KR102580790B1 - Laminated structures, dry films and flexible printed wiring boards - Google Patents
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Abstract
지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성을 갖는 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막으로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공한다. 수지층 (A)와, 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체이다. 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어진다.Provided is a flexible printed wiring board having a laminated structure having higher flexibility than ever before, especially excellent crack resistance against excessive seam folding, a dry film, and a cured product thereof as a protective film. It is a laminated structure having a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A). The resin layer (B) is made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer, and the resin layer (A) is made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. It consists of an alkali-developable resin composition.
Description
본 발명은, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서 유용한 적층 구조체, 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판(이하, 단순히 「배선판」이라고도 칭함)에 관한 것이다.The present invention relates to a laminated structure useful as an insulating film for a flexible printed wiring board, a dry film, and a flexible printed wiring board (hereinafter also simply referred to as a “wiring board”).
근년, 스마트폰이나 태블릿 단말기의 보급에 의한 전자 기기의 소형 박형화에 의해, 회로 기판의 소 스페이스화가 필요해지고 있다. 그 때문에, 절곡하여 수납할 수 있는 플렉시블 프린트 배선판의 용도가 확대되고, 플렉시블 프린트 배선판에 대해서도, 지금까지 이상으로 높은 신뢰성을 갖을 것이 요구되고 있다.In recent years, as electronic devices have become smaller and thinner due to the spread of smartphones and tablet terminals, it has become necessary to reduce the space of circuit boards. Therefore, the use of flexible printed wiring boards that can be bent and stored is expanding, and flexible printed wiring boards are also required to have higher reliability than before.
이에 대해 현재, 플렉시블 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 확보하기 위한 절연막으로서, 절곡부(굴곡부)에는, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이를 사용하고(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조), 실장부(비굴곡부)에는, 전기 절연성이나 땜납 내열성 등이 우수하며 미세 가공이 가능한 감광성 수지 조성물을 사용한 혼재 프로세스가 널리 채용되고 있다.In contrast, currently, as an insulating film to ensure the insulation reliability of flexible printed wiring boards, a polyimide-based coverlay with excellent mechanical properties such as heat resistance and flexibility is used in the bent portion (for example, patented (see
즉, 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이는, 금형 펀칭에 의한 가공을 필요로 하기 때문에, 미세 배선에는 부적합하다. 그 때문에, 미세 배선이 필요한 칩 실장부에는, 포토리소그래피에 의한 가공을 할 수 있는 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물(솔더 레지스트)을 부분적으로 병용할 필요가 있었다.That is, polyimide-based coverlays are unsuitable for fine wiring because they require processing by mold punching. Therefore, it was necessary to partially use an alkaline-developable photosensitive resin composition (solder resist) that can be processed by photolithography in the chip mounting portion that requires fine wiring.
이와 같이, 종래의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 공정에서는, 커버레이를 맞대는 공정과 솔더 레지스트를 형성하는 공정의 혼재 프로세스를 채용하지 않을 수 없어, 비용성과 작업성이 떨어진다는 문제가 있었다.In this way, in the manufacturing process of the conventional flexible printed wiring board, a mixed process of the process of bonding the coverlay and the process of forming the solder resist must be adopted, which has the problem of poor cost and workability.
이에 대해, 지금까지, 솔더 레지스트로서의 절연막 또는 커버레이로서의 절연막을, 플렉시블 프린트 배선판의 솔더 레지스트 및 커버레이로서 적용하는 것이 검토되고 있지만, 회로 기판의 소 스페이스화의 요구에 대하여, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 충분히 만족할 수 있는 재료는, 아직 실용화에는 이르지 못하였다.In contrast, so far, the application of an insulating film as a solder resist or an insulating film as a coverlay has been considered as a solder resist and coverlay for a flexible printed wiring board. However, in response to the demand for reducing the space of the circuit board, solder resist and coverlay have been used. Materials that can sufficiently satisfy both required performances have not yet been put into practical use.
구체적으로는, 회로 기판의 소 스페이스화의 요구에 대하여, 기기 내에 플렉시블 프린트 배선판을 수납할 때에는, 부품이 실장된 플렉시블 프린트 배선판을 심 폴딩(seam folding)한 상태로 절곡하여 수납된다. 그 때문에, 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 절연막에 대하여, 심 폴딩한 상태에서 하중이 가해지게 되지만, 이 점에 있어서, 여전히 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 충분히 만족할 수 있는 재료는 개발되지 못한 것이 실정이었다. 여기서, 심 폴딩이란, 플렉시블 프린트 배선판의 상면측을 180° 절곡하는 것을 의미한다. 그 때문에, 플렉시블 프린트 배선판에는, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는 솔더 레지스트 및 커버레이에 적합한 절연막이 요구되고 있다.Specifically, when storing a flexible printed wiring board in a device in response to the demand for reducing the space of the circuit board, the flexible printed wiring board on which the components are mounted is bent in a seam folded state and stored. Therefore, a load is applied to the flexible printed wiring board and its insulating film in a seam-folded state, but in this regard, the reality is that a material that can sufficiently satisfy the required performance of both solder resist and coverlay has not been developed. It was. Here, seam folding means bending the upper surface side of the flexible printed wiring board by 180°. Therefore, flexible printed wiring boards are required to have higher flexibility than ever before, especially solder resists with excellent crack resistance even when seam folded excessively, and insulating films suitable for coverlay.
그래서 본 발명의 주된 목적은, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 만족하고, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는 적층 구조체를 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.Therefore, the main purpose of the present invention is to provide a laminated structure that satisfies the required performance of both solder resist and cover lay, has higher flexibility than before, and especially has excellent crack resistance even when excessively seam folded. In addition, another object of the present invention is to provide an insulating film of a flexible printed wiring board, particularly a laminated structure suitable for the batch formation process of the bent portion (bent portion) and the mounting portion (non-bent portion), a dry film, and a cured product thereof as a protective film, such as The object is to provide a flexible printed wiring board with a coverlay or solder resist.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.
즉, 본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (A)와, 해당 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체로서,That is, the laminated structure of the present invention is a laminated structure having a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A),
상기 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 상기 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.The resin layer (B) is made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer, and the resin layer (A) is made of an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. It is characterized by being made of an alkali-developable resin composition containing.
본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 블록 공중합체가 하기 식 (I)로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하고, 상기 블록 공중합체의 질량 평균 분자량(Mw)은 적합하게는 20,000 내지 400,000이다.In the laminated structure of the present invention, the block copolymer preferably has a structure represented by the following formula (I), and the mass average molecular weight (Mw) of the block copolymer is suitably 20,000 to 400,000.
X-Y-X (I)X-Y-X (I)
(식 (I) 중, X는 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위이며, 각각 동일해도 상이해도 되고, Y는 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위이다.)(In Formula (I),
또한, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 수지층 (B)의 광중합 개시제로서, 광 염기 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 추가로, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.Furthermore, in the laminated structure of the present invention, it is preferable to include a photobase generator as a photopolymerization initiator of the resin layer (B). Additionally, in the laminated structure of the present invention, it is preferable that the resin layer (A) consists of an alkali-developable resin composition that does not contain a photopolymerization initiator.
본 발명의 적층 구조체는, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용할 수 있다.The laminated structure of the present invention can be used in at least one of the bent portion and the non-bent portion of a flexible printed wiring board, and can be used in at least one of the coverlay, solder resist, and interlayer insulating materials of the flexible printed wiring board.
또한, 본 발명의 드라이 필름은, 상기 본 발명의 적층 구조체의 적어도 편면이, 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.Additionally, the dry film of the present invention is characterized in that at least one side of the laminated structure of the present invention is supported or protected by a film.
추가로, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 상기 본 발명의 적층 구조체를 사용한 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.Additionally, the flexible printed wiring board of the present invention is characterized by having an insulating film using the laminated structure of the present invention.
여기서, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 플렉시블 프린트 배선판 상에 상기 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이어도 된다. 또한, 본 발명에 따른 적층 구조체를 사용하지 않고, 플렉시블 프린트 배선판 상에 수지층 (A)와 수지층 (B)를 순차 형성하고, 그 후에 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이어도 된다. 또한, 본 발명에 있어서 「패턴」이란 패턴상의 경화물, 즉, 절연막을 의미한다.Here, the flexible printed wiring board of the present invention may have an insulating film formed by forming a layer of the above-mentioned laminated structure of the present invention on a flexible printed wiring board, patterning it by light irradiation, and forming the pattern all at once with a developer. In addition, without using the laminated structure according to the present invention, the resin layer (A) and the resin layer (B) are sequentially formed on a flexible printed wiring board, then patterned by light irradiation, and the patterns are formed all at once with a developer. It may have an insulating film formed by: In addition, in the present invention, “pattern” means a cured product in a pattern, that is, an insulating film.
본 발명에 따르면, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 만족하고, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는, 적층 구조체를 제공할 수 있다. 덧붙여, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 실현하는 것이 가능하게 되었다.According to the present invention, it is possible to provide a laminated structure that satisfies the required performance of both solder resist and cover lay, has higher flexibility than before, and especially has excellent crack resistance even when excessively seam folded. In addition, it has a laminated structure suitable for the batch formation process of the insulating film of a flexible printed wiring board, especially the bent part (bent part) and the mounting part (non-bent part), a dry film, and its cured product as a protective film, for example, a coverlay or solder resist. It has become possible to realize a flexible printed wiring board.
도 1은 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 예를 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 3은 실시예에 있어서의 MIT 시험을 나타내는 개략 설명도이다.
도 4는 실시예에 있어서의 심 폴딩 시험을 나타내는 개략 설명도이다.1 is a process diagram schematically showing an example of a method for manufacturing a flexible printed wiring board of the present invention.
Figure 2 is a process diagram schematically showing another example of the manufacturing method of the flexible printed wiring board of the present invention.
Figure 3 is a schematic explanatory diagram showing the MIT test in the example.
Figure 4 is a schematic diagram showing a seam folding test in an example.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
(적층 구조체)(laminated structure)
본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (A)와, 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 것이다. 여기서, 본 발명의 적층 구조체에 있어서, 수지층 (A) 및 수지층 (B)는 각각 실질적으로 접착층 및 보호층으로서 기능한다. 본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (B)가 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체(block copolymer, 「BCP」라고도 칭함)를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어짐과 함께, 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 점에 특징을 갖는다.The laminated structure of the present invention has a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A). Here, in the laminated structure of the present invention, the resin layer (A) and the resin layer (B) substantially function as an adhesive layer and a protective layer, respectively. In the laminate structure of the present invention, the resin layer (B) is made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer (also referred to as "BCP"), and water The stratum (A) is characterized in that it consists of an alkali-developable resin composition containing an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound.
본 발명에 있어서는, 2층의 수지층이 적층되어 이루어지는 적층 구조체 중 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성 및 우수한 내열성을 양호한 밸런스로 실현하는 것이 가능하게 되었다.In the present invention, by containing a block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer of a laminated structure formed by laminating two resin layers, it has higher flexibility than before, especially excellent crack resistance against excessive seam folding, and It has become possible to achieve excellent heat resistance with a good balance.
부언하면, 이러한 본 발명의 적층 구조체는, 플렉시블 기판에 구리 회로가 형성된 플렉시블 프린트 배선판 상에, 수지층 (A)와 수지층 (B)를 차례로 갖고, 상층측의 수지층 (B)가 광 조사에 의해 패터닝 가능한 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 것이며, 하층측의 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않아도, 수지층 (B)와 수지층 (A)가 현상에 의해 패턴을 일괄 형성하는 것이 가능해지는 것이다.In addition, the laminated structure of this invention has a resin layer (A) and a resin layer (B) in that order on a flexible printed wiring board on which a copper circuit is formed on a flexible substrate, and the resin layer (B) on the upper layer side is irradiated with light. It is made of a photosensitive thermosetting resin composition that can be patterned, and even if the resin layer (A) on the lower layer side does not contain a photopolymerization initiator, the resin layer (B) and the resin layer (A) can form a pattern all at once by development. It will be dissolved.
그 이유는, 프린트 배선판측의 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우, 일반적으로, 이 수지층 (A)는 단층으로는 패터닝이 불가능하지만, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 노광 시에는, 그의 상층의 수지층 (B)에 포함되는 광중합 개시제로부터 발생한 라디칼 등의 활성종이 바로 아래의 수지층 (A)로 확산됨으로써, 양층은 동시에 패터닝하는 것이 가능해지기 때문이다.The reason is that, when the resin layer (A) on the printed wiring board side does not contain a photopolymerization initiator, this resin layer (A) generally cannot be patterned as a single layer, but in the laminated structure of the present invention, when exposed to light, This is because active species such as radicals generated from the photopolymerization initiator contained in the upper resin layer (B) diffuse into the resin layer (A) immediately below, thereby making it possible to pattern both layers simultaneously.
[수지층 (A)][Resin layer (A)]
(알칼리 현상형 수지 조성물)(Alkali-developable resin composition)
수지층 (A)를 구성하는 알칼리 현상형 수지 조성물로서는, 페놀성 수산기, 카르복실기 중 1종 이상의 관능기를 함유하고, 알칼리 용액으로 현상 가능한 알칼리 용해성 수지와, 열반응성 화합물을 포함하는 조성물이면 된다. 바람직하게는 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 카르복실기를 갖는 화합물, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있고, 공지 관용의 것이 사용된다.The alkali-developable resin composition constituting the resin layer (A) may be a composition containing an alkali-soluble resin that contains at least one functional group selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group and can be developed with an alkaline solution, and a heat-reactive compound. Preferred examples include a compound having a phenolic hydroxyl group, a compound having a carboxyl group, and a resin composition containing a compound having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, and known and commonly used ones are used.
예를 들어, 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 사용되고 있는, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과, 열반응성 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있다.For example, a resin composition containing a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin conventionally used as a solder resist composition, a compound having an ethylenically unsaturated bond, and a heat-reactive compound can be mentioned.
여기서, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지, 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로서는, 공지 관용의 화합물이 사용되고,Here, as the carboxyl group-containing resin or carboxyl group-containing photosensitive resin, and the compound having an ethylenically unsaturated bond, known and commonly used compounds are used,
또한, 열반응성 화합물로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 열반응성 화합물과 동일한 환상 (티오)에테르기 등의 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 공지 관용의 화합물이 사용된다.In addition, as the heat-reactive compound, a known and commonly used compound having a functional group capable of curing reaction by heat, such as a cyclic (thio)ether group similar to the heat-reactive compound used in the resin layer (B), is used.
이러한 수지층 (A)는 광중합 개시제를 포함하고 있어도 포함하고 있지 않아도 되지만, 광중합 개시제를 포함하는 경우에 사용하는 광중합 개시제로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.This resin layer (A) may or may not contain a photopolymerization initiator, but examples of the photopolymerization initiator used in the case where it contains a photopolymerization initiator include the same photopolymerization initiator as the photopolymerization initiator used in the resin layer (B).
또한, 본 발명에 있어서는 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킬 필요가 있지만, 수지층 (A)에도, 본원 발명의 효과, 즉, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능에 영향을 미치지 않을 정도로 블록 공중합체를 함유시켜도 된다. 이 경우의 블록 공중합체로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 블록 공중합체와 동일한 것을 사용할 수 있다. 수지층 (A)에 있어서의 블록 공중합체의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 15질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 3질량부 이하이고, 특히 바람직하게는, 수지층 (A)에는 블록 공중합체를 함유시키지 않고, 수지층 (B)에만 함유시킨다. 블록 공중합체의 배합량이 15질량부 이하이면, 현상성, 굴곡성, 크랙 내성 및 내열성에 영향을 미치지 않는다.In addition, in the present invention, it is necessary to contain a block copolymer in the resin layer (B), but the effect of the present invention, that is, the required performance of both the solder resist and the cover layer, is not affected even in the resin layer (A). The block copolymer may be contained to this extent. As the block copolymer in this case, the same block copolymer as the block copolymer used in the resin layer (B) can be used. The compounding amount of the block copolymer in the resin layer (A) is preferably 15 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin, and especially preferably, the resin layer ( The block copolymer is not contained in A), but contained only in the resin layer (B). If the compounding amount of the block copolymer is 15 parts by mass or less, developability, flexibility, crack resistance, and heat resistance are not affected.
[수지층 (B)][Resin layer (B)]
(감광성 열경화성 수지 조성물)(Photosensitive thermosetting resin composition)
수지층 (B)를 구성하는 감광성 열경화성 수지 조성물은, 알칼리 용해성 수지와, 광중합 개시제와, 열반응성 화합물과, 블록 공중합체를 포함하는 것이다.The photosensitive thermosetting resin composition constituting the resin layer (B) contains an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer.
(알칼리 용해성 수지)(Alkali-soluble resin)
알칼리 용해성 수지로서는, 상기 수지층 (A)와 동일한 공지 관용의 것을 사용할 수 있지만, 내굴곡성, 내열성 등의 특성이 보다 우수한, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지를 적합하게 사용할 수 있다.As the alkali-soluble resin, the same known and commonly used resin as that of the resin layer (A) can be used, but a carboxyl group-containing resin having at least one of an imide structure and an amide structure, which has better characteristics such as bending resistance and heat resistance, is suitably used. You can use it.
이 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지로서는, (1) 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지와, (2) 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지와, (3) 아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지 중에서도, 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지를 사용하는 것이 바람직하다.The carboxyl group-containing resin having at least one of the imide structure and the amide structure includes (1) a carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure, and (2) a carboxyl group-containing resin having an imide structure and no amide structure. and (3) carboxyl group-containing resins that have an amide structure and do not have an imide structure. These resins can be used individually or in a mixture of two or more types. In the present invention, among carboxyl group-containing resins having at least one of an imide structure and an amide structure, it is preferable to use a carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure.
또한, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지는, 추가로 페놀성 수산기를 갖고 있어도 된다.In addition, the carboxyl group-containing resin having at least one of an imide structure and an amide structure may further have a phenolic hydroxyl group.
(1) 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지(1) Carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure
이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지는, 폴리아미드이미드 수지인 것이 바람직하고, 예를 들어 적어도 카르복실기 함유 디아민을 포함하는 디아민과, 적어도 3개의 카르복실기를 갖고 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물을 포함하는 산 무수물 (a1)을 반응시켜 이미드화물을 얻은 후, 얻어진 이미드화물과 디이소시아네이트 화합물을 포함하는 반응 원료를 반응시켜 얻을 수 있다. 상기 반응 원료에는, 후술하는 바와 같이, 상기 이미드화물 및 디이소시아네이트 화합물에 더하여 추가로, 적어도 3개의 카르복실기를 가지며 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물 (a2)를 함유시키는 것이 바람직하다.The carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure is preferably a polyamidoimide resin, for example, a diamine containing at least a carboxyl group-containing diamine, and an acid having at least three carboxyl groups, two of which are anhydrized. It can be obtained by reacting an acid anhydride (a1) containing an anhydride to obtain an imidide, and then reacting the obtained imidate with a reaction raw material containing a diisocyanate compound. As will be described later, the reaction raw material preferably contains, in addition to the imidide and diisocyanate compounds, an acid anhydride (a2) having at least three carboxyl groups, two of which are anhydrized.
여기서, 상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 디아민으로서는, 적어도 카르복실기 함유 디아민을 포함하지만, 에테르 결합을 갖는 디아민을 병용하는 것이 바람직하다.Here, the diamine used in the synthesis of the polyamidoimide resin includes at least a carboxyl group-containing diamine, but it is preferable to use a diamine having an ether bond in combination.
카르복실기 함유 디아민으로서는, 예를 들어 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-메틸렌비스(6-아미노벤조산), 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing diamine include diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, and 3,4-diaminobenzoic acid, and 3,5-bis(3-aminophenoxy). Aminophenoxybenzoic acids such as benzoic acid, 3,5-bis(4-aminophenoxy)benzoic acid, 3,3'-methylenebis(6-aminobenzoic acid), 3,3'-diamino-4,4'- Carboxybiphenyl compounds such as dicarboxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, etc. carboxydiphenyl alkanes and carboxydiphenyl ether compounds such as 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenyl ether, and these can be used alone or in appropriate combination.
또한, 에테르 결합을 갖는 디아민으로서는, 폴리옥시에틸렌디아민이나, 폴리옥시프로필렌디아민, 그 밖에도 탄소쇄수가 다른 옥시알킬렌기를 포함하는 폴리옥시알킬렌디아민 등을 들 수 있다.Moreover, examples of diamines having an ether bond include polyoxyethylene diamine, polyoxypropylene diamine, and polyoxyalkylene diamines containing oxyalkylene groups with different carbon chain numbers.
에테르 결합을 갖는 디아민의 분자량은, 200 내지 3,000인 것이 바람직하고, 400 내지 2,000인 것이 보다 바람직하다.The molecular weight of the diamine having an ether bond is preferably 200 to 3,000, and more preferably 400 to 2,000.
폴리옥시알킬렌디아민류로서는, 미국 헌츠만사제의 제파민 ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, HK-511 등의 폴리옥시에틸렌디아민이나, 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000 등의 폴리옥시프로필렌디아민이나, 제파민 XTJ-542, XTJ533, XTJ536 등의 폴리테트라메틸렌에틸렌기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 또한, 에테르 결합을 갖는 디아민으로서, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 사용해도 된다.Examples of polyoxyalkylenediamines include polyoxyethylenediamines such as Jeffamine ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, and HK-511 manufactured by Huntsman, USA, and Jeffamine D-230 and D- Examples include polyoxypropylene diamine such as 400, D-2000, and D-4000, and those having a polytetramethylene ethylene group such as Jeffamine XTJ-542, XTJ533, and XTJ536. Additionally, as the diamine having an ether bond, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane may be used.
이러한 디아민으로서는, 추가로 그 이외의 디아민을 병용해도 된다. 병용 가능한 다른 디아민으로서는, 범용의 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등을 단독으로 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 구체적으로는, 다른 디아민으로서는 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄 등의 지방족 디아민을 들 수 있다.As these diamines, diamines other than those may be used in combination. As other diamines that can be used in combination, general-purpose aliphatic diamines, aromatic diamines, etc. can be used individually or in appropriate combination. Specifically, other diamines include, for example, p-phenylenediamine (PPD), 1,3-diaminobenzene, 2,4-toluenediamine, diamine with one benzene nucleus, and 4,4'-diaminodiphenyl ether. , diaminodiphenyl ethers such as 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4 ,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,3-bis(3-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl) Benzene, 1,3-bis[2-(4-aminophenyl)isopropyl]benzene, 1,4-bis[2-(3-aminophenyl)isopropyl]benzene, 3,3'-bis(3-amino Phenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-aminophenoxy) ) Biphenyl, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 3 Aromatic diamines such as ,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5 -Aliphatic diamines such as diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, and 1,8-diaminoctane can be mentioned.
상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 산 무수물 (a1)로서는, 적어도 3개의 카르복실기를 갖고, 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물을 포함한다. 이러한 산 무수물로서는, 방향족환 및 지방족환 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 것을 들 수 있고, 방향족환을 갖는 것으로서 무수 트리멜리트산(트리멜리트산 무수물)(벤젠-1,2,4-트리카르복실산1,2-무수물, TMA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물 등, 지방족환을 갖는 것으로서 수소 첨가 트리멜리트산 무수물(시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물, H-TMA) 등을 적합하게 들 수 있다. 이들 산 무수물은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The acid anhydride (a1) used in the synthesis of the polyamideimide resin includes an acid anhydride having at least three carboxyl groups, two of which are anhydrized. Examples of such acid anhydrides include those having at least one of an aromatic ring and an aliphatic ring, and those having an aromatic ring include trimellitic anhydride (trimellitic anhydride) (benzene-1,2,4-tricarboxylic acid 1). , 2-anhydride, TMA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride, hydrogenated trimellitic anhydride (cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride) having an aliphatic ring, etc. , H-TMA), etc. may be suitably mentioned. These acid anhydrides may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.
또한, 카르복실산 이무수물을 병용해도 된다. 카르복실산 이무수물로서는, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 등의 테트라카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.Additionally, carboxylic dianhydride may be used together. Examples of the carboxylic dianhydride include tetracarboxylic acid anhydrides such as pyromellitic dianhydride and 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride.
상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 디이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나, 기타 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 디이소시아네이트 화합물은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.Diisocyanate compounds used in the synthesis of the polyamide-imide resin include diisocyanates such as aromatic diisocyanates and their isomers and multimers, aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and isomers thereof, and other general-purpose diisocyanates. can be used, but is not limited to these. In addition, these diisocyanate compounds may be used individually or in combination.
상술한 바와 같이, 폴리아미드이미드 수지는, 이미드화물과 디이소시아네이트 화합물을 포함하는 반응 원료를 반응시켜 얻을 수 있지만, 추가로, 이미드화물을 얻을 때에 사용한 것과 동일한 산 무수물 (a2)를 함유시켜도 된다. 이 산 무수물 (a2)로서는, 상술한 산 무수물 (a1)과 동일한 것을 사용해도 되고, 상이한 것을 사용해도 된다. 이 경우의 반응 원료 중의 산 무수물 (a2)의 함유량에 대하여는, 특별히 한정되지 않는다.As described above, polyamidoimide resin can be obtained by reacting an imidate with a reaction raw material containing a diisocyanate compound, but the same acid anhydride (a2) as that used to obtain the imidate may be added. do. As this acid anhydride (a2), the same thing as the acid anhydride (a1) mentioned above may be used, or a different thing may be used. The content of acid anhydride (a2) in the reaction raw material in this case is not particularly limited.
이상 설명한 바와 같은 폴리아미드이미드 수지는, 특히 카르복실기 함유 디아민 및 에테르 결합을 갖는 디아민과, 지환식의 트리멜리트산인 H-TMA를 사용하는 것이, 알칼리 용해성이 높아지고, 현상성이 향상되는 점에서 보다 바람직하다. 또한, 동일한 이유로부터, 이러한 폴리아미드이미드 수지는, 2단계째의 반응에 있어서 지방족의 디이소시아네이트 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. 이에 의해, 지방쇄나 지환 구조를 유효하게 구조 내에 도입함으로써, 특성을 크게 저하시키지 않고 알칼리 용해성을 높이는 것이 가능해진다.As for the polyamideimide resin described above, in particular, the use of diamine containing a carboxyl group, diamine having an ether bond, and H-TMA, an alicyclic trimellitic acid, improves alkali solubility and improves developability. desirable. For the same reason, it is also preferable to use an aliphatic diisocyanate compound for the polyamidoimide resin in the second step reaction. Thereby, by effectively introducing a fatty chain or alicyclic structure into the structure, it becomes possible to increase alkali solubility without significantly reducing the properties.
또한, 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지로서는, 하기 일반식 (1)로 나타나는 구조 및 하기 일반식 (2)로 나타나는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다.Additionally, as the carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure, a polyamidoimide resin having a structure represented by the following general formula (1) and a structure shown by the following general formula (2) can be used.
여기서, X1은 탄소수가 24 내지 48인 다이머산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기이다. X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기이다. Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.Here, X 1 is the residue of aliphatic diamine (a) derived from dimer acid having 24 to 48 carbon atoms. X 2 is the residue of aromatic diamine (b) having a carboxyl group. Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.
구체적으로는, 이러한 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지로서는, 하기 일반식 (3)으로 나타나는 것을 들 수 있다.Specifically, polyamidoimide resins having this structure include those represented by the following general formula (3).
상기 일반식 (3) 중, X는 각각 독립적으로 디아민 잔기, Y는 각각 독립적으로 방향환 또는 시클로헥산환, Z는 디이소시아네이트 화합물의 잔기이다. n은 자연수이다.In the general formula (3), n is a natural number.
(2) 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지(2) Carboxyl group-containing resin with an imide structure and no amide structure
이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지는, 카르복실기와 이미드환을 갖는 수지라면 특별히 한정되지 않는다. 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 합성에는, 카르복실기 함유 수지에 이미드환을 도입하는 공지 관용의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 카르복실산 무수물 성분과 아민 성분 및/또는 이소시아네이트 성분을 반응시켜 얻어지는 수지를 들 수 있다. 이미드화는 열 이미드화로 행해도, 화학 이미드화로 행해도 되고, 또한 이들을 병용하여 제조할 수 있다.The carboxyl group-containing resin that has an imide structure and does not have an amide structure is not particularly limited as long as it is a resin that has a carboxyl group and an imide ring. For the synthesis of a carboxyl group-containing resin that has an imide structure and no amide structure, a known and common method of introducing an imide ring into the carboxyl group-containing resin can be used. For example, a resin obtained by reacting a carboxylic acid anhydride component with an amine component and/or an isocyanate component can be mentioned. Imidization may be performed by thermal imidation or chemical imidation, and it can be produced by using these in combination.
여기서, 카르복실산 무수물 성분으로서는, 테트라카르복실산 무수물이나 트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있지만, 이들 산 무수물에 한정되는 것은 아니며, 아미노기나 이소시아네이트기와 반응하는 산 무수물기 및 카르복실기를 갖는 화합물이면, 그의 유도체를 포함하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 카르복실산 무수물 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.Here, examples of the carboxylic acid anhydride component include tetracarboxylic acid anhydride and tricarboxylic acid anhydride, but are not limited to these acid anhydrides. Any compound having an acid anhydride group and a carboxyl group that reacts with an amino group or an isocyanate group may be used. , including its derivatives, can be used. Additionally, these carboxylic acid anhydride components may be used individually or in combination.
테트라카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3-플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-디플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-비스(트리플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 및 2,2',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3'",4,4'"-쿼터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3"",4,4""-퀸크페닐테트라카르복실산 이무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 디플루오로메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2-테트라플루오로-1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로-1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로-1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 티오-4,4'-디프탈산 이무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸실록산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 이무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 3,3'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 9-페닐-9-(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 9,9-비스[4-(2,3-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있다. 트리카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 트리멜리트산 무수물이나 핵수첨 트리멜리트산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of tetracarboxylic acid anhydride include pyromellitic dianhydride, 3-fluoropyromellitic dianhydride, 3,6-difluoropyromellitic dianhydride, and 3,6-bis(trifluoromethyl). Pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxalate Cydiphthalic dianhydride, 2,2'-difluoro-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-difluoro-3,3',4,4 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6'-difluoro-3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',5,5',6 ,6'-hexafluoro-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'- Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6'-bis(trifluoromethyl) Romethyl)-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl)-3,3',4,4 '-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2',6,6'-Tetrakis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 5 ,5',6,6'-tetrakis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,2',5,5',6,6 '-Hexakis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3" ,4,4"-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3'",4,4'"-quarterphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3"",4,4""-quincphenyl Tetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethynylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-di Phthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-di Phthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propropane dianhydride, difluoromethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2-tetrafluoro-1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1, 1,2,2,3,3-hexafluoro-1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoro -1,4-Tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluoro-1,5-pentamethylene-4 ,4'-diphthalic dianhydride, thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1 ,1,3,3-tetramethylsiloxane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1 ,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,3-bis[2-(3,4- Dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, bis[3-(3,4-dicarboxy) Phenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane Dianhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]-1, 1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy C) Dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxyl Acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid Dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 3, 3',4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic acid dianhydride, carbonyl-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, methylene-4,4'- Bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1-ethy Nylidene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) ) Dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, oxy -4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, thio-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, sulfonyl- 4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 3,3'-difluoroxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluoro Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluorooxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5',6,6'-hexafluoro Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis(trifluoromethyl)oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)oxy- 4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-bis(trifluoromethyl)oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl) Methyl)oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',6,6'-tetrakis(trifluoromethyl)oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5',6 ,6'-tetrakis(trifluoromethyl)oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5',6,6'-hexakis(trifluoromethyl)oxy-4 ,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluorosulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluorosulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride , 6,6'-difluorosulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5',6,6'-hexafluorosulfonyl-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 3,3'-bis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 6,6'-bis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl)sulfonyl-4 ,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',6,6'-tetrakis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5',6,6'- Tetrakis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5',6,6'-hexakis(trifluoromethyl)sulfonyl-4,4 '-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluoro-2,2-purple Fluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5 ,5',6,6'-hexafluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis(trifluoromethyl)-2,2- Perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 6 ,6'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl)-2,2 -Perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3',6,6'-tetrakis(trifluoromethyl)-2,2-perfluoropropylidene-4,4' -Diphthalic dianhydride, 5,5',6,6'-tetrakis(trifluoromethyl)-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3', 5,5',6,6'-hexakis(trifluoromethyl)-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 9-phenyl-9-(trifluoromethyl ) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (trifluoromethyl) [2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis[4-(3,4-dicarboxy)phenyl]fluorene dianhydride , 9,9-bis[4-(2,3-dicarboxy)phenyl]fluorene dianhydride, ethylene glycol bistrimellitate dianhydride, 1,2-(ethylene)bis(trimellitate anhydride), 1, 3-(trimethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,4-(tetramethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,5-(pentamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,6- (Hexamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,7-(heptamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,8-(octamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,9-(nona Methylene)bis(trimellitate anhydride), 1,10-(decamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,12-(dodecamethylene)bis(trimellitate anhydride), 1,16-(hexadeca Methylene)bis(trimellitate anhydride), 1,18-(octadecamethylene)bis(trimellitate anhydride), etc. can be mentioned. Examples of tricarboxylic acid anhydride include trimellitic acid anhydride and nuclear hydrogenated trimellitic acid anhydride.
아민 성분으로서는, 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등의 디아민, 지방족 폴리에테르아민 등의 다가 아민, 카르복실산을 갖는 디아민, 페놀성 수산기를 갖는 디아민 등을 사용할 수 있지만, 이들 아민에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 아민 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As the amine component, diamines such as aliphatic diamine and aromatic diamine, polyhydric amines such as aliphatic polyetheramine, diamines having a carboxylic acid, diamines having a phenolic hydroxyl group, etc. can be used, but are not limited to these amines. Additionally, these amine components may be used individually or in combination.
디아민으로서는, 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 2,5-톨루엔디아민, 2,6-톨루엔디아민 등의 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)술피드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘(o-톨리딘), 2,2'-디메틸벤지딘(m-톨리딘), 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄 등의 벤젠핵 2개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트리플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠 등의 벤젠핵 3개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 벤젠핵 4개의 디아민 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산 등의 지방족 디아민을 들 수 있고, 지방족 폴리에테르아민으로서는, 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜계의 다가 아민 등을 들 수 있다.Examples of the diamine include diamines with one benzene nucleus, such as p-phenylenediamine (PPD), 1,3-diaminobenzene, 2,4-toluenediamine, 2,5-toluenediamine, and 2,6-toluenediamine. , diaminodiphenyl ethers such as 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, etc. Phenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis(trifluoromethyl)- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenyl Methane, bis(4-aminophenyl)sulfide, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-dichlorobenzidine, 3,3'-dimethylbenzidine (o-tolidine), 2,2'-dimethyl Benzidine (m-tolidine), 3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4, 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'- Diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-diamino-4,4' -Dichlorobenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dimethoxybenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- Diaminodiphenylmethane, 2,2-bis(3-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3-aminophenyl)-1,1,1, 3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide Seed, two benzene nuclei such as 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, etc. Diamine, 1,3-bis(3-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,4-bis(3-aminophenyl)benzene, 1,4-bis(4-amino) Phenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3- Bis(3-aminophenoxy)-4-trifluoromethylbenzene, 3,3'-diamino-4-(4-phenyl)phenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'- Di(4-phenylphenoxy)benzophenone, 1,3-bis(3-aminophenyl sulfide)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl sulfide)benzene, 1,4-bis(4-amino) Phenyl sulfide) benzene, 1,3-bis (3-aminophenyl sulfone) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl sulfone) benzene, 1,4-bis (4-aminophenyl sulfone) benzene, 1, 3-bis[2-(4-aminophenyl)isopropyl]benzene, 1,4-bis[2-(3-aminophenyl)isopropyl]benzene, 1,4-bis[2-(4-aminophenyl) [Isopropyl] benzene, etc., benzene nucleus, three diamines, 3,3'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[3-(4-aminophenoxy) Si) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone , bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ketone, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone, bis[3- (3-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[4-(4 -Aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy) ) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methane, 2,2-bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, 2 , 2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) Si) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3-( 4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1, Benzene nucleus 4, such as 3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, etc. Aromatic diamines such as diamine, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7 -diaminoheptane, 1,8-diaminoctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1, Aliphatic diamines such as 2-diaminocyclohexane can be used, and examples of aliphatic polyetheramines include ethylene glycol and/or propylene glycol-based polyhydric amines.
카르복실기를 갖는 아민으로서는, 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐술폰 등의 디페닐술폰 화합물, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]프로판 등의 비스[(카르복시페닐)페닐]알칸 화합물류, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]술폰 등의 비스[(카르복시페녹시)페닐]술폰 화합물 등을 들 수 있다.As amines having a carboxyl group, diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, and 3,4-diaminobenzoic acid, 3,5-bis(3-aminophenoxy)benzoic acid, Aminophenoxybenzoic acids such as 3,5-bis(4-aminophenoxy)benzoic acid, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3 Carboxylic acids such as '-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2',5,5'-tetracarboxybiphenyl, etc. Biphenyl compounds, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis[3 -Amino-4-carboxyphenyl]propane, 2,2-bis[4-amino-3-carboxyphenyl]propane, 2,2-bis[3-amino-4-carboxyphenyl]hexafluoropropane, 4,4 Carboxydiphenylalkanes such as carboxydiphenylmethane such as '-diamino-2,2',5,5'-tetracarboxydiphenylmethane, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydi Phenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-2 Carboxydiphenyl ether compounds such as ,2',5,5'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenyl sulfone, 4,4'-diamino-3 ,3'-dicarboxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-2,2',5,5'-tetracarboxydi Diphenylsulfone compounds such as phenylsulfone, bis[(carboxyphenyl)phenyl]alkane compounds such as 2,2-bis[4-(4-amino-3-carboxyphenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis and bis[(carboxyphenoxy)phenyl]sulfone compounds such as [4-(4-amino-3-carboxyphenoxy)phenyl]sulfone.
이소시아네이트 성분으로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나 기타 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들 이소시아네이트에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 이소시아네이트 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As the isocyanate component, diisocyanates such as aromatic diisocyanates and their isomers and multimers, aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and their isomers, and other general-purpose diisocyanates can be used, but are not limited to these isocyanates. . In addition, these isocyanate components may be used individually or in combination.
디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 비페닐디이소시아네이트, 디페닐술폰디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체, 다량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트류, 혹은 상기 방향족 디이소시아네이트를 수소 첨가한 지환식 디이소시아네이트류 및 이성체, 혹은 기타 범용의 디이소시아네이트류를 들 수 있다.Examples of diisocyanates include aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, biphenyl diisocyanate, diphenyl sulfone diisocyanate, and diphenyl ether diisocyanate. Diisocyanate and its isomers, polymers, aliphatic diisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, and dicyclohexylmethane diisocyanate, or alicyclic diisocyanates and isomers obtained by hydrogenating the above aromatic diisocyanates, or Other general-purpose diisocyanates can be mentioned.
(3) 아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지(3) Carboxyl group-containing resin with an amide structure and no imide structure
아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지는, 카르복실기와 아미드 결합을 갖는 수지라면, 특별히 한정되지 않는다.The carboxyl group-containing resin that has an amide structure and does not have an imide structure is not particularly limited as long as it is a resin that has a carboxyl group and an amide bond.
이상 설명한 바와 같은 본 발명의 알칼리 용해성 수지로서 적합하게 사용되는 카르복실기 함유 수지는, 포토리소그래피 공정에 대응하기 위해서, 그의 산가가 20 내지 200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 60 내지 150mgKOH/g인 것이 보다 바람직하다. 이 산가가 20mgKOH/g 이상이면, 알칼리에 대한 용해성이 증가하고, 현상성이 양호해지며, 나아가 광 조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에, 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 한편, 이 산가가 200mgKOH/g 이하이면, 정확한 패턴 묘화가 용이해지고, 특히 후술하는 광 조사 후의 PEB(POST EXPOSURE BAKE) 공정에서의 소위 열 흐려짐을 억제할 수 있고, 프로세스 마진이 커진다.In order to cope with the photolithography process, the carboxyl group-containing resin suitably used as the alkali-soluble resin of the present invention as described above preferably has an acid value of 20 to 200 mgKOH/g, and more preferably 60 to 150 mgKOH/g. do. If this acid value is 20 mgKOH/g or more, solubility in alkali increases, developability becomes good, and furthermore, the degree of crosslinking with the heat-curing component after light irradiation increases, so that sufficient development contrast can be obtained. On the other hand, if the acid value is 200 mgKOH/g or less, accurate pattern drawing becomes easy, so-called thermal blurring can be suppressed, especially in the PEB (POST EXPOSURE BAKE) process after light irradiation, which will be described later, and the process margin increases.
또한, 이러한 카르복실기 함유 수지의 분자량은, 현상성과 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 Mw가 100,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 내지 100,000이 보다 바람직하고, 2,000 내지 50,000이 더욱 바람직하다. 이 분자량이 100,000 이하이면, 미노광부의 알칼리 용해성이 증가하고, 현상성이 향상된다. 한편, 분자량이 1,000 이상이면, 노광·PEB 후에, 노광부에 있어서 충분한 내현상성과 경화물성을 얻을 수 있다.In addition, considering developability and cured film properties, the molecular weight of this carboxyl group-containing resin is preferably 100,000 or less, more preferably 1,000 to 100,000, and still more preferably 2,000 to 50,000. If this molecular weight is 100,000 or less, the alkali solubility of the unexposed area increases and developability improves. On the other hand, if the molecular weight is 1,000 or more, sufficient development resistance and cured material properties can be obtained in the exposed area after exposure and PEB.
(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)
수지층 (B)에 있어서 사용하는 광중합 개시제로서는, 공지 관용의 것을 사용할 수 있고, 특히 후술하는 광 조사 후의 PEB 공정에 사용하는 경우에는, 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제가 적합하다. 또한, 이 PEB 공정에서는, 광중합 개시제와 광 염기 발생제를 병용해도 된다.As the photopolymerization initiator used in the resin layer (B), a known and commonly used photopolymerization initiator can be used, and especially when used in the PEB process after light irradiation described later, a photopolymerization initiator that also functions as a photobase generator is suitable. Additionally, in this PEB process, a photopolymerization initiator and a photobase generator may be used together.
광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제는, 자외선이나 가시광 등의 광 조사에 의해 분자 구조가 변화되거나, 또는 분자가 개열됨으로써, 후술하는 열반응성 화합물의 중합 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서, 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.A photopolymerization initiator that also functions as a photobase generator is a type that can function as a catalyst for the polymerization reaction of a heat-reactive compound, which will be described later, by changing the molecular structure or cleavage of the molecule by irradiation of light such as ultraviolet rays or visible light. It is a compound that produces the above basic substances. Examples of basic substances include secondary amines and tertiary amines.
이러한 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제로서는, 예를 들어α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하고, 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.Photopolymerization initiators that also function as such photobase generators include, for example, α-aminoacetophenone compounds, oxime ester compounds, acyloxyimino groups, N-formylated aromatic amino groups, N-acylated aromatic amino groups, and nitrobenzylcarboxyl groups. Compounds having substituents such as a bamate group and an alkoxybenzyl carbamate group can be mentioned. Among these, oxime ester compounds and α-aminoacetophenone compounds are preferable, and oxime ester compounds are more preferable. As the α-aminoacetophenone compound, those having two or more nitrogen atoms are particularly preferable.
α-아미노아세토페논 화합물은 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광 조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나고, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성되는 것이면 된다.The α-aminoacetophenone compound may have a benzoin ether bond in the molecule, and when irradiated with light, cleavage occurs within the molecule to generate a basic substance (amine) that acts as a curing catalyst.
옥심에스테르 화합물로서는, 광 조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이면 어느 것도 사용할 수 있다.As the oxime ester compound, any compound can be used as long as it produces a basic substance when irradiated with light.
이러한 광중합 개시제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 수지 조성물 중의 광중합 개시제의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 15질량부이다. 0.1질량부 이상의 경우, 광 조사부/미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하의 경우, 경화물 특성이 향상된다.These photopolymerization initiators may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types. The amount of the photopolymerization initiator in the resin composition is preferably 0.1 to 40 parts by mass, more preferably 0.3 to 15 parts by mass, per 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. In the case of 0.1 mass part or more, good development resistance contrast of the light irradiated part/unirradiated part can be obtained. Additionally, in the case of 40 parts by mass or less, the properties of the cured product improve.
(열반응성 화합물)(thermal reactive compound)
열반응성 화합물로서는, 환상 (티오)에테르기 등의 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 공지 관용의 화합물, 예를 들어 에폭시 화합물 등이 사용된다.As the heat-reactive compound, a known and commonly used compound having a functional group capable of curing reaction by heat such as a cyclic (thio)ether group, such as an epoxy compound, is used.
상기 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 혹은 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지, 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지, CTBN 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compounds include bisphenol A-type epoxy resin, brominated epoxy resin, novolak-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, hydantoin-type epoxy resin, and alicyclic epoxy resin. formula epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bixylenol type or biphenol type epoxy resin, or mixtures thereof; Bisphenol S-type epoxy resin, bisphenol A novolac-type epoxy resin, tetraphenylolethane-type epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, tetraglycidylxylenoylethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin, DC Examples include epoxy resins having a chlorpentadiene skeleton, glycidyl methacrylate copolymer epoxy resins, cyclohexyl maleimide and glycidyl methacrylate copolymer epoxy resins, and CTBN-modified epoxy resins.
상기 열반응성 화합물의 배합량으로서는, 알칼리 용해성 수지와의 당량비(카르복실기 등의 알칼리 용해성기:에폭시기 등의 열반응성기)가 1:0.1 내지 1:10인 것이 바람직하다. 이러한 배합비의 범위로 함으로써, 현상이 양호해지고, 미세 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 것이 된다. 상기 당량비는 1:0.2 내지 1:5인 것이 보다 바람직하다.As the compounding amount of the heat-reactive compound, the equivalent ratio (alkali-soluble group such as carboxyl group: heat-reactive group such as epoxy group) with the alkali-soluble resin is preferably 1:0.1 to 1:10. By setting the mixing ratio within this range, development becomes good and fine patterns can be easily formed. It is more preferable that the equivalence ratio is 1:0.2 to 1:5.
(블록 공중합체)(block copolymer)
블록 공중합체는, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성, 및 우수한 내열성을 양호한 밸런스로 실현하기 위해서, 본 발명의 적층 구조체를 구성하는 수지층 (B)에 있어서 가장 특징적인 성분이다.The block copolymer is the most characteristic feature of the resin layer (B) constituting the laminated structure of the present invention in order to achieve higher flexibility than ever before, especially excellent crack resistance against excessive seam folding, and excellent heat resistance in a good balance. It is an enemy ingredient.
이 블록 공중합체로서는, 일반적으로 성질이 다른 2종류 이상의 폴리머 단위가, 공유 결합으로 연결되어 긴 연쇄가 된 분자 구조의 공중합체를 의미한다. 본 발명에 있어서, 블록 공중합체로서는 공지 관용의 것을 사용할 수 있고, X-Y형 또는 X-Y-X형의 블록 공중합체가 바람직하고, X-Y-X형 블록 공중합체가 보다 바람직하다. X-Y-X형 블록 공중합체에 있어서의 X는 각각 동일해도 상이해도 된다.This block copolymer generally refers to a copolymer with a molecular structure in which two or more types of polymer units with different properties are linked by covalent bonds to form a long chain. In the present invention, known and commonly used block copolymers can be used, and X-Y type or X-Y-X type block copolymers are preferable, and X-Y-X type block copolymers are more preferable. X in the X-Y-X type block copolymer may be the same or different.
또한, X-Y형 또는 X-Y-X형 블록 공중합체 중, X가 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, X가 유리 전이점 Tg가 50℃ 이상인 폴리머 단위이다. 또한, Y는 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 유리 전이점 Tg이 -20℃ 이하인 폴리머 단위이다. 유리 전이점 Tg는 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정된다.Furthermore, among the X-Y type or X-Y-X type block copolymers, it is preferable that X is a polymer unit having a glass transition point Tg of 0°C or higher. More preferably, X is a polymer unit having a glass transition point Tg of 50°C or higher. Moreover, Y is preferably a polymer unit with a glass transition point Tg of less than 0°C, and more preferably a polymer unit with a glass transition point Tg of -20°C or less. The glass transition point Tg is measured by differential scanning calorimetry (DSC).
블록 공중합체는 20 내지 30℃에서 고체인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 이 범위 내에 있어서 고체이면 되고, 이 범위 밖의 온도에 있어서도 고체여도 된다. 상기 온도 범위에 있어서 고체임으로써, 드라이 필름화하였을 때나 기판에 도포하여 가건조시켰을 때의 태크성이 우수한 것이 된다.It is more preferable that the block copolymer is solid at 20 to 30°C. In this case, it may be solid within this range, and may also be solid at temperatures outside this range. By being solid in the above temperature range, it has excellent tackiness when formed into a dry film or applied to a substrate and temporarily dried.
또한, X-Y-X형 블록 공중합체 중에서도, X가 열반응성 화합물과의 상용성이 높은 것이 바람직하고, Y가 열반응성 화합물과의 상용성이 낮은 것이 바람직하다. 이와 같이, 양단의 블록이 매트릭스에 상용이며, 중앙의 블록이 매트릭스에 불상용인 블록 공중합체로 함으로써, 매트릭스 중에 있어서 특이적인 구조를 나타내기 쉬워진다고 생각된다.Moreover, among the X-Y-X type block copolymers, it is preferable that X has high compatibility with heat-reactive compounds, and that Y has low compatibility with heat-reactive compounds. In this way, by making a block copolymer in which the blocks at both ends are compatible with the matrix and the block in the center is incompatible with the matrix, it is thought that it becomes easier to exhibit a specific structure in the matrix.
폴리머 단위 X로서는, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS) 등이 바람직하고, 폴리머 단위 Y로서는, 폴리n-부틸(메타)아크릴레이트(PBA), 폴리부타디엔(PB) 등이 바람직하다. 또한, 폴리머 단위 X의 일부에 스티렌 유닛, 수산기 함유 유닛, 카르복실기 함유 유닛, 에폭시기 함유 유닛, N 치환 아크릴아미드 유닛 등으로 대표되는 알칼리 용해성 수지와의 상용성이 우수한 친수성 유닛을 도입하면, 상용성을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다. 폴리머 단위 X의 일부에 에폭시기 함유 유닛을 도입하는 것이 특히 바람직하다. 상기한 것 중에서도 폴리머 단위 X는 폴리스티렌, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 혹은 N 치환 폴리아크릴아미드, 폴리메틸(메타)아크릴레이트 또는 그의 카르복실산 변성물 혹은 친수기 변성물인 것이 바람직하다. 또한, Y는 폴리n-부틸(메타)아크릴레이트 또는 폴리부타디엔 등인 것이 바람직하다. X 및 Y는 각각 1종류의 폴리머 단위로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 성분에 의한 폴리머 단위로 구성되어 있어도 된다.Polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), etc. are preferred as the polymer unit . In addition, if a hydrophilic unit with excellent compatibility with alkali-soluble resins, such as styrene units, hydroxyl group-containing units, carboxyl group-containing units, epoxy group-containing units, and N-substituted acrylamide units, is introduced into part of the polymer unit Further improvements are possible. It is particularly preferred to introduce epoxy group-containing units into some of the polymer units X. Among the above, it is preferable that the polymer unit Additionally, Y is preferably poly n-butyl (meth)acrylate or polybutadiene. X and Y may each be composed of one type of polymer unit, or may be composed of polymer units made of two or more types of components.
블록 공중합체의 제조 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허 공표 제2005-515281호, 일본 특허 공표 제2007-516326호에 기재된 방법을 들 수 있다.Examples of the method for producing block copolymers include methods described in Japanese Patent Publication No. 2005-515281 and Japanese Patent Publication No. 2007-516326.
X-Y-X형 블록 공중합체의 시판품으로서는, 아르끄마사제의 리빙 중합을 사용하여 제조되는 아크릴계 트리블록 코폴리머를 들 수 있다. 이의 구체예로서는, 폴리메틸메타크릴레이트-폴리부틸아크릴레이트-폴리메틸메타크릴레이트로 대표되는 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, M51, M52, M53, M22 등), 추가로 카르복실산 변성된 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, SM4032XM10 등)나, 친수기 변성 처리된 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, M52N, M22N, M65N 등)를 들 수 있다.Commercially available X-Y-X type block copolymers include acrylic triblock copolymers manufactured using living polymerization manufactured by Arcmas. Specific examples thereof include X-Y- Examples include X-Y-X type block copolymers (e.g., SM4032XM10, etc.) and hydrophilic group-modified X-Y-
또한, 블록 공중합체의 질량 평균 분자량(Mw)은 통상 20,000 내지 400,000이며, 30,000 내지 300,000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 분자량 분포(Mw/Mn)가 3 이하인 것이 바람직하다.Additionally, the mass average molecular weight (Mw) of the block copolymer is usually 20,000 to 400,000, and is preferably in the range of 30,000 to 300,000. It is preferable that the molecular weight distribution (Mw/Mn) is 3 or less.
질량 평균 분자량이 20,000 이상이면, 조성물의 유연성이나 탄성 등의 기계적 성질을 구비하면서, 점착성이 지나치게 높아지지 않고, 굴곡성이나 크랙 내성의 향상 효과가 양호해지며, 점착성도 양호해진다. 한편, 질량 평균 분자량이 400,000 이하이면, 조성물의 점도가 지나치게 높아지지 않고, 인쇄성, 현상성이 저하되기 어렵다.When the mass average molecular weight is 20,000 or more, the composition has mechanical properties such as flexibility and elasticity, while the adhesion does not become excessively high, the effect of improving flexibility and crack resistance becomes good, and the adhesion also becomes good. On the other hand, if the mass average molecular weight is 400,000 or less, the viscosity of the composition does not become too high and printability and developability are unlikely to decrease.
블록 공중합체는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 블록 공중합체의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 1 내지 60질량부, 보다 바람직하게는 2 내지 50질량부, 특히 바람직하게는 3 내지 40질량부이다. 블록 공중합체의 배합량이 1질량부 이상이면, 굴곡성 및 내열성이 향상되고, 60질량부 이하이면, 굴곡성 및 내열성의 밸런스가 양호해진다.Block copolymers may be used individually or in combination of two or more types. The compounding amount of the block copolymer is preferably 1 to 60 parts by mass, more preferably 2 to 50 parts by mass, and particularly preferably 3 to 40 parts by mass, based on 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. When the compounding amount of the block copolymer is 1 part by mass or more, flexibility and heat resistance improve, and when it is 60 parts by mass or less, the balance of flexibility and heat resistance becomes good.
이상 설명한 바와 같은 수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는, 필요에 따라서 이하의 성분을 배합할 수 있다.The following components can be blended as needed in the resin composition used in the resin layer (A) and resin layer (B) as described above.
(고분자 수지)(polymer resin)
고분자 수지는, 얻어지는 경화물의 가요성, 지촉 건조성의 향상을 목적으로, 상술한 블록 공중합체를 제외하고, 공지 관용의 것을 배합할 수 있다. 이러한 고분자 수지로서는, 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 폴리머, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계 바인더 폴리머, 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 고분자 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.For the purpose of improving the flexibility and touch drying properties of the resulting cured product, known and commonly used polymer resins can be blended, excluding the block copolymers mentioned above. Examples of such polymer resins include cellulose-based, polyester-based, phenoxy resin-based polymers, polyvinyl acetal-based, polyvinyl butyral-based, polyamide-based, and polyamidoimide-based binder polymers and elastomers. One type of this polymer resin may be used individually, or two or more types may be used together.
(무기 충전제)(Inorganic filler)
무기 충전재는 경화물의 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해 배합할 수 있다. 이러한 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르그 규조토 등을 들 수 있다.Inorganic fillers can be mixed to suppress curing shrinkage of the cured product and improve properties such as adhesion and hardness. Examples of such inorganic fillers include barium sulfate, amorphous silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, Neuburg diatomaceous earth, etc. You can.
(착색제)(coloring agent)
착색제로서는, 적색, 청색, 녹색, 황색, 백색, 흑색 등의 공지 관용의 착색제를 배합할 수 있고, 안료, 염료, 색소 중 어느 것이어도 된다.As the colorant, known and commonly used colorants such as red, blue, green, yellow, white, and black can be blended, and any of pigments, dyes, and pigments may be used.
(유기 용제)(organic solvent)
유기 용제는, 수지 조성물의 조제를 위해서나, 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해서 배합할 수 있다. 이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 유기 용제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 사용해도 된다.Organic solvents can be blended to prepare a resin composition or to adjust viscosity for application to a substrate or carrier film. Examples of such organic solvents include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons, and petroleum solvents. These organic solvents may be used individually or as a mixture of two or more types.
(기타 성분)(Other Ingredients)
필요에 따라서 추가로, 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 배합할 수 있다. 이들은 공지 관용의 것을 사용할 수 있다. 또한, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다.If necessary, additional components such as mercapto compounds, adhesion promoters, antioxidants, and ultraviolet absorbers can be added. These can be used as known and common ones. In addition, well-known thickeners such as fine powdered silica, hydrotalcite, organic bentonite, and montmorillonite, and well-known additives such as silicone-based, fluorine-based, polymer-based antifoaming agents and/or leveling agents, silane coupling agents, and rust inhibitors can be mixed. You can.
본 발명의 적층 구조체는, 굴곡성이 우수한 점에서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도로서 사용할 수 있다.Since the laminated structure of the present invention has excellent flexibility, it can be used in at least one of the bent portion and the non-bent portion of a flexible printed wiring board, and is also used for at least one of the coverlay, solder resist, and interlayer insulating material of the flexible printed wiring board. It can be used as.
이상 설명한 바와 같은 구성에 관한 본 발명의 적층 구조체는, 그의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 드라이 필름으로서 사용하는 것이 바람직하다.The laminated structure of the present invention having the structure described above is preferably used as a dry film with at least one side supported or protected by a film.
(드라이 필름)(dry film)
본 발명의 드라이 필름은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 먼저 캐리어 필름(지지 필름) 상에, 상기 수지층 (B)를 구성하는 조성물 및 수지층 (A)를 구성하는 조성물을, 각각 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정하고, 통상법에 따라서 콤마 코터 등의 공지된 방법으로 순차 도포한다. 그 후, 통상 50 내지 130℃의 온도에서 1 내지 30분간 건조시킴으로써, 캐리어 필름 상에 수지층 (B) 및 수지층 (A)로 이루어지는 드라이 필름을 형성할 수 있다. 이 드라이 필름 상에는, 막의 표면에 티끌이 부착되는 것을 방지하거나 할 목적으로, 추가로, 박리 가능한 커버 필름(보호 필름)을 적층할 수 있다. 캐리어 필름 및 커버 필름으로서는, 종래 공지된 플라스틱 필름을 적절히 사용할 수 있고, 커버 필름에 대하여는, 커버 필름을 박리할 때, 수지층과 캐리어 필름의 접착력보다도 작은 것이면 바람직하다. 캐리어 필름 및 커버 필름의 두께에 대하여는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다.The dry film of the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is, first, on a carrier film (support film), the composition constituting the resin layer (B) and the composition constituting the resin layer (A) are respectively diluted with an organic solvent to adjust the viscosity to an appropriate viscosity, and the composition constituting the resin layer (B) is adjusted to an appropriate viscosity according to a conventional method. Apply sequentially using a known method such as a coater. Thereafter, a dry film consisting of the resin layer (B) and the resin layer (A) can be formed on the carrier film by drying at a temperature of usually 50 to 130°C for 1 to 30 minutes. On this dry film, a peelable cover film (protective film) can be further laminated for the purpose of preventing dust from adhering to the surface of the film. As the carrier film and the cover film, conventionally known plastic films can be appropriately used, and the cover film is preferably smaller than the adhesive force between the resin layer and the carrier film when peeling off the cover film. There is no particular limitation on the thickness of the carrier film and cover film, but is generally appropriately selected in the range of 10 to 150 μm.
(플렉시블 프린트 배선 기판)(Flexible printed wiring board)
본 발명의 플렉시블 프린트 배선 기판은, 플렉시블 프린트 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이다.The flexible printed wiring board of the present invention has an insulating film formed by forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible printed wiring substrate, patterning it by light irradiation, and forming the pattern all at once with a developer.
(배선 기판의 제조 방법)(Manufacturing method of wiring board)
본 발명의 적층 구조체를 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판의 제조는, 도 1의 공정도에 나타내는 수순에 따라서 행할 수 있다. 즉, 도체 회로를 형성한 플렉시블 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(적층 공정), 이 적층 구조체의 층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 및 이 적층 구조체의 층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 적층 구조체의 층을 일괄 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 또한, 필요에 따라서, 알칼리 현상 후, 더 한층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하고, 적층 구조체의 층을 완전히 경화시켜, 신뢰성이 높은 플렉시블 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.Manufacturing of a flexible printed wiring board using the laminated structure of the present invention can be performed according to the procedure shown in the process diagram in FIG. 1. That is, a step of forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible wiring substrate on which a conductor circuit is formed (lamination step), a step of irradiating active energy rays in a pattern to the layer of this laminated structure (exposure step), and This is a manufacturing method that includes a step of alkali developing the layers of the laminated structure to collectively form the layers of the patterned laminated structure (development step). In addition, if necessary, after alkali development, further photocuring or thermal curing (post-curing process) is performed to completely cure the layers of the laminated structure, and a highly reliable flexible printed wiring board can be obtained.
또한, 본 발명의 적층 구조체를 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판의 제조는, 도 2의 공정도에 나타내는 수순에 따라서 행할 수도 있다. 즉, 도체 회로를 형성한 플렉시블 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(적층 공정), 이 적층 구조체의 층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 이 적층 구조체의 층을 가열하는 공정(가열(PEB) 공정), 및 적층 구조체의 층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 또한, 필요에 따라서, 알칼리 현상 후, 더 한층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하고, 적층 구조체의 층을 완전히 경화시켜, 신뢰성이 높은 플렉시블 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다. 특히 수지층 (B)에 있어서, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지를 사용한 경우에는, 이 도 2의 공정도에 나타내는 수순을 사용하는 것이 바람직하다.Additionally, manufacturing of a flexible printed wiring board using the laminated structure of the present invention can also be performed according to the procedure shown in the process diagram of FIG. 2. That is, a process of forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible wiring substrate on which a conductor circuit is formed (lamination process), a process of irradiating active energy rays in a pattern to the layer of this laminated structure (exposure process), It is a manufacturing method that includes a process of heating a layer of a laminated structure (heating (PEB) process) and a process of alkali developing a layer of a laminated structure to form a patterned layer of a laminated structure (development process). In addition, if necessary, after alkali development, further photocuring or thermal curing (post-curing process) is performed to completely cure the layers of the laminated structure, and a highly reliable flexible printed wiring board can be obtained. In particular, in the resin layer (B), when a carboxyl group-containing resin having at least one of an imide structure and an amide structure is used, it is preferable to use the procedure shown in the process diagram of FIG. 2.
이하, 도 1 또는 도 2에 나타내는 각 공정에 대하여, 상세하게 설명한다.Hereinafter, each process shown in FIG. 1 or FIG. 2 will be described in detail.
[적층 공정][Laminate process]
이 공정에서는, 도체 회로(2)가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재(1)에, 알칼리 용해성 수지 등을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 수지층(3)(수지층 (A))과, 수지층(3) 상의, 알칼리 용해성 수지 등을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 수지층(4)(수지층 (B))으로 이루어지는 적층 구조체를 형성한다. 여기서, 적층 구조체를 구성하는 각 수지층은, 예를 들어 수지층(3, 4)을 구성하는 수지 조성물을, 순차로 배선 기재(1)에 도포 및 건조시킴으로써 수지층(3, 4)을 형성하거나, 혹은 수지층(3, 4)을 구성하는 수지 조성물을 2층 구조의 드라이 필름 형태로 한 것을, 배선 기재(1)에 라미네이트하는 방법에 의해 형성해도 된다.In this process, a resin layer 3 (resin layer (A)) made of an alkali-developable resin composition containing an alkali-soluble resin, etc. is applied to the flexible printed
수지 조성물의 배선 기재로의 도포 방법은, 블레이드 코터, 립 코터, 콤마 코터, 필름 코터 등의 공지된 방법이면 된다. 또한, 건조 방법은 열풍 순환식 건조로, IR로, 핫 플레이트, 컨벡션 오븐 등, 증기에 의한 가열 방식의 열원을 구비한 것을 사용하고, 건조기 내의 열풍을 향류 접촉시키는 방법, 및 노즐로부터 지지체에 분사하는 방법 등, 공지된 방법이면 된다.The method for applying the resin composition to the wiring substrate may be any known method such as a blade coater, lip coater, comma coater, or film coater. In addition, the drying method uses a heat source of a steam heating type such as a hot air circulation drying furnace, an IR furnace, a hot plate, or a convection oven, a method of countercurrent contact with hot air in the dryer, and a method of spraying the support from a nozzle. Any known method, such as a method of doing so, will suffice.
수지 조성물을 배선 기재에 라미네이트하는 방법으로서는, 진공 라미네이터 등을 사용하여, 가압 및 가열 하에서 접합하는 것이 바람직하다. 이러한 진공 라미네이터를 사용함으로써, 배선 기재 표면에 요철이 있어도, 드라이 필름이 배선 기재에 밀착하기 때문에, 기포의 혼입이 없고, 또한 배선 기재 표면의 오목부의 구멍 매립성도 향상된다. 가압 조건은 0.1 내지 2.0MPa 정도인 것이 바람직하고, 또한 가열 조건은 40 내지 120℃인 것이 바람직하다.As a method of laminating the resin composition to the wiring substrate, it is preferable to join under pressure and heating using a vacuum laminator or the like. By using such a vacuum laminator, even if the surface of the wiring substrate has irregularities, the dry film is in close contact with the wiring substrate, so air bubbles are not mixed, and the hole filling property of the concave portion of the wiring substrate surface is also improved. Pressurizing conditions are preferably about 0.1 to 2.0 MPa, and heating conditions are preferably 40 to 120°C.
[노광 공정][Exposure process]
이 공정에서는, 활성 에너지선의 조사에 의해, 수지층(4)에 포함되는 광중합 개시제를 네가티브형의 패턴상으로 활성화시켜, 노광부를 경화한다. 후술하는 PEB 공정을 사용하는 조성물의 경우에는, 광 염기 발생제로서의 기능을 갖는 광중합 개시제 또는 광 염기 발생제를, 네가티브형의 패턴상으로 활성화시켜 염기를 발생시킨다.In this step, the photopolymerization initiator contained in the
이 공정에서 사용되는 노광기로서는, 직접 묘화 장치, 메탈 할라이드 램프를 탑재한 노광기 등을 사용할 수 있다. 패턴상의 노광용 마스크는 네가티브형 마스크이다.As an exposure machine used in this process, a direct drawing device, an exposure machine equipped with a metal halide lamp, etc. can be used. The mask for exposure on the pattern is a negative type mask.
노광에 사용하는 활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 450nm의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 사용하는 것이 바람직하다. 최대 파장을 이 범위로 함으로써, 효율적으로 광중합 개시제를 활성화시킬 수 있다. 또한, 그 노광량은 막 두께 등에 따라서 상이하지만, 통상은 100 내지 1500mJ/cm2로 할 수 있다.As the active energy ray used for exposure, it is preferable to use laser light or scattered light with a maximum wavelength in the range of 350 to 450 nm. By setting the maximum wavelength within this range, the photopolymerization initiator can be activated efficiently. In addition, the exposure amount varies depending on the film thickness, etc., but can usually be 100 to 1500 mJ/cm 2 .
[PEB 공정][PEB process]
이 공정에서는, 노광 후, 수지층을 가열함으로써, 노광부를 경화한다. 이 공정에 의해, 광 염기 발생제로서의 기능을 갖는 광중합 개시제를 사용하거나, 광중합 개시제와 광 염기 발생제를 병용한 조성물로 이루어지는 수지층 (B)의 노광 공정에서 발생한 염기에 의해, 수지층 (B)를 심부까지 경화할 수 있다. 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 시간은, 예를 들어 10 내지 100분이다. 본 발명에 있어서의 수지 조성물의 경화는, 예를 들어 열반응에 의한 에폭시 수지의 개환 반응이기 때문에, 광라디칼 반응에서 경화가 진행되는 경우와 비교하여 변형이나 경화 수축을 억제할 수 있다.In this process, the exposed portion is cured by heating the resin layer after exposure. By this process, a photopolymerization initiator having a function as a photobase generator is used, or the base generated in the exposure step of the resin layer (B) consisting of a composition using a photopolymerization initiator and a photobase generator in combination is used to form the resin layer (B). ) can be hardened to the core. The heating temperature is, for example, 80 to 140°C. The heating time is, for example, 10 to 100 minutes. Since curing of the resin composition in the present invention is, for example, a ring-opening reaction of an epoxy resin by a thermal reaction, deformation and curing shrinkage can be suppressed compared to the case where curing proceeds through a photo radical reaction.
[현상 공정][Development process]
이 공정에서는, 알칼리 현상에 의해 미노광부를 제거하여, 네가티브형의 패턴상의 절연막, 특히 커버레이 및 솔더 레지스트를 형성한다. 현상 방법으로서는, 디핑 등의 공지된 방법에 의할 수 있다. 또한, 현상액으로서는, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 수산화칼륨, 아민류, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액, 또는 이들의 혼합액을 사용할 수 있다.In this process, the unexposed portion is removed by alkaline development to form a negative patterned insulating film, particularly a coverlay and solder resist. The development method may be a known method such as dipping. Additionally, as a developing solution, sodium carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, amines, imidazoles such as 2-methylimidazole, alkaline aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (TMAH), or a mixture thereof can be used.
[후경화 공정][Post-cure process]
이 공정은, 현상 공정 후에, 절연막을 완전히 열경화시켜 신뢰성이 높은 도막을 얻는 것이다. 가열 온도는, 예를 들어 120℃ 내지 180℃이다. 가열 시간은, 예를 들어 5분 내지 120분이다. 부언하면, 후경화 전 또는 후에, 추가로 절연막에 광 조사해도 된다.In this process, after the development process, the insulating film is completely heat-cured to obtain a highly reliable coating film. The heating temperature is, for example, 120°C to 180°C. The heating time is, for example, 5 minutes to 120 minutes. In addition, the insulating film may be additionally irradiated with light before or after post-curing.
실시예Example
이하, 실시예, 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예, 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited by these Examples and Comparative Examples.
<합성예 1: 폴리이미드 수지 용액의 합성예><Synthesis Example 1: Synthesis example of polyimide resin solution>
교반기, 질소 도입관, 분류환, 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰 22.4g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 첨가하고, 질소 분위기 하에 실온에서 100rpm으로 4시간 교반하였다. 이어서 톨루엔을 20g 첨가하고, 실리콘 욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반하여, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 용액 (PI-1)을 얻었다.In a separable three-necked flask equipped with a stirrer, nitrogen introduction tube, dividing ring, and cooling ring, 22.4 g of 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 2,2'-bis[ Add 8.2g of 4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 30g of NMP, 30g of γ-butyrolactone, 27.9g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride, and 3.8g of trimellitic anhydride. , and stirred for 4 hours at 100 rpm at room temperature under a nitrogen atmosphere. Next, 20 g of toluene was added, and the mixture was stirred for 4 hours at a silicone bath temperature of 180°C and 150 rpm while distilling off toluene and water to obtain a polyimide resin solution (PI-1) having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group.
얻어진 수지(고형분)의 산가는 18mgKOH, Mw는 10,000, 수산기 당량은 390이었다.The acid value of the obtained resin (solid content) was 18 mgKOH, Mw was 10,000, and the hydroxyl equivalent was 390.
(실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4)(Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4)
표 1 및 표 2에 기재된 성분 조성에 따라서, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 기재된 재료를 각각 배합, 교반기에서 예비 혼합한 후, 3개 롤 밀에서 혼련하고, 각 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하였다. 표 중의 값은 특별히 언급이 없는 한, 고형분의 질량부이다.According to the component compositions shown in Table 1 and Table 2, the materials shown in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were mixed, premixed in a stirrer, and then kneaded in a three-roll mill to form each resin layer. A resin composition for the following was prepared. The values in the table are parts by mass of solid content, unless otherwise specified.
<수지층 (A)의 형성><Formation of resin layer (A)>
구리 두께 18㎛의 회로가 형성되어 있는 플렉시블 프린트 배선 기재를 준비하고, 맥크사 CZ-8100을 사용하여, 전처리를 행하였다. 그 후, 전처리를 행한 플렉시블 프린트 배선 기재에, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 각 수지층 (A)를 구성하는 수지 조성물을 각각 건조 후의 막 두께가 25㎛로 되도록 도포하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조시켜, 수지층 (A)를 형성하였다.A flexible printed wiring substrate on which a circuit with a copper thickness of 18 µm was formed was prepared, and pretreatment was performed using Mack CZ-8100. Thereafter, the resin composition constituting each resin layer (A) obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was applied to the pretreated flexible printed wiring substrate so that the film thickness after drying was 25 μm. After that, it was dried in a hot air circulation type drying furnace at 90°C/30 minutes to form a resin layer (A).
<수지층 (B)의 형성><Formation of resin layer (B)>
상기에서 형성된 수지층 (A) 상에, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 각 수지층 (B)를 구성하는 수지 조성물을 각각 건조 후의 막 두께가 10㎛로 되도록 도포하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조시켜, 수지층 (B)를 형성하였다.On the resin layer (A) formed above, the resin compositions constituting each resin layer (B) obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were applied so that the film thickness after drying was 10 μm. After that, it was dried in a hot air circulation type drying furnace at 90°C/30 minutes to form a resin layer (B).
이와 같이 하여 플렉시블 프린트 배선 기재 상에 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 기재된 수지층 (A)와 수지층 (B)로 이루어지는 미경화 적층 구조체를 형성하였다.In this way, an uncured laminated structure consisting of the resin layer (A) and the resin layer (B) described in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was formed on the flexible printed wiring substrate.
<굴곡성><Flexibility>
(시험편의 제작)(Production of test pieces)
상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하여, 네가티브 마스크를 통해 500mJ/cm2로 전체면 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초 행하고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제작하였다.The uncured laminated structure on each flexible printed wiring substrate formed as described above was first exposed to 500 mJ/cm through a negative mask using an exposure device equipped with a metal halide lamp (HMW-680-GW20). The entire surface was exposed as 2 . Afterwards, a PEB process was performed at 90°C for 30 minutes, development (30°C, 0.2 MPa, 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution) was performed for 60 seconds, and heat curing was performed at 150°C for 60 minutes to form a cured laminated structure. A flexible printed wiring board was manufactured.
그리고, 이 플렉시블 프린트 배선 기판을 약 15mm×약 110mm로 절단하여 시험편을 제작하였다.Then, this flexible printed wiring board was cut to about 15 mm x about 110 mm to produce a test piece.
(MIT 시험)(MIT exam)
얻어진 각 시험편에 대하여, MIT 내절 피로 시험기 D형(도요 세끼 세이사꾸쇼제)을 사용하고, JIS P8115에 준거하여 MIT 시험을 행하고, 굴곡성을 평가하였다. 구체적으로는, 도 3에 도시한 바와 같이, 시험편(10)을 장치에 장착하고, 하중 F(0.5kgf)를 부하한 상태에서, 클램프(11)에 시험편(10)을 수직으로 설치하여, 절곡 각도 α가 135도, 속도가 175cpm으로 절곡을 행하고, 파단될 때까지의 왕복 절곡 횟수(회)를 측정하였다. 또한, 시험 환경은 25℃였다.For each obtained test piece, an MIT test was performed using an MIT fold fatigue tester type D (manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) in accordance with JIS P8115, and the flexibility was evaluated. Specifically, as shown in FIG. 3, the
평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.
◎: 200회 이상 절곡되고, 절곡 개소의 경화 도막에 크랙이 생기지 않았다.◎: It was bent more than 200 times, and no cracks occurred in the cured coating film at the bending point.
○: 170 내지 199회 절곡되고, 동일하게 크랙이 생기지 않았다.○: It was bent 170 to 199 times, and no cracks were formed equally.
△: 150 내지 169회 절곡되고, 동일하게 크랙이 생기지 않았다.△: It was bent 150 to 169 times, and no cracks occurred equally.
×: 절곡 횟수가 149회 이하에서 크랙이 생겼다.×: Cracks occurred when the number of bending was 149 or less.
(심 폴딩 시험)(Seam folding test)
또한, 얻어진 각 시험편에 대하여, 이하에 나타내는 과도한 조건에서의 심 폴딩 시험을 행한 경우의, 굴곡성을 평가하였다. 구체적으로는, 도 4에 도시한 바와 같이, 시험편(10)을, 도체 회로 및 경화 도막의 형성면(X)이 외측이 되도록 180°로 절곡한 상태에서, 2매의 평판(12) 사이에 끼워 하중 G(1kg의 표준 분동)를 10초간 부하하여 심 폴딩한 후, 광학 현미경을 사용하여 절곡 개소의 경화 도막부(20)에 크랙이 발생하지 않았는지를 확인하는 동작을 1 사이클로 하여, 크랙이 발생하는 앞의 횟수를 기록하였다. 시험 환경은 25℃였다.Additionally, for each obtained test piece, the flexibility was evaluated when a seam folding test was performed under the excessive conditions shown below. Specifically, as shown in FIG. 4, the
평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.
◎: 10회 이상 절곡되고, 절곡 개소의 경화 도막에 크랙이 발생하지 않았다.◎: It was bent more than 10 times, and no cracks occurred in the cured coating film at the bending point.
○: 6 내지 9회 절곡되고, 동일하게 크랙이 발생하지 않았다.○: It was bent 6 to 9 times and no cracks occurred equally.
△: 3 내지 5회 절곡되고, 동일하게 크랙이 발생하지 않았다.△: It was bent 3 to 5 times, and no cracks occurred equally.
×: 절곡 횟수가 2회 이하에서 크랙이 발생하였다.×: Cracks occurred when the number of bending was 2 or less.
이들 평가 결과를, 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.These evaluation results are shown together in Table 1 and Table 2.
<내열성><Heat resistance>
상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하여, 구리 상에 직경 약 2mm 내지 5mm의 개구가 형성되는 네가티브형 마스크를 통해 500mJ/cm2로 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초 행하고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판(시험 기판)을 제작하였다.With respect to the uncured laminated structure on each flexible printed wiring substrate, in which the laminated structure was formed as described above, first, using an exposure apparatus equipped with a metal halide lamp (HMW-680-GW20), a layer with a diameter of about 2 mm to about 2 mm was formed on copper. It was exposed to light at 500 mJ/cm 2 through a negative mask with an opening of 5 mm. Afterwards, a PEB process was performed at 90°C for 30 minutes, development (30°C, 0.2 MPa, 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution) was performed for 60 seconds, and heat curing was performed at 150°C for 60 minutes to form a cured laminated structure. A flexible printed wiring board (test board) was produced.
이 시험 기판에 로진계 플럭스를 도포하고, 미리 260℃ 및 280℃로 설정한 땜납조에 10초 침지하여, 경화 도막의 들뜸, 팽창, 박리의 발생에 대하여 평가하였다.Rosin-based flux was applied to this test board and immersed in a soldering tank previously set at 260°C and 280°C for 10 seconds to evaluate the occurrence of lifting, swelling, and peeling of the cured coating film.
평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.
◎: 260℃ 및 280℃ 중 어느 침지에도 들뜸, 팽창, 박리의 발생이 없었다.◎: No lifting, swelling, or peeling occurred during immersion at either 260°C or 280°C.
○: 260℃의 침지에서는 들뜸, 팽창, 박리의 발생이 없지만, 280℃의 침지에서 들뜸, 팽창, 박리가 발생하였다.○: When immersed at 260°C, no lifting, swelling, or peeling occurred, but when immersed at 280°C, lifting, swelling, or peeling occurred.
×: 260℃ 및 280℃ 중 어느 침지에도 들뜸, 박리가 발생하였다.×: Floating and peeling occurred in both immersion at 260°C and 280°C.
그 평가 결과는, 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.The evaluation results are shown together in Table 1 and Table 2.
<해상성><Resolution>
상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하고, 네가티브 마스크를 통해 500mJ/cm2로 직경 200㎛의 개구를 형성하도록 패턴 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초로 행하여 패턴을 그리고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 개구를 갖는 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제작하였다. 얻어진 플렉시블 프린트 배선 기판의 적층 구조체에 형성한 개구를 100배로 조정한 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 해상성을 평가하였다.With respect to the uncured laminated structure on each flexible printed wiring substrate, where the laminated structure was formed as described above, an exposure apparatus equipped with a metal halide lamp (HMW-680-GW20) was first used, and 500 mJ/cm was applied through a negative mask. 2 , the pattern was exposed to form an opening with a diameter of 200㎛. Afterwards, a PEB process is performed at 90°C for 30 minutes, development (30°C, 0.2 MPa, 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution) is performed for 60 seconds to draw a pattern, and heat curing is performed at 150°C for 60 minutes to form an opening. A flexible printed wiring board formed with a cured laminated structure having was manufactured. The opening formed in the laminated structure of the obtained flexible printed wiring board was observed using an optical microscope adjusted to 100 times, and the resolution was evaluated.
평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.
○: 개구가 완전히 형성되어 있는 것.○: The opening is fully formed.
×: 개구가 형성되지 않은 것.×: No opening was formed.
그의 평가 결과는 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.The evaluation results are shown together in Tables 1 and 2.
*1) 알칼리 용해성 수지 1: ZAR-1035: 산 변성 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트, 산가 98mgKOH/g(닛폰 가야쿠(주)제)*1) Alkali-soluble resin 1: ZAR-1035: acid-modified bisphenol A type epoxy acrylate, acid value 98 mgKOH/g (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
*2) 폴리이미드 수지: PI-1: 합성예 1*2) Polyimide resin: PI-1: Synthesis Example 1
*3) 광경화성 모노머: BPE-500: 에톡시화 비스페놀 A 디메타크릴레이트(신나카무라 가가쿠(주)제)*3) Photocurable monomer: BPE-500: Ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (manufactured by Shinnakamura Chemical Co., Ltd.)
*4) 에폭시 수지: E828: 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190, 질량 평균 분자량 380(미쯔비시 가가꾸(주)제)*4) Epoxy resin: E828: Bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent weight 190, mass average molecular weight 380 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
*5) 광중합 개시제: IRGACURE OXE02: 옥심계 광중합 개시제(BASF사제)*5) Photopolymerization initiator: IRGACURE OXE02: Oxime-based photopolymerization initiator (manufactured by BASF)
*6) 블록 공중합체 1: M52N: X-Y-X형 블록 공중합체 질량 평균 분자량(Mw) 약 100,000, 아르끄마사제, NANOSTRENGTH(등록 상표)*6) Block copolymer 1: M52N: X-Y-X type block copolymer mass average molecular weight (Mw) about 100,000, Arkmas company, NANOSTRENGTH (registered trademark)
*7) 블록 공중합체 2: M65N: X-Y-X형 블록 공중합체 질량 평균 분자량(Mw) 약 100,000 내지 300,000, 아르끄마사제, NANOSTRENGTH(등록 상표)*7) Block copolymer 2: M65N: X-Y-X type block copolymer mass average molecular weight (Mw) about 100,000 to 300,000, manufactured by Arcmas, NANOSTRENGTH (registered trademark)
*8) 알칼리 용해성 수지 2: P7-532: 폴리우레탄아크릴레이트, 산가 47mgKOH/g(교에샤 가가꾸(주)제)*8) Alkali-soluble resin 2: P7-532: polyurethane acrylate, acid value 47 mgKOH/g (manufactured by Kyoesha Chemical Co., Ltd.)
상기 표 중에 나타내는 평가 결과로부터 명백해진 바와 같이, 각 실시예의 적층 구조체에 있어서는, 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 굴곡성, 내열성 및 해상성 중 어느 것에 대해서도 우수한 성능이 얻어지고 있음을 알 수 있다. 이에 비해, 단층 구조인 비교예 1 및 비교예 2에서는, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성이 불충분하고, 적층 구조체라도 블록 공중합체를 함유하지 않은 비교예 3에서는, 내열성에 대하여는 양호한 결과가 얻어졌지만, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성이 불충분해졌다. 또한, 적층 구조체의 하층측의 수지층 (A)에만 블록 공중합체를 함유시킨 비교예 4에서는, 내열성에 대하여는 양호한 결과가 얻어졌지만, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성과 해상성이 불충분해졌다.As is clear from the evaluation results shown in the above table, in the laminated structures of each Example, by containing the block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer side, excellent performance was obtained in terms of flexibility, heat resistance, and resolution. You can see that you are losing. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, which have a single-layer structure, the flexibility, especially excellent crack resistance against excessive seam folding, is insufficient, and in Comparative Example 3, which does not contain a block copolymer even if it is a laminated structure, good results are obtained with respect to heat resistance. was obtained, but the flexibility, especially the good crack resistance to excessive seam folding, became insufficient. In addition, in Comparative Example 4, in which the block copolymer was contained only in the resin layer (A) on the lower layer side of the laminated structure, good results were obtained with respect to heat resistance, but flexibility, especially excellent crack resistance to excessive seam folding, and resolution were insufficient. It's done.
이상으로부터, 2층의 수지층이 적층되어 이루어지는 적층 구조체 중, 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 해상성 등의 감광성 수지 조성물 본래의 특성을 유지하면서, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성 및 내열성을 양호한 밸런스로 향상시키는 것이 가능해졌다.From the above, by containing the block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer side among the laminated structures formed by laminating two resin layers, while maintaining the original properties of the photosensitive resin composition such as resolution, flexibility, especially excessive It has become possible to improve excellent crack resistance and heat resistance against seam folding with a good balance.
1 플렉시블 프린트 배선 기재
2 도체 회로
3 수지층
4 수지층
5 마스크
10 시험편
11 클램프
12 평판
20 경화 도막부
X 도체 회로 및 경화 도막의 형성면1 Flexible printed wiring substrate
two conductor circuit
3 resin layer
4 Resin layer
5 mask
10 test piece
11 clamp
12 reputation
20 Hardened coating part
X Conductor circuit and formation surface of cured coating film
Claims (9)
상기 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 상기 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지고,
상기 블록 공중합체가 X-Y형 또는 X-Y-X형이고, X가 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위이며, Y가 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위인 것을 특징으로 하는 적층 구조체.A laminated structure having a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A),
The resin layer (B) is made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer, and the resin layer (A) is made of an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. It is made of an alkali-developable resin composition containing,
The block copolymer is of type XY or XYX, where
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