KR102558858B1

KR102558858B1 - 유기발광장치의 광추출기판 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR102558858B1
Application number: KR1020180060322A
Authority: KR
Inventors: 윤홍
Original assignee: 코닝 인코포레이티드
Priority date: 2018-05-28
Filing date: 2018-05-28
Publication date: 2023-07-21
Also published as: CN112204763A; EP3803994A1; US11690249B2; EP3803994B1; WO2019231841A1; US20210210732A1; KR20190135188A

Abstract

유기발광장치의 광추출기판은, 베이스기판(110), 상기 베이스기판(110) 상에 형성되고, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스기판(110)을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들(121a)이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층(121); 및 상기 광산란층(121) 상에 형성되고, 제2물질을 포함하는, 평탄층(123)을 포함할 수 있다. 상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6이고, 상기 광산란층(121)의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 상기 다수의 기공홀들(121a)의 직경은 350~450 nm이고, 상기 제1면의 면적에서 상기 다수의 기공홀들(121a)이 차지하는 면적의 비는 적어도 40%이고, 상기 평탄층(123)의 두께는 최대 200 nm일 수 있다.

Description

유기발광장치의 광추출기판 및 그 제조방법{LIGHT EXTRACTION SUBSTRATE OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 개시내용은 유기발광소자를 포함하는 유기발광장치의 광추출 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 획기적으로 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광장치의 광추출 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

유기발광소자를 포함하는 유기발광장치에서 발광된 빛은 여러 가지 이유로 유기발광장치 내에 갇히게 되어 유기발광장치의 발광 효율은 20~30%로 제한된다. 그 이유는 유기층/투명전극의 굴절률이 1.8~1.9로 주변 유리 베이스기판과 공기에 비해 굴절률이 높아 빛의 일부가 유기층 내에 갇히게 된다. 또한 금속 전극에서 'plasmon 도파' 현상이 발생하여 빛의 손실이 발생한다. 또한, 전반사 현상에 유리 베이스기판 내에 빛이 갇히게 되는 '기판 모드'가 발생하게 된다. 이러한 광 도파 현상을 극복하고 광추출 효율을 높일 수 있는 방법 중 하나는 투명 전극과 유리 베이스기판 사이에 빛을 산란시킬 수 있는 광추출층을 도입하는 것이다. 일반적으로 이러한 광추출층은 투명 기판과 유기발광소자 사이에 위치하여 내부 광추출층 (Internal Light Extraction Layer)라 명명된다.

종래의 광추출층은 내부에 수십 nm ~ 수 μm 크기의 기공 혹은 입자의 광산란체가 3차원으로 분포된 필름으로, 정밀한 설계가 필요하며, 제조면에서 여러 단계의 복잡한 공정을 거쳐야 한다. 종래의 광추출층은 광산란체가 3차원으로 분포되어 있거나 1차원 (Mono-layer)으로 분포되어 있을지라도 위치의 높낮이가 균일하지 않아 광산란의 효율이 떨어지며, 광추출 효율이 크게 개선되기에는 구조와 박막의 굴절률 측면에서 한계를 가지고 있다.

본 개시내용의 일 측면에 의하면, 베이스기판; 상기 베이스기판 상에 형성되고, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스 기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층; 및 상기 광산란층 상에 형성되고, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 포함하고, 상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6이고, 상기 광산란층의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 상기 다수의 기공홀들의 직경은 350~450 nm이고, 상기 제1면의 면적에서 상기 다수의 기공홀들이 차지하는 면적의 비는 적어도 40%이고, 상기 평탄층의 두께는 최대 200 nm인, 유기발광장치의 광추출기판을 제공한다.

본 개시내용의 다른 측면에 의하면, 베이스기판; 상기 베이스기판 상에 형성되고, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스 기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층; 및 상기 광산란층 상에 형성되고, 제2물질을 포함하는, 평탄층과, 상기 평탄층 상에 형성되는 아노드 전극층과, 상기 아노드 전극층 상에 형성되는 유기층과, 상기 유기층 상에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하고, 상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6이고, 상기 광산란층의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 상기 다수의 기공홀들의 직경은 350~450 nm이고, 상기 제1면의 면적에서 상기 다수의 기공홀들이 차지하는 면적의 비는 적어도 40%이고, 상기 평탄층의 두께는 최대 200 nm인, 유기발광장치를 제공한다.

본 개시내용의 또 다른 측면에 의하면, 베이스기판 상에, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층을 형성하는 것과, 지지체 상에, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 형성하는 것과, 상기 평탄층을 상기 광산란층에 접합하는 것과, 상기 지지체를 상기 평탄층으로부터 제거하는 것을 포함하는, 유기발광장치의 광추출기판 제조방법을 제공한다.

본 개시내용의 또 다른 측면에 따르면, 지지체 상에, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 형성하는 것과, 상기 평탄층 상에, 제1물질을 포함하고, 상기 평탄층을 대향하는 제2면과 상기 제2면과 반대되는 제1면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층을 형성하는 것과, 상기 광산란층에 베이스기판을 접합하는 것과, 상기 지지체를 상기 평탄층으로부터 제거하는 것을 포함하는, 유기발광장치의 광추출기판 제조방법을 제공한다.

본 개시내용은 광산란체(기공)의 분포, 광추출층 (Matrix)의 굴절률 및 두께 등을 최적화 함으로써 유기발광장치의 성능을 획기적으로 개선할 수 있다.

본 개시내용은 기공 광산란체가 삽입된 초박(Ultra-thin)의 고효율 광추출층을 제공할 수 있다.

도 1은 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기발광장치의 광산란층의 제1면을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 개시 내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광산란층의 제1면을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 유기발광장치의 광추출층의 굴절률과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1의 유기발광장치의 기공홀의 직경과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 1의 유기발광장치의 광산란층의 두께 방향을 따른 기공홀의 길이와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 1의 유기발광장치의 기공홀의 면적비와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 1의 유기발광장치의 평탄층의 두께와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출기판의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 유기발광장치의 평탄층의 굴절률과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출 기판의 제조 방법을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출 기판의 제조방법을 개략적으로 보여주는 도면이다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 개시내용을 상세히 설명한다.

도 1은 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기발광장치의 광산란층(121)의 제1면을 보여주는 도면이다.

본 개시내용은 유기발광장치의 발광 효율을 높이는 것과 관련된다. 유기발광장치는, 디스플레이 장치, 조명 장치 등으로 사용될 수 있다.

어떠한 실시예들의 유기발광장치들은 도 1에 도시한 바와 같이, 광추출기판(100)과 유기발광소자(200)를 포함할 수 있다.

유기발광소자(200)는, 발광층을 포함한 유기층(220)이 아노드 전극층(210)과 캐소드 전극층(230) 사이에 위치해 있을 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 유기층(220)은 수백 nm 두께를 가질 수 있다. 아노드 전극층(210)은 투명할 수 있다. 어떠한 실시예들에서 아노드 전극층(210)은 ITO와 같은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 캐소드 전극층(230)은 알루미늄, 은 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 두 전극층을 통해 전류를 주입하면 유기층(220) 내의 발광층에서 전자와 정공이 만나 빛을 발산하게 된다.

광추출기판(100)은 베이스기판(110)과 베이스기판(110) 상에 형성되는 광추출층(120)을 포함할 수 있다. 광추출층(120)은 베이스기판(110) 상에 형성되는 광산란층(121)과 광산란층(121) 상에 형성되는 평탄층(123)을 포함할 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서는, 광추출층(120)의 두께 즉, 광산란층(121)과 평탄층(123)의 합산 두께가 최대 1㎛ 일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 베이스기판(110)은 글라스 기판 또는 폴리머 기판 (PI, PMMA, PET 등)일 수 있다. 광산란층(121)은 제1물질을 포함할 수 있다. 광산란층(121)은 베이스기판(110)을 대향하는 제1면과 제1면과 반대되는 제2면을 포함할 수 있다. 광산란층(121)에는 다수의 기공홀들(121a)이 제1면과 제2면 사이에 연장되게 형성될 수 있다. 따라서, 다수의 기공홀들(121a)의 mono-layer가 광산란층(121) 내에 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 다수의 기공홀들(121a)의 높이는 실질적으로 동일하지만, 어떠한 다른 실시예들에서, 다수의 기공홀들(121a)의 높이는 서로 다를 수 있다 (즉, 제2면은 평탄면이 아닐 수 있다). 어떠한 실시예들에서는, 기공홀들(121a)은 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 원기둥의 형상을 가지나, 어떠한 대체 실시예들에서는 구의 형상 또는 타원 단면을 갖는 형상 등 원기둥이 아닌 다른 형상을 가질 수 있다. 여기서, 타원 단면은 제1면과 수평한 단면일 수도 있고, 제1면과 수직한 단면일 수도 있고, 제1면과 소정의 각도를 갖는 단면일 수도 있다. 또한, 어떠한 실시예들에서 기공홀들(121a)은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서 기공홀들(121a)는 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 일부 기공홀들(121a)은 원기둥 형상을 갖고, 다른 기공홀들(121a)은 원기둥이 아닌 다른 형상을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 다수의 기공홀들(121a)은 제1면에서 돗트 패턴을 형성할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 돗트 패턴의 돗트들은 도 2에 도시한 바와 같이 주기적으로 배열될 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 비주기적(random)으로 배열될 수도 있다. 평탄층(123)은 제2물질을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 제1물질과 제2물질은 도 1에 도시한 바와 같이 동일 물질일 수 있다. 그러나, 어떠한 대체 실시예들에서는, 도 9에 도시한 바와 같이, 서로 다른 물질일 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 제1물질과 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1물질과 제2물질은 i) SiO2, ii) AlON, iii) SiON, iv) TiO2, v) Al2O3, vi) ZnO, viii) ZrO2, ix) SiO2, AlON, SiON, TiO2, Al2O3, ZnO 및 ZrO2 중 적어도 하나와 폴리머의 복합재료(composite) (oxide-polymer hydrid 물질) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

유기층(220)에서 발산된 빛은 아노드 전극층(210)과 광추출기판(100)을 통하여 출광하게 된다. 이러한 방식의 유기발광장치를 Bottom-emitting 유기발광장치라 하나, 본 개시내용의 반드시 Bottom-emitting 유기발광장치에 한정되는 것은 아니다.

도 4는 도 1의 유기발광장치의 광추출층(120)의 굴절률과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.

광산란층(121)과 평탄층(123)이 동일 물질로 형성되는 광추출층(120)에서, 놀랍게도 2.0~2.6의 굴절률을 갖는 물질로 광추출층(120)을 제작하여, 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.

이를 확인하기 위하여, 도 1의 유기발광장치에 대하여 광학 시뮬레이션을 수행하여 그 결과를 도 4의 그래프와 같이 얻었다. 기공홀들(121a)은 Nano-imprint 기술을 이용하여 구현하였다. 계산 방법은 Finite Difference Time Domain (FDTD) 파동 광학 수치해석법을 사용하였다. 동 시뮬레이션에서 최적 굴절률로 평가되는 굴절률 2.1 정도에서 2.5배의 최고 효율을 얻을 수 있었으며, 굴절률이 2.0~2.6일 경우 최소 2.3배의 효율을 얻을 수 있었다. 동 시뮬레이션에서 굴절률 2.1이 최적의 굴절률인 이유는 아노드 전극층(210) 및 유기층(220)의 굴절률이 1.8~1.9의 수준을 가지므로, 광추출층(120)이 이들 층들과 굴절률 matching을 이루어, 도파 모드에 의한 광손실을 감소시키기 때문이다.

도 5는 도 1의 유기발광장치의 기공홀들(121a)의 직경과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이고, 도 6은 도 1의 유기발광장치의 상기 광산란층의 두께 방향을 따른 기공홀들(121a)의 길이와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.

도 1의 광추출층(120)에서, 놀랍게도 광산란층(121)의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 직경이 400 ± 50 nm이 되도록 기공홀들(121a)을 제작하여, 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 놀랍게도 상기 광산란층의 두께 방향을 따른 길이가 400± 100 nm이 되도록 기공홀들(121a)을 제작하여, 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.

이를 확인하기 위하여, 시뮬레이션을 수해하여 도 5 및 도 6와 같은 결과 그래프를 얻었다. 동 시뮬레이션에서 직경과 길이는 모두 400 nm 에서 최적 효율을 보였다. 광추출 효율은 기공홀들(121a)의 길이보다 직경에 더 민감하게 영향을 받음을 알 수 있었다.

도 7은 도 1의 유기발광장치의 기공홀들(121a)의 면적비와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.

제1면의 면적에서 기공홀들(121a)이 차지하는 면적의 비가 증가하면, 광산란 확률이 증가하여 광추출 효율이 증가한다. 최적 면적비는 적어도 40%이었다.

도 8은 도 1의 유기발광장치의 평탄층(123)의 두께와 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.

평탄층(123)의 두께가 얇을수록 광도파 모드의 산란 확률이 증가하여 광추출 효율이 증가한다. 두께가 최대 200nm인 평탄층(123)에서 우수한 광추출 효율을 얻을 수 있었다. 200 nm 의 평탄층(123) 두께는 Nano-imprint 기술로 충분히 구현 가능한 수준이다. 광추출층(120)의 굴절률을 변화시켜도, 동일한 trend를 보이므로, 광산란체인 기공홀들(121a)과 유기발광소자(200)의 물리적인 거리가 광추출 효율에 중요한 영향을 미침을 알 수가 있다.

도 9는 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출기판(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.

어떠한 실시예들에서는, 도 9에 도시한 바와 같이, 광산란층(121)과 평탄층(123)은 다른 물질로 이루어질 수 있다.

도 10은 도 9의 유기발광장치의 평탄층(123)의 굴절률과 광추출 효율의 관계를 보여주는 그래프이다.

도 10은 제1물질의 굴절률을 2.1로 고정하고, 제2물질의 굴절률을 변화시켜가며 광추출 효율의 변화를 모델링한 결과이다. 시뮬레이션한 결과, 제2물질의 굴절률이 1.8 이상일 경우 효율의 큰 변화가 없음을 보여준다. 그러나, 평탄층(123)의 두께가 200nm로 얇음에도 평탄층(123)의 굴절률이 유리 베이스기판(110)의 굴절률과 유사한 1.5 수준으로 떨어질 경우 광추출 효율이 급격히 떨어짐을 알 수 있었다. 그 이유는 평탄층(123)이 유기발광소자(200)와 굴절률 matching 조건을 만족시키지 못해 빛이 유기층(220)에서 도파되기 때문이다.

도 11은 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출기판(100)의 제조 방법을 개략적으로 보여주는 도면이다.

본 개시내용의 실시예들의 광추출층(120)은 성숙된 나노 패턴 공정법을 사용할 수 있으며, 우수한 신뢰성을 제공할 수 있다.

어떠한 실시예들의 광추출기판(100) 제조 방법에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 먼저 베이스기판(110)에 제1물질의 층을 형성하고, 다수의 기공홀들(121a)을 나노 임프린팅하여 광산란층(121)을 얻는다. 한편, 지지체(300) 상에 제2물질의 평탄층(123)을 형성한다. 그리고 나서, 광산란층(121) 상에 평탄층(123)을 접합한다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 열을 가하여 광산란층(121) 상에 평탄층(123)을 화학적 접합(chemical bonding)할 수 있다. 그리고 나서, 지지체(300)를 평탄층(123)으로부터 제거한다.

도 12는 본 개시내용의 일 실시예들의 유기발광장치의 광추출기판(100)의 제조방법을 개략적으로 보여주는 도면이다.

어떠한 실시예들의 광추출기판(100) 제조 방법에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 먼저 지지체(300) 상에 제2물질의 평탄층(123)을 형성한다. 그리고 나서, 평탄층(123) 상에 제1물질의 층을 형성한 뒤 다수의 기공홀들(121a)을 나노 임프린팅한다. 그리고 나서, 광산란층(121) 상에 베이스기판(110)을 접합한다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 열을 가하여 광산란층(121) 상에 베이스기판(110)을 화학적 접합(chemical bonding)할 수 있다. 그리고 나서, 평탄층(123)으로부터 지지체(300)를 제거한다.

제1물질 및 제2물질이 동일 물질일 때에는, 지지체(300) 상에 제1물질 (제2물질)의 층을 형성한 뒤, 그 제1 물질의 층의 일부 두께의 깊이로 기공홀들(121a)을 나노 임프린팅하여 광추출층(120)을 형성할 수 있다.

Claims

베이스기판;
상기 베이스기판 상에 형성되고, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스 기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층; 및
상기 광산란층 상에 형성되고, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 포함하고,
상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6이고,
상기 광산란층의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 상기 다수의 기공홀들의 직경은 350~450 nm이고,
상기 제1면의 면적에서 상기 다수의 기공홀들이 차지하는 면적의 비는 적어도 40%이고,
상기 평탄층의 두께는 최대 200 nm인,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 광산란층의 두께 방향을 따른 상기 다수의 기공홀들의 길이는 300~500 nm인,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 광산란층 및 상기 평탄층의 합산 두께는 최대 1㎛인,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 다수의 기공홀들은 원기둥 형상, 구의 형상, 또는 타원 단면을 갖는 형상을 갖는,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 동일 물질 또는 다른 물질인,
유기발광장치의 광추출기판.
제5항에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 동일 물질이고,
상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 2.0~2.6인,
유기발광장치의 광추출기판.
제5항에 있어서,
상기 제1물질과 상기 제2물질은 다른 물질이고,
상기 제2물질의 굴절률은 적어도 1.8인,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 다수의 기공홀들은 상기 제1면에서 돗트 패턴을 형성하는,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 베이스기판은 글라스 기판 또는 폴리머 기판인,
유기발광장치의 광추출기판.
제1항에 있어서,
상기 제1물질 및 상기 제2물질은 SiO2, AlON, SiON, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 및 SiO2, AlON, SiON, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 중 적어도 하나와 폴리머의 복합재료 중 적어도 하나를 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판.
베이스기판;
상기 베이스기판 상에 형성되고, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스 기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되게 형성되는, 광산란층; 및
상기 광산란층 상에 형성되고, 제2물질을 포함하는, 평탄층과,
상기 평탄층 상에 형성되는 아노드 전극층과,
상기 아노드 전극층 상에 형성되는 유기층과,
상기 유기층 상에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하고,
상기 제1물질과 상기 제2물질의 굴절률은 1.8~2.6이고,
상기 광산란층의 두께 방향과 수직인 평면 상에서 측정되는 상기 다수의 기공홀들의 직경은 350~450 nm이고,
상기 제1면의 면적에서 상기 다수의 기공홀들이 차지하는 면적의 비는 적어도 40%이고,
상기 평탄층의 두께는 최대 200 nm인,
유기발광장치.
베이스기판 상에, 제1물질을 포함하고, 상기 베이스기판을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면에 형성되고 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되는, 광산란층을 형성하는 것과,
지지체 상에, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 형성하는 것과,
상기 평탄층을 상기 광산란층에 접합하는 것과,
상기 지지체를 상기 평탄층으로부터 제거하는 것을 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
제12항에 있어서,
상기 광산란층을 형성하는 것은, 상기 광산란층에 상기 다수의 기공홀들을 나노 임프린팅하는 것을 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
지지체 상에, 제2물질을 포함하는, 평탄층을 형성하는 것과,
상기 평탄층 상에, 제1물질을 포함하고, 상기 평탄층을 대향하는 제2면과 상기 제2면과 반대되는 제1면을 포함하고, 다수의 기공홀들이 상기 제1면에 형성되고 상기 제1면과 상기 제2면의 사이에 연장되는, 광산란층을 형성하는 것과,
상기 광산란층에 베이스기판을 접합하는 것과,
상기 지지체를 상기 평탄층으로부터 제거하는 것을 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
제14항에 있어서,
상기 광산란층을 형성하는 것은, 상기 광산란층에 상기 다수의 기공홀들을 나노 임프린팅하는 것을 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 다수의 기공홀들의 각각은 상기 제1면과 상기 제2면의 사이의 전체 거리에 연장되는,
유기발광장치의 광추출기판.
제12항에 있어서,
상기 다수의 기공홀들의 각각은 상기 제1면과 상기 제2면의 사이의 전체 거리에 연장되는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.