KR102628309B1 - 헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 - Google Patents
헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102628309B1 KR102628309B1 KR1020210096172A KR20210096172A KR102628309B1 KR 102628309 B1 KR102628309 B1 KR 102628309B1 KR 1020210096172 A KR1020210096172 A KR 1020210096172A KR 20210096172 A KR20210096172 A KR 20210096172A KR 102628309 B1 KR102628309 B1 KR 102628309B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nanomesh
- thin film
- oxide
- metal
- multilayer
- Prior art date
Links
- 239000002106 nanomesh Substances 0.000 title claims abstract description 205
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 156
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 118
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 23
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 31
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 description 23
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 20
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 19
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Substances [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQOWCDPFDSRYRO-CDKVKFQUSA-N CCCCCCc1ccc(cc1)C1(c2cc3-c4sc5cc(\C=C6/C(=O)c7ccccc7C6=C(C#N)C#N)sc5c4C(c3cc2-c2sc3cc(C=C4C(=O)c5ccccc5C4=C(C#N)C#N)sc3c12)(c1ccc(CCCCCC)cc1)c1ccc(CCCCCC)cc1)c1ccc(CCCCCC)cc1 Chemical compound CCCCCCc1ccc(cc1)C1(c2cc3-c4sc5cc(\C=C6/C(=O)c7ccccc7C6=C(C#N)C#N)sc5c4C(c3cc2-c2sc3cc(C=C4C(=O)c5ccccc5C4=C(C#N)C#N)sc3c12)(c1ccc(CCCCCC)cc1)c1ccc(CCCCCC)cc1)c1ccc(CCCCCC)cc1 HQOWCDPFDSRYRO-CDKVKFQUSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011799 hole material Substances 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0036—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
높은 전도성을 유지하면서 금속 나노메시 구조의 금속 부분 투과도 저하로 인한 헤이즈(haze) 현상을 개선할 수 있으며, 광전 특성과 기계적 특성 및 유연성이 우수한 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 포함한다. 다층 나노메시 구조는: 전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막; 상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및 상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함한다.
Description
본 발명은 나노메시 구조 유연 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 헤이즈(haze) 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
ITO와 같은 투명 전도성 전극은 투과도와 전도성이 우수하고 내구성, 열 안정성 등이 우수한 장점 때문에 평판 디스플레이의 전극으로 많이 쓰였지만, 깨지기 쉬운 세라믹 특성 때문에 플렉서블 디스플레이에 적용되기에 한계가 존재하였다. 이로 인해, 탄소 나노 튜브, 금속 나노와이어, 그래핀 등과 같이, ITO 전극을 대체할 수 있는 다양한 전극이 연구되었다. 이 중 금속 나노메시 전극은 은이나 구리 등의 금속으로 20 ~ 50 나노미터의 박막을 형성하고 구멍을 뚫어 놓은 구조로서, 금속을 사용하기 때문에 전도성이 우수하고 투과도 또한 준수하며, 특히 메시 구조로 인한 구조적인 특성 때문에 유연성이 매우 뛰어나다는 장점이 있다. 하지만 금속 나노메시 전극으로 빛이 입사될 때 메시 구조의 구멍과 금속이 있는 부분 때문에 빛이 투과할 때 회절 현상이 나타나게 되며, 이는 뿌염 현상이라고 불리는 광학적 헤이즈 현상을 유발한다.
일반적으로 헤이즈 수치가 높게 되면 디스플레이 패널 제작시에 화질 퀄리티를 떨어뜨리는 요인이 되고, 해상도 저하, 뿌연 디스플레이 이미지 등의 결과를 초래할 수 있기 때문에, 낮은 헤이즈 수치를 가지는 전극을 설계하는 것이 중요하다. 금속 나노메시 전극의 헤이즈 수치를 감소시키려면 광의 회절 현상을 억제해야 하고, 이는 전극의 투과도를 증가시키는 방법으로 해결할 수 있다. 금속 나노메시 전극의 투과도를 증가시키기 위해서는, 금속의 두께를 줄이거나 메시 구멍의 크기를 증가시키거나 금속부분의 면적을 감소시켜야 하나, 이러한 방법들은 모두 전극의 전도성 저하를 유발하므로, 근본적인 해결책이 되지 못하며, 금속 나노메시 전극의 전도성을 유지하면서 투과도를 높이는 방법으로 적용되기에 한계가 있다.
본 발명은 높은 전도성을 유지하면서 금속 나노메시 구조의 금속 부분 투과도 저하로 인한 헤이즈(haze) 현상을 개선할 수 있으며, 광전 특성과 기계적 특성 및 유연성이 우수한 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극으로서, 상기 다층 나노메시 구조는: 전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막; 상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및 상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함한다.
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은 1.2 이상의 굴절률을 가지는 박막일 수 있다.
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은 각각 독립적으로 인듐아연산화물, 인듐주석산화물 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 금속 나노메시 박막은 10 나노미터 이상, 100 나노미터 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은 20 나노미터 이상, 50 나노미터 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 투과공은 상하 방향을 기준으로 구형체의 중간 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 하부에 연통되는 상기 제1 구멍은 상기 구형체의 하부 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 상부에 연통되는 상기 제2 구멍은 상기 구형체의 상부 부분의 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
상기 투과공은 상하 방향을 기준으로 원통체의 중간 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 하부에 연통되는 상기 제1 구멍은 상기 원통체의 하부 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 상부에 연통되는 상기 제2 구멍은 상기 원통체의 상부 부분의 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법은 기판 상에 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법으로서, 상기 다층 나노메시 구조는: 전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막; 상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및 상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함한다.
상기 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계는: 기판 상에 제1 크기를 가지는 나노파티클을 코팅하는 단계; 상기 나노파티클을 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기로 에칭하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 산화물과 상기 전도성 금속 및 상기 제2 산화물을 순차적으로 증착하여 상기 다층 나노메시 구조를 증착하는 단계; 및 상기 나노파티클을 제거하여 상기 다수의 투과공과 상기 다수의 제1 구멍 및 상기 다수의 제2 구멍을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 다층 나노메시 구조를 증착하는 단계는: 스퍼터링 장치보다 단차 피복성이 낮은 전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치를 이용하여 상기 기판 상에 제1 산화물을 증착하여 상기 제1 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 스퍼터링 장치를 이용하여 상기 제1 산화물 박막 상에 상기 전도성 금속을 증착하여 상기 금속 나노메시 박막을 형성하는 단계; 및 상기 전자빔 증착 장치 또는 상기 열증착 장치를 이용하여 상기 기판 상에 제2 산화물을 증착하여 상기 제2 산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 높은 전도성을 유지하면서 금속 나노메시 구조의 금속 부분 투과도 저하로 인한 헤이즈(haze) 현상을 개선할 수 있으며, 광전 특성과 기계적 특성 및 유연성이 우수한 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 단면도이다.
도 3은 도 1의 'A'부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 'A'부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법의 순서도이다.
도 7은 도 6의 단계 S30을 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 10은 도 7의 실시예에 따라 다층 나노메시 구조를 형성하는 과정을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 실시예에 따라 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 제조하는 과정을 나타낸 모식도이다.
도 14는 기판 상에 폴리스틸렌 나노파티클이 코팅된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 15는 폴리스틸렌 나노파티클이 에칭된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극및 헤이즈 현상 억제 원리를 보여주는 모식도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 상/하부 산화물 두께에 따른 투과도 변화를 광학 시뮬레이션으로 분석한 그래프이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 투과전자현미경 사진이다.
도 21은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 투과도 변화를 분석한 그래프이다.
도 22는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 헤이즈 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 23은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 투과도 및 헤이즈 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 24는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 25는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 전기발광세기를 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 26은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 밝기 및 전류밀도 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 27은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 외부 양자 효율 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 주사전자현미경 사진이다.
도 29는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 전기장 세기이다.
도 30은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 턴온 전압 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 31은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 외부 양자 효율 변화 특성, 전력 효율 변화 특성, 전류 효율 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 32는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극의 주사전자현미경 사진이다.
도 33은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 모식도이다.
도 34는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 주사전자현미경 사진이다.
도 35는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 36은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형 반복 횟수에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 37은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 반경에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 38은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 크랙 방지 효과를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 단면도이다.
도 3은 도 1의 'A'부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 'A'부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법의 순서도이다.
도 7은 도 6의 단계 S30을 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 10은 도 7의 실시예에 따라 다층 나노메시 구조를 형성하는 과정을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 실시예에 따라 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 제조하는 과정을 나타낸 모식도이다.
도 14는 기판 상에 폴리스틸렌 나노파티클이 코팅된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 15는 폴리스틸렌 나노파티클이 에칭된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극및 헤이즈 현상 억제 원리를 보여주는 모식도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 상/하부 산화물 두께에 따른 투과도 변화를 광학 시뮬레이션으로 분석한 그래프이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 투과전자현미경 사진이다.
도 21은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 투과도 변화를 분석한 그래프이다.
도 22는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 헤이즈 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 23은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 투과도 및 헤이즈 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 24는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 25는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 전기발광세기를 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 26은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 밝기 및 전류밀도 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 27은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 외부 양자 효율 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 주사전자현미경 사진이다.
도 29는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 전기장 세기이다.
도 30은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 턴온 전압 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 31은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 외부 양자 효율 변화 특성, 전력 효율 변화 특성, 전류 효율 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 32는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극의 주사전자현미경 사진이다.
도 33은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 모식도이다.
도 34는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 주사전자현미경 사진이다.
도 35는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 36은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형 반복 횟수에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 37은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 반경에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 38은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 크랙 방지 효과를 나타낸 모식도이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 구성은 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는" 는 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 모식도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(100)은 기판(200)과, 기판(200) 상에 형성되는 반사 방지(anti-reflection) 특성을 가지는 다층 나노메시(nano mesh) 구조(300)를 포함할 수 있다.
기판(200)은 유리 기판이나, PET 기판과 같은 유연 기판으로 제공될 수 있다. 반사 방지 특성의 구현을 위하여, 다층 나노메시 구조(300)는 제1 산화물 박막(320)과, 금속 나노메시 박막(340), 및 제2 산화물 박막(360)이 순차적으로 적층된 구조로 제공될 수 있다.
제1 산화물 박막(320)은 기판(200) 상에 적층되고, 금속 나노메시 박막(340)의 하면과 접하도록 형성될 수 있다. 제1 산화물 박막(320)은 금속 나노메시 박막(340) 보다 높은 제1 굴절율을 가지고, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함할 수 있다. 실시예에서, 제1 산화물 박막(320)은 1.2 이상의 굴절률을 가지는 박막일 수 있다. 제1 산화물 박막(320)은 고투과성 및 유연성을 위하여 20 나노미터 이상, 50 나노미터 이하의 두께로 형성될 수 있다. 제1 산화물 박막(320)은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
금속 나노메시 박막(340)은 제1 산화물 박막(320) 상에 형성될 수 있다. 금속 나노메시 박막(340)은 전도성 금속을 포함할 수 있다. 금속 나노메시 박막(340)은 제1 산화물 박막(320) 및 제2 산화물 박막(360) 보다 낮은 굴절율을 가지는 전도성 금속으로 형성될 수 있다. 실시예에서, 전도성 금속은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 적정 수준 이상의 전도성과, 유연성 및 고투과성을 위하여, 금속 나노메시 박막(340)은 10 나노미터 이상, 100 나노미터 이하의 두께로 형성될 수 있다.
제2 산화물 박막(360)은 금속 나노메시 박막(340)의 상면과 접하도록 형성될 수 있다. 제2 산화물 박막(360)은 금속 나노메시 박막(340) 보다 높은 제2 굴절율을 가지고, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함할 수 있다. 실시예에서, 제2 산화물 박막(360)은 1.2 이상의 굴절률을 가지는 박막일 수 있다. 제2 산화물 박막(360)은 고투과성 및 유연성을 위하여 20 나노미터 이상, 50 나노미터 이하의 두께로 형성될 수 있다. 제2 산화물 박막(360)은 인듐아연산화물(IZO; Indium zinc oxide), 인듐주석산화물(ITO; Indium Tin Oxide), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
도 3은 도 1의 'A'부를 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 4는 도 2의 'A'부를 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하면, 금속 나노메시 박막(340)은 다수의 투과공(342)이 천공된 메시구조를 가질 수 있다. 제1 산화물 박막(320)은 금속 나노메시 박막(340)의 다수의 투과공(342)과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍(322)이 천공될 수 있다. 제2 산화물 박막(360)은 금속 나노메시 박막(340)의 다수의 투과공(342)과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공될 수 있다.
대응되는 위치에 형성되는 투과공(342)과 제1 구멍(322) 및 제2 구멍(362)은 원통체 또는 구형체의 형상을 이루도록 형성될 수 있다. 도 1 내지 도 4의 실시예에서, 투과공(342)과 제1 구멍(322) 및 제2 구멍(362)으로 이루어진 천공부는 원통형(원기둥형)으로 형성되어 있다. 본 실시예에서, 투과공(342)은 상하 방향을 기준으로 원통체의 중간 부분의 형상을 가지고, 투과공(342)의 상부에 연통되는 제1 구멍(362)은 원통체의 상부 부분의 형상을 가지며, 투과공(342)의 하부에 연통되는 제2 구멍(322)은 원통체의 하부 부분의 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(100)은 산화물/금속/산화물 적층 구조로 이루어진 다층 나노메시 구조(300)의 반사 방지(anti-reflection) 특성을 활용하여 전도성을 유지하는 동시에 투과율을 높이고 광학적 헤이즈 현상을 개선할 수 있다.
다층 나노메시 구조(300)는 제1 산화물 박막(320)과 금속 나노메시 박막(340) 간의 제1 계면에서 반사되거나 투과되는 광과, 금속 나노메시 박막(340)과 제2 산화물 박막(360) 간의 제2 계면에서 반사되거나 투과되는 광, 그리고 제2 산화물 박막(360)을 투과하는 광 상호 간에 상쇄 간섭을 일으키지 않도록 제1 산화물 박막(320)과 금속 나노메시 박막(340) 및 제2 산화물 박막(360)의 두께를 설정함으로써, 높은 전도성 및 광 투과율을 유지하면서, 헤이즈 현상을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 제1 구멍(322)과 투과공(342) 및 제2 구멍(362)로 이루어지는 천공부가 구형체의 형상으로 형성되는 점에서, 도 1 내지 도 4의 실시예와 차이가 있다.
도 5의 실시예에서, 투과공(342)은 상하 방향을 기준으로 구형체의 중간 부분의 형상을 가지고, 투과공(342)의 하부에 연통되는 제1 구멍(322)은 구형체의 하부 부분의 형상을 가지고, 투과공(342)의 상부에 연통되는 제2 구멍(362)은 구형체의 상부 부분의 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 이에 따라 제1 구멍(322)의 평균 직경(D1)과 제2 구멍(362)의 평균 직경(D3)은 투과공(342)의 평균 직경(D2) 보다 작은 크기로 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법의 순서도이다. 도 1 내지 도 6을 참조하면, 다층 나노메시 구조(300)의 형성을 위해, 먼저 기판(200) 상에 제1 크기를 가지는 나노파티클(nano-particles)을 코팅할 수 있다(S10). 나노파티클은 예를 들어, 폴리스틸렌(Polystyrene) 나노파티클, 실리카(Silica) 나노파티클 등이 사용될 수 있다. 나노파티클은 제1 구멍(322)과, 투과공(342) 및 제2 구멍(362)의 형성을 위해 기판(200) 상에 코팅될 수 있다.
기판(220) 상에 나노파티클이 코팅되면, 나노파티클을 제1 크기(제1 평균 크기)보다 작은 제2 크기(제2 평균 크기)로 에칭할 수 있다(S20). 나노파티클의 에칭은 제1 구멍(322)과, 투과공(342) 및 제2 구멍(362)의 크기를 조절하기 위해 수행된다. 에칭된 나노파티클의 제2 크기에 따라 제1 구멍(322)과, 투과공(342) 및 제2 구멍(362)의 크기가 결정될 수 있다.
나노파티클이 제2 크기로 에칭되면, 기판(200) 상에 제1 산화물과 전도성 금속 및 제2 산화물을 순차적으로 증착하여 제1 산화물 박막(320)과 금속 나노메시 박막(340) 및 제2 산화물 박막(360)을 형성할 수 있다(S30). 다층 나노메시 구조(300)의 형성을 위해 기판(200) 상에 증착되는 제1 산화물과 전도성 금속 및 제2 산화물의 두께의 총합은 나노파티클의 제2 크기 미만이 되도록 형성될 수 있다.
기판(200) 상에 나노파티클의 존재 하에, 제1 산화물과 전도성 금속 및 제2 산화물이 증착되어 제1 산화물 박막(320), 금속 나노메시 박막(340) 및 제2 산화물 박막(360)이 형성되면, 기판(200) 상의 제1 산화물 박막(320), 금속 나노메시 박막(340) 및 제2 산화물 박막(360)에 분포되어 있는 다수의 나노파티클을 제거하여 금속 나노메시 박막(340), 제1 산화물 박막(320) 및 제2 산화물 박막(360)에 다수의 투과공(342)과 다수의 제1 구멍(322) 및 다수의 제2 구멍(362)을 형성할 수 있다(S40).
이러한 S10 내지 S40의 과정들을 통해 기판(200) 상에 다층 나노메시 구조(300)가 형성될 수 있다. 도 6의 실시예에 따라 제조되는 다층 나노메시 구조(300)는 구형의 나노파티클의 형상에 따라 제1 구멍(322)과 투과공(342) 및 제2 구멍(362)의 크기가 상이하게 형성되며, 이로 인해 전도성이 저하되거나, 투과도가 저하되는 문제가 발생될 수 있다. 이러한 문제는 단차 피복성이 상이한 다수의 증착 장치들을 이용하여 다층 나노메시 구조(300)를 형성하는 것에 의해 개선될 수 있다.
도 7은 도 6의 단계 S30을 나타낸 순서도이다. 도 8 내지 도 10은 도 7의 실시예에 따라 다층 나노메시 구조를 형성하는 과정을 설명하기 위한 모식도이다. 도 7 내지 도 10의 실시예는 제1 구멍(322)과 투과공(342) 및 제2 구멍(362)의 크기를 균일하게 형성하기 위한 것이다. 이를 위해, 먼저 도 8에 도시된 바와 같이 전자빔 증착(Thermal Evaporation) 장치 또는 열증착(Electron beam evaporation) 장치를 이용하여 나노파티클(20)이 코팅된 기판(200) 상에 제1 산화물을 증착하여 제1 산화물 박막(320)을 형성할 수 있다(S32).
이와 같이 스퍼터링(Sputtering) 장치보다 단차 피복성(step coverage)이 낮은 전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치를 이용하여 제1 산화물 박막(320)을 증착함으로써, 나노파티클의 하부 부분의 주위에 제1 산화물의 증착율이 낮아지기 때문에 스퍼터링 장치에 의해 제1 산화물을 증착한 경우보다 제1 산화물 박막(320)에 형성되는 제1 구멍(322)의 크기를 증대시킬 수 있다.
부언하면, 스퍼터링 장치를 사용하여 박막을 증착하게 되면, 구 모양의 폴리스틸렌 나노파티클 밑으로 박막이 쌓여 해당 부분은 반사 방지 효과를 얻지 못하게 된다. 이는 스퍼터링 장치의 좋은 단차 피복성 때문에 나타나는 현상이며, 나노파티클의 크기가 클수록 현상이 크게 나타나게 된다. 이러한 문제점은 단차 피복성이 스퍼터링 장치보다 상대적으로 좋지 않은 전자 빔 증착 장치 혹은 열 증착 장치를 사용하여 해결될 수 있다.
전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치에 의해, 기판(200) 상에 나노파티클(20)의 존재 하에 제1 산화물 박막(320)이 증착되면, 도 9에 도시된 바와 같이 스퍼터링 장치를 이용하여 제1 산화물 박막(320) 상에 전도성 금속을 증착하여 금속 나노메시 박막(340)을 형성할 수 있다(S34).
금속 나노메시 박막(340)은 스퍼터링 장치에 의해 형성되므로, 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이, 나노파티클(20)의 주변 부분에 비교적 치밀한 증착을 통해 금속 나노메시 박막(340)에 형성되는 투과공(342)의 크기가 제1 산화물 박막(320)에 형성되는 제1 구멍(322)과 비슷해지도록 투과공(342)을 형성할 수 있다.
나노파티클(20)의 존재 하에 제1 산화물 박막(320) 상에 금속 나노메시 박막(340)이 형성되면, 도 10에 도시된 바와 같이 다시 전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치를 이용하여 금속 나노메시 박막(340) 상에 제2 산화물을 증착하여 제2 산화물 박막(360)을 형성할 수 있다(S36).
금속 나노메시 박막(340) 상에 형성되는 제2 산화물 박막(360)은 스퍼터링 장치보다 단차 피복성이 낮은 전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치를 이용하여 증착되므로, 나노파티클의 상부 부분의 주위에 제2 산화물의 증착율이 낮아져 스퍼터링 장치에 의해 제2 산화물을 증착한 경우보다 제2 산화물 박막(360)에 형성되는 제2 구멍(362)의 크기를 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제2 구멍(362)을 투과공(342)과 유사한 크기로 형성할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(100)은 금속 단일 층으로 이루어진 금속 나노메시 박막(340)에 굴절률이 큰 산화물 박막(320, 360)을 금속의 아래, 위에 적용한 구조로 제공되며, 이에 따라 반사 방지 특성에 의해 특정 파장 영역에서의 투과도가 급격히 상승하게 된다.
이때 전도성을 담당하는 금속 박막의 두께, 메시 구멍의 크기, 비율 등을 유지한 상태에서, 산화물의 재료, 두께만을 원하는 파장 영역에 맞춰 설계함으로써, 전극의 전도성을 유지하면서 전극의 투과도를 높일 수 있다. 이와 같이 메시 구멍 부분 외에도 금속 부분이 투명하기 때문에, 회절 현상이 억제되고, 헤이즈 수치가 감소하게 된다.
기존의 금속 단층 나노메시 전극은 전극 자체의 투과도는 50 ~ 80 %로 준수하지만, 구멍이 뚫려있지 않는 부분의 투과도는 매우 낮아 광이 메시 구멍으로 투과될 때 광의 회절 현상이 발생하고, 궁극적으로 헤이즈 효과가 발생하여 유기발광다이오드 (Organic Light-Emitting Diode, OLED) 등의 디스플레이 소자에 적용시키는데에 어려움이 있었다. 하지만 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 전도성을 유지하는 동시에 투과도를 증가시킬 수 있기 때문에 헤이즈 효과를 억제할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 기존의 ITO 대체 전극으로 보고된 금속 나노와이어나 탄소 나노 튜브, 그래핀 등의 유연 전극과 달리, 공정 과정이 간편하고 제조 비용이 저렴하다. 또한, 유연한 전도성 산화물로 금속을 감싸는 구조이기 때문에 구부리거나 늘렸을 때 금속 박막에 가해지는 압력이 분산되어 기계적인 특성이 매우 우수하다.
본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 우수한 광전 특성을 가질 뿐 아니라, 유연한 산화물을 적용하여 금속 박막에 가해지는 압력을 분산시킬 수 있는 장점이 있으며, 우수한 기계적 안정성을 얻을 수 있다. 이러한 특성으로 인해, 폴더블 스마트폰, 스트레쳐블 스마트폰 등과 같은 플렉서블 기기, 스트레쳐블 디스플레이 패널이나 태양 전지 등의 다양한 분야에 응용될 수 있다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 성능을 검증하기 위한 실험에 대해 설명한다. 도 11 내지 도 13은 본 발명의 실시예에 따라 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 제조하는 과정을 나타낸 모식도이다. 먼저 도 11을 참조하면, 폴리스틸렌 나노파티클(22)을 유리 기판이나 PET 기판 등의 기판(200)에 스핀 코팅한다. 폴리스틸렌 나노파티클(22)은 100 내지 5000 nm의 다양한 크기가 사용될 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 유리 기판이나 PET 기판을 아세톤, 이소프로판올, 그리고 정제수에서 각각 15분씩 초음파 세척기를 사용해 세척을 하고, 질소 가스를 이용하여 말려주어 기판을 준비한다. 준비된 기판 표면에 20 sccm 의 산소 가스를 사용하고 50W 조건에서 2분 동안 산소플라즈마 처리를 하여 친수성 처리를 한다. 그 이후 500 nm 크기의 폴리스틸렌 나노파티클을 스핀 코팅 장비를 사용하여 도포한다.
도 14는 기판 상에 폴리스틸렌 나노파티클이 코팅된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 도 11 및 도 14에 도시된 바와 같이 기판(200)에 폴리스틸렌 나노파티클(22)이 코팅되면, 전극 부분의 비율을 확보하기 위해 반응성 이온 에칭 장비를 이용하여 폴리스틸렌 나노파티클(22)을 에칭하여, 도 12에 도시된 바와 같이 감소된 크기(예를 들어, 나노파티클의 크기를 0.8배로 감소)를 가지는 폴리스틸렌 나노파티클(24)을 형성한다. 도 15는 폴리스틸렌 나노파티클이 에칭된 상태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 도 11 내지 도 15에서 에칭 전의 폴리스틸렌 나노파티클(22)의 크기는 메시 구조의 간격이 되고, 에칭된 폴리스틸렌 나노파티클(24)의 크기는 메시 구멍의 크기가 된다.
다음으로, 에칭된 폴리스틸렌 나노파티클(24)의 존재 하에서, 제1 산화물(IZO), 금속(Ag), 제2 산화물(IZO)을 순차적으로 증착한 후, 톨루엔이 담긴 비커에 전극을 넣은 후 초음파 세척기를 사용하여 폴리스틸렌 나노파티클을 제거하여 도 13에 도시된 바와 같은 다층 나노메시 구조(300)를 가지는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 제조할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 제1 산화물, 금속, 제2 산화물은 스퍼터링, 전자빔 증착, 열 증착, 원자층 증착(atomic layer deposition) 등에 의해 증착될 수 있으며, 다수의 박막의 증착을 상이한 증착 방식으로 형성하여 다수의 박막 간의 천공 크기를 제어할 수 있다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극및 헤이즈 현상 억제 원리를 보여주는 모식도이다. 전도성이 있는 산화물(ITO, IZO, ZnO 등)이 적용되면, 전극의 전도도를 높일 수 있으며, 실험에서는 IZO를 사용하여 투과, 전도성 뿐만 아니라 유연 특성까지 확보하였다. 실험에서는 3개의 사이즈(500, 1000, 2000 nm)가 다른 나노파티클을 사용하였으며, 각각의 나노파티클을 400, 800, 1600 nm 로 에칭을 하여 전극을 설계하였다.
산화물의 두께는 광의 투과 대상 파장 영역에 맞춰 광학 시뮬레이션이나 계산을 통해 설계될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 청색 영역인 450 ~ 500 nm 파장 대역의 빛을 중점적으로 투과시키기 위해, 다양한 상/하부 산화물의 IZO 두께에 따른 광학 시뮬레이션을 통해 금속 박막의 위, 아래의 IZO 두께를 30 nm로 설계하였다. 금속은 가시광 영역에서 흡수가 적은 Ag를 사용하였으며, 나노파티클의 제거 후에 전극의 전도성을 확보하기 위해 20 nm 두께를 적용하였다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 상/하부 산화물 두께에 따른 투과도 변화를 광학 시뮬레이션으로 분석한 그래프이다. 도 19 및 도 20은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(IAINM electrode)의 투과전자현미경 사진이다. 도 21은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 투과도 변화를 분석한 그래프이다. 도 22는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 가시광 영역에서의 헤이즈 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 21 및 도 22에서 'IAINM'은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 IZO-Ag-IZO 나노메시 구조 전극을 의미하고, 'AgNM'은 비교예애 해당하는 은(Ag) 나노메시 구조 전극을 의미하며, 'IAINM'과 'AgNM' 뒤의 두께 수치(400 nm, 800 nm, 1600 nm)는 에칭된 폴리스틸렌 나노파티클의 크기를 나타낸다.
도 18, 도 21 및 도 22를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극은 3개의 메시 구조 전극 모두에서 월등히 높은 투과도를 나타내며, 특히 최적화한 청색 영역에서는 은 나노메시 구조 전극과 비교하여 약 25% 차이의 투과도를 나타내는 것을 알 수 있다. 이러한 특성은 도 22의 헤이즈 그래프에서도 확인할 수 있다.
본 발명의 산화물-금속-산화물 나노메시 전극의 헤이즈 수치는 기존의 금속 나노메시 전극의 헤이즈 수치보다 약 1/3 내지 1/2 수준으로 감소된다. 본 발명의 산화물-금속-산화물 나노메시 전극은 투과도 특성과 마찬가지로, 3개의 다른 크기의 메시 구조 전극 모두에서 감소된 헤이즈 수치를 나타낸다. 이러한 작용효과는 입사된 광의 회절 조건이 깨진 것에 기인한 것으로 설명될 수 있다. 헤이즈 수치는 일반적으로 광의 회절 때문에 나타나는 보강, 상쇄 간섭으로 인해서 생기는 간섭 무늬 현상 때문에 나타나게 된다.
따라서 헤이즈 수치를 줄이려면 빛의 간섭 현상을 줄여야 하고 간섭 현상을 줄이려면 빛의 회절을 억제해야 한다. 회절 현상을 억제하려면 보통 구멍의 크기를 크게 만드는 방법이 있는데, 앞서 언급 했듯이 이는 전극의 전도성 저하를 초래할 수 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 구멍의 크기에 관계없이 구멍을 만들고 있는 전극 부분의 위, 아래에 산화물을 적층시켜 해당 부분의 투과도를 높이는 방법으로 광의 회절 현상을 억제하고, 나아가서 헤이즈 수치를 줄일 수 있다.
도 23은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 투과도 및 헤이즈 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 24는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 25는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 전기발광세기(Electroluminescence intensity)를 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 26은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 밝기(Luminance) 및 전류밀도(Current density) 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 27은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 외부 양자 효율(EQE; external quantum efficiency) 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 23 내지 도 27을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(IAINM)은 약 90% 이상의 투과도를 나타냄과 동시에, 약 10% 이하의 낮은 헤이즈 수치를 나타내고, 굽힘 변형 시에 낮은 저항 변화를 나타내며, 전기발광세기, 밝기 및 외부 양자 효율 특성이 매우 우수한 것을 알 수 있다. 이에 반해, 평판형 은 전극(Planar Ag)은 투과도가 매우 낮았으며, 은 나노메시 전극(AgNM) 및 구리 나노메시 전극(CuNM)은 헤이즈 수치가 매우 높게 나타났다. 평판형 IZO/Ag/IZO 전극(Planar IAI)과 평판형 ITO 전극(Planar ITO)은 전기발광세기가 낮았다. 또한, 평판형 IZO/Ag/IZO 전극(Planar IAI)은 0.5 cm 이하의 반경으로 굽힘 변형을 가하였을 때의 저항 변화가 크게 나타났으며, 밝기 특성이 낮고, 외부 양자 효율 특성이 낮게 나타났다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드(OLED; Organic light emitting diodes)의 주사전자현미경 사진이다. 도 29는 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 전기장 세기이다. 도 30은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 턴온 전압 변화 특성을 보여주는 그래프이다. 도 31은 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 굽힘 변형에 따른 외부 양자 효율 변화 특성, 전력 효율 변화 특성, 전류 효율 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 31에서 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드(IAINM OLED)는 측정값은 실선으로 도시되었으며, 은 나노메시 구조를 포함하는 유기발광다이오드(AgNM OLED)의 측정값은 점선으로 도시되었다. 도 28 내지 도 31을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 포함하는 유기발광다이오드(IAINM OLED)는 굽힘 변형 시의 턴온 전압 변화가 은 나노메시 구조 전극으로 제조한 유기발광다이오드(AgNM OLED) 보다 작게 나타나며, 외부 양자 효율(EQE), 전력 효율(PE; power efficiency), 및 전류 효율(CE; current efficiency) 또한 굽힘 변형 시의 변화가 작게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 산화아연(ZnO)/은(Ag)/산화아연(ZnO) 전극 구조를 가지는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극을 제조하여 성능을 평가하였다. 제조 방법은 인듐아연산화물(IZO)/은(Ag)/인듐아연산화물(IZO) 전극 구조의 제조 방법과 유사하며, IZO 대신 산화아연(ZnO)을 형성하여 PET 기판 상에 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(ZAZ NM)을 제조하였다.
제조된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(ZAZ NM) 상에 용액 공정에 의해 ZnO을 형성하고(S-ZnO), PBDB-T:ITIC 물질과, MoO3, Ag(Anode)을 순차적으로 증착하여 유기발광다이오드를 제조하였다. 도 32는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연(ZnO)/은(Ag)/산화아연(ZnO) 전극의 주사전자현미경 사진이다. 도 33은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연(ZnO)/은(Ag)/산화아연(ZnO) 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 모식도이다. 도 34는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연(ZnO)/은(Ag)/산화아연(ZnO) 전극을 포함하는 유기발광다이오드의 주사전자현미경 사진이다.
도 35는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형에 따른 저항 변화 특성을 다른 전극들과 비교하여 나타낸 그래프이다. 도 36은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 변형 반복 횟수에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다. 도 37은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 굽힘 반경에 따른 다양한 전기적 특성들의 변화를 보여주는 그래프이다. 도 38은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극의 크랙 방지 효과를 나타낸 모식도이다.
도 35에 도시된 350 nm, 700 nm, 1400 nm 수치는 전극 형성에 사용된 나노파티클의 에칭된 평균 직경을 나타내고, 도 35 내지 도 37에 도시된 'Planar' 또는 'Planar ZAZ'는 평판형 산화아연/은/산화아연 전극이다. 도 35 내지 도 38을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연/은/산화아연 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극(ZAZ NM)은 2 mm 굽힘 반경으로 굽힘 변형을 가하더라도 저항 변화가 크지 않으며, 굽힘 반복 및 굽힘 반경 감소에 불구하고 개방전압(Voc; open circuit voltage), 단락전류밀도(Jsc; short circuit current), 충진인자(FF; fill factor), 전력변환효율(PCE; power conversion efficiency)와 같은 전기적 특성의 감소가 비교적 작게 나타나는 것을 알 수 있다.
이상 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합, 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.
20: 나노파티클
22: 에칭전 폴리스틸렌 나노파티클
24: 에칭후 폴리스틸렌 나노파티클
100: 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극
200: 기판
300: 다층 나노메시 구조
320: 제1 산화물 박막
322: 제1 구멍
340: 금속 나노메시 박막
342: 투과공
360: 제2 산화물 박막
362: 제2 구멍
22: 에칭전 폴리스틸렌 나노파티클
24: 에칭후 폴리스틸렌 나노파티클
100: 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극
200: 기판
300: 다층 나노메시 구조
320: 제1 산화물 박막
322: 제1 구멍
340: 금속 나노메시 박막
342: 투과공
360: 제2 산화물 박막
362: 제2 구멍
Claims (10)
- 유연 기판과, 상기 유연 기판 상에 형성되는 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극으로서,
상기 다층 나노메시 구조는:
전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막;
상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및
상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함하고,
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은, 굴절률이 1.2 이상이며, 두께는 20 nm 이상 50 nm 이하인 것을 특징으로 하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극. - 삭제
- 유연 기판과, 상기 유연 기판 상에 형성되는 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극으로서,
상기 다층 나노메시 구조는:
전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막;
상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및
상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함하고,
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은, 인듐아연산화물을 포함하고, 굴절률이 1.2 이상이며, 두께는 20 nm 이상 50 nm 이하인 것을 특징으로 하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 금속 나노메시 박막은 10 나노미터 이상, 100 나노미터 이하의 두께를 가지는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극. - 삭제
- 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 투과공은 상하 방향을 기준으로 구형체의 중간 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 하부에 연통되는 상기 제1 구멍은 상기 구형체의 하부 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 상부에 연통되는 상기 제2 구멍은 상기 구형체의 상부 부분의 형상을 가지도록 형성되는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 투과공은 상하 방향을 기준으로 원통체의 중간 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 하부에 연통되는 상기 제1 구멍은 상기 원통체의 하부 부분의 형상을 가지고, 상기 투과공의 상부에 연통되는 상기 제2 구멍은 상기 원통체의 상부 부분의 형상을 가지도록 형성되는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극. - 유연 기판 상에 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법으로서,
상기 다층 나노메시 구조는:
전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막;
상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및
상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함하고,
상기 제1 산화물 박막 및 상기 제2 산화물 박막은, 굴절률이 1.2 이상이며, 두께는 20 nm 이상 50 nm 이하인 것을 특징으로 하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계는:
유연 기판 상에 제1 크기를 가지는 나노파티클을 코팅하는 단계;
상기 나노파티클을 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기로 에칭하는 단계;
상기 유연 기판 상에 상기 제1 산화물과 상기 전도성 금속 및 상기 제2 산화물을 순차적으로 증착하여 상기 다층 나노메시 구조를 증착하는 단계; 및
상기 나노파티클을 제거하여 상기 다수의 투과공과 상기 다수의 제1 구멍 및 상기 다수의 제2 구멍을 형성하는 단계;를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법. - 기판 상에 반사 방지 특성을 가지는 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법으로서,
상기 다층 나노메시 구조는:
전도성 금속을 포함하고, 다수의 투과공이 천공된 메시구조를 가지는 금속 나노메시 박막;
상기 금속 나노메시 박막의 하면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제1 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제1 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제1 산화물을 포함하는 제1 산화물 박막; 및
상기 금속 나노메시 박막의 상면과 접하고, 상기 다수의 투과공과 대응되는 위치에 다수의 제2 구멍이 천공되고, 상기 금속 나노메시 박막 보다 높은 제2 굴절율을 가지며, 전도성을 가지는 제2 산화물을 포함하는 제2 산화물 박막;을 포함하고,
상기 다층 나노메시 구조를 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 제1 크기를 가지는 나노파티클을 코팅하는 단계;
상기 나노파티클을 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기로 에칭하는 단계;
상기 기판 상에 상기 제1 산화물과 상기 전도성 금속 및 상기 제2 산화물을 순차적으로 증착하여 상기 다층 나노메시 구조를 증착하는 단계; 및
상기 나노파티클을 제거하여 상기 다수의 투과공과 상기 다수의 제1 구멍 및 상기 다수의 제2 구멍을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 다층 나노메시 구조를 증착하는 단계는:
스퍼터링 장치보다 단차 피복성이 낮은 전자빔 증착 장치 또는 열증착 장치를 이용하여 상기 기판 상에 제1 산화물을 증착하여 상기 제1 산화물 박막을 형성하는 단계;
상기 스퍼터링 장치를 이용하여 상기 제1 산화물 박막 상에 상기 전도성 금속을 증착하여 상기 금속 나노메시 박막을 형성하는 단계; 및
상기 전자빔 증착 장치 또는 상기 열증착 장치를 이용하여 상기 기판 상에 제2 산화물을 증착하여 상기 제2 산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210096172A KR102628309B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210096172A KR102628309B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230014966A KR20230014966A (ko) | 2023-01-31 |
| KR102628309B1 true KR102628309B1 (ko) | 2024-01-23 |
Family
ID=85109475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210096172A KR102628309B1 (ko) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102628309B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049709A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 国立大学法人神戸大学 | 透明電極の作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5571870B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 極微細構造を有する光透過型金属電極およびその製造方法 |
| KR20170084427A (ko) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 고려대학교 산학협력단 | 투명 전극 구조물 및 이의 제조 방법 |
-
2021
- 2021-07-22 KR KR1020210096172A patent/KR102628309B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049709A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 国立大学法人神戸大学 | 透明電極の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230014966A (ko) | 2023-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110301053B (zh) | 包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法 | |
| JP7320851B2 (ja) | 補助電極を提供するための方法および補助電極を含むデバイス | |
| JP6130882B2 (ja) | 導電層をパターン化するための方法 | |
| US9139917B2 (en) | Transparent conductive porous nanocomposites and methods of fabrication thereof | |
| JP2018092937A (ja) | 透明導電体 | |
| KR20140107488A (ko) | 표면 플라즈몬 구조를 구비한 유기 광전자 디바이스 및 그것의 제조방법 | |
| Ko et al. | Fabrication of an oxide/metal/oxide structured electrode integrated with antireflective film to enhance performance in flexible organic light-emitting diodes | |
| CN110265564B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法和显示屏 | |
| KR101650541B1 (ko) | 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | |
| CN106876608B (zh) | 一种基于oled光提取的超薄金属透明电极的oled制造方法 | |
| KR102628309B1 (ko) | 헤이즈 특성이 개선된 고투과 다층 나노메시 구조 유연 전극 및 그 제조 방법 | |
| KR20140057852A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US9293659B2 (en) | Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves | |
| CN109390489A (zh) | 发光二极管及其制备方法与应用 | |
| KR101442458B1 (ko) | 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 재료 | |
| KR20160095447A (ko) | 도전체 및 그 제조 방법 | |
| CN113871542B (zh) | 发光二极管器件及其制备方法、显示面板 | |
| KR102000596B1 (ko) | 투명 플렉시블 전극 구조체 및 그 제조방법 | |
| CN105810834B (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| WO2022229885A1 (en) | Opto-electronic device including em radiation transmissive regions between emissive regions | |
| Weng et al. | Light extraction efficiency enhancement of CH | |
| JP2023535093A (ja) | 低屈折率層を備える光電子デバイス | |
| KR20220079437A (ko) | 나노마스크를 이용한 투명 전도성 네트워크 제조방법 | |
| US9324966B2 (en) | Thin-film transparent conductive structure and devices made therewith | |
| CN112802974A (zh) | 电子器件结构及其制备方法、发光二极管以及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |