KR102716123B1 - Package substrate and semiconductor package including the same - Google Patents
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Abstract
패키지 기판은 절연 기판, 제 1 패드 어레이, 제 2 패드 어레이 및 더미 어레이를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 제 1 피치로 배열된 복수개의 제 1 패드들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 상기 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열되고, 상기 제 1 패드의 크기와 동일한 크기를 갖는 제 2 패드들을 포함할 수 있다. 상기 더미 어레이는 상기 제 2 패드들 사이에서 단절된 부분없이 연속적으로 연장될 수 있다. 따라서, 제 1 패드 어레이에 대한 제 2 패드 어레이의 부족한 면적이 더미 어레이로 보충될 수가 있게 되어, 패키지 기판 상에 실장되는 도전성 범프들이 균일한 두께를 가질 수가 있다.The package substrate may include an insulating substrate, a first pad array, a second pad array, and a dummy array. The first pad array may include a plurality of first pads arranged at a first pitch on a surface of the insulating substrate. The second pad array may include second pads arranged at a second pitch wider than the first pitch on the surface of the insulating substrate and having a size identical to that of the first pads. The dummy array may extend continuously between the second pads without a discontinuity. Accordingly, a deficient area of the second pad array with respect to the first pad array can be supplemented by the dummy array, so that conductive bumps mounted on the package substrate can have a uniform thickness.
Description
본 발명은 패키지 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 패키지 기판의 패드 구조, 및 이러한 패키지 기판을 포함하는 2.5D 스택형 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a package substrate and a semiconductor package including the same. More specifically, the present invention relates to a pad structure of a package substrate and a 2.5D stacked semiconductor package including the package substrate.
일반적으로, 2.5D 스택형 반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩 등을 포함할 수 있다. 패키지 기판과 인터포저는 복수개의 도전성 범프들을 매개로 전기적으로 연결될 수 있다. 패키지 기판은 도전성 범프들이 실장되는 패드들을 포함할 수 있다.In general, a 2.5D stacked semiconductor package may include a package substrate, an interposer, a first semiconductor chip, and a second semiconductor chip. The package substrate and the interposer may be electrically connected via a plurality of conductive bumps. The package substrate may include pads on which the conductive bumps are mounted.
관련 기술들에 따르면, 인터포저의 범프 피치에 따라 패드들 사이의 피치가 결정될 수 있다. 즉, 인터포저가 서로 다른 범프 피치들을 갖는 경우, 패드들 사이의 피치들도 서로 다르게 설정될 수 있다. 이러한 경우, 미세한 피치로 배열된 패드들 상에 배치된 도전성 범프와 상대적으로 미세하지 않은 패치로 배열된 패드들 상에 배치된 도전성 범프 사이에 두께 차이가 발생될 수 있다. 이러한 도전성 범프들의 두께 차이는 패키지 공정 불량을 야기시킬 수 있다.According to related technologies, the pitch between pads can be determined according to the bump pitch of the interposer. That is, when the interposer has different bump pitches, the pitches between the pads can also be set differently. In this case, a thickness difference can occur between conductive bumps arranged on pads arranged with a fine pitch and conductive bumps arranged on pads arranged with a relatively coarse patch. This thickness difference between the conductive bumps can cause a defect in the packaging process.
본 발명은 도전성 범프들의 두께 차이를 저감시킬 수 있는 패키지 기판을 제공한다.The present invention provides a package substrate capable of reducing the thickness difference between challenging bumps.
또한, 본 발명은 상기된 패키지 기판을 포함하는 반도체 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor package including the above-described package substrate.
본 발명의 일 견지에 따른 패키지 기판은 절연 기판, 제 1 패드 어레이, 제 2 패드 어레이 및 더미 어레이를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 제 1 피치로 배열된 복수개의 제 1 패드들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 상기 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열되고, 상기 제 1 패드의 크기와 동일한 크기를 갖는 제 2 패드들을 포함할 수 있다. 상기 더미 어레이는 상기 제 2 패드들 사이에서 단절된 부위없이 연속적으로 연장될 수 있다.According to one aspect of the present invention, a package substrate may include an insulating substrate, a first pad array, a second pad array, and a dummy array. The first pad array may include a plurality of first pads arranged at a first pitch on a surface of the insulating substrate. The second pad array may include second pads arranged at a second pitch wider than the first pitch on the surface of the insulating substrate and having a size identical to that of the first pads. The dummy array may extend continuously between the second pads without a disconnected portion.
본 발명의 다른 견지에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 제 1 도전성 범프 어레이, 제 2 도전성 범프 어레이, 더미 범프 어레이, 적어도 하나의 제 1 반도체 칩 및 적어도 하나의 제 2 반도체 칩을 포함할 수 있다. 상기 패키지 기판은 절연 기판, 제 1 패드 어레이, 제 2 패드 어레이 및 더미 어레이를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 제 1 피치로 배열된 복수개의 제 1 패드들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 패드 어레이는 상기 절연 기판의 표면에 상기 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열되고, 상기 제 1 패드의 크기와 동일한 크기를 갖는 제 2 패드들을 포함할 수 있다. 상기 더미 어레이는 상기 제 2 패드들 사이에서 단절된 부위없이 연속적으로 연장될 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판의 상부에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전성 범프 어레이는 상기 제 1 패드 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전성 범프 어레이는 상기 제 2 패드 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치될 수 있다. 상기 더미 범프 어레이는 상기 더미 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 제 2 반도체 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a semiconductor package may include a package substrate, an interposer, a first conductive bump array, a second conductive bump array, a dummy bump array, at least one first semiconductor chip, and at least one second semiconductor chip. The package substrate may include an insulating substrate, a first pad array, a second pad array, and a dummy array. The first pad array may include a plurality of first pads arranged at a first pitch on a surface of the insulating substrate. The second pad array may include second pads arranged at a second pitch wider than the first pitch on the surface of the insulating substrate and having a size identical to that of the first pads. The dummy array may extend continuously between the second pads without a disconnected portion. The interposer may be disposed on an upper portion of the package substrate. The first conductive bump array may be disposed between the first pad array and the interposer. The second conductive bump array may be disposed between the second pad array and the interposer. The dummy bump array may be disposed between the dummy array and the interposer. The first semiconductor chip may be disposed on an upper surface of the interposer. The second semiconductor chip may be disposed on an upper surface of the interposer.
상기된 본 발명에 따르면, 제 1 패드 어레이의 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열된 제 2 패드 어레이 내에 단절된 부위없이 연속적으로 연장된 더미 어레이가 배열될 수 있다. 제 1 패드 어레이에 대한 제 2 패드 어레이의 부족한 면적이 더미 어레이로 보충될 수가 있다. 따라서, 패키지 기판 상에 실장되는 도전성 범프들이 균일한 두께를 가질 수가 있다.According to the present invention described above, a dummy array can be arranged continuously without a discontinuity within a second pad array arranged at a second pitch wider than a first pitch of the first pad array. The insufficient area of the second pad array with respect to the first pad array can be supplemented by the dummy array. Accordingly, conductive bumps mounted on the package substrate can have a uniform thickness.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 패키지 기판을 포함하는 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a package substrate according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view taken along line AA' of Figure 1.
FIG. 3 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor package including the package substrate illustrated in FIG. 1.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a package substrate according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 패키지 기판(package substrate)(100)은 절연 기판(insulation substrate)(110), 제 1 패드 어레이(pad array)(120), 제 2 패드 어레이(130), 더미 어레이(dummy array)(140) 및 하부 패드(lower pad)(190)들을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a package substrate (100) according to the present embodiment may include an insulation substrate (110), a first pad array (120), a second pad array (130), a dummy array (140), and lower pads (190).
절연 기판(110)은 대략 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 절연 기판(110)의 형상은 직사각형으로 국한되지 않고 다른 여러 가지 형상들을 가질 수도 있다. 절연 기판(110)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 절연 기판(110)의 절연 물질은 특정 물질로 국한되지 않을 수 있다. 또한, 절연 기판(110)은 복수개의 절연막들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 적층된 절연막들에 도전 라인들이 배치될 수 있다. 다른 실시예로서, 절연 기판(110)은 단일 절연막으로 이루어질 수도 있다.The insulating substrate (110) may have an approximately rectangular shape. However, the shape of the insulating substrate (110) is not limited to a rectangle and may have various other shapes. The insulating substrate (110) may include an insulating material. The insulating material of the insulating substrate (110) may not be limited to a specific material. In addition, the insulating substrate (110) may have a structure in which a plurality of insulating films are laminated. Conductive lines may be arranged on the laminated insulating films. As another embodiment, the insulating substrate (110) may be formed of a single insulating film.
하부 패드(190)들은 절연 기판(110)의 하부면에 배치될 수 있다. 하부 패드(190)들은 도전 라인들의 하단들에 연결될 수 있다. 하부 패드(190)들은 구리(Cu)와 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 하부 패드(190)들의 재질은 특정 도전 물질로 국한되지 않을 수 있다.The lower pads (190) may be arranged on the lower surface of the insulating substrate (110). The lower pads (190) may be connected to the lower ends of the conductive lines. The lower pads (190) may include a conductive material such as copper (Cu). However, the material of the lower pads (190) may not be limited to a specific conductive material.
하부 절연 패턴(180)이 절연 기판(110)의 하부면에 형성될 수 있다. 하부 절연 패턴(180)은 하부 패드(190)들을 노출시키는 오프닝들을 가질 수 있다. 하부 절연 패턴(180)은 솔더 레지스트(solder resist)를 포함할 수 있다.A lower insulating pattern (180) may be formed on a lower surface of the insulating substrate (110). The lower insulating pattern (180) may have openings exposing the lower pads (190). The lower insulating pattern (180) may include a solder resist.
제 1 패드 어레이(120)는 복수개의 제 1 패드(122)들을 포함할 수 있다. 제 1 패드(122)들은 절연 기판(110)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 1 패드(122)들은 절연 기판(110)의 도전 라인들의 상단에 연결될 수 있다. 제 1 패드(122)들은 좌우 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다. The first pad array (120) may include a plurality of first pads (122). The first pads (122) may be arranged on an upper surface of an insulating substrate (110). The first pads (122) may be connected to upper ends of conductive lines of the insulating substrate (110). The first pads (122) may be arranged with equal left-right spacing.
본 실시예에서, 제 1 패드(122)들은 제 1 피치(pitch)(P1)를 두고 배열될 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 패드(122)들의 좌우 사이의 간격은 서로 동일하지 않을 수도 있다. 제 1 패드(122)들은 구리(Cu)와 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 제 1 패드(122)들의 재질은 특정 도전 물질로 국한되지 않을 수 있다.In this embodiment, the first pads (122) may be arranged at a first pitch (P1). In another embodiment, the spacing between the left and right sides of the first pads (122) may not be the same. The first pads (122) may include a conductive material such as copper (Cu). However, the material of the first pads (122) may not be limited to a specific conductive material.
제 2 패드 어레이(130)는 복수개의 제 2 패드(132)들을 포함할 수 있다. 제 2 패드(132)들은 절연 기판(110)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 2 패드(132)들은 절연 기판(110)의 도전 라인들의 상단에 연결될 수 있다. 제 2 패드(132)들은 좌우 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다. 제 2 패드(132)들 각각의 크기는 제 1 패드(122)들 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다. 제 2 패드(132)들은 구리(Cu)와 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 제 2 패드(132)들의 재질은 특정 도전 물질로 국한되지 않을 수 있다.The second pad array (130) may include a plurality of second pads (132). The second pads (132) may be arranged on an upper surface of the insulating substrate (110). The second pads (132) may be connected to upper ends of conductive lines of the insulating substrate (110). The second pads (132) may be arranged at equal intervals on the left and right sides. The size of each of the second pads (132) may be substantially the same as the size of each of the first pads (122). The second pads (132) may include a conductive material such as copper (Cu). However, the material of the second pads (132) may not be limited to a specific conductive material.
본 실시예에서, 제 2 패드(132)들은 제 2 피치(P2)를 두고 배열될 수 있다. 제 2 피치(P2)는 제 1 피치(P1)보다 넓을 수 있다. 따라서, 제 1 패드(122)들이 제 2 패드(132)들보다 조밀하게 배열될 수 있다. 이에 따라, 제 1 패드(122)와 제 2 패드(132)가 실질적으로 동일한 면적을 갖고 있으므로, 절연 기판(110)의 상부면의 동일한 면적 내에서 제 1 패드(122)들이 점유하는 전체 면적은 제 2 패드(132)들이 점유하는 전체 면적보다 넓을 수 있다. 즉, 제 1 패드 어레이(120)의 면적은 제 2 패드 어레이(130)의 면적보다 넓을 수 있다.In the present embodiment, the second pads (132) may be arranged at a second pitch (P2). The second pitch (P2) may be wider than the first pitch (P1). Accordingly, the first pads (122) may be arranged more densely than the second pads (132). Accordingly, since the first pads (122) and the second pads (132) have substantially the same area, the total area occupied by the first pads (122) within the same area of the upper surface of the insulating substrate (110) may be wider than the total area occupied by the second pads (132). That is, the area of the first pad array (120) may be wider than the area of the second pad array (130).
상부 절연 패턴(170)은 절연 기판(110)의 상부면에 형성될 수 있다. 상부 절연 패턴(170)은 제 1 패드(122)들과 제 2 패드(132)들을 노출시키는 오프닝들을 가질 수 있다. 상부 절연 패턴(170)은 솔더 레지스트를 포함할 수 있다.The upper insulating pattern (170) may be formed on the upper surface of the insulating substrate (110). The upper insulating pattern (170) may have openings exposing the first pads (122) and the second pads (132). The upper insulating pattern (170) may include a solder resist.
제 1 패드 어레이(120)와 제 2 패드 어레이(130)의 면적 차이는 상부 절연 패턴(170)의 두께 차이를 유발시킬 수 있다. 예를 들어서, 제 1 패드 어레이(120)의 면적이 제 2 패드 어레이(130)의 면적보다 넓은 경우, 제 1 패드 어레이(120)의 상부에 형성된 상부 절연 패턴(170)의 두께는 제 2 패드 어레이(130)의 상부에 형성된 상부 절연 패턴(170)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이러한 상부 절연 패턴(170)의 두께 차이는 제 1 패드(122)들과 제 2 패드(132)들 상에 도금 공정을 통해 형성될 도전성 범프들의 높이 차이를 유발시킬 수 있다. 도전성 범프들의 높이 차이는 반도체 패키지 공정의 에러 요인으로 작용할 수 있다.The difference in the area of the first pad array (120) and the second pad array (130) may cause a difference in the thickness of the upper insulating pattern (170). For example, when the area of the first pad array (120) is larger than that of the second pad array (130), the thickness of the upper insulating pattern (170) formed on the upper side of the first pad array (120) may be thicker than the thickness of the upper insulating pattern (170) formed on the upper side of the second pad array (130). This difference in the thickness of the upper insulating pattern (170) may cause a difference in the height of conductive bumps to be formed on the first pads (122) and the second pads (132) through a plating process. The difference in the height of the conductive bumps may act as an error factor in the semiconductor package process.
도전성 범프들에 균일한 높이를 부여하기 위해서, 더미 어레이(140)가 제 2 패드 어레이(130)의 내부에 배치될 수 있다. 더미 어레이(140)는 절연 기판(110) 내의 도전성 패턴들과 연결되지 않을 수 있다. 더미 어레이(140)는 상부 절연 패턴(170)의 오프닝들을 통해 노출될 수 있다.To provide a uniform height to the conductive bumps, a dummy array (140) may be placed inside the second pad array (130). The dummy array (140) may not be connected to the conductive patterns within the insulating substrate (110). The dummy array (140) may be exposed through openings in the upper insulating pattern (170).
더미 어레이(140)는 제 1 패드 어레이(120)의 면적에 대한 제 2 패드 어레이(130)의 부족한 면적을 보충하는 역할을 가질 수 있다. 따라서, 더미 어레이(140)는 제 2 패드 어레이(130)의 물질과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제 2 패드 어레이(130)가 구리를 포함하는 경우, 더미 어레이(140)도 구리를 포함할 수 있다. 특히, 더미 어레이(140)는 제 2 패드(132)들 사이에서 단절된 부분없이 연속적으로 연장된 구조를 가질 수 있다The dummy array (140) may have a role of supplementing the insufficient area of the second pad array (130) for the area of the first pad array (120). Therefore, the dummy array (140) may include a material substantially the same as the material of the second pad array (130). When the second pad array (130) includes copper, the dummy array (140) may also include copper. In particular, the dummy array (140) may have a structure that extends continuously without a disconnected portion between the second pads (132).
예를 들어서, 더미 어레이(140)의 면적과 제 2 패드 어레이(130)의 면적을 합산한 면적은 제 1 패드 어레이(120)의 면적의 70% 내지 100%일 수 있다. 특히, 더미 어레이(140)가 단절된 부분없이 연속적으로 연장된 구조를 갖는 것에 의해서, 제 1 패드 어레이(120)의 면적에 대한 제 2 패드 어레이(130)의 부족한 면적이 보충될 수 있다. 이에 따라, 제 1 패드 어레이(120)와 제 2 패드 어레이(130)의 상부들에 형성되는 상부 절연 패턴(170)이 균일한 두께를 가질 수 있다. 결과적으로, 제 1 패드 어레이(120)와 제 2 패드 어레이(130) 상에 형성되는 도전성 범프들도 균일한 높이를 가질 수가 있게 된다.For example, the combined area of the area of the dummy array (140) and the area of the second pad array (130) may be 70% to 100% of the area of the first pad array (120). In particular, since the dummy array (140) has a structure that extends continuously without a disconnected portion, the insufficient area of the second pad array (130) with respect to the area of the first pad array (120) can be supplemented. Accordingly, the upper insulating pattern (170) formed on the upper portions of the first pad array (120) and the second pad array (130) can have a uniform thickness. As a result, the conductive bumps formed on the first pad array (120) and the second pad array (130) can also have a uniform height.
본 실시예에서, 더미 어레이(140)는 복수개의 더미 패드(dummy pad)(142)들 및 복수개의 더미 라인(dummy line)(144)들을 포함할 수 있다. 더미 패드(142)들 각각은 제 2 패드(132)들 중에서 인접한 4개의 제 2 패드(132)들 사이의 중앙부에 배치될 수 있다. 또한, 더미 패드(142)들 각각은 대략 원형 형상을 가질 수 있다. 원형의 더미 패드(142)는 제 2 패드(132)들로부터 이격되어 있을 수 있다. 더미 라인(144)들은 원형의 더미 패드(142)로부터 제 2 패드(132)들 사이를 통해서 연장될 수 있다. 따라서, 원형의 더미 패드(142)들은 더미 라인(144)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 더미 라인(144)들은 원형의 더미 패드(142)들의 직교하는 2개의 중심선들을 따라 연장되어 서로 직교를 이룰 수 있다. 더미 라인(144)들은 제 2 패드(132)들로부터 이격될 수 있다. 또한, 더미 라인(144)들은 균일한 폭을 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 더미 라인(144)들의 폭은 균일하지 않을 수도 있다.In the present embodiment, the dummy array (140) may include a plurality of dummy pads (142) and a plurality of dummy lines (144). Each of the dummy pads (142) may be positioned at a central portion between four adjacent second pads (132) among the second pads (132). In addition, each of the dummy pads (142) may have an approximately circular shape. The circular dummy pads (142) may be spaced apart from the second pads (132). The dummy lines (144) may extend from the circular dummy pads (142) through the second pads (132). Accordingly, the circular dummy pads (142) may be connected to each other by the dummy lines (144). The dummy lines (144) may extend along two orthogonal center lines of the circular dummy pads (142) to be orthogonal to each other. The dummy lines (144) may be spaced apart from the second pads (132). Additionally, the dummy lines (144) may have a uniform width. In another embodiment, the width of the dummy lines (144) may not be uniform.
상기와 같은 형상을 갖는 더미 어레이(140)는 제 2 패드(132)들 사이에 형성될 수 있다. 더미 어레이(140)는 제 2 패드(132)들을 형성하는 공정을 통해서 형성될 수 있다. 다른 실시예로서, 제 2 패드(132)들 사이에 접지층이 형성되어 있는 경우, 접지층을 부분적으로 제거하여 더미 어레이(140)를 형성할 수도 있다. A dummy array (140) having a shape as described above can be formed between the second pads (132). The dummy array (140) can be formed through a process of forming the second pads (132). In another embodiment, when a ground layer is formed between the second pads (132), the dummy array (140) can be formed by partially removing the ground layer.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.FIG. 3 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
본 실시예에 따른 패키지 기판(100a)은 더미 어레이를 제외하고는 도 1에 도시된 패키지 기판(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.The package substrate (100a) according to the present embodiment may include components substantially identical to those of the package substrate (100) illustrated in FIG. 1, except for the dummy array. Accordingly, identical components are indicated by the same reference numerals, and further, repeated descriptions of identical components may be omitted.
도 3을 참조하면, 더미 어레이(150)는 복수개의 더미 패드(152)들 및 복수개의 더미 라인(154)들을 포함할 수 있다. 더미 패드(152)들 각각은 제 2 패드(132)들 중에서 인접한 4개의 제 2 패드(132)들 사이의 중앙부에 배치될 수 있다. 또한, 더미 패드(152)들 각각은 대략 직사각형, 구체적으로는 마름모꼴 형상을 가질 수 있다. 마름모꼴 형상의 더미 패드(152)는 제 2 패드(132)들로부터 이격되어 있을 수 있다. 더미 라인(154)들은 마름모꼴 형상의 더미 패드(152)의 꼭지점들로부터 제 2 패드(132)들 사이를 통해서 연장되어 서로 직교를 이룰 수 있다. 더미 라인(154)들은 제 2 패드(132)들로부터 이격될 수 있다. 또한, 더미 라인(154)들은 균일한 폭을 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 더미 라인(154)들의 폭은 균일하지 않을 수도 있다.Referring to FIG. 3, the dummy array (150) may include a plurality of dummy pads (152) and a plurality of dummy lines (154). Each of the dummy pads (152) may be positioned at a central portion between four adjacent second pads (132) among the second pads (132). In addition, each of the dummy pads (152) may have an approximately rectangular shape, specifically, a rhombus shape. The rhombus-shaped dummy pads (152) may be spaced apart from the second pads (132). The dummy lines (154) may extend from the vertices of the rhombus-shaped dummy pads (152) through the second pads (132) and be orthogonal to each other. The dummy lines (154) may be spaced apart from the second pads (132). In addition, the dummy lines (154) may have a uniform width. As another embodiment, the width of the dummy lines (154) may not be uniform.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.FIG. 4 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
본 실시예에 따른 패키지 기판(100b)은 더미 어레이를 제외하고는 도 1에 도시된 패키지 기판(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.The package substrate (100b) according to the present embodiment may include components substantially identical to those of the package substrate (100) illustrated in FIG. 1, except for the dummy array. Accordingly, identical components are indicated by the same reference numerals, and further repetitive descriptions of identical components may be omitted.
도 4를 참조하면, 더미 어레이(160)는 복수개의 제 1 더미 라인(162)들 및 복수개의 제 2 더미 라인(164)들을 포함할 수 있다. 제 1 더미 라인(162)들은 제 2 패드(132)들 사이를 통해서 제 1 방향을 따라 연장될 수 있다. 제 2 더미 라인(164)들은 제 2 패드(132)들 사이를 통해서 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향을 따라 연장될 수 있다. 따라서, 제 1 더미 라인(162)들과 제 2 더미 라인(164)들은 서로 직교를 이룰 수 있다. 즉, 제 1 더미 라인(162)들과 제 2 더미 라인(164)들은 인접한 4개의 제 2 패드(132)들의 중앙부에서 서로 교차할 수 있다. 제 1 더미 라인(162)들과 제 2 더미 라인(164)들은 제 2 패드(132)들로부터 이격될 수 있다. 또한, 제 1 더미 라인(162)들과 제 2 더미 라인(164)들은 균일한 폭을 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 더미 라인(162)들과 제 2 더미 라인(164)들은 서로 다른 폭들을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 4, the dummy array (160) may include a plurality of first dummy lines (162) and a plurality of second dummy lines (164). The first dummy lines (162) may extend along a first direction between the second pads (132). The second dummy lines (164) may extend along a second direction orthogonal to the first direction between the second pads (132). Accordingly, the first dummy lines (162) and the second dummy lines (164) may be orthogonal to each other. That is, the first dummy lines (162) and the second dummy lines (164) may intersect each other at the center portions of four adjacent second pads (132). The first dummy lines (162) and the second dummy lines (164) may be spaced apart from the second pads (132). Additionally, the first dummy lines (162) and the second dummy lines (164) may have uniform widths. In another embodiment, the first dummy lines (162) and the second dummy lines (164) may have different widths.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.FIG. 5 is a plan view showing a package substrate according to another embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 패키지 기판(100c)은 절연 기판(110), 제 1 패드 어레이(120c), 제 2 패드 어레이(130c) 및 하부 패드(190)들을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a package substrate (100c) according to the present embodiment may include an insulating substrate (110), a first pad array (120c), a second pad array (130c), and lower pads (190).
절연 기판(110)은 도 1에 도시된 절연 기판(110)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 본 실시예의 절연 기판(110)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다. 하부 패드(190)들은 절연 기판(110)의 하부면에 배치될 수 있다. 하부 패드(190)들은 도전 라인들의 하단들에 연결될 수 있다.The insulating substrate (110) may have a structure substantially the same as the structure of the insulating substrate (110) illustrated in FIG. 1. Therefore, a repeated description of the insulating substrate (110) of the present embodiment may be omitted. The lower pads (190) may be arranged on the lower surface of the insulating substrate (110). The lower pads (190) may be connected to the lower ends of the conductive lines.
제 1 패드 어레이(120c)는 복수개의 제 1 패드(122c)들을 포함할 수 있다. 제 1 패드(122c)들은 절연 기판(110)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 1 패드(122c)들 각각은 제 1 크기를 가질 수 있다. 제 1 패드(122c)들은 절연 기판(110)의 도전 라인들의 상단에 연결될 수 있다. 제 1 패드(122c)들은 좌우 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다. 본 실시예에서, 제 1 패드(122c)들은 제 1 피치(P1)를 두고 배열될 수 있다. 제 1 패드(122)들은 구리(Cu)와 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. The first pad array (120c) may include a plurality of first pads (122c). The first pads (122c) may be arranged on an upper surface of an insulating substrate (110). Each of the first pads (122c) may have a first size. The first pads (122c) may be connected to upper ends of conductive lines of the insulating substrate (110). The first pads (122c) may be arranged at a uniform left-right interval. In the present embodiment, the first pads (122c) may be arranged at a first pitch (P1). The first pads (122) may include a conductive material such as copper (Cu).
제 2 패드 어레이(130c)는 복수개의 제 2 패드(132c)들을 포함할 수 있다. 제 2 패드(132c)들은 절연 기판(110)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 2 패드(132c)들은 절연 기판(110)의 도전 라인들의 상단에 연결될 수 있다. 제 2 패드(132c)들은 구리(Cu)와 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제 2 패드(132c)들은 좌우 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다. 제 2 패드(132c)들은 제 2 피치(P2)를 두고 배열될 수 있다. 제 2 피치(P2)는 제 1 피치(P1)보다 넓을 수 있다. 따라서, 제 1 패드(122c)들이 제 2 패드(132c)들보다 조밀하게 배열될 수 있다.The second pad array (130c) may include a plurality of second pads (132c). The second pads (132c) may be arranged on an upper surface of the insulating substrate (110). The second pads (132c) may be connected to upper ends of conductive lines of the insulating substrate (110). The second pads (132c) may include a conductive material such as copper (Cu). The second pads (132c) may be arranged at a uniform left-right interval. The second pads (132c) may be arranged at a second pitch (P2). The second pitch (P2) may be wider than the first pitch (P1). Therefore, the first pads (122c) may be arranged more densely than the second pads (132c).
본 실시예에서, 제 2 패드(132c)들 각각은 제 2 크기를 가질 수 있다. 제 2 크기는 제 1 크기보다 넓을 수 있다. 즉, 제 2 패드(132c)는 제 1 패드(122c)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 비록 제 2 패드(132c)들이 제 1 패드(122c)들 사이의 제 1 피치(P1)보다 넓은 제 2 피치(P2) 간격으로 배열되지만, 제 2 패드(132c)의 크기가 제 1 패드(122c)의 크기보다 넓으므로, 절연 기판(110)의 상부면의 동일한 면적 내에서 제 2 패드(132c)들이 점유하는 전체 면적이 제 1 패드(122c)들이 점유하는 전체 면적에 근접하거나 또는 실질적으로 동일할 수 있다. In the present embodiment, each of the second pads (132c) may have a second size. The second size may be wider than the first size. That is, the second pads (132c) may have a larger area than the first pads (122c). Although the second pads (132c) are arranged at a second pitch (P2) interval that is wider than the first pitch (P1) between the first pads (122c), since the size of the second pads (132c) is wider than the size of the first pads (122c), the total area occupied by the second pads (132c) within the same area of the upper surface of the insulating substrate (110) may be close to or substantially the same as the total area occupied by the first pads (122c).
예를 들어서, 제 2 패드 어레이(130c)의 면적은 제 1 패드 어레이(120c)의 면적의 70% 내지 100%일 수 있다. 제 1 크기를 갖는 제 1 패드(122c)를 포함하는 제 1 패드 어레이(120c)와 제 1 크기보다 넓은 제 2 크기를 갖는 제 2 패드(132c)를 포함하는 제 2 패드 어레이(130c)의 상부들에 형성되는 상부 절연 패턴(170)이 균일한 두께를 가질 수 있다. 결과적으로, 제 1 패드 어레이(120c)와 제 2 패드 어레이(130c) 상에 형성되는 도전성 범프들도 균일한 높이를 가질 수가 있게 된다.For example, the area of the second pad array (130c) may be 70% to 100% of the area of the first pad array (120c). The upper insulating pattern (170) formed on the upper portions of the first pad array (120c) including the first pad (122c) having the first size and the second pad array (130c) including the second pad (132c) having the second size wider than the first size may have a uniform thickness. As a result, the conductive bumps formed on the first pad array (120c) and the second pad array (130c) may also have a uniform height.
도 6은 도 1에 도시된 패키지 기판을 포함하는 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor package including the package substrate illustrated in FIG. 1.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지(200)는 2.5D 스택형 패키지를 포함할 수 있다. 따라서, 반도체 패키지(200)는 패키지 기판(100), 인터포저(interposer)(210), 도전성 범프(conductive bump)(220)들, 더미 범프(dummy bump)(225)들, 적어도 하나의 제 1 반도체 칩(230), 적어도 하나의 제 2 반도체 칩(240), 몰딩 부재(molding member)(250), 히트 스프레더(heat spreader)(260) 및 외부접속단자(external terminal)(270)들을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the semiconductor package (200) according to the present embodiment may include a 2.5D stacked package. Accordingly, the semiconductor package (200) may include a package substrate (100), an interposer (210), conductive bumps (220), dummy bumps (225), at least one first semiconductor chip (230), at least one second semiconductor chip (240), a molding member (250), a heat spreader (260), and external terminals (270).
도 6에 도시된 패키지 기판(100)은 도 2에 도시된 패키지 기판(100)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 도 6에 도시된 패키지 기판(100)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다. 다른 실시예로서, 반도체 패키지(200)는 도 3에 도시된 패키지 기판(100a), 도 4에 도시된 패키지 기판(100b) 또는 도 5에 도시된 패키지 기판(100c)을 포함할 수도 있다.The package substrate (100) illustrated in FIG. 6 may have a structure substantially identical to that of the package substrate (100) illustrated in FIG. 2. Therefore, a repeated description of the package substrate (100) illustrated in FIG. 6 may be omitted. As another embodiment, the semiconductor package (200) may include the package substrate (100a) illustrated in FIG. 3, the package substrate (100b) illustrated in FIG. 4, or the package substrate (100c) illustrated in FIG. 5.
인터포저(210)는 패키지 기판(100)의 상부에 배치될 수 있다. 인터포저(210)는 복수개의 상부 패드(212)들, 복수개의 하부 패드(214)들 및 도전성 포스트(post)(216)들을 포함할 수 있다. 상부 패드(212)들은 인터포저(210)의 상부면에 배치될 수 있다. 하부 패드(214)들은 인터포저(210)의 하부면에 배치될 수 있다. 도전성 포스트(216)들은 인터포저(210)의 내부에 수직 방향을 따라 형성되어, 상부 패드(212)들과 하부 패드(214)들을 전기적으로 연결시킬 수 있다.An interposer (210) may be placed on an upper portion of a package substrate (100). The interposer (210) may include a plurality of upper pads (212), a plurality of lower pads (214), and conductive posts (216). The upper pads (212) may be placed on an upper surface of the interposer (210). The lower pads (214) may be placed on a lower surface of the interposer (210). The conductive posts (216) may be formed along a vertical direction within the interposer (210) to electrically connect the upper pads (212) and the lower pads (214).
하부 패드(214)들 중 패키지 기판(100)의 제 1 패드 어레이(120)의 상부에 배치된 하부 패드(214)들은 제 1 패드 어레이(120)의 제 1 피치(P1)와 대응하는 피치로 배열될 수 있다. 하부 패드(214)들 중 패키지 기판(100)의 제 2 패드 어레이(130)의 상부에 배치된 하부 패드(214)들은 제 2 패드 어레이(130)의 제 2 피치(P2)와 대응하는 피치로 배열될 수 있다.Among the lower pads (214), the lower pads (214) arranged on the upper side of the first pad array (120) of the package substrate (100) may be arranged at a pitch corresponding to the first pitch (P1) of the first pad array (120). Among the lower pads (214), the lower pads (214) arranged on the upper side of the second pad array (130) of the package substrate (100) may be arranged at a pitch corresponding to the second pitch (P2) of the second pad array (130).
도전성 범프(220)들은 패키지 기판(100)과 인터포저(210) 사이에 개재되어, 패키지 기판(100)과 인터포저(210)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 구체적으로, 도전성 범프(220)들은 패키지 기판(100)의 제 1 패드(122)들과 제 2 패드(132)들을 인터포저(210)의 하부 패드(214)들에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 따라서, 제 1 패드(122)들 상에 배치된 도전성 범프(220)들은 제 1 패드(122)들의 제 1 피치(P1)와 대응하는 피치로 배열될 수 있다. 또한, 제 2 패드(132)들 상에 배치된 도전성 범프(220)들은 제 2 패드(132)들의 제 2 피치(P2)와 대응하는 피치로 배열될 수 있다.The conductive bumps (220) may be interposed between the package substrate (100) and the interposer (210) to electrically connect the package substrate (100) and the interposer (210). Specifically, the conductive bumps (220) may electrically connect the first pads (122) and the second pads (132) of the package substrate (100) to the lower pads (214) of the interposer (210). Accordingly, the conductive bumps (220) arranged on the first pads (122) may be arranged at a pitch corresponding to the first pitch (P1) of the first pads (122). In addition, the conductive bumps (220) arranged on the second pads (132) may be arranged at a pitch corresponding to the second pitch (P2) of the second pads (132).
더미 범프(225)들은 더미 어레이(140) 상에 배치될 수 있다. 도전성 범프(220)들들은 상부 절연 패턴(170)의 오프닝들을 통해 노출된 제 1 패드(122)들과 제 2 패드(132)들에 대한 도금 공정을 통해서 형성될 수 있다. 또한, 더미 범프(225)들도 상부 절연 패턴(170)의 오프닝을 통해 노출된 더미 어레이(140)에 대한 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 도전성 범프(220)들과 더미 범프(225)들은 하나의 도금 공정을 통해서 동시에 형성될 수 있다.Dummy bumps (225) may be arranged on the dummy array (140). The conductive bumps (220) may be formed through a plating process on the first pads (122) and the second pads (132) exposed through the openings of the upper insulating pattern (170). In addition, the dummy bumps (225) may also be formed through a plating process on the dummy array (140) exposed through the openings of the upper insulating pattern (170). That is, the conductive bumps (220) and the dummy bumps (225) may be formed simultaneously through one plating process.
전술한 바와 같이, 더미 어레이(140)의 면적과 제 2 패드 어레이(130)의 면적을 합산한 면적은 제 1 패드 어레이(120)의 면적의 70% 내지 100%이므로, 상부 절연 패턴(170)은 균일한 두께를 가질 수가 있다. 이에 따라, 제 1 패드(122)들과 제 2 패드(132)들 상에 형성된 도전성 범프(220)들도 균일한 높이를 가질 수가 있게 된다. 따라서, 인터포저(210)의 하부 패드(214)들과 도전성 범프(220)들 사이의 전기적 접촉 신뢰도가 향상될 수 있다.As described above, since the combined area of the dummy array (140) and the area of the second pad array (130) is 70% to 100% of the area of the first pad array (120), the upper insulating pattern (170) can have a uniform thickness. Accordingly, the conductive bumps (220) formed on the first pads (122) and the second pads (132) can also have a uniform height. Accordingly, the electrical contact reliability between the lower pads (214) of the interposer (210) and the conductive bumps (220) can be improved.
제 1 반도체 칩(230)은 인터포저(210)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 1 반도체 칩(230)은 도전성 범프(235)들을 매개로 인터포저(210)의 상부 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 제 1 반도체 칩(230)은 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit : CPU), 그래픽 처리 유닛(Graphic Processing Unit : GPU) 등을 포함할 수 있다.A first semiconductor chip (230) may be placed on an upper surface of an interposer (210). The first semiconductor chip (230) may be electrically connected to upper pads of the interposer (210) via conductive bumps (235). The first semiconductor chip (230) may include a central processing unit (CPU), a graphic processing unit (GPU), and the like.
제 2 반도체 칩(240)은 인터포저(210)의 상부면에 배치될 수 있다. 제 2 반도체 칩(240)은 도전성 범프(245)들을 매개로 인터포저(210)의 상부 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 제 2 반도체 칩(240)은 순차적으로 적층된 버퍼 칩 및 복수개의 광대역폭 메모리(High Bandwidth Memory : HBM) 칩들을 포함할 수 있다.A second semiconductor chip (240) may be placed on an upper surface of the interposer (210). The second semiconductor chip (240) may be electrically connected to upper pads of the interposer (210) via conductive bumps (245). The second semiconductor chip (240) may include a buffer chip and a plurality of high bandwidth memory (HBM) chips that are sequentially stacked.
몰딩 부재(250)는 인터포저(210)의 상부면에 형성되어, 제 1 반도체 칩(230)과 제 2 반도체 칩(240)의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 따라서, 제 1 반도체 칩(230)과 제 2 반도체 칩(240)의 상부면들은 위로 노출될 수 있다. 몰딩 부재(250)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 포함할 수 있다.The molding member (250) may be formed on the upper surface of the interposer (210) and surround side surfaces of the first semiconductor chip (230) and the second semiconductor chip (240). Accordingly, the upper surfaces of the first semiconductor chip (230) and the second semiconductor chip (240) may be exposed upward. The molding member (250) may include an epoxy molding compound (EMC).
히트 스프레더(260)는 제 1 반도체 칩(230)과 제 2 반도체 칩(240)의 상부면들에 부착될 수 있다. 히트 스프레더(260)는 제 1 반도체 칩(230)과 제 2 반도체 칩(240)에서 발생된 열을 반도체 패키지(200)의 외부로 신속하게 방출시킬 수 있다.A heat spreader (260) can be attached to the upper surfaces of the first semiconductor chip (230) and the second semiconductor chip (240). The heat spreader (260) can quickly release heat generated from the first semiconductor chip (230) and the second semiconductor chip (240) to the outside of the semiconductor package (200).
외부접속단자(270)들은 패키지 기판(100)의 하부 패드(190)들에 실장될 수 있다. 외부접속단자(270)들은 솔더 볼들을 포함할 수 있다.External connection terminals (270) may be mounted on the lower pads (190) of the package substrate (100). The external connection terminals (270) may include solder balls.
한편, 본 실시예에서는, 패키지 기판들이 2.5D 스택형 반도체 패키지(200)에 적용되는 것으로 예시하였으나, 본 실시예의 패키지 기판들은 2.5D 스택형 이외에 다른 여러 가지 구조들을 갖는 반도체 패키지들에도 적용될 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, the package substrates are exemplified as being applied to a 2.5D stacked semiconductor package (200), but the package substrates of this embodiment can also be applied to semiconductor packages having various structures other than the 2.5D stacked type.
상기된 본 실시예들에 따르면, 제 1 패드 어레이의 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열된 제 2 패드 어레이 내에 단절된 부분없이 연속적으로 연장된 더미 어레이가 배열될 수 있다. 제 1 패드 어레이에 대한 제 2 패드 어레이의 부족한 면적이 더미 어레이로 보충될 수가 있다. 따라서, 패키지 기판 상에 실장되는 도전성 범프들이 균일한 두께를 가질 수가 있다.According to the above-described embodiments, a dummy array can be arranged continuously without a break in a second pad array arranged at a second pitch wider than a first pitch of the first pad array. The insufficient area of the second pad array with respect to the first pad array can be supplemented by the dummy array. Accordingly, conductive bumps mounted on the package substrate can have a uniform thickness.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 챔버로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described with reference to preferred embodiments thereof as described above, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and changes may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below.
110 ; 절연 기판 120 ; 제 1 패드 어레이
122 ; 제 1 패드 130 ; 제 2 패드 어레이
132 ; 제 2 패드 140, 150, 160 ; 더미 어레이
142, 152 ; 더미 패드 144, 154 ; 더미 라인
162 ; 제 1 더미 라인 164 ; 제 2 더미 라인
170 ; 상부 절연 패턴 180 ; 하부 절연 패턴
190 ; 하부 패드 210 ; 인터포저
212 ; 상부 패드 214 ; 하부 패드
216 ; 도전성 포스트 220 ; 도전성 범프
230 ; 제 1 반도체 칩 235 ; 도전성 범프
240 ; 제 2 반도체 칩 245 ; 도전성 범프
250 ; 몰딩 부재 260 ; 히트 스프레더
270 ; 외부접속단자110 ; Insulating
122;
132 ;
142, 152;
162;
170 ;
190 ;
212 ;
216 ;
230;
240;
250 ;
270 ; External connection terminal
Claims (10)
상기 절연 기판의 표면에 제 1 피치로 배열된 복수개의 제 1 패드들을 포함하는 제 1 패드 어레이;
상기 절연 기판의 표면에 상기 제 1 피치보다 넓은 제 2 피치로 배열되고, 상기 제 1 패드의 크기와 동일한 크기를 갖는 제 2 패드들을 포함하는 제 2 패드 어레이; 및
상기 제 2 패드들 사이에서 단절된 부분없이 연속적으로 연장된 더미 어레이를 포함하는 패키지 기판.insulating substrate;
A first pad array including a plurality of first pads arranged at a first pitch on a surface of the insulating substrate;
A second pad array including second pads arranged on the surface of the insulating substrate at a second pitch wider than the first pitch and having a size identical to that of the first pad; and
A package substrate comprising a dummy array extending continuously without a gap between the second pads.
상기 제 2 패드들 중에서 이웃하는 제 2 패드들 사이에 배치된 더미 패드들; 및
상기 더미 패드들로부터 상기 제 2 패드들 사이에서 연장되어 상기 더미 패드들을 서로 연결시키는 더미 라인들을 포함하는 패키지 기판.In the first paragraph, the dummy array
Dummy pads arranged between adjacent second pads among the above second pads; and
A package substrate including dummy lines extending between the second pads and connecting the dummy pads to each other.
상기 패키지 기판의 상부에 배치된 인터포저;
상기 제 1 패드 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치된 제 1 도전성 범프 어레이;
상기 제 2 패드 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치된 제 2 도전성 범프 어레이;
상기 더미 어레이와 상기 인터포저 사이에 배치된 더미 범프 어레이;
상기 인터포저의 상부면에 배치된 적어도 하나의 제 1 반도체 칩; 및
상기 인터포저의 상부면에 배치된 적어도 하나의 제 2 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지.A package substrate comprising: an insulating substrate, a first pad array including a plurality of first pads arranged at a first pitch on an upper surface of the insulating substrate, a second pad array including second pads arranged at a second pitch wider than the first pitch on an upper surface of the insulating substrate and having a size identical to that of the first pads, and a dummy array extending continuously between the second pads without a discontinuity;
An interposer disposed on the upper side of the package substrate;
A first conductive bump array disposed between the first pad array and the interposer;
A second conductive bump array disposed between the second pad array and the interposer;
A dummy bump array arranged between the dummy array and the interposer;
At least one first semiconductor chip disposed on the upper surface of the interposer; and
A semiconductor package comprising at least one second semiconductor chip arranged on an upper surface of the interposer.
A semiconductor package in accordance with claim 9, further comprising an insulating pattern formed on an upper surface of the insulating substrate to expose the first and second pad arrays and the dummy array.
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