KR102617482B1 - Led package and direct type backlight unit comprising the same - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000002507 cathodic stripping potentiometry Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
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- G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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Abstract
본 발명은 면 광원 구현이 가능한 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 제1 서브기판 및 제2 서브기판이 형성된 박막기판; 상기 제1 서브기판 상에 위치하는 제1 전극패드 및 상기 제2 서브기판 상에 위치하는 제2 전극패드를 포함하는 발광소자; 상기 박막기판의 상면과 상기 발광소자의 측면 및 상면을 둘러싸며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 투과시키는 몰딩 부재; 및 상기 몰딩 부재의 상부에 형성되며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 반사 부재를 포함하고, 상기 반사 부재는 상기 발광소자의 상부광을 측면광으로 변화시키며, 상기 측면광의 비중이 상기 상부광의 비중보다 큰 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a light emitting device package capable of implementing a planar light source, comprising: a thin film substrate on which a first subsubstrate and a second subsubstrate are formed; a light emitting device including a first electrode pad located on the first sub-substrate and a second electrode pad located on the second sub-substrate; a molding member surrounding the upper surface of the thin film substrate and the side and upper surfaces of the light emitting device and transmitting light emitted from the light emitting device; and a reflective member formed on an upper portion of the molding member to reflect light emitted from the light emitting device, wherein the reflective member changes top light of the light emitting device into side light, and a proportion of the side light is determined by the upper portion of the molding member. It is characterized by being larger than the specific gravity of light.
Description
본 발명은 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 면 광원 구현이 가능한 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a backlight unit including the same, and more specifically, to a light emitting device package capable of implementing a surface light source and a backlight unit including the same.
발광소자(LIGHT EMITTING DEVICE, LED)는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.A light emitting device (LED) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light energy. Light-emitting devices have the advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
이에 기존의 광원을 발광소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내/외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광소자를 사용하는 경우가 증가하고 있다.Accordingly, much research is being conducted to replace existing light sources with light-emitting devices, and the use of light-emitting devices as a light source for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic signs, and street lights used indoors and outdoors is increasing. .
한편, 액정표시장치의 액정표시패널은 스스로 발광하지 못하는 수광 소자이므로, 액정표시패널의 하부에서 해당 패널에 광을 조사하기 위한 백라이트 유닛이 필요하다. 이러한 백라이트 유닛은 LED 램프, 도광판, 반사 시트 및 광학 시트 등으로 구성된다.Meanwhile, since the liquid crystal display panel of the liquid crystal display device is a light-receiving element that cannot emit light on its own, a backlight unit is needed to irradiate light to the panel from the bottom of the liquid crystal display panel. This backlight unit consists of an LED lamp, a light guide plate, a reflective sheet, and an optical sheet.
통상, 백라이트 유닛에 사용되는 LED 램프는 발광소자와 색 변환 물질을 이용하여 백색광을 액정표시패널에 제공한다. LED 램프가 액정표시패널에 빛을 제공하는 위치에 따라, 백라이트 유닛은 에지(edge)형과 직하(direct)형으로 구분된다. 에지형은 액정표시패널의 측면에 LED 소자들을 배치하여 측면에서 빛을 제공하는 방식이며, 직하형은 액정표시패널의 후면에 LED 소자들을 배치하여 후면에서 빛을 제공하는 방식이다.Typically, LED lamps used in backlight units provide white light to the liquid crystal display panel using a light-emitting element and a color conversion material. Depending on where the LED lamp provides light to the liquid crystal display panel, backlight units are divided into edge type and direct type. The edge type is a method that provides light from the side by arranging LED elements on the side of the liquid crystal display panel, and the direct type is a method that provides light from the back by arranging LED elements on the back of the liquid crystal display panel.
에지형은 액정표시패널의 일 측면에서만 빛을 제공하기 때문에 액정표시패널이 커지면 커질수록 빛이 일 측에 편중되는 문제가 발생하게 된다. 따라서, 액정표시장치의 대형화 추세에 따라 에지형보다는 직하형 방식이 앞으로 더 선호될 것으로 예상되며, 이에 따라 직하형에 대한 기술 개발이 활발히 진행되고 있다.Since the edge type provides light only from one side of the LCD panel, the larger the LCD panel, the more the problem of light being concentrated on one side occurs. Therefore, with the trend toward larger LCDs, it is expected that the direct type will be preferred over the edge type in the future, and accordingly, technology development for the direct type is actively progressing.
백라이트 유닛에 사용 가능한 발광소자로는 크게 수직형(vertical type) 발광소자, 수평형(lateral type) 발광소자 및 플립칩형(flip-chip type) 발광소자가 있다. 상기 수직형 및 수평형 발광소자는 상부 또는 하부의 와이어 본딩(wire bonding)을 통해 전기적으로 연결되므로 소형화에 한계가 있으며, 와이어가 추가로 필요하고, 와이어에 의해 광 추출 효율이 저하되는 단점이 있다. 따라서, 최근에는 와이어 본딩이 필요 없으며 광 추출 효율이 높은 플립칩형 발광소자를 백라이트 유닛에 주로 사용한다.Light emitting devices that can be used in a backlight unit largely include vertical type light emitting devices, horizontal type light emitting devices, and flip-chip type light emitting devices. The vertical and horizontal light emitting devices are electrically connected through upper or lower wire bonding, so miniaturization is limited, additional wires are required, and light extraction efficiency is reduced by the wires. . Therefore, recently, flip-chip type light emitting devices that do not require wire bonding and have high light extraction efficiency are mainly used in backlight units.
플립칩형 발광소자는 칩 스케일 패키지(CSP, chip scale package) 형태로 구현되는데, 이러한 CSP는 플립칩형 발광소자의 측면 및 상부면을 둘러싸도록 투광성 재료를 도포한 형태로 제조되며, 칩 사이즈만큼 작은 패키지를 구현할 수 있다. 일반적인 CSP 구조는 플립칩형 발광소자의 상부로 방출되는 광량을 향상시키기 위해 화이트 실리콘이 투광성 재료의 측면을 둘러싸도록 형성되어 있는 구조이다.Flip-chip type light emitting devices are implemented in the form of a chip scale package (CSP, chip scale package). These CSPs are manufactured by applying a light-transmitting material to surround the side and top surfaces of the flip chip type light emitting device, and are a package as small as the chip size. can be implemented. The general ‘CSP’ structure is a structure in which white silicon is formed to surround the sides of a light-transmissive material to improve the amount of light emitted from the top of the flip-chip type light emitting device.
그런데, 이러한 일반적인 CSP 구조는 대부분의 광이 플립칩형 발광소자의 상부 방향으로 방출되므로, 직하형 백라이트 유닛에서 요구하는 넓은 광지향각을 만족시키기 위해서는 2차 광학 렌즈가 필요하다. 하지만, 2차 광학 렌즈가 차지하는 부피로 인해 백라이트 유닛의 두께가 두꺼워지고, 그에 따라 디스플레이 패널의 슬림화가 어려워지는 문제가 있다. 또한, 2차 광학 렌즈의 사용으로 인해 원재료 및 가공 비용이 증가하는 문제가 있다.However, in this general CSP structure, most of the light is emitted toward the top of the flip chip type light emitting device, so a secondary optical lens is needed to satisfy the wide light beam angle required by the direct backlight unit. However, the volume occupied by the secondary optical lens increases the thickness of the backlight unit, making it difficult to slim the display panel. Additionally, there is a problem that raw material and processing costs increase due to the use of secondary optical lenses.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention aims to solve the above-mentioned problems and other problems. Another purpose is to provide a light emitting device package that can implement a planar light source by reflecting light radiating upward from the light emitting device in the horizontal direction through an aspherical boundary surface where a molding member and a reflection member meet, and a method of manufacturing the same.
또 다른 목적은 복수의 발광소자 패키지들이 실장된 회로기판 상에 미리 결정된 형상의 반사시트 조립체를 배치하여 상기 발광소자 패키지들에서 방사되는 면 광원의 광 균일도를 향상시킬 수 있는 백라이트 유닛 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another purpose is to place a reflective sheet assembly of a predetermined shape on a circuit board on which a plurality of light emitting device packages are mounted, thereby improving the light uniformity of the surface light source emitted from the light emitting device packages, and a method of manufacturing the same. In providing.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 서브기판 및 제2 서브기판이 형성된 박막기판; 상기 제1 서브기판 상에 위치하는 제1 전극패드 및 상기 제2 서브기판 상에 위치하는 제2 전극패드를 포함하는 발광소자; 상기 박막기판의 상면과 상기 발광소자의 측면 및 상면을 둘러싸며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 투과시키는 몰딩 부재; 및 상기 몰딩 부재의 상부에 형성되며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 반사 부재를 포함하고, 상기 반사 부재는 상기 발광소자의 상부광을 측면광으로 변화시키며, 상기 측면광의 비중이 상기 상부광의 비중보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지를 제공한다.According to one aspect of the present invention to achieve the above or other objects, there is provided a thin film substrate on which a first sub-substrate and a second sub-substrate are formed; a light emitting device including a first electrode pad located on the first sub-substrate and a second electrode pad located on the second sub-substrate; a molding member surrounding the upper surface of the thin film substrate and the side and upper surfaces of the light emitting device and transmitting light emitted from the light emitting device; and a reflective member formed on an upper portion of the molding member to reflect light emitted from the light emitting device, wherein the reflective member changes top light of the light emitting device into side light, and a proportion of the side light is determined by the upper portion of the molding member. Provided is a light emitting device package characterized in that the specific gravity of light is greater than that of light.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지기판의 상면에 부착된 접착 부재 상에 복수의 박막기판들을 배열하는 단계; 상기 복수의 박막기판들의 상부에 복수의 발광소자들을 실장하는 단계; 상기 지지기판, 상기 박막기판들 및 상기 발광소자들 상에 몰딩 부재를 형성하고, 상기 몰딩 부재 상에 반사 부재를 형성하는 단계; 및 상기 몰딩 부재 및 박막기판들의 하면에 부착된 접착 부재 및 지지기판을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 형성 단계는, 사출 성형법을 이용하여 상기 몰딩 부재와 상기 반사 부재 사이에 비구면 형상의 경계면을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the invention, arranging a plurality of thin film substrates on an adhesive member attached to the upper surface of a support substrate; Mounting a plurality of light emitting devices on top of the plurality of thin film substrates; forming a molding member on the support substrate, the thin film substrates, and the light emitting elements, and forming a reflective member on the molding member; and removing an adhesive member and a support substrate attached to the lower surfaces of the molding member and the thin film substrates, wherein the forming step includes forming an aspherical interface between the molding member and the reflective member using an injection molding method. A method of manufacturing a light emitting device package is provided.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 회로기판; 상기 회로기판에 실장되는 복수의 발광소자 패키지들; 상기 회로기판 상부에 형성되며, 복수개의 반사시트 유닛들로 형성된 반사시트 조립체; 및 상기 반사시트 조립체의 상부에 배치되는 확산 시트를 포함하며, 상기 반사시트 유닛들은 상기 발광소자 패키지를 둘러싸는 홀들과 상기 홀들로부터 연장되어 곡률 반경을 갖는 복수개의 경사면들로 형성되며, 상기 경사면들은 상기 발광소자 패키지들의 측면광을 상부광으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛을 제공한다.According to another aspect of the present invention, a circuit board; a plurality of light emitting device packages mounted on the circuit board; a reflective sheet assembly formed on the circuit board and made of a plurality of reflective sheet units; and a diffusion sheet disposed on an upper portion of the reflective sheet assembly, wherein the reflective sheet units are formed of holes surrounding the light emitting device package and a plurality of inclined surfaces extending from the holes and having a radius of curvature, the inclined surfaces being A backlight unit is provided that changes side light of the light emitting device packages into top light.
본 발명의 실시 예들에 따른 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effects of a light emitting device package and a backlight unit including the same according to embodiments of the present invention will be described as follows.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 몰딩 부재와 반사 부재 사이에 비구면 형상의 경계면이 형성된 발광소자 패키지를 제조함으로써, 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 간편하게 구현할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, by manufacturing a light emitting device package in which an aspherical interface is formed between a molding member and a reflective member, light radiating upward from the light emitting device is transmitted into an aspherical shape where the molding member and the reflective member meet. It has the advantage of being able to easily implement a planar light source by reflecting it in the horizontal direction through the boundary surface.
또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 회로기판의 상부에 배치된 반사시트 조립체를 포함하는 백라이트 유닛을 제조함으로써, 상기 회로기판에 실장된 복수의 발광소자 패키지들에서 방사되는 면 광원의 광 균일도를 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, by manufacturing a backlight unit including a reflective sheet assembly disposed on an upper portion of the circuit board, the surface light source emitted from the plurality of light emitting device packages mounted on the circuit board There is an advantage in that light uniformity can be improved.
다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛이 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the effects that can be achieved by the light emitting device package and the backlight unit including the same according to the embodiments of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be found from the description below to which the present invention belongs. It will be clearly understandable to those with ordinary knowledge in the technical field.
도 1a는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도;
도 1b는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도;
도 1c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도;
도 2a는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도;
도 2b는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도;
도 2c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도;
도 3a는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도;
도 3b는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도;
도 3c는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도;
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하는 도면;
도 5a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛의 단면도;
도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도;
도 6은 발광소자 패키지의 주변 영역에 난반사 제거 물질이 코팅된 회로기판을 나타내는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반사시트 조립체의 형상을 나타내는 사시도.1A is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention;
1B is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention;
Figure 1C is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention;
Figure 2a is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention;
Figure 2b is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention;
Figure 2c is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention;
Figure 3a is a perspective view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention;
Figure 3b is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention;
Figure 3c is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention;
4A to 4F are diagrams illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to the present invention;
5A is a cross-sectional view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention;
Figure 5b is an exploded perspective view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention;
Figure 6 is a diagram showing a circuit board coated with a diffuse reflection removal material in the peripheral area of a light emitting device package;
Figure 7 is a perspective view showing the shape of a reflective sheet assembly according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. Hereinafter, in the description of embodiments according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “below” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in “/under,” “on” and “under” mean “directly” or “indirectly through another layer.” “Includes everything that is formed. Additionally, the standards for top/top or bottom/bottom of each floor are explained based on the drawing. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Additionally, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Additionally, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed descriptions will be omitted. In addition, the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings, and all changes included in the spirit and technical scope of the present invention are not limited. , should be understood to include equivalents or substitutes.
본 발명은, 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계 면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 복수의 발광소자 패키지들이 실장된 회로기판 상에 미리 결정된 형상의 반사시트 조립체를 배치하여 상기 발광소자 패키지들에서 방사되는 면 광원의 광 균일도를 향상시킬 수 있는 백라이트 유닛 및 그 제조방법을 제안한다.The present invention proposes a light emitting device package and a manufacturing method thereof that can implement a planar light source by reflecting light radiating upward from a light emitting device in the horizontal direction through an aspherical boundary surface where a molding member and a reflection member meet. In addition, the present invention relates to a backlight unit capable of improving light uniformity of a surface light source emitted from the light emitting device packages by disposing a reflective sheet assembly of a predetermined shape on a circuit board on which a plurality of light emitting device packages are mounted, and manufacturing the same. suggest a method
이하에서는, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1a는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 1c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.FIG. 1A is a perspective view of a light-emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view of a light-emitting device package according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1C is a perspective view of a light-emitting device package according to a first embodiment of the present invention. This is an exploded perspective view of the light emitting device package.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 박막기판(110), 상기 박막기판(110) 상에 배치되는 발광소자(120), 상기 발광소자(120)를 둘러싸는 몰딩 부재(130), 상기 몰딩 부재 상에 배치되는 반사층(140), 상기 반사층(140) 상에 배치되는 반사 부재(150)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 반사층(140)은 실시 예에 따라 생략 가능하도록 구성될 수 있다.1A to 1C, the light emitting
발광소자 패키지(100)는 발광소자(120)에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재(130)와 반사 부재(150)가 만나는 비구면 형상의 경계 면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 발광소자 패키지(100)는 정육면체 또는 직육면체 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The light emitting
박막기판(110)은 발광소자(120)와 전기적으로 연결되어, 발광소자(120)와 회로기판(미도시) 사이의 전기적 신호 전달을 매개하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 박막기판(110)은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 박막기판(110)은 정사각형 또는 직사각형 모양의 박막 형상으로 형성될 수 있다.The
박막기판(110)은 발광소자(120)의 제1 도전형 메탈층(또는 제1 전극패드)과 전기적으로 연결되는 제1 서브기판(110a)과 발광소자(120)의 제2 도전형 메탈층(또는 제2 전극패드)과 전기적으로 연결되는 제2 서브기판(110b)으로 구성될 수 있다. 상기 제1 서브기판(110a)과 제2 서브기판(110b)은 전기적 절연을 위해 물리적으로 일정 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 서브기판(110a, 110b)은 발광소자(120)의 전극 패드 면적을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)와 회로기판 사이의 본딩(bonding)을 용이하게 할 수 있다.The
박막기판(110)은 발광소자(120)를 지지하고, 상기 발광소자(120)에서 방사되는 빛을 반사시키는 역할을 수행할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(120)에서 방사된 빛은 박막기판(110)의 상면을 통해 반사되어 발광소자 패키지(100)의 측면 방향으로 방출될 수 있다. 한편, 박막기판(110)의 반사 효율을 증가시키기 위해, 상기 박막기판(110)의 상면에는 반사율이 높은 금속 물질(가령, Ag, Pt, Au 등)이 코팅될 수 있다.The
박막기판(110)은 발광소자(120)에서 발생되는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크(heat sink) 역할을 수행할 수 있다. 즉, 상기 박막기판(110)은 발광소자(120)의 하부에 배치되어, 상기 발광소자(120)에서 발생하는 열을 회로기판(즉, 하부) 방향으로 빠르게 방출시킬 수 있다.The
발광소자(또는 LED 칩, 120)는 박막기판(110) 상에 배치되어, 상부 방향의 광을 방사할 수 있다. 상기 박막기판(110)에 실장되는 발광소자는 플립칩 타입(flip-chip type)의 발광소자일 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The light emitting device (or LED chip, 120) is disposed on the
발광소자(120)는 성장 기판, 상기 성장 기판 아래의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래의 제2 도전형 메탈층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래의 제1 도전형 메탈층을 포함할 수 있다.The
발광소자(120)는 화합물 반도체의 조성비에 따라 서로 다른 파장의 광을 방사할 수 있다. 본 실시 예에서, 발광소자(120)는 청색 파장의 광을 방사하는 청색 LED 소자임을 예시하고 있으나 반드시 이에 제한되지는 않는다. 한편, 도면에 도시되고 있지 않지만, 발광소자(120)의 상면에는 파장 변환층이 형성될 수 있다. The
몰딩 부재(또는 충진 부재, 130)는 박막기판(110) 및 발광소자(120) 상에 배치되고, 상기 발광소자(120)의 상면 및 측면 전체를 둘러(에워)싸도록 형성될 수 있다.The molding member (or filling member, 130) may be disposed on the
몰딩 부재(130)는 외부 환경 또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(120)를 보호하고, 반사 부재(150)와 함께 발광소자 패키지(100)의 몸체(이하, 설명의 편의상, '패키지 바디'라 칭함)를 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(130)는 발광소자(120)에서 방사되는 빛을 외부로 투과시키는 역할을 수행할 수 있다.The
몰딩 부재(130)는 광 투과성 및 열 전도성이 우수한 에폭시(epoxy) 수지 또는 실리콘(silicon) 수지 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상기 몰딩 부재(130)에는, 발광소자(120)에서 방사되는 빛의 파장을 변환시키기 위한 광 변환 물질이 추가로 포함될 수 있다. 또한, 상기 몰딩 부재(130)에는, 몰딩 부재(130)와 박막기판(110) 간의 접착력과 몰딩 부재(130)와 발광소자(120) 간의 접착력을 향상시키기 위한 접착 물질이 추가로 포함될 수도 있다.The
몰딩 부재(130)는 박막기판(110) 및 발광소자(120) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법(injection molding) 또는 트랜스퍼 성형법(transfer molding) 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(130)의 하면은 박막기판(110) 및 발광소자(120)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(130)의 하면의 전체적 형상은 박막기판(110)의 상면의 전체적 형상에 대응할 수 있다. 예컨대, 몰딩 부재(130)의 하면은 정사각형 또는 직사각형 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몰딩 부재(130)의 측면은 직사각형 모양으로 형성될 수 있다.The lower surface of the
몰딩 부재(130)의 상면은 반사층(140) 또는 반사 부재(150)의 하면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(130)의 상면(또는 상부)은 평탄부(131)와 함몰부(133)로 구성될 수 있다.The upper surface of the
평탄부(131)는 몰딩 부재(130)의 측면 상단에서부터 해당 몰딩 부재(130)의 측면에 수직한 방향으로 일정 거리만큼 연장되어 형성될 수 있다. 상기 평탄부(131)는 몰딩 부재(130)의 상면 가장자리 영역에 형성될 수 있다.The
함몰부(133)는 발광소자(120)의 상면 중심 방향으로 볼록하게 함몰되도록 형성될 수 있다. 즉, 함몰부(133)는 중심 지점에서 가장자리 영역으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 함몰부(133)는 몰딩 부재(130)의 상면 중앙 영역에 형성될 수 있다.The recessed
함몰부(133)는 비구면(aspherical surface) 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 함몰부(133)의 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다. 상기 함몰부(133)의 가장자리(또는 테두리)는 원형으로 형성될 수 있다.The
반사 부재(150)는 몰딩 부재(130) 또는 반사층(140)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(150)는 몰딩 부재(130) 또는 반사층(140) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법 또는 트랜스퍼 성형법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
반사 부재(150)는 몰딩 부재(130)와 함께 발광소자 패키지(100)의 몸체를 형성하고, 발광소자(120)에서 방사되는 빛을 패키지 바디의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다.The
반사 부재(150)는 반사 특성이 우수한 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상기 반사 부재(140)에는 반사 특성을 높이기 위해 이산화티타늄(TiO2) 또는 이산화규소(SiO2) 등과 같은 광 산란 물질이 포함될 수 있다.The
반사 부재(150)의 하면은 몰딩 부재(130) 또는 반사층(140)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(150)의 하부는 몰딩 부재(130)의 상부 형상에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다.The lower surface of the
반사 부재(150)의 상면 및 측면은 정사각형 또는 직사각형 모양으로 형성될 수 있다. 반사 부재(150)의 하면(또는 하부)은 평탄부(151)와 돌출부(153)로 구성될 수 있다.The top and side surfaces of the
평탄부(151)는 몰딩 부재(130)의 상면에 형성된 평탄부(131)에 대응하도록 형성될 수 있다. 즉, 평탄부(151)는 반사 부재(150)의 측면 하단에서부터 해당 반사 부재(150)의 측면에 수직한 방향으로 일정 거리만큼 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 평탄부(151)는 반사 부재(150)의 하면 가장자리 영역에 형성될 수 있다.The
돌출부(153)는 몰딩 부재(130)의 상면에 형성된 함몰부(133)에 대응하도록 형성될 수 있다. 즉, 돌출부(153)는 발광소자(120)의 상면 중심 방향으로 오목하게 돌출되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 돌출부(153)는 반사 부재(150)의 하면 중앙 영역에 형성될 수 있다.The
돌출부(153)는 비구면(aspherical surface) 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 돌출부(153)의 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다. 상기 돌출부(153)의 가장자리(또는 테두리)는 원형으로 형성될 수 있다.The
반사 부재(150)의 하부에 형성된 돌출부(153)는 가장자리 영역에서 중심 지점으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 오목한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(150)의 중심부는 가장자리 영역의 두께보다 최소한 2배 이상의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(130)의 함몰부(143)와 반사부재(150)의 돌출부(153)는 발광소자(120)의 중심 광 축과 일치하도록 형성될 수 있다. 또한, 반사 부재(150)는 몰딩 부재(130)와 서로 마주보도록 결합되어, 직육면체 또는 정육면체 형상의 패키지 바디를 구성할 수 있다. 여기서, 몰딩 부재(130)의 상부는 상면의 중심 방향으로 볼록하게 함몰되는 비구면 형상으로 형성될 수 있고, 반사 부재(150)의 하부는 하면의 중심 방향으로 오목하게 돌출되는 비구면 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 패키지 바디는 그 높이에 상관없이 일정한 단면적을 갖도록 형성될 수 있다.The depression 143 of the
몰딩 부재(130)와 반사 부재(150) 사이에는 비구면 형상의 경계면(또는 반사면)이 형성될 수 있다. 이러한 비구면 형상의 경계면을 통해 발광소자(120)에서 방사되는 빛을 패키지 바디의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 발광소자 패키지(100)에서는 측면광의 비중이 상부광의 비중보다 더 크게 된다. 상기 몰딩 부재(130)와 반사 부재(150) 사이에 형성되는 비구면 형상의 곡률반경은 광 반사 효율과 성형성 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.An aspherical boundary surface (or reflective surface) may be formed between the molding
몰딩 부재(130)와 반사 부재(150) 사이에는 반사층(140)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(140)은 몰딩 부재(130)의 상면에 얇게 적층되거나 혹은 코딩될 수 있다.A
반사층(140)은 굴절률이 서로 다른 둘 이상의 절연층들 또는 전도층들을 번갈아 가며 적층한 DBR(distributed bragg reflector)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(140)은 반사율이 높은 금속 물질로 형성될 수도 있다. 상기 반사율이 높은 금속 물질로는, 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 로듐(Rh), 크롬(Cr) 및 이들의 조합 중 어느 하나가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The
이상, 상술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 간편하게 구현할 수 있다.As described above, the light emitting device package according to the first embodiment of the present invention reflects the light radiating upward from the light emitting device in the horizontal direction through the aspherical boundary surface where the molding member and the reflection member meet to form a surface light source. can be implemented easily.
도 2a는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 2c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.Figure 2a is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention, Figure 2b is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention, and Figure 2c is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention. This is an exploded perspective view of the light emitting device package.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 박막기판(210), 상기 박막기판(210) 상에 배치되는 발광소자(220), 상기 발광소자(220)를 둘러싸는 몰딩 부재(230), 상기 몰딩 부재(230) 상에 배치되는 반사층(240), 상기 반사층(240) 상에 배치되는 반사 부재(250)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 반사층(240)은 실시 예에 따라 생략 가능하도록 구성될 수 있다.2A to 2C, the light emitting
본 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 구성하는 요소들은, 상술한 도 1a 내지 도 1c에 도시된 발광소자 패키지(100)를 구성하는 요소들과 동일 또는 유사하므로 그 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.The elements constituting the light emitting
발광소자 패키지(200)는 발광소자(220)에서 상부 방향으로 방사되는 광을 몰딩 부재(230)와 반사 부재(250)가 만나는 비구면 형상의 경계 면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 발광소자 패키지(200)는 원통형으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The light emitting
박막기판(210)은 발광소자(220)와 전기적으로 연결되어, 발광소자(220)와 회로기판(미도시) 사이의 전기적 신호 전달을 매개하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 박막기판(210)은 원 모양의 박막 형상으로 형성될 수 있다.The
박막기판(210)은 발광소자(220)의 제1 도전형 메탈층과 전기적으로 연결되는 제1 서브기판(210a)과 발광소자(220)의 제2 도전형 메탈층과 전기적으로 연결되는 제2 서브기판(210b)으로 구성될 수 있다. 상기 제1 서브기판(210a)과 제2 서브기판(210b)은 전기적 절연을 위해 물리적으로 일정거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.The
발광소자(220)는 박막기판(210) 상에 배치되어, 상부 방향의 광을 방사할 수 있다. 상기 박막기판(210)에 실장되는 발광소자는 플립칩 타입의 발광소자일 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The
몰딩 부재(230)는 박막기판(210) 및 발광소자(220) 상에 배치되고, 상기 발광소자(220)의 상면 및 측면 전체를 둘러(에워)싸도록 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(230)는 박막기판(210) 및 발광소자(220) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법 또는 트랜스퍼 성형법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(230)는 외부 환경 또는 외부 충격 등으로부터 발광소자(220)를 보호하고, 반사 부재(250)와 함께 발광소자 패키지(200)의 몸체를 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(230)는 발광소자(220)에서 방사되는 빛을 외부로 투과시키는 역할을 수행할 수 있다.The
몰딩 부재(230)의 하면은 박막기판(210) 및 발광소자(220)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(230)의 하면의 전체적 형상은 박막기판(210)의 상면의 전체적 형상에 대응할 수 있다. 예컨대, 몰딩 부재(230)의 하면은 원 모양으로 형성될 수 있다. The lower surface of the
몰딩 부재(230)의 상면은 반사층(240) 또는 반사 부재(250)의 하면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(230)의 상면 가장자리(또는 테두리)는 원 모양으로 형성될 수 있다.The upper surface of the
몰딩 부재(230)의 상면(또는 상부)은 발광소자(220)의 상면 중심 방향으로 볼록하게 함몰되도록 형성될 수 있다. 즉, 몰딩 부재(230)는 상면의 중심 지점에서 가장자리로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 아울러, 상기 몰딩 부재(230)의 단면은 좌우 대칭되는 형상을 갖도록 형성될 수 있다.The upper surface (or upper part) of the
몰딩 부재(230)의 상면은 비구면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 몰딩 부재(230)의 상면 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다.The upper surface of the
반사 부재(250)는 몰딩 부재(230) 또는 반사층(240)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(250)는 몰딩 부재(230) 또는 반사층(240) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법 또는 트랜스퍼 성형법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
반사 부재(250)는 몰딩 부재(230)와 함께 발광소자 패키지(200)의 몸체를 형성하고, 발광소자(220)에서 방사되는 빛을 패키지 바디의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다.The
반사 부재(250)의 하면은 몰딩 부재(230) 또는 반사층(240)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(250)의 하부는 몰딩 부재(230)의 상부 형상에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. The lower surface of the
반사 부재(250)의 상면은 원 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사 부재(250)의 하면 가장자리(또는 테두리) 역시 원 모양으로 형성될 수 있다.The upper surface of the
반사 부재(250)의 하면(또는 하부)은 발광소자(220)의 상면 중심 방향으로 오목하게 돌출되도록 형성될 수 있다. 또한, 반사 부재(250)의 하면은 비구면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 반사 부재(250)의 하면 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다.The lower surface (or lower part) of the
반사 부재(250)는 하면의 가장자리에서 중심 지점으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 오목한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(250)의 단면은 좌우 대칭되는 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사 부재(250)의 중심부는 가장자리 영역의 두께보다 최소한 2배 이상의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(230)의 함몰부(243)와 반사부재(250)의 돌출부(253)는 발광소자(220)의 중심 광 축과 일치하도록 형성될 수 있다. 또한, 반사 부재(250)는 몰딩 부재(230)와 서로 마주보도록 결합되어, 원통 형상의 패키지 바디를 구성할 수 있다. 여기서, 몰딩 부재(230)의 상부는 상면의 중심 방향으로 볼록하게 함몰되는 비구면 형상으로 형성될 수 있고, 반사 부재(250)의 하부는 하면의 중심 방향으로 오목하게 돌출되는 비구면 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 패키지 바디는 그 높이에 상관없이 일정한 단면적을 갖도록 형성될 수 있다.The depression 243 of the
몰딩 부재(230)와 반사 부재(250) 사이에는 비구면 형상의 경계면(또는 반사면)이 형성될 수 있다. 이러한 비구면 형상의 경계면을 통해 발광소자(220)에서 방사되는 빛을 패키지 바디의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다. 이때, 몰딩 부재(230)와 반사 부재(250) 사이에 형성되는 비구면 형상의 곡률반경은 광 반사 효율과 성형성 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.An aspherical boundary surface (or reflective surface) may be formed between the molding
몰딩 부재(230)와 반사 부재(250) 사이에는 반사층(240)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(240)은 몰딩 부재(230)의 상면에 얇게 적층되거나 혹은 코딩될 수 있다.A
한편, 다른 실시 예로, 몰딩 부재(230)의 상면은 평탄부와 함몰부로 구성될 수 있다. 이 경우, 반사 부재(250)의 하면 역시 몰딩 부재의 평탄부에 대응하는 평탄부와 몰딩 부재의 함몰부에 대응하는 돌출부로 구성될 수 있다.Meanwhile, in another embodiment, the upper surface of the
이상, 상술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 간편하게 구현할 수 있다.As described above, the light-emitting device package according to the second embodiment of the present invention reflects the light radiating upward from the light-emitting device in the horizontal direction through the aspherical boundary surface where the molding member and the reflection member meet to form a surface light source. can be implemented easily.
도 3a는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 3c는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.FIG. 3A is a perspective view of a light-emitting device package according to a third embodiment of the present invention, FIG. 3B is a cross-sectional view of a light-emitting device package according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 3C is a perspective view of a light-emitting device package according to a third embodiment of the present invention. This is an exploded perspective view of the light emitting device package.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 박막기판(310), 상기 박막기판(310) 상에 배치되는 발광소자(320), 상기 발광소자(320)를 둘러싸는 몰딩 부재(330), 상기 몰딩 부재(330) 상에 배치되는 반사층(340), 상기 반사층(340) 상에 배치되는 반사 부재(350)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 반사층(340)은 실시 예에 따라 생략 가능하도록 구성될 수 있다.Referring to FIGS. 3A to 3C, the light emitting
본 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 구성하는 요소들은, 상술한 도 1a 내지 도 1c에 도시된 발광소자 패키지(100)를 구성하는 요소들과 동일 또는 유사하므로 그 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.The elements constituting the light emitting
발광소자 패키지(300)는 발광소자(320)에서 상부 방향으로 방사되는 광을 몰딩 부재(330)와 반사 부재(350)가 만나는 평평한 경사면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 발광소자 패키지(300)는 정육면체 형상, 직육면체 형상 또는 원통 형상 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The light emitting
몰딩 부재(330)는 박막기판(310) 및 발광소자(320) 상에 배치되고, 상기 발광소자(320)의 상면 및 측면 전체를 둘러(에워)싸도록 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(330)는 박막기판(310) 및 발광소자(320) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법 또는 트랜스퍼 성형법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(330)의 하면은 박막기판(310) 및 발광소자(320)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(330)의 하면의 전체적 형상은 박막기판(310)의 상면의 전체적 형상에 대응할 수 있다.The lower surface of the
몰딩 부재(330)의 상면(또는 상부)은 발광소자(320)의 상면 중심 방향으로 함몰되도록 형성될 수 있다. 즉, 몰딩 부재(330)는 상면의 중심 지점에서 가장자리 영역으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 가령, 발광소자 패키지(300)가 정육면체 또는 직육면체 형상인 경우, 몰딩 부재(330)의 상부는 역 사각뿔 모양으로 함몰되도록 형성될 수 있다. 한편, 발광소자 패키지(300)가 원통 형상인 경우, 몰딩 부재(330)의 상부는 역 원뿔 모양으로 함몰되도록 형성될 수 있다.The upper surface (or upper part) of the
반사 부재(350)는 몰딩 부재(330) 또는 반사층(340)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(350)는 몰딩 부재(330) 또는 반사층(340) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법 또는 트랜스퍼 성형법 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
반사 부재(350)의 하면은 몰딩 부재(330) 또는 반사층(340)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(350)의 하부는 몰딩 부재(330)의 상부 형상에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. The lower surface of the
반사 부재(350)의 하면(또는 하부)은 발광소자(320)의 상면 중심 방향으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 즉, 반사 부재(350)는 하면 가장자리 영역에서 중심 지점으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 가령, 발광소자 패키지(300)가 정육면체 또는 직육면체 형상인 경우, 반사 부재(350)는 역 사각뿔 모양으로 형성될 수 있다. 한편, 발광소자 패키지(300)가 원통 형상인 경우, 상기 반사 부재(350)는 역 원뿔 모양으로 형성될 수 있다.The lower surface (or lower part) of the
반사 부재(350)의 상면은, 발광소자 패키지(300)의 형상에 따라, 원 모양, 정사각형 모양 또는 직사각형 모양으로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(350)의 단면은 좌우 대칭되는 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 반사 부재(350)는 몰딩 부재(330)와 서로 마주보도록 결합되어, 정사면체, 정육면체 또는 원통 형상의 패키지 바디를 구성할 수 있다.The upper surface of the
몰딩 부재(330)와 반사 부재(350) 사이에는 평평한 경사면(또는 반사면)이 형성될 수 있다. 이러한 경사면을 통해 발광소자(320)에서 방사되는 빛을 패키지 바디의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 몰딩 부재(330)와 반사 부재(350) 사이에는 반사층(340)이 형성될 수 있다.A flat inclined surface (or reflective surface) may be formed between the molding
이상, 상술한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 빛을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 평평한 경사면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 간편하게 구현할 수 있다.As described above, the light-emitting device package according to the third embodiment of the present invention reflects the light radiating upward from the light-emitting device in the horizontal direction through a flat inclined surface where the molding member and the reflective member meet, thereby conveniently using a surface light source. It can be implemented.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하는 도면이다.FIGS. 4A to 4F are diagrams illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일정한 두께 및 평탄도를 갖는 지지기판(410)을 마련할 수 있다. 상기 지지기판(410)은 박막기판(420)과의 접합성이 우수한 유리 재질, 플라스틱 재질, 비금속 재질 또는 금속 재질 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Referring to FIGS. 4A and 4B, a
이러한 지지기판(410)의 상면에 탈/부착 가능한 접착 부재(미도시)를 배치할 수 있다. 상기 접착 부재는 지지기판(410)의 전체적인 형상에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다.A detachable/attachable adhesive member (not shown) may be placed on the upper surface of the
접착 부재의 상면에 복수의 박막기판들(420)을 미리 결정된 패턴으로 배치할 수 있다. 일 예로, 상기 박막기판들(420)은 접착 부재 상에 매트릭스 형태 또는 격자 형태로 배열될 수 있다.A plurality of
각각의 박막기판(420)은 발광소자의 제1 도전형 메탈층과 전기적으로 연결되는 제1 서브기판과 상기 발광소자의 제2 도전형 메탈층과 전기적으로 연결되는 제2 서브기판으로 구성될 수 있다. 상기 제1 서브기판과 제2 서브기판은 전기적 절연을 위해 물리적으로 일정 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.Each
이후, 복수의 박막기판들(420)의 상면에 복수의 발광소자들(430)을 플립 칩 본딩(flip chip bonding)하는 공정을 수행한다. 즉, 복수의 박막기판들(420)의 제1 및 제2 서브기판 상에 복수의 범프들(bump, 미도시)을 배치한다. 그리고, 복수의 범프들이 배치된 상태의 박막기판(420)과 복수의 발광소자들(430)을 서로 마주보게 하여 상기 제1 및 제2 서브기판과 상기 발광소자들(430)의 제1 및 제2 도전형 메탈층을 일대일 대응시켜 밀착시킨 후 가열한다. 그러면, 복수의 범프들이 녹게 되고, 그에 따라 제1 및 제2 서브기판과 그에 대응하는 제1 및 제2 도전형 메탈층이 전기적으로 연결되는 상태가 된다.Afterwards, a process of flip chip bonding the plurality of light emitting
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 지지기판(410), 복수의 박막기판들(420) 및 복수의 발광소자들(430)의 상부에 몰딩 부재(440)를 충진한다. 이때, 상기 몰딩 부재(440)는 복수의 발광소자들(440)이 실장된 지지기판(410) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법(injection molding) 또는 트랜스퍼 성형법(transfer molding) 등을 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 4C and 4D , the
몰딩 부재(440)는 지지기판(410)의 상면뿐만 아니라, 복수의 박막기판들(420) 및 복수의 발광소자들(430)을 전체적으로 둘러(에워)싸도록 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(440)는 광 투과성 및 열 전도성이 우수한 에폭시(epoxy) 수지 또는 실리콘(silicon) 수지 등으로 형성될 수 있다.The
몰딩 부재(440)의 상면(또는 상부)은 복수의 평탄부들(441)과 복수의 함몰부들(443)로 구성될 수 있다. 상기 복수의 평탄부들(441)은 복수의 발광소자들(430) 사이에 해당하는 위치에 형성될 수 있고, 상기 복수의 함몰부들(443)은 복수의 발광소자들(430)의 상부에 해당하는 위치에 형성될 수 있다.The upper surface (or upper part) of the
각각의 함몰부(443)는 발광소자들(430)의 상면 중심 방향으로 볼록하게 함몰되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 함몰부(443)는 중심 지점에서 가장자리 영역으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.Each
각각의 함몰부(443)는 비구면(aspherical surface) 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 함몰부(443)의 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다. 상기 함몰부(443)의 가장자리(또는 테두리)는 원 모양으로 형성될 수 있다.Each
이후, 몰딩 부재(440) 상에 반사층(450)을 형성한다. 상기 반사층(450)은 몰딩 부재(440)의 상면에 얇은 두께로 코딩될 수 있다. 상기 반사층(450)을 형성하는 공정은 실시 예에 따라 생략 가능하도록 구성할 수 있다.Afterwards, a
반사층(450)은 굴절률이 서로 다른 둘 이상의 절연층들 또는 전도층들을 번갈아 가며 적층한 DBR(distributed bragg reflector)로 형성되거나 혹은 반사율이 높은 금속 물질로 형성될 수 있다.The
도 4e 및 도 4f를 참조하면, 몰딩 부재(440) 또는 반사층(450)의 상부에 반사 부재(460)를 충진하여 발광 구조물(470)을 형성한다. 이때, 상기 반사 부재(460)는 몰딩 부재(440) 또는 반사층(450) 상에 적절한 성형 방법, 예컨대 사출 성형법(injection molding) 또는 트랜스퍼 성형법(transfer molding) 등을 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 4E and 4F , the
반사 부재(460)는 몰딩 부재(440)와 함께 발광소자 패키지의 몸체를 형성할 수 있다. 상기 반사 부재(460)는 반사 특성이 우수한 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등으로 형성될 수 있다.The
반사 부재(460)의 하면(또는 하부)은 복수의 평탄부들(461)과 복수의 돌출부들(463)로 구성될 수 있다. 상기 복수의 평탄부들(461)은 복수의 발광소자들(430) 사이에 해당하는 위치에 형성될 수 있고, 상기 복수의 돌출부들(463)은 복수의 발광소자들(430)의 상부에 해당하는 위치에 형성될 수 있다.The lower surface (or lower part) of the
각각의 평탄부(461)는 몰딩 부재(440)의 상면에 형성된 각각의 평탄부(441)에 대응하도록 형성될 수 있다. 각각의 돌출부(463)는 몰딩 부재(440)의 상면에 형성된 각각의 함몰부(443)에 대응하도록 형성될 수 있다.Each
각각의 돌출부(463)는 발광소자들(430)의 상면 중심 방향으로 오목하게 돌출되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 돌출부(463)는 가장자리 영역에서 중심 지점으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 오목한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.Each
각각의 돌출부(463)는 비구면(aspherical surface) 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 비구면 형상은 돌출부(463)의 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다. 상기 돌출부(463)의 가장자리(또는 테두리)는 원 모양으로 형성될 수 있다.Each
이후, 발광 구조물(470)의 하부에 배치된 지지기판(410) 및 접착 부재를 제거한 다음, 상기 발광 구조물(470)을 패키지 분리 공정을 통해 단위 패키지 영역으로 분리하여 복수의 발광소자 패키지들을 제조할 수 있다. 상기 패키지 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 에칭 또는 건식 에칭을 이용하여 칩을 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으며 반드시 이에 한정되지는 않는다.Thereafter, the
한편, 다른 실시 예로, 발광 구조물(470)을 패키지 분리 공정을 통해 단위 패키지 영역으로 분리하여 복수의 발광소자 패키지들을 제조한 다음, 상기 발광소자 패키지들의 하부에 배치된 지지기판(410)을 제거할 수도 있다.Meanwhile, in another embodiment, the
도 5a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛의 단면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도이다.FIG. 5A is a cross-sectional view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an exploded perspective view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛(500)은 회로기판(510), 상기 회로기판(510) 상에 실장되는 복수의 발광소자 패키지들(520), 상기 회로기판(510) 상에 배치되는 반사시트 조립체(530), 상기 반사시트 조립체(530) 상에 배치되는 확산 시트(540), 상기 확산 시트(540) 상에 배치되는 광학 시트(550, 560)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 5A and 5B, the
회로기판(510)은 복수의 발광소자 패키지들(520)을 지지하고, 상기 발광소자 패키지들(520)에서 발생하는 열을 외부로 방출시킬 수 있다. 상기 회로기판(510)으로는 PCB(Print Circuit Board) 기판 또는 FPCB(Flexible Print Circuit Board) 기판 등이 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The
회로기판(510)은 복수의 발광소자 패키지들(520)과 전기적으로 연결되어, 상기 복수의 발광소자 패키지들(520)과 외부기기 사이의 전기적 신호 전달을 매개하는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 회로기판(510)은 복수의 발광소자 패키지들(520)을 구동하기 위한 회로패턴(미도시)을 구비할 수 있다.The
회로기판(510)의 상면에는 복수의 발광소자 패키지들(520)에서 해당 회로기판(510)으로 방사되는 빛의 난반사를 제거하기 위한 물질이 얇게 코팅될 수 있다. 상기 회로기판(510)에 코팅되는 난반사 제거 물질(또는 난반사 제거 부재)로는 반사도가 높은 금속 물질(가령, Al, Ag 등)이 사용될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 상기 회로기판(510)에 코팅되는 난반사 제거 물질로는 검은 색상의 필름 또는 도료 등이 사용될 수 있다.The upper surface of the
이러한 난반사 제거 물질은 복수의 발광소자 패키지들(520)이 실장된 영역을 제외한 나머지 회로기판 영역에 전체적으로 형성될 수 있다. 가령, 도 6에 도시된 바와 같이, 난반사 제거 물질(570)은 발광소자 패키지(520)를 둘러싸도록 상기 발광소자 패키지(520)의 주변 영역에 해당하는 회로기판 영역에 형성될 수 있다.This diffuse reflection removal material may be formed entirely on the entire circuit board area except for the area where the plurality of light emitting device packages 520 are mounted. For example, as shown in FIG. 6 , the diffuse reflection removal material 570 may be formed in a circuit board area corresponding to a peripheral area of the light emitting
한편, 다른 실시 예로, 상기 난반사 제거 물질은 반사시트 조립체(530)에 형성된 복수의 홀들(533)에 대응하는 회로기판 영역 중 복수의 발광소자 패키지들(520)이 실장된 영역을 제외한 나머지 회로기판 영역에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 난반사 제거 물질은 반사시트 조립체(530)를 구성하는 복수의 반사시트 유닛들(531)의 내 측면과 그에 해당하는 발광소자 패키지들(520)의 바닥 면 사이에 위치하는 회로기판 영역에만 형성될 수 있다.Meanwhile, in another embodiment, the diffuse reflection removal material is applied to the remaining circuit board areas excluding the area where the plurality of light emitting device packages 520 are mounted among the circuit board areas corresponding to the plurality of holes 533 formed in the
복수의 발광소자 패키지들(520)은 회로기판(510)의 상면에 실장될 수 있다. 이때, 상기 발광소자 패키지들(520)은 회로기판(510)에 미리 결정된 패턴으로 배열될 수 있다. 일 예로, 상기 발광소자 패키지들(520)은 매트릭스 형태 또는 격자 형태로 배열될 수 있다.A plurality of light emitting device packages 520 may be mounted on the upper surface of the
각각의 발광소자 패키지(520)는 발광소자에서 상부 방향으로 방사되는 광을 몰딩 부재와 반사 부재가 만나는 비구면 형상의 경계 면을 통해 수평 방향으로 반사시켜 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 발광소자 패키지(520)는 정육면체 형상, 직육면체 형상 또는 원통 형상 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Each light emitting
반사시트 조립체(530)는 복수의 발광소자 패키지들(520)이 실장된 회로기판(510)의 상부에 배치되어, 상기 발광소자 패키지들(520)에서 측면 방향으로 방사되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 본 발명에 따른 반사시트 조립체(530)는 일반적인 반사시트와 도광판의 역할을 동시에 수행할 수 있다.The
반사시트 조립체(530)는 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 등과 같은 플라스틱 재질을 사용하여 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The
반사시트 조립체(530)를 구성하는 반사시트 유닛들(531)은 미리 결정된 모양으로 형성되어, 각각의 발광소자 패키지(520)에서 측면 방향으로 방사되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다.The
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 반사시트 조립체(530)는 동일한 형상을 갖는 복수의 반사시트 유닛들(531)로 구성될 수 있다. 상기 복수의 반사시트 유닛들(531)은 매트릭스 형태 또는 격자 형태로 배열될 수 있다. 또한, 상기 복수의 반사시트 유닛들(531)은 일체로 형성되거나 혹은 조립 가능한 형태로 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, the
각각의 반사시트 유닛(531)은 회로기판(510)에 실장된 발광소자 패키지(520)를 관통하기 위한 홀(533)을 구비할 수 있다. 상기 홀(533)은 반사시트 유닛(531)의 중앙 부분에 형성될 수 있다. 상기 홀(533)의 크기는 발광소자 패키지(520)의 크기보다 더 크게 형성될 수 있다. 또한, 상기 홀(533)은 정사각형 모양, 직사각형 모양 또는 원 모양 등으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Each
반사시트 유닛(531)의 하면은 회로기판(510)의 상면에 대향하여 배치될 수 있다. 상기 반사시트 유닛(531)의 하면은 정사각형 또는 직사각형 모양으로 형성될 수 있다.The lower surface of the
반사시트 유닛(531)의 상면(또는 상부)은 회로기판(510)에 실장된 발광소자 패키지(520) 방향으로 오목하게 함몰되도록 형성될 수 있다. 즉, 반사시트 유닛(531)의 상부는 홀 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 그 높이가 점점 높아지는 오목한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.The upper surface (or upper portion) of the
반사시트 유닛(531)의 상면은 미리 결정된 곡률 반경을 갖는 경사면 즉 곡면 형상(또는 포물선 형상)으로 형성될 수 있다. 상기 곡면 형상은 반사시트 유닛(531)의 상면 가장자리 영역에서 해당 유닛(531)의 중앙 부분에 위치한 홀 방향으로 수렴하도록 형성될 수 있다.The upper surface of the
반사시트 조립체(530)는 확산 시트(540)와의 이격 거리를 일정하게 유지하기 위한 복수의 돌기부들(535)을 구비할 수 있다. 상기 복수의 돌기부들(535)은 반사시트 조립체(530)의 상부에 형성될 수 있다. 또한, 상기 복수의 돌기부들(535)은 복수의 반사시트 유닛들(531)이 만나는 모서리 지점에 형성될 수 있다.The
확산 시트(540)는 반사시트 조립체(530)의 상부에 배치되어, 복수의 발광소자 패키지들(520) 및 반사시트 조립체(530)에서 상부 방향으로 출사되는 빛을 산란시켜 빛을 골고루 펴주는 역할을 수행한다.The
광학 시트(550, 560)는 확산 시트(540)의 상부에 배치되어, 상기 확산 시트(540)에서 출사되는 빛을 굴절 및 집광시켜 백라이트 유닛(500)의 휘도를 상승시키는 역할을 수행한다. 상기 광학 시트(550, 560)는 수직 방향으로 배열되는 제1 프리즘 시트(550)와 수평 방향으로 배열되는 제2 프리즘 시트(560)로 구성될 수 있다.The
이상, 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 복수의 발광소자 패키지들이 실장된 회로기판 상에 미리 결정된 형상의 반사시트 조립체를 배치하여 상기 발광소자 패키지들에서 방사되는 면 광원의 광 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, the backlight unit according to an embodiment of the present invention arranges a reflective sheet assembly of a predetermined shape on a circuit board on which a plurality of light-emitting device packages are mounted, and uses a surface light source emitted from the light-emitting device packages. Light uniformity can be improved.
한편 이상에서는 본 발명의 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, although the specific embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, and should be determined by the claims and equivalents thereof as well as the claims described later.
100/200/300: 발광소자 패키지 110/210/310: 박막기판
120/220/320: 발광소자 130/230/330: 몰딩 부재
140/240/340: 반사층 150/250/350: 반사 부재
500: 백라이트 유닛 510: 회로기판
520: 발광소자 패키지 530: 반사시트 조립체
540: 확산 시트 550/560: 광학 시트100/200/300: Light emitting
120/220/320:
140/240/340:
500: backlight unit 510: circuit board
520: Light emitting device package 530: Reflective sheet assembly
540:
Claims (20)
상기 제1 서브기판 상에 위치하는 제1 전극패드 및 상기 제2 서브기판 상에 위치하는 제2 전극패드를 포함하는 발광소자;
상기 박막기판의 상면과 상기 발광소자의 측면 및 상면을 둘러싸며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 투과시키는 몰딩 부재; 및
상기 몰딩 부재의 상부에 형성되며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 반사 부재를 포함하고,
상기 반사 부재는 상기 발광소자의 상부광을 측면광으로 변화시키며,
상기 측면광의 비중이 상기 상부광의 비중보다 큰 것을 특징으로 하며,
상기 몰딩 부재의 상면은, 상기 몰딩 부재의 측면 상단에서부터 측면에 수직한 방향으로 연장되어 형성되는 제1 평탄부를 포함하며,
상기 반사 부재의 하면은, 상기 반사 부재의 측면 하단에서부터 측면에 수직한 방향으로 연장되어 형성되는 제2 평탄부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.a thin film substrate on which a first sub-substrate and a second sub-substrate are formed;
a light emitting device including a first electrode pad located on the first sub-substrate and a second electrode pad located on the second sub-substrate;
a molding member surrounding the upper surface of the thin film substrate and the side and upper surfaces of the light emitting device and transmitting light emitted from the light emitting device; and
It is formed on an upper part of the molding member and includes a reflective member that reflects light emitted from the light emitting element,
The reflective member changes the top light of the light emitting element into side light,
Characterized in that the specific gravity of the side light is greater than the specific gravity of the upper light,
The upper surface of the molding member includes a first flat portion extending from the top of a side of the molding member in a direction perpendicular to the side,
The lower surface of the reflective member includes a second flat portion extending from a lower side of the reflective member in a direction perpendicular to the side of the reflective member.
상기 몰딩 부재와 상기 반사 부재 사이에 배치되는 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
A light emitting device package further comprising a reflective layer disposed between the molding member and the reflective member.
상기 반사층은 굴절률이 서로 다른 둘 이상의 절연층들 또는 전도층들을 번갈아 가며 적층한 DBR(distributed bragg reflector)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 2,
A light emitting device package, wherein the reflective layer is formed of a distributed bragg reflector (DBR) in which two or more insulating layers or conductive layers with different refractive indices are alternately stacked.
상기 몰딩 부재의 상면은, 상기 발광소자 방향으로 함몰된 함몰부를 더 포함하며,
상기 반사 부재의 하면은, 상기 발광소자 방향으로 돌출된 돌출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
The upper surface of the molding member further includes a depression depressed in the direction of the light emitting element,
A light emitting device package, wherein the lower surface of the reflective member further includes a protrusion protruding in the direction of the light emitting device.
상기 함몰부와 상기 돌출부는 상기 발광소자의 중심 광 축과 일치하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to clause 5,
A light emitting device package, wherein the depression and the protrusion coincide with a central optical axis of the light emitting device.
상기 함몰부는, 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하는 제1 비구면 형상을 갖도록 형성되고,
상기 돌출부는, 가장자리 영역에서 중심 방향으로 수렴하는 제2 비구면 형상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to clause 5,
The depression is formed to have a first aspherical shape that converges from the edge area toward the center,
A light emitting device package, wherein the protrusion is formed to have a second aspherical shape that converges from an edge area toward the center.
상기 몰딩 부재의 상면은, 상기 제1 평탄부에서 상기 발광소자의 상면 중심 방향으로 함몰되도록 형성되며,
상기 반사 부재의 하면은, 상기 제2 평탄부에서 상기 발광소자의 상면 중심 방향으로 돌출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
The upper surface of the molding member is formed to be depressed from the first flat portion toward the center of the upper surface of the light emitting device,
A light emitting device package, wherein the lower surface of the reflective member is formed to protrude from the second flat portion toward the center of the upper surface of the light emitting device.
상기 발광소자의 상면에 파장 변환층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
A light emitting device package, characterized in that a wavelength conversion layer is formed on the upper surface of the light emitting device.
상기 반사 부재는 이산화티타늄(TiO2) 또는 이산화규소(SiO2)와 같은 광 산란 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
A light emitting device package, wherein the reflective member includes a light scattering material such as titanium dioxide (TiO 2 ) or silicon dioxide (SiO 2 ).
상기 몰딩 부재는 상기 반사 부재와 결합되어 패키지 바디를 형성하며, 상기 패키지 바디는 원통 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.According to paragraph 1,
The molding member is combined with the reflective member to form a package body, and the package body is formed in a cylindrical shape.
상기 회로기판에 실장되는 복수의 발광소자 패키지들;
상기 회로기판 상부에 형성되며, 복수개의 반사시트 유닛들로 형성된 반사시트 조립체; 및
상기 반사시트 조립체의 상부에 배치되는 확산 시트를 포함하며,
상기 반사시트 유닛들은 상기 발광소자 패키지를 둘러싸는 홀들과 상기 홀들로부터 연장되어 곡률 반경을 갖는 복수개의 경사면들로 형성되며,
상기 경사면들은 상기 발광소자 패키지들의 측면광을 상부광으로 변화시키는 것을 특징으로 하며,
상기 반사시트 조립체는, 상기 확산 시트와의 이격 거리를 일정하게 유지하기 위한 복수의 돌기부들을 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.circuit board;
a plurality of light emitting device packages mounted on the circuit board;
a reflective sheet assembly formed on the circuit board and made of a plurality of reflective sheet units; and
It includes a diffusion sheet disposed on top of the reflective sheet assembly,
The reflective sheet units are formed of holes surrounding the light emitting device package and a plurality of inclined surfaces extending from the holes and having a radius of curvature,
The inclined surfaces change the side light of the light emitting device packages into top light,
The reflective sheet assembly is a backlight unit comprising a plurality of protrusions to maintain a constant distance from the diffusion sheet.
각각의 반사시트 유닛은, 상면의 가장자리 영역에서 상기 회로기판에 실장된 발광소자 패키지 방향으로 오목하게 함몰되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.According to clause 12,
A backlight unit, wherein each reflective sheet unit is formed to be concavely recessed from the edge area of the upper surface in the direction of the light emitting device package mounted on the circuit board.
상기 복수의 돌기부들은, 상기 복수의 반사시트 유닛들이 서로 만나는 지점에 해당하는 반사시트 조립체의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.According to clause 12,
The backlight unit, wherein the plurality of protrusions are formed on an upper part of the reflective sheet assembly corresponding to a point where the plurality of reflective sheet units meet each other.
상기 반사시트 조립체는, 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.According to clause 12,
The backlight unit is characterized in that the reflective sheet assembly is formed of polycarbonate (polycarbonate) or PMMA (polymethyl methacrylate) material.
상기 회로기판에 실장되는 복수의 발광소자 패키지들;
상기 회로기판 상부에 형성되며, 복수개의 반사시트 유닛들로 형성된 반사시트 조립체; 및
상기 반사시트 조립체의 상부에 배치되는 확산 시트를 포함하며,
상기 반사시트 유닛들은 상기 발광소자 패키지를 둘러싸는 홀들과 상기 홀들로부터 연장되어 곡률 반경을 갖는 복수개의 경사면들로 형성되며,
상기 경사면들은 상기 발광소자 패키지들의 측면광을 상부광으로 변화시키며,
상기 회로기판의 상면에는 상기 홀들에 의해 노출되는 난반사 제거 부재가 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.circuit board;
a plurality of light emitting device packages mounted on the circuit board;
a reflective sheet assembly formed on the circuit board and made of a plurality of reflective sheet units; and
It includes a diffusion sheet disposed on top of the reflective sheet assembly,
The reflective sheet units are formed of holes surrounding the light emitting device package and a plurality of inclined surfaces extending from the holes and having a radius of curvature,
The inclined surfaces change the side light of the light emitting device packages into top light,
A backlight unit, characterized in that a diffuse reflection removal member exposed by the holes is formed on the upper surface of the circuit board.
상기 발광소자 패키지들은 각각
박막기판 상에 배치된 발광소자;
상기 박막기판의 상면과 상기 발광소자의 측면 및 상면을 둘러싸며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 투과시키는 몰딩 부재; 및
상기 몰딩 부재의 상부에 형성되며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 반사 부재를 포함하며,
상기 발광소자 패키지에서 발광되는 광은 상부광보다 측면광의 비중이 더 높은 것을 특징으로 백라이트 유닛.According to clause 12,
The light emitting device packages are each
A light emitting device disposed on a thin film substrate;
a molding member surrounding the upper surface of the thin film substrate and the side and upper surfaces of the light emitting device and transmitting light emitted from the light emitting device; and
It is formed on an upper part of the molding member and includes a reflective member that reflects light emitted from the light emitting element,
A backlight unit characterized in that the light emitted from the light emitting device package has a higher proportion of side light than top light.
상기 몰딩 부재의 상면은, 상기 발광소자 방향으로 함몰된 함몰부를 포함하며,
상기 반사 부재의 하면은 상기 발광소자 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.According to clause 18,
The upper surface of the molding member includes a depression depressed in the direction of the light emitting element,
A backlight unit wherein the lower surface of the reflective member includes a protrusion protruding in the direction of the light emitting device.
상기 함몰부와 상기 돌출부는 상기 발광소자의 중심 광 축과 일치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.According to clause 19,
The backlight unit, wherein the depression and the protrusion coincide with a central optical axis of the light emitting device.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |