KR102707201B1 - Apparatus for manufacturing lithium sulfide - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 황화리튬 제조 장치는, 황화리튬을 생성하기 위한 반응 공간을 가지며, 공급받은 리튬 원료를 소정 방향을 따라 이동시키도록 구비된 반응 챔버; 반응 챔버에서 소정 방향의 상류측에 리튬 원료를 연속적으로 공급하도록 구비된 리튬 원료 공급부; 반응 챔버에 황화수소를 공급하도록 구비된 황화수소 공급부; 반응 공간을 가열하도록 구비된 가열부; 반응 챔버에서 소정 방향의 하류측에 마련되고, 반응 챔버 내에서 황화수소와 리튬 원료 간 반응으로 생성된 황화리튬을 회수하도록 구비된 황화리튬 회수부; 반응 챔버에서 소정 방향의 상류측에 불활성기체를 공급하도록 구비된 불활성기체 공급부; 및 반응 챔버에서 소정 방향의 하류측에 마련되어 반응 챔버로부터 배출되는 기체를 회수하고, 기체로부터 수증기를 제거한 후 기체를 반응 챔버의 소정 방향의 상류측에 다시 공급하도록 구비된 수분 제거부를 포함하고, 황화수소 공급부는, 황화수소 반응 챔버와 별도로 마련되고, 수소 가스와 황화수소 반응 챔버로부터 회수된 액체 유황을 혼합하여 황화수소를 합성한 후, 황화수소 반응 챔버에 수용된 액체 유황 내에 공급하도록 마련된 혼합 장치를 포함하는 황화수소 반응기이다.The lithium sulfide manufacturing device according to the present invention comprises: a reaction chamber having a reaction space for producing lithium sulfide and configured to move a supplied lithium raw material along a predetermined direction; a lithium raw material supply unit configured to continuously supply the lithium raw material to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber; a hydrogen sulfide supply unit configured to supply hydrogen sulfide to the reaction chamber; a heating unit configured to heat the reaction space; a lithium sulfide recovery unit provided on a downstream side in a predetermined direction from the reaction chamber and configured to recover lithium sulfide generated by a reaction between hydrogen sulfide and the lithium raw material within the reaction chamber; an inert gas supply unit configured to supply an inert gas to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber; And a moisture removal unit provided on a downstream side in a predetermined direction from the reaction chamber to recover gas discharged from the reaction chamber, remove water vapor from the gas, and then supply the gas again to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber, and a hydrogen sulfide supply unit is a hydrogen sulfide reactor including a mixing device provided separately from the hydrogen sulfide reaction chamber and provided to mix hydrogen gas and liquid sulfur recovered from the hydrogen sulfide reaction chamber to synthesize hydrogen sulfide, and then supply the mixture into liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction chamber.
Description
본 발명은 황화리튬 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for manufacturing lithium sulfide.
리튬 이차전지는 에너지 밀도가 크고, 수명이 긴 특징을 가지고 있기 때문에, 가전 제품이나 노트북 컴퓨터, 스마트폰 등의 전자기기 등에 널리 사용되고 있고, 최근에는 전기 자동차(EV)나 하이브리드 전기 자동차(HEV) 등에도 탑재되는 등 그 활용도가 크게 증가하고 있다.Lithium secondary batteries have high energy density and long lifespan, so they are widely used in electronic devices such as home appliances, laptop computers, and smartphones, and recently, their utilization is greatly increasing as they are installed in electric vehicles (EVs) and hybrid electric vehicles (HEVs).
오늘날 주로 사용되고 있는 리튬 이온 이차전지는 1991년 양산이 시작된 이래로 높은 에너지 밀도와 출력 전압으로 휴대전화, 노트북, PC 등의 주전원으로 널리 사용되고 있으나, 리튬 이온의 원활한 이동을 위해 구비되는 유기 전해액이 과열 및 과충전 상태에서 폭발할 수 있는 위험을 내재하고 있으며, 발화원이 있는 경우 쉽게 불이 붙을 수 있고, 전지 내 부반응 발생 시 가스 발생으로 인한 전지 성능 및 안정성 저하가 문제될 수 있다. Lithium-ion secondary batteries, which are mainly used today, have been widely used as the main power source for mobile phones, laptops, and PCs since mass production began in 1991 due to their high energy density and output voltage. However, the organic electrolyte provided for the smooth movement of lithium ions carries the risk of explosion in cases of overheating and overcharge, and can easily catch fire if there is a source of ignition, and when side reactions occur inside the battery, there may be problems with the deterioration of battery performance and stability due to gas generation.
이에 리튬 이온 이차전지의 단점을 극복하고자, 리튬 전고체(all solid) 이차전지에 대한 연구개발이 활발히 이루어지고 있다. 리튬 전고체 이차전지는 휘발성이 있는 전해액 대신 고체 상의 전해질을 사용함으로써 폭발 위험성을 줄일 수 있을 뿐 만 아니라, 음극 소재로서 리튬 금속(Li Metal) 혹은 리튬 합금(Li Alloy)을 사용할 수 있기 때문에 전지의 에너지 밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 장점이 있다. Accordingly, to overcome the shortcomings of lithium ion secondary batteries, active research and development is being conducted on lithium all-solid secondary batteries. Lithium all-solid secondary batteries not only reduce the risk of explosion by using a solid electrolyte instead of a volatile electrolyte, but also have the advantage of dramatically improving the energy density of the battery because lithium metal or lithium alloy can be used as the negative electrode material.
오늘날, 전고체 전지에 탑재될 수 있는 고체 전해질 후보들 중 연성이 크고 이온전도도가 높은 것으로 알려진 황화물계 고체 전해질이 고용량 대형 이차전지 제조에 적합한 것으로 평가받고 있고, 이러한 황화물계 고체 전해질 제조 과정에서는 황화리튬(Li2S)이 핵심 소재로 평가받고 있다. 황화리튬의 합성법은 다양한 방법이 알려져 있으나, 특히 수산화리튬(LiOH) 또는 탄산리튬(Li2CO3) 등 금속 리튬과 황화수소(H2S)를 반응시키는 법이 가장 일반적인 것으로 알려져 있다. Today, among the solid electrolyte candidates that can be mounted on all-solid-state batteries, sulfide-based solid electrolytes known to have high ductility and high ionic conductivity are evaluated as suitable for manufacturing high-capacity, large-scale secondary batteries, and lithium sulfide (Li 2 S) is evaluated as a key material in the manufacturing process of such sulfide-based solid electrolytes. Various methods are known to synthesize lithium sulfide, but the most common method is known to be the reaction of lithium metal, such as lithium hydroxide (LiOH) or lithium carbonate (Li 2 CO 3 ), with hydrogen sulfide (H 2 S).
한편, 황화수소 기체는 고부식성 기체로서, 종래 방식에 따라 일반적인 금속 재질의 반응기 내에서 금속 리튬과 반응시키는 경우, 반응기와 각종 파이핑(piping)을 비롯한 설비들을 부식시키게 되어, 잦은 수리와 교체가 요구되므로, 황화리튬 대량 생산 시 경제성을 떨어뜨리는 문제가 있다. Meanwhile, hydrogen sulfide gas is a highly corrosive gas, and when reacted with metallic lithium in a conventional metal reactor, it corrodes the reactor and various piping and other equipment, requiring frequent repairs and replacements, which reduces the economic feasibility of mass production of lithium sulfide.
또한, 수산화리튬 등의 금속 리튬을 황화수소와 반응시키는 경우, 수증기를 필연적으로 발생시키게 되는데, 이때 발생하는 수증기는 금속 리튬과 황화수소 간 접촉을 방해하여 황화리튬의 수율을 떨어뜨릴 뿐만 아니라, 황화리튬과 다시 반응하여 수산화리튬으로의 역반응을 가속화하므로, 제조되는 황화리튬을 순도를 저하시키는 문제를 발생시킨다. 또한, 수분은 제조된 황화리튬 입자간 뭉침을 발생시켜, 품질 저하를 야기할 수 있다.In addition, when lithium metal such as lithium hydroxide is reacted with hydrogen sulfide, water vapor is inevitably generated. The water vapor generated at this time not only interferes with the contact between the lithium metal and hydrogen sulfide, reducing the yield of lithium sulfide, but also reacts with lithium sulfide again to accelerate the reverse reaction into lithium hydroxide, thereby lowering the purity of the manufactured lithium sulfide. In addition, moisture can cause agglomeration between the manufactured lithium sulfide particles, resulting in a decrease in quality.
이에 따라, 본 발명자들은 금속 리튬과 황화수소를 반응시켜 황화리튬을 제조하는 반응을 이용하되, 반응기 부식을 효과적으로 억제하면서도, 반응 결과물로 발생하는 수증기를 효과적으로 제거하여 고순도 및 고수율로 황화리튬을 제조할 수 있는 방법에 대하여 연구한 결과 본 발명을 완성하게 되었다. Accordingly, the inventors of the present invention have studied a method for producing lithium sulfide with high purity and high yield by effectively suppressing corrosion of a reactor while effectively removing water vapor generated as a reaction product, utilizing a reaction of metallic lithium and hydrogen sulfide to produce lithium sulfide, and as a result, have completed the present invention.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 금속 리튬과 황화수소 간 반응을 통해 황화리튬을 고순도 및 고수율로 대량 생산하기 적합하도록 특정 재질 및 온도 조건으로 반응기를 설계하고, 나아가 반응 간 발생한 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거하여 부반응/역반응을 최소화함으로써, 황화리튬을 고순도 및 고수율로 대량 생산할 수 있는, 황화리튬 제조 장치를 제공하고자 한다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and provides a lithium sulfide manufacturing device capable of mass-producing lithium sulfide with high purity and high yield by designing a reactor with specific material and temperature conditions suitable for mass-producing lithium sulfide with high purity and high yield through the reaction between metallic lithium and hydrogen sulfide, and further selectively removing only moisture from the gas generated during the reaction to minimize side reactions/reverse reactions.
일 예에서, 황화리튬 제조 장치는, 황화리튬을 생성하기 위한 반응 공간을 가지며, 공급받은 리튬 원료를 소정 방향을 따라 이동시키도록 구비된 반응 챔버; 반응 챔버에서 소정 방향의 상류측에 리튬 원료를 연속적으로 공급하도록 구비된 리튬 원료 공급부; 반응 챔버에 황화수소를 공급하도록 구비된 황화수소 공급부; 반응 공간을 가열하도록 구비된 가열부; 반응 챔버에서 소정 방향의 하류측에 마련되고, 반응 챔버 내에서 황화수소와 리튬 원료 간 반응으로 생성된 황화리튬을 회수하도록 구비된 황화리튬 회수부; 반응 챔버에서 소정 방향의 상류측에 불활성기체를 공급하도록 구비된 불활성기체 공급부; 및 반응 챔버에서 소정 방향의 하류측에 마련되어 반응 챔버로부터 배출되는 기체를 회수하고, 기체로부터 수증기를 제거한 후 기체를 반응 챔버의 소정 방향의 상류측에 다시 공급하도록 구비된 수분 제거부를 포함하고, 황화수소 공급부는, 외측 챔버 및 외측 챔버와의 사이에 이격 공간이 형성되도록 외측 챔버 내에 마련된 내측 챔버를 구비하는 황화수소 반응 챔버를 포함하고, 내측 챔버는 외측 챔버보다 높은 내식성을 갖는 황화수소 반응기이다.In one example, a lithium sulfide manufacturing device comprises: a reaction chamber having a reaction space for producing lithium sulfide and configured to move a supplied lithium raw material along a predetermined direction; a lithium raw material supply unit configured to continuously supply the lithium raw material to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber; a hydrogen sulfide supply unit configured to supply hydrogen sulfide to the reaction chamber; a heating unit configured to heat the reaction space; a lithium sulfide recovery unit provided on a downstream side in a predetermined direction from the reaction chamber and configured to recover lithium sulfide generated by a reaction between hydrogen sulfide and the lithium raw material within the reaction chamber; an inert gas supply unit configured to supply an inert gas to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber; And a moisture removal unit provided on a downstream side in a predetermined direction from the reaction chamber to recover gas discharged from the reaction chamber, remove water vapor from the gas, and then supply the gas again to an upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber, wherein the hydrogen sulfide supply unit includes a hydrogen sulfide reaction chamber having an inner chamber provided within the outer chamber so that a space is formed between the outer chamber and the outer chamber, and the inner chamber is a hydrogen sulfide reactor having higher corrosion resistance than the outer chamber.
다른 예에서, 수분 제거부는, 반응 챔버로부터 회수한 기체를 1차 냉각시켜, 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거하는 액화 냉각부를 포함할 수 있다.In another example, the moisture removal unit may include a liquefaction cooling unit that selectively removes only moisture from the gas by first cooling the gas recovered from the reaction chamber.
또 따른 예에서, 수분 제거부는, 반응 챔버로부터 회수한 기체를 2차 냉각시켜, 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거하는 승화 냉각부를 포함할 수 있다.In another example, the moisture removal unit may include a sublimation cooling unit that selectively removes only moisture from the gas by secondary cooling the gas recovered from the reaction chamber.
또 다른 예에서, 승화 냉각부는 복수 개의 냉각 챔버와, 승화 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하고, 제어부는, 복수 개의 냉각 챔버 중 기설정된 하나 이상의 냉각 챔버로 회수 기체가 이송될 때, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버에서 2차 냉각이 수행되도록 제어할 수 있다.In another example, the sublimation cooling unit includes a plurality of cooling chambers and a control unit that controls the sublimation cooling unit, and the control unit can control such that when the recovery gas is transferred to one or more preset cooling chambers among the plurality of cooling chambers, secondary cooling is performed in the cooling chamber to which the recovery gas is transferred.
또 다른 예에서, 제어부는, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버가 소정 시간 냉각 운전된 후, 회수 기체가 또 다른 냉각 챔버로 이송되도록 제어하고, 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버에 대해서는 가열이 진행되도록 하여, 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거할 수 있다.In another example, the control unit controls the cooling chamber into which the recovery gas is transferred to be transferred to another cooling chamber after the cooling operation has been performed for a predetermined period of time, and causes heating to be performed on the cooling chamber that has been cooled for the predetermined period of time, so that ice sublimated by the cooling can be liquefied and removed.
또 다른 예에서, 승화 냉각부는, 회수 기체를 복수 개의 냉각 챔버로 각각 이송하기 위한 복수 개의 분기 라인과, 분기 라인에 설치되어 각각의 분기 라인을 개폐하는 밸브를 구비하고, 제어부는, 밸브를 제어하는 것에 의해 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버를 결정하도록 구성될 수 있다.In another example, the sublimation cooling unit may have a plurality of branch lines for respectively transporting the recovery gas to a plurality of cooling chambers, and a valve installed in the branch lines to open and close each of the branch lines, and the control unit may be configured to determine the cooling chamber to which the recovery gas is transported by controlling the valves.
또 다른 예에서, 승화 냉각부는, 회수 기체가 이송되는 방향에 평행한 축을 중심으로 회전 가능하게 마련된 본체를 구비하고, 복수 개의 냉각 챔버는, 축에 평행한 방향을 따라 본체에 관통 형성되되, 적어도 어느 하나가 회수 기체가 이송되는 라인인 회수 라인 및 회수 기체가 반응 챔버로 재공급되도록 하는 재공급 라인과 연통하도록 마련되고, 제어부는, 본체를 축을 중심으로 회전시키는 것에 의해, 냉각을 수행하고 있는 냉각 챔버가 회수 라인 및 재공급 라인과 연통되도록 제어할 수 있다.In another example, the sublimation cooling unit has a body that is arranged to be rotatable around an axis parallel to a direction in which the recovery gas is transported, and a plurality of cooling chambers are formed penetrating the body along a direction parallel to the axis, at least one of which is arranged to communicate with a recovery line through which the recovery gas is transported and a resupply line through which the recovery gas is re-supplied to the reaction chamber, and the control unit can control the cooling chamber performing the cooling to be communicated with the recovery line and the resupply line by rotating the body around the axis.
또 다른 예에서, 제어부는, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버가 소정 시간 냉각 운전된 후, 본체를 축을 중심으로 회전시키는 것에 의해 회수 라인이 냉각 운전이 예정된 다른 냉각 챔버와 연통되도록 제어하고, 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버에 대해서는 가열이 진행되도록 하여, 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거할 수 있다.In another example, the control unit controls the recovery line to be connected to another cooling chamber scheduled to be subjected to cooling operation by rotating the main body around an axis after the cooling chamber into which the recovery gas is transferred has been subjected to cooling operation for a predetermined period of time, and causes heating to proceed with the cooling chamber that has been subjected to cooling operation for the predetermined period of time, thereby liquefying and removing ice sublimated by cooling.
또 다른 예에서, 반응 챔버 내의 불활성기체를 배출하기 위해 반응 챔버에 연결된 불활성기체 배출 라인을 더 포함하고, 불활성기체 배출 라인은 황화수소 공급부가 반응 챔버 내에 황화수소를 공급하는 황화수소 공급 위치보다 소정 방향의 상류측에 배치될 수 있다.In another example, the reaction chamber further includes an inert gas exhaust line connected to the reaction chamber for exhausting an inert gas within the reaction chamber, and the inert gas exhaust line may be positioned upstream in a predetermined direction from a hydrogen sulfide supply location where the hydrogen sulfide supply unit supplies hydrogen sulfide within the reaction chamber.
또 다른 예에서, 반응 챔버 내에 설치되고, 소정 방향을 가로지르는 방향을 따라 연장된 구획 플레이트를 더 포함하고, 구획 플레이트는 황화수소 공급 위치와 불활성기체 배출 라인 사이에 설치될 수 있다.In another example, the reaction chamber further includes a partition plate extending in a direction transverse to a predetermined direction, wherein the partition plate can be installed between the hydrogen sulfide supply location and the inert gas exhaust line.
또 다른 예에서, 구획 플레이트는, 불활성기체 배출 라인과 인접한 반응 챔버 상단 위치에 구비되며, 유체가 유동하기 위한 공간이 마련되도록 반응 챔버의 내측면에 설치될 수 있다.In another example, the partition plate may be provided at an upper position of the reaction chamber adjacent to the inert gas exhaust line and installed on the inner surface of the reaction chamber to provide space for the fluid to flow.
또 다른 예에서, 황화수소 반응기는, 황화수소가 합성되기 위한 황화수소 반응 공간을 갖는 황화수소 반응 챔버; 황화수소 반응 챔버 내에 수용된 액체 유황에 수소 가스를 공급하도록 마련된 수소 가스 공급관; 및 황화수소 반응 챔버 내에 수용된 액체 유황을 가열하도록 마련된 액체 유황 가열 장치를 포함하고, 내측 챔버는 황화수소 반응 공간을 가질 수 있다.In another example, the hydrogen sulfide reactor includes a hydrogen sulfide reaction chamber having a hydrogen sulfide reaction space for synthesizing hydrogen sulfide; a hydrogen gas supply pipe arranged to supply hydrogen gas to liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction chamber; and a liquid sulfur heating device arranged to heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction chamber, wherein the inner chamber can have a hydrogen sulfide reaction space.
또 다른 예에서, 액체 유황 가열 장치는, 외측 챔버의 외면에 설치되어 황화수소 반응 공간에 수용된 액체 유황을 간접적으로 가열할 수 있다.In another example, a liquid sulfur heating device may be installed on the outer surface of the outer chamber to indirectly heat liquid sulfur contained in the hydrogen sulfide reaction space.
또 다른 예에서, 액체 유황은 황화수소 반응 공간 및 이격 공간에 수용되고, 액체 유황 가열 장치는 이격 공간에 수용된 액체 유황을 매개로 황화수소 반응 공간에 수용된 액체 유황을 가열할 수 있다.In another example, liquid sulfur is accommodated in the hydrogen sulfide reaction space and the separation space, and the liquid sulfur heating device can heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space by means of the liquid sulfur accommodated in the separation space.
또 다른 예에서, 황화수소 반응기는, 황화수소 반응 공간에서 합성된 황화수소가 배출되기 위한 황화수소 배출구; 및 내측 챔버의 내면에 형성되고, 황화수소 반응 공간에서 합성된 황화수소가 황화수소 배출구를 향해 직선 경로로 유동하지 않도록, 황화수소의 유동 경로를 직선 경로보다 길어지게 변경하는 유로 변경 부재를 더 포함할 수 있다.In another example, the hydrogen sulfide reactor may further include a hydrogen sulfide exhaust port for exhausting hydrogen sulfide synthesized in the hydrogen sulfide reaction space; and a flow path changing member formed on the inner surface of the inner chamber and changing the flow path of hydrogen sulfide to be longer than the straight path so that the hydrogen sulfide synthesized in the hydrogen sulfide reaction space does not flow in a straight path toward the hydrogen sulfide exhaust port.
또 다른 예에서, 유로 변경 부재는, 일단부는 내측 챔버의 내면에 결합되고 타단부는 내측 챔버의 내면과 이격되도록 연장된 복수 개의 플레이트를 구비하고, 복수 개의 플레이트는 수평 방향에 대해 하측으로 경사지도록 내측 챔버의 내면으로부터 연장될 수 있다.In another example, the euro change member may include a plurality of plates, one end of which is joined to the inner surface of the inner chamber and the other end thereof extends away from the inner surface of the inner chamber, and the plurality of plates may extend from the inner surface of the inner chamber so as to be inclined downward with respect to the horizontal direction.
또 다른 예에서, 황화수소 반응기는, 황화수소 반응 챔버에 장착되어 내측 챔버와 함께 황화수소 반응 공간을 형성하는 덮개 및 덮개와 황화수소 반응 챔버 사이에 위치하는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.In another example, the hydrogen sulfide reactor may further include a cover mounted in the hydrogen sulfide reaction chamber to form a hydrogen sulfide reaction space together with the inner chamber, and a sealing member positioned between the cover and the hydrogen sulfide reaction chamber.
또 다른 예에서, 황화수소 반응기는, 내측 챔버의 상측에 마련된 냉각 장치를 더 포함할 수 있다.In another example, the hydrogen sulfide reactor may further include a cooling device provided on the upper side of the inner chamber.
본 발명에 따르면, 금속 리튬과 황화수소 간 반응을 통해 황화리튬을 제조할 때, 반응기 부식이 최소화되어, 반응기와 각종 파이핑(piping)을 비롯한 설비의 잦은 수리 내지 교체를 미연에 방지할 수 있으므로, 공정의 경제성이 향상된다. According to the present invention, when producing lithium sulfide through a reaction between metallic lithium and hydrogen sulfide, corrosion of the reactor is minimized, so that frequent repairs or replacements of equipment including the reactor and various piping can be prevented in advance, thereby improving the economic efficiency of the process.
또한, 반응에 따른 부산물인 수증기(수분)가 효과적으로 제거되어, 수산화리튬으로의 역반응을 방지하고, 정반응을 촉진하는 동시에 황화리튬 입자간 뭉침을 방지함으로써, 고순도 및 고수율로 고품질의 황화리튬을 대량 제조할 수 있다. In addition, water vapor (moisture), a by-product of the reaction, is effectively removed, preventing reverse reaction into lithium hydroxide and promoting the forward reaction, while preventing agglomeration between lithium sulfide particles, thereby enabling mass production of high-quality lithium sulfide with high purity and high yield.
또한, 황화수소 반응기의 황화수소 반응 챔버가 외측 챔버와 내측 챔버를 구비하고, 반응 공간을 갖는 내측 챔버가 외측 챔버보다 높은 내식성을 가짐으로써, 황화수소가 합성될 때 내측 챔버가 부식되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the hydrogen sulfide reaction chamber of the hydrogen sulfide reactor has an outer chamber and an inner chamber, and the inner chamber having a reaction space has higher corrosion resistance than the outer chamber, the inner chamber can be prevented from being corroded when hydrogen sulfide is synthesized.
또한, 황화수소 반응 챔버의 상단부 및 하단부 각각에 대한 온도 제어를 통해, 구체적으로, 하단부는 황화수소 합성에 유리한 온도로서 300℃내지 600℃ 온도 범위를 유지하게 하고, 상단부는 덮개, 오링 등 반응기 구성 요소들의 부식을 방지할 수 있도록 200℃ 온도 미만으로 제어하여, 황화수소 합성은 촉진하되, 반응기의 유지/보수를 최소화시킴으로써 대량 생산에 유리하다.In addition, through temperature control for each of the upper and lower parts of the hydrogen sulfide reaction chamber, specifically, the lower part is maintained at a temperature range of 300°C to 600°C, which is advantageous for hydrogen sulfide synthesis, and the upper part is controlled to a temperature below 200°C to prevent corrosion of reactor components such as the cover and O-ring, thereby promoting hydrogen sulfide synthesis while minimizing maintenance/repair of the reactor, which is advantageous for mass production.
또한, 황화수소 반응 챔버 내에 마련된 유로 변경 부재에 의해 수소 가스의 유동 거리가 길어짐으로써, 수소 가스와 유황 가스의 접촉 시간이 증대되어 황화수소 전환율을 극대화시킬 수 있고, 고수율 및 고순도로 황화수소를 제조할 수 있다.In addition, since the flow distance of hydrogen gas is lengthened by the flow path change member provided in the hydrogen sulfide reaction chamber, the contact time between hydrogen gas and sulfur gas is increased, so that the hydrogen sulfide conversion rate can be maximized, and hydrogen sulfide can be manufactured with high yield and high purity.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기의 외측 챔버와 덮개가 결합된 형태를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기의 내측 챔버와 덮개가 결합된 형태를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수분 제거부를 나타낸 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타낸 정면도이다.Figure 1 is a schematic diagram showing a lithium sulfide manufacturing device according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram showing a hydrogen sulfide reactor according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram showing a combined form of an outer chamber and a cover of a hydrogen sulfide reactor according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a combined form of an inner chamber and a cover of a hydrogen sulfide reactor according to one embodiment of the present invention.
Figure 5 is a schematic diagram showing a moisture removal unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a sublimation cooling unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view showing a sublimation cooling unit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a front view showing a sublimation cooling unit according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. In addition, when describing embodiments of the present invention, if it is determined that a specific description of a related known configuration or function hinders understanding of the embodiments of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치를 나타내는 개략도이다. 이하에서는, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치에 대하여 설명한다.FIG. 1 is a schematic diagram showing a lithium sulfide manufacturing device according to one embodiment of the present invention. Hereinafter, a lithium sulfide manufacturing device according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치는 반응 챔버(100), 가열부(150), 리튬 원료 공급부(200), 황화수소 공급부(300), 황화리튬 회수부(400), 수분 제거부(500) 및 불활성기체 공급부(600)를 포함한다. 한편, 도시되지 않으나, 상기 제조 장치 내에서 각 구성 간 물질 이동을 촉진하기 위한 수단으로서 순환 펌프 등 별도로 구비된 공급 수단이 사용될 수 있다.A lithium sulfide manufacturing device according to one embodiment of the present invention includes a reaction chamber (100), a heating unit (150), a lithium raw material supply unit (200), a hydrogen sulfide supply unit (300), a lithium sulfide recovery unit (400), a moisture removal unit (500), and an inert gas supply unit (600). Meanwhile, although not shown, a separately provided supply means such as a circulation pump may be used as a means for promoting material movement between each component within the manufacturing device.
반응 챔버(100)는 황화리튬을 생성하기 위한 반응 공간을 갖는 챔버이다. 리튬 원료와 황화수소가 반응 공간에서 반응하여 황화리튬으로 합성된다. 반응 챔버(100)는 공급받은 리튬 원료를 소정 방향을 따라 이동시키도록 구성된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것과 같이, 반응 챔버(100)의 우측에 공급된 리튬 원료를 좌측으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 리튬 원료를 이동시키는 방법 및 방향은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 반응 챔버(100) 내에 컨베이어 벨트가 설치될 수도 있고, 반응 챔버(100)의 저면이 경사지게 형성되어 중력에 의해 리튬 원료가 이동될 수도 있다.The reaction chamber (100) is a chamber having a reaction space for producing lithium sulfide. Lithium raw material and hydrogen sulfide react in the reaction space to synthesize lithium sulfide. The reaction chamber (100) is configured to move the supplied lithium raw material along a predetermined direction. For example, as shown in FIG. 1, the lithium raw material supplied to the right side of the reaction chamber (100) may be configured to move to the left. The method and direction for moving the lithium raw material are not particularly limited. For example, a conveyor belt may be installed within the reaction chamber (100), or the bottom surface of the reaction chamber (100) may be formed to be inclined so that the lithium raw material may be moved by gravity.
한편, 반응 챔버 내에는 반응을 촉진하기 위한 교반 부재(미도시)가 더 구비될 수 있으며, 일례로, 회전 디스크, 로터리, 프로펠러 등이 채용될 수 있으나, 특별히 제한되는 것은 아니다. Meanwhile, a stirring member (not shown) may be further provided inside the reaction chamber to promote the reaction. For example, a rotating disk, a rotor, a propeller, etc. may be employed, but is not particularly limited thereto.
리튬 원료 공급부(200)는 반응 챔버(100)에 리튬 원료를 연속적으로 공급하도록 구비된다. 리튬 원료 공급부(200)는 리튬 원료 공급 라인(10)을 통해, 반응 챔버(100)에서 리튬 원료가 이동되는 소정 방향의 상류측에 리튬 원료를 공급한다. 여기서 소정 방향의 상류측이란, 후술하는 가열부(150)에 의해 가열되는 반응 공간의 영역보다 상류측을 의미할 수 있다. 리튬 원료 공급부(200)의 크기나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 리튬 원료 공급부(200)는 호퍼일 수 있다.The lithium raw material supply unit (200) is provided to continuously supply lithium raw material to the reaction chamber (100). The lithium raw material supply unit (200) supplies lithium raw material to the upstream side in a predetermined direction in which the lithium raw material moves in the reaction chamber (100) through the lithium raw material supply line (10). Here, the upstream side in the predetermined direction may mean the upstream side of the area of the reaction space heated by the heating unit (150) described below. The size or shape of the lithium raw material supply unit (200) is not particularly limited. For example, the lithium raw material supply unit (200) may be a hopper.
리튬 원료 공급부(200)는 리튬 원료로서 수산화리튬(LiOH) 또는 탄산리튬(Li2CO3), 상세하게는 수산화리튬을 공급할 수 있다. 반응 챔버(100)에 공급된 수산화리튬은, 후술하는 황화수소 공급부(300)에 의해 공급된 황화수소와 반응하여 하기 식과 같이 황화리튬을 생성할 수 있다. 즉, 수산화리튬과 황화수소가 반응하면 부산물로서 물이 생성됨을 알 수 있다.The lithium raw material supply unit (200) can supply lithium hydroxide (LiOH) or lithium carbonate (Li 2 CO 3 ), specifically lithium hydroxide, as a lithium raw material. The lithium hydroxide supplied to the reaction chamber (100) can react with hydrogen sulfide supplied by the hydrogen sulfide supply unit (300) described below to produce lithium sulfide as shown in the following formula. That is, it can be seen that when lithium hydroxide and hydrogen sulfide react, water is produced as a byproduct.
2LiOH + H2S → Li2S + 2H2O2LiOH + H 2 S → Li 2 S + 2H 2 O
그리고 공급되는 리튬 원료는 입자의 크기가 1mm 이하일 수 있다. 따라서 황화수소와의 반응 면적을 증가시키는 것에 의해 고순도의 황화리튬이 생성되는 것을 도모할 수 있다.And the lithium raw material supplied may have a particle size of 1 mm or less. Therefore, it is possible to produce high-purity lithium sulfide by increasing the reaction area with hydrogen sulfide.
가열부(150)는 반응 공간을 가열하도록 구성된다. 가열부(150)가 반응 공간을 가열하는 방식은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 가열부(150)는 반응 챔버(100)의 외면에 장착된 히터, 전열선 또는 적외선 히터일 수 있다.The heating unit (150) is configured to heat the reaction space. The method by which the heating unit (150) heats the reaction space is not particularly limited. For example, the heating unit (150) may be a heater, a heating wire, or an infrared heater mounted on the outer surface of the reaction chamber (100).
또한, 가열부(150)는 반응 공간의 온도를 160℃ 이상 300℃ 미만으로 가열할 수 있다. 리튬 원료와 황화수소가 원활하게 반응하기 위해서는 리튬 원료(수산화리튬)가 충분히 가열될 필요가 있다. 또한, 전술한 바와 같이 수산화리튬과 황화수소의 반응에 의해 부산물로서 물(H2O)이 생성되는데, 물이 액상으로 존재하면 물이 수산화리튬 입자 사이에 유입되어 황화수소와 반응하는 수산화리튬의 면적이 감소할 우려가 있다. 따라서 반응 공간의 온도를 160℃ 이상으로 가열하여 물을 증발시키는 것에 의해 고순도의 황화리튬을 얻을 수 있다.In addition, the heating unit (150) can heat the temperature of the reaction space to 160°C or higher and less than 300°C. In order for the lithium raw material and hydrogen sulfide to react smoothly, the lithium raw material (lithium hydroxide) needs to be sufficiently heated. In addition, as described above, water (H 2 O) is generated as a by-product by the reaction of lithium hydroxide and hydrogen sulfide, and if water exists in a liquid state, there is a concern that the water may flow between lithium hydroxide particles and the area of lithium hydroxide reacting with hydrogen sulfide may decrease. Therefore, high-purity lithium sulfide can be obtained by heating the temperature of the reaction space to 160°C or higher to evaporate the water.
한편, 반응 공간의 온도가 높을수록 수산화리튬과 황화수소의 반응이 촉진될 수 있다. 그러나 수산화리튬의 녹는점은 445℃이므로 반응 공간의 온도는 445℃를 초과하지는 않는 것이 바람직하다.Meanwhile, the higher the temperature of the reaction space, the more the reaction between lithium hydroxide and hydrogen sulfide can be promoted. However, since the melting point of lithium hydroxide is 445℃, it is preferable that the temperature of the reaction space does not exceed 445℃.
또한, 반응 공간의 온도가 높아질수록 황화수소에 의한 반응 챔버(100)의 내면이 부식될 우려가 커진다. 따라서 반응 챔버(100)는 내열성 및 내식성이 강한 소재로 제조될 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버(100)는 하스텔로이 X(Hastelloy X) 또는 스테인레스스틸 310(SUS 310) 재질일 수 있다. 그리고 가열부(150)는 반응 공간의 온도를 300℃ 미만으로 가열할 수 있다. 이에 따라, 반응 챔버(100)를 비롯한 파이핑 등 설비의 잦은 수리 내지 교체를 방지함과 동시에, 황화수소와 리튬 원료 간의 반응을 충분히 촉진하여 고순도의 황화리튬을 획득할 수 있다.In addition, as the temperature of the reaction space increases, there is a greater risk of corrosion of the inner surface of the reaction chamber (100) due to hydrogen sulfide. Therefore, the reaction chamber (100) may be manufactured from a material having strong heat resistance and corrosion resistance. For example, the reaction chamber (100) may be made of Hastelloy X or stainless steel 310 (SUS 310). In addition, the heating unit (150) may heat the temperature of the reaction space to less than 300° C. Accordingly, frequent repair or replacement of equipment such as piping, including the reaction chamber (100), may be prevented, and at the same time, the reaction between hydrogen sulfide and the lithium raw material may be sufficiently promoted to obtain high-purity lithium sulfide.
황화수소 공급부(300)는 반응 챔버(100)에 황화수소를 공급하도록 구비된다. 구체적으로, 황화수소 공급부(300)는 리튬 원료가 공급되는 위치보다 하류측에 구비되어 반응 챔버 내로 황화수소를 공급할 수 있다. 따라서 황화수소가 리튬 원료 공급 라인(10)을 향해 유동하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 황화수소 공급부가 상기 위치에 구비되는 경우, 반응 챔버 하류측에서 바로 공급되는 고농도의 황화수소로 인해 반응 챔버 하류측의 미반응 리튬 원료를 남김없이 황화수소와 반응시킬 수 있는 한편, 후술할 재공급 라인을 통해 반응 챔버로 다시 공급된 황화수소는 반응 챔버 상류측으로부터 하류측으로 이동하면서, 리튬 원료 공급부로부터 공급된 리튬 원료와 접촉하여 충분한 반응 시간을 확보하게 되어, 고순도의 황화리튬을 제조할 수 있게 된다. 나아가, 후술하는 구획 플레이트 부근에 이르러서는 공급된 황화수소가 거의 100% 소진되므로, 불활성기체 배출 라인으로 배출되는 가스 내 황화수소가 포함되는 것을 최소화할 수 있게 되는 효과가 있다.The hydrogen sulfide supply unit (300) is provided to supply hydrogen sulfide to the reaction chamber (100). Specifically, the hydrogen sulfide supply unit (300) is provided downstream from the position where the lithium raw material is supplied, and can supply hydrogen sulfide into the reaction chamber. Therefore, it is possible to suppress hydrogen sulfide from flowing toward the lithium raw material supply line (10). In addition, when the hydrogen sulfide supply unit is provided at the above position, unreacted lithium raw material downstream of the reaction chamber can be completely reacted with hydrogen sulfide due to the high concentration of hydrogen sulfide supplied directly from the downstream side of the reaction chamber, while the hydrogen sulfide supplied back to the reaction chamber through the re-supply line described below moves from the upstream side of the reaction chamber to the downstream side, thereby contacting the lithium raw material supplied from the lithium raw material supply unit to secure sufficient reaction time, thereby enabling the production of high-purity lithium sulfide. Furthermore, since the supplied hydrogen sulfide is almost 100% consumed near the partition plate described later, there is an effect of minimizing the inclusion of hydrogen sulfide in the gas discharged through the inert gas discharge line.
한편, 황화수소 공급부(300)가 황화수소를 생성 또는 공급하는 방식은 특별히 한정되지 않는다. 황화수소는 여러가지 황-함유 화합물을 합성하기 위한 물질로서 산업적으로 중요한 중간체이며, 염료, 농약, 플라스틱, 의약품, 화장품, 황화물계 전고체전지 등의 정제화학제품을 제조하는 원료 및 금속 황화물을 생성하기 위한 개시 물질로서 광범위하게 사용되고 있다. 또한, 유황과 수소로부터 황화수소를 제조하는 방법으로는, 촉매 반응과 무촉매 반응이 알려져 있다.Meanwhile, the method by which the hydrogen sulfide supply unit (300) generates or supplies hydrogen sulfide is not particularly limited. Hydrogen sulfide is an industrially important intermediate as a material for synthesizing various sulfur-containing compounds, and is widely used as a raw material for manufacturing refined chemical products such as dyes, pesticides, plastics, pharmaceuticals, cosmetics, and sulfide-based all-solid-state batteries, and as an initiating material for generating metal sulfides. In addition, as a method for producing hydrogen sulfide from sulfur and hydrogen, catalytic reactions and non-catalytic reactions are known.
촉매 반응은 촉매가 충전된 반응관 내에서 유황 가스와 수소 가스를 반응시켜 황화수소를 생성하는 방법으로서, 반응관의 외부에 열매체를 순환시켜 반응열을 제거하도록 이루어진다. 이러한 촉매반응은 일본 특표 제2010-515658호에 개시되어있다.The catalytic reaction is a method of producing hydrogen sulfide by reacting sulfur gas and hydrogen gas in a reaction tube filled with a catalyst, and the heat of reaction is removed by circulating a heat medium outside the reaction tube. This catalytic reaction is disclosed in Japanese Patent Application No. 2010-515658.
이때, 황화수소의 촉매 반응에서 유황의 농도가 높으면 반응열에 의해서 온도상승이 크게 일어나고 촉매가 비정상으로 가열되어 열화될 수 있다는 문제점이 있다. 또한, 황화수소로의 전환율을 증가시키기 위해서는 반응 온도를 높여야 하는데, 이와 같이 반응 온도가 높아지면 부반응 생성물인 다황화수소(H2Sx)와 같은 불순물도 증가하게 된다는 문제가 발생한다.At this time, there is a problem that if the concentration of sulfur is high in the catalytic reaction of hydrogen sulfide, the temperature rises significantly due to the heat of reaction, and the catalyst may be abnormally heated and deteriorated. In addition, in order to increase the conversion rate to hydrogen sulfide, the reaction temperature must be increased, but if the reaction temperature is increased in this way, there is a problem that impurities such as polysulfide hydrogen (H 2 S x ), which is a side reaction product, also increase.
한편 무촉매 반응은, 액체 유황 내부로 수소 가스를 공급하여 액체 유황의 증발에 의해 발생된 유황 가스와 수소 가스가 반응하도록 함으로써 황화수소를 생성시키는 방법이다.Meanwhile, the non-catalytic reaction is a method of generating hydrogen sulfide by supplying hydrogen gas into liquid sulfur and causing the sulfur gas generated by the evaporation of liquid sulfur to react with the hydrogen gas.
수소 가스와 유황 가스가 반응할 때 발생되는 반응열은 액체 유황과 접촉되는 과정에서 회수되므로 반응 온도가 과도하게 높아지지 아니한다는 장점이 있으나, 액체 유황과 수소 가스의 접촉 면적이 작고 접촉 시간이 비교적 짧아 황화수소로의 전환율이 낮다는 단점이 있다.The heat of reaction generated when hydrogen gas and sulfur gas react is recovered during the process of contact with liquid sulfur, so there is an advantage in that the reaction temperature does not become excessively high. However, there is a disadvantage in that the contact area between liquid sulfur and hydrogen gas is small and the contact time is relatively short, so the conversion rate into hydrogen sulfide is low.
또한, 액체 유황이 가열되어 발생한 유황 가스에 의해 황화수소 반응기의 구성요소들이 부식될 우려가 있어, 황화수소 반응기를 내식성이 높은 소재로 형성하는 것이 유리하지만, 이러한 경우 열부하가 증대되어 액체 유황을 가열하기 위한 열을 전달하기 어려운 문제가 있다.In addition, there is a concern that the components of the hydrogen sulfide reactor may be corroded by sulfur gas generated when the liquid sulfur is heated, so it is advantageous to form the hydrogen sulfide reactor with a highly corrosion-resistant material, but in this case, there is a problem that the heat load increases and it is difficult to transfer heat for heating the liquid sulfur.
본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 공급부(300)는, 후술하는 외측 챔버 및 외측 챔버와의 사이에 이격 공간이 형성되도록 외측 챔버 내에 마련된 내측 챔버를 구비하는 황화수소 반응 챔버를 포함하는 황화수소 반응기일 수 있다.A hydrogen sulfide supply unit (300) according to one embodiment of the present invention may be a hydrogen sulfide reactor including a hydrogen sulfide reaction chamber having an inner chamber provided within an outer chamber such that a space is formed between the outer chamber and the outer chamber, which will be described later.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기를 나타내는 개략도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기의 외측 챔버와 덮개가 결합된 형태를 나타내는 개략도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기의 내측 챔버와 덮개가 결합된 형태를 나타내는 개략도이다. 도 3 및 도 4에서는 설명의 편의를 위해 일부 구성요소의 도시가 생략되어 있다. 이하에서는, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기에 대하여 설명한다.FIG. 2 is a schematic diagram showing a hydrogen sulfide reactor according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram showing a form in which an outer chamber and a cover of a hydrogen sulfide reactor are combined according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram showing a form in which an inner chamber and a cover of a hydrogen sulfide reactor are combined according to an embodiment of the present invention. In FIGS. 3 and 4, some components are omitted for convenience of explanation. Hereinafter, a hydrogen sulfide reactor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.
본 발명에 따른 황화수소를 합성하기 위한 황화수소 반응기는, 황화수소 반응 챔버(310), 액체 유황 가열 장치(303) 및 수소 가스 공급관(305)을 포함한다.A hydrogen sulfide reactor for synthesizing hydrogen sulfide according to the present invention includes a hydrogen sulfide reaction chamber (310), a liquid sulfur heating device (303), and a hydrogen gas supply pipe (305).
먼저, 황화수소 반응 챔버(310)는 황화수소로의 합성이 이루어지는 중공의 황화수소 반응 공간(R)을 갖는 챔버이다. 황화수소 반응 챔버(310) 내에는 액체 유황이 저장될 수 있다. 예를 들어, 후술하는 액체 유황 공급관(304)에 의해 황화수소 반응 챔버(310) 내에 액체 유황이 공급될 수 있다. 또한, 수소 가스 공급관(305)에 의해 황화수소 반응 챔버(310) 내에 수용된 액체 유황에 수소 가스가 공급되고, 수소 가스와 액체 유황이 반응하여 황화수소가 합성된다. 황화수소 반응 챔버(310)에는 액체 유황 공급관(304), 수소 가스 공급관(305), 액체 유황 가열 장치(303) 등 다른 구성요소가 연결될 수 있다. 황화수소 반응 챔버(310)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 황화수소 반응 챔버(310)는 외측 챔버(311) 및 내측 챔버(312)를 구비할 수 있다. First, the hydrogen sulfide reaction chamber (310) is a chamber having a hollow hydrogen sulfide reaction space (R) in which hydrogen sulfide synthesis takes place. Liquid sulfur can be stored in the hydrogen sulfide reaction chamber (310). For example, liquid sulfur can be supplied into the hydrogen sulfide reaction chamber (310) by a liquid sulfur supply pipe (304) described below. In addition, hydrogen gas is supplied to liquid sulfur contained in the hydrogen sulfide reaction chamber (310) by a hydrogen gas supply pipe (305), and the hydrogen gas and liquid sulfur react to synthesize hydrogen sulfide. Other components such as a liquid sulfur supply pipe (304), a hydrogen gas supply pipe (305), and a liquid sulfur heating device (303) can be connected to the hydrogen sulfide reaction chamber (310). The shape of the hydrogen sulfide reaction chamber (310) is not particularly limited. The hydrogen sulfide reaction chamber (310) may have an outer chamber (311) and an inner chamber (312).
일례로 외측 챔버(311)는 상측이 개방된 원통(cylinder) 형상으로 형성될 수 있다. 외측 챔버(311)의 상단에는 외측으로 돌출 형성된 고리 형상의 챔버 플랜지(311a)가 마련될 수 있다. 외측 챔버(311)는 예를 들어, 하스텔로이 X(Hastelloy X) 또는 스테인레스스틸 310(SUS 310) 재질일 수 있다. For example, the outer chamber (311) may be formed in a cylinder shape with an open upper side. A ring-shaped chamber flange (311a) protruding outward may be provided at the upper end of the outer chamber (311). The outer chamber (311) may be made of, for example, Hastelloy X or stainless steel 310 (SUS 310).
내측 챔버(312)는 외측 챔버(311) 내에 마련된다. 내측 챔버(312)는 내부에 황화수소가 합성되기 위한 황화수소 반응 공간(R)을 갖는다. 내측 챔버(312)는 외측 챔버(311)와의 사이에 이격 공간(S)이 형성되도록 배치된다. 일례로 내측 챔버(312)는 외측 챔버(311)와 같이 상측이 개방된 원통(cylinder) 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 내측 챔버(312)는 외측 챔버(311)의 내면과의 사이에 이격 공간(S)이 형성되도록, 외측 챔버(311)의 바닥면으로부터 상측으로 연장된 격벽일 수도 있다.The inner chamber (312) is provided within the outer chamber (311). The inner chamber (312) has a hydrogen sulfide reaction space (R) for synthesizing hydrogen sulfide therein. The inner chamber (312) is arranged so that a separation space (S) is formed between it and the outer chamber (311). For example, the inner chamber (312) may be formed in a cylinder shape with an open upper side like the outer chamber (311). Alternatively, the inner chamber (312) may be a partition wall extending upward from the bottom surface of the outer chamber (311) so that a separation space (S) is formed between it and the inner surface of the outer chamber (311).
한편, 내측 챔버(312)는 석영(quartz)과 같이 내식성이 높은 재질로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 내측 챔버(312)는 외측 챔버(311)보다 높은 내식성을 갖는 것일 수 있다. 따라서 내측 챔버(312) 내의 황화수소 반응 공간(R)에서 황화수소가 합성될 때, 유황 가스에 의해 내측 챔버(312)가 부식되는 것이 방지될 수 있다.Meanwhile, the inner chamber (312) may be formed of a highly corrosion-resistant material, such as quartz. In other words, the inner chamber (312) may have higher corrosion resistance than the outer chamber (311). Therefore, when hydrogen sulfide is synthesized in the hydrogen sulfide reaction space (R) within the inner chamber (312), corrosion of the inner chamber (312) by sulfur gas can be prevented.
다만, 내측 챔버(312)가 석영과 같이 내식성이 높은 재질로 형성되고, 내측 챔버(312)에 직접 액체 유황 가열 장치(303)를 설치하여 가열을 수행하는 경우 내측 챔버(312)가 가열 장치에 의한 직접 가열에 의해 손상 또는 파손될 우려가 있다. 따라서 황화수소 반응 공간(R)에 수용된 액체 유황을 가열하기 위한 액체 유황 가열 장치(303)는 외측 챔버(311)의 외면에 설치될 수 있다.However, if the inner chamber (312) is formed of a highly corrosion-resistant material such as quartz and the liquid sulfur heating device (303) is installed directly in the inner chamber (312) to perform heating, there is a risk that the inner chamber (312) may be damaged or broken by direct heating by the heating device. Therefore, the liquid sulfur heating device (303) for heating the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R) may be installed on the outer surface of the outer chamber (311).
즉, 액체 유황 가열 장치(303)는 황화수소 반응 공간(R)에 수용된 액체 유황을 간접적으로 가열할 수 있다. 보다 구체적으로, 액체 유황은 황화수소 반응 공간(R) 및 이격 공간(S)에 각각 수용될 수 있다. 그리고 액체 유황 가열 장치(303)는 이격 공간(S)에 수용된 액체 유황을 매개로 황화수소 반응 공간(R), 상세하게는 반응 챔버 하단부 공간에 수용된 액체 유황을 300℃ 이상 600℃ 이하 온도 범위, 상세하게는 400℃ 내지 500℃ 온도 범위로 가열할 수 있다. 액체 유황 가열 장치(303)는 히터, 전열선 또는 적외선 히터일 수 있으나, 그 종류가 특별히 한정되는 것은 아니다.That is, the liquid sulfur heating device (303) can indirectly heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R). More specifically, the liquid sulfur can be accommodated in each of the hydrogen sulfide reaction space (R) and the separation space (S). Then, the liquid sulfur heating device (303) can heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R), specifically, the liquid sulfur accommodated in the lower space of the reaction chamber, to a temperature range of 300° C. or higher and 600° C. or lower, specifically, a temperature range of 400° C. to 500° C., via the liquid sulfur accommodated in the separation space (S). The liquid sulfur heating device (303) may be a heater, an electric heating wire, or an infrared heater, but its type is not particularly limited.
본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기는 액체 유황 공급관(304)을 포함할 수 있다. 액체 유황 공급관(304)은 황화수소 반응 공간(R)에 액체 유황을 공급하도록 마련된 제1 액체 유황 공급관(304a)과, 이격 공간(S)에 액체 유황을 공급하도록 마련된 제2 액체 유황 공급관(304b)을 구비할 수 있다. 제1 액체 유황 공급관(304a)은 후술하는 덮개(320)를 관통하여 황화수소 반응 공간(R)에 액체 유황을 공급하도록 마련되는 것일 수 있고, 제2 액체 유황 공급관(304b)은 외측 챔버(311)를 관통하여 이격 공간(S)에 액체 유황을 공급하도록 마련되는 것일 수 있다.A hydrogen sulfide reactor according to one embodiment of the present invention may include a liquid sulfur supply pipe (304). The liquid sulfur supply pipe (304) may include a first liquid sulfur supply pipe (304a) provided to supply liquid sulfur to a hydrogen sulfide reaction space (R), and a second liquid sulfur supply pipe (304b) provided to supply liquid sulfur to a separate space (S). The first liquid sulfur supply pipe (304a) may be provided to supply liquid sulfur to the hydrogen sulfide reaction space (R) by penetrating a cover (320) described below, and the second liquid sulfur supply pipe (304b) may be provided to supply liquid sulfur to the separate space (S) by penetrating an outer chamber (311).
한편, 수소 가스 공급관(305)은 황화수소 반응 공간(R)의 하측에 수소 가스를 공급하도록 마련될 수 있다. 구체적으로, 수소 가스 공급관(305)은 이격 공간(S)에서 내측 챔버(312)의 높이 방향을 따라 연장되도록 마련되고, 내측 챔버(312)의 하측에 마련된 관통 구멍(미표시)을 통해 황화수소 반응 공간(R)에 수소 가스를 공급할 수 있다.Meanwhile, the hydrogen gas supply pipe (305) may be provided to supply hydrogen gas to the lower side of the hydrogen sulfide reaction space (R). Specifically, the hydrogen gas supply pipe (305) may be provided to extend along the height direction of the inner chamber (312) in the separation space (S), and may supply hydrogen gas to the hydrogen sulfide reaction space (R) through a through hole (not shown) provided at the lower side of the inner chamber (312).
본 발명에 따른 황화수소 반응기는 황화수소 반응 챔버(310)에 장착되는 덮개(320)를 더 포함할 수 있다. 덮개(320)가 황화수소 반응 챔버(310)에 장착되면, 내측 챔버(312)와 함께 황화수소 반응 공간(R)을 형성할 수 있다. 덮개(320)는 외측 챔버(311)의 플랜지(311a)와 마주보도록 돌출 형성된 고리 형상의 덮개 플랜지(320a)를 구비할 수 있다.The hydrogen sulfide reactor according to the present invention may further include a cover (320) mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310). When the cover (320) is mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310), it may form a hydrogen sulfide reaction space (R) together with the inner chamber (312). The cover (320) may be provided with a ring-shaped cover flange (320a) that is protruded to face the flange (311a) of the outer chamber (311).
덮개(320)는 실링 부재(331, 332)를 사이에 두고 황화수소 반응 챔버(310)에 장착될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 덮개(320)와 내측 챔버(312) 사이에는 제1 실링 부재(331)가 마련되고, 덮개 플랜지(320a)와 챔버 플랜지(311a) 사이에는 제2 실링 부재(332)가 마련되어, 덮개(320)가 황화수소 반응 챔버(310)에 장착되었을 때 황화수소 반응 공간(R) 및 이격 공간(S)이 기밀하게 밀폐될 수 있다.The cover (320) can be mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310) with sealing members (331, 332) therebetween. Referring to FIGS. 3 and 4, a first sealing member (331) is provided between the cover (320) and the inner chamber (312), and a second sealing member (332) is provided between the cover flange (320a) and the chamber flange (311a), so that when the cover (320) is mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310), the hydrogen sulfide reaction space (R) and the separation space (S) can be hermetically sealed.
구체적으로, 덮개(320)에 있어서 내측 챔버(312)의 상단부에 대응되는 부분에는 홈(320c)이 형성되고, 홈(320c) 내에 제1 실링 부재(331)가 위치함으로써, 덮개(320)가 장착되면 덮개(320)와 황화수소 반응 공간(R) 기밀하게 밀폐될 수 있다(도 4 참조). 이때, 홈(320c)은 덮개(320) 측이 아니라 내측 챔버(312) 측에 형성될 수도 있고, 덮개(320)와 내측 챔버(312)가 함께 제1 실링 부재(331)가 위치하기 위한 공간을 형성할 수도 있다.Specifically, a groove (320c) is formed in a portion corresponding to the upper portion of the inner chamber (312) in the cover (320), and a first sealing member (331) is positioned within the groove (320c), so that when the cover (320) is mounted, the cover (320) and the hydrogen sulfide reaction space (R) can be hermetically sealed (see FIG. 4). At this time, the groove (320c) may be formed on the inner chamber (312) side instead of the cover (320) side, or the cover (320) and the inner chamber (312) may together form a space for positioning the first sealing member (331).
또한, 덮개 플랜지(320a)에도 홈(320b)이 형성되고, 홈(320b) 내에 제2 실링 부재(332)가 위치함으로써, 덮개 플랜지(320a)와 챔버 플랜지(311a) 사이에 위치한 제2 실링 부재(332)가 제1 실링 부재(331)와 함께 이격 공간(S)을 기밀하게 밀폐할 수 있다(도 3 참조). 마찬가지로, 홈(320b)은 덮개 플랜지(320a) 측이 아니라 챔버 플랜지(311a) 측에 형성될 수도 있고, 덮개 플랜지(320a)와 챔버 플랜지(311a)가 함께 제2 실링 부재(332)가 위치하기 위한 공간을 형성할 수도 있다. In addition, a groove (320b) is formed in the cover flange (320a), and a second sealing member (332) is positioned within the groove (320b), so that the second sealing member (332) positioned between the cover flange (320a) and the chamber flange (311a) can hermetically seal the space (S) together with the first sealing member (331) (see FIG. 3). Similarly, the groove (320b) may be formed on the chamber flange (311a) side instead of the cover flange (320a) side, or the cover flange (320a) and the chamber flange (311a) may form a space together for the second sealing member (332) to be positioned.
제1 실링 부재(331) 및 제2 실링 부재(332)는 예를 들어, 오링(O-링)일 수 있으며, 일례로 ~310℃까지 내부식성을 가지는 Chemraz 제품 또는 ~316℃까지 내부식성을 가지는 Kalrez 4079 제품(DuPont 社)이 사용될 수 있다.The first sealing member (331) and the second sealing member (332) may be, for example, an O-ring, and for example, a Chemraz product having corrosion resistance up to ~310°C or a Kalrez 4079 product (DuPont) having corrosion resistance up to ~316°C may be used.
덮개(320)에는 수소 가스 공급관(305) 및 제1 액체 유황 공급관(304a)이 연결될 수 있다. 또한, 덮개(320)에는 황화수소 배출구(306) 및 액체 유황 배출구(365)가 형성될 수 있다. 황화수소 배출구(306)는 덮개(320)에서 황화수소 반응 공간(R)에 대응되는 위치에 형성되어, 황화수소 반응 공간(R)에서 합성된 황화수소가 황화수소 배출구(306)를 통해 배출되어 황화수소 공급 라인(20)을 통해 반응 챔버(100)에 공급될 수 있다(도 1 참조). 또한, 액체 유황 배출구(365)는, 덮개(320)에서 이격 공간(S)에 대응되는 위치에 형성되어, 이격 공간(S)에 수용된 액체 유황이 기화하여 발생한 유황 가스가 액체 유황 배출구(365)를 통해 배출될 수 있다. 액체 유황 배출구(365)를 통해 배출된 유황 가스는 다시 액체 유황 공급관(304)을 통해 황화수소 반응 챔버(310) 내로 공급될 수도 있다.A hydrogen gas supply pipe (305) and a first liquid sulfur supply pipe (304a) may be connected to the cover (320). In addition, a hydrogen sulfide discharge port (306) and a liquid sulfur discharge port (365) may be formed in the cover (320). The hydrogen sulfide discharge port (306) is formed at a position corresponding to a hydrogen sulfide reaction space (R) in the cover (320), so that hydrogen sulfide synthesized in the hydrogen sulfide reaction space (R) may be discharged through the hydrogen sulfide discharge port (306) and supplied to the reaction chamber (100) through the hydrogen sulfide supply line (20) (see FIG. 1). In addition, the liquid sulfur discharge port (365) is formed at a position corresponding to a space (S) in the cover (320), so that sulfur gas generated by vaporization of liquid sulfur accommodated in the space (S) may be discharged through the liquid sulfur discharge port (365). Sulfur gas discharged through the liquid sulfur discharge port (365) may be supplied again into the hydrogen sulfide reaction chamber (310) through the liquid sulfur supply pipe (304).
한편, 덮개(320)는 외측 챔버(311)와 같이 하스텔로이 X(Hastelloy X) 또는 스테인레스스틸 310(SUS 310) 재질일 수 있다. 따라서 황화수소 반응 공간(R)과 인접한 덮개(320), 제1 실링 부재(331) 및 제1 액체 유황 공급관(304a)은 여전히 유황 가스에 의해 부식될 우려가 있다. 따라서 내측 챔버(312)의 상측, 즉 내측 챔버(312)의 덮개(320)측에는 냉각 장치(326)가 마련될 수 있다. 일례로, 상기 냉각 장치(326)는, 상기 반응 챔버 상단부 공간의 온도를 200℃ 미만으로 제어하는 구성일 수 있으며, 상기 구성으로 인해 반응 챔버 하단부 공간에서 합성된 황화수소 가스가 반응 챔버 상단부로 이동할 때, 상기 가스의 온도를 200℃ 미만으로 떨어뜨려, 덮개(320), 제1 실링 부재(331) 및 제1 액체 유황 공급관(304a) 등이 부식되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 냉각 장치(326)의 종류는 특별히 한정되지 않는다.Meanwhile, the cover (320) may be made of Hastelloy X or stainless steel 310 (SUS 310) material, like the outer chamber (311). Therefore, the cover (320), the first sealing member (331), and the first liquid sulfur supply pipe (304a) adjacent to the hydrogen sulfide reaction space (R) still have concerns of being corroded by sulfur gas. Therefore, a cooling device (326) may be provided on the upper side of the inner chamber (312), that is, on the cover (320) side of the inner chamber (312). For example, the cooling device (326) may be configured to control the temperature of the upper space of the reaction chamber to less than 200°C, and due to the configuration, when the hydrogen sulfide gas synthesized in the lower space of the reaction chamber moves to the upper space of the reaction chamber, the temperature of the gas is lowered to less than 200°C, thereby effectively preventing the cover (320), the first sealing member (331), and the first liquid sulfur supply pipe (304a) from being corroded. The type of the cooling device (326) is not particularly limited.
본 발명에 따른 황화수소 반응기는 내측 챔버(312)의 내면에 형성된 유로 변경 부재(325)를 더 포함할 수 있다. 유로 변경 부재(325)는 황화수소 반응 공간(R)에서 합성된 황화수소가 황화수소 배출구(306)를 향해 직선 경로로 유동하지 않도록, 황화수소의 유동 경로를 직선 경로보다 길어지게 변경하는 부재를 말한다.The hydrogen sulfide reactor according to the present invention may further include a flow path changing member (325) formed on the inner surface of the inner chamber (312). The flow path changing member (325) refers to a member that changes the flow path of hydrogen sulfide to be longer than the straight path so that the hydrogen sulfide synthesized in the hydrogen sulfide reaction space (R) does not flow in a straight path toward the hydrogen sulfide exhaust port (306).
예를 들어, 유로 변경 부재(325)는 복수 개의 플레이트(325)일 수 있다. 각각의 플레이트(325)의 일단부는 내측 챔버(312)의 내면에 결합되고, 타단부는 내측 챔버(312)의 내면과 이격되도록 연장될 수 있다. 즉, 플레이트(325)의 타단부와 내측 챔버(312)의 내면 사이에 유체가 유동하기 위한 통로가 형성될 수 있다. 또는 유체가 유동하기 위한 통로가 플레이트(325)를 관통하도록 형성될 수도 있다.For example, the euro change member (325) may be a plurality of plates (325). One end of each plate (325) may be coupled to the inner surface of the inner chamber (312), and the other end may be extended to be spaced apart from the inner surface of the inner chamber (312). That is, a passage for fluid flow may be formed between the other end of the plate (325) and the inner surface of the inner chamber (312). Alternatively, the passage for fluid flow may be formed to penetrate the plate (325).
이때, 복수 개의 플레이트(325)는 수평 방향에 대해 하측으로 경사지도록 내측 챔버(312)의 내면으로부터 연장될 수 있다. 예를 들어, 내측 챔버(312)의 내면과 플레이트(325)가 형성하는 예각(α)은 65°이상 90°미만일 수 있다(도 4 참조). 이에 따라, 황화수소 반응 공간(R)으로 공급된 수소 가스의 유동 경로를 더욱 길게 연장시킬 수 있고, 또한, 내측 챔버(312)의 상측으로부터 공급되는 액체 유황이 복수 개의 플레이트(325)를 타고 하측으로 원활하게 유동할 수 있다.At this time, the plurality of plates (325) may be extended from the inner surface of the inner chamber (312) so as to be inclined downward with respect to the horizontal direction. For example, the acute angle (α) formed by the inner surface of the inner chamber (312) and the plate (325) may be 65° or more and less than 90° (see FIG. 4). Accordingly, the flow path of the hydrogen gas supplied to the hydrogen sulfide reaction space (R) can be further extended, and also, the liquid sulfur supplied from the upper side of the inner chamber (312) can smoothly flow downward along the plurality of plates (325).
또한, 복수 개의 플레이트(325)는, 인접하는 플레이트(325)의 타단부가 서로 반대 방향에 위치하도록 배치될 수 있다. 다시 말해서, 인접하는 플레이트(325)에 있어서 플레이트(325)와 내측 챔버(312) 사이에 형성된 유로의 위치가 서로 반대 방향에 위치하게 되므로, 수소 가스의 이동 경로가 길어지고, 이에 따라 수소 가스와 액체 유황의 접촉 시간을 증대시켜 고수율 및 고순도로 황화수소를 생성할 수 있다.In addition, a plurality of plates (325) may be arranged so that the ends of adjacent plates (325) are positioned in opposite directions. In other words, since the positions of the flow paths formed between the plates (325) and the inner chamber (312) in the adjacent plates (325) are positioned in opposite directions, the path of movement of hydrogen gas becomes longer, and thus the contact time between hydrogen gas and liquid sulfur is increased, so that hydrogen sulfide can be produced with high yield and high purity.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 반응기를 이용하여 황화수소를 생성하는 과정에 대하여 설명한다.Below, a process for producing hydrogen sulfide using a hydrogen sulfide reactor according to one embodiment of the present invention is described.
먼저 사용자는 황화수소 반응 챔버(310) 내에 액체 유황을 공급한다. 예를 들어, 덮개(320)를 황화수소 반응 챔버(310)로부터 이탈시킨 후 황화수소 반응 챔버(310)의 상측 개구를 통해 황화수소 반응 공간(R) 및 이격 공간(S)에 액체 유황을 공급하고, 다시 덮개(320)를 황화수소 반응 챔버(310)에 장착할 수 있다. 덮개(320)와 황화수소 반응 챔버(310) 사이에는 실링 부재(331, 332)가 마련되어 황화수소 반응 공간(R) 및 이격 공간(S)이 기밀하게 밀폐될 수 있다.First, the user supplies liquid sulfur into the hydrogen sulfide reaction chamber (310). For example, after the cover (320) is removed from the hydrogen sulfide reaction chamber (310), liquid sulfur can be supplied into the hydrogen sulfide reaction space (R) and the separation space (S) through the upper opening of the hydrogen sulfide reaction chamber (310), and the cover (320) can be mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310) again. A sealing member (331, 332) is provided between the cover (320) and the hydrogen sulfide reaction chamber (310), so that the hydrogen sulfide reaction space (R) and the separation space (S) can be hermetically sealed.
또는, 사용자는 덮개(320)가 황화수소 반응 챔버(310)에 장착된 상태에서, 제1 액체 유황 공급관(304a)을 통해 황화수소 반응 공간(R)에 액체 유황을 공급하고, 제2 액체 유황 공급관(304b)을 통해 이격 공간(S)에 액체 유황을 공급할 수도 있다. 이때, 내측 챔버(312)에 형성된 플레이트(325)는 수평 방향에 대해 하측으로 경사지도록 내측 챔버(312)의 내면으로부터 연장되어 있으므로, 황화수소 반응 공간(R)으로 공급된 액체 유황은 플레이트(325)를 타고 원활하게 하측으로 이동될 수 있다.Alternatively, the user may supply liquid sulfur to the hydrogen sulfide reaction space (R) through the first liquid sulfur supply pipe (304a) and supply liquid sulfur to the separation space (S) through the second liquid sulfur supply pipe (304b) while the cover (320) is mounted on the hydrogen sulfide reaction chamber (310). At this time, since the plate (325) formed in the inner chamber (312) extends from the inner surface of the inner chamber (312) so as to be inclined downward with respect to the horizontal direction, the liquid sulfur supplied to the hydrogen sulfide reaction space (R) can smoothly move downward along the plate (325).
액체 유황이 공급되면, 사용자는 액체 유황 가열 장치(303)를 작동시켜 황화수소 반응 공간(R)에 수용된 액체 유황의 온도를 300℃ 이상 600℃ 이하로 가열한다. 액체 유황 가열 장치(303)는 이격 공간(S)에 수용된 액체 유황을 매개로 황화수소 반응 공간(R)에 수용된 액체 유황을 가열할 수 있다. 따라서 내측 챔버(312)가 가열 장치에 의한 직접 가열에 의해 손상 또는 파손되는 것이 방지될 수 있다.When liquid sulfur is supplied, the user operates the liquid sulfur heating device (303) to heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R) to a temperature of 300° C. or higher and 600° C. or lower. The liquid sulfur heating device (303) can heat the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R) by means of the liquid sulfur accommodated in the separation space (S). Accordingly, the inner chamber (312) can be prevented from being damaged or destroyed by direct heating by the heating device.
다음으로, 사용자는 수소 가스 공급관(305)을 통해 황화수소 반응 공간(R)에 수용된 액체 유황 내에 수소 가스를 공급한다. 공급된 수소 가스는 액체 유황과 반응하여 황화수소로 합성된다. 수소 가스와 액체 유황이 반응할 때 발생하는 반응열은 액체 유황과 접촉하는 과정에서 회수되어 반응 온도가 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있다.Next, the user supplies hydrogen gas into the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space (R) through the hydrogen gas supply pipe (305). The supplied hydrogen gas reacts with the liquid sulfur to synthesize hydrogen sulfide. The reaction heat generated when the hydrogen gas and the liquid sulfur react is recovered during the process of contacting the liquid sulfur, thereby preventing the reaction temperature from becoming excessively high.
공급된 수소 가스는 덮개(320)에 형성된 황화수소 배출구(306)를 향해 상측으로 이동하면서 액체 유황과 반응하여 황화수소를 생성한다. 이때, 내측 챔버(312)에는 유로 변경 부재(325)가 마련되어 있으므로, 수소 가스는 황화수소 배출구(306)를 향해 직선 경로로 이동하지 않고, 유로 변경 부재(325)에 의해 그 유동 경로가 직선 경로보다 길어지게 된다. 따라서 수소 가스와 액체 유황이 접촉하는 시간이 증대되고, 이에 따라 고수율로 황화수소를 생성할 수 있다.The supplied hydrogen gas moves upward toward the hydrogen sulfide discharge port (306) formed in the cover (320) and reacts with liquid sulfur to generate hydrogen sulfide. At this time, since a flow path change member (325) is provided in the inner chamber (312), the hydrogen gas does not move in a straight path toward the hydrogen sulfide discharge port (306), but its flow path is made longer than the straight path by the flow path change member (325). Accordingly, the time for which the hydrogen gas and liquid sulfur come into contact is increased, and accordingly, hydrogen sulfide can be generated at a high yield.
한편, 내측 챔버(312)는 석영과 같이 내식성이 높은 소재로 형성되어 있으므로, 액체 유황 또는 합성된 황화수소 가스에 의해 내측 챔버(312)가 부식되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 사용자는 내측 챔버(312)의 상측에 마련된 냉각 장치(326)를 작동시킴으로써, 상측으로 이동하는 황화수소 가스를 냉각시켜 활성화도를 낮춤으로써, 황화수소 반응 공간(R)과 인접한 덮개(320), 제1 실링 부재(331) 및 제1 액체 유황 공급관(304a)이 부식되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, since the inner chamber (312) is formed of a highly corrosion-resistant material such as quartz, corrosion of the inner chamber (312) by liquid sulfur or synthesized hydrogen sulfide gas can be prevented. In addition, the user can prevent corrosion of the cover (320), the first sealing member (331), and the first liquid sulfur supply pipe (304a) adjacent to the hydrogen sulfide reaction space (R) by operating the cooling device (326) provided on the upper side of the inner chamber (312) to cool the hydrogen sulfide gas moving upward and lower the activation level.
또한, 덮개(320)에는 액체 유황 배출구(365)가 마련되어, 이격 공간(S)에서 증발한 유황 가스는 액체 유황 배출구(365)를 통해 배출될 수 있다. 배출된 유황 가스는 다시 액체 유황 공급관(304)을 통해 황화수소 반응 챔버(310) 내로 공급될 수 있다.In addition, a liquid sulfur discharge port (365) is provided in the cover (320), so that sulfur gas evaporated in the separation space (S) can be discharged through the liquid sulfur discharge port (365). The discharged sulfur gas can be supplied again into the hydrogen sulfide reaction chamber (310) through the liquid sulfur supply pipe (304).
이와 같이, 본 발명에 따르면 내식성 있는 내측 챔버(312)가 가열 장치에 의한 직접 가열에 의해 손상되는 것을 방지하고, 또한, 덮개(320), 제1 실링 부재(331) 및 제1 액체 유황 공급관(304a) 등 반응기 구성 요소가 부식되는 것도 효과적으로 방지할 수 있으며, 수소 가스와 액체 유황의 반응 시간을 증대시켜 고수율 및 고순도로 황화수소를 생성할 수 있다.In this way, according to the present invention, the corrosion-resistant inner chamber (312) is prevented from being damaged by direct heating by a heating device, and further, the reactor components such as the cover (320), the first sealing member (331), and the first liquid sulfur supply pipe (304a) are effectively prevented from being corroded, and the reaction time between hydrogen gas and liquid sulfur is increased, so that hydrogen sulfide can be produced with high yield and high purity.
다시 도 1을 참조하면, 황화리튬 회수부(400)는 반응 챔버(100) 내에서 황화수소와 리튬 원료 간 반응으로 생성된 황화리튬을 황화리튬 회수 라인(30)을 통해 회수하도록 구비된다. 황화리튬 회수부(400)는 반응 챔버(100)에서 소정 방향의 하류측에 마련된다. 여기서 소정 방향의 하류측이란, 가열부(150)에 의해 가열되는 반응 공간의 영역보다 하류측을 의미할 수 있다. 황화리튬 회수부(400)의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 황화리튬을 포집하기 위한 챔버일 수 있다.Referring back to FIG. 1, the lithium sulfide recovery unit (400) is provided to recover lithium sulfide generated by the reaction between hydrogen sulfide and lithium raw material within the reaction chamber (100) through the lithium sulfide recovery line (30). The lithium sulfide recovery unit (400) is provided downstream in a predetermined direction from the reaction chamber (100). Here, the downstream in a predetermined direction may mean downstream from an area of the reaction space heated by the heating unit (150). The structure of the lithium sulfide recovery unit (400) is not particularly limited. For example, it may be a chamber for capturing lithium sulfide.
불활성기체 공급부(600)는 반응 챔버(100)에서 소정 방향의 상류측에 불활성기체를 공급하도록 구성된다. 불활성기체 공급 라인(60)을 통해 공급되는 불활성기체는 반응 챔버(100) 내의 기체가 리튬 원료 공급 라인(10)으로 역류하는 것을 방지할 수 있다. 불활성기체 공급 라인(60)은 리튬 원료 공급 라인(10)에 연결될 수도 있고, 반응 챔버(100)에 연결될 수도 있다.The inert gas supply unit (600) is configured to supply an inert gas to the upstream side in a predetermined direction from the reaction chamber (100). The inert gas supplied through the inert gas supply line (60) can prevent the gas in the reaction chamber (100) from flowing back to the lithium raw material supply line (10). The inert gas supply line (60) may be connected to the lithium raw material supply line (10) or may be connected to the reaction chamber (100).
또한, 불활성기체 공급 라인(60)이 반응 챔버(100)에 직접 연결되는 경우, 불활성기체 공급 라인(60)은 반응 챔버(100) 내에서 리튬 원료가 공급되는 위치를 향하도록 배치될 수 있다. 따라서 불활성기체는 리튬 원료를 교반하여 황화수소와의 반응을 촉진시키는 역할도 수행할 수 있다. 공급되는 불활성기체의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 헬륨, 네온, 아르곤, 질소 등이 사용될 수 있다.In addition, when the inert gas supply line (60) is directly connected to the reaction chamber (100), the inert gas supply line (60) may be arranged to face the position where the lithium raw material is supplied within the reaction chamber (100). Accordingly, the inert gas may also play a role in stirring the lithium raw material and promoting the reaction with hydrogen sulfide. The type of the inert gas supplied is not particularly limited. For example, helium, neon, argon, nitrogen, etc. may be used.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치는, 황화리튬 회수부(400)에 불활성기체를 공급하도록 구성된 제2 불활성기체 공급부(700)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(100) 내에 공급된 황화수소나 반응의 부산물로서 생성된 수증기 등의 반응 챔버(100) 내의 기체들은, 황화리튬 회수부(400)로 유입되지 않고 반응 챔버(100) 외부로 배출될 필요가 있다. 황화리튬 회수부(400) 내에 공급된 불활성기체는 황화리튬 회수 라인(30)을 통해 황화리튬 회수부(400)의 내부로부터 외부로 배출됨으로써, 반응 챔버(100) 내의 기체가 황화리튬 회수부(400)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the lithium sulfide production device according to one embodiment of the present invention may include a second inert gas supply unit (700) configured to supply an inert gas to the lithium sulfide recovery unit (400). Gases within the reaction chamber (100), such as hydrogen sulfide supplied into the reaction chamber (100) or water vapor generated as a by-product of the reaction, need to be discharged to the outside of the reaction chamber (100) without being introduced into the lithium sulfide recovery unit (400). The inert gas supplied into the lithium sulfide recovery unit (400) is discharged from the inside to the outside of the lithium sulfide recovery unit (400) through the lithium sulfide recovery line (30), thereby preventing the gas within the reaction chamber (100) from being introduced into the lithium sulfide recovery unit (400).
이때, 황화리튬 회수 라인(30)은 후술하는 배기 라인(40)과 서로 마주보는 위치에 마련될 수 있다. 따라서 반응 챔버(100) 내의 기체가 불활성가스에 의해 배기 라인(40)으로 배출되는 것을 촉진할 수 있다. 한편, 제2 불활성기체 공급부(700)에서 공급되는 불활성기체의 종류도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 헬륨, 네온, 아르곤, 질소 등이 사용될 수 있다.At this time, the lithium sulfide recovery line (30) may be provided at a position facing the exhaust line (40) described later. Accordingly, it is possible to facilitate the gas in the reaction chamber (100) to be discharged to the exhaust line (40) by the inert gas. Meanwhile, the type of inert gas supplied from the second inert gas supply unit (700) is not particularly limited. For example, helium, neon, argon, nitrogen, etc. may be used.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수분 제거부를 나타내는 개략도이다. 이하에서는 도 1 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 수분 제거부(500)에 대해 설명한다.FIG. 5 is a schematic diagram showing a moisture removal unit according to one embodiment of the present invention. Hereinafter, a moisture removal unit (500) according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG. 5.
수분 제거부(500)는 반응 챔버(100) 내로부터 배출되는 기체를 회수하여, 기체로부터 수증기를 제거한 후, 수증기가 제거된 기체를 반응 챔버(100)의 상류측에 다시 공급하도록 구비된다. 전술한 바와 같이, 반응 챔버(100) 내에는 공급된 황화수소 중 수산화리튬과 반응하지 않은 미반응 황화수소와, 황화수소와 수산화리튬의 반응에 의해 생성된 수증기가 존재할 수 있다. 이러한 미반응 황화수소는 다시 반응 챔버(100)의 상류측으로 공급하는 반면, 반응 중 발생한 수증기는 제거할 필요가 있다. 이를 위해, 수분 제거부(500)는 배기 라인(40)을 통해 반응 챔버(100)의 하류측에서 반응 챔버(100) 내의 기체를 회수하고, 수증기를 제거하여 반응 챔버(100)의 상류측에 공급할 수 있다. 한편, 상기 수증기가 제거된 황화수소 기체를 반응 챔버 내로 공급하기 위해서 순환 펌프(미도시) 등의 공급 수단을 사용할 수 있다. The moisture removal unit (500) is provided to recover gas discharged from the reaction chamber (100), remove water vapor from the gas, and then supply the gas from which water vapor has been removed back to the upstream side of the reaction chamber (100). As described above, unreacted hydrogen sulfide that has not reacted with lithium hydroxide among the supplied hydrogen sulfide and water vapor generated by the reaction of hydrogen sulfide and lithium hydroxide may exist in the reaction chamber (100). While such unreacted hydrogen sulfide is supplied back to the upstream side of the reaction chamber (100), water vapor generated during the reaction needs to be removed. To this end, the moisture removal unit (500) can recover gas inside the reaction chamber (100) from the downstream side of the reaction chamber (100) through the exhaust line (40), remove water vapor from the gas, and supply the gas to the upstream side of the reaction chamber (100). Meanwhile, a supply means such as a circulation pump (not shown) can be used to supply hydrogen sulfide gas from which the water vapor has been removed into the reaction chamber.
도 5를 참조하면, 수분 제거부(500)는 액화 냉각부(510)와 승화 냉각부(520)를 포함할 수 있다. 액화 냉각부(510)는 반응 챔버(100)로부터 회수한 기체를 1차 냉각시켜, 회수한 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 액화 냉각부(510)는 배기 라인(40)을 통해 회수한 기체를 약 40℃로 냉각하여 수증기를 액화시키는 구성일 수 있고, 액화된 물은 배출부(515)를 통해 제거될 수 있다. 액화 냉각부(510)의 냉각 구조는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 냉각 수단(미도시)이 마련된 챔버일 수 있다.Referring to FIG. 5, the moisture removal unit (500) may include a liquefaction cooling unit (510) and a sublimation cooling unit (520). The liquefaction cooling unit (510) may first cool the gas recovered from the reaction chamber (100) to selectively remove only moisture from the recovered gas. For example, the liquefaction cooling unit (510) may be configured to cool the gas recovered through the exhaust line (40) to about 40° C. to liquefy water vapor, and the liquefied water may be removed through the discharge unit (515). The cooling structure of the liquefaction cooling unit (510) is not particularly limited, and may be, for example, a chamber provided with a cooling means (not shown).
한편, 승화 냉각부(520)는 반응 챔버(100)로부터 회수한 기체를 2차 냉각시켜 수분을 제거하는 구성일 수 있다. 일례로, 수증기를 약 -30℃로 냉각하는 것에 의해 수증기를 승화시켜 제거할 수 있다. 승화 냉각부(520)는 액화 냉각부(510)를 통과한 기체를 회수 라인(45)을 통해 회수하여, 액화 냉각부(510)에서 제거되지 못한 수증기를 추가적으로 제거할 수 있다. 한편, 본 명세서 및 청구범위 전반에서 사용되는 용어 "1차" 및 "2차" 는 구분을 위해 임의로 순서를 부여한 것으로 이해되어야 한다.Meanwhile, the sublimation cooling unit (520) may be configured to remove moisture by secondary cooling the gas recovered from the reaction chamber (100). For example, the water vapor may be sublimated and removed by cooling the water vapor to about -30°C. The sublimation cooling unit (520) may additionally remove water vapor that was not removed by the liquefaction cooling unit (510) by recovering the gas that passed through the liquefaction cooling unit (510) through the recovery line (45). Meanwhile, the terms "primary" and "secondary" used throughout the present specification and claims should be understood as having been arbitrarily assigned in order for the sake of distinction.
한편, 1차 냉각 및 2차 냉각이란 냉각의 순서를 의미하는 것은 아니고, 수분 제거부(500)는 액화 냉각부(510)만 구비할 수도 있고, 또는 승화 냉각부(520)만 구비할 수도 있고, 또는 액화 냉각부(510)와 승화 냉각부(520)를 모두 구비할 수도 있다.Meanwhile, the primary cooling and secondary cooling do not mean the order of cooling, and the moisture removal unit (500) may be equipped with only a liquefaction cooling unit (510), or may be equipped with only a sublimation cooling unit (520), or may be equipped with both a liquefaction cooling unit (510) and a sublimation cooling unit (520).
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타내는 사시도이다. 승화 냉각부(520)는 냉각 챔버(521)와, 냉각 챔버(521)에 마련된 냉각 수단(525) 및 승화 냉각부(520)를 제어하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 제어부는 황화리튬 제조 장치를 제어하는 제어부일 수 있다.Figure 6 is a perspective view showing a sublimation cooling unit according to one embodiment of the present invention. The sublimation cooling unit (520) may include a cooling chamber (521), a cooling means (525) provided in the cooling chamber (521), and a control unit (not shown) for controlling the sublimation cooling unit (520). The control unit may be a control unit for controlling a lithium sulfide manufacturing device.
냉각 챔버(521)로 공급된 수증기는 냉각 수단(525)에 의해 승화되어 냉각 챔버(521)의 내표면에 얼어붙게 되고, 황화수소는 끓는점이 -59.6℃이므로 냉각 챔버(521)를 그대로 통과할 수 있다. 따라서 냉각 챔버(521)는 회수 기체에서 수증기만 제거하고 황화수소는 반응 챔버(100)로 다시 공급할 수 있다.The water vapor supplied to the cooling chamber (521) is sublimated by the cooling means (525) and freezes on the inner surface of the cooling chamber (521), and since hydrogen sulfide has a boiling point of -59.6°C, it can pass through the cooling chamber (521) as is. Accordingly, the cooling chamber (521) can remove only the water vapor from the recovery gas and supply the hydrogen sulfide back to the reaction chamber (100).
다만, 승화 냉각부(520)는 수증기를 승화시켜 얼음 상태로 상 변이를 일으켜 냉각 챔버 내표면에 얼어붙게 만들기 때문에, 냉각 챔버(521)의 내표면에 얼어붙은 수분을 제거하기 위해서는 냉각 챔버(521)를 다시 가열하여 액화시킬 필요가 있다. 즉, 냉각 챔버(521)가 1개만 마련되면 냉각 챔버(521)를 가열하기 위해 황화리튬 제조 장치의 작동을 멈춰야만 하므로 공정을 연속적으로 진행하기 어려워지는 문제가 있다.However, since the sublimation cooling unit (520) causes a phase change by sublimating water vapor into an ice state and freezes it on the inner surface of the cooling chamber, in order to remove the water frozen on the inner surface of the cooling chamber (521), it is necessary to heat the cooling chamber (521) again to liquefy it. In other words, if only one cooling chamber (521) is provided, the operation of the lithium sulfide manufacturing device must be stopped in order to heat the cooling chamber (521), which makes it difficult to continuously proceed with the process.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 승화 냉각부(520)는 복수 개의 냉각 챔버(521a, 521b)와, 회수 기체를 각각의 복수 개의 냉각 챔버(521a, 521b)로 이송하기 위한 복수 개의 분기 라인(46)과, 복수 개의 냉각 챔버(521) 내의 기체를 재공급 라인(50)으로 공급하기 위한 복수 개의 제2 분기 라인(48)을 구비할 수 있다. 재공급 라인(50)이란 회수 기체가 반응 챔버(100)로 재공급되도록 하는 라인을 말한다. 그리고 제어부는 복수 개의 냉각 챔버(521) 중 기설정된 하나의 냉각 챔버로 회수 기체가 이송될 때, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버에서 냉각이 수행되도록 제어할 수 있다.Therefore, the sublimation cooling unit (520) according to one embodiment of the present invention may be provided with a plurality of cooling chambers (521a, 521b), a plurality of branch lines (46) for transferring the recovery gas to each of the plurality of cooling chambers (521a, 521b), and a plurality of second branch lines (48) for supplying the gas in the plurality of cooling chambers (521) to the resupply line (50). The resupply line (50) refers to a line for resupplying the recovery gas to the reaction chamber (100). In addition, the control unit may control cooling to be performed in the cooling chamber to which the recovery gas is transferred when the recovery gas is transferred to a preset cooling chamber among the plurality of cooling chambers (521).
각각의 분기 라인(46a, 46b) 및 제2 분기 라인(48a, 48b)에는 제1 내지 제4 분기 밸브(47a, 47b, 49a, 49b)가 마련될 수 있다. 제어부는 분기 라인(46a, 46b) 및 제2 분기 라인(48a, 48b)에 마련된 분기 밸브(47a, 47b, 49a, 49b)를 제어함으로써, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버(521a, 521b)를 결정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 회수 기체를 도 6의 상측에 위치하는 냉각 챔버(521a)로 이송하기 위해서는 제1 분기 밸브(47a) 및 제3 분기 밸브(49a)는 개방하고, 제2 분기 밸브(47b) 및 제4 분기 밸브(49b)는 폐쇄할 수 있다.Each of the branch lines (46a, 46b) and the second branch line (48a, 48b) may be provided with first to fourth branch valves (47a, 47b, 49a, 49b). The control unit may be configured to determine the cooling chambers (521a, 521b) to which the recovery gas is transferred by controlling the branch valves (47a, 47b, 49a, 49b) provided in the branch lines (46a, 46b) and the second branch line (48a, 48b). For example, in order to transfer the recovery gas to the cooling chamber (521a) located on the upper side of FIG. 6, the first branch valve (47a) and the third branch valve (49a) may be opened, and the second branch valve (47b) and the fourth branch valve (49b) may be closed.
회수 기체가 이송되는 상측의 냉각 챔버(521a)가 소정 시간 냉각 운전된 후에는, 승화되어 냉각 챔버(521a)의 내벽에 얼어붙은 얼음을 가열하여 제거할 필요성이 있다. 이 경우, 제어부는 하측의 냉각 챔버(521b)가 냉각을 수행하도록 하측의 냉각 챔버(521b)에 마련된 냉각 수단(미도시)을 작동시킨 후, 회수 기체가 하측의 냉각 챔버(521b)로 이송되도록 제어할 수 있다. 즉, 제1 분기 밸브(47a) 및 제3 분기 밸브(49a)는 폐쇄하고, 제2 분기 밸브(47b)와 제4 분기 밸브(49b)는 개방함으로써, 회수 기체가 하측의 냉각 챔버(521b)로 이송되도록 제어할 수 있다. 이에 따라, 황화리튬 제조 장치를 정지하는 일 없이 연속적으로 황화리튬을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 회수 기체로부터 수분을 추가적으로 제거함으로써 황화리튬의 제조 효율을 향상시킬 수 있고 고순도의 황화리튬을 획득할 수 있다.After the upper cooling chamber (521a) to which the recovery gas is transferred has been cooled for a predetermined period of time, it is necessary to heat and remove the ice that has been sublimated and frozen on the inner wall of the cooling chamber (521a). In this case, the control unit can operate the cooling means (not shown) provided in the lower cooling chamber (521b) so that the lower cooling chamber (521b) performs cooling, and then control the recovery gas to be transferred to the lower cooling chamber (521b). That is, the first branch valve (47a) and the third branch valve (49a) can be closed, and the second branch valve (47b) and the fourth branch valve (49b) can be opened, thereby controlling the recovery gas to be transferred to the lower cooling chamber (521b). Accordingly, not only can lithium sulfide be continuously manufactured without stopping the lithium sulfide manufacturing device, but also the manufacturing efficiency of lithium sulfide can be improved by additionally removing moisture from the recovery gas, and high-purity lithium sulfide can be obtained.
한편 제어부는, 소정 시간 냉각 운전된 상측의 냉각 챔버(521a)에 대해서는 가열이 진행되도록 전환하는 것에 의해 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거할 수 있다. 냉각 챔버(521)에 별도의 가열 수단이 마련될 수도 있고, 냉각 수단(525)의 작동이 정지되고 냉각 챔버(521)가 상온에 위치하는 것만으로도 수분이 제거될 수 있다. 제거된 수분은 배출부(515)로 이송되어 제거될 수 있다.Meanwhile, the control unit can liquefy and remove ice sublimated by cooling by switching the upper cooling chamber (521a) that has been subjected to cooling operation for a predetermined time to heating. A separate heating means may be provided in the cooling chamber (521), and moisture can be removed simply by stopping the operation of the cooling means (525) and positioning the cooling chamber (521) at room temperature. The removed moisture can be transferred to the discharge unit (515) and removed.
또한, 각각의 분기 라인(46a, 46b, 48a, 48b)에 각각 분기 밸브(47a, 47b, 49a, 49b)가 마련되는 대신에 회수 라인(45)과 분기 라인(46)의 분기점 및 분기 라인(48)과 재공급 라인(50)의 분기점에 삼방 밸브(미도시)가 마련될 수도 있다. 제어부는 삼방 밸브를 제어하여 회수 기체가 이송되는 챔버를 결정할 수도 있다.In addition, instead of providing branch valves (47a, 47b, 49a, 49b) in each branch line (46a, 46b, 48a, 48b), three-way valves (not shown) may be provided at the branch points of the recovery line (45) and the branch line (46) and at the branch points of the branch line (48) and the resupply line (50). The control unit may also control the three-way valves to determine the chamber to which the recovery gas is transferred.
또한, 냉각 챔버(521)의 개수는 특별히 한정되지 않는다. 3개 이상의 냉각 챔버(521)가 마련되는 경우, 복수 개의 냉각 챔버(521)에서 동시에 냉각을 수행할 수도 있다. 냉각 챔버(521)의 개수는 반응 챔버(100)의 크기, 가열부(150)가 반응 공간을 가열하는 온도 등에 기초하여 발생하는 수증기의 양에 따라 적절히 마련될 수 있다.In addition, the number of cooling chambers (521) is not particularly limited. When three or more cooling chambers (521) are provided, cooling can be performed simultaneously in multiple cooling chambers (521). The number of cooling chambers (521) can be appropriately provided depending on the amount of water vapor generated based on the size of the reaction chamber (100), the temperature at which the heating unit (150) heats the reaction space, etc.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타내는 사시도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 승화 냉각부(520')는 회수 기체가 이송되는 방향에 평행한 축(C)을 중심으로 회전 가능하게 마련된 본체(523)를 구비하는 점에서 전술한 일 실시예에 따른 승화 냉각부(520)와 차이가 있다. 또한, 복수 개의 냉각 챔버(521)는 회수 기체가 이송되는 방향에 평행한 축(C)을 따라 본체(523)에 관통 형성될 수 있다. 그리고 본 실시예에 따른 승화 냉각부(520')는 분기 라인(46)을 구비하지 않는 대신, 복수 개의 냉각 챔버(521) 중 적어도 어느 하나가 회수 라인(45) 및 재공급 라인(50)과 연통되도록 마련될 수 있다.FIG. 7 is a perspective view showing a sublimation cooling unit according to another embodiment of the present invention. The sublimation cooling unit (520') according to another embodiment of the present invention is different from the sublimation cooling unit (520) according to the above-described embodiment in that it has a main body (523) that is arranged to be rotatable around an axis (C) parallel to the direction in which the recovery gas is transported. In addition, a plurality of cooling chambers (521) may be formed penetrating the main body (523) along the axis (C) parallel to the direction in which the recovery gas is transported. In addition, the sublimation cooling unit (520') according to the present embodiment does not have a branch line (46), but at least one of the plurality of cooling chambers (521) may be arranged to be connected to the recovery line (45) and the resupply line (50).
즉, 제어부는 복수 개의 냉각 챔버(521) 중 일부가 냉각을 수행하도록 제어하되, 본체(523)를 축(C)을 중심으로 회전시키는 것에 의해, 냉각을 수행하고 있는 냉각 챔버(521)가 회수 라인(45) 및 재공급 라인(50)과 연통되도록 제어할 수 있다.That is, the control unit controls some of the plurality of cooling chambers (521) to perform cooling, and by rotating the main body (523) around the axis (C), the cooling chamber (521) performing cooling can be controlled to communicate with the recovery line (45) and the resupply line (50).
보다 구체적으로, 도 7의 상측에 위치하는 냉각 챔버(521a)가 회수 라인(45) 및 재공급 라인(50)과 연통된 상태에서 냉각 수단(미도시)에 의해 냉각되고 있을 때에는, 회수 기체가 상측의 냉각 챔버(521a)를 통과하면서 수증기는 승화되어 냉각 챔버 내부에 얼어붙게 됨으로써 회수 기체로부터 제거될 수 있다. 그런데 회수 기체가 이송되는 상측의 냉각 챔버(521a)가 소정 시간 냉각 운전된 후 냉각 챔버 내부의 공간이 좁아져 얼어붙은 얼음을 제거해야 하는 경우, 제어부는 하측의 냉각 챔버(521b)가 냉각을 수행하도록 제어한 후, 본체(523)를 축(C)을 중심으로 회전하여 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버(521)를 하측의 냉각 챔버(521b)로 변경할 수 있다. 그리고 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버(521a)에 대해서는 가열이 진행되도록 전환하는 것에 의해, 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거할 수 있다.More specifically, when the cooling chamber (521a) located on the upper side of Fig. 7 is cooled by a cooling means (not shown) while being connected to the recovery line (45) and the resupply line (50), when the recovery gas passes through the upper cooling chamber (521a), the water vapor is sublimated and frozen inside the cooling chamber, thereby being removed from the recovery gas. However, when the space inside the cooling chamber becomes narrow after the upper cooling chamber (521a) through which the recovery gas is transported has been cooled for a predetermined period of time, and the frozen ice needs to be removed, the control unit controls the lower cooling chamber (521b) to perform cooling, and then rotates the main body (523) around the axis (C) to change the cooling chamber (521) through which the recovery gas is transported to the lower cooling chamber (521b). In addition, by switching the cooling chamber (521a) through which the cooling operation has been performed for a predetermined period of time so that heating is performed, the ice sublimated by the cooling can be liquefied and removed.
본 실시예에 따른 승화 냉각부(520')에서도 본체(523)를 축(C)을 중심으로 회전시키는 것만으로 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버(521)를 변경할 수 있으므로, 황화리튬 제조 장치를 정지시키지 않고 연속적으로 황화리튬을 제조할 수 있어 효율적이며, 수분을 더욱 확실하게 제거하여 고순도의 황화리튬을 획득할 수 있다.In the sublimation cooling unit (520') according to the present embodiment, the cooling chamber (521) through which the recovery gas is transferred can be changed simply by rotating the main body (523) around the axis (C), so that lithium sulfide can be continuously manufactured without stopping the lithium sulfide manufacturing device, which is efficient, and moisture can be removed more reliably to obtain high-purity lithium sulfide.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 승화 냉각부를 나타낸 정면도이다. 본 실시예에 따른 승화 냉각부(520'')는 3개 이상의 냉각 챔버(521)를 구비하는 점에서 전술한 승화 냉각부(520')와 차이가 있다. 냉각 챔버(521)의 개수는 특별히 한정되지 않는다. Fig. 8 is a front view showing a sublimation cooling unit according to another embodiment of the present invention. The sublimation cooling unit (520'') according to the present embodiment is different from the sublimation cooling unit (520') described above in that it has three or more cooling chambers (521). The number of cooling chambers (521) is not particularly limited.
예를 들어, 도 8과 같이 4개의 냉각 챔버(521a, 521b, 521c, 521d)가 본체(523)에 관통 형성되는 경우, 적어도 어느 하나의 냉각 챔버가 회수 라인(45) 및 재공급 라인(50)과 연통되도록 마련될 수 있다. 그리고 제어부는 복수 개의 냉각 챔버(521a, 521b, 521c, 521d)가 순차적으로 냉각 운전되도록 제어함과 함께. 본체(523)를 축(C)을 중심으로 회전시키는 것에 의해 회수 기체가 냉각이 진행되고 있는 냉각 챔버로 이송되도록 제어할 수 있다. 마찬가지로 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버에 대해서는 가열이 진행되도록 하여 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거할 수 있다.For example, when four cooling chambers (521a, 521b, 521c, 521d) are formed penetrating the main body (523) as shown in FIG. 8, at least one cooling chamber may be provided to be connected to the recovery line (45) and the resupply line (50). In addition, the control unit may control the plurality of cooling chambers (521a, 521b, 521c, 521d) to be sequentially cooled, and may control the recovery gas to be transferred to the cooling chamber where cooling is in progress by rotating the main body (523) around the axis (C). Similarly, for the cooling chamber that has been cooled for a predetermined time, heating may be performed so that ice sublimated by cooling may be liquefied and removed.
또는, 본 실시예에 따른 승화 냉각부(520'')는 복수 개의 냉각 챔버(521a, 521b)에서 냉각이 진행되도록 제어할 수도 있고, 이 경우 회수 라인(45)으로부터 분기된 복수 개의 라인이 냉각을 수행하는 복수 개의 냉각 챔버(521a, 521b)와 각각 연통되도록 마련될 수도 있다. 냉각 챔버(521)의 개수는 반응 챔버(100)의 크기, 가열부(150)가 반응 공간을 가열하는 온도 등에 기초하여 발생하는 수증기의 양에 따라 적절히 마련될 수 있다.Alternatively, the sublimation cooling unit (520'') according to the present embodiment may be controlled to perform cooling in a plurality of cooling chambers (521a, 521b), and in this case, a plurality of lines branched from the recovery line (45) may be provided to communicate with a plurality of cooling chambers (521a, 521b) that perform cooling, respectively. The number of cooling chambers (521) may be appropriately provided based on the amount of water vapor generated, such as the size of the reaction chamber (100), the temperature at which the heating unit (150) heats the reaction space, and the like.
이와 같이 반응 챔버(100)로부터 회수되고 수분이 제거된 기체는 재공급 라인(50)을 통해 반응 챔버(100)의 상류측에 다시 공급될 수 있다(도 1 참조). 재공급 라인(50)은 반응 챔버(100)의 상류측 단부에 연결될 수 있다. 또한, 재공급 라인(50)은 반응 챔버(100)의 하측에 연결될 수 있다. 반응 챔버(100) 내로 공급된 리튬 원료는 중력에 의해 반응 챔버(100)의 하측으로 떨어진 후 이동될 것이므로, 재공급 라인(50)을 통해 공급된 황화수소는 리튬 원료와의 반응 시간을 충분히 확보할 수 있다.The gas recovered from the reaction chamber (100) and from which moisture has been removed can be supplied again to the upstream side of the reaction chamber (100) through the resupply line (50) (see FIG. 1). The resupply line (50) can be connected to the upstream end of the reaction chamber (100). In addition, the resupply line (50) can be connected to the lower side of the reaction chamber (100). Since the lithium raw material supplied into the reaction chamber (100) will fall to the lower side of the reaction chamber (100) by gravity and then move, the hydrogen sulfide supplied through the resupply line (50) can secure a sufficient reaction time with the lithium raw material.
다시 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 황화리튬 제조 장치는 불활성기체 배출 라인(800)를 더 포함할 수 있다. 불활성기체 배출 라인(800)은 반응 챔버(100) 내의 불활성기체 등을 배출하기 위한 배출 라인일 수 있다. 불활성기체 배출 라인(800)은 황화수소 공급부(300)가 반응 챔버(100) 내에 황화수소를 공급하는 황화수소 공급 위치보다 소정 방향의 상류측에 배치될 수 있다. 즉, 불활성기체 배출 라인(800)은 황화수소 공급 라인(20)보다 상류측에 위치될 수 있다.Referring back to FIG. 1, the lithium sulfide production device according to one embodiment of the present invention may further include an inert gas discharge line (800). The inert gas discharge line (800) may be a discharge line for discharging an inert gas, etc., within the reaction chamber (100). The inert gas discharge line (800) may be positioned upstream in a predetermined direction from a hydrogen sulfide supply position where the hydrogen sulfide supply unit (300) supplies hydrogen sulfide within the reaction chamber (100). That is, the inert gas discharge line (800) may be positioned upstream from the hydrogen sulfide supply line (20).
따라서 반응 챔버(100) 내로 공급된 황화수소는, 일부만 리튬 원료와 반응한 후 배기 라인(40) 및 재공급 라인(50)을 통해 다시 반응 챔버(100)의 상류측에 공급될 것이다. 재공급 라인(50)을 통해 공급되는 기체에는 수분이 제거된 황화수소가 포함되고, 공급된 황화수소는 불활성기체와 함께 불활성기체 배출 라인(800)까지 유동하면서, 대부분 리튬 원료와 반응하게 되고, 이외에 불활성기체는 불활성기체 배출 라인(800)을 통해 배출될 수 있다. 즉, 불활성기체 배출 라인(800)은 황화수소의 배출은 억제하고 불활성기체의 배출만 촉진하는 형태일 수 있다. 이를 위해, 황화수소 공급 라인(20)은 반응 챔버(100)의 중심보다 하류측에 위치할 수 있다.Therefore, the hydrogen sulfide supplied into the reaction chamber (100) will be supplied again to the upstream side of the reaction chamber (100) through the exhaust line (40) and the resupply line (50) after reacting only partially with the lithium raw material. The gas supplied through the resupply line (50) includes hydrogen sulfide from which moisture has been removed, and the supplied hydrogen sulfide flows together with the inert gas to the inert gas discharge line (800), where it mostly reacts with the lithium raw material, and in addition, the inert gas can be discharged through the inert gas discharge line (800). That is, the inert gas discharge line (800) can be of a type that suppresses the discharge of hydrogen sulfide and promotes only the discharge of the inert gas. For this purpose, the hydrogen sulfide supply line (20) can be located downstream from the center of the reaction chamber (100).
또한, 반응 챔버(100) 내에는 구획 플레이트(120)가 설치될 수도 있다. 구획 플레이트(120)는 소정 방향을 가로지르는 방향을 따라 연장된 평판 형상일 수 있다. 구획 플레이트(120)는 황화수소 공급 위치와 불활성기체 배출 라인(800) 사이에 설치되어, 황화수소 공급 라인(20)을 통해 공급된 황화수소가 불활성기체 배출 라인(800)으로 직접 배출되는 것을 억제할 수 있다.In addition, a partition plate (120) may be installed within the reaction chamber (100). The partition plate (120) may be a flat plate shape extending along a direction transverse to a predetermined direction. The partition plate (120) is installed between the hydrogen sulfide supply location and the inert gas discharge line (800), so as to suppress hydrogen sulfide supplied through the hydrogen sulfide supply line (20) from being directly discharged into the inert gas discharge line (800).
또한, 구획 플레이트(120)는 불활성기체 배출 라인(800)과 인접한 반응 챔버 상단 위치에 구비되며, 유체가 유동하기 위한 공간이 마련되도록 반응 챔버(100)의 내측면에 설치될 수도 있다. 따라서 불활성기체가 불활성기체 배출 라인(800)을 지나쳐서 배기 라인(40)으로 직접 유동하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the partition plate (120) is provided at the upper position of the reaction chamber adjacent to the inert gas discharge line (800), and may be installed on the inner surface of the reaction chamber (100) so as to provide a space for the fluid to flow. Accordingly, the inert gas can be prevented from passing the inert gas discharge line (800) and flowing directly to the exhaust line (40).
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art will appreciate that various modifications and variations may be made without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within a scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the rights of the present invention.
10: 리튬 원료 공급 라인
20: 황화수소 공급 라인
30: 황화리튬 회수 라인
40: 배기 라인
45: 회수 라인
46(46a, 46b): 분기 라인
47(47a, 47b): 분기 밸브
48(48a, 48b): 분기 라인
49(49a, 49b): 분기 밸브
50: 재공급 라인
60: 불활성기체 공급 라인
100: 반응 챔버
120: 구획 플레이트
150: 가열부
200: 리튬 원료 공급부
300: 황화수소 공급부(황화수소 반응기)
303: 액체 유황 가열 장치
304: 액체 유황 공급관
304a: 제1 액체 유황 공급관
304b: 제2 액체 유황 공급관
305: 수소 가스 공급관
306: 황화수소 배출구
310: 황화수소 반응 챔버
311: 외측 챔버
311a: 챔버 플랜지
312: 내측 챔버
320: 덮개
320a: 덮개 플랜지
320b: 홈
320c: 홈
325: 유로 변경 부재
326: 냉각 장치
331: 제1 실링 부재
332: 제2 실링 부재
365: 액체 유황 배출구
400: 황화리튬 회수부
500: 수분 제거부
510: 액화 냉각부
515: 배출부
520, 520', 520'': 승화 냉각부
521(521a, 521b, 521c, 521d): 냉각 챔버
523: 본체
525: 냉각 수단
600: 불활성기체 공급부
700: 제2 불활성기체 공급부
800: 불활성기체 배출 라인
R: 반응 공간
S: 이격 공간10: Lithium raw material supply line
20: Hydrogen sulfide supply line
30: Lithium sulfide recovery line
40: Exhaust line
45: Recovery line
46(46a, 46b): Branch line
47(47a, 47b): Branch valve
48(48a, 48b): Branch line
49(49a, 49b): Branch valve
50: Resupply line
60: Inert gas supply line
100: Reaction Chamber
120: Compartment plate
150: Heating section
200: Lithium raw material supply department
300: Hydrogen sulfide supply unit (hydrogen sulfide reactor)
303: Liquid sulfur heating device
304: Liquid sulfur supply pipe
304a: First liquid sulfur supply pipe
304b: Second liquid sulfur supply pipe
305: Hydrogen gas supply pipe
306: Hydrogen sulfide exhaust port
310: Hydrogen sulfide reaction chamber
311: Outer chamber
311a: Chamber flange
312: Inner chamber
320: Cover
320a: Cover flange
320b: Home
320c: Home
325: Absence of Euro Change
326: Cooling device
331: Absence of first seal
332: Second seal absence
365: Liquid Sulfur Discharge
400: Lithium sulfide recovery unit
500: Moisture removal unit
510: Liquefaction Cooling Unit
515: Exhaust
520, 520', 520'': Sublimation Cooling Unit
521(521a, 521b, 521c, 521d): Cooling chamber
523: Body
525: Cooling means
600: Inert gas supply unit
700: Second inert gas supply unit
800: Inert gas exhaust line
R: Reaction space
S: Separation space
Claims (18)
상기 반응 챔버에서 상기 소정 방향의 상류측에 상기 리튬 원료를 연속적으로 공급하도록 구비된 리튬 원료 공급부;
상기 반응 챔버에 황화수소를 공급하도록 구비된 황화수소 공급부;
상기 반응 공간을 가열하도록 구비된 가열부;
상기 반응 챔버에서 상기 소정 방향의 하류측에 마련되고, 상기 반응 챔버 내에서 황화수소와 리튬 원료 간 반응으로 생성된 황화리튬을 회수하도록 구비된 황화리튬 회수부;
상기 반응 챔버에서 상기 소정 방향의 상류측에 불활성기체를 공급하도록 구비된 불활성기체 공급부; 및
상기 반응 챔버에서 상기 소정 방향의 하류측에 마련되어 상기 반응 챔버로부터 배출되는 기체를 회수하고, 상기 기체로부터 수증기를 제거한 후 상기 기체를 반응 챔버의 상기 소정 방향의 상류측에 다시 공급하도록 구비된 수분 제거부를 포함하고,
상기 황화수소 공급부는, 외측 챔버 및 상기 외측 챔버와의 사이에 이격 공간이 형성되도록 상기 외측 챔버 내에 마련된 내측 챔버를 구비하는 황화수소 반응 챔버를 포함하고, 상기 내측 챔버는 상기 외측 챔버보다 높은 내식성을 갖는 황화수소 반응기이며,
상기 수분 제거부는, 상기 반응 챔버로부터 회수한 기체를 2차 냉각시켜, 상기 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거하는 승화 냉각부를 포함하고, 상기 승화 냉각부는 복수 개의 냉각 챔버와, 상기 승화 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 복수 개의 냉각 챔버 중 기설정된 하나 이상의 냉각 챔버로 회수 기체가 이송될 때, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버에서 2차 냉각이 수행되도록 제어하고, 상기 제어부는, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버가 소정 시간 냉각 운전된 후, 회수 기체가 또 다른 냉각 챔버로 이송되도록 제어하고, 상기 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버에 대해서는 가열이 진행되도록 하여, 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거하는, 황화리튬 제조 장치.
A reaction chamber having a reaction space for producing lithium sulfide and equipped to move the supplied lithium raw material along a predetermined direction;
A lithium raw material supply unit provided to continuously supply the lithium raw material to the upstream side in the predetermined direction in the above reaction chamber;
A hydrogen sulfide supply unit provided to supply hydrogen sulfide to the above reaction chamber;
A heating unit provided to heat the above reaction space;
A lithium sulfide recovery unit provided on the downstream side in the predetermined direction in the above reaction chamber and equipped to recover lithium sulfide generated by the reaction between hydrogen sulfide and lithium raw material within the above reaction chamber;
An inert gas supply unit provided to supply an inert gas to the upstream side in the predetermined direction in the above reaction chamber; and
In the above reaction chamber, a moisture removal unit is provided on the downstream side in the predetermined direction to recover gas discharged from the reaction chamber, remove water vapor from the gas, and then supply the gas again to the upstream side in the predetermined direction of the reaction chamber.
The above hydrogen sulfide supply unit includes a hydrogen sulfide reaction chamber having an inner chamber provided within the outer chamber so that a space is formed between the outer chamber and the outer chamber, and the inner chamber is a hydrogen sulfide reactor having higher corrosion resistance than the outer chamber.
The above moisture removal unit includes a sublimation cooling unit that selectively removes only moisture from the gas by secondarily cooling the gas recovered from the reaction chamber, and the sublimation cooling unit includes a plurality of cooling chambers and a control unit that controls the sublimation cooling unit.
The above control unit controls secondary cooling to be performed in the cooling chamber to which the recovery gas is transferred when the recovery gas is transferred to one or more preset cooling chambers among the plurality of cooling chambers, and the control unit controls the recovery gas to be transferred to another cooling chamber after the cooling chamber to which the recovery gas is transferred is subjected to cooling operation for a predetermined period of time, and causes heating to be performed on the cooling chamber that has been subjected to cooling operation for the predetermined period of time, thereby liquefying and removing ice sublimated by cooling. A lithium sulfide manufacturing device.
상기 수분 제거부는, 상기 반응 챔버로부터 회수한 기체를 1차 냉각시켜, 상기 기체로부터 수분만을 선별적으로 제거하는 액화 냉각부를 포함하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 1,
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the moisture removal unit includes a liquefaction cooling unit that selectively removes only moisture from the gas by first cooling the gas recovered from the reaction chamber.
상기 승화 냉각부는, 상기 회수 기체를 상기 복수 개의 냉각 챔버로 각각 이송하기 위한 복수 개의 분기 라인과, 상기 분기 라인에 설치되어 각각의 상기 분기 라인을 개폐하는 밸브를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 밸브를 제어하는 것에 의해 상기 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버를 결정하도록 구성되는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 1,
The above sublimation cooling unit has a plurality of branch lines for transferring the recovery gas to each of the plurality of cooling chambers, and a valve installed in the branch lines to open and close each of the branch lines.
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the control unit is configured to determine the cooling chamber to which the recovery gas is transferred by controlling the valve.
상기 승화 냉각부는, 상기 회수 기체가 이송되는 방향에 평행한 축을 중심으로 회전 가능하게 마련된 본체를 구비하고,
상기 복수 개의 냉각 챔버는, 상기 축에 평행한 방향을 따라 상기 본체에 관통 형성되되, 적어도 어느 하나가 상기 회수 기체가 이송되는 라인인 회수 라인 및 회수 기체가 반응 챔버로 재공급되도록 하는 재공급 라인과 연통하도록 마련되고,
상기 제어부는, 상기 본체를 상기 축을 중심으로 회전시키는 것에 의해, 냉각을 수행하고 있는 상기 냉각 챔버가 상기 회수 라인 및 재공급 라인과 연통되도록 제어하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 1,
The above sublimation cooling unit has a main body that is configured to rotate around an axis parallel to the direction in which the recovery gas is transported.
The above plurality of cooling chambers are formed through the main body in a direction parallel to the axis, and at least one of them is provided to communicate with a recovery line through which the recovery gas is transported and a resupply line through which the recovery gas is resupplied to the reaction chamber.
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the control unit controls the cooling chamber, which is performing cooling, to be connected to the recovery line and the resupply line by rotating the main body around the axis.
상기 제어부는, 회수 기체가 이송되는 냉각 챔버가 소정 시간 냉각 운전된 후, 상기 본체를 상기 축을 중심으로 회전시키는 것에 의해 상기 회수 라인이 냉각 운전이 예정된 다른 냉각 챔버와 연통되도록 제어하고, 상기 소정 시간 냉각 운전된 냉각 챔버에 대해서는 가열이 진행되도록 하여, 냉각으로 승화된 얼음을 액화시켜 제거하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 7,
The above control unit controls the recovery line to be connected to another cooling chamber scheduled for cooling operation by rotating the main body around the axis after the cooling chamber into which the recovery gas is transferred has been cooled for a predetermined period of time, and causes heating to proceed with the cooling chamber that has been cooled for the predetermined period of time, thereby liquefying and removing ice sublimated by cooling. A lithium sulfide manufacturing device.
상기 반응 챔버 내의 불활성기체를 배출하기 위해 상기 반응 챔버에 연결된 불활성기체 배출 라인을 더 포함하고,
상기 불활성기체 배출 라인은 상기 황화수소 공급부가 상기 반응 챔버 내에 황화수소를 공급하는 황화수소 공급 위치보다 상기 소정 방향의 상류측에 배치되는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 1,
Further comprising an inert gas discharge line connected to the reaction chamber to discharge the inert gas within the reaction chamber;
A lithium sulfide production device, wherein the above inert gas discharge line is positioned upstream in the predetermined direction from the hydrogen sulfide supply position where the hydrogen sulfide supply unit supplies hydrogen sulfide into the reaction chamber.
상기 반응 챔버 내에 설치되고, 상기 소정 방향을 가로지르는 방향을 따라 연장된 구획 플레이트를 더 포함하고,
상기 구획 플레이트는 상기 황화수소 공급 위치와 상기 불활성기체 배출 라인 사이에 설치된, 황화리튬 제조 장치.
In claim 9,
Further comprising a partition plate installed within the above reaction chamber and extending along a direction transverse to the above predetermined direction,
A lithium sulfide production device, wherein the above-mentioned partition plate is installed between the hydrogen sulfide supply location and the inert gas discharge line.
상기 구획 플레이트는, 상기 불활성기체 배출 라인과 인접한 반응 챔버 상단 위치에 구비되며, 유체가 유동하기 위한 공간이 마련되도록 상기 반응 챔버의 내측면에 설치된, 황화리튬 제조 장치.
In claim 10,
A lithium sulfide production device, wherein the above-mentioned partition plate is provided at an upper position of the reaction chamber adjacent to the inert gas discharge line and is installed on the inner surface of the reaction chamber so as to provide a space for the fluid to flow.
상기 황화수소 반응기는,
황화수소가 합성되기 위한 황화수소 반응 공간을 갖는 상기 황화수소 반응 챔버;
상기 황화수소 반응 챔버 내에 수용된 액체 유황에 수소 가스를 공급하도록 마련된 수소 가스 공급관; 및
상기 황화수소 반응 챔버 내에 수용된 액체 유황을 가열하도록 마련된 액체 유황 가열 장치를 포함하고,
상기 내측 챔버는 상기 황화수소 반응 공간을 갖는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 1,
The above hydrogen sulfide reactor is,
The hydrogen sulfide reaction chamber having a hydrogen sulfide reaction space for synthesizing hydrogen sulfide;
A hydrogen gas supply pipe provided to supply hydrogen gas to liquid sulfur contained in the hydrogen sulfide reaction chamber; and
Including a liquid sulfur heating device arranged to heat liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction chamber,
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the inner chamber has the hydrogen sulfide reaction space.
상기 액체 유황 가열 장치는, 상기 외측 챔버의 외면에 설치되어 상기 황화수소 반응 공간에 수용된 액체 유황을 간접적으로 가열하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 12,
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the liquid sulfur heating device is installed on the outer surface of the outer chamber and indirectly heats liquid sulfur contained in the hydrogen sulfide reaction space.
상기 액체 유황은 상기 황화수소 반응 공간 및 상기 이격 공간에 수용되고,
상기 액체 유황 가열 장치는 상기 이격 공간에 수용된 액체 유황을 매개로 상기 황화수소 반응 공간에 수용된 액체 유황을 가열하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 12,
The above liquid sulfur is contained in the hydrogen sulfide reaction space and the separation space,
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the liquid sulfur heating device heats the liquid sulfur accommodated in the hydrogen sulfide reaction space by means of the liquid sulfur accommodated in the separation space.
상기 황화수소 반응기는,
상기 황화수소 반응 공간에서 합성된 황화수소가 배출되기 위한 황화수소 배출구; 및
상기 내측 챔버의 내면에 형성되고, 상기 황화수소 반응 공간에서 합성된 황화수소가 상기 황화수소 배출구를 향해 직선 경로로 유동하지 않도록, 황화수소의 유동 경로를 상기 직선 경로보다 길어지게 변경하는 유로 변경 부재를 더 포함하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 12,
The above hydrogen sulfide reactor is,
A hydrogen sulfide discharge port for discharging hydrogen sulfide synthesized in the above hydrogen sulfide reaction space; and
A lithium sulfide production device further comprising a flow path changing member formed on the inner surface of the inner chamber and changing the flow path of hydrogen sulfide to be longer than the straight path so that hydrogen sulfide synthesized in the hydrogen sulfide reaction space does not flow in a straight path toward the hydrogen sulfide exhaust port.
상기 유로 변경 부재는, 일단부는 상기 내측 챔버의 내면에 결합되고 타단부는 상기 내측 챔버의 내면과 이격되도록 연장된 복수 개의 플레이트를 구비하고,
상기 복수 개의 플레이트는 수평 방향에 대해 하측으로 경사지도록 상기 내측 챔버의 내면으로부터 연장된, 황화리튬 제조 장치.
In claim 15,
The above euro change member comprises a plurality of plates, one end of which is joined to the inner surface of the inner chamber and the other end of which is extended so as to be spaced apart from the inner surface of the inner chamber.
A lithium sulfide manufacturing device, wherein the plurality of plates extend from the inner surface of the inner chamber so as to be inclined downward with respect to the horizontal direction.
상기 황화수소 반응기는, 상기 황화수소 반응 챔버에 장착되어 상기 내측 챔버와 함께 상기 황화수소 반응 공간을 형성하는 덮개 및 상기 덮개와 상기 황화수소 반응 챔버 사이에 위치하는 실링 부재를 더 포함하는, 황화리튬 제조 장치.
In claim 12,
A lithium sulfide production device, wherein the hydrogen sulfide reactor further includes a cover mounted in the hydrogen sulfide reaction chamber to form the hydrogen sulfide reaction space together with the inner chamber, and a sealing member positioned between the cover and the hydrogen sulfide reaction chamber.
상기 황화수소 반응기는, 상기 내측 챔버의 상측에 마련된 냉각 장치를 더 포함하는, 황화리튬 제조 장치.In claim 12,
A lithium sulfide production device, wherein the hydrogen sulfide reactor further includes a cooling device provided on the upper side of the inner chamber.
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