connected to the substrate (W). For example, when the upper end of the upper pipe body (4111) comes into contact with the substrate (W) while the substrate (W) is supported on the support member (2), the upper pipe body (4111) can be connected to the substrate (W).
상기 상부배관본체(4111)는 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다. 상기 지지부(2)는 상기 상부배관본체(4111)가 삽입되기 위한 배관삽입공(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 상부배관본체(4111)는 상기 배관삽입공을 통해 삽입되어서 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다.The upper pipe body (4111) can be coupled to the support member (2). The support member (2) can have a pipe insertion hole (not shown) formed into which the upper pipe body (4111) is inserted. The upper pipe body (4111) can be coupled to the support member (2) by being inserted through the pipe insertion hole.
상기 하부배관본체(4112)는 상기 상부배관본체(4111)의 하부에 배치된 것이다. 상기 상부배관본체(4111)의 상측이 상기 기판(W)에 연결되는 경우, 상기 하부배관본체(4112)의 상측은 상기 상부배관본체(4111)의 하측에 결합될 수 있다. 상기 냉각유로(412)는 상기 상부배관본체(4111)와 상기 하부배관본체(4112)가 결합됨에 따라 상기 상부배관본체(4111)와 상기 하부배관본체(4112)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 하부배관본체(4112)는 상기 상부배관본체(4111)가 상기 지지부(2)에 결합됨에 따라 상기 지지부(2)에 지지될 수 있다.The lower pipe body (4112) is arranged at the lower portion of the upper pipe body (4111). When the upper portion of the upper pipe body (4111) is connected to the substrate (W), the upper portion of the lower pipe body (4112) can be coupled to the lower portion of the upper pipe body (4111). The cooling path (412) can be formed inside the upper pipe body (4111) and the lower pipe body (4112) as the upper pipe body (4111) and the lower pipe body (4112) are coupled. The lower pipe body (4112) can be supported by the support member (2) as the upper pipe body (4111) is coupled to the support member (2).
상기 절연부재(4113)는 상기 상부배관본체(4111)와 상기 하부배관본체(4112) 사이를 절연하기 위한 것이다. 상기 절연부재(4113)는 일측이 상기 상부배관본체(4111)에 결합되고, 타측이 상기 하부배관본체(4112)에 결합될 수 있다. 상기 절연부재(4113)는 상기 상부배관본체(4111)의 둘레방향을 따라 상기 상부배관본체(4111)를 감싸고, 상기 하부배관본체(4112)의 둘레방향을 따라 상기 하부배관본체(4112)를 감싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 상부배관본체(4111)와 상기 하부배관본체(4112)는 상기 절연부재(4113)를 통해 전기적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 상기 상부배관본체(4111)는 상기 하부배관본체(4112)가 접지되었는지 여부와 무관하게 상기 기판(W)에 연결된 상태에서 상기 전환부(42)를 통해 선택적으로 접지될 수 있다. 이 경우, 상기 전환부(42)는 상기 상부배관본체(4111)에 연결될 수 있다. 반면에, 상기 하부배관본체(4112)는 상기 절연부재(4113)를 통해 상기 냉각배관(411)에서 상기 기판(W)에 연결되기 위해 필요한 부분을 제외한 나머지 부분이 접지되지 않도록 구현될 수 있다.The above insulating member (4113) is for insulating between the upper pipe body (4111) and the lower pipe body (4112). One side of the insulating member (4113) may be coupled to the upper pipe body (4111), and the other side may be coupled to the lower pipe body (4112). The insulating member (4113) may be arranged to surround the upper pipe body (4111) along the circumferential direction of the upper pipe body (4111), and to surround the lower pipe body (4112) along the circumferential direction of the lower pipe body (4112). Accordingly, the upper pipe body (4111) and the lower pipe body (4112) may be electrically separated through the insulating member (4113). For example, the upper pipe body (4111) may be selectively grounded through the switching unit (42) while connected to the substrate (W) regardless of whether the lower pipe body (4112) is grounded. In this case, the switching unit (42) may be connected to the upper pipe body (4111). On the other hand, the lower pipe body (4112) may be implemented so that the remaining portion, except for the portion necessary for connecting the cooling pipe (411) to the substrate (W) through the insulating member (4113), is not grounded.
도 8을 참고하면, 상기 지지부(2)는 상기 지지베이스(21)로부터 상측 방향으로 돌출된 지지돌기(22)를 포함할 수 있다. 상기 지지돌기(22)는 상기 기판(W)을 지지하기 위한 것이다. 상기 기판(W)은 상기 지지돌기(22)에 지지됨에 따라 상기 지지베이스(21)가 갖는 베이스상면(211)으로부터 소정거리만큼 이격될 수 있다. 상기 베이스상면(211)은 상기 지지베이스(21)에서 상측을 향하는 면(面)을 의미한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지지돌기(22)를 이용하여 상기 기판(W)을 지지함으로써 상기 기판(W)과 상기 베이스상면(211) 사이에 냉각유체가 유동하기 위한 냉각공간(S)을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 냉각공간(S)을 통해 냉각유체를 원활하게 이동시킴으로써 상기 기판(W)을 냉각시킴으로써 기판(W)에 대한 냉각성능을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 8, the support member (2) may include a support protrusion (22) protruding upward from the support base (21). The support protrusion (22) is for supporting the substrate (W). As the substrate (W) is supported by the support protrusion (22), it may be spaced apart from the base upper surface (211) of the support base (21) by a predetermined distance. The base upper surface (211) refers to a surface (surface) facing upward on the support base (21). Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can form a cooling space (S) for allowing a cooling fluid to flow between the substrate (W) and the base upper surface (211) by supporting the substrate (W) using the support protrusion (22). Therefore, the substrate support device (1) according to the present invention can improve the cooling performance for the substrate (W) by cooling the substrate (W) by smoothly moving the cooling fluid through the cooling space (S).
상기 지지부(2)가 상기 지지돌기(22)를 포함하는 경우, 상기 상부배관본체(4111)는 고정부재(4111a), 및 연결부재(4111b)를 포함할 수 있다.When the above support member (2) includes the above support protrusion (22), the upper pipe body (4111) may include a fixing member (4111a) and a connecting member (4111b).
상기 고정부재(4111a)는 상기 지지부(2)에 결합된 것이다. 상기 고정부재(4111a)는 상기 지지부(2)에 형성된 배관삽입공에 삽입되어서 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 상부배관본체(4111)는 상기 고정부재(4111a)를 통해 상기 지지부(2)에 고정될 수 있다.The above-mentioned fixed member (4111a) is coupled to the support member (2). The above-mentioned fixed member (4111a) can be coupled to the support member (2) by being inserted into a pipe insertion hole formed in the above-mentioned support member (2). Accordingly, the upper pipe body (4111) can be fixed to the support member (2) through the above-mentioned fixed member (4111a).
상기 연결부재(4111b)는 상기 지지돌기(22)에 지지된 기판(W)에 접촉되기 위한 것이다. 상기 연결부재(4111b)는 상기 고정부재(4111a)로부터 상측 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결부재(4111b)는 상기 지지돌기(22)에 의해 지지됨에 따라 상기 베이스상면(211)으로부터 상측 방향으로 이격된 기판(W)의 하면에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 상부배관본체(4111)는 상기 기판(W)이 상기 지지돌기(22)로 인해 상기 베이스상면(211)으로부터 이격된 상태에서 상기 연결부재(4111b)를 통해 상기 기판(W)에 접촉된 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지지돌기(22)를 이용하여 상기 냉각공간(S)을 형성함으로써 기판(W)에 대한 냉각성능을 향상시킴과 아울러 상기 연결부재(4111b)를 이용하여 상기 냉각공간(S)으로 인해 상기 연결부(41)와 상기 기판(W) 사이에 연결불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 상기 연결부재(4111b)의 높이는 상기 지지돌기(22)의 높이에 대응되는 높이로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 베이스상면(211)을 기준으로 하여 상기 연결부재(4111b)의 높이는 상기 지지돌기(22)의 높이와 같도록 구현될 수 있다. 도시 되진 않았지만, 상기 연결부재(4111b)의 높이는 상기 지지돌기(22)의 높이 이상으로 구현될 수도 있다. The above connecting member (4111b) is for contacting the substrate (W) supported by the supporting protrusion (22). The connecting member (4111b) may be formed to protrude upward from the fixing member (4111a). Accordingly, the connecting member (4111b) may contact the lower surface of the substrate (W) spaced upward from the base upper surface (211) as it is supported by the supporting protrusion (22). Accordingly, the upper pipe body (4111) can maintain a state of contacting the substrate (W) through the connecting member (4111b) while the substrate (W) is spaced from the base upper surface (211) due to the supporting protrusion (22). Therefore, the substrate support device (1) according to the present invention improves the cooling performance for the substrate (W) by forming the cooling space (S) using the support protrusion (22), and at the same time, prevents the occurrence of a connection failure between the connection part (41) and the substrate (W) due to the cooling space (S) by using the connection member (4111b). The height of the connection member (4111b) may be formed to correspond to the height of the support protrusion (22). For example, the height of the connection member (4111b) may be implemented to be the same as the height of the support protrusion (22) based on the base upper surface (211). Although not illustrated, the height of the connection member (4111b) may also be implemented to be higher than the height of the support protrusion (22).
도 8을 참고하면, 상기 연결부재(4111b)에는 냉각배출구(4111c)가 형성될 수 있다. 상기 냉각배출구(4111c)는 상기 냉각유로(412)를 통해 공급된 냉각유체를 배출시키기 위한 것이다. 상기 냉각배출구(4111c)는 상기 냉각공간(S) 상에 위치하도록 상기 연결부재(4111b)를 관통하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각유로(412)를 통해 공급된 냉각유체는 상기 냉각배출구(4111c)를 통해 상기 냉각공간(S)으로 배출될 수 있다. 상기 냉각배출구(4111c)는 복수개로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 냉각배출구(4111c)들은 상기 연결부재(4111b)의 둘레방향을 기준으로 서로 동일한 각도만큼 이격되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 냉각유체들이 상기 냉각배출구(4111c)를 통해 상기 냉각공간(S)에 균일하게 배출되도록 함으로써 기판(W)에 대한 냉각균일성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 8, a cooling outlet (4111c) may be formed in the connecting member (4111b). The cooling outlet (4111c) is for discharging the cooling fluid supplied through the cooling channel (412). The cooling outlet (4111c) may be formed by penetrating the connecting member (4111b) so as to be positioned on the cooling space (S). Accordingly, the cooling fluid supplied through the cooling channel (412) may be discharged into the cooling space (S) through the cooling outlet (4111c). The cooling outlets (4111c) may be formed in multiple numbers. In this case, the cooling outlets (4111c) may be formed to be spaced apart from each other by the same angle based on the circumferential direction of the connecting member (4111b). Accordingly, the substrate support device (1) according to the present invention can improve the cooling uniformity for the substrate (W) by uniformly discharging the cooling fluids into the cooling space (S) through the cooling discharge port (4111c).
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the attached drawings, and it will be apparent to those skilled in the art that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope that does not depart from the technical spirit of the present invention.
1 : 기판지지장치 2 : 지지부
3 : 정전유닛 4 : 접지유닛
41 : 연결부 42 : 전환부
43 : 지연부 411 : 냉각배관
412 : 냉각유로 420 : 통합릴레이
421 : 제1릴레이 422 : 제2릴레이
431 : 제1저항부재 432 : 제2저항부재1: Substrate support device 2: Support part
3: Static unit 4: Ground unit
41: Connection part 42: Transition part
43: Delay section 411: Cooling pipe
412: Cooling oil 420: Integrated relay
421: 1st relay 422: 2nd relay
431: First resistance member 432: Second resistance member
Claims (11)
기판을 정전기적으로 고정시키기 위해 상기 지지부에 설치된 정전유닛; 및
상기 기판에 형성된 잔류전류를 제거하기 위한 접지유닛을 포함하고,
상기 접지유닛은,
상기 기판에 연결되기 위한 연결부;
상기 기판으로부터 잔류전류가 제거되도록 상기 연결부를 접지시키는 접지상태와 상기 접지상태를 해제하는 해제상태 간에 전환되는 전환부; 및
상기 연결부를 통해 상기 잔류전류가 제거되는 시간을 지연시키기 위한 지연부를 포함하며,
상기 연결부는 상기 지지부에 결합된 냉각배관, 및 상기 냉각배관을 관통하여 형성된 냉각유로를 포함하고,
상기 냉각배관은,
상기 기판에 연결되기 위한 상부배관본체;
상기 상부배관본체의 하부에 배치된 하부배관본체; 및
상기 상부배관본체와 상기 하부배관본체 사이를 절연하는 절연부재를 포함하며,
상기 전환부는 상기 상부배관본체에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.A support member placed inside the chamber and used to support the substrate;
An electrostatic unit installed on the support to electrostatically fix the substrate; and
It includes a grounding unit for removing residual current formed on the above substrate,
The above grounding unit is,
A connecting portion for connection to the above substrate;
A switching unit that switches between a grounding state that grounds the connection part so that residual current is removed from the substrate and a release state that releases the grounding state; and
It includes a delay unit for delaying the time for the residual current to be removed through the above connection unit,
The above connecting portion includes a cooling pipe coupled to the support portion, and a cooling passage formed through the cooling pipe,
The above cooling pipe,
An upper pipe body for connection to the above substrate;
A lower pipe body positioned below the upper pipe body; and
It includes an insulating material that insulates between the upper pipe body and the lower pipe body,
A substrate support device characterized in that the above switching member is connected to the upper pipe body.
상기 지연부는 제1저항부재를 포함하고,
상기 전환부는 상기 연결부로부터 상기 제1저항부재로 전류가 흐르는 것을 선택적으로 제한하기 위한 제1릴레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the first paragraph,
The above delay unit includes a first resistance member,
A substrate support device, characterized in that the switching unit includes a first relay for selectively limiting the flow of current from the connecting unit to the first resistance element.
상기 제1릴레이는,
상기 전환부가 상기 접지상태인 경우 상기 연결부와 상기 제1저항부재를 연결하고,
상기 전환부가 상기 해제상태인 경우 상기 연결부와 상기 제1저항부재의 연결을 해제하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the second paragraph,
The above first relay is,
When the above switching part is in the above ground state, the connecting part and the first resistance member are connected,
A substrate support device characterized in that the connection between the connecting portion and the first resistance member is released when the switching portion is in the released state.
상기 지연부는 상기 제1저항부재와 병렬 연결된 제2저항부재를 포함하고,
상기 전환부는 상기 연결부로부터 상기 제2저항부재로 전류가 흐르는 것을 선택적으로 제한하기 위한 제2릴레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the second paragraph,
The above delay unit includes a second resistance member connected in parallel with the first resistance member,
A substrate support device, characterized in that the switching member includes a second relay for selectively limiting the flow of current from the connecting member to the second resistance member.
상기 지연부는 제1저항부재, 및 상기 제1저항부재에 병렬 연결된 제2저항부재를 포함하고,
상기 전환부는 상기 연결부를 상기 제1저항부재 또는 상기 제2저항부재에 연결하기 위한 통합릴레이를 포함하며,
상기 제1저항부재의 저항값과 상기 제2저항부재의 저항값은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the first paragraph,
The above delay unit includes a first resistance member and a second resistance member connected in parallel to the first resistance member,
The above switching unit includes an integrated relay for connecting the connecting unit to the first resistance member or the second resistance member,
A substrate support device, characterized in that the resistance values of the first resistance member and the second resistance member are different from each other.
상기 전환부는,
상기 기판으로부터 측정된 잔류전류의 전류값이 기설정된 상한전류값을 초과하는 경우 상기 접지상태로 전환되고,
상기 전류값이 기설정된 하한전류값 미만인 경우 상기 해제상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the first paragraph,
The above switching part,
If the current value of the residual current measured from the above substrate exceeds the preset upper limit current value, it is switched to the ground state,
A substrate support device characterized in that it switches to the release state when the above current value is less than a preset lower limit current value.
상기 지지부는 지지베이스, 및 상기 기판을 지지하도록 상기 지지베이스로부터 상측 방향으로 돌출된 지지돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In the first paragraph,
A substrate support device characterized in that the support member includes a support base and a support protrusion protruding upward from the support base to support the substrate.
상기 상부배관본체는 상기 지지부에 결합된 고정부재, 및 상기 지지돌기에 지지된 기판에 접속되도록 상기 고정부재로부터 상측 방향으로 돌출된 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In Article 9,
A substrate support device characterized in that the upper pipe body includes a fixing member coupled to the support member, and a connecting member protruding upward from the fixing member so as to be connected to a substrate supported by the support protrusion.
상기 연결부재에는 상기 냉각유로를 통해 공급된 냉각유체를 배출시키기 위한 냉각배출구가 형성된 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In Article 10,
A substrate support device characterized in that a cooling discharge port is formed in the above connecting member for discharging cooling fluid supplied through the above cooling channel.
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| KR1020220077541A KR102716919B1 (en) | 2022-06-24 | 2022-06-24 | Apparatus for Supporting Substrate |
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2022
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