KR102714298B1 - Tape peeling apparatus - Google Patents
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Abstract
(과제) 웨이퍼로부터 보호 테이프를 단시간에 양호하게 박리하는 것.
(해결 수단) 웨이퍼 (W) 의 일방의 면에 첩착된 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 를 첩착하고, 박리 테이프를 잡아당겨 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하는 테이프 박리 장치가, 유지 테이블 (11) 상의 웨이퍼의 보호 테이프의 상면에 박리 테이프를 가압하여 첩착하는 박리 테이프 첩착 수단 (31) 과, 박리 테이프 첩착 수단에 의해 첩착된 박리 테이프의 일단을 협지하는 협지 수단 (25) 과, 협지 수단과 유지 테이블의 상대적인 이동에 의해 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 이동 수단 (37) 과, 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리되는 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼의 중심을 향해 기체를 분사하는 기체 분사 수단 (46) 을 구비하고, 협지 수단에 박리 테이프를 협지시킨 상태에서, 선단 박리 영역을 향한 기체 분사에 의해 웨이퍼의 일방의 면으로부터 보호 테이프의 일부를 박리하는 구성으로 하였다.(Task) To properly peel off the protective tape from the wafer in a short period of time.
(Solution) A tape peeling device for attaching a peeling tape (54) to a protective tape (51) attached to one side of a wafer (W) and pulling the peeling tape to peel the protective tape from the wafer comprises a peeling tape attaching means (31) for applying pressure to attach the peeling tape to an upper side of the protective tape on a wafer on a holding table (11), a clamping means (25) for clamping one end of the peeling tape attached by the peeling tape attaching means, a moving means (37) for peeling the protective tape from the wafer by the relative movement of the clamping means and the holding table, and a gas injection means (46) for spraying gas from a front-end peeling area where the protective tape is peeled from the wafer toward the center of the wafer, and with the peeling tape clamped by the clamping means, a configuration is set such that a part of the protective tape is peeled from one side of the wafer by spraying gas toward the front-end peeling area.
Description
본 발명은, 웨이퍼에 첩착 (貼着) 된 보호 테이프를 박리하는 테이프 박리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a tape peeling device for peeling off a protective tape adhered to a wafer.
디바이스가 형성된 웨이퍼의 연삭시에는, 디바이스를 보호하기 위해 웨이퍼의 표면에 보호 테이프가 첩착된다. 웨이퍼의 연삭 후에 웨이퍼의 보호 테이프에 띠 형상의 박리 테이프가 첩착되어, 박리 테이프를 통해 웨이퍼로부터 보호 테이프가 떼어내진다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조). 특허문헌 1 에 기재된 박리 테이프는, 박리 테이프의 이면 전역에 도포된 점착풀에 의해 보호 테이프에 첩착된다. 특허문헌 2 에 기재된 박리 테이프는 열 압착 테이프이고, 보호 테이프에 대해 맞닿음 부재를 가열 상태에서 가압함으로써 맞닿음 부분에서 열 압착 테이프가 보호 테이프에 첩착된다.When grinding a wafer on which a device is formed, a protective tape is attached to the surface of the wafer to protect the device. After grinding the wafer, a strip-shaped peeling tape is attached to the protective tape of the wafer, and the protective tape is peeled off from the wafer via the peeling tape (for example, see
그러나, 열 압착 테이프를 잡아당겨 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리할 때에는, 박리 테이프를 90°이상으로 터닝시킨 상태에서 저속으로 박리할 필요가 있어, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 데에 긴 시간을 필요로 한다는 문제가 있었다.However, when pulling the heat-pressed tape to peel the protective tape from the wafer, there was a problem in that it took a long time to peel the protective tape from the wafer because the peeling tape had to be peeled at a low speed while being turned by more than 90°.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 단시간에 양호하게 박리할 수 있는 테이프 박리 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.The present invention has been made in consideration of these points, and has as one object the provision of a tape peeling device capable of successfully peeling a protective tape from a wafer in a short period of time.
본 발명의 일 양태의 테이프 박리 장치는, 웨이퍼의 일방의 면에 첩착된 보호 테이프에 박리 테이프를 첩착하고 그 박리 테이프를 잡아당겨 그 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하는 테이프 박리 장치로서, 웨이퍼의 타방의 면측을 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 그 보호 테이프의 상면에 가압부로 그 박리 테이프를 가압하여 첩착하는 박리 테이프 첩착 수단과, 그 박리 테이프 첩착 수단에 의해 첩착된 그 박리 테이프의 일단을 협지 (挾持) 하는 협지 수단과, 그 협지 수단과 그 유지 테이블을 상대적으로 이동시켜 웨이퍼의 외측으로부터 중심을 향해 그 박리 테이프를 잡아당겨 그 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하는 이동 수단과, 웨이퍼 외주 가장자리 바로 근처에 첩착된 그 박리 테이프에 의해 그 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리되는 선단 박리 영역에 대향하여 기체 분사구를 위치시켜 웨이퍼의 외측에 배치 형성되고, 그 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼 중심을 향해 기체를 분사하는 기체 분사 수단을 구비하고, 그 협지 수단이 그 박리 테이프를 협지한 상태에서, 그 선단 박리 영역으로부터 그 기체 분사 수단의 기체 분사에 의해 웨이퍼의 그 일방의 면으로부터 그 보호 테이프의 일부가 박리되고, 이어서 그 박리 테이프를 잡아당겨 그 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하는 것을 특징으로 한다.A tape peeling device of one embodiment of the present invention is a tape peeling device that adheres a peeling tape to a protective tape adhered to one surface of a wafer and pulls the peeling tape to peel the protective tape from the wafer, the tape peeling device comprising: a holding table that holds the other surface of the wafer; a peeling tape sticking means that presses the peeling tape with a pressing portion to adhere the upper surface of the protective tape of the wafer held on the holding table; a clamping means that clamps one end of the peeling tape adhered by the peeling tape sticking means; a moving means that relatively moves the clamping means and the holding table to pull the peeling tape from the outer side of the wafer toward the center to peel the protective tape from the wafer; and a gas injection port positioned so as to face a leading edge peeling region where the protective tape is peeled from the wafer by the peeling tape adhered immediately near the outer peripheral edge of the wafer, and is formed on the outer side of the wafer. It is characterized in that a gas injection means for injecting gas toward the center is provided, and in a state where the holding means holds the peeling tape, a part of the protective tape is peeled off from one side of the wafer by the gas injection of the gas injection means from the front peeling region, and then the peeling tape is pulled to peel the protective tape from the wafer.
이 구성에 의하면, 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 보호 테이프가 박리되는 선단 박리 영역에 기체 분사 수단의 기체 분사구가 향해져 있다. 협지 수단에 의해 박리 테이프를 협지하여 선단 박리 영역을 형성하고, 웨이퍼의 중심을 향해 기체를 분사함으로써, 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼의 일방의 면과 보호 테이프의 첩착면 사이에 기체가 유입되어 보호 테이프의 일부가 박리된다. 웨이퍼의 일방의 면과 보호 테이프의 첩착면 사이에 기체층이 만들어지기 때문에, 박리 개시시에 보호 테이프의 걷어 올림에 이끌려 웨이퍼가 들어 올려지는 경우가 없다. 따라서, 박리 스피드를 높여도 웨이퍼가 파손되는 경우가 없어, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 단시간에 양호하게 박리할 수 있다.According to this configuration, the gas injection port of the gas injection means is directed to the leading edge peeling area where the protective tape is peeled from the outer peripheral edge of the wafer. The peeling tape is pinched by the pinching means to form a leading edge peeling area, and by injecting gas toward the center of the wafer, gas flows in between one side of the wafer and the bonded surface of the protective tape from the leading edge peeling area, so that a part of the protective tape is peeled. Since a gas layer is formed between one side of the wafer and the bonded surface of the protective tape, the wafer is not lifted due to the lifting of the protective tape when peeling starts. Therefore, even if the peeling speed is increased, the wafer is not damaged, and the protective tape can be peeled from the wafer satisfactorily in a short period of time.
본 발명의 일 양태의 테이프 박리 장치에 있어서, 그 기체 분사 수단은, 적어도 그 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼 중심까지의 절반이 박리될 때까지 기체를 간헐적으로 분사시킨다.In one embodiment of the tape peeling device of the present invention, the gas injection means intermittently injects gas until at least half of the distance from the tip peeling region to the center of the wafer is peeled.
본 발명의 일 양태의 테이프 박리 장치에 있어서, 웨이퍼는 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 디바이스가 형성되고 그 분할 예정 라인을 따라 분할되어 개편화된 상태에서 그 보호 테이프에 첩착되어 있고, 그 박리 테이프는 그 분할 예정 라인에 대해 비평행하게 박리되는 방향으로 첩착되고, 그 기체 분사 수단은, 그 분할 예정 라인과 비평행하게 기체를 분사한다.In one embodiment of the tape peeling device of the present invention, a wafer is attached to a protective tape in a state where a plurality of devices are formed in an area defined by a division line and the wafer is divided and separated along the division line, and the peeling tape is attached in a direction in which it is peeled non-parallel to the division line, and the gas injection means injects gas non-parallel to the division line.
본 발명의 일 양태의 테이프 박리 장치에 있어서, 그 기체 분사 수단은, 이오나이저이다.In one embodiment of the tape peeling device of the present invention, the gas injection means is an ionizer.
본 발명에 의하면, 선단 박리 영역에 기체 분사 수단의 기체 분사구가 향해져 있기 때문에, 웨이퍼의 중심을 향해 기체를 분출하면서 박리함으로써, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 단시간에 양호하게 박리할 수 있다.According to the present invention, since the gas injection port of the gas injection means is directed to the tip peeling area, the protective tape can be peeled off from the wafer satisfactorily in a short period of time by ejecting gas toward the center of the wafer and peeling it off.
도 1 은, 본 실시형태의 테이프 박리 장치의 모식도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 박리 테이프 첩착 수단의 사시도이다.
도 3 은, 본 실시형태의 기체 분사의 설명도이다.
도 4 는, 본 실시형태의 보호 테이프의 박리 동작의 설명도이다.
도 5 는, 본 실시형태의 보호 테이프의 박리 동작의 설명도이다.
도 6 은, 변형예의 기체 분사의 설명도이다.Figure 1 is a schematic diagram of a tape peeling device of the present embodiment.
Fig. 2 is a perspective view of the peeling tape attachment means of the present embodiment.
Figure 3 is an explanatory diagram of gas injection of the present embodiment.
Fig. 4 is an explanatory diagram of the peeling operation of the protective tape of the present embodiment.
Figure 5 is an explanatory diagram of the peeling operation of the protective tape of the present embodiment.
Figure 6 is an explanatory diagram of a gas injection of a modified example.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 테이프 박리 장치에 대해 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태의 테이프 박리 장치의 모식도이다. 또한, 도 1 에 나타내는 테이프 박리 장치의 모식도는, 설명의 편의상, 박리 테이프의 반송로를 형성하는 일부 부재에 대해서는 생략하여 기재하고 있다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, a tape peeling device of the present embodiment will be described. Fig. 1 is a schematic diagram of a tape peeling device of the present embodiment. In addition, in the schematic diagram of the tape peeling device shown in Fig. 1, some members forming a return path for the peeling tape are omitted for convenience of explanation.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 테이프 박리 장치 (1) 는, 유지 테이블 (11) 상에서 웨이퍼 (W) 의 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 를 첩착하고, 박리 테이프 (54) 를 통해 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 (W) 의 일방의 면에는 자외선 경화형의 보호 테이프 (51) 가 첩착되고, 보호 테이프 (51) 에 의해 전단 (前段) 의 웨이퍼 (W) 의 이면 연삭 공정에서 디바이스가 보호되고 있다. 웨이퍼 (W) 의 타방의 면에는 첩착 테이프 (52) 가 첩착되어 있고, 첩착 테이프 (52) 의 외주에는 링 프레임 (53) 이 첩착되어 있다. 웨이퍼 (W) 는, 첩착 테이프 (52) 를 통해 링 프레임 (53) 에 지지된 상태에서 테이프 박리 장치 (1) 에 반입된다.As shown in Fig. 1, the tape peeling device (1) is configured to adhere a peeling tape (54) to a protective tape (51) of a wafer (W) on a holding table (11), and to peel the protective tape (51) from the wafer (W) via the peeling tape (54). An ultraviolet-curable protective tape (51) is adhered to one surface of the wafer (W), and the device is protected by the protective tape (51) in a back grinding process of the wafer (W) in the previous stage. An adhesive tape (52) is adhered to the other surface of the wafer (W), and a ring frame (53) is adhered to an outer periphery of the adhesive tape (52). The wafer (W) is introduced into the tape peeling device (1) while supported on a ring frame (53) via an adhesive tape (52).
테이프 박리 장치 (1) 의 유지 테이블 (11) 에는 포러스 세라믹재에 의해 유지면 (12) 이 형성되어 있고, 유지면 (12) 에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼 (W) 의 타방의 면측이 유지된다. 유지 테이블 (11) 의 상방에는, 띠 형상의 박리 테이프 (54) 를 롤 형상으로 정리한 테이프 롤 (도시 생략) 이 회전 가능하게 지지되어 있다. 박리 테이프 (54) 는, 열 압착식의 띠 형상 테이프이고, 가열 상태에서 가압됨으로써 보호 테이프 (51) 에 열 압착된다. 유지 테이블 (11) 의 상방에는, 박리 테이프 (54) 의 인출에 수반하여 종동 (從動) 회전하는 종동 롤러 (21) 와, 소정 길이만큼 인출된 박리 테이프 (54) 를 유지하는 1 쌍의 유지 롤러 (22) 가 형성되어 있다.A holding table (11) of a tape peeling device (1) has a holding surface (12) formed of a porous ceramic material, and the other surface side of the wafer (W) is held by a negative pressure generated on the holding surface (12). Above the holding table (11), a tape roll (not shown) in which a strip-shaped peeling tape (54) is arranged in a roll shape is rotatably supported. The peeling tape (54) is a thermocompression-type strip-shaped tape, and is thermocompression-bonded to the protective tape (51) by applying pressure in a heated state. Above the holding table (11), a driven roller (21) that rotates in accordance with the withdrawal of the peeling tape (54) and a pair of holding rollers (22) that hold the peeling tape (54) that has been pulled out by a predetermined length are formed.
종동 롤러 (21) 는, 테이프 롤로부터 인출된 박리 테이프 (54) 를 1 쌍의 유지 롤러 (22) 를 향하여 터닝시키고 있고, 박리 테이프 (54) 의 터닝에 의해 박리 테이프 (54) 에 텐션을 부여하고 있다. 1 쌍의 유지 롤러 (22) 는, 종동 롤러 (21) 에 의해 터닝된 박리 테이프 (54) 의 통로를 사이에 두고 대향하고, 박리 테이프 (54) 의 양면에 대해 전접 (轉接) 가능하게 배치되어 있다. 1 쌍의 유지 롤러 (22) 의 전접면은, 박리 테이프 (54) 를 양면으로부터 그립 가능한 재질로 형성되어 있다. 1 쌍의 유지 롤러 (22) 에는 제동 기구 (도시 생략) 가 접속되어 있고, 테이프 롤로부터 인출되는 박리 테이프 (54) 에 백 텐션을 작용시키고 있다.The driven roller (21) turns the peeling tape (54) pulled out from the tape roll toward a pair of retaining rollers (22), and applies tension to the peeling tape (54) by turning the peeling tape (54). The pair of retaining rollers (22) are arranged so as to face each other with a passage of the peeling tape (54) turned by the driven roller (21) in between, and are capable of rotating on both sides of the peeling tape (54). The contact surfaces of the pair of retaining rollers (22) are formed of a material capable of gripping the peeling tape (54) from both sides. A braking mechanism (not shown) is connected to the pair of retaining rollers (22), and applies back tension to the peeling tape (54) pulled out from the tape roll.
테이프 박리 장치 (1) 에는, 1 쌍의 유지 롤러 (22) 로부터 박리 테이프 (54) 의 인출 방향으로 이간된 위치에, 박리 테이프 (54) 의 일단을 협지하는 협지 수단 (25) 이 형성되어 있다. 협지 수단 (25) 은, 고정 클로 (26) 에 대해 가동 클로 (27) 를 접근시킴으로써 박리 테이프 (54) 를 협지하고, 고정 클로 (26) 에 대해 가동 클로 (27) 를 이간시킴으로써 박리 테이프 (54) 의 일단을 해방한다. 협지 수단 (25) 에는 인출 기구 (39) 가 접속되어 있고, 협지 수단 (25) 에 박리 테이프 (54) 를 협지시킨 상태에서, 인출 기구 (39) 에 의해 협지 수단 (25) 을 협지 위치로부터 인출 방향으로 이동시킨다. 이로써, 테이프 롤로부터 보호 테이프 (51) 의 박리에 사용되는 소정 길이만큼 박리 테이프 (54) 가 인출된다.In the tape peeling device (1), a clamping means (25) for clamping one end of the peeling tape (54) is formed at a position spaced from a pair of retaining rollers (22) in the direction in which the peeling tape (54) is pulled out. The clamping means (25) clamps the peeling tape (54) by bringing a movable claw (27) close to a fixed claw (26), and releases one end of the peeling tape (54) by moving the movable claw (27) away from the fixed claw (26). A pulling mechanism (39) is connected to the clamping means (25), and with the peeling tape (54) clamped to the clamping means (25), the clamping means (25) is moved in the pulling direction from the clamping position. In this way, a peeling tape (54) is pulled out from the tape roll to a predetermined length used for peeling the protective tape (51).
1 쌍의 유지 롤러 (22) 와 협지 수단 (25) 사이에는, 유지 테이블 (11) 상의 웨이퍼 (W) 의 보호 테이프 (51) 의 상면에 박리 테이프 (54) 를 첩착하는 박리 테이프 첩착 수단 (31) 이 형성되어 있다. 박리 테이프 첩착 수단 (31) 은, 박리 테이프 (54) 를 보호 테이프 (51) 의 상면에 가압하는 가압부 (32) 가 형성되어 있다. 가압부 (32) 는, 승강 수단 (34) 에 의해 유지 테이블 (11) 에 접근 또는 이간되고, 히터 등의 가열 수단 (35) 에 의해 가열된다. 가압부 (32) 에 의해 가열하면서 박리 테이프 (54) 가 보호 테이프 (51) 의 상면에 가압됨으로써, 가압부 (32) 의 맞닿음면 (33) 에 의해 박리 테이프 (54) 가 보호 테이프 (51) 에 열 압착된다.Between a pair of holding rollers (22) and a holding means (25), a peeling tape attaching means (31) is formed for attaching a peeling tape (54) to an upper surface of a protective tape (51) of a wafer (W) on a holding table (11). The peeling tape attaching means (31) is formed with a pressing portion (32) for pressing the peeling tape (54) to the upper surface of the protective tape (51). The pressing portion (32) is brought closer to or further away from the holding table (11) by an elevating means (34), and is heated by a heating means (35) such as a heater. As the peeling tape (54) is heated by the pressurizing portion (32), it is pressed against the upper surface of the protective tape (51), so that the peeling tape (54) is thermally pressed to the protective tape (51) by the contact surface (33) of the pressurizing portion (32).
1 쌍의 유지 롤러 (22) 와 가압부 (32) 사이에는, 보호 테이프 (51) 에 첩착된 박리 테이프 (54) 를 절단하는 절단부 (36) 가 형성되어 있다. 절단부 (36) 는, 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 가 첩착된 상태에서 하방으로 이동함으로써 박리 테이프 (54) 를 절단한다. 유지 테이블 (11) 에는, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리시키는 이동 수단 (37) 이 접속되어 있다. 이동 수단 (37) 은, 박리 테이프 (54) 를 협지 수단 (25) 에 협지시킨 상태에서, 유지 테이블 (11) 을 대략 수평 방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼 (W) 의 외측으로부터 중심을 향해 박리 테이프 (54) 를 잡아당겨 웨이퍼 (W) 로부터 박리하고 있다.Between a pair of retaining rollers (22) and a pressurizing portion (32), a cutting portion (36) is formed for cutting a peeling tape (54) adhered to a protective tape (51). The cutting portion (36) is configured to be movable in the up-and-down direction, and cuts the peeling tape (54) by moving downward in a state in which the peeling tape (54) is adhered to the protective tape (51). A moving means (37) for peeling the protective tape (51) from the wafer (W) is connected to the retaining table (11). The moving means (37) pulls the peeling tape (54) from the outer side of the wafer (W) toward the center by moving the retaining table (11) in a substantially horizontal direction in a state in which the peeling tape (54) is sandwiched by the sandwiching means (25), thereby peeling the peeling tape (54) from the wafer (W).
그런데, 웨이퍼 (W) 의 일방의 면으로부터 보호 테이프 (51) 를 박리시키기 위한 박리력은 박리 스피드에 의존하고 있다. 즉, 박리 스피드가 빠를수록 박리력이 필요해지고, 박리 스피드가 느릴수록 박리력이 불필요해지는 경향이 있다. 이 때문에, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 일방향으로 떼어낼 때에, 박리 스피드가 지나치게 빠르면 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면이 충분히 다 박리되지 않고 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리에 균열이 생기는 경우가 있다. 이 때문에, 박리 스피드를 느리게 한 상태에서 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리해야 한다.However, the peeling force for peeling the protective tape (51) from one side of the wafer (W) depends on the peeling speed. That is, the faster the peeling speed, the more peeling force is required, and the slower the peeling speed, the less unnecessary the peeling force tends to be. Therefore, when peeling the protective tape (51) from the wafer (W) in one direction, if the peeling speed is too fast, the one side of the wafer (W) and the adhered surface of the protective tape (51) may not be sufficiently peeled off, and cracks may form at the outer peripheral edge of the wafer (W). Therefore, the protective tape (51) must be peeled from the wafer (W) at a slow peeling speed.
그래서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (W) 의 직경 방향 외측에 기체 분사 수단 (46) 을 형성하여, 기체 분사 수단 (46) 에 의해, 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 보호 테이프 (51) 가 약간 박리된 선단 박리 영역을 향해 기체를 분사하도록 하고 있다. 선단 박리 영역에 기체가 분사됨으로써, 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면 사이에 기체를 유입시켜 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리시키기 쉽게 하고 있다. 따라서, 기체를 분출하면서 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리함으로써, 웨이퍼 (W) 를 파손시키지 않고 박리 스피드를 높일 수 있어, 보호 테이프 (51) 의 박리 시간을 짧게 하는 것이 가능하게 되어 있다.Therefore, in the present embodiment, a gas injection means (46) is formed on the outer side in the radial direction of the wafer (W), and gas is injected by the gas injection means (46) toward a tip peeling region where the protective tape (51) is slightly peeled from the outer peripheral edge of the wafer. By injecting gas into the tip peeling region, gas is introduced between one surface of the wafer (W) and the adhered surface of the protective tape (51) from the tip peeling region, making it easy to peel the protective tape (51) from the wafer (W). Therefore, by peeling the protective tape (51) from the wafer (W) while ejecting the gas, the peeling speed can be increased without damaging the wafer (W), and it is possible to shorten the peeling time of the protective tape (51).
이하, 도 2 및 도 3 을 참조하여 박리 테이프 첩착 수단 및 기체 분사 수단에 대해 설명한다. 도 2 는, 본 실시형태의 박리 테이프 첩착 수단의 사시도이다. 도 3 은, 본 실시형태의 기체 분사의 설명도이다.Hereinafter, the peeling tape attachment means and the gas injection means will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a perspective view of the peeling tape attachment means of the present embodiment. FIG. 3 is an explanatory drawing of the gas injection of the present embodiment.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 박리 테이프 첩착 수단 (31) 은, 가열 수단 (35) 의 하면으로부터 가압부 (32) 가 돌출되어 있다. 가압부 (32) 의 맞닿음면 형상은 원 형상이고, 보호 테이프 (51) 의 상면에 대해 박리 테이프 (54) 를 열 압착 가능하게 형성되어 있다. 가압부 (32) 의 맞닿음면 (33) 은, 예를 들어 외형 2.5 [mm] 의 소직경으로 형성되어, 보호 테이프 (51) 에 대한 박리 테이프 (54) 의 첩착 영역 (A) 의 첩착 면적이 억제되어 있다. 맞닿음면 (33) 의 외측 가장자리는 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리의 곡률보다 큰 원호 형상으로 되어 있고, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 가 박리되기 시작하는 박리 기점 (P) 에 첩착 영역 (A) 의 원호 형상을 위치시키는 것이 가능하게 되어 있다.As shown in Fig. 2, the peeling tape bonding means (31) has a pressurizing portion (32) protruding from the lower surface of the heating means (35). The contact surface shape of the pressurizing portion (32) is circular and is formed so as to be able to thermally pressurize the peeling tape (54) against the upper surface of the protective tape (51). The contact surface (33) of the pressurizing portion (32) is formed with a small diameter of, for example, an outer diameter of 2.5 [mm], so that the bonding area (A) of the peeling tape (54) against the protective tape (51) is suppressed. The outer edge of the contact surface (33) is formed into an arc shape larger than the curvature of the outer peripheral edge of the wafer (W), and it is possible to position the arc shape of the bonding area (A) at the peeling starting point (P) where the protective tape (51) begins to peel from the wafer (W).
박리 기점 (P) 에서 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 가 첩착되기 때문에 (도 3a 참조), 박리 테이프 (54) 의 인장력이 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 걷어 올리는 방향으로 다이렉트로 작용한다. 이 때문에, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리를 파손시키지 않고, 약한 인장력으로 보호 테이프 (51) 를 원활하게 떼어낼 수 있다. 원활한 박리가 가능하기 때문에, 웨이퍼 (W) 의 파손을 억제하면서 박리 스피드를 높일 수 있다. 또한, 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 가 원 형상으로 첩착되어 있기 때문에, 박리 방향으로 작용하는 인장력이 넓은 첩착 영역 (A) 에서 받아들여져, 보호 테이프 (51) 로부터 박리 테이프 (54) 가 벗겨지는 경우가 없다.Since the peeling tape (54) is adhered to the protective tape (51) at the peeling starting point (P) (see Fig. 3a), the tensile force of the peeling tape (54) directly acts in the direction of lifting the protective tape (51) from the wafer (W). Therefore, the protective tape (51) can be smoothly peeled off with a weak tensile force without damaging the outer peripheral edge of the wafer (W). Since smooth peeling is possible, the peeling speed can be increased while suppressing damage to the wafer (W). In addition, since the peeling tape (54) is adhered to the protective tape (51) in a circular shape, the tensile force acting in the peeling direction is received in a wide adherence area (A), so that the peeling tape (54) does not peel off from the protective tape (51).
도 3a 및 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 기체 분사 수단 (46) 은, 보호 테이프 (51) 의 박리를 기체의 분사에 의해 어시스트하는 것으로, 예를 들어, 이온화한 에어를 분사하는 이오나이저로 구성되어 있다. 기체 분사 수단 (46) 을 이오나이저로 구성함으로써, 이온화한 에어로 보호 테이프 (51) 를 박리하였을 때에 생기는 정전기를 제전하여, 정전 파괴로 인한 디바이스 불량을 방지하고 있다. 기체 분사 수단 (46) 은, 박리 테이프 (54) 의 첩착 영역 (A) 부근에서 웨이퍼 (W) 의 직경 방향 외측에 배치 형성되어 있다. 기체 분사 수단 (46) 에는 배관을 개재하여 기체원 (48) 이 접속되어 있고, 기체원 (48) 으로부터 기체 분사 수단 (46) 을 향해 소정량만큼 기체가 주입된다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the gas injection means (46) assists the peeling of the protective tape (51) by injecting gas, and is configured as, for example, an ionizer that injects ionized air. By configuring the gas injection means (46) as an ionizer, static electricity generated when the protective tape (51) is peeled with ionized air is eliminated, thereby preventing device failure due to electrostatic destruction. The gas injection means (46) is formed and arranged on the outer side in the radial direction of the wafer (W) near the bonding area (A) of the peeling tape (54). A gas source (48) is connected to the gas injection means (46) via a pipe, and a predetermined amount of gas is injected from the gas source (48) toward the gas injection means (46).
기체 분사 수단 (46) 의 기체 분사구 (47) 는, 측면에서 볼 때에 웨이퍼 (W) 와 보호 테이프 (51) 의 경계면의 높이 위치에 위치되어 있고, 상면에서 볼 때에 보호 테이프 (51) 의 박리 방향과 평행한 방향에서 웨이퍼 (W) 의 중심을 향해져 있다. 즉, 기체 분사구 (47) 는, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 바로 근처에 첩착된 박리 테이프 (54) 에 의해 보호 테이프 (51) 가 웨이퍼 (W) 로부터 박리되는 선단 박리 영역 (50) 에 대향하여 위치되어 있다. 선단 박리 영역 (50) 에 기체 분사구 (47) 의 표적이 정해짐으로써, 약간 걷어 올려진 선단 박리 영역 (50) 을 향해 집중적으로 기체를 분사하는 것이 가능하게 되어 있다.The gas injection port (47) of the gas injection means (46) is positioned at a height position of the boundary surface between the wafer (W) and the protective tape (51) when viewed from the side, and is directed toward the center of the wafer (W) in a direction parallel to the peeling direction of the protective tape (51) when viewed from the top. That is, the gas injection port (47) is positioned opposite the leading edge peeling region (50) where the protective tape (51) is peeled from the wafer (W) by the peeling tape (54) attached right near the outer peripheral edge of the wafer (W). By setting the target of the gas injection port (47) at the leading edge peeling region (50), it is possible to intensively spray gas toward the leading edge peeling region (50) that is slightly raised.
협지 수단 (25) (도 1 참조) 이 박리 테이프 (54) 를 협지하여 선단 박리 영역 (50) 이 형성된 상태에서, 기체 분사 수단 (46) 에 의해 선단 박리 영역 (50) 으로부터 웨이퍼 (W) 의 중심을 향해 순간적으로 기체가 분사된다. 선단 박리 영역 (50) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 보호 테이프 (51) 사이에 기체가 유입되면, 기체의 통과에 의해 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면이 박리된다. 그리고, 기체가 웨이퍼 (W) 의 중심을 향해 확산됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 일방의 면으로부터 보호 테이프 (51) 가 부분적으로 박리된다. 이로써, 보호 테이프 (51) 의 걷어 올림에 이끌려 웨이퍼 (W) 가 파손되는 경우가 없어, 박리 스피드를 높여 보호 테이프 (51) 를 단시간에 박리할 수 있다.In a state where the peeling tape (54) is pinched by the holding means (25) (see Fig. 1) to form a tip peeling region (50), gas is instantaneously ejected from the tip peeling region (50) toward the center of the wafer (W) by the gas injection means (46). When gas flows between the wafer (W) and the protective tape (51) from the tip peeling region (50), one surface of the wafer (W) and the adhered surface of the protective tape (51) are peeled off by the passage of the gas. Then, as the gas spreads toward the center of the wafer (W), the protective tape (51) is partially peeled off from one surface of the wafer (W). As a result, there is no case where the wafer (W) is damaged due to the lifting of the protective tape (51), and the peeling speed can be increased so that the protective tape (51) can be peeled off in a short time.
또, 기체 분사를 이용하여 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하기 때문에, 선단 박리 영역 (50) 의 형성시에 보호 테이프 (51) 의 박리량이 적어도 충분히 선단 박리 영역 (50) 으로서 기능시킬 수 있다. 선단 박리 영역 (50) 의 형성 동작에서는 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리가 흠집나기 쉽기 때문에 박리 스피드가 느리게 설정되어 있지만, 적은 박리량으로 선단 박리 영역 (50) 을 형성하여 박리 시간을 단축시킬 수 있다. 이와 같이, 박리 동작에 있어서 가장 박리 스피드가 느린 선단 박리 영역 (50) 의 형성 동작에서 동작 시간을 단축시킴으로써, 박리 동작 전체의 동작 시간을 짧게 하여 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the protective tape (51) is peeled off from the wafer (W) using a gas jet, the peeling amount of the protective tape (51) can be sufficiently used as the leading peeling area (50) when forming the leading peeling area (50). In the operation for forming the leading peeling area (50), the peeling speed is set slow because the outer peripheral edge of the wafer (W) is easily scratched, but the peeling time can be shortened by forming the leading peeling area (50) with a small peeling amount. In this way, by shortening the operation time in the operation for forming the leading peeling area (50) which has the slowest peeling speed in the peeling operation, the operation time of the entire peeling operation can be shortened, thereby improving productivity.
계속해서, 도 4 및 도 5 를 참조하여, 테이프 박리 장치에 의한 보호 테이프의 박리 동작에 대해 설명한다. 도 4 및 도 5 는, 본 실시형태의 보호 테이프의 박리 동작의 설명도이다.Continuing, with reference to FIGS. 4 and 5, a peeling operation of a protective tape by a tape peeling device will be described. FIGS. 4 and 5 are explanatory diagrams of a peeling operation of a protective tape of the present embodiment.
도 4a 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (11) 상에 웨이퍼 (W) 가 유지되면, 박리 테이프 첩착 수단 (31) 의 가압부 (32) 의 바로 밑에 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리가 위치된다. 웨이퍼 (W) 의 상방에서는 테이프 롤 (도시 생략) 로부터 박리 테이프 (54) 가 인출되어 있고, 인출 방향으로 튀어나온 상태에서 1 쌍의 유지 롤러 (22) 에 박리 테이프 (54) 가 유지되어 있다. 이 초기 상태에서는, 협지 수단 (25) 이 박리 테이프 (54) 의 일단으로부터 퇴피되어 있다. 또, 도시 생략된 자외선 램프에 의해 보호 테이프 (51) 에 대해 자외선이 조사되어, 보호 테이프 (51) 의 점착층이 경화되어 점착력이 저하된다.As shown in Fig. 4a, when the wafer (W) is held on the holding table (11), the outer peripheral edge of the wafer (W) is positioned directly under the pressing portion (32) of the peeling tape attaching means (31). Above the wafer (W), a peeling tape (54) is pulled out from a tape roll (not shown) and is held by a pair of holding rollers (22) in a state in which the peeling tape (54) protrudes in the pulling direction. In this initial state, the holding means (25) is retracted from one end of the peeling tape (54). In addition, the protective tape (51) is irradiated with ultraviolet rays by an ultraviolet lamp (not shown), so that the adhesive layer of the protective tape (51) is hardened and the adhesive strength is reduced.
도 4b 에 나타내는 바와 같이, 협지 수단 (25) 에 의해 박리 테이프 (54) 의 일단이 협지되고, 1 쌍의 유지 롤러 (22) 로부터 박리 테이프 (54) 가 소정 길이만큼 인출 방향으로 인출되면, 박리 테이프 (54) 를 사이에 두고 가압부 (32) 의 맞닿음면 (33) 이 보호 테이프 (51) 의 상면에 대향한다. 그리고, 가압부 (32) 가 하방으로 이동하여, 가압부 (32) 에 의해 박리 테이프 (54) 가 보호 테이프 (51) 에 가열 상태에서 가압된다. 이 때, 맞닿음면 (33) 이 원 형상으로 형성되어 있기 때문에, 맞닿음면 (33) 의 외측 가장자리인 원호 형상이 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리에 근접된 상태에서, 박리 테이프 (54) 가 보호 테이프 (51) 에 열 압착된다.As shown in Fig. 4b, when one end of the peeling tape (54) is pinched by the pinching means (25) and the peeling tape (54) is pulled out in the pulling direction by a predetermined length from a pair of retaining rollers (22), the contact surface (33) of the pressurizing portion (32) faces the upper surface of the protective tape (51) with the peeling tape (54) therebetween. Then, the pressurizing portion (32) moves downward, and the peeling tape (54) is pressed against the protective tape (51) in a heated state by the pressurizing portion (32). At this time, since the contact surface (33) is formed in a circular shape, the peeling tape (54) is thermally compressed to the protective tape (51) in a state where the arc shape, which is the outer edge of the contact surface (33), is close to the outer peripheral edge of the wafer (W).
도 4c 에 나타내는 바와 같이, 가압부 (32) 에 의해 박리 테이프 (54) 가 보호 테이프 (51) 에 가압된 상태에서, 절단부 (36) 가 하방으로 이동하여 박리 테이프 (54) 가 절단된다. 테이프 롤로부터 박리 테이프 (54) 가 분리되어, 박리 테이프 (54) 에 의해 보호 테이프 (51) 의 떼어냄시의 띠 형상의 탭이 형성된다. 도 5a 에 나타내는 바와 같이, 이동 수단 (37) (도 1 참조) 에 의해 협지 수단 (25) 에 대해 유지 테이블 (11) 이 소정량만큼 박리 방향으로 이동되어, 박리 테이프 (54) 가 잡아당겨짐으로써 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 가 벗겨진다. 이로써, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리에 선단 박리 영역 (50) 이 형성된다.As shown in Fig. 4c, while the peeling tape (54) is pressed against the protective tape (51) by the pressurizing portion (32), the cutting portion (36) moves downward and the peeling tape (54) is cut. The peeling tape (54) is separated from the tape roll, and a band-shaped tab is formed by the peeling tape (54) when the protective tape (51) is peeled off. As shown in Fig. 5a, the holding table (11) is moved in the peeling direction by a predetermined amount with respect to the holding means (25) by the moving means (37) (see Fig. 1), and the peeling tape (54) is pulled, thereby peeling the protective tape (51) from the wafer (W). As a result, a leading edge peeling region (50) is formed on the outer peripheral edge of the wafer (W).
이 때, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리에서 보호 테이프 (51) 에 박리 테이프 (54) 가 열 압착되어 있기 때문에, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 가 벗겨지기 쉽게 되어 있다. 따라서, 선단 박리 영역 (50) 의 형성시의 박리 스피드를 높여도 웨이퍼 (W) 가 파손되는 경우가 없다. 또, 상기한 바와 같이, 기체 분사를 이용하여 보호 테이프 (51) 를 박리하기 때문에, 선단 박리 영역 (50) 의 형성시의 박리량을 줄일 수 있다. 이와 같이, 선단 박리 영역 (50) 의 형성시의 박리 스피드를 높일 수 있음과 함께, 선단 박리 영역 (50) 의 형성에 필요한 박리량을 줄일 수 있어, 선단 박리 영역 (50) 의 형성 시간을 단축시킬 수 있다.At this time, since the peeling tape (54) is heat-pressed to the protective tape (51) at the outer peripheral edge of the wafer (W), the protective tape (51) is easily peeled off from the wafer (W). Therefore, even if the peeling speed is increased when forming the leading edge peeling region (50), the wafer (W) is not damaged. In addition, as described above, since the protective tape (51) is peeled using a gas jet, the peeling amount when forming the leading edge peeling region (50) can be reduced. In this way, the peeling speed when forming the leading edge peeling region (50) can be increased, and the peeling amount required to form the leading edge peeling region (50) can be reduced, so that the time for forming the leading edge peeling region (50) can be shortened.
도 5b 에 나타내는 바와 같이, 협지 수단 (25) 에 대해 유지 테이블 (11) 이 박리 방향으로 이동되면서, 기체 분사 수단 (46) 에 기체원 (48) 으로부터 기체가 주입되어, 기체 분사구 (47) 로부터 선단 박리 영역 (50) 을 향해 기체가 순간적으로 분사된다. 선단 박리 영역 (50) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 보호 테이프 (51) 사이에 기체가 유입됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 일방의 면으로부터 보호 테이프 (51) 가 부분적으로 박리된다. 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면이 기체에 의해 분리되어 있기 때문에, 보호 테이프 (51) 가 걷어 올려져도 웨이퍼 (W) 가 들어 올려져 파손되는 경우가 없다. 그리고, 도 5c 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (11) 이 협지 수단 (25) 의 하방을 통과함으로써 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 가 완전히 떼어내진다.As shown in Fig. 5b, when the holding table (11) is moved in the peeling direction with respect to the holding means (25), gas is injected from the gas source (48) into the gas injection means (46), and the gas is instantaneously injected from the gas injection port (47) toward the tip peeling region (50). As the gas flows into the space between the wafer (W) and the protective tape (51) from the tip peeling region (50), the protective tape (51) is partially peeled from one surface of the wafer (W). Since one surface of the wafer (W) and the bonding surface of the protective tape (51) are separated by the gas, even if the protective tape (51) is lifted, the wafer (W) is not lifted and damaged. And, as shown in Fig. 5c, the protective tape (51) is completely removed from the wafer (W) as the maintenance table (11) passes through the lower part of the holding means (25).
이 때, 기체 분사에 의해 보호 테이프 (51) 의 박리 동작이 어시스트되고 있기 때문에, 보호 테이프 (51) 의 박리 스피드를 높여도 웨이퍼 (W) 가 파손되는 경우가 없다. 따라서, 선단 박리 영역 (50) 의 형성 후부터 보호 테이프 (51) 가 박리될 때까지의 박리 스피드를 높일 수 있다. 또, 상기한 바와 같이, 기체로서 이온화된 에어 분사되고 있기 때문에, 박리 스피드를 높여도 박리 대전이 일어나는 경우가 없어 디바이스가 정전 파괴되는 경우가 없다. 이로써, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하는 박리 시간을 대폭 단축시키는 것이 가능하게 되어 있다.At this time, since the peeling operation of the protective tape (51) is assisted by the gas injection, even if the peeling speed of the protective tape (51) is increased, the wafer (W) is not damaged. Accordingly, the peeling speed from the time the tip peeling region (50) is formed until the protective tape (51) is peeled can be increased. In addition, as described above, since ionized air is injected as a gas, even if the peeling speed is increased, no peeling electrification occurs, so the device is not electrostatically destroyed. This makes it possible to significantly shorten the peeling time for peeling the protective tape (51) from the wafer (W).
예를 들어, 종래의 박리 동작으로 12 인치의 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하는 경우에는, 먼저 0.5 [mm/s] 의 박리 스피드로 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 20 [mm] 만큼 박리하여 선단 박리 영역 (50) 이 형성된다. 그 후, 선단 박리 영역 (50) 으로부터 20 [mm] 까지는 3.0 [mm/s] 의 박리 스피드로 보호 테이프 (51) 가 박리되고, 나머지의 260 [mm] 은 5.0 [mm/s] 의 박리 스피드로 보호 테이프 (51) 가 박리된다. 이와 같이, 종래의 보호 테이프 (51) 의 박리 동작으로는, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하는 데에 98 [sec] 걸리고 있었다.For example, when peeling a protective tape (51) from a 12-inch wafer (W) with a conventional peeling operation, first, 20 [mm] is peeled from the outer periphery of the wafer (W) at a peeling speed of 0.5 [mm/s] to form a leading peeling region (50). Then, the protective tape (51) is peeled from the leading peeling region (50) to 20 [mm] at a peeling speed of 3.0 [mm/s], and the protective tape (51) is peeled for the remaining 260 [mm] at a peeling speed of 5.0 [mm/s]. In this way, with the conventional peeling operation of the protective tape (51), it took 98 [sec] to peel the protective tape (51) from the wafer (W).
한편으로, 본 실시형태의 박리 동작으로 12 인치의 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리하는 경우에는, 먼저 10.0 [mm/s] 의 박리 스피드로 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 20 [mm] 만큼 박리하여 선단 박리 영역 (50) 이 형성된다. 상기한 바와 같이, 박리 테이프 (54) 가 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리에서 보호 테이프 (51) 에 열 압착되어 있기 때문에, 보호 테이프 (51) 의 박리 스피드가 대폭 높여져 있다. 또, 기체 분사를 이용하기 때문에, 선단 박리 영역 (50) 의 형성시의 박리량이 절반으로 줄여져 있다. 이와 같이, 가압부 (32) 의 맞닿음면 형상 및 기체 분사의 상승 효과에 의해 선단 박리 영역 (50) 의 형성 시간이 대폭 단축되어 있다. 그 후, 기체 주입 대기 시간으로서, 0.1 [mm/s] 의 박리 스피드로 0.3 [mm] 만큼 보호 테이프 (51) 가 박리된다. 그 후, 나머지의 290 [mm] 까지는 120 [mm/s] 의 박리 스피드로 보호 테이프 (51) 가 박리된다. 이와 같이, 본 실시형태의 박리 동작으로는, 6.4 [sec] 로 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리할 수 있다.On the other hand, when peeling the protective tape (51) from the 12-inch wafer (W) by the peeling operation of the present embodiment, first, 20 [mm] is peeled from the outer periphery of the wafer (W) at a peeling speed of 10.0 [mm/s] to form the leading peeling region (50). As described above, since the peeling tape (54) is thermally compressed to the protective tape (51) at the outer periphery edge of the wafer (W), the peeling speed of the protective tape (51) is greatly increased. In addition, since gas injection is used, the peeling amount at the time of forming the leading peeling region (50) is reduced by half. In this way, the time for forming the leading peeling region (50) is greatly shortened by the contact surface shape of the pressurizing portion (32) and the synergistic effect of the gas injection. Thereafter, as a gas injection waiting time, the protective tape (51) is peeled off by 0.3 [mm] at a peeling speed of 0.1 [mm/s]. Thereafter, the protective tape (51) is peeled off at a peeling speed of 120 [mm/s] up to the remaining 290 [mm]. In this way, with the peeling operation of the present embodiment, the protective tape (51) can be peeled off from the wafer (W) in 6.4 [sec].
이상과 같이, 본 실시형태의 테이프 박리 장치 (1) 에 의하면, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리로부터 보호 테이프 (51) 가 박리되는 선단 박리 영역 (50) 에 기체 분사 수단 (46) 의 기체 분사구 (47) 가 향해져 있다. 협지 수단 (25) 에 의해 박리 테이프 (54) 를 협지하여 선단 박리 영역 (50) 을 형성하고, 웨이퍼 (W) 의 중심을 향해 기체를 분사함으로써, 선단 박리 영역 (50) 으로부터 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면 사이에 기체가 유입되어 보호 테이프 (51) 의 일부가 박리된다. 웨이퍼 (W) 의 일방의 면과 보호 테이프 (51) 의 첩착면 사이에 기체층이 만들어지기 때문에, 박리 개시시에 보호 테이프 (51) 의 걷어 올림에 이끌려 웨이퍼 (W) 가 들어 올려지는 경우가 없다. 따라서, 박리 스피드를 높여도 웨이퍼 (W) 가 파손되는 경우가 없어, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 단시간에 양호하게 박리할 수 있다.As described above, according to the tape peeling device (1) of the present embodiment, the gas injection port (47) of the gas injection means (46) is directed to the leading edge peeling region (50) where the protective tape (51) is peeled from the outer peripheral edge of the wafer (W). By pinching the peeling tape (54) by the pinching means (25) to form the leading edge peeling region (50), and by injecting gas toward the center of the wafer (W), gas flows into the gap between one surface of the wafer (W) and the adhered surface of the protective tape (51) from the leading edge peeling region (50), so that a part of the protective tape (51) is peeled. Since a gas layer is formed between one surface of the wafer (W) and the adhered surface of the protective tape (51), there is no case where the wafer (W) is lifted due to lifting of the protective tape (51) when peeling is started. Accordingly, even if the peeling speed is increased, the wafer (W) does not break, and the protective tape (51) can be peeled off from the wafer (W) satisfactorily in a short period of time.
또한, 본 실시형태에서는, 개편화 전의 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 구성을 예시하여 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 개편화된 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 박리해도 된다. 웨이퍼 (W) 는 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되고, 분할 예정 라인을 따라 개편화된 상태에서 보호 테이프 (51) 에 첩착되어 있다. 이 경우, 박리 테이프 (54) 는 웨이퍼 (W) 로부터 보호 테이프 (51) 를 분할 예정 라인에 대해 비평행하게 박리시키는 방향으로 첩착되어 있다. 또, 기체 분사 수단 (46) 은, 분할 예정 라인에 대해 비평행해지는 방향으로부터 기체를 분사하고 있다.In addition, in this embodiment, a configuration for peeling off the protective tape from the wafer before segmentation has been described as an example, but the present invention is not limited to this configuration. As shown in Fig. 6A, the protective tape (51) may be peeled off from the segmented wafer (W). The wafer (W) is attached to the protective tape (51) in a state in which devices are formed in each area partitioned by the segmentation line, and segmented along the segmentation line. In this case, the peeling tape (54) is attached in a direction for peeling off the protective tape (51) from the wafer (W) in a direction non-parallel to the segmentation line. In addition, the gas injection means (46) injects gas from a direction non-parallel to the segmentation line.
보호 테이프 (51) 의 박리 방향에 대해 분할 예정 라인이 비스듬하게 교차하기 때문에, 개개의 디바이스 칩 (C) 의 모서리측으로부터 보호 테이프 (51) 가 걷어 올려지므로, 디바이스 칩 (C) 으로부터 보호 테이프 (51) 가 박리되기 쉽게 되어 있다. 따라서, 보호 테이프 (51) 의 걷어 올림에 이끌려 디바이스 칩 (C) 이 들어 올려지는 것이 방지된다. 또, 기체 분사 수단 (46) 의 분사 방향에 대해 분할 예정 라인이 비스듬하게 교차하기 때문에, 디바이스 칩 (C) 끼리의 간극 (분할 예정 라인) 으로 기체가 잘 빠지지 않게 되어, 디바이스 칩 (C) 과 보호 테이프 (51) 사이에 기체를 유입시켜 박리하기 쉽게 하고 있다.Since the division line intersects obliquely with respect to the peeling direction of the protective tape (51), the protective tape (51) is lifted from the edge side of each device chip (C), making it easy for the protective tape (51) to be peeled off from the device chip (C). Accordingly, the device chip (C) is prevented from being lifted due to the lifting of the protective tape (51). In addition, since the division line intersects obliquely with respect to the injection direction of the gas injection means (46), the gas does not easily escape into the gap (the division line) between the device chips (C), thereby allowing gas to be introduced between the device chip (C) and the protective tape (51) to facilitate peeling.
한편, 도 6b 의 비교예에 나타내는 바와 같이, 박리 테이프 (54) 가 분할 예정 라인에 대해 평행하게 박리시키는 방향으로 첩착되고, 기체 분사 수단 (46) 이 분할 예정 라인에 대해 평행해지는 방향으로부터 기체를 분사하고 있다. 보호 테이프 (51) 의 박리 방향에 대해 분할 예정 라인이 평행하기 때문에, 박리 방향과 교차하는 디바이스 칩 (C) 의 1 변측으로부터 보호 테이프 (51) 가 걷어 올려져, 디바이스 칩 (C) 으로부터 보호 테이프 (51) 가 박리하기 어렵게 되어 있다. 또, 기체 분사 수단 (46) 의 분사 방향에 대해 분할 예정 라인이 평행하기 때문에, 디바이스 칩 (C) 끼리의 간극 (분할 예정 라인) 을 기체가 통과하여, 디바이스 칩 (C) 과 보호 테이프 (51) 사이에 기체가 유입되지 않게 되어 박리하기 어렵게 되어 있다.Meanwhile, as shown in the comparative example of Fig. 6b, the peeling tape (54) is attached in a direction such that it peels parallel to the division line, and the gas injection means (46) injects gas from a direction parallel to the division line. Since the division line is parallel to the peeling direction of the protective tape (51), the protective tape (51) is lifted from one side of the device chip (C) intersecting the peeling direction, making it difficult for the protective tape (51) to be peeled from the device chip (C). In addition, since the division line is parallel to the injection direction of the gas injection means (46), the gas passes through the gap between the device chips (C) (the division line), preventing the gas from flowing in between the device chip (C) and the protective tape (51), making it difficult to peel.
또, 본 실시형태에 있어서는, 기체 분사 수단은, 적어도 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼의 중심까지의 절반이 박리될 때까지 기체를 분사하는 구성이면 되고, 예를 들어, 연속적으로 기체를 분사해도 되고, 간헐적으로 기체를 분사해도 된다. 개편화된 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리할 때에 (도 6a 참조), 간헐적으로 기체를 분사함으로써 디바이스 칩의 펄럭거림을 억제하면서 디바이스 칩으로부터 보호 테이프를 박리할 수 있다. 또한, 기체 분사 수단에 연속적인 기체의 분사를 간헐적으로 차단하는 기구를 형성함으로써, 간헐적인 기체의 분사를 실현하도록 해도 된다.In addition, in the present embodiment, the gas injection means may be configured to injection gas until at least half of the wafer from the tip peeling region to the center is peeled, and for example, the gas may be injected continuously or the gas may be injected intermittently. When peeling the protective tape from the segmented wafer (see Fig. 6a), by intermittently injecting gas, the protective tape can be peeled from the device chip while suppressing the device chip from fluttering. In addition, by forming a mechanism for intermittently blocking continuous gas injection in the gas injection means, intermittent gas injection may be realized.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 기체 분사 수단으로서 이오나이저를 예시하여 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 기체 분사 수단은, 선단 박리 영역을 향해 기체를 분사하는 것으로, 이온화된 에어를 분사하는 이오나이저에 한정되지 않는다. 또, 기체 분사 수단은 순간적, 간헐적으로 기체를 분사하는 구성에 한정되지 않고, 연속적으로 기체를 분사해도 된다.In addition, in the above-described embodiment, the ionizer has been exemplified and explained as a gas injection means, but it is not limited to this configuration. The gas injection means is one that injects gas toward the tip separation area, and is not limited to an ionizer that injects ionized air. In addition, the gas injection means is not limited to a configuration that injects gas momentarily and intermittently, and may inject gas continuously.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 유지 테이블의 유지면에 첩착 테이프를 통해 웨이퍼가 유지되는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 유지 테이블의 유지면 주위에 복수의 클램프를 형성하여, 클램프에 의해 링 프레임을 고정시키는 구성으로 해도 된다.In addition, in the above-described embodiment, the wafer is held on the holding surface of the holding table by means of an adhesive tape, but the present invention is not limited to this configuration. For example, a plurality of clamps may be formed around the holding surface of the holding table, and a ring frame may be fixed by the clamps.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 협지 수단이 고정 클로와 가동 클로를 접근시켜 박리 테이프를 협지하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 협지 수단은 박리 테이프의 일단을 협지하는 구성이면 되고, 예를 들어, 1 쌍의 가동 클로를 서로 근접시킴으로써 박리 테이프의 전단 (前端) 을 고정시켜도 된다.In addition, in the above-described embodiment, the clamping means is configured to clamp the peeling tape by bringing the fixed claw and the movable claw close together, but the present invention is not limited to this configuration. The clamping means may be configured to clamp one end of the peeling tape, and for example, the front end of the peeling tape may be fixed by bringing a pair of movable claws close together.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 절단부에 의해 박리 테이프를 기계적으로 절단하는 구성에 대해 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 절단부는, 박리 테이프를 절단 가능한 구성이면 되고, 예를 들어, 전열식의 와이어로 열 절단하는 구성이어도 된다.In addition, in the above-described embodiment, a configuration for mechanically cutting the peeling tape by a cutting section has been described, but the present invention is not limited to this configuration. The cutting section may be configured to cut the peeling tape, and for example, may be configured to heat-cut with a heating wire.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 보호 테이프에 대해 자외선을 조사하여, 보호 테이프의 첩착력을 저하시키는 구성에 대해 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 보호 테이프의 첩착력을 저하시키지 않고 보호 테이프의 박리 동작을 실시해도 된다. 또, 보호 테이프에 자외선 경화 수지 대신에 열 경화 수지를 사용해도 된다. 이 경우, 보호 테이프의 박리 동작 전에, 보호 테이프가 데워지는 것이 바람직하다.In addition, in the above-described embodiment, a configuration has been described in which the adhesive strength of the protective tape is reduced by irradiating the protective tape with ultraviolet rays, but the present invention is not limited to this configuration. The peeling operation of the protective tape may be performed without reducing the adhesive strength of the protective tape. In addition, a heat-curing resin may be used in the protective tape instead of an ultraviolet-curing resin. In this case, it is preferable that the protective tape be warmed before the peeling operation of the protective tape.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 박리 테이프에 의해 연삭 후의 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리시키는 구성에 대해 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 박리 테이프는, 웨이퍼에 첩착된 보호 테이프를 박리시키는 것이고, 연삭 후의 웨이퍼의 보호 테이프의 박리에 한정되지 않는다.In addition, in the above-described embodiment, a configuration for peeling off the protective tape from the wafer after grinding by the peeling tape has been described, but it is not limited to this configuration. The peeling tape peels off the protective tape adhered to the wafer, and is not limited to peeling off the protective tape from the wafer after grinding.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서는, 이동 수단은 협지 수단에 대해 유지 테이블을 이동시킴으로써, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 이동 수단은 협지 수단과 유지 테이블을 상대적으로 이동시킴으로써, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 구성이면 된다. 예를 들어, 이동 수단은 유지 테이블에 대해 협지 수단을 이동시킴으로써, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리해도 된다.In addition, in the above-described embodiment, the moving means is configured to peel the protective tape from the wafer by moving the holding table with respect to the holding means, but is not limited to this configuration. The moving means may be configured to peel the protective tape from the wafer by relatively moving the holding means and the holding table. For example, the moving means may peel the protective tape from the wafer by moving the holding means with respect to the holding table.
또, 상기한 본 실시형태에 있어서, 박리 테이프 첩착 수단이 박리 테이프를 보호 테이프에 열 압착하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 박리 테이프 첩착 수단은, 박리 테이프를 보호 테이프에 첩착 가능하면 되고, 예를 들어, 접착제를 통해 박리 테이프를 보호 테이프에 첩착해도 된다.In addition, in the above-described embodiment, the peeling tape bonding means is configured to thermally pressurize the peeling tape to the protective tape, but is not limited to this configuration. The peeling tape bonding means may be configured to bond the peeling tape to the protective tape, and for example, the peeling tape may be bonded to the protective tape using an adhesive.
또, 웨이퍼로서, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 패키지 기판 등의 각종 워크가 사용되어도 된다. 반도체 기판으로는, 실리콘, 비화갈륨, 질화갈륨, 실리콘 카바이드 등의 각종 기판이 사용되어도 된다. 무기 재료 기판으로는, 사파이어, 세라믹스, 유리 등의 각종 기판이 사용되어도 된다. 반도체 기판 및 무기 재료 기판은 디바이스가 형성되어 있어도 되고, 디바이스가 형성되어 있지 않아도 된다. 패키지 기판으로는, CSP (Chip Size Package), WLCSP (Wafer Level Chip Size Package), SIP (System In Package), FOWLP (Fan Out Wafer Level Package) 용의 각종 기판이 사용되어도 된다. 패키지 기판에는 EMI (Electro Magnetic Interference) 대책의 실드가 형성되어 있어도 된다. 또, 웨이퍼로서, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬나이오베이트, 나아가 생세라믹스, 압전 소재가 사용되어도 된다.In addition, various works such as a semiconductor substrate, an inorganic material substrate, and a package substrate may be used as the wafer. As the semiconductor substrate, various substrates such as silicon, gallium arsenide, gallium nitride, and silicon carbide may be used. As the inorganic material substrate, various substrates such as sapphire, ceramics, and glass may be used. The semiconductor substrate and the inorganic material substrate may or may not have a device formed thereon. As the package substrate, various substrates for CSP (Chip Size Package), WLCSP (Wafer Level Chip Size Package), SIP (System In Package), and FOWLP (Fan Out Wafer Level Package) may be used. The package substrate may have a shield formed for EMI (Electro Magnetic Interference) countermeasures. In addition, as the wafer, lithium tantalate, lithium niobate, bioceramics, and piezoelectric materials may be used before or after device formation.
또, 본 실시형태 및 변형예를 설명하였지만, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 된다.In addition, although the present embodiment and modifications have been described, another embodiment of the present invention may be a combination of the above embodiments and modifications in whole or in part.
또, 본 발명의 실시형태 및 변형예는 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양하게 변경, 치환, 변형되어도 된다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 별도 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방법으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 된다. 따라서, 특허 청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.In addition, the embodiments and modified examples of the present invention are not limited to the above embodiments, and may be variously changed, substituted, and modified within a scope that does not deviate from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way through technological progress or a separate technology derived from it, it may be implemented using that method. Therefore, the scope of the patent claims covers all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 웨이퍼로부터 보호 테이프를 단시간에 양호하게 박리할 수 있다는 효과를 갖고, 특히, 연삭 후의 웨이퍼로부터 보호 테이프를 박리하는 테이프 박리 장치에 유효하다.As described above, the present invention has the effect of being able to peel off a protective tape from a wafer satisfactorily in a short period of time, and is particularly effective for a tape peeling device that peels off a protective tape from a wafer after grinding.
1 : 테이프 박리 장치
11 : 유지 테이블
25 : 협지 수단
31 : 박리 테이프 첩착 수단
32 : 가압부
37 : 이동 수단
46 : 기체 분사 수단
47 : 기체 분사구
50 : 선단 박리 영역
51 : 보호 테이프
52 : 첩착 테이프
W : 웨이퍼1: Tape peeling device
11: Maintenance Table
25: Means of cooperation
31: Peeling tape attachment means
32 : Pressurized part
37 : Means of transportation
46: Gas injection means
47 : Gas nozzle
50: Fleet peeling area
51 : Protective Tape
52 : Adhesive Tape
W: Wafer
Claims (4)
웨이퍼의 타방의 면측을 유지하는 유지 테이블과,
그 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 그 보호 테이프의 상면에 가압부로 그 박리 테이프를 가압하여 첩착하는 박리 테이프 첩착 수단과,
그 박리 테이프 첩착 수단에 의해 첩착된 그 박리 테이프의 일단을 협지하는 협지 수단과,
그 협지 수단과 그 유지 테이블을 상대적으로 이동시켜 웨이퍼의 외측으로부터 중심을 향해 그 박리 테이프를 잡아당겨 그 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하는 이동 수단과,
웨이퍼 외주 가장자리 바로 근처에 첩착된 그 박리 테이프에 의해 그 보호 테이프가 웨이퍼로부터 박리되는 선단 박리 영역에 대향하여 기체 분사구를 위치시켜 웨이퍼의 외측에 배치 형성되고, 그 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼 중심을 향해 기체를 분사하는 기체 분사 수단을 구비하고,
그 협지 수단이 그 박리 테이프를 협지한 상태에서, 그 선단 박리 영역으로부터 그 기체 분사 수단의 기체 분사에 의해 웨이퍼의 그 일방의 면으로부터 그 보호 테이프의 일부가 박리되고, 이어서 그 박리 테이프를 잡아당겨 그 보호 테이프를 웨이퍼로부터 박리하고,
그 기체 분사 수단은, 적어도 그 선단 박리 영역으로부터 웨이퍼 중심까지의 절반이 박리될 때까지 기체를 간헐적으로 분사시키는 것을 특징으로 하는 테이프 박리 장치.A tape peeling device that attaches a peeling tape to a protective tape attached to one side of a wafer and pulls the peeling tape to peel the protective tape from the wafer.
A holding table that holds the other side of the wafer,
A peeling tape bonding means for applying pressure to the upper surface of the protective tape of the wafer maintained on the maintenance table by means of a pressurizing portion to bond the peeling tape,
A means for holding one end of the peeling tape attached by the peeling tape attachment means, and
A moving means for relatively moving the holding means and the holding table to pull the peeling tape from the outside of the wafer toward the center to peel the protective tape from the wafer,
A gas injection means is provided, which is positioned on the outer side of the wafer so as to face the leading edge peeling area where the protective tape is peeled off from the wafer by the peeling tape attached right near the outer periphery of the wafer, and which injects gas from the leading edge peeling area toward the center of the wafer.
In a state where the holding means holds the peeling tape, a part of the protective tape is peeled off from one side of the wafer by the gas injection of the gas injection means from the tip peeling area, and then the peeling tape is pulled to peel the protective tape from the wafer.
A tape peeling device characterized in that the gas injection means intermittently injects gas until at least half of the wafer center from the tip peeling area is peeled.
웨이퍼는 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 디바이스가 형성되고 그 분할 예정 라인을 따라 분할되어 개편화된 상태에서 그 보호 테이프에 첩착되어 있고,
그 박리 테이프는 그 분할 예정 라인에 대해 비평행하게 박리되는 방향으로 첩착되고,
그 기체 분사 수단은, 그 분할 예정 라인과 비평행하게 기체를 분사하는 것을 특징으로 하는 테이프 박리 장치.In paragraph 1,
The wafer is attached to the protective tape in a state where multiple devices are formed in an area demarcated by a division line and divided along the division line, and the wafer is divided into pieces.
The peeling tape is adhered in a direction that peels off non-parallel to the intended split line,
A tape peeling device characterized in that the gas injection means injects gas non-parallel to the division line.
그 기체 분사 수단은, 이오나이저인 것을 특징으로 하는 테이프 박리 장치.In claim 1 or 2,
A tape peeling device characterized in that the gas injection means is an ionizer.
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