KR102606621B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102606621B1 KR102606621B1 KR1020200144971A KR20200144971A KR102606621B1 KR 102606621 B1 KR102606621 B1 KR 102606621B1 KR 1020200144971 A KR1020200144971 A KR 1020200144971A KR 20200144971 A KR20200144971 A KR 20200144971A KR 102606621 B1 KR102606621 B1 KR 102606621B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- fluid
- exhaust
- process chamber
- processing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 114
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 60
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 19
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 배기관과; 배기관에 결합되는 배기라인과; 배기라인에 설치되어 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브가 개방되도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.
Description
본 발명은 유체 공급 유닛 및 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과 이를 가지는 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다. 상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.
일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.
기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.
초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.
도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판 처리 장치(1)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(50)으로 유체 공급 유닛(40)이 초임계 유체를 공급한하고, 배기 유닛(60)이 처리 공간(50)을 배기한다.
공정 챔버(50)는 제1바디(52)와 제2바디(55)를 가진다. 제1바디(52)와 제2바디(55)는 조합되어 처리 공간(50)을 형성한다. 공정 챔버(50) 내부로 기판(W)을 반입하기 위해 제1바디(52)와 제2바디(55)가 서로 이격된다. 이후 공정을 진행하기 위해 제1바디(52)와 제2바디(55)가 서로를 향하는 방향으로 이동된다. 이 과정에서, 처리 공간(50) 내부에 유입된 공기가 압축되고, 이후에 공정을 진행할 시에 압축된 공기가 기판에 영향을 미치는 문제가 있다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판이 처리되는 공정 챔버 내의 분위기를 초임계 유체로 용이하게 치환할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 배기관과; 배기관에 결합되는 배기라인과; 배기라인에 설치되어 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브가 개방되도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 배기 유닛은, 배기라인에 설치되어 처리 공간을 감압하는 감압 유닛을 더 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 감압 유닛이 처리 공간을 감압하도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 유체 공급 유닛이 처리 공간 내로 유체를 공급하도록 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 유체 공급 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 공급관과; 공급관에 결합되어 유체 공급원으로부터 유체를 공급하는 공급라인을 포함하고, 공급관 그리고 배기관은 제1바디 또는 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 공급관은 제1바디에 제공되고, 배기관은 제2바디에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1바디는 제2바디의 상부에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛에 지지될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 유체는 초임계 유체로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법에 있어서, 공정 챔버 내의 처리 공간으로 유체를 공급하여 유체로 기판을 처리하되, 공정 챔버 내로 기판이 반입되기 이전에, 공정 챔버 내부의 부피가 감소되는 동안 처리 공간을 배기할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 처리 공간을 배기할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 처리 공간 내로 유체를 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 유체는 초임계 유체로 제공될 수 있다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판이 처리되는 공정 챔버 내의 분위기를 초임계 유체로 용이하게 치환할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초임계 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초임계 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.
반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 부재(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 부재(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 부재(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리공간을 가지고, 기판(W)은 처리공간 내에서 액 처리된다. 지지 부재(440)는 처리공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 부재(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 부재(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 부재(440)를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 부재(440)를 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지 부재(440)는 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.
척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 부재(440)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.
일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.
제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 부재(440)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.
초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 유체 공급 유닛(560), 지지 유닛(580) 그리고 배기 유닛(550)을 포함한다.
공정 챔버(520)는 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)를 가지며, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)는 제2바디(524)의 상부에 제공된다. 일 예에서, 공정 챔버(520)는 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동된다. 개방 위치는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 서로 이격된 위치이고, 폐쇄 위치는, 제1바디(522) 또는 제2바디(524) 중 적어도 어느 하나가 이동되어 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)을 밀폐시키는 위치이다. 일 예에서, 제1바디(522)는 그 위치가 고정되고, 제2바디(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 일 예에서, 제2바디(524)가 제1바디(522)로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 선택적으로, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되고, 제1바디(522)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다.
처리 공간(502) 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정 진행 시에는 제2바디(524)가 제1바디(522)에 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(525)가 제공된다. 히터(525)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.
지지 유닛(580)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다.
유체 공급 유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564), 하부 공급 라인(566)을 가진다. 메인 공급 라인(562)은 유체 공급원(미도시)에 연결되어 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급한다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 공급 라인(564)은 상부 공급관(565)에 연결된다. 하부 공급 라인(566)은 하부 공급관(567)에 연결된다. 일 예에서, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중앙에 형성되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중앙에 형성된다. 이에, 상부 공급 라인(564)은 제1바디(522)의 중앙에 결합되고, 하부 공급 라인(566)은 제2바디(524)의 중앙에 결합될 수 있다. 상부 공급 라인(564)에는 상부 공급 밸브(563)가 설치된다. 상부 공급 밸브(563)는 상부 공급 라인(564)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다. 하부 공급 라인(566)에는 하부 공급 밸브(568)가 설치된다. 하부 공급 밸브(568)는 하부 공급 라인(566)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다.
배기 유닛(550)은, 배기관(551)과 배기 라인(552)을 포함한다. 일 예에서, 제2바디(524)에는 배기 라인(552)이 결합된다. 배기 라인(552)은 배기관(551)에 연결된다. 일 예에서, 배기관(551)은 제2바디(524)의 중앙에 형성될 수 있다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인(552)을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다. 배기 라인(552)에는 배기 밸브(555)가 설치된다. 배기 밸브(555)는 배기 라인(552)의 배기 여부를 조절한다.
이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 개방 위치에 놓인 공정 챔버(520)로 기판(W)이 투입된다. 이후, 기판(W)이 공정 챔버(520) 내의 지지 유닛(580)에 놓이면 공정 챔버(520)가 폐쇄 위치로 이동된다. 이후, 지지 유닛(580)에 기판(W)이 놓이면, 공정 챔버(520)는 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동된다. 일 예에서, 도 6에 도시된 바와 같이 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브(555)가 개방된다. 일 예에서, 처리 공간(502)과 처리 공간(502)의 외부의 압력 차이에 의해 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)이 배기된다. 이에, 처리 공간(502)의 부피가 감소하면서 발생하는 내부 압력에 따라 처리 공간(502) 내 공기가 배기 라인(552)을 통해 빠져나가도록 한다. 이에, 처리 공간(502) 또는 상부 공급 라인(564) 내에 공기가 잔존하지 않고 배기 라인(552)을 통해 빠져나가 이후에 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리할 시에 공기 또는 공기가 머금은 수분이 기판(W)에 영향을 주는 것을 방지한다.
일 예에서, 공정 챔버(520)를 폐쇄 위치로 이동시키는 동안 처리 공간(502) 내로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 이에, 공정 챔버(520)를 폐쇄하는 동안 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502) 내의 공기가 원활히 빠져나갈 수 있도록 한다. 또한 처리 공간(502) 내의 분위기가 초임계 유체로 신속하게 변경될 수 있도록한다. 일 예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동될 때에, 배기 밸브(555)가 개방되는 동시에 상부 공급 밸브(563)가 개방될 수 있다. 일 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동될 때에, 배기 밸브(555)가 개방되는 동시에 상부 공급 밸브(563) 그리고 하부 공급 밸브(568)가 개방될 수 있다.
상술한 예에서는, 제2바디(524)에 형성된 배기관을 통해 처리 공간(502)이 배기되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 9에 도시된 바와 같이, 배기관은 처리 공간(502)의 측면에 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 처리 공간(502)과 처리 공간(502)의 외부의 압력 차이에 의해 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)이 배기되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 배기 라인(552)에는 감압 부재가 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (12)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
상기 구동기, 상기 유체 공급 유닛 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 배기 유닛은,
상기 공정 챔버에 형성되는 배기관과;
상기 배기관에 결합되는 배기라인과;
상기 배기라인에 설치되어 상기 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 배기 밸브가 개방되도록 상기 구동기 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 배기 유닛은,
상기 배기라인에 설치되어 상기 처리 공간을 감압하는 감압 유닛을 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 감압 유닛이 상기 처리 공간을 감압하도록 상기 구동기 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 유체 공급 유닛이 상기 처리 공간 내로 상기 유체를 공급하도록 상기 구동기, 상기 유체 공급 유닛 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 공정 챔버에 형성되는 공급관과;
상기 공급관에 결합되어 유체 공급원으로부터 상기 유체를 공급하는 공급라인을 포함하고,
상기 공급관 그리고 상기 배기관은 상기 제1바디 또는 상기 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 공급관은 상기 제1바디에 제공되고,
상기 배기관은 상기 제2바디에 제공되는 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 제1바디는 상기 제2바디의 상부에 제공되는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 상기 지지 유닛에 지지되는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 초임계 유체로 제공되는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 방법에 있어서,
공정 챔버 내의 처리 공간으로 유체를 공급하여 상기 유체로 기판을 처리하되,
상기 공정 챔버 내로 상기 기판이 투입된 이후에,
상기 공정 챔버 내부의 부피가 감소되는 동안 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법. - 제9항에 있어서,
상기 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법. - 제10항에 있어서,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 처리 공간 내로 상기 유체를 공급하는 기판 처리 방법. - 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 초임계 유체로 제공되는 기판 처리 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200144971A KR102606621B1 (ko) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200144971A KR102606621B1 (ko) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220060056A KR20220060056A (ko) | 2022-05-11 |
KR102606621B1 true KR102606621B1 (ko) | 2023-11-28 |
Family
ID=81607196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200144971A KR102606621B1 (ko) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102606621B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147654A (ja) | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体 |
JP2009038328A (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-19 | Ryusyo Industrial Co Ltd | 超臨界流体洗浄装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170133694A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 세메스 주식회사 | 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101964655B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2019-04-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101856606B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2018-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101949408B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2019-02-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20200044240A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2020
- 2020-11-03 KR KR1020200144971A patent/KR102606621B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147654A (ja) | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体 |
JP2009038328A (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-19 | Ryusyo Industrial Co Ltd | 超臨界流体洗浄装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220060056A (ko) | 2022-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7246351B2 (ja) | 基板処理設備及び基板処理方法 | |
KR102449625B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR102378329B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102586053B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20210008973A (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR102606621B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US20230044888A1 (en) | Method and apparatus for treating substrate | |
KR102586016B1 (ko) | 기판 처리 장치, 지지 유닛 및 지지 유닛의 결합 방법 | |
KR102662724B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102360937B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102491000B1 (ko) | 접착제층 제거 유닛 및 이를 이용하는 접착제층 제거 방법 | |
KR20200044240A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR102247680B1 (ko) | 유체 공급유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
KR102603680B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102387280B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102480392B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US12094706B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102584514B1 (ko) | 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20220094239A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US12138670B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR20220091274A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR20220054494A (ko) | 유체 공급 유닛 및 기판 처리 장치 | |
KR20220097732A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |