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KR102587011B1 - Oled having internal light extracting photonic crystal structure, internal light scattering layer, external light scattering layer and external quantum dot layer - Google Patents

Oled having internal light extracting photonic crystal structure, internal light scattering layer, external light scattering layer and external quantum dot layer Download PDF

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KR102587011B1
KR102587011B1 KR1020210140352A KR20210140352A KR102587011B1 KR 102587011 B1 KR102587011 B1 KR 102587011B1 KR 1020210140352 A KR1020210140352 A KR 1020210140352A KR 20210140352 A KR20210140352 A KR 20210140352A KR 102587011 B1 KR102587011 B1 KR 102587011B1
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KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
organic light
emitting layer
quantum dot
Prior art date
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KR1020210140352A
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Korean (ko)
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KR20230056375A (en
Inventor
박영욱
강신우
최근수
배은정
백동현
Original Assignee
선문대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 선문대학교 산학협력단 filed Critical 선문대학교 산학협력단
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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

본 발명은 전자 및 정공을 공급받아 특정 파장의 빛을 발생시키는 유기 발광층, 상기 유기 발광층의 상단에 형성되어 상기 유기 발광층에 전자를 공급하는 음극(Cathode), 상기 유기 발광층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에 정공을 공급하고 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 투과시키는 양극(Anode), 상기 양극(Anode) 하단의 특정 부분 영역에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 특정 파장 영역의 빛의 세기를 증가시켜 기판층으로 전달하는 광결정체, 상기 양극(Anode)의 하단 중 상기 광결정체가 형성된 특정 부분 영역의 나머지 영역에 형성되며 주름 구조의 내부 산란 구조막으로 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 기판층으로 전달하는 내부 산란층, 상기 광결정체 및 내부 산란층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 외부 산란층으로 전달하는 기판층, 상기 기판층의 하단에 형성되며 복수의 산란 입자체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 외부 양자점층으로 전달하는 외부 산란층 및 상기 외부 산란층의 하단에 형성되며 복수의 양자점(Quantum Dot)체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛의 세기를 증가시켜 외부로 발광하는 외부 양자점층을 포함하고, 상기 내부 산란 구조막은, 폴리머(Polymer) 조성물을 상기 기판층의 상단에 스핀 코팅(Spin Coating) 및 경화시킨 후 이온(Ion) 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성한 투명 나노(Nano) 구조체 및 상기 투명 나노 구조체의 외부에 금속 산화물을 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착시켜 상기 투명 나노 구조체의 요철 구조를 평탄한 주름 구조로 변경시킨 평탄화 부재를 포함하고, 상기 평탄화 부재의 굴절률은, 상기 양극(Anode)의 굴절률과 같거나 상기 양극(Anode)의 굴절률보다 크고, 상기 외부 양자점층은, 상기 외부 양자점층의 내측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 파장 변환 없이 외부로 투과시키는 원시광 투과단, 상기 외부 양자점층의 일측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 적색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 적색 양자점단 및 상기 외부 양자점층의 타측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 녹색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 녹색 양자점단을 포함하며, 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 상기 원시광 투과단, 적색 양자점단 및 녹색 양자점단을 통하여 백색광으로 변환하여 외부로 발광하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light-emitting layer that receives electrons and holes and generates light of a specific wavelength, a cathode formed at the top of the organic light-emitting layer to supply electrons to the organic light-emitting layer, and a cathode formed at the bottom of the organic light-emitting layer to generate light of a specific wavelength. An anode that supplies holes to the light-emitting layer and transmits light generated from the organic light-emitting layer, and is formed in a specific partial area at the bottom of the anode to increase the intensity of light in a specific wavelength range generated from the organic light-emitting layer to increase the intensity of light in a specific wavelength region generated from the organic light-emitting layer. A photonic crystal is transmitted to the anode, which is formed in the remaining area of a specific partial area at the bottom of the anode where the photonic crystal is formed, and is formed as an internal scattering structure film with a wrinkled structure to scatter light generated from the organic light-emitting layer to the substrate layer. An internal scattering layer for transmitting, a substrate layer formed at the bottom of the photonic crystal and the internal scattering layer to transmit light generated from the organic light-emitting layer to an external scattering layer, formed at the bottom of the substrate layer and dispersing a plurality of scattering particles. an external scattering layer that scatters light generated from the organic light-emitting layer and transmits it to the external quantum dot layer; and a plurality of quantum dots are formed at the bottom of the external scattering layer in a dispersed form to form the organic light-emitting layer. It includes an external quantum dot layer that emits external light by increasing the intensity of light generated from the inner scattering structure film, and the internal scattering structure film is formed by spin coating and curing a polymer composition on the top of the substrate layer to form ions (Ion). ) A transparent nano structure formed by etching to form a concavo-convex structure, and metal oxide deposited on the outside of the transparent nano structure by sputtering to change the concavo-convex structure of the transparent nano structure into a flat wrinkled structure. It includes a flattening member, wherein the refractive index of the flattening member is equal to or greater than the refractive index of the anode (Anode), and the external quantum dot layer is formed inside the external quantum dot layer to form the organic A raw light transmission end that transmits light generated in the light emitting layer to the outside without wavelength conversion, a red quantum dot end formed on one side of the external quantum dot layer that converts the light generated in the organic light emitting layer into light in the red wavelength region and transmits it to the outside, and It includes a green quantum dot end formed on the other side of the external quantum dot layer to convert light generated from the organic light-emitting layer into light in a green wavelength range and transmit it to the outside, and transmits the light generated from the organic light-emitting layer to the raw light transmission end and a red quantum dot end. And it is characterized by converting it into white light through a green quantum dot and emitting light to the outside.

Description

내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층, 외부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자 {OLED HAVING INTERNAL LIGHT EXTRACTING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE, INTERNAL LIGHT SCATTERING LAYER, EXTERNAL LIGHT SCATTERING LAYER AND EXTERNAL QUANTUM DOT LAYER}Organic light-emitting device including a photonic crystal for internal light extraction, an internal scattering layer, an external scattering layer, and an external quantum dot layer {OLED HAVING INTERNAL LIGHT EXTRACTING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE, INTERNAL LIGHT SCATTERING LAYER, EXTERNAL LIGHT SCATTERING LAYER AND EXTERNAL QUANTUM DOT LAYER}

본 발명은 내부 광 추출 효율을 높인 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 제품에 관한 것이다.The present invention relates to OLED (Organic Light Emitting Diodes) products with increased internal light extraction efficiency.

OLED는 낮은 전력 소비량, 높은 색 재현도, 넓은 색 영역, 빠른 응답 속도 및 구부릴 수 있는 특성 등으로 인하여 차세대 디스플레이 소자로 많은 관심을 받고 있다. 그러나 OLED에서 방출된 빛의 약 20% 만이 디스플레이 소자로부터 추출될 수 있어 광 추출 효율이 많이 떨어진다. 광 추출 효율이 떨어지는 이유는 투명 전극(ITO) 층과 기판 사이의 계면 및 기판과 공기 사이의 계면에 빛이 가두어지기 때문인데 이것은 각 물질의 굴절률의 차이에 기인한다. 광 투과 효율을 높이기 위하여 마이크로 캐버티(Micro Cavity) 구조가 주로 적용되는데, 이 구조는 디스플레이 패널을 보는 각도에 따라 광 추출량의 차이가 발생하여 디스플레이 패널의 시야각이 좁아지는 문제를 가지고 있다.OLED is receiving a lot of attention as a next-generation display device due to its low power consumption, high color reproduction, wide color gamut, fast response speed, and bendable characteristics. However, only about 20% of the light emitted from OLED can be extracted from the display device, which significantly reduces light extraction efficiency. The reason light extraction efficiency is low is because light is trapped at the interface between the transparent electrode (ITO) layer and the substrate and the interface between the substrate and air, which is due to differences in the refractive index of each material. A micro cavity structure is mainly applied to increase light transmission efficiency, but this structure has the problem of narrowing the viewing angle of the display panel due to differences in light extraction amount depending on the viewing angle of the display panel.

대한민국 공개특허 제10-2020-0018954호 (명칭: 굴절률 조절이 가능한 나노입자, 이를 포함하는 광 산란층 및 그 제조 방법, 공개일: 2020.02.21.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2020-0018954 (Name: Nanoparticles with adjustable refractive index, light scattering layer containing the same, and method for manufacturing the same, Publication date: 2020.02.21.) PCT 공개특허 WO2014-191733호 (명칭: Organic Light Emitting Diode Structure, 공개일: 2014.04.12.)PCT Publication Patent No. WO2014-191733 (Name: Organic Light Emitting Diode Structure, Publication Date: 2014.04.12.)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, OLED 소자로부터의 광 추출 효율을 높이고 디스플레이 패널의 광시야각을 확보하는 OLED 소자 제작에 그 목적이 있다.The purpose of the present invention to solve the above problems is to manufacture an OLED device that increases light extraction efficiency from the OLED device and secures a wide viewing angle of the display panel.

본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층, 외부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자는 전자 및 정공을 공급받아 특정 파장의 빛을 발생시키는 유기 발광층, 상기 유기 발광층의 상단에 형성되어 상기 유기 발광층에 전자를 공급하는 음극(Cathode), 상기 유기 발광층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에 정공을 공급하고 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 투과시키는 양극(Anode), 상기 양극(Anode) 하단의 특정 부분 영역에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 특정 파장 영역의 빛의 세기를 증가시켜 기판층으로 전달하는 광결정체, 상기 양극(Anode)의 하단 중 상기 광결정체가 형성된 특정 부분 영역의 나머지 영역에 형성되며 주름 구조의 내부 산란 구조막으로 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 기판층으로 전달하는 내부 산란층, 상기 광결정체 및 내부 산란층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 외부 산란층으로 전달하는 기판층, 상기 기판층의 하단에 형성되며 복수의 산란 입자체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 외부 양자점층으로 전달하는 외부 산란층 및 상기 외부 산란층의 하단에 형성되며 복수의 양자점(Quantum Dot)체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛의 세기를 증가시켜 외부로 발광하는 외부 양자점층을 포함하고, 상기 내부 산란 구조막은, 폴리머(Polymer) 조성물을 상기 기판층의 상단에 스핀 코팅(Spin Coating) 및 경화시킨 후 이온(Ion) 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성한 투명 나노(Nano) 구조체 및 상기 투명 나노 구조체의 외부에 금속 산화물을 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착시켜 상기 투명 나노 구조체의 요철 구조를 평탄한 주름 구조로 변경시킨 평탄화 부재를 포함하고, 상기 평탄화 부재의 굴절률은, 상기 양극(Anode)의 굴절률과 같거나 상기 양극(Anode)의 굴절률보다 크고, 상기 외부 양자점층은, 상기 외부 양자점층의 내측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 파장 변환 없이 외부로 투과시키는 원시광 투과단, 상기 외부 양자점층의 일측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 적색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 적색 양자점단 및 상기 외부 양자점층의 타측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 녹색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 녹색 양자점단을 포함하며, 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 상기 원시광 투과단, 적색 양자점단 및 녹색 양자점단을 통하여 백색광으로 변환하여 외부로 발광하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting device including a photonic crystal for internal light extraction, an internal scattering layer, an external scattering layer, and an external quantum dot layer according to an embodiment of the present invention receives electrons and holes and emits light of a specific wavelength. an organic light-emitting layer, a cathode formed at the top of the organic light-emitting layer to supply electrons to the organic light-emitting layer, and a cathode formed at the bottom of the organic light-emitting layer to supply holes to the organic light-emitting layer and transmit light generated from the organic light-emitting layer. An anode, a photonic crystal formed in a specific region at the bottom of the anode to increase the intensity of light in a specific wavelength region generated in the organic light-emitting layer and transmit it to the substrate layer, and a photonic crystal at the bottom of the anode. An internal scattering layer is formed in the remaining area of the specific partial area where the photonic crystal is formed and is formed as a wrinkle-structured internal scattering structure film to scatter light generated from the organic light-emitting layer and transmit it to the substrate layer, the photonic crystal and the internal scattering layer A substrate layer formed at the bottom and transmitting light generated from the organic light-emitting layer to an external scattering layer, formed at the bottom of the substrate layer and provided with a plurality of scattering particles in a dispersed form to scatter light generated from the organic light-emitting layer to an external scattering layer. An external scattering layer transmitted to the quantum dot layer and an external quantum dot formed at the bottom of the external scattering layer and having a plurality of quantum dots in a dispersed form to increase the intensity of light generated from the organic light-emitting layer and emit light to the outside. It includes a layer, and the internal scattering structure film is a transparent nanostructure formed by spin coating and curing a polymer composition on the top of the substrate layer and then etching it using an ion etching method to form a concavo-convex structure. Nano) structure and a flattening member in which the uneven structure of the transparent nano structure is changed into a flat wrinkled structure by depositing metal oxide on the outside of the transparent nano structure by sputtering, and the refractive index of the flattening member is, The refractive index of the anode is equal to or greater than that of the anode, and the external quantum dot layer is formed inside the external quantum dot layer to transmit the light generated from the organic light-emitting layer to the outside without wavelength conversion. A transmission end, a red quantum dot end formed on one side of the external quantum dot layer to convert light generated from the organic light-emitting layer into light in the red wavelength region and transmitted to the outside, and a red quantum dot end formed on the other side of the external quantum dot layer to transmit light generated from the organic light-emitting layer It includes a green quantum dot that converts light in the green wavelength range and transmits it to the outside, and converts the light generated in the organic light-emitting layer into white light through the raw light transmission end, red quantum dot, and green quantum dot to emit light to the outside. It is characterized by

또한, 본 발명에 따른 상기 내부 산란 구조막의 주름 구조와 동일한 형상의 주름 구조가 상기 유기 발광층과 양극(Anode)의 계면 및 상기 유기 발광층과 음극(Cathode)의 계면에 전사되어 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, a wrinkle structure having the same shape as the wrinkle structure of the internal scattering structure film according to the present invention is formed by transferring to the interface between the organic light-emitting layer and the anode and the interface between the organic light-emitting layer and the cathode.

또한, 본 발명에 따른 상기 폴리머 조성물은, 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)를 포함하고, 상기 금속 산화물은, ZnO을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the polymer composition according to the present invention includes polymethylmethacrylate (PMMA), and the metal oxide includes ZnO.

내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층, 외부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자, 내부 광 추출용 광결정을 사용하여 내부 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 나노 산란 구조로 형성된 내부 산란층을 적용하여 내부 광 추출 효율 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 유기 발광층으로부터 발생한 청색광을 외부 양자점층을 통하여 적색광 및 녹색광으로 변환하여 유기발광소자 전체로는 백색광이 발생할 수 있어, 광결정을 통하여 특정 파장의 빛의 세기만을 증가시킨 유기발광소자도 백색광이 요구되는 조명기구에 활용할 수 있다. Internal light extraction efficiency can be improved by using an organic light-emitting device including a photonic crystal for internal light extraction, an internal scattering layer, an external scattering layer, and an external quantum dot layer, and a photonic crystal for internal light extraction, and an internal scattering layer formed with a nano-scattering structure. By applying , the effect of improving internal light extraction efficiency can be obtained. In addition, by converting the blue light generated from the organic light-emitting layer into red light and green light through the external quantum dot layer, white light can be generated throughout the organic light-emitting device, so white light is also required for organic light-emitting devices that only increase the intensity of light of a specific wavelength through photonic crystals. It can be used in lighting fixtures.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 산란 구조막의 구성요소 중 투명 나노 구조체의 형상을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 산란 구조막의 구성요소 중 투명 나노 구조체의 외부에 평탄화 부재를 증착시킨 형상을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광결정의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
Figure 1 is a diagram schematically showing the configuration of an organic light-emitting device including a photonic crystal for internal light extraction and an internal scattering layer according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram showing the shape of a transparent nanostructure among the components of an internal scattering structure film according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing the shape of a planarization member deposited on the outside of a transparent nanostructure among the components of an internal scattering structure film according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a diagram schematically showing the structure of a photonic crystal according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily practice the present invention.

실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.In describing the embodiments, descriptions of technical content that is well known in the technical field to which the present invention belongs and that are not directly related to the present invention will be omitted. This is to convey the gist of the present invention more clearly without obscuring it by omitting unnecessary explanation.

마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically shown in the accompanying drawings. Additionally, the size of each component does not entirely reflect its actual size. In each drawing, identical or corresponding components are assigned the same reference numbers.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. Figure 1 is a diagram schematically showing the configuration of an organic light-emitting device including a photonic crystal for internal light extraction and an internal scattering layer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자(10)는 전자 및 정공을 공급받아 특정 파장의 빛을 발생시키는 유기 발광층(100), 상기 유기 발광층(100)의 상단에 형성되어 상기 유기 발광층에 전자를 공급하는 음극(Cathode)(200), 상기 유기 발광층(100)의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에 정공을 공급하고 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 투과시키는 양극(Anode)(300), 상기 양극(Anode)(300) 하단의 특정 부분 영역에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 특정 파장 영역의 빛의 세기를 증가시켜 기판층(600)으로 전달하는 광결정체(400), 상기 양극(Anode)(300)의 하단 중 상기 광결정체(400)가 형성된 특정 부분 영역의 나머지 영역에 형성되며 주름 구조의 내부 산란 구조막(510)으로 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 산란시켜 기판층(600)으로 전달하는 내부 산란층(500), 상기 광결정체(400) 및 내부 산란층(500)의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 외부 산란층(700)으로 투과시키는 기판층(600), 상기 기판층(600)의 하단에 형성되며 복수의 산란 입자체(710)를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 산란시켜 외부 양자점층(800)으로 전달하는 외부 산란층(700) 및 상기 외부 산란층(700)의 하단에 형성되며 복수의 양자점(Quantum Dot)체(810)를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛의 세기를 증가시켜 외부로 발광하는 외부 양자점층(800)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting device 10 including a photonic crystal for internal light extraction, an internal scattering layer, and an external quantum dot layer according to an embodiment of the present invention receives electrons and holes to generate light of a specific wavelength. An organic light-emitting layer 100, a cathode 200 formed at the top of the organic light-emitting layer 100 to supply electrons to the organic light-emitting layer 200, and a cathode 200 formed at the bottom of the organic light-emitting layer 100 to supply electrons to the organic light-emitting layer 100. An anode 300 that supplies holes and transmits light generated in the organic light-emitting layer 100, is formed in a specific partial area at the bottom of the anode 300, and transmits light generated in the organic light-emitting layer 100. Photonic crystal 400, which increases the intensity of light in the wavelength range and transmits it to the substrate layer 600, is formed in the remaining area of the specific partial area where the photonic crystal 400 is formed at the bottom of the anode 300. The internal scattering layer 500, which is formed of an internal scattering structure film 510 with a wrinkled structure, scatters light generated from the organic light-emitting layer 100 and transmits it to the substrate layer 600, the photonic crystal 400, and internal scattering. A substrate layer 600 formed at the bottom of the layer 500 and transmitting light generated from the organic light-emitting layer 100 to the external scattering layer 700, and a plurality of scattering particles formed at the bottom of the substrate layer 600. (710) is provided in a dispersed form to scatter the light generated from the organic light-emitting layer 100 and transmit it to the external quantum dot layer 800, and is formed at the bottom of the external scattering layer 700, It may include an external quantum dot layer 800 that has a plurality of quantum dots 810 in a dispersed form and emits light to the outside by increasing the intensity of light generated from the organic light emitting layer 100.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 광결정체(400)는, 1차원적 광결정, 2차원적 광결정, 3차원적 광결정 및 이들을 혼합하여 이루어진 군으로부터 선택되는 광결정으로 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the photonic crystal 400 may be formed of a photonic crystal selected from the group consisting of one-dimensional photonic crystal, two-dimensional photonic crystal, three-dimensional photonic crystal, and a mixture thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 외부 양자점층(800)은, 상기 외부 양자점층(800)의 내측에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 파장 변환 없이 외부로 투과시키는 원시광 투과단(820), 상기 외부 양자점층(800)의 일측에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 적색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 적색 양자점단(830) 및 상기 외부 양자점층(800)의 타측에 형성되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 녹색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 녹색 양자점단(850)을 포함하고, 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 상기 원시광 투과단(820), 적색 양자점단(830) 및 녹색 양자점단(850)을 통하여 백색광으로 변환하여 외부로 발광할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the external quantum dot layer 800 is formed inside the external quantum dot layer 800 and transmits the light generated in the organic light-emitting layer 100 to the outside without wavelength conversion. (820), a red quantum dot end 830 formed on one side of the external quantum dot layer 800 to convert the light generated in the organic light-emitting layer 100 into light in the red wavelength region and transmit it to the outside, and the external quantum dot layer ( 800) and includes a green quantum dot terminal 850 that is formed on the other side of the organic light-emitting layer 100 to convert light generated in the organic light-emitting layer 100 into light in a green wavelength range and transmit it to the outside, and transmits the light generated in the organic light-emitting layer 100 to the raw light. It can be converted into white light and emitted to the outside through the stage 820, the red quantum dot stage 830, and the green quantum dot stage 850.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 적색 양자점단(830)에는 복수의 적색 양자점체(840)가 분산된 형태로 구비되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 적색 파장 영역의 빛으로 변환할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the red quantum dot terminal 830 is provided with a plurality of red quantum dot bodies 840 in a dispersed form to convert light generated from the organic light-emitting layer 100 into light in the red wavelength range. there is.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 녹색 양자점단(850)에는 복수의 녹색 양자점체(860)가 분산된 형태로 구비되어 상기 유기 발광층(100)에서 발생한 빛을 녹색 파장 영역의 빛으로 변환할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the green quantum dot terminal 850 is provided with a plurality of green quantum dot bodies 860 in a dispersed form to convert light generated from the organic light-emitting layer 100 into light in the green wavelength range. there is.

본 발명의 일 실시예에 따르면 복수의 상기 산란 입자체(520)는, 실리콘(Silicon) 계열, 폴리머 계열, 금속 산화물 계열 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 입자로 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the plurality of scattering particles 520 may be formed of particles selected from the group consisting of silicon-based, polymer-based, metal oxide-based, and mixtures thereof.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 산란 구조막의 구성요소 중 투명 나노 구조체의 형상을 도시한 도면이다. Figure 2 is a diagram showing the shape of a transparent nanostructure among the components of an internal scattering structure film according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면 상기 내부 산란 구조막(510)은, 폴리머(Polymer) 조성물을 상기 기판층(600)의 상단에 스핀 코팅(Spin Coating) 및 경화시킨 후 이온(Ion) 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성한 투명 나노(Nano) 구조체(511)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the internal scattering structure film 510 is formed by spin coating and curing a polymer composition on the top of the substrate layer 600 and then etching it using an ion etching method to form irregularities. It may include a transparent nano structure 511 formed.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 폴리머 조성물(미도시)은, 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the polymer composition (not shown) may include polymethylmethacrylate (PMMA).

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 폴리머 조성물을 스핀 코팅하는 속도에 따라 상기 투명 나노 구조체(511)의 높이가 달라질 수 있다. 도 2의 (a)는 스핀 코팅 속도를 1500 rpm, 도 2의 (b)는 스핀 코팅 속도를 1750 rpm, 도 2의 (c)는 스핀 코팅 속도를 2000 rpm 그리고 도 2의 (d)는 스핀 코팅 속도를 2500 rpm 으로 적용 시의 상기 투명 나노 구조체(511)의 형상일 수 있다. 스핀 코팅 속도가 높을수록 주름 구조의 높이가 낮아질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the height of the transparent nanostructure 511 may vary depending on the spin coating speed of the polymer composition. Figure 2(a) shows the spin coating speed at 1500 rpm, Figure 2(b) shows the spin coating speed at 1750 rpm, Figure 2(c) shows the spin coating speed at 2000 rpm, and Figure 2(d) shows the spin coating speed at 1750 rpm. This may be the shape of the transparent nanostructure 511 when the coating speed is applied at 2500 rpm. The higher the spin coating speed, the lower the height of the wrinkle structure can be.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 산란 구조막의 구성요소 중 투명 나노 구조체의 외부에 평탄화 부재를 증착시킨 형상을 도시한 도면이다.Figure 3 is a diagram showing the shape of a planarization member deposited on the outside of a transparent nanostructure among the components of an internal scattering structure film according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면 상기 투명 나노 구조체(511)의 외부에 금속 산화물을 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착시켜 상기 투명 나노 구조체(511)의 요철 구조를 평탄한 주름 구조로 변경시킨 평탄화 부재(512)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, it includes a flattening member 512 that changes the uneven structure of the transparent nanostructure 511 into a flat wrinkled structure by depositing metal oxide on the outside of the transparent nanostructure 511 by sputtering. can do.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 평탄화 부재(512)의 굴절률은, 상기 양극(Anode)의 굴절률보다 같거나 클 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the refractive index of the flattening member 512 may be equal to or greater than the refractive index of the anode.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 금속 산화물은, ZnO을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the metal oxide may include ZnO.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 내부 산란 구조막(510)의 주름 구조와 동일한 형상의 주름 구조가 상기 유기 발광층(100)과 양극(Anode)(300)의 계면 및 상기 유기 발광층(100)과 음극(Cathode)(200)의 계면에 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a wrinkled structure having the same shape as the wrinkled structure of the internal scattering structure film 510 is formed at the interface between the organic light-emitting layer 100 and the anode 300 and the organic light-emitting layer 100. It may be formed at the interface of the cathode (200).

상기 투명 나노 구조체(511)를 요철 형상으로 형성한 후 상기 평탄화 부재(512)를 상기 투명 나노 구조체(511)의 외부에 증착하여 요철 형상을 주름 구조로 변경하지 않고 바로 상기 양극(Anode)(300)을 형성하면, 요철 형상이 상기 양극(Anode)(300)에 전사되어 상기 양극(Anode)(300)의 돌출된 부분에 전류가 집중하게 되어 누설 전류의 원인이 되게나 전기적 특성이 저하될 수 있다. After forming the transparent nanostructure 511 into a concavo-convex shape, the flattening member 512 is deposited on the outside of the transparent nanostructure 511 to immediately form the anode (300) without changing the concavo-convex shape into a wrinkled structure. ) is formed, the uneven shape is transferred to the anode (300) and current is concentrated on the protruding part of the anode (300), which may cause leakage current or deteriorate electrical characteristics. there is.

상기 평탄화 부재(512)의 굴절률은, 상기 양극(Anode)(300)의 굴절률과 같거나 상기 양극(Anode)(300)의 굴절률보다 클 수 있다. 상기 평탄화 부재(512)의 굴절률이 상기 양극(Anode)(300)의 굴절률보다 작으면 빛이 상기 양극(Anode)(300)과 상기 평탄화 부재(512)의 계면에서 반사되는 추가적인 도파모드(Mode)가 형성될 수 있기 때문이다.The refractive index of the flattening member 512 may be the same as or greater than the refractive index of the anode 300. If the refractive index of the planarization member 512 is smaller than the refractive index of the anode 300, an additional waveguide mode in which light is reflected at the interface between the anode 300 and the planarization member 512. This is because it can be formed.

상기 평탄화 부재(512)가 두껍게 형성되면 상기 평탄화 부재(512)로 인한 광흡수가 발생할 수 있으므로 상기 평탄화 부재(512)는 가능한 한 얇게 형성할 수 있다. 번 발명의 일 실시예에 따르면 상기 평탄화 부재는 400㎚의 두께로 증착될 수 있다.If the planarization member 512 is formed thick, light absorption may occur due to the planarization member 512, so the planarization member 512 can be formed as thin as possible. According to one embodiment of the present invention, the planarization member may be deposited to a thickness of 400 nm.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 투명 나노 구조체(511)의 높이에 따라 주름 형상의 높이도 달라질 수 있다. 도 3의 (a)는 스핀 코팅 속도를 1500 rpm, 도 3의 (b)는 스핀 코팅 속도를 1750 rpm, 도 3의 (c)는 스핀 코팅 속도를 2000 rpm 그리고 도 3의 (d)는 스핀 코팅 속도를 2500 rpm 으로 적용하여 형성한 상기 투명 나노 구조체(511)의 외부에 상기 평탄화 부재(512)를 증착한 형상일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the height of the wrinkle shape may also vary depending on the height of the transparent nanostructure 511. Figure 3(a) shows the spin coating speed at 1500 rpm, Figure 3(b) shows the spin coating speed at 1750 rpm, Figure 3(c) shows the spin coating speed at 2000 rpm, and Figure 3(d) shows the spin coating speed at 1750 rpm. The flattening member 512 may be deposited on the outside of the transparent nanostructure 511 formed by applying a coating speed of 2500 rpm.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광결정의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.Figure 4 is a diagram schematically showing the structure of a photonic crystal according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광결정체(400)는 가시광 영역의 광에 대해 공진 현상을 일으켜, 결과적으로 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 광학 구조일 수 있다. 상기 광결정체(400)의 높이 및 피치는 300nm 보다 같거나 크고 700nm보다 같거나 작을 수 있다. 상기 광결정체(400)는 일정 두께 이상에서는 평탄층을 필요로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 4, the photonic crystal 400 may be an optical structure that causes a resonance phenomenon with respect to light in the visible light region and consequently improves light extraction efficiency. The height and pitch of the photonic crystal 400 may be equal to or greater than 300 nm and equal to or smaller than 700 nm. The photonic crystal 400 may require a planarization layer above a certain thickness.

상기 광결정체(400)의 개구율(apertuare ratio, fill factor)은 물질, 광학 특성 (굴절율, 등) 및 소자 구조에 따라 다양하게 조절할 수 있다 (예: 5~95%). 상기 광결정체(400)는 홀 또는 기둥 등의 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 광결정체(400)는 사각형(rectangular) 또는 육각형(hexagonal)의 형상으로 배치될 수 있다.The aperture ratio (fill factor) of the photonic crystal 400 can be variously adjusted (e.g., 5 to 95%) depending on the material, optical properties (refractive index, etc.) and device structure. The photonic crystal 400 may be formed in a shape such as a hole or a pillar. Additionally, the photonic crystal 400 may be arranged in a rectangular or hexagonal shape.

내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층, 외부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자, 내부 광 추출용 광결정을 사용하여 내부 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 나노 산란 구조로 형성된 내부 산란층을 적용하여 내부 광 추출 효율 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 유기 발광층으로부터 발생한 청색광을 외부 양자점층을 통하여 적색광 및 녹색광으로 변환하여 유기발광소자 전체로는 백색광이 발생할 수 있어, 광결정을 통하여 특정 파장의 빛의 세기만을 증가시킨 유기발광소자도 백색광이 요구되는 조명기구에 활용할 수 있다. Internal light extraction efficiency can be improved by using an organic light-emitting device including a photonic crystal for internal light extraction, an internal scattering layer, an external scattering layer, and an external quantum dot layer, and a photonic crystal for internal light extraction, and an internal scattering layer formed with a nano-scattering structure. By applying , the effect of improving internal light extraction efficiency can be obtained. In addition, by converting the blue light generated from the organic light-emitting layer into red light and green light through the external quantum dot layer, white light can be generated throughout the organic light-emitting device, so white light is also required for organic light-emitting devices that only increase the intensity of light of a specific wavelength through photonic crystals. It can be used in lighting fixtures.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

100 : 유기 발광층
200 : 음극(Cathode)
300 : 양극(Anode)
400 : 광결정체
500 : 내부 산란층
510 : 내부 산란 구조막 511 : 투명 나노 구조체
512 : 평탄화 부재
600 : 기판층
700 : 외부 산란층
710 : 산란 입자체
800 : 외부 양자점층
810 : 양자점체 820 : 원시광 투과단
830 : 적색 양자점단 840 : 적색 양자점체
850 : 녹색 양자점단 860 : 녹색 양자점체
10 : 유기발광소자
100: organic light emitting layer
200: Cathode
300: Anode
400: Photonic crystal
500: internal scattering layer
510: Internal scattering structure film 511: Transparent nanostructure
512: Flattening member
600: substrate layer
700: external scattering layer
710: scattering particle body
800: External quantum dot layer
810: Quantum dot body 820: Raw light transmission end
830: Red quantum dot terminal 840: Red quantum dot body
850: green quantum dot terminal 860: green quantum dot body
10: Organic light emitting device

Claims (3)

전자 및 정공을 공급받아 특정 파장의 빛을 발생시키는 유기 발광층;
상기 유기 발광층의 상단에 형성되어 상기 유기 발광층에 전자를 공급하는 음극(Cathode);
상기 유기 발광층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에 정공을 공급하고 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 투과시키는 양극(Anode);
상기 양극(Anode) 하단의 특정 부분 영역에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 특정 파장 영역의 빛의 세기를 증가시켜 기판층으로 전달하는 광결정체;
상기 양극(Anode)의 하단 중 상기 광결정체가 형성된 특정 부분 영역의 나머지 영역에 형성되며 주름 구조의 내부 산란 구조막으로 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 기판층으로 전달하는 내부 산란층;
상기 광결정체 및 내부 산란층의 하단에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 외부 산란층으로 전달하는 기판층;
상기 기판층의 하단에 형성되며 복수의 산란 입자체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 산란시켜 외부 양자점층으로 전달하는 외부 산란층; 및
상기 외부 산란층의 하단에 형성되며 복수의 양자점(Quantum Dot)체를 분산된 형태로 구비하여 상기 유기 발광층에서 발생한 빛의 세기를 증가시켜 외부로 발광하는 외부 양자점층;을 포함하고,
상기 내부 산란 구조막은,
폴리머(Polymer) 조성물을 상기 기판층의 상단에 스핀 코팅(Spin Coating) 및 경화시킨 후 이온(Ion) 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성한 투명 나노(Nano) 구조체; 및
상기 투명 나노 구조체의 외부에 금속 산화물을 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착시켜 상기 투명 나노 구조체의 요철 구조를 평탄한 주름 구조로 변경시킨 평탄화 부재;를 포함하고,
상기 평탄화 부재의 굴절률은,
상기 양극(Anode)의 굴절률과 같거나 상기 양극(Anode)의 굴절률보다 크고,
상기 외부 양자점층은,
상기 외부 양자점층의 내측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 파장 변환 없이 외부로 투과시키는 원시광 투과단;
상기 외부 양자점층의 일측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 적색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 적색 양자점단; 및
상기 외부 양자점층의 타측에 형성되어 상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 녹색 파장 영역의 빛으로 변환하여 외부로 투과시키는 녹색 양자점단;을 포함하며,
상기 유기 발광층에서 발생한 빛을 상기 원시광 투과단, 적색 양자점단 및 녹색 양자점단을 통하여 백색광으로 변환하여 외부로 발광하는 것을 특징으로 하는 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자.
An organic light-emitting layer that receives electrons and holes to generate light of a specific wavelength;
A cathode formed on top of the organic light-emitting layer to supply electrons to the organic light-emitting layer;
An anode formed at the bottom of the organic light-emitting layer to supply holes to the organic light-emitting layer and transmit light generated from the organic light-emitting layer;
a photonic crystal formed in a specific region at the bottom of the anode to increase the intensity of light in a specific wavelength region generated in the organic light-emitting layer and transmit it to the substrate layer;
An internal scattering layer formed in the remaining area of the specific partial area at the bottom of the anode where the photonic crystal is formed and formed as a wrinkled internal scattering structure film to scatter light generated from the organic light emitting layer and transmit it to the substrate layer;
A substrate layer formed at the bottom of the photonic crystal and the internal scattering layer to transmit light generated from the organic light emitting layer to the external scattering layer;
an external scattering layer formed at the bottom of the substrate layer and having a plurality of scattering particles in a dispersed form to scatter light generated in the organic light-emitting layer and transmit it to an external quantum dot layer; and
An external quantum dot layer is formed at the bottom of the external scattering layer and has a plurality of quantum dots in a dispersed form to increase the intensity of light generated from the organic light-emitting layer and emit light to the outside.
The internal scattering structure film is,
A transparent nano structure formed by spin coating and curing a polymer composition on the top of the substrate layer and then etching it using an ion etching method to form a concavo-convex structure; and
It includes a flattening member that changes the uneven structure of the transparent nanostructure into a flat wrinkled structure by depositing metal oxide on the outside of the transparent nanostructure by sputtering,
The refractive index of the flattening member is,
The refractive index of the anode is equal to or greater than the refractive index of the anode,
The external quantum dot layer is,
A raw light transmission stage formed inside the external quantum dot layer to transmit light generated from the organic light-emitting layer to the outside without wavelength conversion;
Red quantum dots formed on one side of the external quantum dot layer to convert light generated from the organic light-emitting layer into light in a red wavelength region and transmit it to the outside; and
It includes a green quantum dot layer formed on the other side of the external quantum dot layer to convert light generated from the organic light-emitting layer into light in a green wavelength range and transmit it to the outside,
An organic light-emitting device comprising a photonic crystal for internal light extraction and an internal scattering layer, wherein the light generated in the organic light-emitting layer is converted into white light through the raw light transmission end, the red quantum dot end, and the green quantum dot end to emit light to the outside.
제1항에 있어서,
상기 내부 산란 구조막의 주름 구조와 동일한 형상의 주름 구조가 상기 유기 발광층과 양극(Anode)의 계면 및 상기 유기 발광층과 음극(Cathode)의 계면에 전사되어 형성된 것을 특징으로 하는 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자.
According to paragraph 1,
A photonic crystal for extracting internal light, and an interior, wherein a wrinkled structure having the same shape as the wrinkled structure of the internal scattering structure film is formed by transferring it to the interface between the organic light-emitting layer and the anode and the interface between the organic light-emitting layer and the cathode. An organic light emitting device including a scattering layer.
제1항에 있어서,
상기 폴리머 조성물은,
폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)를 포함하고,
상기 금속 산화물은,
ZnO을 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자.
According to paragraph 1,
The polymer composition is,
Contains polymethylmethacrylate (PMMA),
The metal oxide is,
An organic light-emitting device comprising a photonic crystal for internal light extraction and an internal scattering layer comprising ZnO.
KR1020210140352A 2021-10-20 2021-10-20 Oled having internal light extracting photonic crystal structure, internal light scattering layer, external light scattering layer and external quantum dot layer KR102587011B1 (en)

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