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KR102699962B1 - Heat shielding film and variable window including the same - Google Patents

Heat shielding film and variable window including the same Download PDF

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KR102699962B1
KR102699962B1 KR1020220119264A KR20220119264A KR102699962B1 KR 102699962 B1 KR102699962 B1 KR 102699962B1 KR 1020220119264 A KR1020220119264 A KR 1020220119264A KR 20220119264 A KR20220119264 A KR 20220119264A KR 102699962 B1 KR102699962 B1 KR 102699962B1
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KR
South Korea
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heat
wavelength
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insulating film
electrode layer
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KR1020220119264A
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황훈
이용우
임성수
이성준
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주식회사 네패스
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Abstract

본 발명은 차열필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우에 관한 것이다.The present invention relates to a heat-insulating film, and more specifically, to a heat-insulating film having a remarkably excellent heat-insulating function, the physical properties of which can be changed depending on the application of power, and which exhibits excellent invisibility when power is applied and excellent visibility when power is not applied, and a variable window including the same.

Description

차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우{Heat shielding film and variable window including the same}Heat shielding film and variable window including the same {Heat shielding film and variable window including the same}

본 발명은 차열필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우에 관한 것이다.The present invention relates to a heat-insulating film, and more specifically, to a heat-insulating film having a remarkably excellent heat-insulating function, the physical properties of which can be changed depending on the application of power, and which exhibits excellent invisibility when power is applied and excellent visibility when power is not applied, and a variable window including the same.

최근, 환경 및 에너지에 대한 관심이 높아짐에 따라서, 에너지 절약 공업 제품에 대한 요구가 높아지고, 그 하나로서 주택, 건물, 자동차 등에 적용되는 유리 등과 같은 차폐부재의 열차단 효과가 요구되고 있다. 통상적으로 건물의 경우 건물에너지 손실의 35%이상의 원인은 건물의 창호성능이며, 창호성능이 저하될 경우 건물의 냉/난방 공조효율이 같이 저하될 수 있다.Recently, as interest in the environment and energy has increased, the demand for energy-saving industrial products has increased, and as one of them, the heat-blocking effect of shielding materials such as glass applied to houses, buildings, and automobiles is required. In general, in the case of buildings, the cause of more than 35% of building energy loss is the window performance of the building, and if the window performance is reduced, the cooling/heating air conditioning efficiency of the building may also be reduced.

이러한 문제를 해결하고자 종래에는 주택, 건물, 자동차 등에 적용되는 유리 등과 같은 차폐부재에 착색 및 진공 코팅 플라스틱 필름을 적용해왔다. 그러나, 착색 필름은 일반적으로 근적외선 태양 에너지를 차단하지 못하며, 그에 따라 열차단을 목적하는 필름으로서 효과적이지 못한 문제점이 있었다. 또한 상기 착색 필름은 흔히 태양광 노출에 의해 탈색이 진행되는 문제점이 있어 사용주기가 짧고 잦은 교체에 따른 비용상승의 문제점이 있었다. 나아가, 착색필름이 다수의 염료로 제작된 경우 염료의 종류에 따라 태양광에 의한 탈색정도가 달라져 필름이 부착된 유리 등 차폐부재는 얼룩이 생거거나 탁도가 증가하는 등 외관상 심미감을 저하시키는 문제점이 있었다. In order to solve these problems, colored and vacuum-coated plastic films have been applied to shielding materials such as glass used in houses, buildings, and automobiles in the past. However, colored films generally do not block near-infrared solar energy, and thus are not effective as films for the purpose of heat blocking. In addition, the colored films often have a problem of fading when exposed to sunlight, and thus have a short service life and problems of increased costs due to frequent replacement. Furthermore, when the colored film is made of multiple dyes, the degree of fading due to sunlight varies depending on the type of dye, and thus the shielding material such as glass to which the film is attached has a problem of causing spots or increased turbidity, thereby lowering the aesthetic appeal in terms of appearance.

이에 따라, 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 차열필름의 개발이 시급한 실정이다.Accordingly, there is an urgent need to develop a heat-insulating film that has significantly superior heat-insulating function, can change its properties depending on the power supply, exhibits excellent invisibility when power is supplied, and exhibits excellent visibility when power is not supplied.

KRKR 10-075391710-0753917 B1(2007.08.24)B1(2007.08.24)

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우를 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, and the purpose of the present invention is to provide a heat-insulating film having a remarkably excellent heat-insulating function, the physical properties of which can be changed depending on the application of power, and which exhibits excellent invisibility when power is applied and excellent visibility when power is not applied, and a variable window including the same.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 전극층, 차열전극층 및, 상기 전극층과 차열전극층 사이에 개재되고 양면에 배향막이 배치된 액정층을 포함하는 액정부; 및, 상기 액정부의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부;를 포함하고, 하기 조건 (1) 및 (2)를 모두 만족하는 차열필름을 제공한다.In order to solve the above-described problem, the present invention provides a heat-insulating film including a liquid crystal part including an electrode layer, a heat-insulating electrode layer, and a liquid crystal layer interposed between the electrode layer and the heat-insulating electrode layer and having alignment films disposed on both surfaces; and a substrate part provided on one or both surfaces of the liquid crystal part; and satisfying both of the following conditions (1) and (2).

(1) A1 : A2가 1 : 0.0032 ~ 0.26(1) A1: A2 is 1: 0.0032 ~ 0.26

(2) B1이 3 ~ 35 및 B2가 0.3 ~ 8(2) B1 is 3 to 35 and B2 is 0.3 to 8

(3) C1 : C2가 1 : 5.5 ~ 200(3) C1: C2 is 1:5.5 ~ 200

이때, 상기 A1은 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B1은 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), C1는 탁도(%), A2는 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B2는 전압 60V를 인가하여 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%) 및, C2는 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도(%)를 나타냄.At this time, A1 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, B1 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, C1 represents turbidity (%), A2 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm by applying a voltage of 60 V, B2 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm by applying a voltage of 60 V, and C2 represents turbidity (%) measured by applying a voltage of 60 V.

또한, 본 발명은 전극층, 차열전극층 및 상기 전극층과 차열전극층 사이에 개재되는 액정층을 포함하는 액정부; 및, 상기 액정부의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부;를 포함하고, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 3 ~ 35%이며, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%인 차열필름을 제공한다.In addition, the present invention provides a heat-insulating film including a liquid crystal part including an electrode layer, a heat-insulating electrode layer, and a liquid crystal layer interposed between the electrode layer and the heat-insulating electrode layer; and a substrate part provided on one or both sides of the liquid crystal part, wherein the heat-insulating film has an average transmittance of 3 to 35% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm and an average reflectance of 33 to 47% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 하기 조건 (1) 내지 (3)을 모두 만족할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, all of the following conditions (1) to (3) can be satisfied.

(1) A1 : A2가 1 : 0.0055 ~ 0.19(1) A1: A2 is 1: 0.0055 ~ 0.19

(2) B1이 4 ~ 33 및 B2가 0.5 ~ 6.5(2) B1 is 4 to 33 and B2 is 0.5 to 6.5

(3) C1 : C2가 1 : 6.6 ~ 99.6임.(3) C1:C2 is 1:6.6 ~ 99.6.

또한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 60 ~ 90%일 수 있고, 탁도가 0.5 ~ 15%일 수 있다.Additionally, the average transmittance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm can be 60 to 90%, and the turbidity can be 0.5 to 15%.

또한, 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 0.3 ~ 15%일 수 있고, 탁도가 85 ~ 99.7%일 수 있다.Additionally, the average transmittance measured at every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm by applying a voltage of 60 V can be 0.3 to 15%, and the turbidity can be 85 to 99.7%.

또한, 상기 차열전극층은 적어도 둘 이상의 금속유래층을 포함할 수 있다.Additionally, the heat-insulating electrode layer may include at least two metal-derived layers.

또한, 상기 액정층은 두께가 3 ~ 40㎛일 수 있고, 상기 배향막은 두께가 30 ~ 250㎚일 수 있으며, 상기 전극층은 두께가 3 ~ 150㎚일 수 있고, 상기 차열전극층은 두께가 3 ~ 250㎚일 수 있다.In addition, the liquid crystal layer may have a thickness of 3 to 40 μm, the alignment film may have a thickness of 30 to 250 nm, the electrode layer may have a thickness of 3 to 150 nm, and the heat-insulating electrode layer may have a thickness of 3 to 250 nm.

또한, 상기 기재부는 두께가 10 ~ 240㎛일 수 있다.Additionally, the above-mentioned substrate may have a thickness of 10 to 240 μm.

또한, 상기 기재부는 액정부의 양면 상에 구비될 수 있다.Additionally, the above-mentioned description portion may be provided on both sides of the liquid crystal portion.

또한, 상기 차열전극층에 대향되는 기재부의 배면 상에 배치되는 점착층;을 더 포함할 수 있다.In addition, the invention may further include an adhesive layer disposed on the back surface of the substrate portion facing the heat-insulating electrode layer.

또한, 상기 점착층은 두께가 2 ~ 160㎛일 수 있다.Additionally, the adhesive layer may have a thickness of 2 to 160 μm.

또한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5 ~ 6.5%일 수 있고, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%일 수 있다.Additionally, the average reflectance measured every 10 nm in a wavelength range of 380 to 780 nm can be 1.5 to 6.5%, and the average reflectance measured every 50 nm in a wavelength range of 350 to 2100 nm can be 33 to 47%.

또한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5 ~ 6.5%일 수 있다.Additionally, the average reflectance measured every 10 nm in the wavelength range of 380 to 780 nm can be 1.5 to 6.5%.

또한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내일 수 있고, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내일 수 있다.In addition, the deviation of the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm after applying a voltage of 60 V may be within ±5% compared to the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, and the deviation of the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm after applying a voltage of 60 V may be within ±5% compared to the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm.

또한, 본 발명은 상술한 차열필름;을 포함하는 가변 윈도우를 제공한다.In addition, the present invention provides a variable window including the above-described heat-insulating film.

본 발명의 차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우는 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 효과를 나타낼 수 있다.The heat-insulating film of the present invention and the variable window including the same have a remarkably excellent heat-insulating function, and can change their physical properties depending on the application of power, while exhibiting excellent invisibility when power is applied and exhibiting excellent visibility when power is not applied.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차열필름의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 윈도우의 단면도이다.
Figure 1 is a cross-sectional view of a heat-insulating film according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a variable window according to one embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, in order to clearly describe the present invention, parts that are not related to the description are omitted, and the same reference numerals are added to the same or similar components throughout the specification.

본 발명에서 사용한 용어인 '편차'는, '초기 값 대비 전압 인가 후의 값의 비율'을 나타내는 용어로, 예를 들어 초기 값이 100 이고 전압 인가 후의 값이 97인 경우 편차는 -3%이며, 초기 값이 100 이고 전압 인가 후의 값이 102인 경우 편차는 +2%라고 할 수 있다. The term 'deviation' used in the present invention is a term indicating 'the ratio of the value after voltage application to the initial value'. For example, if the initial value is 100 and the value after voltage application is 97, the deviation is -3%, and if the initial value is 100 and the value after voltage application is 102, the deviation can be said to be +2%.

본 발명의 일 실시예에 따른 차열필름은 도 1에 도시된 바와 같이 전극층(11), 차열전극층(12) 및 상기 전극층(11)과 차열전극층(12) 사이에 개재되고 양면에 배향막(14,15)이 배치된 액정층(13)을 포함하는 액정부(10) 및, 상기 액정부(10)의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부(20, 30)를 포함한다.According to one embodiment of the present invention, a heat-insulating film includes, as illustrated in FIG. 1, an electrode layer (11), a heat-insulating electrode layer (12), and a liquid crystal part (10) including a liquid crystal layer (13) interposed between the electrode layer (11) and the heat-insulating electrode layer (12) and having alignment films (14, 15) arranged on both sides, and a substrate part (20, 30) provided on one or both sides of the liquid crystal part (10).

먼저, 본 발명의 일실시예에 따른 차열필름(100)에 구비되는 각 층에 대하여 설명하기에 앞서서, 본 발명에 따른 차열필름(100)이 하기 조건 (1) 내지 (3)를 모두 만족해야 하는 이유에 대하여 설명한다.First, before explaining each layer provided in the heat-insulating film (100) according to one embodiment of the present invention, the reason why the heat-insulating film (100) according to the present invention must satisfy all of the following conditions (1) to (3) will be explained.

차열필름의 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 낮을 경우 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 차열필름의 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 높을 경우 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있다. 또한, 차열필름의 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 낮을 경우 전원 미인가 시 목적하는 수준의 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 차열필름의 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 높을 경우 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있으며, 차열성능이 좋지 않을 수 있다. 그리고, 차열필름의 탁도가 낮을 경우 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있고, 차열성능이 저하될 수 있으며, 차열필름의 탁도가 높을 경우 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있다.If the average transmittance measured every 10㎚ in a wavelength of 380 to 780㎚ of the heat-insulating film is low, the desired visibility may not be achieved when power is not applied, and if the average transmittance measured every 10㎚ in a wavelength of 380 to 780㎚ of the heat-insulating film is high, the invisibility may not be achieved at the desired level when power is applied. In addition, if the average transmittance measured every 50㎚ in a wavelength of 350 to 2100㎚ of the heat-insulating film is low, the desired level of visibility may not be achieved when power is not applied, and if the average transmittance measured every 50㎚ in a wavelength of 350 to 2100㎚ of the heat-insulating film is high, the invisibility may not be achieved at the desired level when power is applied, and the heat-insulating performance may not be good. In addition, if the turbidity of the heat-insulating film is low, the invisibility may not be expressed at the intended level when power is supplied, and the heat-insulating performance may be reduced. If the turbidity of the heat-insulating film is high, the intended visibility may not be expressed when power is not supplied.

또한, 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 낮거나, 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 낮을 경우 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있고, 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 높거나, 전압 60V를 인가하여 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 높을 경우 차열성능이 좋지 않을 수 있으며, 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있다. 그리고, 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 낮을 경우 차열성능이 저하될 수 있고 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있으며, 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 높을 경우 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있다.In addition, if the average transmittance measured at every 10 nm in a wavelength range of 380 to 780 nm when a voltage of 60 V is applied is low, or if the average transmittance measured at every 10 nm in a wavelength range of 380 to 780 nm when a voltage of 60 V is applied is low, visibility may not be good when power is not applied, and if the average transmittance measured at every 10 nm in a wavelength range of 380 to 780 nm when a voltage of 60 V is applied is high, or if the average transmittance measured at every 50 nm in a wavelength range of 350 to 2100 nm when a voltage of 60 V is applied is high, heat insulation performance may not be good, and visibility may deteriorate when power is applied. In addition, if the turbidity measured by applying 60 V of voltage is low, the heat insulation performance may be degraded and the visibility may be reduced when power is applied, and if the turbidity measured by applying 60 V of voltage is high, the visibility may be poor when power is not applied.

이에 따라, 차열필름은 파장 380 ~ 780㎚에서의 평균 투과율과 전압 60V를 인가하여 측정한 파장 380 ~ 780㎚에서의 평균 투과율이 소정의 비율을 나타내야하고, 파장 350 ~ 2100㎚에서의 평균 투과율과 전압 60V를 인가하여 측정한 파장 350 ~ 2100㎚에서의 평균 투과율이 소정의 값을 나타내야하며, 탁도와 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 소정의 비율을 나타내야한다. 이에 본 발명에 따른 차열필름(100)은 하기 조건 (1) 내지 조건 (3)을 모두 만족하도록 설계된다.Accordingly, the heat-insulating film should have a predetermined ratio of average transmittance at a wavelength of 380 to 780 nm and average transmittance at a wavelength of 380 to 780 nm measured by applying a voltage of 60 V, and should have a predetermined value of average transmittance at a wavelength of 350 to 2100 nm and average transmittance at a wavelength of 350 to 2100 nm measured by applying a voltage of 60 V, and should have a predetermined ratio of turbidity and turbidity measured by applying a voltage of 60 V. Accordingly, the heat-insulating film (100) according to the present invention is designed to satisfy all of the following conditions (1) to (3).

조건 (1)로써 A1 : A2가 1 : 0.0032 ~ 0.26이고, 바람직하게는 A1 : A2가 1 : 0.0055 ~ 0.19일 수 있으며, 조건 (2)로써 B1이 3 ~ 35 및 B2가 0.3 ~ 8이고, 바람직하게는 B1이 4 ~ 33 및 B2가 0.5 ~ 6.5일 수 있으며, 조건 (3)으로써 C1 : C2가 1 : 5.5 ~ 200이고, 바람직하게는 C1 : C2가 1 : 6.6 ~ 99.6일 수 있다.As condition (1), A1:A2 may be 1:0.0032 to 0.26, preferably A1:A2 may be 1:0.0055 to 0.19, as condition (2), B1 may be 3 to 35 and B2 may be 0.3 to 8, preferably B1 may be 4 to 33 and B2 may be 0.5 to 6.5, and as condition (3), C1:C2 may be 1:5.5 to 200, preferably C1:C2 may be 1:6.6 to 99.6.

이때, 상기 A1은 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B1은 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), C1는 탁도(%), A2는 전압 110V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B2는 전압 110V를 인가하여 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%) 및, C2는 전압 110V를 인가하여 측정한 탁도(%)를 나타냄.At this time, A1 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, B1 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, C1 represents turbidity (%), A2 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm by applying a voltage of 110 V, B2 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm by applying a voltage of 110 V, and C2 represents turbidity (%) measured by applying a voltage of 110 V.

만일 상기 조건 (1)에서 A1 : A2가 1 : 0.0032 미만이면 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있으며, A1 : A2가 1 : 0.26을 초과하면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 차열성능이 좋지 않을 수 있으며, 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있다. 또한, 만일 상기 조건 (2)에서 B1이 3 미만이거나, B2가 0.3 미만이면 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있고, B1이 35를 초과하거나, B2가 8을 초과하면 차열성능이 좋지 않을 수 있으며, 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있다. 그리고, 만일 상기 조건 (3)에서 C1 : C2가 1 : 5.5 미만이면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 차열성능이 저하될 수 있으며, 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있고, C1 : C2가 1 : 200을 초과하면 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있으며, 차열성능이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있다.If A1 : A2 in the above condition (1) is less than 1 : 0.0032, the invisibility may not be achieved at the intended level when power is supplied, and the visibility may be poor when power is not supplied. If A1 : A2 exceeds 1 : 0.26, the intended visibility may not be achieved when power is not supplied, the heat insulation performance may be poor, and the invisibility may deteriorate when power is supplied. In addition, if B1 is less than 3 or B2 is less than 0.3 in the above condition (2), the visibility may be poor when power is not supplied, and if B1 exceeds 35 or B2 exceeds 8, the heat insulation performance may be poor, and the invisibility may deteriorate when power is supplied. And, if in the above condition (3), C1:C2 is less than 1:5.5, the intended visibility may not be achieved when power is not supplied, the heat insulation performance may deteriorate, and the invisibility may deteriorate when power is supplied, and if C1:C2 exceeds 1:200, the invisibility may not be achieved at the intended level when power is supplied, the heat insulation performance may deteriorate, and the visibility may not be good when power is not supplied.

이하, 차열필름(100)에 구비되는 각 층에 대하여 설명한다.Below, each layer provided in the heat-insulating film (100) is described.

먼저, 상기 전극층(11)에 대하여 설명한다.First, the electrode layer (11) will be described.

상기 전극층(11)은 후술하는 액정층(13)의 일면에 배치되어 전원 인가 시 인가된 전원을 액정층(13)으로 공급함으로써, 액정층(13)에 포함되는 액정을 배향시켜서 전원 인가 여부에 따라 차열필름의 물성을 변화시키는 기능을 수행한다.The above electrode layer (11) is arranged on one side of the liquid crystal layer (13) described later, and when power is applied, the applied power is supplied to the liquid crystal layer (13), thereby orienting the liquid crystal contained in the liquid crystal layer (13), thereby performing the function of changing the properties of the heat-insulating film depending on whether power is applied.

상기 전극층(11)은 당업계에서 상술한 기능을 수행할 수 있는 재료라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 전도성 고분자, 전도성 금속, 전도성 나노와이어 또는 금속 산화물 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 ITO(Indium Tin Oxide)인 것이 본 발명의 목적 달성을 위하여 더욱 유리할 수 있다.The electrode layer (11) may be used without limitation as long as it is a material capable of performing the functions described above in the art, and preferably may include at least one of a conductive polymer, a conductive metal, a conductive nanowire, or a metal oxide, more preferably may include a metal oxide, and more preferably, ITO (Indium Tin Oxide) may be more advantageous for achieving the purpose of the present invention.

또한, 상기 전극층(11)은 두께가 3 ~ 150㎚일 수 있고, 바람직하게는 두께가 4 ~ 130㎚일 수 있다. 만일 상기 전극층의 두께가 3㎚ 미만이면 저항이 높아서 반응 속도가 저하될 수 있고, 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있으며, 상기 전극층의 두께가 150㎚를 초과하면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있다.In addition, the electrode layer (11) may have a thickness of 3 to 150 nm, and preferably a thickness of 4 to 130 nm. If the thickness of the electrode layer is less than 3 nm, the resistance may be high, which may reduce the reaction speed, and the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied, and if the thickness of the electrode layer exceeds 150 nm, the transmittance by wavelength may be reduced, and the visibility may be reduced when power is not applied.

그리고, 상기 전극층(11)은 면저항이 5 ~ 250Ω/□일 수 있고, 바람직하게는 면저항이 8 ~ 230Ω/□일 수 있다. 만일 상기 전극층의 면저항이 5Ω/□ 미만이면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있으며, 면저항이 250 Ω/□를 초과하면 저항이 높아서 반응 속도가 저하될 수 있고, 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있다.And, the electrode layer (11) may have a surface resistance of 5 to 250Ω/□, and preferably, the surface resistance may be 8 to 230Ω/□. If the surface resistance of the electrode layer is less than 5Ω/□, the transmittance by wavelength may decrease, and the visibility may decrease when power is not applied, and if the surface resistance exceeds 250Ω/□, the resistance may be high, so the response speed may decrease, and the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied.

다음, 상기 차열전극층(12)에 대하여 설명한다.Next, the above-mentioned heat-insulating electrode layer (12) will be described.

상기 차열전극층(12)은 상술한 전극층(11)과 더불어, 후술하는 액정층(13)의 다른 일면에 배치되어 전원 인가 시 인가된 전원을 액정층(13)으로 공급함으로써, 액정층(13)에 포함되는 액정을 배향시켜서 전원 인가 여부에 따라 차열필름의 물성을 변화시키는 기능을 수행함과 동시에 차열필름(100)의 차열성능을 향상시키는 기능을 수행한다. 즉, 상기 차열전극층(12)은 액정을 배향시키는 전극 역할을 수행함과 동시에 차열성능까지도 발현한다.The above-described heat-insulating electrode layer (12) is arranged on the other side of the liquid crystal layer (13) described later, together with the electrode layer (11) described above, and supplies the applied power to the liquid crystal layer (13) when power is applied, thereby performing the function of changing the physical properties of the heat-insulating film depending on whether power is applied by orienting the liquid crystal included in the liquid crystal layer (13), and at the same time performing the function of improving the heat-insulating performance of the heat-insulating film (100). That is, the above-described heat-insulating electrode layer (12) performs the function of an electrode that orients the liquid crystal and also exhibits heat-insulating performance.

상기 차열전극층(11)은 당업계에서 상술한 기능을 수행할 수 있는 재료라면 제한 없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 금, 은, 구리, 알루미늄, 백금, 티타늄, 철, 니켈, 크롬, 팔라듐, 인듐, 주석 및 아연 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속, 상기 금속 중 어느 둘 이상을 포함하는 합금, 및 상기 금속 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 인듐, 주석 및 아연 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속, 상기 금속 중 어느 둘 이상을 포함하는 합금, 및 상기 금속 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.The above-described heat-insulating electrode layer (11) may be formed of any material capable of performing the functions described above in the art without limitation, but preferably, at least one selected from the group consisting of a metal including at least one of gold, silver, copper, aluminum, platinum, titanium, iron, nickel, chromium, palladium, indium, tin, and zinc, an alloy including at least two of the above-described metals, and a metal oxide including at least one of the above-described metals may be used, and more preferably, at least one selected from the group consisting of a metal including at least one of gold, silver, copper, aluminum, nickel, chromium, indium, tin, and zinc, an alloy including at least two of the above-described metals, and a metal oxide including at least one of the above-described metals may be used.

한편, 상기 차열전극층(11)은 적어도 둘 이상의 금속유래층을 포함하도록 다층형 차열전극층(미도시)로 구현될 수 있으며, 바람직하게는 상기 다층형 차열전극층은 3 ~ 7개의 금속유래층을 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 3 ~ 6개의 금속유래층을 포함할 수 있으며, 보다 더 바람직하게는 3 ~ 5개의 금속유래층을 포함할 수 있다. 상기 차열전극층(11)이 적어도 둘 이상의 금속유래층을 포함하도록 다층형 차열전극층(미도시)로 구현되는 경우, 상기 다층형 차열전극층의 금속유래층이 3개 미만이거나, 7개를 초과하면 본 발명의 효과를 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있다.Meanwhile, the heat-insulating electrode layer (11) may be implemented as a multilayered heat-insulating electrode layer (not shown) including at least two or more metal-derived layers, and preferably, the multilayered heat-insulating electrode layer may include 3 to 7 metal-derived layers, more preferably, 3 to 6 metal-derived layers, and even more preferably, 3 to 5 metal-derived layers. When the heat-insulating electrode layer (11) is implemented as a multilayered heat-insulating electrode layer (not shown) including at least two or more metal-derived layers, if the number of metal-derived layers of the multilayered heat-insulating electrode layer is less than 3 or more than 7, the effect of the present invention may not be expressed at the intended level.

상기 차열전극층(12)은 두께가 3 ~ 250㎚일 수 있고, 바람직하게는 두께가 4 ~ 230㎚일 수 있다. 만일 상기 차열전극층의 두께가 3㎚ 미만이면 차열성능이 저하될 수 있으며, 저항이 높아서 반응 속도가 저하될 수 있고, 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있으며, 상기 차열전극층의 두께가 250㎚를 초과하면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있다.The above-mentioned heat-insulating electrode layer (12) may have a thickness of 3 to 250 nm, and preferably, a thickness of 4 to 230 nm. If the thickness of the above-mentioned heat-insulating electrode layer is less than 3 nm, the heat-insulating performance may be reduced, the resistance may be high, which may reduce the reaction speed, and the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied. If the thickness of the above-mentioned heat-insulating electrode layer exceeds 250 nm, the transmittance by wavelength may be reduced, and the visibility may be reduced when power is not applied.

그리고, 상기 차열전극층(12)은 면저항이 3 ~ 70Ω/□일 수 있고, 바람직하게는 면저항이 4 ~ 65Ω/□일 수 있다. 만일 상기 차열전극층의 면저항이 3 Ω/□ 미만이면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있으며, 면저항이 70 Ω/□를 초과하면 차열성능이 저하될 수 있고, 저항이 높아서 반응 속도가 저하될 수 있으며, 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있다.And, the heat-insulating electrode layer (12) may have a surface resistance of 3 to 70Ω/□, and preferably, the surface resistance may be 4 to 65Ω/□. If the surface resistance of the heat-insulating electrode layer is less than 3Ω/□, the transmittance by wavelength may decrease, and the visibility may decrease when power is not applied, and if the surface resistance exceeds 70Ω/□, the heat-insulating performance may decrease, the response speed may decrease due to high resistance, and the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied.

다음, 상기 전극층(11)과 차열전극층(12) 사이에 개재되고, 양면에 배향막(14,15)이 배치된 액정층(13)에 대하여 설명한다.Next, the liquid crystal layer (13) interposed between the electrode layer (11) and the heat-insulating electrode layer (12) and having alignment films (14, 15) arranged on both sides will be described.

상기 액정층(13)은 전원 인간에 의해 투명, 반투명 또는 불투명하게 상태가 변화함으로써 차열필름을 물성을 변화시키는 기능을 수행한다. 구체적으로, 상기 액정층(13)에 전원이 인가되지 않은 경우 액정은 차열필름의 두께 방향과 수평한 방향(ㅣ)으로 배향되어 구비되고, 상기 액정층(13)에 전원이 인가되는 경우 액정은 랜덤 배향되어 물성이 변화될 수 있다.The liquid crystal layer (13) above performs the function of changing the properties of the heat-insulating film by changing the state to transparent, translucent, or opaque by a human power source. Specifically, when power is not applied to the liquid crystal layer (13), the liquid crystal is aligned in a direction (ㅣ) parallel to the thickness direction of the heat-insulating film, and when power is applied to the liquid crystal layer (13), the liquid crystal is randomly aligned and the properties can be changed.

상기 액정층(13)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 액정층의 조성이라면 제한 없이 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.Since the liquid crystal layer (13) described above can be used without limitation as long as it has a composition of a liquid crystal layer that can be commonly used in the art, the present invention does not specifically limit it.

또한, 상기 액정층(13)은 두께가 3 ~ 40㎛일 수 있고, 바람직하게는 두께가 6 ~ 35㎛일 수 있다. 만일 상기 액정층의 두께가 3㎛ 미만이면 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있고, 전원 인가에 따른 물성 변화가 미미할 수 있으며, 두께가 40㎛를 초과하면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있다.In addition, the liquid crystal layer (13) may have a thickness of 3 to 40 μm, and preferably, a thickness of 6 to 35 μm. If the thickness of the liquid crystal layer is less than 3 μm, the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied, and the change in physical properties due to power application may be minimal. If the thickness exceeds 40 μm, the transmittance by wavelength may decrease, and visibility may decrease when power is not applied.

한편, 상기 액정층(13)은 양면에 배치된 배향막(14,15)을 포함한다.Meanwhile, the liquid crystal layer (13) includes alignment films (14, 15) arranged on both sides.

상기 배향막(14,15)은 상기 액정층(13)의 액정분자를 정해진 방향으로 배향하는 기능을 수행한다. 이때, 배향이란 전기쌍극자 모멘트를 갖는 분자로 이루어진 계가 전기장 속에 놓일 때 그 쌍극자의 방향이 전기장의 방향과 일치하는 것을 말한다.The above alignment film (14, 15) performs the function of aligning the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer (13) in a predetermined direction. At this time, alignment means that when a system composed of molecules having an electric dipole moment is placed in an electric field, the direction of the dipole is identical to the direction of the electric field.

상기 배향막(14,15)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 배향막의 성분이라면 제한 없이 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.Since the above alignment film (14, 15) can be used without limitation as long as it is a component of an alignment film that can be commonly used in the art, the present invention does not specifically limit it.

또한, 상기 배향막(14,15)은 두께가 30 ~ 250㎚일 수 있고, 바람직하게는 두께가 40 ~ 230㎚일 수 있다. 만일 상기 배향막의 두께가 30㎚ 미만이면 전원 인가 시 목적하는 수준의 비가시성을 나타내지 못할 수 있고, 전원 인가에 따른 물성 변화가 미미할 수 있으며, 두께가 250㎚를 초과하면 파장별 투과율이 저하될 수 있고, 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있다.In addition, the alignment film (14, 15) may have a thickness of 30 to 250 nm, and preferably, a thickness of 40 to 230 nm. If the thickness of the alignment film is less than 30 nm, the desired level of invisibility may not be exhibited when power is applied, and the change in physical properties due to power application may be minimal. If the thickness exceeds 250 nm, the transmittance by wavelength may decrease, and the visibility may decrease when power is not applied.

다음, 상기 액정부(10)의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부(20,30)에 대하여 설명한다.Next, the substrate portion (20, 30) provided on one or both sides of the liquid crystal portion (10) will be described.

상기 기재부(20,30)는 상기 액정부(10)의 일면 또는 양면 상에 구비되고, 바람직하게는 상기 액정부(10)의 양면 상에 구비될 수 있다. 이에 따라, 상술한 전극층(11) 및 차열전극층(12)의 지지층 역할을 수행하면서도, 차열필름(100)을 보호하는 기능을 수행한다.The above-mentioned substrate (20, 30) is provided on one or both sides of the liquid crystal portion (10), and preferably, can be provided on both sides of the liquid crystal portion (10). Accordingly, it performs the function of a support layer for the electrode layer (11) and the heat-insulating electrode layer (12) described above, while also performing the function of protecting the heat-insulating film (100).

상기 기재부(20,30)는 상술한 전극층(11) 및 차열전극층(12)의 지지층 역할을 수행하면서도, 차열필름(100)을 보호하는 기능을 수행할 수 있는 당업계의 통상적인 재질이라면 제한 없이 사용할 수 있고, 바람직하게는 PET 필름을 사용할 수 있다.The above-mentioned substrate (20, 30) can be made of any material that is common in the art and can perform the function of supporting the electrode layer (11) and the heat-insulating electrode layer (12) described above while also protecting the heat-insulating film (100), and preferably, PET film can be used.

또한, 상기 기재부(20,30)는 두께가 10 ~ 240㎛일 수 있고, 바람직하게는 두께가 15 ~ 220㎛일 수 있다. 만일 상기 기재부의 두께가 10㎛ 미만이면 제조공정 중 기재부가 변형되거나 파단될 수 있고, 기재부 텐션 불균일에 따른 기재부 및/또는 각 층의 두께 편차가 야기되어 외관 및 광학 특성(투과율 및 탁도) 불량이 발생할 수 있으며, 기재부의 두께가 240㎛를 초과하면 컬 불량이 발생할 수 있고, 목적하는 탁도 범위를 나타낼 수 없는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the substrate portion (20, 30) may have a thickness of 10 to 240 μm, and preferably, a thickness of 15 to 220 μm. If the thickness of the substrate portion is less than 10 μm, the substrate portion may be deformed or broken during the manufacturing process, and a thickness deviation of the substrate portion and/or each layer due to substrate portion tension unevenness may occur, resulting in poor appearance and optical characteristics (transmittance and haze). If the thickness of the substrate portion exceeds 240 μm, curling defects may occur, and a problem may occur in which the desired haze range cannot be exhibited.

한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 차열필름(100')은 상기 차열전극층(12)에 대향되는 기재부(20)의 배면 상에 배치되는 점착층(40)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 2, the heat-insulating film (100') may further include an adhesive layer (40) disposed on the back surface of the substrate (20) facing the heat-insulating electrode layer (12).

상기 점착층(40)은 차열필름(100,100')을 윈도우(200)와 점착시키는 기능을 하는 것으로, 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 점착층의 성분이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지 또는 이들의 유도체를 포함하는 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종을 사용할 수 있다.The above adhesive layer (40) has the function of adhering the heat-insulating film (100, 100') to the window (200), and any adhesive layer component that can be commonly used in the art can be used without limitation, and preferably, one selected from the group consisting of a polyester resin, a urethane resin, an acrylic resin, or a resin including derivatives thereof can be used.

또한, 상기 점착층(40)은 두께가 2 ~ 160㎛일 수 있고, 바람직하게는 두께가 3 ~ 150㎛일 수 있다. 만일 상기 점착층의 두께가 2㎛ 미만이면 점착력이 저하될 수 있고, 두께가 160㎛를 초과하면 원재료 비용 상승과 경화시간이 길어져 생산속도 저하 및 많은 열량이 필요하게 되어 에너지 소모가 커지는 문제가 있을 수 있으며, 점착층의 표면 조도 및 굴절률 차이에 의해 전원 미인가 시 가시성이 저하될 수 있다.In addition, the adhesive layer (40) may have a thickness of 2 to 160 μm, and preferably a thickness of 3 to 150 μm. If the thickness of the adhesive layer is less than 2 μm, the adhesive strength may be reduced, and if the thickness exceeds 160 μm, there may be problems such as increased raw material costs and a long curing time, which may result in reduced production speed and increased energy consumption due to the need for a large amount of heat, and visibility may be reduced when power is not applied due to differences in surface roughness and refractive index of the adhesive layer.

본 발명에 따른 차열필름(100)은 상술한 조건 (1)을 만족하도록 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 60 ~ 90%일 수 있고, 바람직하게는 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 65 ~ 88%일 수 있다. 만일 상기 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 60% 미만이면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 만일 상기 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 90%를 초과하면 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있으며, 차열성능이 좋지 않을 수 있다.The heat-insulating film (100) according to the present invention may have an average transmittance of 60 to 90% measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm to satisfy the above-described condition (1), and preferably, the average transmittance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm may be 65 to 88%. If the average transmittance measured every 10 nm at the wavelength of 380 to 780 nm is less than 60%, the desired visibility may not be achieved when power is not applied, and if the average transmittance measured every 10 nm at the wavelength of 380 to 780 nm exceeds 90%, the invisibility may not be achieved at the desired level when power is applied, and the heat-insulating performance may not be good.

또한, 본 발명에 따른 차열필름(100)은 상술한 조건 (1)을 만족하도록 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 0.3 ~ 15%, 바람직하게는 0.5 ~ 12%일 수 있다. 만일 전압 60V를 인가하여 측정한 파장 380 ~ 780㎚에서의 평균 투과율이 0.3% 미만이면 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있고, 전압 60V를 인가하여 측정한 파장 380 ~ 780㎚에서의 평균 투과율이 15%를 초과하면 차열성능이 좋지 않을 수 있고, 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있다.In addition, the heat-insulating film (100) according to the present invention may have an average transmittance of 0.3 to 15%, preferably 0.5 to 12%, measured at every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm by applying a voltage of 60 V to satisfy the above-described condition (1). If the average transmittance at a wavelength of 380 to 780 nm measured by applying a voltage of 60 V is less than 0.3%, visibility may be poor when power is not applied, and if the average transmittance at a wavelength of 380 to 780 nm measured by applying a voltage of 60 V exceeds 15%, heat-insulating performance may be poor, and invisibility may deteriorate when power is applied.

또한, 본 발명에 따른 차열필름(100)은 상술한 조건 (3)을 만족하도록 탁도가 0.5 ~ 15%일 수 있고, 바람직하게는 탁도가 1 ~ 13%일 수 있다. 만일 상기 탁도가 0.5% 미만이면 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있고, 차열성능이 저하될 수 있으며, 탁도가 15%를 초과하면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있다.In addition, the heat-insulating film (100) according to the present invention may have a turbidity of 0.5 to 15% to satisfy the above-described condition (3), and preferably, the turbidity may be 1 to 13%. If the turbidity is less than 0.5%, the invisibility may not be expressed at the desired level when power is applied, and the heat-insulating performance may be degraded, and if the turbidity exceeds 15%, the desired visibility may not be expressed when power is not applied.

그리고, 또한, 본 발명에 따른 차열필름(100)은 상술한 조건 (3)을 만족하도록 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 85 ~ 99.7%, 바람직하게는 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 88 ~ 99.5%일 수 있다. 만일 상기 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 85% 미만이면 차열성능이 저하될 수 있고 전원 인가 시 비가시성이 저하될 수 있으며, 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도가 99.7%를 초과하면 전원 미인가 시 가시성이 좋지 않을 수 있다.And, furthermore, the heat-insulating film (100) according to the present invention may have a turbidity of 85 to 99.7% measured by applying a voltage of 60 V to satisfy the above-described condition (3), preferably, a turbidity of 88 to 99.5% measured by applying a voltage of 60 V. If the turbidity measured by applying the voltage of 60 V is less than 85%, the heat-insulating performance may deteriorate and the visibility may deteriorate when power is applied, and if the turbidity measured by applying the voltage of 60 V exceeds 99.7%, the visibility may not be good when power is not applied.

본 발명에 따른 차열필름(100)은 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5 ~ 6.5%일 수 있고, 바람직하게는 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 2 ~ 6%일 수 있으며, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%일 수 있고, 바람직하게는 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 35 ~ 45%일 수 있다. 만일 상기 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5% 미만이거나, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33% 미만이면 차열성능이 저하될 수 있고, 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있으며, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 6.5%를 초과하거나, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 47%를 초과하면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있다.The heat-insulating film (100) according to the present invention may have an average reflectance of 1.5 to 6.5% measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, preferably an average reflectance of 2 to 6% measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, an average reflectance of 33 to 47% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, and preferably an average reflectance of 35 to 45% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm. If the average reflectivity measured every 10 nm in the wavelength range of 380 to 780 nm is less than 1.5%, or the average reflectivity measured every 50 nm in the wavelength range of 350 to 2100 nm is less than 33%, the heat insulating performance may deteriorate, and the invisibility may not be expressed at the intended level when power is applied. In addition, if the average reflectivity measured every 10 nm in the wavelength range of 380 to 780 nm exceeds 6.5%, or the average reflectivity measured every 50 nm in the wavelength range of 350 to 2100 nm exceeds 47%, the intended visibility may not be expressed when power is not applied.

한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 차열필름(100,100')은 전극층, 차열전극층 및, 상기 전극층과 차열전극층 사이에 개재되고 양면에 배향막이 배치된 액정층을 포함하는 액정부 및, 상기 액정부의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부를 포함하고, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 3 ~ 35%이며, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%이다. 바람직하게는 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 4 ~ 33%일 수 있으며, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 35 ~ 45%일 수 있다. 만일 파장 350 ~ 2100㎚에서의 평균 투과율이 3% 미만이면 전원 미인가 시 목적하는 가시성을 발현하지 못할 수 있고, 파장 350 ~ 2100㎚에서의 평균 투과율이 35%를 초과하면 전원 인가 시 비가시성을 목적하는 수준으로 발현하지 못할 수 있으며, 차열성능이 좋지 않을 수 있다.Meanwhile, a heat-insulating film (100, 100') according to another embodiment of the present invention includes a liquid crystal part including an electrode layer, a heat-insulating electrode layer, and a liquid crystal layer interposed between the electrode layer and the heat-insulating electrode layer and having alignment films disposed on both sides, and a substrate part provided on one or both sides of the liquid crystal part, and has an average transmittance of 3 to 35% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, and an average reflectance of 33 to 47% measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm. Preferably, the average transmittance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm may be 4 to 33%, and the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm may be 35 to 45%. If the average transmittance at a wavelength of 350 to 2100 nm is less than 3%, the intended visibility may not be achieved when power is not supplied. If the average transmittance at a wavelength of 350 to 2100 nm exceeds 35%, the intended level of invisibility may not be achieved when power is supplied, and the heat-insulating performance may not be good.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 차열필름(100,100')은 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내일 수 있고, 바람직하게는 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±4% 이내일 수 있으며, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내일 수 있고, 바람직하게는 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±4% 이내일 수 있다. 이에 따라, 차열특성이 우수하고, 전원 인가에 따라 물성이 변화할 수 있으면서도, 전원 인가 시 우수한 가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 비가시성을 발현하는 효과를 동시에 발현하는 측면에서 더욱 유리할 수 있다.Meanwhile, the heat-insulating film (100, 100') according to one embodiment of the present invention may have a deviation of within ±5% in the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm after applying a voltage of 60 V compared to the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, and preferably, the deviation of the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm after applying a voltage of 60 V may be within ±4% in the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, and the deviation of the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm after applying a voltage of 60 V may be within ±5% in the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, and preferably, the deviation of the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm after applying a voltage of 60 V may be within ±5% in the average reflectance measured every 10 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm. The deviation of the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm after applying a voltage of 60 V can be within ±4% compared to the average reflectance measured every 50 nm. Accordingly, it can be more advantageous in terms of simultaneously expressing the effects of excellent heat-insulating properties, the ability to change properties depending on the power supply, and excellent visibility when power is supplied, and invisibility when power is not supplied.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 차열필름(100)은 후술하는 제조방법을 통해 제조될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, a heat-insulating film (100) according to one embodiment of the present invention can be manufactured through the manufacturing method described below, but is not limited thereto.

본 발명에 따른 차열필름(100)은, 일 기재부(20) 상에 차열전극층(12)을 형성시키고 차열전극층(12) 상에 배향막(15)를 형성시켜서 제1적층체를 형성하는 단계, 타 기재부(30) 상에 전극층(11)을 형성시키고 전극층(11) 상에 배향막(14)을 형성시켜서 제2적층체를 형성하는 단계, 및 상기 제1적층체 상에 액정층(13)을 형성하고, 액정층(13) 상에 제2적층체를 적층하는 단계를 포함하는 제조방법을 통해 제조될 수 있다.A heat-insulating film (100) according to the present invention can be manufactured through a manufacturing method including a step of forming a heat-insulating electrode layer (12) on a substrate (20) and forming an alignment film (15) on the heat-insulating electrode layer (12) to form a first laminate, a step of forming an electrode layer (11) on another substrate (30) and forming an alignment film (14) on the electrode layer (11) to form a second laminate, and a step of forming a liquid crystal layer (13) on the first laminate and laminating the second laminate on the liquid crystal layer (13).

이때, 상기 전극층(11) 및 차열전극층(12)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 형성 방법이라면 제한 없이 사용하여 형성할 수 있으며, 바람직하게는 증착 공정을 통해 형성할 수 있다.At this time, the electrode layer (11) and the heat-insulating electrode layer (12) can be formed without limitation using any forming method that can be commonly used in the art, and preferably, can be formed through a deposition process.

또한, 상기 배향막(14,15)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 형성 방법이라면 제한 없이 사용하여 형성할 수 있으며, 바람직하게는 코팅 등의 방법을 통해 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the alignment film (14, 15) can be formed without limitation using any forming method that can be commonly used in the art, and preferably, can be formed through a method such as coating, but is not limited thereto.

그리고, 상기 액정층(13)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 형성 방법이라면 제한 없이 사용하여 형성할 수 있으며, 바람직하게는 코팅, 충진 등의 방법을 통해 형성할 수 있고, 보다 바람직하게는 코팅을 통해 형성할 수 있다.And, the liquid crystal layer (13) can be formed without limitation using any forming method that can be commonly used in the art, and preferably can be formed through a method such as coating or filling, and more preferably can be formed through coating.

한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 차열필름 제조방법은, 상기 제2적층체를 적층하는 단계 뒤에, 상기 차열전극층(12)에 대향되는 기재부(20)의 배면 상에 점착층(40)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, a method for manufacturing a heat-insulating film according to another embodiment of the present invention may further include, after the step of laminating the second laminate, a step of forming an adhesive layer (40) on the back surface of the substrate portion (20) facing the heat-insulating electrode layer (12).

이때, 상기 점착층(40)은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 형성 방법이라면 제한 없이 사용하여 형성할 수 있으며, 바람직하게는 라미네이팅 공정을 통해 형성할 수 있다.At this time, the adhesive layer (40) can be formed without limitation using any forming method that can be commonly used in the art, and preferably, it can be formed through a laminating process.

한편, 본 발명은 상술한 차열필름(100,100')을 포함하는 가변 윈도우(1000)를 제공한다.Meanwhile, the present invention provides a variable window (1000) including the above-described heat-insulating film (100, 100').

상기 가변 윈도우(1000)는 윈도우(200)의 적어도 일면 상에 상술한 차열필름(100,100')을 포함하여 구현된다. 상기 차열필름은 상술한 점착층(40)을 통해 상기 윈도우(200)의 적어도 일면 상에 고정될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The above variable window (1000) is implemented by including the above-described heat-insulating film (100, 100') on at least one surface of the window (200). The above-described heat-insulating film may be fixed on at least one surface of the window (200) through the above-described adhesive layer (40), but is not limited thereto.

본 발명의 차열필름은 차열 기능이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능한 동시에, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하며, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하는 효과를 나타낼 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 차열필름을 윈도우에 적용 시 가변 윈도우의 구현이 가능하다. 그러므로 다양한 기술분야에서 본 발명에 따른 차열필름 및 이를 포함하는 가변 윈도우의 적용이 가능하며, 특히, 자동차에 적용 시 자동차의 유리, 즉 앞유리, 뒷유리, 좌석의 옆유리나 썬루프 등에 배치될 수도 있다.The heat-insulating film of the present invention has a remarkably excellent heat-insulating function, and can change its physical properties depending on the application of power, and can exhibit the effect of exhibiting excellent invisibility when power is applied and excellent visibility when power is not applied. Accordingly, when the heat-insulating film of the present invention is applied to a window, it is possible to implement a variable window. Therefore, the heat-insulating film according to the present invention and the variable window including the same can be applied in various technical fields, and in particular, when applied to an automobile, it can be placed on the glass of the automobile, that is, the windshield, the rear window, the side windows of the seat, the sunroof, etc.

하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 하지만, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention will be described more specifically through the following examples, but the following examples do not limit the scope of the present invention, and should be interpreted as helping to understand the present invention.

<실시예 1><Example 1>

먼저 두께 125㎛의 PET 기재(XG7PH8, 도레이첨단소재) 2장을 각각 기재부로 준비하였다. 상기 기재부 중 하나의 기재부 상에 200 kHz 펄스로 2kW의 전력을 적용하여, 2.5 Х 10-5 torr로 베이스 진공을 확보한 다음 아르곤 가스 250sccm(standard cubic centimeter per minute) 기준에서 5중량%의 비율의 질소가스 조건으로 DC 스퍼터(sputter)를 이용하여 두께 35㎚의 아연주석산화물(ZTO), 두께 15㎚의 은-팔라듐-구리 합금(Ag-Pd-Cu;APC)및 두께 35㎚의 아연주석산화물(ZTO)을 순차적으로 증착하여 3개의 금속유래층을 포함하는 차열전극층을 형성함으로써 제1적층체를 형성하였다. 그리고, 다른 기재부 상에 200 kHz 펄스로 2kW의 전력을 적용하여, 2.5 Х 10-5 torr로 베이스 진공을 확보한 다음 아르곤 가스 250sccm(standard cubic centimeter per minute) 기준에서 5중량%의 비율의 질소가스 조건으로 DC 스퍼터(sputter)를 이용하여 두께 50㎚의 ITO(Indium Tin Oxide)를 증착하여 전극층을 형성함으로써 제2적층체를 형성하였다.First, two PET substrates (XG7PH8, Toray Advanced Materials) each having a thickness of 125 μm were prepared as substrates. By applying 2 kW of power at a 200 kHz pulse to one of the substrates to secure a base vacuum of 2.5 Х 10 -5 torr, a 35 nm-thick zinc tin oxide (ZTO), a 15 nm-thick silver-palladium-copper alloy (Ag-Pd-Cu; APC), and a 35 nm-thick zinc tin oxide (ZTO) were sequentially deposited using DC sputtering under nitrogen gas conditions at a ratio of 5 wt% based on 250 sccm (standard cubic centimeter per minute) of argon gas to form a heat-insulating electrode layer including three metal-derived layers, thereby forming a first laminate. Then, by applying 2 kW of power with 200 kHz pulses on another substrate, a base vacuum of 2.5 Х 10 -5 torr was secured, and then, using DC sputtering under the condition of nitrogen gas at a ratio of 5 wt% based on 250 sccm (standard cubic centimeter per minute) of argon gas, ITO (Indium Tin Oxide) with a thickness of 50 nm was deposited to form an electrode layer, thereby forming a second laminate.

그리고, 상기 제조된 제1적층체 및 제2적층체의 전도성 면에 대해, 폴리이미드 성분으로 이루어진 배향막 코팅액을 마이크로그라비아 코팅 방법으로 175nm 두께로 형성시켜 배향막 기재를 준비했다.Then, for the conductive surfaces of the first and second laminates manufactured above, an alignment film coating liquid composed of a polyimide component was formed with a thickness of 175 nm using a microgravure coating method to prepare an alignment film substrate.

이후, 상기 제조한 제1적층체와 제2적층체 사이에 음의 유전율이방성을 가지는 액정 화합물, 우레탄올리고머 및 싸이올계 프리폴리머 혼합물, 핵산디올디아크릴레이트 모노머 및 자외선 광개시제(=380nm 범위의 파장대 영역에서 흡광 피크를 형성하는 광개시제)를 포함하는 액정 분산 조성물을 갭롤 방법으로 코팅하고 UV경화를 진행하여 두께 20㎛의 액정층을 형성시켜 도 1에 도시된 바와 같은 차열필름을 제조하였다.Thereafter, a liquid crystal dispersion composition including a liquid crystal compound having negative dielectric anisotropy, a mixture of a urethane oligomer and a thiol-based prepolymer, a nucleic acid diol diacrylate monomer, and an ultraviolet photoinitiator (a photoinitiator forming an absorption peak in a wavelength range of 380 nm) was coated between the first and second laminates using a gap roll method, and UV curing was performed to form a liquid crystal layer having a thickness of 20 μm, thereby manufacturing a heat-insulating film as shown in FIG. 1.

<실시예 2 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6><Examples 2 to 3 and Comparative Examples 1 to 6>

실시예 1과 동일하게 실시하여 제조하되, 차열금속층 재료의 종류 및 두께 등을 변경하여 하기 표 1 및 표 2와 같은 차열필름을 제조하였다.A heat-insulating film was manufactured in the same manner as in Example 1, but the type and thickness of the heat-insulating metal layer material were changed to manufacture a heat-insulating film as shown in Table 1 and Table 2 below.

<실험예 1><Experimental Example 1>

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, 평균두께 3㎜의 일반유리에 각각의 차열필름을 부착하고 하기의 물성을 평가하여 표 1 및 표 2에 나타내었다.For each heat-insulating film manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, each heat-insulating film was attached to ordinary glass with an average thickness of 3 mm, and the following physical properties were evaluated, which are shown in Tables 1 and 2.

1. 파장대 별 평균 투과율 및 평균 반사율 측정1. Measurement of average transmittance and average reflectance by wavelength

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, 분광광도계(UV-VIS-NIR Spectrophotometer, Perkin-Elmer, Lambda 950, U.S.A)로 KS L 2016:2014, 6.3 광학적 성능시험에 의거하여 파장 380 ~ 2100㎚에서의 각각 평균 투과율 및 평균 반사율을 측정하되, 파장 380 ~ 780㎚에서 파장 10㎚ 마다 투과율 및 반사율을 측정함으로써 각각 파장 380 ~ 780㎚에서의 평균 투과율과 평균 반사율을 측정하고, 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 투과율 및 반사율을 측정함으로써 각각 파장 350 ~ 2100㎚에서의 평균 투과율과 평균 반사율을 측정하였다. 이때, 파장 380 ~ 780㎚에서의 투과율 및 반사율은 전극층 측을 기준으로 측정하였고, 파장 350 ~ 2100㎚에서의 투과율 및 반사율은 차열전극층 측을 기준으로 측정하였다.For each of the heat-insulating films manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, the average transmittance and average reflectance at a wavelength of 380 to 2100 nm were measured using a spectrophotometer (UV-VIS-NIR Spectrophotometer, Perkin-Elmer, Lambda 950, U.S.A) in accordance with KS L 2016:2014, 6.3 Optical Performance Test. By measuring the transmittance and reflectance at every 10 nm wavelength between 380 and 780 nm, the average transmittance and average reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm were measured, respectively. By measuring the transmittance and reflectance at every 50 nm wavelength between 350 and 2100 nm, the average transmittance and average reflectance at a wavelength of 350 to 2100 nm were measured, respectively. At this time, the transmittance and reflectance at a wavelength of 380 to 780 nm were measured based on the electrode layer side, and the transmittance and reflectance at a wavelength of 350 to 2100 nm were measured based on the heat-insulating electrode layer side.

2. 탁도 측정2. Turbidity measurement

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, 필름상에 빛을 투과하여 반사 또는 흡수 외에 확산으로 인한 불투명한 상태를 측정하였다. (BYK社, haze-gard plus)For each heat-insulating film manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, the opacity due to diffusion in addition to reflection or absorption by transmitting light through the film was measured. (BYK, haze-gard plus)

3. 파장대 별 평균 투과율 및 평균 반사율 측정(전원 인가)3. Measurement of average transmittance and average reflectance by wavelength (power applied)

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, "1"과 같은 방법으로 파장대 별 평균 투과율 및 반사율을 각각 측정하되, 전압 60V를 인가하여 파장대 별 평균 투과율 및 반사율을 각각 측정하였다.For each of the heat-insulating films manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, the average transmittance and reflectance by wavelength were measured using the same method as in “1”, but a voltage of 60 V was applied to measure the average transmittance and reflectance by wavelength.

4. 탁도 측정(전원 인가)4. Turbidity measurement (power on)

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, "2"와 같은 방법으로 탁도를 측정하되, 전압 60V를 인가하여 탁도를 측정하였다.For each of the heat-insulating films manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, turbidity was measured using the same method as “2”, but turbidity was measured by applying a voltage of 60 V.

5. 차열특성 평가5. Evaluation of thermal insulation characteristics

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, KS L 9107 창 유리용 필름의 태양열 취득률(Solar Heat Gain Coefficient; SHGC) 측정방법에 따라 성능을 측정하여, 그 값을 나타내었다.For each heat-insulating film manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, the performance was measured according to the KS L 9107 Solar Heat Gain Coefficient (SHGC) measurement method for window glass films, and the values were presented.

6. 가시성 및 비가시성 평가6. Visibility and Invisibility Assessment

실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 ~ 6에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, 업계 경력 15년 이상의 전문요원 30인이 각각 육안으로 평가하도록 하여 7점법에 의해 전압 60V 인가 전후에 따른 가시성 및 비가시성을 각각 평가하였다.For each heat-insulating film manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, 30 experts with more than 15 years of industry experience visually evaluated the visibility and invisibility before and after application of a voltage of 60 V using the 7-point method.

* 전압인가 전 가시성 평가: 1-매우 나쁨, 2-나쁨, 3-약간 나쁨, 4-보통, 5-약간 좋음, 6-좋음, 7-매우 좋음* Visibility rating before voltage application: 1 - very bad, 2 - bad, 3 - somewhat bad, 4 - average, 5 - somewhat good, 6 - good, 7 - very good

* 전압인가 후 비가시성 평가: 1-매우 나쁨, 2-나쁨, 3-약간 나쁨, 4-보통, 5-약간 좋음, 6-좋음, 7-매우 좋음* Invisibility evaluation after voltage application: 1-very bad, 2-bad, 3-slightly bad, 4-average, 5-slightly good, 6-good, 7-very good

구분division 실시예
1
Example
1
실시예
2
Example
2
실시예
3
Example
3
비교예
1
Comparative example
1
차열
전극층 적층
구조
Heat
Electrode layer lamination
structure
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) ZTO/35ZTO/35 ZTO/95ZTO/95 ZTO/
1.5
ZTO/
1.5
--
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) APC/15APC/15 APC/40APC/40 APC/
1
APC/
1
APC/
2.5
APC/
2.5
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) ZTO/35ZTO/35 ZTO/95ZTO/95 ZTO/1.5ZTO/1.5 -- 총 두께(㎚)Total thickness (nm) 8585 230230 44 2.52.5 평균 투과율(%)Average Transmittance (%) 파장 380~780㎚, "A1"Wavelength 380~780㎚, "A1" 77.477.4 65.565.5 87.887.8 94.894.8 파장 380~780㎚(전압인가),"A2"Wavelength 380~780㎚(voltage applied), "A2" 5.65.6 0.530.53 11.511.5 15.715.7 조건(1), A1:A2Condition (1), A1:A2 0.0720.072 0.00810.0081 0.1310.131 0.1660.166 파장 350~2100㎚,"B1"Wavelength 350~2100㎚,"B1" 17.617.6 4.24.2 32.932.9 30.630.6 파장 350~2100㎚ (전압인가),"B2"Wavelength 350~2100㎚ (voltage applied), "B2" 3.13.1 0.530.53 6.56.5 5.95.9 탁도(%)Turbidity (%) "C1""C1" 6.26.2 12.712.7 1.11.1 0.250.25 "C2"(전압인가)"C2" (voltage applied) 94.594.5 98.998.9 88.588.5 8181 조건(3), C1:C2Condition (3), C1:C2 14.5414.54 7.797.79 80.4580.45 324324 평균 반사율(%)Average Reflectance (%) 파장 380~780㎚Wavelength 380~780㎚ 3.963.96 5.55.5 2.12.1 1.51.5 파장 380~780㎚(전압인가)Wavelength 380~780㎚ (voltage applied) 44 5.45.4 2.12.1 1.51.5 파장 380~780㎚ 편차(%)Wavelength 380~780㎚ deviation (%) +1+1 -1.8-1.8 00 00 파장 350~2100㎚Wavelength 350~2100㎚ 39.739.7 44.544.5 35.635.6 34.534.5 파장 350~2100㎚(전압인가)Wavelength 350~2100㎚ (voltage applied) 4040 44.344.3 35.735.7 34.334.3 파장 350~2100㎚ 편차(%)Wavelength 350~2100㎚ deviation (%) +0.76+0.76 -0.45-0.45 +0.28+0.28 -0.58-0.58 태양열 취득율(SHGC)Solar Heat Gain Rate (SHGC) 0.10.1 0.10.1 0.20.2 0.20.2 가시성(/7점, 전압미인가)Visibility (/7 points, voltage not applied) 6.66.6 6.66.6 6.86.8 6.86.8 비가시성(/7점, 전압인가)Invisibility (/7 points, voltage applied) 6.86.8 6.86.8 6.76.7 5.85.8

구분division 비교예
2
Comparative example
2
비교예
3
Comparative example
3
비교예
4
Comparative example
4
비교예
5
Comparative example
5
비교예
6
Comparative example
6
차열
전극층 적층
구조
Heat
Electrode layer lamination
structure
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) ZTO/100ZTO/100 ZTO/2ZTO/2 ZTO/
115
ZTO/
115
ZTO/
112.5
ZTO/
112.5
--
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) APC/70APC/70 APC/1APC/1 APC/30APC/30 APC/29APC/29 APC/
2
APC/
2
종류/두께(㎚)Type/Thickness (nm) ZTO/100ZTO/100 ZTO/2ZTO/2 ZTO/115ZTO/115 ZTO/
112.5
ZTO/
112.5
--
총 두께(㎚)Total thickness (nm) 270270 55 260260 254254 22 평균 투과율(%)Average Transmittance (%) 파장 380~780㎚, "A1"Wavelength 380~780㎚, "A1" 66.366.3 85.285.2 55.255.2 60.160.1 91.791.7 파장 380~780㎚(전압인가),"A2"Wavelength 380~780㎚(voltage applied), "A2" 0.550.55 99 0.10.1 0.20.2 24.424.4 조건(1), A1:A2Condition (1), A1:A2 0.00830.0083 0.110.11 0.00180.0018 0.00330.0033 0.2660.266 파장 350~2100㎚,"B1"Wavelength 350~2100㎚,"B1" 2.62.6 37.537.5 4.84.8 4.74.7 27.827.8 파장 350~2100㎚ (전압인가),"B2"Wavelength 350~2100㎚ (voltage applied), "B2" 0.20.2 8.28.2 11 11 4.74.7 탁도(%)Turbidity (%) "C1""C1" 9.29.2 2.82.8 1818 18.818.8 0.30.3 "C2"(전압인가)"C2" (voltage applied) 93.993.9 90.890.8 99.799.7 99.799.7 75.475.4 조건(3), C1:C2Condition (3), C1:C2 10.2110.21 32.4332.43 5.535.53 5.35.3 251.3251.3 평균 반사율(%)Average Reflectance (%) 파장 380~780㎚Wavelength 380~780㎚ 88 1.81.8 7.37.3 1.31.3 1.21.2 파장 380~780㎚(전압인가)Wavelength 380~780㎚ (voltage applied) 7.57.5 1.81.8 7.67.6 1.31.3 1.21.2 파장 380~780㎚ 편차(%)Wavelength 380~780㎚ deviation (%) -6.3-6.3 00 +4.1+4.1 00 00 파장 350~2100㎚Wavelength 350~2100㎚ 48.448.4 32.332.3 45.645.6 32.632.6 33.833.8 파장 350~2100㎚(전압인가)Wavelength 350~2100㎚ (voltage applied) 47.847.8 32.432.4 45.645.6 32.532.5 33.933.9 파장 350~2100㎚ 편차(%)Wavelength 350~2100㎚ deviation (%) -1.24-1.24 +0.31+0.31 00 -0.31-0.31 +0.3+0.3 태양열 취득율(SHGC)Solar Heat Gain Rate (SHGC) 0.10.1 0.70.7 0.20.2 0.20.2 0.20.2 가시성(/7점, 전압미인가)Visibility (/7 points, voltage not applied) 5.55.5 6.76.7 5.75.7 5.75.7 6.86.8 비가시성(/7점, 전압인가)Invisibility (/7 points, voltage applied) 6.76.7 6.76.7 6.86.8 6.86.8 5.45.4

상기 표 1 및 표 2에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 차열금속층 재료의 종류 및 두께 등을 모두 만족하는 실시예 1 내지 3이, 이 중에서 하나라도 만족하지 못하는 비교예 1 내지 6에 비하여 차열특성이 현저히 우수하고, 전원 인가에 따라 물성 변화가 가능하면서도, 전원 미인가 시 우수한 가시성을 발현하며, 전원 인가 시 우수한 비가시성을 발현하는 효과를 모두 동시에 달성할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.As can be seen from Table 1 and Table 2 above, Examples 1 to 3, which satisfy all of the types and thicknesses of the heat-insulating metal layer materials according to the present invention, are significantly superior in heat-insulating properties compared to Comparative Examples 1 to 6, which do not satisfy even one of these, and can simultaneously achieve the effects of exhibiting excellent visibility when power is not applied and excellent invisibility when power is applied, while allowing properties to change depending on the application of power.

<비교예 7><Comparative Example 7>

실시예 1과 동일하게 실시하여 제조하되, 3개의 금속유래층을 포함하는 차열전극층을 전극층과 동일한 재료인 두께 50㎚의 ITO(Indium Tin Oxide)로 변경하여 차열필름을 제조하였다.A heat-insulating film was manufactured in the same manner as in Example 1, but the heat-insulating electrode layer including three metal-derived layers was changed to ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 50 nm, which is the same material as the electrode layer.

<실험예 2><Experimental Example 2>

실시예 1 및 비교예 7에 따라 제조한 각각의 차열필름에 대하여, KS L 9107 창 유리용 필름의 태양열 취득률(Solar Heat Gain Coefficient; SHGC) 측정방법에 따라 성능을 측정하여, 그 값을 나타내었다.For each heat-insulating film manufactured according to Example 1 and Comparative Example 7, the performance was measured according to the KS L 9107 Solar Heat Gain Coefficient (SHGC) measurement method for window glass films, and the values were presented.

구분division 실시예
1
Example
1
비교예
7
Comparative example
7
차열전극층Thermal electrode layer 물질 종류Type of material ZTO / APC / ZTOZTO / APC / ZTO ITOITO 태양열 취득율(SHGC)Solar Heat Gain Rate (SHGC) 0.10.1 0.80.8

상기 표 3에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 차열전극층을 포함하는 실시예 1이, 차열전극층이 아닌 전극층을 포함하는 비교예 7에 비하여 차열특성이 현저히 우수한 것을 확인할 수 있다.As can be seen from Table 3 above, it can be confirmed that Example 1 including a heat-insulating electrode layer according to the present invention has significantly superior heat-insulating characteristics compared to Comparative Example 7 including an electrode layer other than a heat-insulating electrode layer.

이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiment presented in this specification, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention will be able to easily propose other embodiments by adding, changing, deleting, or adding components within the scope of the same spirit, but this will also be considered to fall within the spirit of the present invention.

10: 액정부
11: 전극층
12: 차열전극층
13: 액정층
14, 15: 배향막
20, 30: 기재부
40: 점착층
100: 차열필름
200: 윈도우
1000: 가변 윈도우
10: Liquid crystal part
11: Electrode layer
12: Heat-insulating electrode layer
13: Liquid crystal layer
14, 15: Alignment film
20, 30: Ministry of Finance
40: Adhesive layer
100: Heat-insulating film
200: Windows
1000: Variable window

Claims (16)

전극층, 차열전극층 및, 상기 전극층과 차열전극층 사이에 개재되고 양면에 배향막이 배치된 액정층을 포함하는 액정부; 및,
상기 액정부의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부;를 포함하고,
하기 조건 (1) 내지 (3)을 모두 만족하며,
탁도가 0.5 ~ 15%이고,
전압 60V를 인가하여 측정한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 0.3 ~ 15%이고, 탁도가 85 ~ 99.5%인 차열필름:
(1) A1 : A2가 1 : 0.0032 ~ 0.26
(2) B1이 3 ~ 35 및 B2가 0.3 ~ 8
(3) C1 : C2가 1 : 5.5 ~ 200
이때, 상기 A1은 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B1은 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), C1는 탁도(%), A2는 전압 60V를 인가하여 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%), B2는 전압 60V를 인가하여 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율(%) 및, C2는 전압 60V를 인가하여 측정한 탁도(%)를 나타냄.
A liquid crystal part including an electrode layer, a heat-insulating electrode layer, and a liquid crystal layer interposed between the electrode layer and the heat-insulating electrode layer and having alignment films disposed on both sides; and
Including a substrate provided on one or both sides of the liquid crystal portion;
All of the following conditions (1) to (3) are satisfied,
Turbidity is 0.5 to 15%,
A heat-insulating film having an average transmittance of 0.3 to 15% and a turbidity of 85 to 99.5%, measured at 10 nm intervals over a wavelength of 380 to 780 nm, when measured by applying a voltage of 60 V:
(1) A1: A2 is 1: 0.0032 ~ 0.26
(2) B1 is 3 to 35 and B2 is 0.3 to 8
(3) C1: C2 is 1:5.5 ~ 200
At this time, A1 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm, B1 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm, C1 represents turbidity (%), A2 represents the average transmittance (%) measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm by applying a voltage of 60 V, B2 represents the average transmittance (%) measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm by applying a voltage of 60 V, and C2 represents turbidity (%) measured by applying a voltage of 60 V.
전극층, 차열전극층 및 상기 전극층과 차열전극층 사이에 개재되는 액정층을 포함하는 액정부; 및,
상기 액정부의 일면 또는 양면 상에 구비되는 기재부;를 포함하고,
파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 3 ~ 35%이며,
파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%이고,
탁도가 0.5 ~ 15%이며,
전압 60V를 인가하여 측정한, 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 0.3 ~ 15%이고, 탁도가 85 ~ 99.5%인 차열필름.
A liquid crystal part including an electrode layer, a heat-insulating electrode layer, and a liquid crystal layer interposed between the electrode layer and the heat-insulating electrode layer; and
Including a substrate provided on one or both sides of the liquid crystal portion;
The average transmittance measured every 50 nm in the wavelength range of 350 to 2100 nm is 3 to 35%.
The average reflectance measured every 50 nm in the wavelength range of 350 to 2100 nm is 33 to 47%,
The turbidity is 0.5 to 15%,
A heat-insulating film having an average transmittance of 0.3 to 15% and a turbidity of 85 to 99.5%, measured at 10 nm intervals over a wavelength of 380 to 780 nm, when measured by applying a voltage of 60 V.
제1항에 있어서,
하기 조건 (1) 내지 (3)을 모두 만족하는 차열필름:
(1) A1 : A2가 1 : 0.0055 ~ 0.19
(2) B1이 4 ~ 33 및 B2가 0.5 ~ 6.5
(3) C1 : C2가 1 : 6.6 ~ 99.6임.
In the first paragraph,
A heat-insulating film satisfying all of the following conditions (1) to (3):
(1) A1: A2 is 1: 0.0055 ~ 0.19
(2) B1 is 4 to 33 and B2 is 0.5 to 6.5
(3) C1:C2 is 1:6.6 ~ 99.6.
제1항 또는 제2항에 있어서,
파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 투과율이 60 ~ 90%인 차열필름.
In claim 1 or 2,
A heat-insulating film with an average transmittance of 60 to 90% measured every 10 nm at a wavelength of 380 to 780 nm.
삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 차열전극층은 적어도 둘 이상의 금속유래층을 포함하는 차열필름.
In claim 1 or 2,
The above-mentioned heat-insulating electrode layer is a heat-insulating film including at least two metal-derived layers.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 액정층은 두께가 3 ~ 40㎛이고,
상기 전극층은 두께가 3 ~ 150㎚이며,
상기 차열전극층은 두께가 3 ~ 250㎚인 차열필름.
In claim 1 or 2,
The above liquid crystal layer has a thickness of 3 to 40 μm,
The above electrode layer has a thickness of 3 to 150 nm,
The above-mentioned heat-insulating electrode layer is a heat-insulating film having a thickness of 3 to 250 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기재부는 두께가 10 ~ 240㎛인 차열필름.
In claim 1 or 2,
The above-mentioned description is a heat-insulating film having a thickness of 10 to 240㎛.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기재부는 액정부의 양면 상에 구비되는 차열필름.
In claim 1 or 2,
The above-mentioned part is a heat-insulating film provided on both sides of the liquid crystal part.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 차열전극층에 대향되는 기재부의 배면 상에 배치되는 점착층;을 더 포함하는 차열필름.
In claim 1 or 2,
A heat-insulating film further comprising an adhesive layer disposed on the back surface of a substrate portion facing the heat-insulating electrode layer.
제10항에 있어서,
상기 점착층은 두께가 2 ~ 160㎛인 차열필름.
In Article 10,
The above adhesive layer is a heat-insulating film having a thickness of 2 to 160 μm.
제1항에 있어서,
파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5 ~ 6.5%이고,
파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 33 ~ 47%인 차열필름.
In the first paragraph,
The average reflectance measured every 10 nm in the wavelength range of 380 to 780 nm is 1.5 to 6.5%,
A heat-insulating film with an average reflectance of 33 to 47% measured every 50 nm over a wavelength of 350 to 2100 nm.
제2항에 있어서,
파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율이 1.5 ~ 6.5%인 차열필름.
In the second paragraph,
A heat-insulating film with an average reflectance of 1.5 to 6.5% measured every 10 nm over a wavelength of 380 to 780 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 380 ~ 780㎚에서 10㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내이고,
파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율 대비, 전압 60V 인가 후 파장 350 ~ 2100㎚에서 50㎚ 마다 측정한 평균 반사율의 편차가 ±5% 이내인 차열필름.
In claim 1 or 2,
The deviation of the average reflectance measured every 10㎚ at a wavelength of 380 to 780㎚ after applying a voltage of 60V is within ±5%, compared to the average reflectance measured every 10㎚ at a wavelength of 380 to 780㎚.
A heat-insulating film having a deviation of within ±5% between the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm and the average reflectance measured every 50 nm at a wavelength of 350 to 2100 nm after applying a voltage of 60 V.
제1항 내지 제3항, 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 따른 차열필름;을 포함하는 가변 윈도우.A variable window comprising a heat-insulating film according to any one of claims 1 to 3, 12 and 13. 제1항에 있어서,
상기 배향막은 두께가 30 ~ 250㎚인 차열필름.
In the first paragraph,
The above-mentioned alignment film is a heat-insulating film having a thickness of 30 to 250 nm.
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