KR102692060B1 - Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 17
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 5
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 4
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910019794 NbN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 20
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- -1 ErSi1.7 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910011131 Li2B4O7 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015667 MoO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
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Abstract
표면탄성파 장치용 기판으로, 상기 기판은 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층을 포함하며, 상기 표면탄성파 장치의 표면탄성파는 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층 및 이를 매개로 하는 압전물질층을 통하여 전달되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치용 기판이 제공된다. A substrate for a surface acoustic wave device, wherein the substrate includes a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer, and the surface acoustic waves of the surface acoustic wave device are transmitted through the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer and a piezoelectric material layer using the same. A substrate for a surface acoustic wave device is provided.
Description
본 발명은 표면탄성파 장치용 기판 및 이를 포함하는 표면탄성파 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래에 표면탄성파 장치의 기판으로 사용해왔던 압전물질들보다 우수한 위상속도를 가진 물질인 결정질 육방정계 질화붕소를 표면탄성파 장치의 기판으로 정의함으로써 고주파수에서 동작할 수 있는 표면탄성파 장치용 기판 및 이를 포함하는 표면탄성파 장치를 제공한다. The present invention relates to a substrate for a surface acoustic wave device and a surface acoustic wave device including the same. More specifically, the present invention relates to a substrate for a surface acoustic wave device, and more specifically, to a substrate for a surface acoustic wave device, using crystalline hexagonal boron nitride, a material with a phase velocity superior to that of piezoelectric materials that have been conventionally used as substrates for surface acoustic wave devices. Provided is a substrate for a surface acoustic wave device capable of operating at high frequencies by defining it as a substrate for a surface acoustic wave device, and a surface acoustic wave device including the same.
표면탄성파(Surface Acoustic Wave, SAW) 장치는 TV에 사용되는 중간 주파수(Intermediate Frequency, IF) 필터부터 휴대폰의 원거리 통신에 사용되는 라디오 주파수(Radio Frequency, RF) 필터, 그리고 각종 센서까지 상업적 용도로 다양하게 활용되고 있다. 표면탄성파 장치는 많은 전자 장치와 무선 통신 시스템에 있어서 필수요소이다. 최근 다기능화, 소형화가 요구되면서 고성능의 표면탄성파 장치에 대한 수요가 증가하고 있으며 특히 통신 주파수 대역이 증가함에 따라 고주파 대역에서 작동하는 표면탄성파 장치가 요구되고 있다. 또한, 표면탄성파가 정상파(Standing Wave)를 이룰 때 인접한 고체 표면에 일정한 형태의 전위 장벽을 형성할 수 있으며 이러한 전위 장벽 내에 구속된 전하의 스핀을 이용하여 정보처리를 하는 스핀 정보처리 및 양자컴퓨터 등에 활용 범위가 넓다.Surface Acoustic Wave (SAW) devices have a wide range of commercial uses, from intermediate frequency (IF) filters used in TVs to radio frequency (RF) filters used in long-distance communication in mobile phones, and various sensors. It is widely used. Surface acoustic wave devices are essential elements in many electronic devices and wireless communication systems. Recently, as multifunctionality and miniaturization have been required, the demand for high-performance surface acoustic wave devices has increased. In particular, as communication frequency bands have increased, surface acoustic wave devices operating in high frequency bands are in demand. In addition, when a surface acoustic wave forms a standing wave, a certain type of potential barrier can be formed on the surface of an adjacent solid, and it can be used in spin information processing and quantum computers, which process information using the spin of charges bound within this potential barrier. The scope of use is wide.
이 장치는 일반적으로 인터디지털 트랜스듀서(Interdigital Transducer, IDT) 금속 전극과 탄성파의 생성과 전파의 매질이 되는 압전(Piezoelectric)물질로 구성된다. 압전효과는 전기적 신호를 기계적 신호로, 기계적 신호를 전기적 신호로 변환하는 기능을 한다. 구체적으로, 전기적 신호가 인터디지털 트랜스듀서 전극에 가해지면, 표면탄성파를 생성하는 압전물질 막의 기하학적 변형에 의해 기계적 스트레스가 유도되며, 이는 진행하는 표면탄성파로 변환되어 압전물질의 표면을 따라 전파한다. 기판 표면의 표면탄성파에 의해 전송되는 정보는 전파 경로 중 또 다른 인터디지털 트랜스듀서 전극들을 통해 기계적인 탄성파에서 전기적인 신호로 변환된다. 이때, 인가된 신호가 전기적 신호에서 기계적 신호로, 기계적 신호에서 전기적 신호로 서로 변환되는 효율은 전기기계 결합 계수(Electromechanical coupling coefficient, K2)로 표현된다. 이러한 표면탄성파 장치가 동작하는 중심 주파수(f 0 )는 다음의 계산식으로 표현된다. This device generally consists of an interdigital transducer (IDT) metal electrode and a piezoelectric material that serves as a medium for the generation and propagation of elastic waves. The piezoelectric effect functions to convert electrical signals into mechanical signals and mechanical signals into electrical signals. Specifically, when an electrical signal is applied to the interdigital transducer electrode, mechanical stress is induced by geometric deformation of the piezoelectric material film, which generates surface acoustic waves, which are converted into traveling surface acoustic waves and propagate along the surface of the piezoelectric material. Information transmitted by surface acoustic waves on the surface of the substrate is converted from mechanical elastic waves to electrical signals through other interdigital transducer electrodes in the propagation path. At this time, the efficiency with which the applied signal is converted from an electrical signal to a mechanical signal and from a mechanical signal to an electrical signal is expressed as an electromechanical coupling coefficient (K 2 ). The center frequency ( f 0 ) at which this surface acoustic wave device operates is expressed by the following calculation formula.
f 0 = v 0 /λ f 0 = v 0 /λ
따라서 동작 주파수는 탄성파의 속도(v 0 )와 인터디지털 트랜스듀서 전극의 파장(λ)에 의해 결정된다. 최근 급격히 증가하는 정보 전송량과 함께 표면탄성파 장치의 고주파 동작이 요구되고, 수십 GHz와 같은 더 높은 주파수에서 동작하는 장치를 개발하기 위해 많은 연구가 진행 중이다. 중심 주파수를 증가시키기 위해서는 탄성파의 속도를 증가시키거나 탄성파의 파장에 해당하는 인터디지털 트랜스듀서 전극의 주기인 전극 간의 간격을 감소시키는 방법이 있다. 하지만, 전극의 크기 및 전극 간의 간격을 감소시키는 것은 인터디지털 트랜스듀서 금속 등을 형성하기 위한 공정상의 한계로 인해 수십 nm 이하로는 달성하기 힘들고, 양산 시 제작 신뢰성에서 많은 문제를 겪는다.Therefore, the operating frequency is determined by the speed of the elastic wave ( v 0 ) and the wavelength ( λ ) of the interdigital transducer electrode. Recently, with the rapidly increasing amount of information transmission, high-frequency operation of surface acoustic wave devices is required, and much research is in progress to develop devices that operate at higher frequencies such as tens of GHz. In order to increase the center frequency, there are ways to increase the speed of the elastic wave or reduce the gap between electrodes, which is the period of the interdigital transducer electrodes corresponding to the wavelength of the elastic wave. However, reducing the size of the electrodes and the spacing between electrodes is difficult to achieve below several tens of nm due to limitations in the process for forming interdigital transducer metal, etc., and many problems are encountered in manufacturing reliability during mass production.
이러한 이유로 기존의 물질을 활용하여 수십 GHz 대역에 도달하기 위해, 중심 주파수 외에 탄성파의 속도가 빠른 물질 위에 상대적으로 탄성파의 속도가 느린 물질이 적층된 구조(slow-on-fast)에서 나타나는 고조파(Higher-order mode)를 활용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이 모드를 발생시키기 위해 다이아몬드나 사파이어와 같은 탄성파의 속도가 빠른 물질을 압전물질의 기판으로 적용하는데, 이런 경우 비용적 문제와 공정상의 어려움으로 양산화가 힘들 뿐만 아니라, 전기기계 결합계수가 감소하는 경향이 나타나는 단점이 있다. 또한, 현재 주로 사용되거나 연구되고 있는 압전물질인 LiNbO3(LN), LiTaO3(LT), ZnO, AlN를 활용한 경우, 위상속도의 한계로 30 GHz 근방에 이르는 5G 대역 통신 등에 활용되기에는 한계가 있다.For this reason, in order to reach the tens of GHz band using existing materials, harmonics (higher harmonics) that appear in a structure (slow-on-fast) in which a material with a relatively slow elastic wave speed is layered on top of a material with a high elastic wave speed in addition to the center frequency. Research utilizing -order mode) is actively underway. To generate this mode, a material with a high elastic wave speed, such as diamond or sapphire, is applied as a piezoelectric material substrate. In this case, not only is mass production difficult due to cost issues and processing difficulties, but the electromechanical coupling coefficient tends to decrease. There is a downside to this. In addition, when LiNbO3(LN), LiTaO3(LT), ZnO, and AlN, which are currently mainly used or researched piezoelectric materials, are used, there are limits to their use in 5G band communications up to around 30 GHz due to limitations in phase speed. .
따라서, 소형화, 다기능화 및 고주파 대역에서 대용량의 정보처리가 요구되는 IoT 시대에 더 빠르고 많은 정보를 처리하기 위해 기존 표면탄성파 장치의 한계를 극복하기 위한 성능 향상이 요구되고 있다.Therefore, in the IoT era where miniaturization, multi-functionality, and large-capacity information processing in high-frequency bands are required, performance improvement is required to overcome the limitations of existing surface acoustic wave devices in order to process more information faster.
더 나아가, 종래에 표면탄성파 장치의 기판으로 사용해왔던 압전물질들보다 우수한 위상속도를 가진 물질인 결정질 육방정계 질화붕소를 표면탄성파 장치의 기판으로 정의함으로써 고주파수에서 동작할 수 있는 표면탄성파 장치를 본 발명자는 연구하였으나, 직접적인 압전물질로 사용할 경우에는 고조파를 발생시키는 데에 한계가 있다.Furthermore, the inventors of the present invention studied a surface acoustic wave device capable of operating at high frequencies by defining crystalline hexagonal boron nitride, a material having a phase velocity superior to that of piezoelectric materials that have been conventionally used as substrates for surface acoustic wave devices, as the substrate for surface acoustic wave devices. However, there is a limit to generating harmonics when used directly as a piezoelectric material.
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3. 중국특허공개, 2012100615003. Chinese Patent Publication, 201210061500
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 훨씬 더 향상된 고주파수에서 동작하는 표면탄성파 장치용 기판과 이를 포함하는 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to provide a substrate for a surface acoustic wave device operating at a much improved high frequency and a device including the same.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 표면탄성파 장치용 기판으로,상기 기판은 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층; 상기 질화붕소층에 적층된 압전물질층; 및 상기 압전물질층에 적층된 전극을 포함하며, 상기 육방정계 질화붕소층과 상기 압전물질층 사이의 게면 구조로부터 고조파가 형성되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치용 기판을 제공한다. In order to solve the above problem, the present invention is a substrate for a surface acoustic wave device, the substrate comprising a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer; A piezoelectric material layer laminated on the boron nitride layer; and an electrode laminated on the piezoelectric material layer, wherein harmonic waves are formed from a surface structure between the hexagonal boron nitride layer and the piezoelectric material layer.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표면탄성파 장치의 표편탄성파의 속도는, 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층에서의 속도가 상기 압전물질층에서의 속도보다 빠르다. In one embodiment of the present invention, the speed of the surface acoustic wave of the surface acoustic wave device is faster in the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer than in the piezoelectric material layer.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층은 인프레인-플레인(In-plane) 방향의 19000m/s에 이르는 위상속도가 가능하다. In one embodiment of the present invention, the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer is capable of a phase speed of up to 19000 m/s in the in-plane direction.
본 발명은 또한 표면탄성파 장치로서, 기판; 상기 기판 상에 적층 되어 표면탄성파를 유도하는 입력 트랜스듀서; 및 상기 기판 상에 적층 되어 상기 기판에서 유도된 상기 표면탄성파를 검출하기 위한 출력 트랜스듀서를 포함하며, 상기 기판은 상술한 기판인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치를 제공한다. The present invention also provides a surface acoustic wave device, comprising: a substrate; an input transducer that is stacked on the substrate and induces surface acoustic waves; and an output transducer stacked on the substrate to detect the surface acoustic waves induced in the substrate, wherein the substrate is the above-described substrate.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 인터디지털 타입 트랜스듀서이며, 상기 입력 트랜스듀서는 전위차를 인가하여 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층에 규칙적인 수축과 팽창을 야기하여 표면탄성파를 유도하며, 상기 출력 트랜스듀서는 상기 표면탄성파에 의하여 야기되는 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층의 전위차를 읽는다. In one embodiment of the present invention, the input transducer and the output transducer are interdigital type transducers, and the input transducer applies a potential difference to cause regular contraction and expansion in the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer. Surface acoustic waves are induced, and the output transducer reads the potential difference of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer caused by the surface acoustic waves.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 입력 트랜스듀서 또는 출력 트랜스듀서는 Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, 도핑 NiSi, TaSiN, ErSi1.7, PtSi, WSi2, NbN 정도성 세라믹, 도핑 Si, Ge, III-V 화합물 반도체 및 이들의 조합을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the input transducer or output transducer is Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, doped Includes NiSi, TaSiN, ErSi1.7, PtSi, WSi2, NbN precision ceramics, doped Si, Ge, III-V compound semiconductors, and combinations thereof.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 지지기판은 상부에 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층의 절연성에 영향을 주지 않으며, 상기 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층을 전부 또는 일부를 상기 지지기판의 상부 또는 하부로 노출시키는 형태이다. In one embodiment of the present invention, the support substrate does not affect the insulation of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer laminated on the top, and supports all or part of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer. It is exposed to the top or bottom of the substrate.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표면탄성파 장치는 중심 주파수가 26.5 GHz ~ 40 GHz 내에 있다. In one embodiment of the present invention, the surface acoustic wave device has a center frequency within a range of 26.5 GHz to 40 GHz.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 인터디지털 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 쌍으로 복수 개 구성되며, 한 상의 입력 및 출력 트랜스듀서 각각의 치수는 상이하다. In one embodiment of the present invention, the interdigital input transducer and output transducer are composed of a plurality of pairs, and the dimensions of each input and output transducer of one phase are different.
본 발명은 또한 상술한 표면탄성파 장치를 포함하는 고주파 필터, 반도체 칩간 통신장치 및 양자 및 스핀 정보처리 장치를 제공한다. The present invention also provides a high-frequency filter, a semiconductor inter-chip communication device, and a quantum and spin information processing device including the surface acoustic wave device described above.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 양자 및 스핀 정보처리 장치는 상기 표면탄성파 장치로부터의 발생하는 적어도 2개의 표면탄성파에 의한 정상파를 형성하며, 상기 양자 및 스핀 정보처리 장치는, 상기 정상파로부터 형성되는 인접 반도체 혹은 준금속의 국부적인 전위 장벽에 의하여 구속된 전하의 고유 에너지 상태와 스핀을 이용하여 정보를 저장하고 읽는다. In one embodiment of the present invention, the quantum and spin information processing device forms a standing wave by at least two surface acoustic waves generated from the surface acoustic wave device, and the quantum and spin information processing device forms a standing wave from the standing wave. Information is stored and read using the intrinsic energy state and spin of the charge bound by the local potential barrier of an adjacent semiconductor or metalloid.
본 발명에 따르면, 종래에 표면탄성파 장치에 사용해왔던 압전물질들보다 우수한 위상속도를 가진 물질인 결정질 육방정계 질화붕소를 표면탄성파 장치의 기판으로 정의함으로써 고주파수에서 동작할 수 있는 표면탄성파 장치를 구현할 수 있다. 현재 기존 물질을 활용한 상용의 표면탄성파 장치는 3 GHz 정도가 동작의 한계로 여겨지는데 본 발명은 기본파의 중심 주파수가 20 GHz를 상회하며, 고조파를 이용할 경우 V-band(40 ~ 75 GHz) 대역에서 동작이 가능한 표면탄성파 장치를 제공한다.According to the present invention, a surface acoustic wave device that can operate at high frequencies can be implemented by defining crystalline hexagonal boron nitride, a material with a phase velocity superior to that of piezoelectric materials that have been used in surface acoustic wave devices conventionally, as a substrate for the surface acoustic wave device. there is. Currently, commercial surface acoustic wave devices using existing materials are considered to have an operation limit of about 3 GHz, but the present invention has a center frequency of the fundamental wave exceeding 20 GHz, and when using harmonics, it operates in the V-band (40 ~ 75 GHz). A surface acoustic wave device capable of operating in a band is provided.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치의 동작을 설명하는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 고주파 필터를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 파의 속도가 느린 압전물질층을 결정질 육방정계 질화붕소층 상에 적층하여 고조파를 구현한 제 3 실시예의 표면탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치의 동작을 설명하는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고주파 필터 인터디지털 트랜스듀서 구성요소에 관한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고주파 필터의 표면탄성파가 생성 및 전파되는 결정질 육방정계 질화붕소의 결정 모형이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 가해진 전압에 대하여 압전현상에 의해 일어난 매질의 기본 공진주파수에서의 변위장을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 8 구조에 대해 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 신호 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단와 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 가해진 전압에 대하여 압전현상에 의해 일어난 매질의 기본 공진주파수에서의 변위장을 나타낸다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 10의 고주파 필터의 주파수 응답 특성이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 10의 고주파 필터의 S-파라미터 분석 결과이다.
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 압전물질로 LiNbO3를 사용하였을 때 기본 공진주파수에서의 변위장 분포를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단과 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 기본 공진주파수에서의 변위장 분포를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서도 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 압전물질로 LiNbO3를 사용하였을 때 첫 번째 고조파에서의 변위장 분포를 나타낸다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 14의 구조에 대해 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단과 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 첫 번째 고조파에서의 변위장 분포를 나타낸다.
도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 13과 도 15의 고주파 필터에서 압전물질층에 LiNbO3와 LiTaO3를 사용했을 때의 주파수 응답 특성이다.
도 17은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 13과 도 15의 고주파 필터에서 압전물질층에 LiNbO3와 LiTaO3를 사용했을 때의 S-파라미터 분석 결과이다.
도 18은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기존의 표면탄성파 장치 물질별 최대 고유진동수 및 이들의 전기기계 결합계수를 비교한 표이다.
도 19는 밀도범함수이론으로 계산된 음향 양자의 분산 관계 즉, 파수와 에너지와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 20은 본 발명에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 반도체 칩 간 고속 통신장치의 개념도이다.
도 21은 본 발명에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 양자 및 스핀 정보처리 장치의 개념도이다.
도 22는 본 발명의 도 21에서 설명한 1차원 표면탄성파에 양자 및 스핀 정보 처리장치를 2차원 형태로 확장한 개념도이다. Figure 1 is a cross-sectional view showing a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a conceptual diagram explaining the operation of a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the first embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a high-frequency filter utilizing a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride-based surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a surface acoustic wave device of a third embodiment in which harmonic waves are realized by stacking a piezoelectric material layer with a slow wave speed on a crystalline hexagonal boron nitride layer according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a conceptual diagram explaining the operation of a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to a third embodiment of the present invention.
Figure 6 is a plan view of a high-frequency filter interdigital transducer component according to a second embodiment of the present invention.
Figure 7 is a crystal model of crystalline hexagonal boron nitride in which surface acoustic waves of a high-frequency filter according to the second embodiment of the present invention are generated and propagated.
Figure 8 is a simulation result of a periodic interdigital transducer of a high-frequency filter according to the second embodiment of the present invention with one wavelength as a unit, and shows the displacement field at the basic resonant frequency of the medium caused by the piezoelectric phenomenon with respect to the applied voltage. .
Figure 9 is a simulation result of interdigital transducers for inducing surface acoustic waves of a high-frequency filter and detecting surface acoustic wave signals for the structure of Figure 8 according to the second embodiment of the present invention, arranged in pairs at the input and output ends, and showing the piezoelectric effect with respect to the applied voltage. It represents the displacement field at the fundamental resonant frequency of the medium caused by the phenomenon.
Figure 10 shows the frequency response characteristics of the high-frequency filter of Figure 10 according to the second embodiment of the present invention.
Figure 11 shows the S-parameter analysis results of the high-frequency filter of Figure 10 according to the second embodiment of the present invention.
Figure 12 is a simulation result based on one wavelength of the periodic interdigital transducer of the high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention, and shows the displacement field distribution at the basic resonance frequency when LiNbO3 is used as the piezoelectric material.
Figure 13 is a simulation result of interdigital transducers for inducing surface acoustic waves and detecting surface acoustic waves of a high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention, arranged in pairs at the input and output ends, and shows the distribution of the displacement field at the basic resonant frequency. .
Figure 14 is a simulation result of a periodic interdigital transducer of a high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention with one wavelength as a unit, and shows the displacement field distribution at the first harmonic when LiNbO3 is used as a piezoelectric material.
Figure 15 is a simulation result in which interdigital transducers for inducing surface acoustic waves and detecting surface acoustic waves of a high-frequency filter are placed in pairs at the input and output stages for the structure of Figure 14 according to the third embodiment of the present invention, and shows the results of the simulation at the first harmonic. It represents the displacement field distribution.
Figure 16 shows frequency response characteristics when LiNbO3 and LiTaO3 are used in the piezoelectric material layer in the high frequency filter of Figures 13 and 15 according to the third embodiment of the present invention.
Figure 17 shows the results of S-parameter analysis when LiNbO3 and LiTaO3 are used in the piezoelectric material layer in the high frequency filter of Figures 13 and 15 according to the third embodiment of the present invention.
Figure 18 is a table comparing the maximum natural frequencies and electromechanical coupling coefficients of two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the third embodiment of the present invention and existing surface acoustic wave device materials.
Figure 19 is a graph showing the dispersion relationship between acoustic quantum calculated using density functional theory, that is, the relationship between wave number and energy.
Figure 20 is a conceptual diagram of a high-speed communication device between semiconductor chips using a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the present invention.
Figure 21 is a conceptual diagram of a quantum and spin information processing device using two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride and a surface acoustic wave device based on the present invention.
FIG. 22 is a conceptual diagram of expanding the quantum and spin information processing device to the one-dimensional surface acoustic wave described in FIG. 21 of the present invention into a two-dimensional form.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.While the invention is susceptible to various modifications and variations, specific embodiments thereof are illustrated in the drawings and will be described in detail below. However, it is not intended to limit the invention to the particular form disclosed, but rather, the invention is intended to cover all modifications, equivalents and substitutions consistent with the spirit of the invention as defined by the claims. While describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another element, it may be present directly on the other element or there may be intermediate elements in between. .
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the present application, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. No.
본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나, 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 그 기준에 따라 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며 절대적인 방향을 의미하는 것으로 한정 해석되어서는 안 된다.When a layer is referred to herein as being “on” another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or there may be a third layer interposed between them. In addition, in this specification, directional expressions such as top, upper (part), upper surface, etc. may be understood to mean lower, lower (lower), lower surface, etc. depending on the standard. In other words, the expression of spatial direction should be understood as a relative direction and should not be limited to mean an absolute direction.
이하 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하 도면상의 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조부호를 사용하고, 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Hereinafter, the same reference numerals will be used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions of the same components will be omitted.
본 발명은 표면탄성파 기판으로 2차원 결정질 육방정계 질화붕소를 포함하며, 이로써 새로운 고주파 표면탄성파 장치를 구현할 수 있다. The present invention includes two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride as a surface acoustic wave substrate, thereby enabling the implementation of a new high-frequency surface acoustic wave device.
본 발명은 더 나아가, 결정질 육방정계 질화붕소는 매우 단단한 물질이기 때문에 음속이 빨라 기본 공진주파수는 높을 수 있지만, 압전효과가 약하고, 입력 신호가 압전효과에 의해 전기적 신호로 얼마나 전환되는지를 나타내는 전기기계 결합계수 (Electromechanical coupling coefficient, K2) 값이 비교적 낮아지는 문제를 해결하기 위하여, 별도의 압전물질층을 결정질 육방정계 질화붕소층 상에 적층한다. 이로써 파의 속도가 빠른 물질층(h-BN)과 파의 속도가 느린 물질층(압전물질층) 간 계면에서 고조파(High-order modes)를 구현하여 매우 높은 동작주파수와 함께 향상된 전기적 신호 검출 특성이라는 효과를 갖는다. The present invention further provides that since crystalline hexagonal boron nitride is a very hard material, the speed of sound is fast, so the fundamental resonance frequency can be high, but the piezoelectric effect is weak, and an electric machine that indicates how much an input signal is converted into an electrical signal by the piezoelectric effect In order to solve the problem of relatively low electromechanical coupling coefficient (K2) value, a separate piezoelectric material layer is stacked on the crystalline hexagonal boron nitride layer. This realizes harmonics (high-order modes) at the interface between the material layer with high wave speed (h-BN) and the material layer with slow wave speed (piezoelectric material layer), resulting in very high operating frequency and improved electrical signal detection characteristics. It has the effect of
제 1 실시예Example 1
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치를 도시한 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view showing a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to a first embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판은 지지기판(30)과 상기 지지기판(30) 상에 적층되어 노출된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate according to an embodiment of the present invention includes a support substrate 30 and a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10 laminated on the support substrate 30 and exposed.
즉, 본 발명에서 '기판'은 지지기판(30)과 상기 지지기판 상에 구비되어 규칙적인 수축과 팽창을 야기하여 표면탄성파를 유도하거나, 표면탄성파에 의해 야기되는 공간 및 시간적으로 규칙적인 전위차를 발생시키는 질화붕소층(10)을 포함한다. That is, in the present invention, the 'substrate' is provided on the support substrate 30 and causes regular contraction and expansion to induce surface acoustic waves, or to generate regular spatial and temporal potential differences caused by surface acoustic waves. It includes a boron nitride layer (10).
본 발명은 또한 이러한 기판을 포함하는 표면탄성파 장치를 제공한다. The present invention also provides a surface acoustic wave device including such a substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 장치는, 단일층 혹은 다수층의 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10); 상기 질화붕소층(10)에 공간 및 시간적으로 규칙적인 전위차를 가하여 이에 의해 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10)에 규칙적인 수축과 팽창을 야기하여 표면탄성파를 유도하거나 혹은 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10)에 진행하는 표면탄성파에 의해 야기되는 공간 및 시간적으로 규칙적인 전위차를 읽어 들이기 위한 인터디지털 타입의 입력 및 출력 트랜스듀서 전극들(20); 및 질화붕소층(10)과 인터디지털 트랜스듀서 전극들(20)을 지지하기 위한 지지기판(30)으로 구성된다. A surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention includes a single-layer or multi-layer two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer (10); A spatially and temporally regular potential difference is applied to the boron nitride layer 10, thereby causing regular contraction and expansion of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10, thereby inducing surface acoustic waves or two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10. Interdigital type input and
본 발명에서 상기 지지기판(30)은 상부에 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10)의 절연성에 영향을 주지 않으며, 상기 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층을 전부 또는 일부를 상기 지지기판의 상부 또는 하부로 노출시켜, 표면탄성파를 지지기판(30)에 의하여 지지되는 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10)에서 진행되게 한다. In the present invention, the support substrate 30 does not affect the insulation of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10 laminated on the top, and all or part of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10 is laminated thereon. By exposing the top or bottom of the support substrate, surface acoustic waves are allowed to propagate in the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10 supported by the support substrate 30.
또한 상기 입력 트랜스듀서 또는 출력 트랜스듀서는 Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, 도핑 NiSi, TaSiN, ErSi1.7, PtSi, WSi2, NbN 정도성 세라믹, 도핑 Si, Ge, III-V 화합물 반도체 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.In addition, the input transducer or output transducer may be Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, doped NiSi, TaSiN, ErSi1.7 , PtSi, WSi2, NbN precision ceramics, doped Si, Ge, III-V compound semiconductors, and combinations thereof.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치의 동작을 설명하는 개념도이다. 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 막(10) 위에 표면탄성파 유도용 인터디지털 트랜스듀서 전극(210)과 유도된 표면탄성파가 진행하는 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 막 상의 채널 영역(110) 진행하는 표면탄성파를 검출하는 인터디지털 트랜스듀서 전극(210)으로 구성되며 의도하지 않은 표면탄성파의 진행, 반사, 혹은 산란에 의한 신호의 간섭을 방지하기 위하여 표면탄성파를 감쇠시키는 흡수하거나 반사하는 층(230, 240)을 포함할 수 있다. 또한, 위의 구성요소들은 표면탄성파 장치의 동작에 필요한 물리적 특성을 방해하지 않는 다양한 형태의 지지 기판(30) 위에 놓일 수 있다.Figure 2 is a conceptual diagram explaining the operation of a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the first embodiment of the present invention. Surface acoustic waves traveling through the interdigital transducer electrode 210 for inducing surface acoustic waves on a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride film 10 and a channel region 110 on the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride film through which the induced surface acoustic waves travel. It consists of an interdigital transducer electrode 210 that detects and absorbs or reflects layers 230 and 240 that attenuate surface acoustic waves to prevent signal interference due to unintended progression, reflection, or scattering of surface acoustic waves. may include. Additionally, the above components can be placed on various types of support substrates 30 that do not interfere with the physical properties required for operation of the surface acoustic wave device.
본 발명은 더 나아가 질소와 붕소에서 동위원소 비율에 따라 표면탄성파의 진행 특성(예를 들어 감쇠 여부) 등을 제어할 수 있는 장점을 가진다. 붕소의 경우 자연계에 안정적인 동위원소가 높은 비율( 10B:11B = 20:80 )로 존재하며 질소의 경우 비율은 낮으나 ( 14N:15N = 99.6:0.4 ) 반감기가 긴 안정적인 동위원소가 존재한다. 동위원소는 전기적 결합에서는 동일하나 중성자의 수 차이에 따른 질량 차이를 지닌다. 결정을 이루는 동종의 원자들의 서로 다른 질량을 지니며 이들의 무작위성이 증가함에 따라 표면탄성파의 산란에 의한 빠른 감쇠 요인으로 작용한다. 따라서 붕소와 질소의 동위원소 분리를 통해 동일한 원자량을 지니는 붕소나 질소로 이루어진 질화붕소 층인 경우 표면탄성파의 감쇠 저하를 통한 긴 전달 거리 특성을 가질 수 있다. 또한, 질량이 작은 10B와 14N만으로 이루어진 육방정계 질화붕소의 경우 동일한 결합력에 대해 질량이 감소하므로 위상속도를 향상시킬 수 있다. 소위 질량 결함- 동위원소 간 질량 차(mass defect) - 에 의해 일어나는 산란이 최대화될 때 표면탄성파의 감쇠 정도 또한 최대화 될 수 있는데 이는 동위원소의 비율을 각각 50%에 근접한 비율로 조절할 때 발생하며 표면탄성파의 진행을 막는 흡수층의 용도로 활용될 수 있다. 따라서 이는 원하는 소자 특성에 따라 동위원소 성분 비율 조절에 따라 탄성파 특성을 제어할 수 있음을 의미한다.The present invention further has the advantage of being able to control the propagation characteristics (for example, attenuation) of surface acoustic waves according to the isotope ratio of nitrogen and boron. In the case of boron, stable isotopes exist in nature in a high ratio (10B:11B = 20:80), and in the case of nitrogen, the ratio is low (14N:15N = 99.6:0.4), but stable isotopes with long half-lives exist. Isotopes are identical in electrical bonding, but have differences in mass due to differences in the number of neutrons. The atoms of the same species that make up the crystal have different masses, and as their randomness increases, they act as a factor in rapid attenuation due to scattering of surface acoustic waves. Therefore, in the case of a boron nitride layer made of boron or nitrogen with the same atomic weight through isotope separation of boron and nitrogen, it can have long transmission distance characteristics through reduced attenuation of surface acoustic waves. In addition, in the case of hexagonal boron nitride consisting of only 10B and 14N, which have a small mass, the phase speed can be improved because the mass decreases for the same bonding force. When the scattering caused by so-called mass defects - mass defects between isotopes - is maximized, the degree of attenuation of surface acoustic waves can also be maximized. This occurs when the ratio of isotopes is adjusted to a ratio close to 50% each, and the surface It can be used as an absorption layer to block the progression of elastic waves. Therefore, this means that elastic wave characteristics can be controlled by adjusting the isotope component ratio according to the desired device characteristics.
제 2 실시예Second Embodiment
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 고주파 필터를 도시한 단면도이다. 입력 신호를 표면탄성파로 변환하는 인터디지털 트랜스듀서 전극에 RF 신호가 인가되면 설계된 인터디지털 트랜스듀서와 2차원 결정질 육방정계 질화붕소가 이루는 고유진동수에 해당하는 신호만 진행하는 표면탄성파로 변환된다. Figure 3 is a cross-sectional view showing a high-frequency filter utilizing a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride-based surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention. When an RF signal is applied to the interdigital transducer electrode that converts the input signal into a surface acoustic wave, it is converted into a surface acoustic wave that propagates only the signal corresponding to the natural frequency of the designed interdigital transducer and the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride.
진행하는 표면탄성파가 일정 간격으로 이격된 출력 인터디지털 트랜스듀서 전극에 도달하면 이는 다시 전기 신호로 변환되어 출력 RF 신호로 검출된다. 기술된 과정을 통해 입력단에 넓은 대역폭의 RF 신호가 인가되더라도 인터디지털 트랜스듀서와 2차원 결정질 육방정계 질화붕소가 이루는 고유진동수에 영역에 해당하는 신호만을 분리하여 출력 신호로 변환할 수 있으므로 이는 입력 RF 신호에 대한 대역 필터로 동작한다.When the traveling surface acoustic wave reaches the output interdigital transducer electrodes spaced at regular intervals, it is converted into an electrical signal and detected as an output RF signal. Through the described process, even if a wide bandwidth RF signal is applied to the input terminal, only the signal corresponding to the natural frequency region formed by the interdigital transducer and the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride can be separated and converted into an output signal, which is the input RF signal. It operates as a bandpass filter for the signal.
제 3 실시예Third Example
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 파의 속도가 느린 압전물질층(310)을 육방정계 질화붕소층(10) 상에 적층하여 고조파를 구현한 제 3 실시예의 표면탄성파 장치를 도시한 단면도이다.Figure 4 shows a surface acoustic wave device of a third embodiment in which harmonic waves are realized by stacking a piezoelectric material layer 310 with a slow wave speed on a hexagonal boron nitride layer 10 according to another embodiment of the present invention. This is a cross-sectional view.
도 4에서는 도 1과 동일한 방식으로 기판(30)-육방정계 질화붕소(10)-인터디지털 트랜스듀서(20)를 적층하나, 육방정계 질화붕소층(10) 상에 다른 압전물질(310)을 추가로 적층하였다. In FIG. 4, the substrate 30 - hexagonal boron nitride (10) -
또한, 상기 압전물질(410)은 a-AlPO4, Quartz, LiNbO3, LiTaO3, SrxBayNb2O8, Pb5-Ge3O11, Tb2(MoO4)3, Li2B4O7, Bi12SiO20, Bi12GeO20, PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계, BaTiO3, ZnO, Cds, AlN 등을 포함할 수 있다. 이후 제 2 실시예와 동일한 방식으로 동작한다. In addition, the piezoelectric material 410 includes a-AlPO4, Quartz, LiNbO3, LiTaO3, SrxBayNb2O8, Pb5-Ge3O11, Tb2(MoO4)3, Li2B4O7, Bi12SiO20, Bi12GeO20, PZT-based, PT-based, PZT-Complex Perovskite-based, BaTiO3 , ZnO, Cds, AlN, etc. Thereafter, it operates in the same manner as in the second embodiment.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 기반의 표면탄성파 장치의 동작을 설명하는 개념도이다.Figure 5 is a conceptual diagram explaining the operation of a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to a third embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 전극(210, 220)과 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층(10) 사이에 별도의 압전물질층이 형성된 것을 알 수 있다. 이로써 느린 속도의 압전물질층(310)과 2차원 결정질 육방정계 계면을 이용한 고조파를 구현할 수 있다. Referring to FIG. 5, it can be seen that a separate piezoelectric material layer is formed between the electrodes 210 and 220 and the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer 10. As a result, it is possible to implement harmonics using the slow-speed piezoelectric material layer 310 and the two-dimensional crystalline hexagonal interface.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 따른 고주파 필터 인터디지털 트랜스듀서 구성요소에 관한 평면도이다. 인터디지털 트랜스듀서는 신호 입력을 통한 표면탄성파의 유도용(410)과 표면탄성파의 검출을 통한 출력용(420)의 쌍으로 구성되며, 각각의 인터디지털 트랜스듀서는 고유진동수의 주기에 일치하는 일정한 간격(411, 421)으로 배치된 전극들로 구성된다. 즉, 각 인터디지털 트랜스듀서 한 쌍의 전극의 길이(412, 422) 및 인터디지털 트랜스듀서들 간의 간격(430)과 같은 치수(dimension)의 경우 신호의 전송 및 검출의 최적 조건을 따라 달리 설계될 수 있다.Figure 6 is a plan view of a high-frequency filter interdigital transducer component according to the second and third embodiments of the present invention. The interdigital transducer consists of a pair (410) for inducing surface acoustic waves through signal input and (420) for outputting surface acoustic waves through detection, and each interdigital transducer has a regular interval corresponding to the period of the natural frequency. It consists of electrodes arranged at (411, 421). In other words, in the case of dimensions such as the lengths (412, 422) of the electrodes of each interdigital transducer pair and the gap (430) between the interdigital transducers, they can be designed differently according to the optimal conditions for signal transmission and detection. You can.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고주파 필터의 표면탄성파가 생성 및 전파되는 결정질 육방정계 질화붕소의 결정 모형이다.Figure 7 is a crystal model of crystalline hexagonal boron nitride in which surface acoustic waves of a high-frequency filter according to the second embodiment of the present invention are generated and propagated.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 가해진 전압에 대하여 압전현상에 의해 일어난 매질의 기본 공진주파수에서의 변위장을 나타낸다. 파장과 일치하는 수축 팽창이 일어나 탄성파의 형태로 진행됨을 확인할 수 있다. 4 nm 두께의 결정질 육방정계 질화붕소가 SiO2로 이루어진 절연기판 위에 놓여 있고, 높이와 너비가 각각 10 nm, 20 nm인 두 개의 전극이 55 nm 간격으로 배열되어 150 nm의 파장을 갖는 구조가 하나의 주기를 형성한다. 도 8의 구조에 대하여 기본파의 고유진동수는 23.195 GHz에 이른다.Figure 8 is a simulation result of a periodic interdigital transducer of a high-frequency filter according to the second embodiment of the present invention with one wavelength as a unit, and shows the displacement field at the basic resonant frequency of the medium caused by the piezoelectric phenomenon with respect to the applied voltage. . It can be confirmed that contraction and expansion that match the wavelength occur and proceed in the form of an elastic wave. 4 nm thick crystalline hexagonal boron nitride is placed on an insulating substrate made of SiO2, and two electrodes with a height and width of 10 nm and 20 nm, respectively, are arranged at 55 nm intervals to form a structure with a wavelength of 150 nm. Forms a cycle. For the structure of Figure 8, the natural frequency of the fundamental wave reaches 23.195 GHz.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 8 구조에 대해 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 신호 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단와 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 가해진 전압에 대하여 압전현상에 의해 일어난 매질의 기본 공진주파수에서의 변위장을 나타낸다. 표면탄성파 유도용 인터디지털 트랜스듀서에서 인가된 전압이 압전현상에 의해 파장과 일치하는 수축 팽창하는 탄성파의 형태로 진행되어 검출용 인터디지털 트랜스듀서에 전달됨을 확인할 수 있다. Figure 9 is a simulation result of interdigital transducers for inducing surface acoustic waves of a high-frequency filter and detecting surface acoustic wave signals for the structure of Figure 8 according to the second embodiment of the present invention, arranged in pairs at the input and output ends, and showing the piezoelectric effect for the applied voltage. It represents the displacement field at the fundamental resonant frequency of the medium caused by the phenomenon. It can be confirmed that the voltage applied from the interdigital transducer for inducing surface acoustic waves proceeds in the form of an elastic wave that expands and contracts in accordance with the wavelength due to the piezoelectric phenomenon and is transmitted to the interdigital transducer for detection.
양단에 각각의 인터디지털 트랜스듀서는 50개의 금속 전극으로 이루어져 있으며 왼편이 표면탄성파 유도, 오른편이 표면탄성파 검출용이다. Each interdigital transducer at both ends consists of 50 metal electrodes, with the left side for inducing surface acoustic waves and the right side for surface acoustic wave detection.
무한히 주기가 반복되는 도 8의 시뮬레이션과 비교하여 도 9와같이 전극의 개수가 유한해질 때 경계면 및 근접한 인터디지털 트랜스듀서와의 간섭에 의하여 시스템의 고유진동수가 변화하게 된다. 도 10의 시뮬레이션 구조의 고유진동수는 23.094 GHz에 이르며 23.195 GHz에 비하여 미약하게 감소하였으나 다른 물질에 비해 매우 우수한 성능을 보인다. 또한, 전극의 크기, 간격 및 주기를 조절함으로 주파수는 더 향상될 수 있다.Compared to the simulation of FIG. 8 where the cycle is repeated infinitely, when the number of electrodes becomes finite as shown in FIG. 9, the natural frequency of the system changes due to interference with the interface and adjacent interdigital transducers. The natural frequency of the simulation structure in Figure 10 reaches 23.094 GHz, slightly decreased compared to 23.195 GHz, but shows very excellent performance compared to other materials. Additionally, the frequency can be further improved by adjusting the size, spacing, and period of the electrodes.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 9의 고주파 필터의 주파수 응답 특성이다. 기본파의 고유진동수가 23 GHz 부근에서 나타나는 것을 확인할 수 있다.Figure 10 shows the frequency response characteristics of the high-frequency filter of Figure 9 according to the second embodiment of the present invention. It can be seen that the natural frequency of the fundamental wave appears around 23 GHz.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 9의 고주파 필터의 S-파라미터 분석 결과이다. 기본파의 고유진동수 23 GHz 부근에서 최저 전파손실이 나타나는 것을 확인할 수 있다. 따라서 고유진동수 부근의 주파수 대역의 신호만을 걸러내게 되며 대역 필터로 동작함을 확인할 수 있다.Figure 11 shows the S-parameter analysis results of the high-frequency filter of Figure 9 according to the second embodiment of the present invention. It can be seen that the lowest propagation loss occurs around the natural frequency of the fundamental wave, 23 GHz. Therefore, it can be confirmed that only signals in the frequency band around the natural frequency are filtered out and that it operates as a band filter.
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 압전물질로 LiNbO3를 사용하였을 때 기본 공진주파수에서의 변위장 분포를 나타낸다. 4 nm 두께의 결정질 육방정계 질화붕소가 SiO2로 이루어진 절연기판 위에 놓여 있고, 높이와 너비가 각각 10 nm, 20 nm인 두 개의 전극이 55 nm 간격으로 배열되어 150 nm의 파장을 갖는 구조가 하나의 주기를 형성한다. 도 12의 구조에 대하여 기본파의 고유진동수는 20.757 GHz에 이른다.Figure 12 is a simulation result based on one wavelength of the periodic interdigital transducer of the high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention, and shows the displacement field distribution at the basic resonance frequency when LiNbO3 is used as the piezoelectric material. 4 nm thick crystalline hexagonal boron nitride is placed on an insulating substrate made of SiO2, and two electrodes with a height and width of 10 nm and 20 nm, respectively, are arranged at 55 nm intervals to form a structure with a wavelength of 150 nm. Forms a cycle. For the structure of Figure 12, the natural frequency of the fundamental wave reaches 20.757 GHz.
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단과 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 기본 공진주파수에서의 변위장 분포를 나타낸다. Figure 13 is a simulation result of interdigital transducers for inducing surface acoustic waves and detecting surface acoustic waves of a high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention, arranged in pairs at the input and output ends, and shows the distribution of the displacement field at the basic resonant frequency. .
양단에 각각의 인터디지털 트랜스듀서는 50개의 금속 전극으로 이루어져 있으며 왼편이 표면탄성파 유도, 오른편이 표면탄성파 검출용이다. Each interdigital transducer at both ends consists of 50 metal electrodes, with the left side for inducing surface acoustic waves and the right side for surface acoustic wave detection.
무한히 주기가 반복되는 도 14의 시뮬레이션과 비교하여 도 14와같이 전극의 개수가 유한해질 때 경계면 및 근접한 인터디지털 트랜스듀서와의 간섭에 의하여 시스템의 고유진동수가 변화하게 된다. 도 10의 시뮬레이션 구조의 고유진동수는 20.641 GHz에 이르며 20.757 GHz에 비하여 미약하게 감소하였으나 다른 물질에 비해 매우 우수한 성능을 보인다. 또한, 전극의 크기, 간격 및 주기를 조절함으로 주파수는 더 향상될 수 있으며 고조파의 경우는 기본파의 수배에 해당하는 주파수에서 동작 가능하다.Compared to the simulation of FIG. 14 in which the cycle is repeated infinitely, when the number of electrodes becomes finite as shown in FIG. 14, the natural frequency of the system changes due to interference with the boundary surface and adjacent interdigital transducers. The natural frequency of the simulation structure in Figure 10 reaches 20.641 GHz, a slight decrease compared to 20.757 GHz, but shows very excellent performance compared to other materials. In addition, the frequency can be further improved by adjusting the size, spacing, and period of the electrodes, and in the case of harmonics, it is possible to operate at a frequency that is several times the fundamental wave.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고주파 필터의 주기적인 인터디지털 트랜스듀서도 한 파장을 단위로 하는 시뮬레이션 결과이며 압전물질로 LiNbO3를 사용하였을 때 첫 번째 고조파에서의 변위장 분포를 나타낸다.Figure 14 is a simulation result of a periodic interdigital transducer of a high-frequency filter according to the third embodiment of the present invention with one wavelength as a unit, and shows the displacement field distribution at the first harmonic when LiNbO3 is used as a piezoelectric material.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 14의 구조에 대해 고주파 필터의 표면탄성파 유도 및 표면탄성파 검출을 위한 인터디지털 트랜스듀서를 입력단과 출력단에 쌍으로 배치한 시뮬레이션 결과이며 첫 번째 고조파에서의 변위장 분포를 나타낸다. FIG. 15 is a simulation result in which interdigital transducers for inducing surface acoustic waves and detecting surface acoustic waves of a high-frequency filter are placed in pairs at the input and output stages for the structure of FIG. 14 according to the third embodiment of the present invention, and shows the results of the simulation at the first harmonic. It represents the displacement field distribution.
양단에 각각의 인터디지털 트랜스듀서는 50개의 금속 전극으로 이루어져 있으며 왼편이 표면탄성파 유도, 오른편이 표면탄성파 검출용이다. Each interdigital transducer at both ends consists of 50 metal electrodes, with the left side for inducing surface acoustic waves and the right side for surface acoustic wave detection.
무한히 주기가 반복되는 도 14의 시뮬레이션과 비교하여 도 14와같이 전극의 개수가 유한해질 때 경계면 및 근접한 인터디지털 트랜스듀서와의 간섭에 의하여 시스템의 고유진동수가 변화하게 된다. 도 10의 시뮬레이션 구조의 고유진동수는 46.234 GHz에 이르며 46.976 GHz에 비하여 미약하게 감소하였으나 다른 물질에 비해 매우 우수한 성능을 보인다. 또한, 전극의 크기, 간격 및 주기를 조절함으로 주파수는 더 향상될 수 있으며 고차 고조파의 경우는 첫 번째 고조파의 수배에 해당하는 주파수에서 동작 가능하다.Compared to the simulation of FIG. 14 in which the cycle is repeated infinitely, when the number of electrodes becomes finite as shown in FIG. 14, the natural frequency of the system changes due to interference with the boundary surface and adjacent interdigital transducers. The natural frequency of the simulation structure in Figure 10 reaches 46.234 GHz, a slight decrease compared to 46.976 GHz, but shows very excellent performance compared to other materials. Additionally, the frequency can be further improved by adjusting the size, spacing, and period of the electrodes, and in the case of high-order harmonics, operation is possible at a frequency several times that of the first harmonic.
도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 13과 도 15의 고주파 필터에서 압전물질층에 LiNbO3와 LiTaO3를 사용했을 때의 주파수 응답 특성이다.Figure 16 shows frequency response characteristics when LiNbO3 and LiTaO3 are used in the piezoelectric material layer in the high frequency filter of Figures 13 and 15 according to the third embodiment of the present invention.
기본파의 고유진동수 23 GHz 부근에서 최저 전파손실이 나타나는 것을 확인할 수 있다. 따라서 고유진동수 부근의 주파수 대역의 신호만을 걸러내게 되며 대역 필터로 동작함을 확인할 수 있다.It can be seen that the lowest propagation loss occurs around the natural frequency of the fundamental wave, 23 GHz. Therefore, it can be confirmed that only signals in the frequency band around the natural frequency are filtered out and that it operates as a band filter.
제 1 비교예Comparative Example 1
도 16은 두 가지 종류의 압전물질층을 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층 상에 적층한 제 3 실시예에 대한 동작 주파수 분석 결과이며, 도 17은 S-파라미터 분석 결과이다. Figure 16 shows the operating frequency analysis results for the third embodiment in which two types of piezoelectric material layers are stacked on a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer, and Figure 17 shows the S-parameter analysis results.
도 16을 참조하면, 두 가지 종류의 압전물질 모두 20 GHz 근처에서 기본 공진주파수를 가지고, 40 GHz 이상에서 첫 번째 고조파가 나타나는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 16, it can be seen that both types of piezoelectric materials have a fundamental resonance frequency near 20 GHz, and the first harmonic appears above 40 GHz.
또한 도 17을 참조하면, 기본 공진주파수와 첫 번째 고조파에서 피크가 나타나는데, LiNbO3의 경우 기본 공진주파수와 첫 번째 고조파에서 각각 3.4와 34 dB의 전파손실을 가지며, LiTaO3의 경우 각각 4.7과 20 dB의 전파손실을 가진다. 또한, 더 높은 동작주파수를 가지는 LiNbO3의 경우의 전기기계 결합계수는 기본 공진주파수와 첫 번째 고조파에서 각각 2.62 %와 6.76 %로 계산되었으며, 이는 1 % 이하의 전기기계 결합계수 값을 가지는 별도의 압전물질층을 사용하지 않은 제 1 실시예 구조의 공진주파수에서 기본 공진주파수보다 수 배 향상된 결과임을 알 수 있다.Also, referring to Figure 17, peaks appear at the fundamental resonance frequency and the first harmonic. In the case of LiNbO3, the propagation loss is 3.4 and 34 dB at the fundamental resonance frequency and the first harmonic, respectively, and in the case of LiTaO3, the propagation loss is 4.7 and 20 dB, respectively. There is propagation loss. Additionally, the electromechanical coupling coefficient for LiNbO3 with a higher operating frequency was calculated to be 2.62% and 6.76% at the fundamental resonant frequency and the first harmonic, respectively, which is similar to that of separate piezoelectrics with electromechanical coupling coefficient values below 1%. It can be seen that the resonant frequency of the structure of the first example without using a material layer is several times improved than the basic resonant frequency.
따라서, 본 발명에 따라 압전물질층을 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층을 함께 사용하는 경우, 다이아몬드 등과 같은 고가의 기판을 사용하지 않으면서, 간단한 적층공정만으로도 높은 전기기계 결합계수와 육방정계 질화붕소의 높은 표면탄성파 속도 두 장점을 모두 같은 표면탄성파용 기판 구현이 가능하다. Therefore, when the piezoelectric material layer is used together with a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer according to the present invention, a high electromechanical coupling coefficient and hexagonal boron nitride can be achieved through a simple lamination process without using an expensive substrate such as diamond. It is possible to implement a substrate for surface acoustic waves that has both advantages of high surface acoustic wave speed.
제 2 비교예2nd comparative example
도 18은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기존의 표면탄성파 장치 물질별 최대 고유진동수 및 이들의 전기기계 결합계수를 비교한 표이다. 기존의 표면탄성파 장치에 많이 활용되는 리튬나이오베이트(LiNbO3), 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 산화아연(ZnO), 질화알루미늄(AlN) 등에 비해 월등히 높은 위상속도를 보이며 2차원 결정질 육방정계 질화붕소를 활용한 표면탄성파 장치의 경우 첫 번째 고조파의 고유진동수가 V-band 주파수 대역에 이름을 확인할 수 있다. 이는 2차원 결정질 육방정계 질화붕소를 우수한 탄성 계수와 2차원 소자 특성에 기인한 인-플레인(In-Plane) 방향으로 19,600 m/s에 이르는 위상속도에 기인하는 것으로, 위상속도가 높을수록 동일 고유주파수 대비 파장이 길어진다. 또한, 전기기계 결합계수는 초고주파수에서 동작하는 표면탄성파 장치들에 비해 상당히 우수함을 확인할 수 있다. Figure 18 is a table comparing the maximum natural frequencies and electromechanical coupling coefficients of two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the third embodiment of the present invention and existing surface acoustic wave device materials. It is a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride that exhibits a much higher phase velocity than lithium niobate (LiNbO3), lithium tantalate (LiTaO3), zinc oxide (ZnO), and aluminum nitride (AlN), which are widely used in existing surface acoustic wave devices. In the case of a surface acoustic wave device using , the natural frequency of the first harmonic can be identified in the V-band frequency band. This is due to the phase speed reaching 19,600 m/s in the in-plane direction due to the excellent elastic modulus and two-dimensional device characteristics of 2D crystalline hexagonal boron nitride. The higher the phase speed, the more intrinsic the same. The wavelength becomes longer compared to the frequency. Additionally, it can be seen that the electromechanical coupling coefficient is significantly superior to surface acoustic wave devices operating at ultra-high frequencies.
도 19는 밀도범함수이론으로 계산된 음향 양자의 분산 관계 즉, 파수와 에너지와의 관계를 나타내는 그래프이다. Figure 19 is a graph showing the dispersion relationship between acoustic quantum calculated using density functional theory, that is, the relationship between wave number and energy.
도 19에서는 계산을 위한 붕소와 질소의 원자량은 자연계에 존재하는 동위원소들의 평균적인 비율에 따른 값을 사용하였고, 종음파(Longitudinal Acoustic Wave: LA)의 분산의 기울기가 음파의 속도(Sound velocity)이다. LO는 종광파(Longitudinal Optical Wave)를 의미하며, TA와 TO는 각각 인-플레인(In-Plane) 방향의 횡음파(Transverse Acoustic Wave)와 횡광파(Transverse Acoustic Wave)를 의미한다. ZA와 ZO는 각각 아웃-오브-플레인(Out-of-Plane)방향의 횡음파와 횡광파를 나타낸다. In Figure 19, the atomic weights of boron and nitrogen for calculation were values based on the average ratio of isotopes existing in nature, and the slope of the dispersion of the Longitudinal Acoustic Wave (LA) was calculated as the sound velocity. am. LO stands for Longitudinal Optical Wave, and TA and TO stand for Transverse Acoustic Wave and Transverse Acoustic Wave in the in-plane direction, respectively. ZA and ZO represent transverse sound waves and transverse light waves in the out-of-plane direction, respectively.
도 19를 참조하면, 인플레인 방향에서 위상속도는 19,600 m/s에 이르는 것을 알 수 있다. Referring to Figure 19, it can be seen that the phase speed in the in-plane direction reaches 19,600 m/s.
이론적으로 파장에 비례하는 인터디지털 트랜스듀서의 주기를 더 축소하면 고유진동수의 향상이 가능하나 제조공정이나 결정의 결함 등의 문제로 고유진동수가 무한정 증가할 수 없으며, 폭 10 nm 이하, 길이 수 μm 이상, 주기 100 nm 이하의 균일한 전극을 배열을 재현성 있게 양산하는 데에는 기술적인 한계가 있어 수십 GHz 대역에서 동작하는 표면탄성파 장치를 위해서는 높은 위상속도가 매우 중요한데, 본 발명의 2차원 결정질 육방정계 질화붕소는 최적의 해결책을 제시한다.In theory, it is possible to improve the natural frequency by further reducing the period of the interdigital transducer, which is proportional to the wavelength, but due to problems such as manufacturing processes or crystal defects, the natural frequency cannot increase indefinitely, and the width is less than 10 nm and the length is several μm. As mentioned above, there are technical limitations in mass producing uniform electrodes with a period of 100 nm or less in a reproducible array, so high phase speed is very important for surface acoustic wave devices operating in the tens of GHz band, and the two-dimensional crystalline hexagonal nitride of the present invention Boron offers the optimal solution.
제 4 실시예Embodiment 4
도 20은 본 발명에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 반도체 칩 간 고속 통신장치의 개념도이며, 입력용 인터디지털 트랜스듀서와 출력용 인터디지털 트랜스듀서 한 쌍을 단방향 채널로 활용하는 예이다. 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 입력과 출력 두 가지 목적으로 활용하여 양방향 채널을 구성하거나 두 개의 단방향 채널을 조합하여 양방향 채널을 형성한다. 여러 개의 채널을 묶어 다채널 고속 입출력 버스를 구성할 수 있다.Figure 20 is a conceptual diagram of a high-speed communication device between semiconductor chips using a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the present invention, and a pair of interdigital transducers for input and interdigital transducers for output are used as a unidirectional channel. This is an example of use. A single interdigital transducer can be used for both input and output to form a bidirectional channel, or two unidirectional channels can be combined to form a bidirectional channel. Multiple channels can be combined to form a multi-channel high-speed input/output bus.
제 5 실시예Example 5
도 21은 본 발명에 따른 2차원 결정질 육방정계 질화붕소와 기반의 표면탄성파 장치를 활용한 양자 및 스핀 정보처리 장치의 개념도이다. 두 개의 인터디지털 트랜스듀서를 마주보게 배치하여 양쪽에서 표면탄성파를 유도하면 표면탄성파의 정상파(Standing Wave)를 형성할 수 있는데, 이 정상파와 동일한 주기의 전위 장벽(500)이 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 표면 주변에 형성된다. 이 전위 장벽(500)은 주변 반도체 혹은 준금속 물질에 동일한 전위 장벽을 여기하고 이러한 전위 장벽에 구속된 전하는 고유 에너지 상태와 스핀 상태를 지닌다. 또한, Figure 21 is a conceptual diagram of a quantum and spin information processing device using a surface acoustic wave device based on two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride according to the present invention. By placing two interdigital transducers facing each other and inducing surface acoustic waves from both sides, a standing wave of surface acoustic waves can be formed. A potential barrier 500 with the same period as this standing wave is formed by two-dimensional crystalline hexagonal nitride. Formed around the boron surface. This potential barrier 500 excites the same potential barrier in the surrounding semiconductor or metalloid material, and the charge bound to this potential barrier has a unique energy state and spin state. also,
따라서 본 발명에 따른 표면탄성파 장치를 포함하는 양자 및 스핀 정보처리 장치는, 적어도 2개의 표면탄성파에 의한 정상파와 이 정상파에 의하여 2차원 결정질 육방정계 질화붕소 표면 주변의 전위 장벽을 형성하며, 이 전위 장벽으로부터 주변 반도체 혹은 준금속 물질에 동일한 전위 장벽을 여기시켜 전하 (520)를 구속한다. 따라서, 본 발명에 따른 정보 처리 장치는 상기 구속된 전하의 고유 에너지와 스핀 상태를 저장, 읽을 수 있다. Therefore, the quantum and spin information processing device including the surface acoustic wave device according to the present invention forms a standing wave caused by at least two surface acoustic waves and a potential barrier around the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride surface by the standing wave, and this potential The charge 520 is confined by exciting the same potential barrier from the barrier to the surrounding semiconductor or metalloid material. Therefore, the information processing device according to the present invention can store and read the intrinsic energy and spin state of the bound charges.
이후, 정상파의 주기 혹은 정상파를 천천히 진행시켜 구속된 전하 (520) 간의 전위 장벽을 낮춰 상호작용을 유도하고, 전하를 이동시킬 수 있는데 이런 과정을 통해 양자 및 스핀 정보처리가 가능하다.Afterwards, by slowly advancing the period of the standing wave or the standing wave, the potential barrier between the bound charges (520) can be lowered to induce interaction and move the charges, and quantum and spin information processing is possible through this process.
도 22는 본 발명의 도 20에서 설명한 1차원 표면탄성파에 양자 및 스핀 정보 처리장치를 2차원 형태로 확장한 개념도이다. 다수의 인터디지털 트랜스듀서를 2차원적으로 배치하여 생성되는 2차원적 정상파에 의한 양자 우물 및 그에 구속된 전하를 활용한 스핀 및 양자 정보처리가 가능하다.FIG. 22 is a conceptual diagram showing the expansion of the quantum and spin information processing device to the one-dimensional surface acoustic wave described in FIG. 20 of the present invention into a two-dimensional form. Spin and quantum information processing is possible using quantum wells and charges bound therein by two-dimensional standing waves generated by two-dimensionally arranging multiple interdigital transducers.
Claims (14)
상기 기판은 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층;
상기 질화붕소층에 적층된 압전물질층; 및
상기 압전물질층에 적층된 전극을 포함하며,
상기 육방정계 질화붕소층과 상기 압전물질층 사이의 계면 구조로부터 고조파가 형성되며,
상기 표면탄성파 장치의 표편탄성파의 속도는, 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층에서의 속도가 상기 압전물질층에서의 속도보다 빠르며,
상기 2 차원 결정질 육방정 질화붕소층에서 붕소의 동위원소의 함량에 따라 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층에서 표면탄성파의 속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치용 기판.As a substrate for a surface acoustic wave device,
The substrate includes a two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer;
A piezoelectric material layer laminated on the boron nitride layer; and
It includes an electrode laminated on the piezoelectric material layer,
Harmonics are formed from the interface structure between the hexagonal boron nitride layer and the piezoelectric material layer,
The speed of the surface acoustic wave of the surface acoustic wave device is faster in the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer than in the piezoelectric material layer,
A substrate for a surface acoustic wave device, wherein the speed of surface acoustic waves in the two -dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer is controlled according to the content of isotopes of boron in the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer.
상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층은 인프레인-플레인(In-plane) 방향의 19000m/s에 이르는 위상속도가 가능한 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치용 기판.According to clause 1,
A substrate for a surface acoustic wave device, wherein the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer is capable of a phase speed of up to 19000 m/s in the in-plane direction.
기판;
상기 기판 상에 적층 되어 표면탄성파를 유도하는 입력 트랜스듀서; 및
상기 기판 상에 적층 되어 상기 기판에서 유도된 상기 표면탄성파를 검출하기 위한 출력 트랜스듀서를 포함하며,
상기 기판은 제 1항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 따른 기판인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.As a surface acoustic wave device,
Board;
an input transducer that is stacked on the substrate and induces surface acoustic waves; and
It is stacked on the substrate and includes an output transducer for detecting the surface acoustic waves induced from the substrate,
A surface acoustic wave device, wherein the substrate is the substrate according to any one of claims 1 and 3.
상기 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 인터디지털 타입 트랜스듀서인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 4,
A surface acoustic wave device, characterized in that the input transducer and the output transducer are interdigital type transducers.
상기 입력 트랜스듀서는 전위차를 인가하여 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층에 규칙적인 수축과 팽창을 야기하여 표면탄성파를 유도하며,
상기 출력 트랜스듀서는 상기 표면탄성파에 의하여 야기되는 상기 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층의 전위차를 읽는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 5,
The input transducer applies a potential difference to cause regular contraction and expansion of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer, thereby inducing surface acoustic waves,
A surface acoustic wave device, wherein the output transducer reads a potential difference of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer caused by the surface acoustic wave.
상기 입력 트랜스듀서 또는 출력 트랜스듀서는 Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, 도핑 NiSi, TaSiN, ErSi1.7, PtSi, WSi2, NbN 정도성 세라믹, 도핑 Si, Ge, III-V 화합물 반도체 및 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 4,
The input transducer or output transducer may be Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, doped NiSi, TaSiN, ErSi1.7, A surface acoustic wave device comprising PtSi, WSi2, NbN precision ceramics, doped Si, Ge, III-V compound semiconductors, and combinations thereof.
상기 기판은 상부에 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층의 절연성에 영향을 주지 않으며, 상기 적층 된 2차원 결정질 육방정계 질화붕소층을 전부 또는 일부를 상기 기판의 상부 또는 하부로 노출시키는 형태인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 4,
The substrate does not affect the insulating properties of the two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer stacked on the top, and exposes all or part of the stacked two-dimensional crystalline hexagonal boron nitride layer to the top or bottom of the substrate. A surface acoustic wave device characterized in that.
상기 표면탄성파 장치는 중심 주파수가 26.5 GHz ~ 40 GHz 내에 있는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 4,
The surface acoustic wave device is characterized in that the center frequency is within 26.5 GHz to 40 GHz.
상기 인터디지털 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 쌍으로 복수 개 구성되며, 한 상의 입력 및 출력 트랜스듀서 각각의 치수는 상이할 수 있는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치.According to clause 5,
A surface acoustic wave device characterized in that the interdigital input transducer and the output transducer are composed of a plurality of pairs, and the dimensions of each input and output transducer of one phase may be different.
상기 표면탄성파 장치로부터의 발생하는 적어도 2개의 표면탄성파에 의한 정상파를 형성하며,
상기 양자 및 스핀 정보처리 장치는, 상기 정상파로부터 형성되는 인접 반도체 혹은 준금속의 국부적인 전위 장벽에 의하여 구속된 전하의 고유 에너지 상태와 스핀을 이용하여 정보를 저장하고 읽는 것을 특징으로 하는 양자 및 스핀 정보처리 장치.
The method of claim 13, wherein the quantum and spin information processing device,
Forming a standing wave by at least two surface acoustic waves generated from the surface acoustic wave device,
The quantum and spin information processing device is characterized in that it stores and reads information using the spin and the intrinsic energy state of the charge bound by the local potential barrier of the adjacent semiconductor or metalloid formed from the standing wave. Information processing device.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210117313A KR102692060B1 (en) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same |
| PCT/KR2021/016917 WO2022108337A1 (en) | 2020-11-23 | 2021-11-17 | Substrate for surface acoustic wave device, and surface acoustic wave device comprising same |
| US18/254,131 US20240030888A1 (en) | 2020-11-23 | 2021-11-17 | Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210117313A KR102692060B1 (en) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230034502A KR20230034502A (en) | 2023-03-10 |
| KR102692060B1 true KR102692060B1 (en) | 2024-08-05 |
Family
ID=85511853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210117313A KR102692060B1 (en) | 2020-11-23 | 2021-09-03 | Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102692060B1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102611404A (en) * | 2012-03-09 | 2012-07-25 | 天津理工大学 | Hexagonal boron-nitride piezoelectric film for SAW (Surface Acoustic Wave) device and manufacturing method thereof |
| KR20210030459A (en) * | 2018-09-20 | 2021-03-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Acoustic wave device |
-
2021
- 2021-09-03 KR KR1020210117313A patent/KR102692060B1/en active IP Right Grant
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| JPEG112021102076991-pat00001.jpg620 2. S. JPEG112021102076991-pat00001.jpg620 et al.,"Ultrahigh-frequency surface acoustic wave transducers on ZnO/SiO2/Si using nanoimprint lithography", Nanotechnology 23 (2012) 315303 |
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