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KR102675629B1 - 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치 - Google Patents

와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치 Download PDF

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KR102675629B1
KR102675629B1 KR1020217040885A KR20217040885A KR102675629B1 KR 102675629 B1 KR102675629 B1 KR 102675629B1 KR 1020217040885 A KR1020217040885 A KR 1020217040885A KR 20217040885 A KR20217040885 A KR 20217040885A KR 102675629 B1 KR102675629 B1 KR 102675629B1
Authority
KR
South Korea
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capillary
wire
pressing
ball
bonding point
Prior art date
Application number
KR1020217040885A
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English (en)
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KR20220008881A (ko
Inventor
히로아키 요시노
신스케 테이
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20220008881A publication Critical patent/KR20220008881A/ko
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Abstract

와이어 본딩 장치는 캐필러리와, 캐필러리를 이동시키는 이동 기구와, 이동 기구의 구동을 제어하는 제어부를 갖추고, 제어부는, 적어도, FAB가 형성된 후, 캐필러리를 제1 본딩점에 압착 높이까지 하강시킴으로써, 제1 본딩점에 압착 볼 및 원기둥부를 형성시키는 제1 처리(궤적(a))와, 제1 처리의 실행 후, 압착 높이에서, 캐필러리를 수평 이동시킴으로써, 원기둥부를 캐필러리로 깎아내게 하는 제2 처리(궤적(b))와, 제2 처리의 실행 후, 캐필러리를 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분을 캐필러리로 짓누르기 위해 캐필러리를 일시적으로 하강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복시키는 제3 처리(궤적(c∼k))를 실행시킨다.

Description

와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치
본 명세서에서는, 피실장체에 설치된 제1 본딩점과 제2 본딩점 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치를 개시한다.
최근, 휴대 정보 단말이나, 디지털 AV 기기, IC 카드 등의 고기능화에 따라, 탑재되는 반도체칩의 소형화, 박형화, 고집적화가 요구되고 있다. 특히, 스택 메모리 디바이스 등에서는 적층할 수 있는 칩 수에 따라 메모리 용량이 요구된다. 그 때문에 정해진 패키지 높이 내에, 보다 다량의 반도체칩을 적층할 수 있는 것이 중요하게 된다. 이러한 요구를 만족시키기 위해는, 와이어 본딩으로 형성되는 와이어 루프의 높이를 낮게 억제하는 것이 필요하게 된다. 그래서, 종래부터, 루프 높이를 억제하는 저루프 기술이 다수, 제안되었다.
여기에서, 제1 본딩점 및 제2 본딩점을 접속하는 와이어의 일단에는, 편평 원판 형상의 압착 볼과, 압착 볼의 위에 포개지는 원기둥부가 존재한다. 종래의 저루프 기술의 대부분은 압착 볼의 위에 원기둥부가 그대로 남은 상태에서 루핑하고 있기 때문에, 루프 높이를 충분하게 작게 하는 것은 어려웠다.
여기에서, 특허문헌 1에는, 저루프 형성을 가능하게 하는 와이어 본딩 방법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1에서는, 캐필러리 선단의 프리 에어 볼을 제1 본딩점에 압착하여 원하는 압착 두께의 압착 볼을 형성한 후, 캐필러리를 상승시키고 나서 캐필러리를 제2 본딩점측으로 이동시킴으로써, 압착 볼의 상부(원기둥부)의 측면을 가압하여, 압착 볼의 정상부를 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후, 캐필러리를 상승시키고 나서 제2 본딩점측으로 이동하면서 하강하여 와이어를 비스듬히 위로부터 가압하는 제2 공정을 실행하고 있다. 이 특허문헌 1의 기술에 의하면, 압착 볼의 상부(원기둥부)의 일부가, 캐필러리에 의해 눌려 찌그러지기 때문에, 루프 높이를 어느 정도 저감할 수 있다.
일본 특허 제4625858호 공보
그러나, 특허문헌 1의 기술에서는, 원기둥부의 일부밖에 눌러 찌그러뜨릴 수 없기 때문에, 루프 높이를 충분히 저감하는 것은 어려웠다. 그래서, 본 명세서에서는, 루프 높이를 보다 저감할 수 있는 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치를 개시한다.
본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치는 피실장체에 설치된 제1 본딩점과 제2 본딩점 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 장치로서, 상기 와이어를 유지하는 캐필러리와, 상기 캐필러리를 피실장체에 대하여 이동시키는 이동 기구와, 상기 이동 기구의 구동을 제어하는 제어부를 갖추고, 상기 제어부는, 적어도, 상기 와이어의 선단에 프리 에어 볼이 형성된 후, 상기 캐필러리를 상기 제1 본딩점을 향하여 규정의 압착 높이까지 하강시킴으로써, 상기 제1 본딩점에 압착 볼 및 상기 압착 볼의 위에 위치하는 원기둥부를 형성시키는 제1 처리와, 상기 제1 처리의 실행 후, 상기 압착 높이에서, 상기 캐필러리를 수평 이동시킴으로써, 상기 원기둥부를 상기 캐필러리로 깎아내게 하는 제2 처리와, 상기 제2 처리의 실행 후, 상기 압착 높이보다 높은 이동 높이에서 상기 캐필러리를 상기 제2 본딩점에 접근시키는 방향인 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분을 상기 캐필러리로 짓누르기 위해 상기 캐필러리를 일시적으로 하강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복시키는 제3 처리를 실행시키는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성으로 한 경우, 원기둥부가 캐필러리로 깎아지고, 또한 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분이 캐필러리로 짓눌리기 때문에, 루프 높이를 보다 저감할 수 있다.
이 경우, 상기 제어부는, 상기 제2 처리에 있어서, 상기 캐필러리를, 상기 제2 본딩점으로부터 멀어지는 방향인 리버스 방향으로 수평 이동시켜도 된다.
또, 상기 제어부는, 상기 제2 처리에 있어서, 상기 캐필러리를, 적어도, 상기 원기둥부의 직경 이상, 수평 이동시켜도 된다.
이러한 구성으로 함으로써, 원기둥부를 거의 확실하게 깎을 수 있다.
또, 상기 제어부는, 상기 제3 처리에 있어서, 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분이 고르게 상기 캐필러리로 가압되도록, 상기 캐필러리의 수평 위치를 바꾸면서, 상기 짓누르기 동작을 2회 이상 행하게 해도 된다.
이러한 구성으로 함으로써, 제1 본드부의 두께, 나아가서는, 루프 높이를 보다 저감할 수 있다.
또, 상기 제어부는 상기 캐필러리의 형상 정보와, 상기 압착 볼의 목표 형상 정보와, 상기 와이어의 정보에 기초하여 상기 캐필러리의 이동 시퀀스를 생성해도 된다.
이러한 구성으로 함으로써, 오퍼레이터의 수고를 경감할 수 있다.
다른 본 발명인 반도체 장치의 제조 방법은 제1 본딩점과 제2 본딩점 사이를 캐필러리에 의해 와이어로 접속함으로써 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 캐필러리에 삽입통과된 상기 와이어의 선단에 프리 에어 볼이 형성된 후, 상기 캐필러리를 상기 제1 본딩점을 향하여 규정의 압착 높이까지 하강시킴으로써, 상기 제1 본딩점에 압착 볼 및 상기 압착 볼의 위에 위치하는 원기둥부를 형성하는 제1 공정과, 상기 제1 공정의 실행 후, 상기 압착 높이에서, 상기 캐필러리를 수평 이동시킴으로써, 상기 원기둥부를 상기 캐필러리로 깎아내는 제2 공정과, 상기 제2 공정의 실행 후, 상기 압착 높이보다 높은 이동 높이에서 상기 캐필러리를 상기 제2 본딩점에 접근시키는 방향인 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분을 상기 캐필러리로 짓누르기 위해 상기 캐필러리를 승강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성으로 한 경우, 원기둥부가 캐필러리로 깎아지고, 또, 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분이 캐필러리로 짓눌리기 때문에, 루프 높이를 보다 저감할 수 있다.
다른 본 발명인 반도체 장치는 반도체칩 위의 제1 본딩점과, 상기 반도체칩이 마운트된 리드프레임 위의 제2 본딩점이 와이어 루프로 접속된 반도체 장치로서, 상기 와이어 루프는 제1 본딩점에 형성된 제1 본드부와, 상기 제2 본딩점에 형성됨과 아울러 상기 와이어를 통하여 제1 본드부에 접속된 제2 본드부를 가지고 있고, 상기 제1 본드부는, 편평 원판 형상의 압착 볼의 위에, 소정 간격으로, 상기 압착 볼을 향하여 눌려 찌그러진 상기 와이어의 일부가 얹힌 형상이며, 상기 제1 본드부의 단부로부터 상기 와이어가 거의 수평으로 끌어 내어져 있는 것을 특징으로 한다.
압착 볼의 위에, 직접, 눌려 찌그러진 와이어의 일부가 얹혀 있기 때문에, 제1 본드부의 두께, 나아가서는, 루프 높이가 작아져, 반도체 장치의 더한층의 박형화가 가능하게 된다.
이 경우, 상기 반도체칩의 상면으로부터 상기 와이어 루프의 최고점까지의 거리인 루프 높이는 상기 압착 볼의 두께와, 상기 와이어의 직경의 합계값보다도 작거나 혹은 상기 합계값과 같아도 된다.
이러한 구성으로 함으로써, 제1 본드부의 두께, 나아가서는, 루프 높이가 작아져, 반도체 장치가 더한층의 박형화가 가능하게 된다.
본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치에 의하면, 원기둥부가 캐필러리로 깎아지고, 또, 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분이 캐필러리로 짓눌리기 때문에, 루프 높이를 보다 저감할 수 있다.
도 1은 와이어 본딩 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 캐필러리 선단의 형상을 도시하는 도면이다.
도 3은 와이어 루프 형상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 캐필러리의 이동 궤적을 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 본드부 형성 시의 모습을 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 본드부 형성 시의 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 실험 결과를 나타내는 표이다.
도 8은 본 명세서에서 개시된 기술로 형성된 제1 본드부의 1 예를 나타내는 사진이다.
도 9는 종래의 제1 본드부 형성의 모습을 나타내는 도면이다.
도 10은 종래의 제1 본드부 형성의 모습을 나타내는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 도면을 참조하여 와이어 본딩 장치(10)의 구성에 대해 설명한다. 도 1은 와이어 본딩 장치(10)의 구성을 도시하는 도면이다. 이 와이어 본딩 장치(10)는 제1 본딩점(P1)과 제2 본딩점(P2) 사이를 와이어(50)로 접속하는 장치이며, 일반적으로, 제1 본딩점(P1)은 반도체칩(110)의 패드(112) 위에 설정되어 있고, 제2 본딩점(P2)은 반도체칩(110)을 마운트한 리드프레임(120)의 리드(122) 위에 설정되어 있다.
와이어 본딩 장치(10)는 본딩 헤드(16)와, 반도체칩(110)을 마운트한 리드프레임(120)(이하, 양자를 합치는 경우에는 「피실장체」라고 함)이 재치되는 스테이지(20)를 갖추고 있다. 본딩 헤드(16)는, 또한, 초음파 혼으로서 기능하는 본딩 암(14)과, 당해 본딩 암(14)의 선단에 부착된 캐필러리(12)를 갖추고 있다. 본딩 암(14)은 본딩 헤드(16)로부터 수평 방향으로 돌출하는 암이며, 그 내부에는 초음파 진동자가 넣어져 있다. 와이어 본딩 장치(10)에 설치된 초음파 발진기(도시하지 않음)를 사용하여, 이 초음파 진동자에 전압을 인가함으로써, 본딩 암(14)의 선단에 위치하는 캐필러리(12)에 초음파 진동을 부여할 수 있다.
캐필러리(12)는, 스테이지(20)와 상하로 대향하도록, 본딩 암(14)의 선단에 부착되어 있다. 캐필러리(12)에는, 축 방향으로 관통하는 관통구멍(이하 「홀(40)」이라고 부르며, 도 1에서는 도시하지 않음)이 형성되어 있고, 이 홀(40)에 금선 등의 와이어(50)가 삽입통과된다. 캐필러리(12)는 사용하는 와이어(50)의 종류나, 요구되는 압착 볼(60)의 형상 등에 따라, 적당하게, 교환된다.
캐필러리(12)의 근방에는, 방전 전극(22)이 배치되어 있다. 방전 전극(22)은, 와이어(50)의 선단에, 당해 와이어(50)가 용융되어 이루어지는 프리 에어 볼(이하 「FAB(52)」라고 함)을 형성하기 위해 설치되어 있다. 이 방전 전극(22)과 와이어의 선단 사이에 고전압을 인가하여, 방전을 일으키면, 그 방전 에너지에 의해 와이어(50)의 선단부가 용융된다. 그리고, 이 용융에 의해 와이어(50)의 선단에, FAB(52)가 형성된다.
캐필러리(12)의 상방에는, 클램퍼(21)가 배치되어 있다. 클램퍼(21)는 와이어(50)의 양측에 배치된 한 쌍의 파지 부재를 가지고 있고, 이 파지 부재를 접근/이간시킴으로써, 와이어(50)를 사이에 끼거나, 개방하거나 한다.
본딩 암(14)은 도시하지 않은 승강 기구를 통하여 본딩 헤드(16)에 부착되어 있다. 또, 본딩 헤드(16)는 XY 테이블(18)에 설치되어 있고, 수평 방향의 이동이 가능하게 되어 있다. 그리고, 본딩 헤드(16)의 수평 이동 및 본딩 암(14)의 수직 이동에 따라, 캐필러리(12)가 피실장체에 대하여 수평 방향 및 수직 방향으로 상대이동할 수 있다. 즉, 승강 기구 및 XY 테이블(18)은 캐필러리(12)를 피실장체에 대하여 상대이동시키는 이동 기구로서 기능한다. 또한, 본 예에서는, 캐필러리(12)를 이동시키고 있지만, 캐필러리(12)가 아니고, 스테이지(20)를 이동시키는 구성으로 해도 된다.
스테이지(20)는 반도체칩(110)이 마운트된 리드프레임(120)인 피실장체가 재치된다. 이 스테이지(20)에는, 리드프레임(120)을 가열하는 히터(도시하지 않음)가 내장되어 있다. 와이어 본딩의 실행 시에는, 이 히터에 의해, 리드프레임(120)이 가열된다.
제어부(24)는 와이어 본딩 장치(10)의 각 부의 구동을 제어한다. 제어부(24)는, 예를 들면, 각종 데이터를 기억하는 메모리와, 각종 연산을 행하는 CPU를 갖추고 있다. 제어부(24)의 메모리에 기억되는 데이터로서는 본딩 처리를 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 후술하는 캐필러리(12)의 이동 시퀀스를 생성하기 위해 필요한 데이터 등이 포함된다.
제어부(24)는, 구체적으로는, XY 테이블(18) 및 승강 기구를 구동 제어함으로써 캐필러리(12)의 피실장체에 대한 위치를 제어한다. 또, 제어부(24)는, 본딩 처리의 진행 상황에 따라, 클램퍼(21)의 개폐 제어, 방전 전압의 인가 제어, 스테이지(20)의 히터의 구동 제어도 행한다. 또, 제어부(24)는 캐필러리(12)의 이동 시퀀스(XY 테이블(18) 및 승강 기구의 구동 시퀀스)를 생성하는 생성부로서도 기능한다. 이동 시퀀스를 생성하기 위해, 제어부(24)의 메모리에는, 캐필러리(12)의 형상에 관한 정보, 후술하는 압착 볼(60)의 목표 형상에 관한 정보 등이 기억되어 있지만, 이것에 대해서는 후술한다.
도 2는 캐필러리(12)의 선단부의 일례를 도시하는 도면이다. 캐필러리(12)에는, 그 축 방향으로 관통하는 관통구멍인 홀(40)이 형성되어 있다. 이 홀(40) 내에는 와이어(50)가 삽입통과된다. 따라서, 홀(40)의 직경(홀 직경(H))은 와이어(50)의 직경(와이어 직경(φ))보다 크다(H>φ). 홀(40)의 하단은 원추 형상으로 퍼져 있다. 이 원추 형상으로 퍼지는 테이퍼면은 챔퍼면(42)이라고 불린다. 또, 이 원추 형상의 공간 중 최대 직경(즉 최하단의 직경)은 챔퍼 직경(CD)이라고 불린다.
캐필러리(12)의 하단면은 FAB(52)를 가압하는 페이스면(44)이 된다. 이 페이스면(44)은 평평한 수평면이어도 되고, 외측에 접근함에 따라 상방으로 진행되는 것과 같은 경사면이어도 된다. 페이스면(44)의 폭, 즉, 홀(40) 하단의 내측 주연으로부터 캐필러리(12) 하단의 외측 주연까지의 거리를 이하에서는, 「페이스 폭(W)」이라고 부른다. 페이스 폭(W)은 캐필러리(12)의 외경을 T로 한 경우, W=(T-CD)/2이다.
도 3은 와이어 본딩 장치(10)에 의해 형성되는 와이어 루프의 이미지도이다. 반도체칩(110)에는, 복수의 패드(112)가 배열 설치되어 있고, 리드프레임(120)에는, 복수의 리드(122)가 배열 설치되어 있다. 와이어 본딩 장치(10)는 이 패드(112) 위에 위치하는 제1 본딩점(P1)과, 리드(122) 위에 위치하는 제2 본딩점(P2)을 와이어(50)로 접속한다.
제1 본딩점(P1)에는, 와이어(50)의 일단을 패드(112)에 내리눌러 형성되는 제1 본드부(54)가 형성되어 있고, 이 제1 본드부(54)로부터 끌어 내어진 와이어(50)가 제2 본딩점(P2)까지 뻗는다. 제2 본딩점(P2)에는, 와이어(50)의 타단을 리드(122)에 내리눌러 형성되는 제2 본드부(58)가 형성되어 있다. 여기에서, 제2 본드부(58)는, 통상, 와이어(50)를 리드(122)에 눌러 찌그러뜨린 스티치 본드이다.
반도체 장치를 박형화하기 위해서는, 이 와이어 루프의 높이, 특히, 패드(112)의 상면으로부터 와이어 루프의 최상점까지의 수직 방향 거리, 즉, 루프 높이(HL)를 저감하는 것이 필요하게 된다. 본 명세서에서는, 이 루프 높이(HL)를 저감하기 위해, 제1 본드부(54)를 특수한 공정으로 형성했다. 이것에 대해, 종래기술과 비교하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 제1 본딩점(P1)에서 보아, 제2 본딩점(P2)에 접근하는 방향을 「포워드 방향」이라고 부르고, 제2 본딩점(P2)으로부터 멀어지는 방향을 「리버스 방향」이라고 부른다.
처음에, 종래의 제1 본드부(54)의 형성에 대해 간단하게 설명한다. 도 9는 종래의 제1 본드부(54) 형성의 흐름을 나타내는 이미지도이다. 제1 본드부(54)를 형성하는 경우에는, 우선, 반도체칩(110)의 패드(112) 위에 위치하는 제1 본딩점(P1)에, 압착 볼(60)을 형성한다. 구체적으로는, 우선, 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 와이어(50)의 선단에 FAB(52)를 형성한다. 계속해서, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(12)를 제1 본딩점(P1)을 향해 하강시켜, 캐필러리(12)의 페이스면(44)으로 FAB(52)를 제1 본딩점(P1)에 가압한다. 또한, 이 가압 시에는, 본딩 암(14)을 통하여 캐필러리(12)에 진동을 부여해도 된다. 이 가압에 따라, FAB(52)는 편평하게 변형되고, 패드(112) 위에 편평 원판 형상의 압착 볼(60)이 형성된다. 또, FAB(52)를 구성하는 재료의 일부는 캐필러리(12)의 홀(40) 내에 충전된다. 이 홀(40) 내에 충전된 재료는 압착 볼(60)보다 작은 직경 또한 와이어(50)보다 큰 직경의 원기둥부(62)를 구성한다. 그리고, 이 가압에 의해, 제1 본딩점(P1)에는, 편평 원판 형상의 압착 볼(60)의 위에 원기둥부(62)가 얹힌 제1 본드부(54)가 형성된다.
제1 본드부(54)가 형성되면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 이동시키고, 와이어(50)를 제2 본딩점(P2)을 향하여 루핑시킨다. 구체적으로는, 제어부(24)는, 도 9(b)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 캐필러리(12)를, 상방, 리버스 방향, 상방으로 이동시키고, 와이어(50)에 구부림 자국을 만든 다음, 캐필러리(12)를 제2 본딩점(P2)으로 이동시킨다. 그리고, 제2 본딩점(P2)에서, 캐필러리(12)를 리드(122)에 내리누름으로써, 와이어(50)가 눌려 찌그러진 제2 본드부(58)(스티치 본드)가 형성된다. 제2 본드부(58)가 형성되면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 상방으로 이동시킨 후, 클램퍼(21)를 폐쇄한 상태에서, 캐필러리(12)를 더 상측 방향으로 이동시켜, 와이어(50)를 당겨 끊는다.
이상의 수순으로 형성된 제1 본드부(54) 주변은, 도 9(c)와 같이, 와이어(50)가 제1 본드부(54)의 상단으로부터 상방으로 뻗은 후, 완만한 원호를 그리고, 비스듬히 하측 방향으로 뻗는 형상으로 된다. 이 경우, 루프 높이(HL)는 압착 볼(60)의 두께와, 원기둥부(62)의 두께와, 원기둥부(62)로부터 대략 U자 모양으로 끌어 내어지는 와이어(50)의 높이의 합계가 된다. 이 루프 높이(HL)는 비교적 높고, 와이어 직경(φ)의 2배∼4배이었다. 이러한 큰 루프 높이(HL)는 반도체 장치의 박형화, 나아가서는, 반도체 장치의 소형화, 박형화, 고집적화를 저해하고 있었다.
그래서, 종래부터, 루프 높이(HL)를 보다 저감할 수 있는 저루프화 기술이 검토되었다. 예를 들면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 제1 본딩점(P1)에서, 압착 볼(60)을 형성한 후, 당해 압착 볼(60)의 위에서 와이어(50)를 접은 후, 이 접은 와이어를 캐필러리(12)로 가압하는 기술이 종래 제안되었다. 구체적으로는, 제어부(24)는 압착 볼(60) 및 원기둥부(62)가 형성되면, 캐필러리(12)를, 도 10(a)의 화살표로 나타내는 바와 같이 상방, 리버스 방향, 하방, 상방으로 이동시킨 후, 다시, 포워드 방향으로 이동시키고, 그 지점에서 한번, 다시, 하방으로 이동시킨다. 이것에 의해, 압착 볼(60)의 위에서 와이어(50)가 접힌다. 그리고, 이후는, 통상의 루핑 동작과 마찬가지로, 캐필러리(12)를 상방, 리버스 방향, 상방으로 이동시키고, 구부림 자국을 만든 후, 제2 본딩점(P2)으로 이동시킨다.
이러한 기술에 의하면, 와이어(50)가 제1 본드부(54)로부터 수직으로 기립하지 않고, 거의 수평 방향으로 뻗기 때문에, 도 9에서 나타낸 기술에 비해, 루프 높이(HL)를 저감할 수 있다. 그러나, 이 기술에서는, 원기둥부(62)를 옆으로 쓰러뜨리고, 이 옆으로 쓰러진 원기둥부(62)의 위에 와이어(50)가 얹혀 있다. 이 원기둥부(62) 및 와이어(50)는 캐필러리(12)에 의해 가압되지만, 단순하게 가압한 것만으로는 그 높이를 충분히 저감하기는 어렵다. 특히, 원기둥부(62)는 압착 볼(60)의 형성에 의한 가공경화로 인해, 다른 부분에 비해 딱딱해져 있다. 이러한 원기둥부(62)는 캐필러리(12)로 가압하는 것만으로는 두께를 충분히 저감하기는 어렵다. 그 결과, 도 10의 기술에 의한 루프 높이(HL)는, 압착 볼(60)의 두께(Bt)와 와이어 직경(φ)의 합계 정도로 되는 경우가 많고, 예를 들면, 와이어 직경이 18㎛, 압착 볼(60)의 두께(Bt)가 7㎛인 경우, 도 10의 기술에 의한 루프 높이(HL)는 25㎛ 정도가 되었다.
본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치(10)에서는, 루프 높이(HL)를 보다 저감한다. 구체적으로는, 본 장치에서는, 압착 볼(60) 및 원기둥부(62)를 형성 후, 캐필러리(12)를 상방으로 이동시키지 않고, 그대로 수평 이동시킴으로써, 원기둥부(62)를 캐필러리(12)로 깎고, 이것에 의해 저루프화를 도모한다. 이것에 대해, 도 4∼도 6을 참조하여 설명한다. 도 4는 제1 본드부(54) 형성 시의 캐필러리(12)의 이동 궤적을 도시하는 도면이다. 또, 도 5, 도 6은 제1 본드부(54)를 형성할 때의 캐필러리(12) 및 와이어(50)의 움직임을 도시하는 도면이다. 또한, 도 5, 도 6의 각 도면에 붙여진 알파벳(a∼l)은 도 4에 도시하는 궤적(a∼m)에 대응하고 있다.
제1 본드부(54)를 형성하는 경우, 제어부(24)는, 우선, 클램퍼(21)를 개방해 두고, 그 상태에서, XY 테이블(18) 및 승강 기구를 구동 제어하여, 캐필러리(12)를 제1 본딩점(P1)의 바로 위로 이동시킨다. 계속해서, 제어부(24)는 방전 전극(22)과 와이어(50)의 선단 사이에 고전압을 인가하고, 방전을 일으켜, 와이어(50)의 선단에 FAB(52)를 형성한다.
FAB(52)가 형성되면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 제1 본딩점(P1)을 향하여 하강시킨다. 이때, 패드(112)의 상면으로부터 캐필러리(12)의 하단까지의 거리(이하 「압착 높이(H1)」라고 함)는 압착 볼(60)의 두께(Bt)의 목표값에 기초하여 정해진다.
도 4에 있어서의 궤적(a)은 이 캐필러리(12)를 압착 높이(H1)까지 하강할 때의 궤적을 나타내고 있다. 또, 도 5의 상단 좌측 끝은 이 궤적(a)에 있어서의 캐필러리(12) 및 와이어(50)의 모습을 나타내고 있다. 또, 이 하강 시, 캐필러리(12)에는, 본딩 암(14)을 통하여 초음파 진동이 부여되어도 된다.
캐필러리(12)의 하강에 따라, FAB(52)가 캐필러리(12)의 페이스면(44)으로 가압되어, 편평화된다. 또, FAB(52)를 구성하는 재료의 일부는 캐필러리(12)의 홀(40) 내에 충전된다. 결과적으로, 제1 본딩점(P1)에는, 도 5의 상단 좌측 끝에 나타내는 바와 같이, 편평 원판 형상의 압착 볼(60)과, 당해 압착 볼(60)의 위에 얹힌 원기둥부(62)가 형성된다. 이 압착 볼(60) 및 원기둥부(62)를 형성하는 공정·처리가 제1 공정·제1 처리이다.
압착 볼(60)이 형성되면, 계속해서, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 압착 높이(H1)에서 수평 이동시켜, 원기둥부(62)를 캐필러리(12)로 깎아내게 한다. 구체적으로는, 제어부(24)는, 도 4의 궤적(b)으로 나타내는 바와 같이, 캐필러리(12)를 상승시키지 않고, 바꾸어 말하면, 캐필러리(12)의 홀(40) 내에 원기둥부(62)가 존재하는 상태 그대로, 캐필러리(12)를 리버스 방향으로 수평 이동시킨다. 도 5의 상단 중앙은 이때의 모습을 나타내는 도면이다. 이 경우, 당연하지만, 홀(40)의 내주면과 원기둥부(62)가 간섭하게 된다. 캐필러리(12)가 원기둥부(62)에 간섭받으면서 수평 이동함으로써, 원기둥부(62)가 캐필러리(12)에 의해 깎여진다. 깎여진 원기둥부(62)의 재료는, 도 5의 상단 중앙에서, 진한 검정 해칭으로 나타내는 바와 같이, 일부는 횡방향으로 빠져나가고, 일부는 홀(40)의 내부로 빠져나간다. 어쨌든, 캐필러리(12)가 압착 볼(60) 형성 후에 상승하지 않고 수평 이동함으로써, 원기둥부(62)가 깎여진다. 이 원기둥부(62)를 깎아내는 공정·처리가 제2 공정·제2 처리에 해당한다.
여기에서, 이 캐필러리(12)의 수평 이동의 거리(궤적(b)의 이동 거리)는 특별히 한정되지 않는다. 단, 이 제2 공정(궤적(b))은, 원기둥부(62)를 깎는 것을 목적으로 하기 때문에, 당해 제2 공정에서는, 캐필러리(12)를 원기둥부(62)의 직경 이상, 수평 이동시키는 것이 바람직하다. 또, 캐필러리(12)의 수평 이동의 방향은, 원기둥부(62)를 깎아내는 것이라면, 리버스 방향이어도 되고, 포워드 방향이어도 된다. 또, 캐필러리(12)는, 원기둥부(62)를 깎아내는 것이라면, 리버스 방향 및 포워드 방향으로 1회 이상 진퇴해도 된다. 또, 이 깎아내기 동작을 원활하게 행하기 위해, 궤적(b)의 이동 중에도, 캐필러리(12)에 초음파 진동을 부여해도 된다.
제2 공정이 끝나면, 계속해서, 제어부(24)는 압착 높이(H1)보다 높은 이동 높이(H2)에서 캐필러리(12)를 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 캐필러리(12)를 승강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복시키는 제3 공정(제3 처리)을 실행한다. 궤적(c)∼궤적(k)은 이 제3 공정에서의 캐필러리(12)의 이동 궤적을 나타내고 있다. 또, 도 5의 상단 우측 끝부터 도 6의 하단 중앙은 이 제3 공정의 모습을 나타내고 있다.
구체적으로 설명하면, 원기둥부(62)가 깎아내지면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 상방으로 이동(궤적(c))시킨 후, 포워드측으로 소정 거리, 이동(궤적(d))시킨다. 이것에 의해, 도 5의 상단 우측 끝, 및 하단 좌측 끝에 도시하는 바와 같이, 와이어(50)가 포워드측으로 접히고, 압착 볼(60) 위에 얹힌다. 이 상태가 되면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 하방으로 이동(궤적(e))시켜, 도 5의 하단 중앙에 도시하는 바와 같이, 압착 볼(60) 위의 와이어(50)를 캐필러리(12)의 페이스면(44)으로 짓누른다. 이것에 의해, 눌려 찌그러진 와이어(50)의 재료의 일부는 캐필러리(12)의 외측으로 빠져나가고, 다른 일부는 캐필러리(12)의 홀(40)의 내부로 빠져나간다. 그 한편으로, 페이스면(44)의 바로 아래에서의 제1 본드부(54)의 두께는 대폭 저감된다.
여기에서, 이 접힌 와이어 부분에는, 원기둥부(62)를 구성하고 있던 재료(진한 검정 해칭 개소)가 포함된다. 원기둥부(62)는 앞서 기술한 바와 같이, 다른 개소에 비해, 딱딱해져 있다. 그 때문에 원래의 원기둥부(62)는 캐필러리(12)로 짓누르는 것만으로는 변형되기 어려워, 두께도 저감되기 어렵다. 그러나, 이 시점에서, 원기둥부(62)는 캐필러리(12)에 의해 깎여, 파괴되어 있다. 그 때문에, 캐필러리(12)로 짓누름으로써, 용이하게 변형되어, 두께도 저감된다.
또한, 와이어(50)를 페이스면(44)으로 짓누를 때, 캐필러리(12)에 초음파 진동을 부여해도 된다. 어쨌든, 이와 같이, 캐필러리(12)를, 일시적으로 하강시키는 동작(궤적 e, h, k의 동작)을 이하에서는 「짓누르기 동작」이라고 부른다.
제어부(24)는 이 짓누르기 동작을, 와이어(50)가 압착 볼(60)의 포워드측 단부에 도달할 때까지, 수평 위치를 바꾸면서 복수회 반복한다. 본 예에서는, 제어부(24)는 짓누르기 동작을 3회 행하고 있다. 도 4의 궤적(e), 도 5의 하단 중앙은 1회째의 짓누르기 동작을 나타내고 있다. 또, 도 4의 궤적(h), 도 6의 상단 중앙은 2회째의 짓누르기 동작을 나타내고, 도 4의 궤적(k), 도 6의 하단 중앙은 3회째의 짓누르기 동작을 나타내고 있다. 도 5, 도 6으로부터 명확한 바와 같이, 와이어(50)가 압착 볼(60)의 포워드측 단부에 도달할 때까지, 짓누르기 동작을 반복함으로써, 제1 본드부(54)의 두께를 얇게 유지한 채, 와이어(50)를 압착 볼(60)의 포워드측 단부로부터 끌어낼 수 있다.
여기에서, 이 짓누르기 동작을 행하는 횟수, 및 수평 간격(궤적(d, g, j)의 거리)은 홀(40)보다 리버스측에 있는 페이스면(44)으로, 압착 볼(60)의 위에 얹히는 와이어(50) 전체를 고르게 짓누를 수 있도록 설정되는 것이 바람직하다.
또, 이동 높이(H2)는 와이어(50)의 접힘이 가능한 범위에서 설정된다. 즉, 와이어 직경(φ)에 비해 이동 높이(H2)가 과도하게 작으면, 와이어(50)가 쓰러지기 어려워, 와이어(50)를 접을 수 없다. 한편으로, 이동 높이(H2)가 필요 이상으로 크면, 그만큼 불필요한 시간이 걸린다. 그래서, 사용하는 와이어(50)의 직경이나 재질에 따른 이동 높이(H2)가 적합한 값을, 미리 실험 등에 의해 구해 두고, 제어부(24)에 기억해 두는 것이 바람직하다.
짓누르기 시에 있어서의 캐필러리(12)의 높이, 즉, 짓누르기 높이(H3)는 압착 높이(H1)와 거의 같은 것이 바람직하다. 단, 실제로는, 캐필러리(12)에 짓눌리는 와이어(50)로부터의 저항력 등에 의해, H3=H1로 하는 것은 어렵고, 실제로는, H3<H1이 된다. 짓누르기 높이(H3)와 압착 높이(H1)와의 차분(ΔH)은 제1 본드부(54)의 두께에 크게 영향을 준다. 그 때문에 사용하는 와이어(50)의 직경이나 재료마다 차분(ΔH)의 적합한 값도, 미리 실험 등에 의해 구해 두고, 제어부(24)에 기억해 두는 것이 바람직하다.
제3 공정이 완료되면, 제어부(24)는 와이어(50)를 제2 본딩점(P2)으로 끌어내는 루핑 동작을 실행한다. 구체적으로는, 제어부(24)는 최후의 짓누르기 동작이 완료되면, 짓누르기 높이(H3)에서, 캐필러리(12)를 포워드 방향으로 이동(도 4의 궤적 l)시킨 후, 상방으로 이동(도 4의 궤적(m))시켜, 와이어(50)에 구부림 자국을 만든다. 그 후, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 제2 본딩점(P2)을 향하여 비스듬히 하측 방향으로 이동시킨다.
캐필러리(12)가 제2 본딩점(P2)에 도달하면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 제2 본딩점(P2)을 향하여 하강시켜, 와이어(50)를 리드(122)에 내리누른다. 이때, 필요하면, 캐필러리(12)에 초음파 진동을 부여한다. 이 내리누름에 의해, 제2 본딩점(P2)(리드(122))에는, 제2 본드부(58)가 되는 스티치 본드가 형성된다. 이 상태가 되면, 제어부(24)는 캐필러리(12)를 약간 상승시킨 후, 클램퍼(21)를 폐쇄한다. 그리고, 클램퍼(21)를 폐쇄한 상태에서, 캐필러리(12)를 옆으로 이동시킴으로써, 와이어(50)를 당겨 끊는다.
이상의 설명에서 명확한 바와 같이, 본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치(10)에서는, 압착 볼(60) 및 원기둥부(62)를 형성 후, 캐필러리(12)를 압착 높이(H1)에서 수평 이동시킴으로써, 압착 볼(60)의 위에 위치하는 원기둥부(62)를 깎아내고 있다. 또한, 원기둥부(62)를 깎아낸 후, 압착 볼(60)의 위에 포개지는 와이어(50)를 캐필러리(12)로 짓누르고 있다. 이것에 의해, 제1 본드부(54)의 두께를 대폭 저감할 수 있고, 나아가서는, 와이어 루프의 루프 높이(HL)를 대폭 저감할 수 있다.
도 7은 본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치(10)에 의한 와이어 본딩의 실험 결과를 나타내는 표이다. 실험에서는, φ=18㎛의 금선 와이어를 사용하여, 와이어 루프를 30회 형성하고, 각 와이어 루프의, 압착 볼(60)의 두께(Bt), 루프 높이(HL), 및 풀(pull) 강도를 계측했다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 본 명세서에 개시된 기술에 의하면, 압착 볼(60)의 두께(Bt)는 6.6㎛∼7.2㎛(평균 6.9㎛)이며, 루프 높이(HL)는 19.8㎛∼21.5㎛(평균 20.5㎛)로 되어 있다. 한편, 도 10에 도시한 종래기술에서의 루프 높이(HL)는, 앞서 기술한 바와 같이, 압착 볼(60)의 두께와 와이어 직경의 합계값 정도이며, φ=18㎛의 경우, 25㎛ 전후이다. 즉, 본 명세서에 개시된 기술에 의하면, 도 10에 도시한 종래기술에 비해, 루프 높이(HL)를 약 20%나 줄일 수 있다. 또, 와이어 루프의 풀 강도는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 2.0gf∼2.4gf이며, 낮은 루프이면서, 충분한 강도를 가지고 있는 것을 알 수 있다.
도 8은 본 명세서에 개시된 기술로 형성된 제1 본드부(54)의 1 예를 도시하는 화상이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 본 예의 제1 본드부(54)에서는, 편평 원판 형상의 압착 볼(60)의 위에, 소정 간격으로 압착 볼(60)을 향하여 눌려 찌그러진 와이어(50)의 일부가 얹혀 있다. 또, 와이어(50)는 압착 볼(60)의 포워드측 단부로부터 거의 수평으로 끌어 내어져 있고, 루프 높이(HL)는 와이어 직경(φ)의 1.1∼1.2배 정도로 억제되어 있는 것을 알 수 있다.
다음에 제어부(24)에 의한 캐필러리(12)의 이동 시퀀스의 자동 생성의 흐름에 대해 설명한다. 앞서 기술한 바와 같이, 제어부(24)는 캐필러리(12)의 이동 시퀀스를 자동 생성한다. 이 이동 시퀀스의 자동 생성을 위해, 오퍼레이터는, 미리, 적어도, 캐필러리(12)의 사이즈 정보, 와이어 정보, 압착 볼(60)의 사이즈 정보를 입력한다. 여기에서, 캐필러리(12)의 사이즈 정보로서는 캐필러리(12) 선단부의 각 부의 치수값, 즉, 홀 직경(H), 챔퍼 직경(CD), 외경(T), 페이스 폭(W) 등이 포함된다. 또, 이러한 각 부의 치수값 대신에, 오퍼레이터는 캐필러리(12)의 식별 정보(예를 들면, 형식번호)만을 입력하도록 해도 된다. 이 경우, 제어부(24)는, 미리, 복수 종류의 캐필러리(12)의 치수값을 식별 정보와 대응시켜 기억해 두고, 오퍼레이터로부터 입력된 식별 정보에 기초하여, 실제로 사용하는 캐필러리(12)의 치수값을 특정한다.
와이어 정보로서는 사용하는 와이어의 직경 및 재질 등이 포함된다. 또, 압착 볼(60)의 사이즈 정보로서는 형성하고 싶은 압착 볼(60)의 직경(D) 및 두께(Bt)의 목표값이 포함된다. 또한, 압착 볼(60)의 직경(D) 및 두께(Bt)의 목표값은 제어부(24)가 다른 정보에 기초하여 자동적으로 산출하도록 해도 된다. 예를 들면, 제어부(24)는, 사용하는 캐필러리(12)의 형상 및 와이어의 직경마다, 형성 가능한 압착 볼(60)의 직경(D) 및 두께(Bt)를 기억해 두고, 오퍼레이터로부터 입력된 캐필러리(12)의 사이즈 정보 및 와이어 정보로부터, 압착 볼(60)의 직경(D) 및 두께(Bt)를 자동적으로 특정해도 된다.
또, 제어부(24)는, 시퀀스의 생성에 앞서, 제1 본딩점(P1) 및 제2 본딩점(P2)의 위치 정보, 즉, 반도체칩(110)의 패드(112) 및 리드프레임(120)의 리드의 위치 정보도 취득한다. 이러한 위치 정보는 오퍼레이터가 입력해도 되고, 제어부(24)에서, 자동적으로 취득해도 된다. 즉, 예를 들면, 본딩 암(14)의 근방에, 당해 본딩 암(14)과 함께 이동하는 카메라를 설치해 두고, 제어부(24)는 당해 카메라로 촬상하여 얻어진 화상에 기초하여, 제1 본딩점(P1) 및 제2 본딩점(P2)의 위치를 산출해도 된다.
이들 정보를 취득할 수 있으면, 제어부(24)는 각 이동 궤적마다의 캐필러리(12)의 이동 위치를 산출한다. 여기에서는, 특히, 제1 본드부(54) 형성을 위한 궤적(b∼k)에 있어서의 이동 위치의 산출에 대해 설명한다. 제어부(24)는, 캐필러리(12)의 이동 위치를 산출하기 위해, 높이(H1∼H3), 및 수평 이동량(Lb, L1∼L3) 등을 산출한다.
구체적으로는, 제어부(24)는, 제1 공정(압착 볼(60) 및 원기둥부(62)의 형성 시)에 있어서의, 패드(112) 상면으로부터 캐필러리(12)의 하단까지의 거리인 압착 높이(H1)를, 압착 볼(60)의 두께(Bt)로부터 산출한다. 또, 제어부(24)는, 제3 공정에서, 캐필러리(12)를 수평 이동시킬 때의 높이인 이동 높이(H2)를 와이어(50)의 종류(직경, 재질 등)에 기초하여 결정한다. 또한, 제어부(24)는, 제3 공정에 있어서, 와이어(50)를 캐필러리(12)로 짓누를 때의 높이인 짓누르기 높이(H3)를 압착 높이(H1) 및 와이어(50)의 종류(직경, 재질)에 기초하여 결정한다. 즉, 짓누르기 높이(H3)는 압착 높이(H1)에 와이어(50)의 종류 등에 따라 정해지는 여유분(ΔH)을 부가한 값이 된다.
또한, 제어부(24)는 원기둥부(62)의 최대 직경(즉 챔퍼 직경(CD))에 기초하여, 제2 공정에서의 수평 이동 거리(Lb)를 결정한다. 또, 제어부(24)는 제3 공정에서의 짓누르기 동작의 횟수(N), 및 짓누르기 동작의 수평 간격(L1∼LN)을, 캐필러리(12)의 형상 및 압착 볼(60)의 형상에 기초하여 산출한다. 이들 값(N, L1∼LN)은 압착 볼(60)의 위에 얹히는 와이어(50)가 캐필러리(12)의 페이스면(44)으로 고르게 짓눌릴 수 있도록 설정된다.
각 궤적의 높이(H1∼H3), 수평 이동량(Lb, L1∼LN)을 산출할 수 있으면, 제어부(24)는 이들 값과, 제1 본딩점(P1), 제2 본딩점(P2)의 위치 정보 등을 조합하여, 캐필러리(12)의 이동 시퀀스를 생성한다.
이상의 설명으로부터 명확한 바와 같이, 본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치(10)에 의하면, 루프 높이(HL)를 저감한 와이어 루프를 형성할 수 있다. 또, 본 명세서에서 개시하는 와이어 본딩 장치(10)에 의하면, 이러한 낮은 루프를 실현할 수 있는 캐필러리(12)의 이동 시퀀스를 캐필러리(12)의 형상 정보, 와이어 정보, 압착 볼(60)의 형상 정보에 기초하여 자동적으로 생성할 수 있다. 이것에 의해, 오퍼레이터의 수고를 경감할 수 있다.
또한, 지금까지 설명한 구성은 일례이며, 적어도, 압착 볼(60) 및 원기둥부(62)를 형성하는 제1 처리(제1 공정)와, 원기둥부(62)를 깎기 위해 캐필러리(12)를 수평 이동시키는 제2 처리(제2 공정)와, 캐필러리(12)를 포워드 방향으로 이동시키는 도중에 1회 이상, 짓누르기 동작을 행하는 제3 처리(제3 공정)를 실행시키는 제어부(24)를 가지는 것이면, 그 밖의 구성은 적당하게 변경되어도 된다.
10 와이어 본딩 장치, 12 캐필러리, 14 본딩 암, 16 본딩 헤드, 18 XY 테이블, 20 스테이지, 21 클램퍼, 22 방전 전극, 24 제어부, 40 홀, 42 챔퍼면, 44 페이스면, 50 와이어, 54 제1 본드부, 58 제2 본드부, 60 압착 볼, 62 원기둥부, 110 반도체칩, 112 패드, 120 리드프레임, 122 리드.

Claims (8)

  1. 피실장체에 설치된 제1 본딩점과 제2 본딩점 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 장치로서,
    상기 와이어를 유지하는 캐필러리와,
    상기 캐필러리를 피실장체에 대하여 이동시키는 이동 기구와,
    상기 이동 기구의 구동을 제어하는 제어부
    를 구비하고, 상기 제어부는, 적어도,
    상기 와이어의 선단에 프리 에어 볼이 형성된 후, 상기 캐필러리를 상기 제1 본딩점을 향하여 규정의 압착 높이까지 하강시킴으로써, 상기 제1 본딩점에 압착 볼 및 상기 압착 볼의 위에 위치하는 원기둥부를 형성시키는 제1 처리와,
    상기 제1 처리의 실행 후, 상기 압착 높이에서, 상기 캐필러리를 수평 이동시킴으로써, 상기 원기둥부를 상기 캐필러리로 깎아내게 하는 제2 처리와,
    상기 제2 처리의 실행 후, 상기 압착 높이보다 높은 이동 높이에서 상기 캐필러리를 상기 제2 본딩점에 접근하는 방향인 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분을 상기 캐필러리로 짓누르기 위해 상기 캐필러리를 일시적으로 하강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복시키는 제3 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제2 처리에서, 상기 캐필러리를 상기 제2 본딩점으로부터 멀어지는 방향인 리버스 방향으로 수평 이동시키는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제2 처리에서, 상기 캐필러리를, 적어도, 상기 원기둥부의 직경 이상, 수평 이동시키는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 처리에서, 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분이 고르게 상기 캐필러리로 가압되도록, 상기 캐필러리의 수평 위치를 바꾸면서, 상기 짓누르기 동작을 2회 이상 행하게 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 캐필러리의 형상 정보와, 상기 압착 볼의 목표 형상 정보와, 상기 와이어의 정보에 기초하여 상기 캐필러리의 이동 시퀀스를 생성하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치.
  6. 제1 본딩점과 제2 본딩점 사이를 캐필러리에 의해 와이어로 접속함으로써 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 캐필러리에 삽입통과된 상기 와이어의 선단에 프리 에어 볼이 형성된 후, 상기 캐필러리를 상기 제1 본딩점을 향하여 규정의 압착 높이까지 하강시킴으로써, 상기 제1 본딩점에 압착 볼 및 상기 압착 볼의 위에 위치하는 원기둥부를 형성하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정의 실행 후, 상기 압착 높이에서, 상기 캐필러리를 수평 이동시킴으로써, 상기 원기둥부를 상기 캐필러리로 깎아내는 제2 공정과,
    상기 제2 공정의 실행 후, 상기 압착 높이보다 높은 이동 높이에서 상기 캐필러리를 상기 제2 본딩점에 접근하는 방향인 포워드 방향으로 이동시킴과 아울러, 당해 이동의 도중에 상기 압착 볼의 위에 포개지는 와이어 부분을 상기 캐필러리로 짓누르기 위해 상기 캐필러리를 승강시키는 짓누르기 동작을 1회 이상 반복하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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