KR102680920B1 - Method for cutting workpiece - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 피가공물의 가공 불량의 발생을 방지하면서, 다이 어태치 필름의 버의 발생을 효율적으로 억제할 수 있는 피가공물의 절삭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 영역에 각각 디바이스가 형성된 판형의 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하는 피가공물의 절삭 방법으로서, 다이 어태치 필름과 다이싱 테이프가 적층된 적층 테이프의 다이 어태치 필름을 피가공물의 이면에 접착함과 더불어, 다이싱 테이프의 외주부를 환형 프레임에 접착하고, 프레임 유닛을 형성하는 단계와, 피가공물을 적층 테이프를 통해 절삭 장치의 척 테이블로 유지하는 단계와, 다운컷에 의해 피가공물을 절단하는 절삭 홈을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 단계와, 업컷에 의해 절삭 홈의 바닥에서 노출된 다이 어태치 필름을 절삭 블레이드로 절단하는 단계를 구비한다.The purpose of the present invention is to provide a cutting method for a workpiece that can efficiently suppress the generation of burrs in a die attach film while preventing the occurrence of machining defects in the workpiece.
A cutting method of cutting a plate-shaped workpiece with a cutting blade, each of which has a device formed in a surface area divided by a plurality of division lines formed in a grid, wherein a die attach film and a dicing tape are laminated. In addition to adhering the die attach film of the laminated tape to the back side of the workpiece, attaching the outer peripheral portion of the dicing tape to an annular frame to form a frame unit, and passing the workpiece through the laminated tape to the chuck table of the cutting device maintaining the workpiece, forming a cutting groove for cutting the workpiece by downcut along the line to be divided, and cutting the die attach film exposed at the bottom of the cutting groove by upcut with a cutting blade. Equipped with
Description
본 발명은, 판형의 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하는 피가공물의 절삭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cutting method for cutting a plate-shaped workpiece with a cutting blade.
표면측에 IC(Integrated Circuit) 등으로 대표되는 복수의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등으로 이루어진 판형의 피가공물을 분할 예정 라인(스트리트)을 따라 분할함으로써, 디바이스를 각각 포함하는 복수의 디바이스 칩이 얻어진다. 이 피가공물의 분할은, 예컨대 피가공물을 절삭하는 원환형의 절삭 블레이드가 장착된 절삭 장치를 이용하여 행해진다. 절삭 블레이드를 회전시켜, 분할 예정 라인을 따라 피가공물에 절입함으로써, 피가공물이 절삭되어 분할된다.A plate-shaped workpiece, such as a semiconductor wafer or glass substrate, on which a plurality of devices represented by ICs (Integrated Circuits), etc. are formed on the surface, is divided along a dividing line (street) to form a plurality of device chips each containing a device. This is obtained. This division of the workpiece is performed, for example, using a cutting device equipped with an annular cutting blade for cutting the workpiece. By rotating the cutting blade and cutting into the workpiece along the dividing line, the workpiece is cut and divided.
디바이스 칩에는 각각 다이 어태치 필름이라 불리는 다이 본딩용 점착층이 접착되는 경우가 많다. 다이 어태치 필름의 접착에 관해서는, 우선 분할 전의 피가공물에 상기 피가공물의 이면 전체를 덮는 다이 어태치 필름을 접착한 후, 상기 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 다이 어태치 필름마다 분할함으로써, 다이 어태치 필름이 부착된 복수의 디바이스 칩을 얻는 수법이 알려져 있다.A die bonding adhesive layer called a die attach film is often attached to each device chip. Regarding the adhesion of the die attach film, first, a die attach film covering the entire back surface of the workpiece is adhered to the workpiece before division, and then the workpiece is divided for each die attach film along the dividing line, A method of obtaining a plurality of device chips with die attach films attached is known.
다이 어태치 필름은 유연한 수지 등에 의해 형성되어 있기 때문에, 절삭 블레이드로 다이 어태치 필름을 절단하면 다이 어태치 필름이 절삭 블레이드에 의해 늘여져, 수염 모양 돌기(버)가 발생한다. 이 버는 디바이스 칩을 다이 본딩할 때의 장해가 될 수 있기 때문에, 버의 억제에 대해서 다양한 제안이 이루어지고 있다. 예컨대 특허문헌 1에는, 절삭 블레이드에 의해 다이 어태치 필름을 절단한 후, 다이 어태치 필름에 가열 처리를 행함으로써 버를 수축시키는 수법이 개시되어 있다.Since the die attach film is formed of a flexible resin, etc., when the die attach film is cut with a cutting blade, the die attach film is stretched by the cutting blade, and whisker-like protrusions (burrs) are generated. Since this burr can become an obstacle when die bonding a device chip, various proposals have been made for suppressing the burr. For example, Patent Document 1 discloses a method of shrinking burrs by cutting the die attach film with a cutting blade and then subjecting the die attach film to a heat treatment.
상기한 바와 같이 피가공물의 이면측에 유연한 다이 어태치 필름이 접착되면, 피가공물은 유연한 부재에 의해 지지된 상태가 된다. 이 상태에서 피가공물과 다이 어태치 필름을 절삭 블레이드로 동시에 절단하면, 피가공물에 치핑이라고 불리는 깨짐이나 크랙 등의 가공 불량이 발생하는 경우가 있다.As described above, when the flexible die attach film is attached to the back side of the workpiece, the workpiece is supported by the flexible member. In this state, if the workpiece and the die attach film are cut simultaneously with a cutting blade, processing defects such as chips or cracks may occur in the workpiece.
또한, 다이 어태치 필름을 절삭 블레이드에 의해 절단했을 때에 생기는 버에 대해서는, 전술한 바와 같이 가열에 의해 버를 수축시키는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 버를 제거하기 위해 피가공물의 분할과는 별도로 독립된 가열 처리 공정이 필요하게 되어, 디바이스 칩의 생산 효율이 저하된다.Additionally, regarding the burrs generated when the die attach film is cut with a cutting blade, a method of shrinking the burrs by heating as described above has been proposed. However, this method requires an independent heat treatment process separate from the division of the workpiece to remove the burrs, which reduces the production efficiency of device chips.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물의 가공 불량의 발생을 방지하면서, 다이 어태치 필름의 버의 발생을 효율적으로 억제할 수 있는 피가공물의 절삭 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention was made in view of these problems, and its object is to provide a cutting method for a workpiece that can efficiently suppress the generation of burrs in a die attach film while preventing the occurrence of machining defects in the workpiece.
본 발명에 따르면, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 영역에 각각 디바이스가 형성된 판형의 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하는 피가공물의 절삭 방법으로서, 다이 어태치 필름과 다이싱 테이프가 적층된 적층 테이프의 상기 다이 어태치 필름을 상기 피가공물의 이면에 접착함과 더불어, 상기 다이싱 테이프의 외주부를 환형 프레임에 접착하고, 프레임 유닛을 형성하는 프레임 유닛 형성 단계와, 상기 피가공물을, 상기 적층 테이프를 통해 절삭 장치의 척 테이블로 유지하는 유지 단계와, 상기 척 테이블과 상기 절삭 블레이드를, 회전하는 상기 절삭 블레이드의 하단이 이동하는 방향과 상기 척 테이블의 이동 방향이 일치하도록 상대적으로 이동시켜, 상기 절삭 블레이드를 상기 피가공물에 절입시킴으로써, 상기 다이 어태치 필름을 남기고 상기 피가공물을 절단하는 절삭 홈을 상기 분할 예정 라인을 따라 형성하는 제1 절삭 단계와, 상기 제1 절삭 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블과 상기 절삭 블레이드를, 회전하는 상기 절삭 블레이드의 하단이 이동하는 방향과 상기 척 테이블의 이동 방향이 역방향이 되도록 상대적으로 이동시켜, 상기 절삭 홈의 바닥에서 노출된 상기 다이 어태치 필름을 상기 절삭 블레이드로 절단하는 제2 절삭 단계를 구비하는 피가공물의 절삭 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a cutting method for cutting a plate-shaped workpiece with a cutting blade, each of which has a device formed on a surface side area divided by a plurality of division lines formed in a grid, wherein the die attach film and the die are cut. A frame unit forming step of adhering the die attach film of the laminated tape on which the dicing tape is laminated to the back surface of the workpiece, and adhering the outer peripheral portion of the dicing tape to an annular frame to form a frame unit, A holding step of holding a workpiece to a chuck table of a cutting device through the laminated tape, wherein the chuck table and the cutting blade are aligned so that the moving direction of the rotating lower end of the cutting blade coincides with the moving direction of the chuck table. a first cutting step of forming a cutting groove for cutting the workpiece while leaving the die attach film along the division line by relatively moving the cutting blade to cut into the workpiece; After performing the cutting step, the chuck table and the cutting blade are relatively moved so that the direction in which the lower end of the rotating cutting blade moves and the moving direction of the chuck table are opposite to the direction in which the lower end of the rotating cutting blade moves, so that the chuck table is exposed at the bottom of the cutting groove. A method of cutting a workpiece including a second cutting step of cutting the die attach film with the cutting blade is provided.
또한, 본 발명에 따른 피가공물의 절삭 방법에 있어서, 상기 제1 절삭 단계에서 상기 절삭 블레이드가 상기 다이 어태치 필름에 절입하는 깊이는 5 ㎛ 이하여도 좋다.Additionally, in the method of cutting a workpiece according to the present invention, the depth at which the cutting blade cuts into the die attach film in the first cutting step may be 5 μm or less.
본 발명에 따른 피가공물의 절삭 방법에서는, 다이 어태치 필름 상에 접착된 피가공물을 다운컷에 의해 절단한 후, 다이 어태치 필름을 업컷에 의해 절단한다. 이것에 의해, 피가공물의 가공 불량(치핑, 크랙 등)의 발생을 방지함과 더불어, 다이 어태치 필름의 버의 발생을 효율적으로 억제할 수 있다.In the method of cutting a workpiece according to the present invention, the workpiece adhered on the die attach film is cut by downcut, and then the die attach film is cut by upcut. As a result, the occurrence of processing defects (chipping, cracks, etc.) of the workpiece can be prevented, and the occurrence of burrs in the die attach film can be efficiently suppressed.
도 1은 프레임 유닛의 구성예를 나타낸 사시도이다.
도 2는 피가공물이 절삭 장치의 척 테이블로 유지된 상태를 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 3의 (A)는 절삭 홈이 형성되는 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이고, 도 3의 (B)는 제1 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드의 하단부의 확대도이다.
도 4는 제1 절삭 단계에 있어서의 가공 이송의 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 5의 (A)는 다이 어태치 필름이 절단되는 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이고, 도 5의 (B)는 제2 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드의 하단부의 확대도이다.
도 6은 제2 절삭 단계에 있어서의 가공 이송의 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다.Figure 1 is a perspective view showing an example of the configuration of a frame unit.
Figure 2 is a partial cross-sectional side view showing a state in which a workpiece is held by a chuck table of a cutting device.
Figure 3 (A) is a partial cross-sectional side view showing the cutting groove being formed, and Figure 3 (B) is an enlarged view of the lower end of the cutting blade in the first cutting step.
Figure 4 is a partial cross-sectional side view showing the machining feed in the first cutting step.
Figure 5 (A) is a partial cross-sectional side view showing the die attach film being cut, and Figure 5 (B) is an enlarged view of the lower end of the cutting blade in the second cutting step.
Figure 6 is a partial cross-sectional side view showing the machining feed in the second cutting step.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 판형의 피가공물(13)이 환형 프레임(19)에 의해 지지된 프레임 유닛(11)의 구성예를 나타낸 사시도이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Fig. 1 is a perspective view showing a configuration example of a frame unit 11 in which a plate-shaped workpiece 13 is supported by an annular frame 19 according to the present embodiment.
피가공물(13)은, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등을 이용하여 원반형으로 형성되고, 표면(13a) 및 이면(13b)을 구비한다. 피가공물(13)은 격자형으로 배열된 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(15)에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있고, 이 복수의 영역의 표면(13a) 측에는 각각 IC 등으로 구성되는 디바이스(17)가 형성되어 있다. 피가공물(13)을 분할 예정 라인(15)을 따라 분할함으로써, 디바이스(17)를 각각 구비하는 복수의 디바이스 칩이 얻어진다.The workpiece 13 is formed in a disk shape using a semiconductor wafer, a glass substrate, etc., and has a front surface 13a and a back surface 13b. The workpiece 13 is divided into a plurality of regions by a plurality of division lines (streets) 15 arranged in a grid, and on the surface 13a side of the plurality of regions, devices each composed of ICs, etc. 17) has been formed. By dividing the workpiece 13 along the division line 15, a plurality of device chips each including a device 17 are obtained.
또한, 피가공물(13)의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예컨대 피가공물(13)로서, 반도체 기판(실리콘 기판, SiC 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등), 유리 기판, 사파이어 기판, 세라믹스 기판, 수지 기판, 금속 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 디바이스(17)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다.Additionally, there are no restrictions on the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 13. For example, as the workpiece 13, a semiconductor substrate (silicon substrate, SiC substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate, etc.), a glass substrate, a sapphire substrate, a ceramic substrate, a resin substrate, a metal substrate, etc. can be used. Additionally, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 17.
피가공물(13)을 분할할 때에는, 우선, 피가공물(13)을 가공 장치의 척 테이블에 의해 유지하기 위해, 피가공물(13)이 환형 프레임(19)으로 지지된 프레임 유닛(11)을 형성한다(프레임 유닛 형성 단계).When dividing the workpiece 13, first, a frame unit 11 in which the workpiece 13 is supported by the annular frame 19 is formed to hold the workpiece 13 by the chuck table of the processing device. (frame unit formation step).
도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물(13)은, 원형의 다이 어태치 필름(23)과 원형의 다이싱 테이프(25)가 적층된 적층 테이프(21)를 통해, 환형 프레임(19)에 지지되어 있다. 적층 테이프(21)는 유연한 다이 어태치 필름(23)을 다이싱 테이프(25) 상에 접착하여 구성되어 있고, 다이 어태치 필름(23)은 그 직경이 피가공물(13)의 직경 이상, 또한 다이싱 테이프(25)의 직경 이하가 되도록 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, the workpiece 13 is attached to the annular frame 19 through a laminated tape 21 in which a circular die attach film 23 and a circular dicing tape 25 are laminated. It is supported. The laminated tape 21 is constructed by adhering a flexible die attach film 23 onto the dicing tape 25, and the die attach film 23 has a diameter equal to or greater than the diameter of the workpiece 13. It is formed to be less than or equal to the diameter of the dicing tape 25.
적층 테이프(21)의 다이 어태치 필름(23)을 피가공물(13)의 이면(13b)에 접착함과 더불어, 다이싱 테이프(25)의 외주부를 환형 프레임(19)에 접착한다. 이것에 의해, 피가공물(13)이 환형 프레임(19)으로 지지된 프레임 유닛(11)이 얻어진다.The die attach film 23 of the laminated tape 21 is adhered to the back surface 13b of the workpiece 13, and the outer peripheral portion of the dicing tape 25 is adhered to the annular frame 19. As a result, the frame unit 11 in which the workpiece 13 is supported by the annular frame 19 is obtained.
또한, 다이 어태치 필름(23) 및 다이싱 테이프(25)의 재료에 제한은 없다. 예컨대, 다이 어태치 필름(23)은 아크릴과 에폭시계의 수지에 의해 형성할 수 있고, 다이싱 테이프(25)는 폴리오레핀이나 염화비닐 등의 수지에 의해 형성할 수 있다.Additionally, there are no restrictions on the materials of the die attach film 23 and the dicing tape 25. For example, the die attach film 23 can be formed of acrylic and epoxy resin, and the dicing tape 25 can be formed of resin such as polyolefin or vinyl chloride.
다음에, 환형 프레임(19)으로 지지된 피가공물(13)을, 적층 테이프(21)를 통해 절삭 장치의 척 테이블로 유지한다(유지 단계). 도 2는 피가공물(13)이 절삭 장치(2)의 척 테이블(4)로 유지된 상태를 나타낸 일부 단면 측면도이다.Next, the workpiece 13 supported by the annular frame 19 is held by the chuck table of the cutting device via the laminated tape 21 (holding step). Figure 2 is a partial cross-sectional side view showing a state in which the workpiece 13 is held by the chuck table 4 of the cutting device 2.
절삭 장치(2)는, 피가공물(13)을 흡인 유지하는 척 테이블(4)과, 피가공물(13)을 지지하는 환형 프레임(19)을 고정하는 클램프(8)를 구비한다. 피가공물(13)은 척 테이블(4) 상에 적층 테이프(21)를 통해 배치되고, 환형 프레임(19)은 클램프(8)에 의해 고정된다. 척 테이블(4)의 상면의 일부는, 적층 테이프(21)를 통해 피가공물(13)을 흡인 유지하는 유지면(4a)을 구성하고, 이 유지면(4a)은 척 테이블(4)의 내부에 형성된 흡인로(도시하지 않음) 등을 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.The cutting device 2 is provided with a chuck table 4 that suction-holds the workpiece 13 and a clamp 8 that fixes an annular frame 19 that supports the workpiece 13. The workpiece 13 is placed on the chuck table 4 through the laminated tape 21, and the annular frame 19 is fixed by the clamp 8. A part of the upper surface of the chuck table 4 constitutes a holding surface 4a that suctions and holds the workpiece 13 through the laminated tape 21, and this holding surface 4a is inside the chuck table 4. It is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) formed in .
또한, 척 테이블(4)의 아래쪽에는 가공 이송 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 가공 이송 기구는, 척 테이블(4)을 유지면(4a)과 대략 평행한 가공 이송 방향(제1 수평 방향)으로 이동시키는 기능을 구비한다. 또한, 척 테이블(4) 대신에 기계적인 방법이나 전기적인 방법 등에 의해 피가공물(13)을 유지하는 척 테이블을 이용하여도 좋다.Additionally, a machining transfer mechanism (not shown) is installed below the chuck table 4. This machining feed mechanism has a function of moving the chuck table 4 in the machining feed direction (first horizontal direction) substantially parallel to the holding surface 4a. Additionally, instead of the chuck table 4, a chuck table that holds the workpiece 13 by mechanical or electrical methods may be used.
또한, 절삭 장치(2)는 척 테이블(4)의 위쪽에 피가공물(13)을 절삭하기 위한 절삭 유닛(6)을 구비한다. 절삭 유닛(6)은, 유지면(4a)에 대하여 대략 평행한 방향에 축심을 취하는 스핀들(10)을 구비하고 있고, 스핀들(10)의 선단부에는 환형의 절삭 블레이드(12)가 장착되어 있다. 스핀들(10)은 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있고, 스핀들(10)에 장착된 절삭 블레이드(12)는 회전 구동원으로부터 전달되는 힘에 의해 회전한다. 절삭 블레이드(12)는, 예컨대 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정한 전주 지석에 의해 구성된다.Additionally, the cutting device 2 is provided with a cutting unit 6 for cutting the workpiece 13 above the chuck table 4. The cutting unit 6 is provided with a spindle 10 whose axis is located in a direction substantially parallel to the holding surface 4a, and an annular cutting blade 12 is mounted on the distal end of the spindle 10. The spindle 10 is connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor, and the cutting blade 12 mounted on the spindle 10 rotates by force transmitted from the rotational drive source. The cutting blade 12 is made of, for example, an electrophoretic grindstone in which diamond abrasive grains are fixed with nickel plating.
또한, 절삭 유닛(6)은 승강 기구(도시하지 않음) 및 인덱싱 이송 기구(도시하지 않음)에 지지되어 있다. 승강 기구는 절삭 유닛(6)을 절입 이송 방향(수직 방향)으로 이동(승강)시키는 기능을 구비하고, 인덱싱 이송 기구는 절삭 유닛(6)을 유지면(4a)과 대략 평행하고 가공 이송 방향(제1 수평 방향)과 대강 수직인 인덱싱 이송 방향(제2 수평 방향)으로 이동시키는 기능을 구비한다.Additionally, the cutting unit 6 is supported by a lifting mechanism (not shown) and an indexing transfer mechanism (not shown). The lifting mechanism has a function of moving (elevating) the cutting unit 6 in the cutting feed direction (vertical direction), and the indexing feeding mechanism moves the cutting unit 6 approximately parallel to the holding surface 4a and the machining feed direction ( It has a function of moving in an indexing transfer direction (second horizontal direction) that is approximately perpendicular to the first horizontal direction.
유지 단계에서는, 척 테이블(4)의 유지면(4a) 상에 적층 테이프(21)를 통해 피가공물(13)을 배치하고, 환형 프레임(19)을 클램프(8)에 의해 고정한 상태에서, 유지면(4a)에 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이것에 의해, 피가공물(13)은 표면(13a) 측이 위쪽으로 노출된 상태에서, 적층 테이프(21)를 통해 척 테이블(4)에 의해 유지된다.In the holding step, the workpiece 13 is placed on the holding surface 4a of the chuck table 4 through the laminated tape 21, and the annular frame 19 is held fixed by the clamp 8. Negative pressure from the suction source is applied to the surface 4a. Thereby, the workpiece 13 is held by the chuck table 4 via the laminated tape 21 with the surface 13a side exposed upward.
다음에, 절삭 블레이드(12)를 피가공물(13)에 절입시킴으로써, 다이 어태치 필름(23)을 남기고 피가공물(13)을 절단하는 절삭 홈(27)을 분할 예정 라인(15)을 따라 형성한다(제1 절삭 단계). 도 3의 (A)는 제1 절삭 단계에서 절삭 홈(27)이 형성되는 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다.Next, by cutting the cutting blade 12 into the workpiece 13, a cutting groove 27 for cutting the workpiece 13 while leaving the die attach film 23 is formed along the division line 15. (first cutting step). Figure 3 (A) is a partial cross-sectional side view showing the cutting groove 27 being formed in the first cutting step.
제1 절삭 단계에서는, 절삭 블레이드(12)를 회전시켜 피가공물(13)에 절입시키면서, 척 테이블(4)을 유지면(4a)과 대략 평행하고 스핀들(8)의 축심과 대략 수직인 방향으로 상대적으로 이동시키는 가공 이송을 행한다. 이것에 의해, 피가공물(13)을 절단하는 직선형의 절삭 홈(27)이 형성된다.In the first cutting step, the cutting blade 12 is rotated to cut into the workpiece 13, while the chuck table 4 is moved in a direction approximately parallel to the holding surface 4a and approximately perpendicular to the axis center of the spindle 8. Processing transfer is performed to move relatively. As a result, a straight cutting groove 27 for cutting the workpiece 13 is formed.
제1 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드(12)의 수직 방향에 있어서의 높이는, 피가공물(13)이 절단되고, 또한, 다이 어태치 필름(23)이 절단되지 않도록 설정한다. 도 3의 (B)는, 제1 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드(12)의 하단부의 확대도이다. 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 절삭 블레이드(12)는 그 하단이 피가공물(13)의 이면(13b)과 대략 동일한 높이가 되도록 위치된다.The height of the cutting blade 12 in the vertical direction in the first cutting step is set so that the workpiece 13 is cut and the die attach film 23 is not cut. FIG. 3(B) is an enlarged view of the lower end of the cutting blade 12 in the first cutting step. As shown in (B) of FIG. 3, the cutting blade 12 is positioned so that its lower end is approximately at the same height as the back surface 13b of the workpiece 13.
이 상태에서, 척 테이블(4)과 절삭 블레이드(12)를 상대적으로 이동시키는 가공 이송을 행함으로써, 절삭 블레이드(12)는 다이 어태치 필름(23)을 절단하지 않고 피가공물(13)을 절단한다. 그 결과, 절삭 블레이드(12)에 의해 형성된 절삭 홈(27)의 바닥에서 다이 어태치 필름(23)이 노출된 상태가 된다.In this state, by performing a machining feed that relatively moves the chuck table 4 and the cutting blade 12, the cutting blade 12 cuts the workpiece 13 without cutting the die attach film 23. do. As a result, the die attach film 23 is exposed at the bottom of the cutting groove 27 formed by the cutting blade 12.
이와 같이, 제1 절삭 단계에서는 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)에 절입되지 않도록 절삭 블레이드(12)의 높이가 설정되고, 피가공물(13)만이 절삭 블레이드(12)에 의해 절단된다. 이것에 의해, 피가공물(13)과 다이 어태치 필름(23)을 동시에 절단한 경우에 생길 수 있는 피가공물(13)의 가공 불량(이면(13b) 측의 치핑, 크랙 등)의 발생을 회피할 수 있다.As such, in the first cutting step, the height of the cutting blade 12 is set so that the cutting blade 12 does not cut into the die attach film 23, and only the workpiece 13 is cut by the cutting blade 12. do. This avoids the occurrence of processing defects (chipping, cracks, etc. on the back side 13b) of the workpiece 13 that may occur when the workpiece 13 and the die attach film 23 are cut at the same time. can do.
또한, 절삭 블레이드(12)의 높이는, 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)에 약간 절입되도록 설정하여도 좋다. 절삭 블레이드(12)의 다이 어태치 필름(23)으로의 절입 깊이가 다이 어태치 필름(23)의 두께 미만이면, 다이 어태치 필름(23)은 절단되지 않고 잔존한다. 단, 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)에 절입되는 깊이가 커지면 가공 불량이 생기기 쉬워지기 때문에, 절입 깊이는 예컨대 5 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.Additionally, the height of the cutting blade 12 may be set so that the cutting blade 12 is slightly incised into the die attach film 23. If the cutting depth of the cutting blade 12 into the die attach film 23 is less than the thickness of the die attach film 23, the die attach film 23 remains without being cut. However, if the depth at which the cutting blade 12 is cut into the die attach film 23 increases, processing defects are likely to occur, so it is preferable that the cut depth is, for example, 5 μm or less.
또한 제1 절삭 단계에서는, 척 테이블(4)과 절삭 블레이드(12)를, 회전하는 절삭 블레이드(12)의 하단이 이동하는 방향과 척 테이블(4)의 이동 방향이 일치하도록 상대적으로 이동시키는 가공 이송을 행한다.In addition, in the first cutting step, the chuck table 4 and the cutting blade 12 are relatively moved so that the direction in which the lower end of the rotating cutting blade 12 moves and the moving direction of the chuck table 4 match. Perform transfer.
도 4는 제1 절삭 단계에 있어서의 가공 이송의 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 절삭 블레이드(12)를 화살표 A로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 척 테이블(4)을 화살표 B로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 절삭 블레이드(12)가 피가공물(13)의 표면(13a) 측으로부터 이면(13b) 측을 향해 피가공물(13)을 절삭하는, 소위 다운컷이 행해진다.Figure 4 is a partial cross-sectional side view showing the machining feed in the first cutting step. As shown in FIG. 4, the cutting blade 12 is rotated in the direction indicated by arrow A, and the chuck table 4 is moved in the machining feed direction indicated by arrow B. As a result, a so-called downcut is performed in which the cutting blade 12 cuts the workpiece 13 from the front surface 13a side of the workpiece 13 toward the back side 13b.
표면(13a)이 노출되고, 이면(13b)이 지지 부재(도 4에 있어서는 다이 어태치 필름(23))에 지지된 피가공물(13)을 절단하는 경우, 절삭 블레이드(12)가 이면(13b) 측으로부터 표면(13a) 측을 향해 피가공물(13)을 절삭하는 소위 업컷을 행하면, 표면(13a) 측에 치핑이 발생하기 쉽다. 한편, 다운컷에 의해 피가공물(13b)을 절단하는 경우, 이면(13b) 측을 지지하는 지지 부재에 의해 치핑의 발생이 억제되는 경향이 있다.When cutting the workpiece 13 in which the surface 13a is exposed and the back surface 13b is supported by a support member (the die attach film 23 in FIG. 4), the cutting blade 12 cuts the back surface 13b. When a so-called upcut is performed to cut the workpiece 13 from the ) side toward the surface 13a, chipping is likely to occur on the surface 13a side. On the other hand, when cutting the workpiece 13b by downcut, the occurrence of chipping tends to be suppressed by the support member supporting the back surface 13b side.
그 때문에, 본 실시형태에 있어서는 다운컷에 의해 피가공물(13)을 절단한다. 이것에 의해, 피가공물(13)의 분할시에 있어서의 치핑의 발생을 억제할 수 있다.Therefore, in this embodiment, the workpiece 13 is cut by downcut. As a result, the occurrence of chipping when dividing the workpiece 13 can be suppressed.
이상과 같이 제1 절삭 단계에서는, 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)에 절입되지 않거나 또는 절입량이 근소해지는 조건 하에서, 피가공물(13)을 다운컷에 의해 절단한다. 이것에 의해, 피가공물(13)의 절단에 의한 가공 불량의 발생을 억제할 수 있다.As described above, in the first cutting step, the workpiece 13 is cut by downcut under the condition that the cutting blade 12 does not cut into the die attach film 23 or the cutting amount is small. As a result, the occurrence of processing defects due to cutting of the workpiece 13 can be suppressed.
다음에, 제1 절삭 단계에서 형성된 절삭 홈(27)의 바닥에서 노출된 다이 어태치 필름(23)을 절삭 블레이드(12)로 절단한다(제2 절삭 단계). 도 5의 (A)는, 제2 절삭 단계에서 다이 어태치 필름(23)이 절단되는 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다.Next, the die attach film 23 exposed at the bottom of the cutting groove 27 formed in the first cutting step is cut with the cutting blade 12 (second cutting step). Figure 5 (A) is a partial cross-sectional side view showing the die attach film 23 being cut in the second cutting step.
제2 절삭 단계에서는, 절삭 블레이드(12)를 회전시켜 절삭 홈(27)의 바닥에서 노출된 다이 어태치 필름(23)에 절입시키면서, 척 테이블(4)을 유지면(4a)과 대략 평행하고 스핀들(8)의 축심과 대략 수직인 방향으로 이동시키는 가공 이송을 행한다. 이것에 의해, 다이 어태치 필름(23)이 절삭 홈(27)을 따라 절단된다.In the second cutting step, the cutting blade 12 is rotated to cut into the die attach film 23 exposed at the bottom of the cutting groove 27, while the chuck table 4 is held approximately parallel to the holding surface 4a. Machining transfer is performed by moving the spindle 8 in a direction approximately perpendicular to its axis. Thereby, the die attach film 23 is cut along the cutting groove 27.
제2 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드(12)의 수직 방향에 있어서의 높이는, 다이 어태치 필름(23)이 절단되도록 설정한다. 도 5의 (B)는, 제2 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드(12)의 하단부의 확대도이다. 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 절삭 블레이드(12)는 그 하단이 다이 어태치 필름(23)의 하면보다도 아래쪽에 배치되고, 다이 어태치 필름(23)의 두께 방향 전체를 절삭 가능해지도록 위치된다.The vertical height of the cutting blade 12 in the second cutting step is set so that the die attach film 23 is cut. FIG. 5(B) is an enlarged view of the lower end of the cutting blade 12 in the second cutting step. As shown in Figure 5 (B), the lower end of the cutting blade 12 is disposed below the lower surface of the die attach film 23, and is capable of cutting the entire thickness direction of the die attach film 23. It is positioned so that
이 상태에서 가공 이송을 함으로써, 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)을 절삭 홈(27)을 따라 절단한다. 단, 제2 절삭 단계에서는 제1 절삭 단계와 달리, 척 테이블(4)과 절삭 블레이드(12)를, 회전하는 절삭 블레이드(12)의 하단이 이동하는 방향과 척 테이블(4)의 이동 방향이 역방향이 되도록 상대적으로 이동시킨다.By carrying out processing in this state, the cutting blade 12 cuts the die attach film 23 along the cutting groove 27. However, in the second cutting step, unlike the first cutting step, the direction in which the lower end of the rotating cutting blade 12 moves and the direction in which the chuck table 4 moves is different. Move it relatively in the reverse direction.
도 6은, 제2 절삭 단계에 있어서의 가공 이송의 모습을 나타낸 일부 단면 측면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 절삭 블레이드(12)를 화살표 A로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 척 테이블(4)을 화살표 C로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)을 하면측으로부터 상면측을 향해 절삭하는 업컷이 행해진다.Figure 6 is a partial cross-sectional side view showing the machining feed in the second cutting step. As shown in FIG. 6, the cutting blade 12 is rotated in the direction indicated by arrow A, and the chuck table 4 is moved in the machining feed direction indicated by arrow C. As a result, an upcut is performed in which the cutting blade 12 cuts the die attach film 23 from the lower surface toward the upper surface.
다이 어태치 필름(23)을 절삭 블레이드(12)로 절단할 때, 다이 어태치 필름(23)이 절삭 블레이드(12)에 의해 늘여져, 수염 모양의 돌기(버)가 발생하는 경우가 있다. 이 버는 피가공물(13)을 분할하여 얻은 디바이스 칩을 다이 본딩할 때의 장해가 될 수 있기 때문에, 극력 발생시키지 않는 것이 바람직하다.When cutting the die attach film 23 with the cutting blade 12, the die attach film 23 may be stretched by the cutting blade 12, resulting in whisker-shaped protrusions (burrs). Since this burr may become an obstacle when die bonding the device chip obtained by dividing the workpiece 13, it is desirable to avoid generating it as much as possible.
도 6에 도시된 바와 같이, 다이 어태치 필름(23)의 상면측이 피가공물(13)에 덮이고, 하면측이 피가공물(13)보다도 유연한 다이싱 테이프(25)에 의해 덮여 있는 경우에, 다이 어태치 필름(23)의 절단을 제1 절삭 단계와 마찬가지로 다운컷으로 행하면, 다이 어태치 필름(23)은 보다 유연한 다이싱 테이프(25) 측을 향해 절삭된다. 이와 같이 절삭 블레이드(12)가 유연한 층을 향해 다이 어태치 필름(23)을 절삭하면, 다이 어태치 필름(23)의 버가 발생하기 쉬운 경향이 있다.As shown in FIG. 6, when the upper surface side of the die attach film 23 is covered with the workpiece 13, and the lower side side is covered with the dicing tape 25 that is softer than the workpiece 13, When the die attach film 23 is cut in a downcut manner as in the first cutting step, the die attach film 23 is cut toward the more flexible dicing tape 25 side. In this way, when the cutting blade 12 cuts the die attach film 23 toward the flexible layer, burrs in the die attach film 23 tend to occur.
그래서, 본 실시형태에서는 다이 어태치 필름(23)의 절단을 업컷으로 행하고, 다이 어태치 필름(23)을 다이싱 테이프(25)보다도 강성이 높은 피가공물(13)을 향해 절삭한다. 이에 따라, 다이 어태치 필름(23)의 절단에 의한 버의 발생이 억제된다.Therefore, in this embodiment, the die attach film 23 is cut by upcutting, and the die attach film 23 is cut toward the workpiece 13, which has higher rigidity than the dicing tape 25. Accordingly, the generation of burrs due to cutting of the die attach film 23 is suppressed.
또한, 제1 절삭 단계와 제2 절삭 단계는 각각 가공 이송의 왕로와 복로에서 연속하여 실시할 수 있다. 구체적으로는, 우선, 척 테이블(4)을 화살표 B(도 4)로 나타내는 제1 가공 이송 방향으로 이동시킴(왕로)으로서, 피가공물(13)을 다운컷으로 절단한다. 그 후, 절삭 블레이드(12)의 회전 방향을 바꾸지 않고 척 테이블을 화살표 C(도 6)로 나타내는 제2 가공 이송 방향, 즉 제1 가공 이송 방향과는 역방향으로 이동시킴(복로)으로써 다이 어태치 필름(23)을 업컷으로 절단한다.Additionally, the first cutting step and the second cutting step can be performed continuously on the outgoing and return paths of the machining transfer, respectively. Specifically, first, the chuck table 4 is moved (outbound) in the first machining feed direction indicated by arrow B (FIG. 4), so that the workpiece 13 is cut by downcut. Thereafter, without changing the rotation direction of the cutting blade 12, the chuck table is moved (backtrack) in the second machining feed direction indicated by arrow C (FIG. 6), that is, in the opposite direction to the first machining feed direction, thereby attaching the die. The film 23 is cut with an upcut.
이와 같이, 다이 어태치 필름(23)을 업컷으로 절단하는 제2 절삭 단계는, 제1 절삭 단계 후에 척 테이블(4)의 이동 방향을 바꿈으로써 연속하여 실시할 수 있다. 그 때문에, 가열 처리 등의 새로운 독립된 공정을 추가하지 않고, 다이 어태치 필름(23)의 버의 발생을 효율적으로 억제할 수 있다.In this way, the second cutting step of cutting the die attach film 23 by upcut can be performed continuously by changing the moving direction of the chuck table 4 after the first cutting step. Therefore, the generation of burrs in the die attach film 23 can be efficiently suppressed without adding a new independent process such as heat treatment.
또한 제2 절삭 단계는, 제1 절삭 단계 후에 절삭 유닛(6)의 스핀들(10)을 인덱싱 이송 방향으로 이동시키지 않고 실시할 수 있다. 그 때문에, 제1 절삭 단계와 제2 절삭 단계에서 절삭 블레이드(12)의 절삭 영역의 위치 어긋남이 생기지 않아, 제2 절삭 단계에 있어서 피가공물(13)이 업컷으로 절삭되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 피가공물(13)의 표면(13a) 측에 치핑이 발생하는 것을 회피할 수 있다.Additionally, the second cutting step can be performed without moving the spindle 10 of the cutting unit 6 in the indexing transfer direction after the first cutting step. Therefore, positional deviation of the cutting area of the cutting blade 12 does not occur in the first cutting step and the second cutting step, and it is possible to prevent the workpiece 13 from being cut with an upcut in the second cutting step. Thereby, it is possible to avoid chipping occurring on the surface 13a side of the workpiece 13.
모든 분할 예정 라인(15)에 대하여 제1 절삭 단계 및 제2 절삭 단계를 실시하면, 피가공물(13)은 디바이스(17)를 구비하여 다이 어태치 필름이 접착된 복수의 디바이스 칩으로 분할된다. 이것에 의해, 가공 불량(치핑, 크랙 등) 및 다이 어태치 필름의 버의 발생이 억제된 양질의 디바이스 칩이 얻어진다.When the first cutting step and the second cutting step are performed on all the division lines 15, the workpiece 13 is divided into a plurality of device chips equipped with devices 17 and attached to a die attach film. As a result, a high-quality device chip with suppressed processing defects (chipping, cracks, etc.) and burrs in the die attach film is obtained.
제1 절삭 단계 및 제2 절삭 단계에 의해 피가공물(13) 및 다이 어태치 필름(23)을 절단한 결과를, 표 1에 나타낸다. 표 1은 제1 절삭 단계에 있어서 절삭 블레이드(12)가 다이 어태치 필름(23)에 절입되는 깊이를 -5 ㎛, 0 ㎛, 5 ㎛, 10 ㎛로 설정하고, 얻어진 디바이스 칩의 치핑 및 다이 어태치 필름(23)의 버의 발생 유무를 나타낸 것이다. 또한, 다이 어태치 필름(23)은 그 두께가 30 ㎛인 것을 이용하였다.The results of cutting the workpiece 13 and the die attach film 23 by the first cutting step and the second cutting step are shown in Table 1. Table 1 shows the depth at which the cutting blade 12 is cut into the die attach film 23 in the first cutting step, set to -5 ㎛, 0 ㎛, 5 ㎛, and 10 ㎛, and the chipping and die of the obtained device chip. This shows the presence or absence of burrs in the attach film 23. Additionally, the die attach film 23 was used with a thickness of 30 μm.
또한, 절입 깊이 -5 ㎛는, 절삭 블레이드(12)의 하단이 피가공물(13)의 이면(13b)보다도 5 ㎛ 위쪽에 위치된 조건이다. 또한, 절입 깊이 0 ㎛는, 절삭 블레이드(12)의 하단과 피가공물(13)의 이면(13b)이 동일한 높이가 되도록 절삭 블레이드(12)가 위치되고, 절삭 블레이드(12)의 다이 어태치 필름(23)으로의 절입이 없는 조건이다.In addition, the cutting depth of -5 μm is a condition in which the lower end of the cutting blade 12 is located 5 μm above the back surface 13b of the workpiece 13. In addition, the cutting depth of 0 ㎛ is such that the cutting blade 12 is positioned so that the lower end of the cutting blade 12 and the back surface 13b of the workpiece 13 are at the same height, and the die attach film of the cutting blade 12 This is a condition where there is no infeed to (23).
표 1로부터, 절입 깊이가 -5 ㎛, 즉 피가공물(13)의 이면측(13b)의 일부가 절삭되지 않아, 피가공물(13)이 완전하게는 절단되지 않는 조건으로 제1 절삭 단계를 실시한 경우는, 디바이스 칩에 치핑이 발생하고 있는 것을 알 수 있다. 그 때문에, 제1 절삭 단계에서는 적어도 피가공물(13)이 절단 가능해지도록, 절입 깊이를 0 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.From Table 1, the first cutting step was performed under the condition that the cutting depth was -5 ㎛, that is, a part of the back side 13b of the workpiece 13 was not cut, and the workpiece 13 was not completely cut. In this case, it can be seen that chipping is occurring in the device chip. Therefore, in the first cutting step, it is desirable to set the cutting depth to 0 μm or more so that at least the workpiece 13 can be cut.
절입 깊이가 0 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 경우는 디바이스 칩의 치핑이 발생하고 있지 않아, 양호한 결과가 얻어지는 것을 알 수 있다. 한편, 절입 깊이가 10 ㎛에 도달하면, 디바이스 칩에 치핑이 생기는 결과를 얻을 수 있었다. 그 때문에, 제1 절삭 단계에 있어서의 절삭 블레이드(12)의 다이 어태치 필름(23)으로의 절입 깊이는, 5 ㎛ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 단, 치핑의 발생 빈도가 일정 이하이면, 절입 깊이를 5 ㎛보다 크게 설정하여 제1 절삭 단계를 실시하여도 좋다.It can be seen that when the cutting depth is 0 μm or more and 5 μm or less, chipping of the device chip does not occur and good results are obtained. On the other hand, when the cutting depth reached 10 ㎛, chipping occurred in the device chip. Therefore, it is particularly preferable that the depth of cut of the cutting blade 12 into the die attach film 23 in the first cutting step is 5 μm or less. However, if the frequency of occurrence of chipping is below a certain level, the first cutting step may be performed with the cutting depth set to greater than 5 ㎛.
또한, 절입 깊이가 어느 값이어도 다이 어태치 필름(23)의 버는 관찰되지 않았다. 그 때문에, 제1 절삭 단계에서 다이 어태치 필름(23)이 어느 정도 절삭되어도, 제2 절삭 단계에서 다이 어태치 필름(23)을 업컷으로 절단함으로써 버의 발생을 방지할 수 있는 것을 알 수 있다.Additionally, no burrs in the die attach film 23 were observed no matter what the cutting depth was. Therefore, it can be seen that even if the die attach film 23 is cut to some extent in the first cutting step, the generation of burrs can be prevented by cutting the die attach film 23 with an upcut in the second cutting step. .
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 다이 어태치 필름(23) 상에 접착된 피가공물(13)을 다운컷에 의해 절단한 후, 다이 어태치 필름(23)을 업컷에 의해 절단한다. 이것에 의해, 피가공물(13)의 가공 불량(치핑, 크랙 등)의 발생을 방지함과 더불어, 다이 어태치 필름(23)의 버의 발생을 효율적으로 억제할 수 있다.As described above, in the processing method of the workpiece according to the present embodiment, the workpiece 13 adhered on the die attach film 23 is cut by downcut, and then the die attach film 23 is cut by upcut. cut by As a result, the occurrence of machining defects (chipping, cracks, etc.) of the workpiece 13 can be prevented, and the occurrence of burrs in the die attach film 23 can be efficiently suppressed.
그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structure, method, etc. according to the above embodiments can be implemented with appropriate changes as long as they do not deviate from the scope of the purpose of the present invention.
11 : 프레임 유닛 13 : 피가공물
13a : 표면 13b : 이면
15 : 분할 예정 라인 17 : 디바이스
19 : 환형 프레임 21 : 적층 테이프
23 : 다이 어태치 필름 25 : 다이싱 테이프
27 : 절삭 홈 2 : 절삭 장치
4 : 척 테이블 4a : 유지면
6 : 절삭 유닛 8 : 클램프
10 : 스핀들 12 : 절삭 블레이드11: frame unit 13: workpiece
13a: Surface 13b: Back side
15: Line to be divided 17: Device
19: Annular frame 21: Laminated tape
23: Die attach film 25: Dicing tape
27: cutting groove 2: cutting device
4: Chuck table 4a: Holding surface
6: cutting unit 8: clamp
10: spindle 12: cutting blade
Claims (2)
다이 어태치 필름과 다이싱 테이프가 적층된 적층 테이프의 상기 다이 어태치 필름을 상기 피가공물의 이면에 접착하고, 상기 다이싱 테이프의 외주부를 환형 프레임에 접착하고, 프레임 유닛을 형성하는 프레임 유닛 형성 단계와,
상기 피가공물을, 상기 적층 테이프를 통해 절삭 장치의 척 테이블로 유지하는 유지 단계와,
상기 척 테이블과 상기 절삭 블레이드를, 회전하는 상기 절삭 블레이드의 하단이 이동하는 방향과 상기 척 테이블의 이동 방향이 일치하도록 상대적으로 이동시켜, 상기 절삭 블레이드를 상기 피가공물에 절입시킴으로써, 상기 다이 어태치 필름을 남기고 상기 피가공물을 절단하는 절삭 홈을 상기 분할 예정 라인을 따라 형성하는 제1 절삭 단계와,
상기 제1 절삭 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블과 상기 절삭 블레이드를, 회전하는 상기 절삭 블레이드의 하단부가 이동하는 방향과 상기 척 테이블의 이동 방향이 역방향이 되도록 상대적으로 이동시켜, 상기 제1 절삭 단계에서 상기 절삭 홈의 바닥에서 노출된 상기 다이 어태치 필름을 상기 절삭 블레이드로 절단하는 제2 절삭 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 절삭 방법.A method of cutting a plate-shaped workpiece with a cutting blade, each of which has a device formed in a surface area divided by a plurality of division lines formed in a grid, comprising:
Forming a frame unit by attaching the die attach film of a laminated tape in which a die attach film and a dicing tape are laminated to the back surface of the workpiece, and attaching the outer peripheral portion of the dicing tape to a circular frame to form a frame unit. steps,
a holding step of holding the workpiece to a chuck table of a cutting device through the laminated tape;
The chuck table and the cutting blade are relatively moved so that the moving direction of the lower end of the rotating cutting blade matches the moving direction of the chuck table, and the cutting blade is cut into the workpiece, thereby attaching the die. A first cutting step of forming a cutting groove for cutting the workpiece while leaving a film along the division line,
After performing the first cutting step, the chuck table and the cutting blade are relatively moved so that the direction in which the lower end of the rotating cutting blade moves and the moving direction of the chuck table are opposite to the first cutting step. A method of cutting a workpiece, comprising a second cutting step of cutting the die attach film exposed at the bottom of the cutting groove with the cutting blade.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223130A (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Splitting method of semiconductor wafer |
JP2006059914A (en) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2009071100A (en) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of manufacturing device |
US20120313231A1 (en) | 2011-06-09 | 2012-12-13 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for dicing die attach film on a semiconductor wafer |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079597A (en) | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | Working method of semiconductor chip |
WO2008126718A1 (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip, adhesive film for semiconductor, and composite sheet using the film |
JP2010123823A (en) | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
JP2011222847A (en) | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | Ic chip and method of manufacturing the same |
JP2013069814A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Renesas Electronics Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6251574B2 (en) * | 2014-01-14 | 2017-12-20 | 株式会社ディスコ | Cutting method |
JP6305867B2 (en) * | 2014-08-11 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP2016063060A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社ディスコ | Processing method for wafer |
JP6559477B2 (en) * | 2015-06-23 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
US10535554B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor die having edge with multiple gradients and method for forming the same |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223130A (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Splitting method of semiconductor wafer |
JP2006059914A (en) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2009071100A (en) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of manufacturing device |
US20120313231A1 (en) | 2011-06-09 | 2012-12-13 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for dicing die attach film on a semiconductor wafer |
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