KR102557751B1 - Single polarity dynamic logic circuit - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 입력 받는 제1스테이지, 상기 제2클락 신호 및 제3클락 신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지, 상기 제3클락 신호, 상기 제1클락 신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지를 포함하며, 상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3클락 신호는 3분할 되어 각각 서로 다른 범위 위상 신호를 포함하는 위상 신호일 수 있다.A single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment includes a first stage receiving a first clock signal, a second clock signal, and an input signal, a second stage receiving the second clock signal, the third clock signal, and an output signal of the first stage, and a third stage receiving the third clock signal, the first clock signal, and the output signal of the second stage, wherein the first clock signal, the second clock signal, and the third clock signal are 3 minutes It may be a phase signal including phase signals of different ranges.
Description
본 발명은 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 다이나믹 로직 회로에 입력되는 신호의 종류를 다르게 하여 다이나믹 로직 회로의 출력단에서 발생되는 전압의 레이싱(racing) 문제를 해결할 수 있는 기술에 관한 발명이다.The present invention relates to a single-polarity dynamic logic circuit, and more particularly, to a technique capable of solving a voltage racing problem generated at an output terminal of a dynamic logic circuit by differentiating the type of signal input to the dynamic logic circuit.
모바일(mobile) CPU에 대한 고속 동작 성능 요구가 점점 증가함에 따라, CPU 내에서 논리 연산을 하기 위해 채용되는 논리 게이트(logic gate)에 대한 중요성이 점점 커지고 있다.As the demand for high-speed operation performance of mobile CPUs gradually increases, the importance of logic gates employed to perform logic operations within the CPU is gradually increasing.
로직 회로는 일반적으로CMOS(complementary metal-oxide semiconductor)에서 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)와 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)를 같이 사용하여 구현되는데, NMOS 또는 PMOS만 사용하는 단일 극성을 이용하여 로직 회로를 구현하는 경우, 일반적으로 정적 로직 회로(static logic circuit)로 구현되며, 스태틱 로직 회로라 지칭되기도 한다. A logic circuit is generally implemented using both a P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) and an N-channel metal oxide semiconductor (NMOS) in a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS). When a logic circuit is implemented using a single polarity using only NMOS or PMOS, it is generally implemented as a static logic circuit, which is also referred to as a static logic circuit.
구체적으로, 정적 로직 회로는 MOS 게이트에서 보통의 바이폴라 IC 게이트와 같은 정적인 동작을 할 수 있는 회로로서, 스태틱 논리 게이트를 이용한 전형적인 회로 설계 방식에서는 노이즈 저항성이 큰 안정적인 회로가 구현될 수 있고 STA(static timing analysis) 또한 비교적 쉽게 수행될 수 있다. 그러나, 1 스테이지(stage)에서 받을 수 있는 입력의 개수가 수개 이하로 제한이 되고, 회로 내의 스텍(stack) 수의 증가로 인해 전체 동작 속도가 느려지는 단점이 존재한다.Specifically, a static logic circuit is a circuit that can perform a static operation like a normal bipolar IC gate in a MOS gate. In a typical circuit design method using a static logic gate, a stable circuit with high noise resistance can be implemented, and static timing analysis (STA) can also be performed relatively easily. However, there are disadvantages in that the number of inputs that can be received in one stage is limited to several or less, and the overall operation speed is slowed down due to the increase in the number of stacks in the circuit.
또한, 정적 로직 회로를 구현함에 있어서, NMOS 또는 PMOS만 사용하는 단일 극성(uni-polar) 로직 회로를 구현하는 경우, pull-up 트랜지스터가 다이오드 커넥션(diode-connection)이 되기 때문에 정전류(static current)가 발생하며, 전류의 동적 범위(dynamic range)가 좁고, 회로 면적이 크다는 단점이 존재한다. In addition, in implementing a static logic circuit, in the case of implementing a uni-polar logic circuit using only NMOS or PMOS, static current is generated because the pull-up transistor is a diode-connection, the dynamic range of the current is narrow, and the circuit area is large.
이러한 단점을 해결하기 위해, 다이나믹 로직 회로가 제안되고 있는데, 다이나믹 로직 회로(dynamic logic circuit)는 데이터의 흐름을 단 하나로 명시하는 것이 아니라 논리 자체를 매개 변수처럼 필요할 때마다 변형하여 적용할 수 있는, 논리 자체를 매개체로 사용하는 회로로서, 일반적으로 MOS디바이스의 고유의 게이트 커패시턴스를 이용하여 클록을 써서 표본화 동작을 하도록 구현된다. In order to solve these disadvantages, a dynamic logic circuit has been proposed. A dynamic logic circuit is a circuit that uses logic itself as a medium, in which the logic itself can be modified and applied whenever necessary as a parameter, rather than specifying the flow of data as a single one. It is generally implemented to perform a sampling operation using a clock using the gate capacitance inherent in the MOS device.
한편, 다이나믹 논리 게이트를 이용한 회로 설계 방식 중에서, 동작 속도의 개선을 위해 일반적으로 많이 사용되는 도미노 게이트(domino gate) 형태의 다이나믹 로직 게이트는, 리키지(leakage)나 입력 노이즈(input noise)에 취약한 문제점이 존재하며, 도미노 게이트를 구현하기 위하여 기존의 구조를 사용하면, 출력단의 전압이 하이(High)를 유지해야 하는 구간에 하이를 유지하지 못하고, 로우로 떨어지는 레이싱(racing) 현상이 발생하여 복잡한 논리 게이팅을 수행할 수 없기 때문에 고속으로 논리 게이팅을 수행할 수 있는 디지털 논리 회로가 요구되고 있다. On the other hand, among circuit design methods using dynamic logic gates, dynamic logic gates in the form of domino gates, which are commonly used to improve operating speed, are vulnerable to leakage or input noise. When an existing structure is used to implement a domino gate, the voltage at the output stage cannot remain high in a section where it must remain high, and a racing phenomenon occurs, resulting in complex logic gating. Therefore, a digital logic circuit capable of performing logic gating at high speed is required.
일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는 상기 설명한 문제점을 해결하기 위해 고안된 발명으로서, 디지털 논리 회로를 설계함에 있어서, 출력단의 전압이 설계한 바와 같이 안정적으로 출력될 수 있는 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 제공해주는데 그 목적이 있다.A single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment is an invention designed to solve the above-described problems, and in designing a digital logic circuit, a single polarity dynamic logic circuit in which the voltage of the output terminal can be stably output as designed. Its purpose is to provide.
보다 구체적으로, 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는 클락 신호를 구성함에 있어서 종래 기술과 다르게, 홀드 위상(hold phase) 역할을 할 수 있는 클락 신호로 입력 신호로 추가함으로써, 이전 스테이지의 연산이 다음 스테이지의 연산에 미치지 않도록 하여 종래 기술에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에서 발생되는 출력단 전압의 레이싱 현상 문제를 해결한 로직 회로를 제공하는데 그 목적이 있다. More specifically, the single-polarity dynamic logic circuit according to an embodiment, unlike the prior art, in configuring a clock signal, adds a clock signal that can serve as a hold phase as an input signal, so that the operation of the previous stage does not reach the operation of the next stage. Its purpose is to provide a logic circuit that solves the problem of racing of the output stage voltage generated in the single-polarity dynamic logic circuit according to the prior art.
일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 입력 받는 제1스테이지, 상기 제2클락 신호 및 제3클락 신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지, 상기 제3클락 신호, 상기 제1클락 신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지를 포함하며, 상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3클락 신호는 3분할 되어 각각 서로 다른 범위 위상 신호를 포함하는 위상 신호일 수 있다. A single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment includes a first stage receiving a first clock signal, a second clock signal, and an input signal, a second stage receiving the second clock signal, the third clock signal, and an output signal of the first stage, and a third stage receiving the third clock signal, the first clock signal, and the output signal of the second stage, wherein the first clock signal, the second clock signal, and the third clock signal are 3 minutes It may be a phase signal including phase signals of different ranges.
상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제4스테이지를 더 포함할 수 있다.A fourth stage receiving the first clock signal, the second clock signal, and the output signal of the third stage may be further included.
상기 제1클락 신호의 위상 범위는 0도 내지 120도의 범위를 포함하고,The phase range of the first clock signal includes a range of 0 degrees to 120 degrees,
상기 제2클락 신호의 위상 범위는 120도 내지 240도의 범위를 포함하고, 상기 제3클락 신호의 위상 범위는 240도 내지 360도의 범위를 포함할 수 있다.The phase range of the second clock signal may include a range of 120 degrees to 240 degrees, and the phase range of the third clock signal may include a range of 240 degrees to 360 degrees.
상기 제1스테이지가 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 홀드 위상(hold phase) 단계에 있을 수 있다.When the first stage is in an evaluation phase, the second stage may be in a pre-charge phase, and the third stage may be in a hold phase.
상기 제1스테이지가 위상 신호가 홀드 위상(hold phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있을 수 있다.When the phase signal of the first stage is in a hold phase, the second stage is in an evaluation phase, and the third stage is in a pre-charge phase. It may be in a phase.
상기 제1스테이지가 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 홀드 위상(hold phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있을 수 있다.When the first stage is in a pre-charge phase, the second stage may be in a hold phase, and the third stage may be in an evaluation phase.
상기 제1스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 제1다이나믹 노드를 프리차지(pre-charge)하는 제1트랜지스터를 포함하고, 상기 제2스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 제2다이나믹 노드를 프리차지하는 제2트랜지스터를 포함하며, 상기 제3스테이지는, 상기 제3클락 신호에 응답하여 제3다이나믹 노드를 프리차지하는 제3트랜지스터를 포함하고, 상기 제4스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 제4다이나믹 노드를 프리차지하는 제4트랜지스터를 포함할 수 있다. The first stage includes a first transistor that pre-charges a first dynamic node in response to the first clock signal, the second stage includes a second transistor that pre-charges a second dynamic node in response to the second clock signal, the third stage includes a third transistor that pre-charges a third dynamic node in response to the third clock signal, and the fourth stage includes , a fourth transistor for precharging a fourth dynamic node in response to the first clock signal.
상기 제1스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제5트랜지스터를 포함하고, 상기 제2스테이지는, 상기 제3클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제6트랜지스터를 포함하며, 상기 제3스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제7트랜지스터를 포함하고, 상기 제4스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행할 수 있다. The first stage includes a fifth transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the second clock signal, the second stage includes a sixth transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the third clock signal, and the third stage includes a seventh transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the first clock signal , The fourth stage may perform an evaluation operation or a hold operation in response to the second clock signal.
상기 제1스테이지는, 입력 데이터를 포함하는 입력 신호를 입력 받는 제9트랜지스터를 포함하고, 상기 제2스테이지는, 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제10트랜지스터를 포함하며, 상기 제3스테이지는, 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제11트랜지스터를 포함하고, 상기 제4스테이지는, 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제12트랜지스터를 포함할 수 있다. The first stage may include a ninth transistor that receives an input signal including input data, the second stage may include a tenth transistor that receives an output signal of the first stage, the third stage may include an eleventh transistor that receives an output signal of the second stage, and the fourth stage may include a twelfth transistor that receives an output signal of the third stage.
상기 제1스테이지, 상기 제2스테이지, 상기 제3스테이지 및 상기 제4스테이지는 각각 인버터(Invertor)로 구현될 수 있다.Each of the first stage, the second stage, the third stage, and the fourth stage may be implemented as an inverter.
다른 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 제1PC 신호, 제1 EV신호 및 입력 신호를 입력 받는 제1스테이지, 제2PC 신호, 제2 EV신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지, 제3PC 신호, 제3 EV신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지 및 제4PC 신호, 제4 EV신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제4스테이지를 포함하고,상기 제1PC 신호와 상기 제1EV 신호는 서로 반대 위상을 가지고, 상기 제2PC 신호와 상기 제2EV 신호는 서로 반대 위상을 가지며, 상기 제3PC 신호와 상기 제3EV 신호는 서로 반대 위상을 가지고, 상기 제4PC 신호와 상기 제4EV 신호는 서로 반대 위상을 가질 수 있다.A single polarity dynamic logic circuit according to another embodiment includes a first stage receiving a first PC signal, a first EV signal and an input signal, a second stage receiving a second PC signal, a second EV signal and an output signal of the first stage, a third stage receiving a third PC signal, a third EV signal and an output signal of the second stage, and a fourth stage receiving a fourth PC signal, a fourth EV signal and an output signal of the third stage, and The 1 EV signal may have opposite phases to each other, the 2 PC signal and the 2 EV signal may have opposite phases to each other, the 3 PC signal and the 3 EV signal may have opposite phases to each other, and the 4 PC signal and the 4 EV signal may have opposite phases to each other.
상기 제2PC 신호 내지 상기 제4PC 신호는 상기 제1PC 신호를 기준으로 미리 설정된 위상 만큼 순차적으로 딜레이(delay) 된 신호를 가지고, 상기 제2EV 신호 내지 상기 제4EV 신호는 상기 제1PC 신호를 기준으로 미리 설정된 위상 만큼 순차적으로 딜레이(delay) 된 신호를 가질 수 있다.The 2PC signal to the 4PC signal may have signals sequentially delayed by a preset phase based on the 1PC signal, and the 2EV signal to 4EV signals may have signals sequentially delayed by a preset phase based on the 1PC signal.
다른 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 입력 받는 제1스테이지, 상기 제2클락 신호 및 제3클락 신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지, 상기 제3클락 신호, 상기 제1클락 신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지 및 상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제4스테이지를 포함하고, 상기 제1스테이지는 제1인버터 및 제2인버터가 병렬 연결되어 있으며, 상기 제4스테이지는 제3인버터로 구현되는, 상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3클락 신호는 3분할 되어 각각 서로 다른 범위 위상 신호를 포함할 수 있다.A single polarity dynamic logic circuit according to another embodiment includes a first stage receiving a first clock signal, a second clock signal, and an input signal, a second stage receiving the second clock signal, the third clock signal, and the output signal of the first stage, a third stage receiving the third clock signal, the first clock signal, and the output signal of the second stage, and a stage receiving the first clock signal, the second clock signal, and the output signal of the third stage. The first clock signal, the second clock signal, and the third clock signal may include 4 stages, wherein the first stage includes a first inverter and a second inverter connected in parallel, and the fourth stage is implemented as a third inverter.
상기 제2스테이지는 NAND 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 NOR 게이트로 구현되거나, 상기 제2스테이지는 NOR 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 NOR 게이트로 구현될 수 있다.The second stage may be implemented with NAND gates and the third stage may be implemented with NOR gates, or the second stage may be implemented with NOR gates and the third stage may be implemented with NOR gates.
상기 제2스테이지는 제1NAND 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 제2NAND 게이트로 구현되거나, 상기 제2스테이지는 제1NOR 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 제2NOR 게이트로 구현될 수 있다.The second stage may be implemented with a first NAND gate and the third stage may be implemented with a second NAND gate, or the second stage may be implemented with a first NOR gate and the third stage may be implemented with a second NOR gate.
일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 종래 기술과 다르게 홀드 역할을 해줄 수 있는 제3클락 신호가 입력 신호로 추가로 활용되기 때문에, 각각의 스테이지가 동일한 위상에서 연산을 수행하는 문제를 방지할 수 있어, 회로가 안정적으로 구동할 수 있는 장점이 존재한다.In the single-polarity dynamic logic circuit according to an embodiment, since the third clock signal, which can serve as a hold unlike in the prior art, is additionally utilized as an input signal, the problem of each stage performing an operation in the same phase can be prevented, and the circuit can be stably driven.
그리고 이에 따라, [N-1]단의 스테이지의 연산결과가 [N]단의 스테이지의 연산 결과에 영향을 주지 않게 되어, 종래 기술에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에서 필연적으로 발생되었던 출력단 전압의 레이싱(racing) 문제를 방지할 수 있는 효과가 존재한다. And, accordingly, the calculation result of the [N-1] stage does not affect the calculation result of the [N] stage, so there is an effect of preventing the racing problem of the output stage voltage, which inevitably occurred in the single polarity dynamic logic circuit according to the prior art.
도 1의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 구성 요소를 도시한 회로도이며, 도 1의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력되는 클락 신호들의 파형을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력될 수 있는 클락 신호들의 여러 실시예를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 작동 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 4의 (a)는 종래 기술에 따라 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이고, 도 4의 (b)는 본 발명에 따라, 제1클락 신호, 제2클락 신호, 제3클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 구성 요소들 도시한 회로도이다.
도 6은 도 5에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력되는 신호들에 대한 파형을 도시한 도면이다.
도 7과 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 NAND게이트를 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 9와 도10은 본 발명의 다른 실시예에 따라 NOR게이트를 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 11과 도12는 본 발명의 다른 실시예에 따라 NAND 게이트 및 NOR게이트를 순차적으로 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 13과 도14는 본 발명의 다른 실시예에 따라 NOR 게이트 및 NAND게이트를 순차적으로 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다.1(a) is a circuit diagram showing components of a single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a diagram showing waveforms of clock signals input to a single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating several embodiments of clock signals that may be input to the single polarity dynamic logic circuit of the present invention.
3 is a diagram for explaining an operation flow of a single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 (a) is a diagram showing output waveforms when a single polarity dynamic logic circuit is implemented based on a first clock signal, a second clock signal and an input signal according to the prior art, and FIG.
5 is a circuit diagram illustrating components of a single polarity dynamic logic circuit according to another embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating waveforms of signals input to the single-polarity dynamic logic circuit of FIG. 5 .
7 and 8 are diagrams showing a circuit diagram of a single-polarity dynamic logic circuit implemented using a NAND gate according to another embodiment of the present invention, an operation process accordingly, and measurement experiment results.
9 and 10 are diagrams showing a circuit diagram of a single polarity dynamic logic circuit implemented using a NOR gate according to another embodiment of the present invention, and calculation processes and measurement experiment results accordingly.
11 and 12 are diagrams showing a circuit diagram of a single polarity dynamic logic circuit implemented by sequentially using a NAND gate and a NOR gate according to another embodiment of the present invention, and an operation process and measurement experiment results accordingly.
13 and 14 are diagrams showing a circuit diagram of a single-polarity dynamic logic circuit implemented by sequentially using a NOR gate and a NAND gate according to another embodiment of the present invention, and calculation processes and measurement experiment results accordingly.
이하, 본 발명에 따른 실시 예들은 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 실시 예들을 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing an embodiment of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function hinders understanding of the embodiment of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, embodiments of the present invention will be described below, but the technical idea of the present invention is not limited or limited thereto and can be modified and implemented in various ways by those skilled in the art.
또한, 본 명세서에서 사용한 용어는 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 개시된 발명을 제한 및/또는 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In addition, terms used in this specification are used to describe embodiments, and are not intended to limit and/or limit the disclosed invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.In this specification, terms such as "comprise", "comprise" or "have" are intended to specify that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but does not preclude the existence or addition of one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함하며, 본 명세서에서 사용한 "제 1", "제 2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. In addition, throughout the specification, when a part is said to be “connected” to another part, this includes not only the case where it is “directly connected” but also the case where it is “indirectly connected” with another element interposed therebetween, and terms including ordinal numbers such as “first” and “second” used herein may be used to describe various components, but the components are not limited by these terms.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
도 1의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 구성 요소를 도시한 회로도이며, 도 1의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력되는 클락 신호들의 파형을 도시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력될 수 있는 클락 신호들의 여러 실시예를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 작동 흐름을 설명하기 위한 도면이고, 도 4의 (a)는 종래 기술에 따라 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이며, 도 4의 (b)는 본 발명에 따라, 제1클락 신호, 제2클락 신호, 제3클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이다.1(a) is a circuit diagram showing components of a single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a diagram showing waveforms of clock signals input to a single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention. 2 is a diagram showing several embodiments of clock signals that can be input to the single polarity dynamic logic circuit of the present invention, FIG. 3 is a diagram for explaining the operation flow of the single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. Accordingly, it is a diagram showing output waveforms when a single polarity dynamic logic circuit is implemented based on the first clock signal, the second clock signal, the third clock signal, and the input signal.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 캐스코드(cascode) 형식으로 병렬 연결되어 있는 4개의 스테이지를 포함할 수 있으며, 구체적으로 제1클락 신호(CK1), 제2클락 신호(CK2) 및 입력 신호(IN)를 입력 받는 제1스테이지(10), 제2클락 신호(CK2) 및 제3클락 신호(CK3) 및 제1스테이지(10)의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지(20), 제3클락 신호(CK3), 제1클락 신호(CK1) 및 제2스테이지(20)의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지(30) 및 제1클락 신호(CK1), 제2클락 신호(CK2) 및 제3스테이지(30)의 출력 신호를 입력 받고, 최종 출력 전압을 출력하는 제4스테이지(40)를 포함할 수 있다. 일 실시예로 도 1에 도시된 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 제1스테이지(10)는 제1인버터로, 제2스테이지(20)는 제2인버터로, 제3스테이지(30)는 제3인버터로, 제4스테이지(40)는 제4인버터로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 1 , a single polarity dynamic logic circuit 100 according to an embodiment may include four stages connected in parallel in a cascode form. Specifically, a first stage 10 receiving a first clock signal CK1, a second clock signal CK2, and an input signal IN, a second stage 10 receiving a second clock signal CK2, a third clock signal CK3, and an output signal of the first stage 10. It may include a third stage 30 that receives the second stage 20, the third clock signal CK3, the first clock signal CK1, and the output signals of the second stage 20, and the fourth stage 40 that receives the first clock signal CK1, the second clock signal CK2, and the output signals of the third stage 30, and outputs a final output voltage. As an embodiment, in the single polarity dynamic logic circuit 100 shown in FIG. 1, the first stage 10 is a first inverter, the second stage 20 is a second inverter, the third stage 30 is a third inverter, and the fourth stage 40 can be implemented as a fourth inverter.
구체적으로 제1스테이지(10)는, 제1클락 신호(CK1)에 응답하여 제1다이나믹 노드(O1)를 프리차지(pre-charge)하는 제1트랜지스터(M1), 제2클락 신호(CK2)에 응답하여 이벨류에이션(evaluation) 동작 또는 홀드 위상(phase hold) 동작을 수행하는 제2트랜지스터(M2) 및 입력 데이터를 포함하는 데이터 입력 신호(IN)를 입력 받는 제3트랜지스터(M3)를 포함할 수 있으며, 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2) 및 제3트랜지스터(M3)는 도면에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다. Specifically, the first stage 10 includes a first transistor M1 that pre-charges the first dynamic node O1 in response to the first clock signal CK1, a second transistor M2 that performs an evaluation operation or a phase hold operation in response to the second clock signal CK2, and a third transistor that receives a data input signal IN including input data. (M3), and the first transistor (M1), the second transistor (M2) and the third transistor (M3) may be sequentially connected in series as shown in the figure.
제2스테이지(20)는, 제2클락 신호(CK2)에 응답하여 제2다이나믹 노드(O2)를 프리차지하는 제4트랜지스터(M4), 제3클락 신호(CK3)에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 위상 동작을 수행하는 제5트랜지스터(M5) 및 제1스테이지(10)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제6트랜지스터(M6)를 포함할 수 있으며, 제4트랜지스터(M4), 제5트랜지스터(M5) 및 제6트랜지스터(M6)는 도면에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다.The second stage 20 may include a fourth transistor M4 precharging the second dynamic node O2 in response to the second clock signal CK2, a fifth transistor M5 performing an evaluation operation or a hold phase operation in response to the third clock signal CK3, and a sixth transistor M6 receiving the output signal of the first stage 10 as an input signal. The transistor M4, the fifth transistor M5, and the sixth transistor M6 may be sequentially connected in series as shown in the drawing.
제3스테이지(30)는, 제3클락 신호(CK3)에 응답하여 제3다이나믹 노드(O3)를 프리차지하는 제7트랜지스터(M7), 제1클락 신호(CK1)에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 위상 동작을 수행하는 제8트랜지스터(M8) 및 제2스테이지(20)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제9트랜지스터(M9)를 포함할 수 있으며, 제7트랜지스터(M7), 제8트랜지스터(M8) 및 제9트랜지스터(M9)는 도면에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다.The third stage 30 may include a seventh transistor M7 that precharges the third dynamic node O3 in response to the third clock signal CK3, an eighth transistor M8 that performs an evaluation operation or a hold phase operation in response to the first clock signal CK1, and a ninth transistor M9 that receives the output signal of the second stage 20 as an input signal. The transistor M7, the eighth transistor M8, and the ninth transistor M9 may be sequentially connected in series as shown in the drawing.
제4스테이지(40)는, 제1클락 신호(CK1)에 응답하여 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)의 출력 노드에 해당하는 제4다이나믹 노드(O4)를 프리차지하는 제10트랜지스터(M10), 제2클락 신호(CK2)에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 위상 동작을 수행하는 제11트랜지스터(M11) 및 제3스테이지(30)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제12트랜지스터(M12)를 포함할 수 있으며, 제10트랜지스터(M10), 제11트랜지스터(M11) 및 제12트랜지스터(M12)는 도면에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다.The fourth stage 40 uses the output signals of the tenth transistor M10 precharging the fourth dynamic node O4 corresponding to the output node of the single polarity dynamic logic circuit 100 in response to the first clock signal CK1, the eleventh transistor M11 performing an evaluation operation or hold phase operation in response to the second clock signal CK2, and the third stage 30 as input signals. It may include a twelfth transistor M12 receiving an input to , and the tenth transistor M10, the eleventh transistor M11, and the twelfth transistor M12 may be sequentially connected in series as shown in the figure.
이하 설명의 편의를 위해 제1트랜지스터(M1), 제4트랜지스터(M4), 제7트랜지스터(M7) 및 제10트랜지스터(M10)가 배치되는 위치를 상단층, 제2트랜지스터(M2), 제5트랜지스터(M5), 제8트랜지스터(M8) 및 제11트랜지스터(M11)가 배치되는 위치를 중간층, 제3트랜지스터(M3), 제6트랜지스터(M6), 제9트랜지스터(M9) 및 제12트랜지스터(M12)가 배치되는 위치를 하단층이라 지칭하여 설명하도록 한다. For convenience of description below, positions where the first transistor (M1), fourth transistor (M4), seventh transistor (M7), and tenth transistor (M10) are disposed are referred to as an upper layer, and positions where the second transistor (M2), fifth transistor (M5), eighth transistor (M8), and eleventh transistor (M11) are disposed are referred to as a middle layer and a third transistor (M3). , The position where the sixth transistor M6, the ninth transistor M9, and the twelfth transistor M12 are disposed is referred to as a lower layer and will be described.
각각의 스테이지의 상단층에 있는 제1트랜지스터(M1), 제4트랜지스터(M4), 제7트랜지스터(M7) 및 제10트랜지스터(M10)는 각각의 스테이지에서 풀업(pull-up) 트랜지스터 역할을 하는 트랜지스터로서, 각 스테이지 별로 출력 노드의 전압을 프리 차지 할 수 있다. 즉, 제1트랜지스터(M1)는 제1트랜지스터(M1)에 입력되는 제1클락 신호(CK1)에 응답하여 제1스테이지(10)의 출력 노드에 해당하는 제1다이나막 노드(O1)를 프리 차지할 수 있다. The first transistor (M1), the fourth transistor (M4), the seventh transistor (M7), and the tenth transistor (M10) on the upper layer of each stage are transistors serving as pull-up transistors in each stage, and can pre-charge the voltage of the output node for each stage. That is, the first transistor M1 may pre-charge the first dynamometer node O1 corresponding to the output node of the first stage 10 in response to the first clock signal CK1 input to the first transistor M1.
각각의 스테이지의 중간층에 있는 제2트랜지스터(M2), 제5트랜지스터(M5), 제8트랜지스터(M8) 및 제11트랜지스터(M11)는 각각의 스테이지에서 풀업(pull-down) 트랜지스터 역할을 하는 트랜지스터로서, 각 스테이지 별로 입력되는 신호에 기초하여 이벨류에이션(evaluation) 또는 홀드 위상(phase hold) 동작을 수행할 수 있다. The second transistor (M2), the fifth transistor (M5), the eighth transistor (M8), and the eleventh transistor (M11) in the middle layer of each stage are transistors serving as pull-down transistors in each stage, and may perform an evaluation or a phase hold operation based on a signal input for each stage.
각각의 스테이지의 하단층에 있는 제3트랜지스터(M3), 제6트랜지스터(M6), 제9트랜지스터(M9) 및 제12트랜지스터(M12)는 입력 신호를 입력 받는 입력 트랜지스터로서, 제3트랜지스터(M3)는 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)에 입력되는 데이터 입력 신호(IN)를 입력 받고, 제6트랜지스터(M6)는 제1스테이지(10)에서 출력되는 신호를 제2스테이지(20)의 입력 신호로 입력 받으며, 제9트랜지스터(M9)는 제2스테이지(20)에서 출력되는 신호를 제3스테이지(30)의 입력 신호로 입력 받고, 제12트랜지스터(M12)는 제3스테이지(30)에서 출력되는 신호를 제4스테이지(40)의 입력 신호로 입력 받는다.The third transistor (M3), sixth transistor (M6), ninth transistor (M9), and twelfth transistor (M12) in the lower layer of each stage are input transistors that receive input signals. The third transistor (M3) receives the data input signal (IN) input to the single polarity dynamic logic circuit (100), and the sixth transistor (M6) receives the signal output from the first stage (10). is input as the input signal of the second stage 20, the ninth transistor M9 receives the signal output from the second stage 20 as the input signal of the third stage 30, and the twelfth transistor M12 receives the signal output from the third stage 30 as the input signal of the fourth stage 40.
도 1에 기초하여 이벨류에이션(evaluation) 또는 홀드(hold) 동작을 수행하는 제2트랜지스터(M2), 제5트랜지스터(M5), 제8트랜지스터(M8) 및 제11트랜지스터(M11)가 각각의 스테이지의 중간층에 있는 것으로 도시하였지만, 본 발명의 실시예는 제2트랜지스터(M2), 제5트랜지스터(M5), 제8트랜지스터(M8) 및 제11트랜지스터(M11)가 각각의 스테이지의 하단층에 배치되고, 입력 데이터를 수신하는 제3트랜지스터(M3), 제6트랜지스터(M6), 제9트랜지스터(M9) 및 제12트랜지스터(M12)가 각각의 스테이지의 중간층에 위치하도록 구현될 수 있다. Based on FIG. 1, the second transistor (M2), the fifth transistor (M5), the eighth transistor (M8), and the eleventh transistor (M11) performing an evaluation or hold operation are shown as being in the middle layer of each stage, but in an embodiment of the present invention, the second transistor (M2), the fifth transistor (M5), and the eighth transistor (M 8) and the 11th transistor M11 may be disposed on the lower layer of each stage, and the third transistor M3, sixth transistor M6, ninth transistor M9, and twelfth transistor M12 receiving input data may be disposed on the middle layer of each stage.
단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)에는 입력 신호 및 서로 다른 위상 범위를 가지는 3개의 클락 신호를 포함하여 총 4가지의 신호가 입력될 수 있다. A total of four signals including an input signal and three clock signals having different phase ranges may be input to the single polarity dynamic logic circuit 100 .
구체적으로, 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)에 입력되는 신호는 제1클락 신호(CK1), 제2클락 신호(CK2), 제3클락 신호(CK3) 및 데이터 입력 신호(IN)가 입력될 수 있으며, 제1클락 신호(CK1), 제2클락 신호(CK2) 및 제3클락 신호(CK3)는 360도의 위상을 3분할하여 각각 서로 다른 범위 위상 신호 범위를 가질 수 있다. 즉, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 제1클락 신호(CK1)의 위상 범위는 0도 내지 120도의 범위를 포함하고, 제2클락 신호(CK2)의 위상 범위는 120도 내지 240도의 범위를 포함하며, 제3클락 신호(CK3)의 위상 범위는 240도 내지 360도의 범위를 포함하도록 클락 신호가 생성될 수 있다. Specifically, signals input to the single-polarity dynamic logic circuit 100 may include a first clock signal CK1, a second clock signal CK2, a third clock signal CK3, and a data input signal IN, and the first clock signal CK1, the second clock signal CK2, and the third clock signal CK3 may have different phase signal ranges by dividing the phase of 360 degrees into three. That is, as shown in (b) of FIG. 1 , the clock signal may be generated such that the phase range of the first clock signal CK1 includes a range of 0 degrees to 120 degrees, the phase range of the second clock signal CK2 includes a range of 120 degrees to 240 degrees, and the phase range of the third clock signal CK3 includes a range of 240 degrees to 360 degrees.
본 발명의 실시예가 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 균등하게 3분할되는 신호로 한정되는 것은 아니고, 서로 중복되는 범위 없이 3분할이 되는 신호들이면 본 발명의 실시예에 해당할 수 있다. 즉, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 제1클락 신호(CK1)의 위상 범위는 0도 내지 90도의 범위를 포함하고, 제2클락 신호(CK2)의 위상 범위는 90도 내지 270도의 범위를 포함하며, 제3클락 신호의 위상 범위는 270도 내지 360도의 범위를 포함하도록 클락 신호가 생성될 수 있다.The embodiment of the present invention is not limited to signals equally divided into three as shown in (b) of FIG. 1, and signals that are divided into three without overlapping ranges may correspond to the embodiment of the present invention. That is, as shown in (a) of FIG. 2, the clock signal can be generated such that the phase range of the first clock signal CK1 includes the range of 0 degrees to 90 degrees, the phase range of the second clock signal CK2 includes the range of 90 degrees to 270 degrees, and the phase range of the third clock signal includes the range of 270 degrees to 360 degrees.
또한, 본 발명은 4개의 클락 신호(CK1~CK2)를 이용하여 입력 신호를 구현할 수 있는데, 4개의 클락 신호를 이용하여 본 발명의 구현하는 경우 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 4개의 클락 신호들이 각각 중첩되는 영역이 발생하지 않도록 4개의 구간으로 분할되어 클락 신호가 생성될 수 있다. 일 예로 제1클락 신호(CK1)의 위상 범위는 0도 내지 90도의 범위를 포함하고, 제2클락 신호(CK2)의 위상 범위는 90도 내지 180도의 범위를 포함하며, 제3클락 신호(CK3)의 위상 범위는 180도 내지 270도의 범위를 포함하고, 제4클락 신호(CK4)의 위상 범위는 270도 내지 360도의 범위를 포함하도록 클락 신호를 구현할 수 있다. In addition, the present invention can implement an input signal using four clock signals CK1 to CK2. In the case of implementing the present invention using four clock signals, as shown in (a) of FIG. For example, the phase range of the first clock signal CK1 includes a range of 0 degrees to 90 degrees, the phase range of the second clock signal CK2 includes a range of 90 degrees to 180 degrees, the phase range of the third clock signal CK3 includes a range of 180 degrees to 270 degrees, and the phase range of the fourth clock signal CK4 includes a range of 270 degrees to 360 degrees. You can.
도 1을 기준으로, 제1스테이지(10)를 출력 전압을 설명하면, 제1스테이지(10)가 프리 차지 위상 단계에 있는 경우, 프리 차지 역할을 하는 제1트랜지스터(M1)가 온(ON)이 되면서 제1클락 신호(CK1)가 제1트랜지스터(M1)에 입력되고, 이벨류에이션 또는 홀드 위상 동작을 수행하는 제2트랜지스터(M2)는 오프(OFF) 되어, 제1스테이지(10)의 출력 전압은 하이(High)로 출력이 된다. 제1스테이지(10)가 프리 차지 위상 단계에 있는 경우 제1스테이지(10)의 중간층에 있는 제2트랜지스터(M2)에는 제2클락 신호(CK2)가 0의 위상을 가지고 있으므로 사실상 아무런 신호가 입력 되지 않는다. Referring to FIG. 1, the output voltage of the first stage 10 is described. When the first stage 10 is in the pre-charge phase stage, the first transistor M1 serving as a pre-charge is turned on, the first clock signal CK1 is input to the first transistor M1, and the second transistor M2 performing an evaluation or hold phase operation is turned off, so that the first stage ( The output voltage of 10) is output as High. When the first stage 10 is in the pre-charge phase stage, virtually no signal is input to the second transistor M2 in the middle layer of the first stage 10 because the second clock signal CK2 has a phase of 0.
반면, 제1스테이지(10)가 이벨류에이션 위상 단계에 있는 경우 제1트랜지스터(M1)가 오프(OFF)가 되며, 이벨류에이션 동작을 수행하는 제2트랜지스터(M2)가 온(ON)이 되면서, 제1스테이지(10)의 출력 전압은 로우(Low)로 출력이 된다. 제1스테이지(10)가 이벨류에이션 위상 단계에 있는 경우 제1스테이지(10)의 상단층에 있는 제1트랜지스터(M1)에 입력되는 제1클락 신호(CK1)는 0의 위상을 가지고 있으므로, 사실상 아무런 신호가 입력 되지 않는다.On the other hand, when the first stage 10 is in the evaluation phase stage, the first transistor M1 is turned off, and the second transistor M2 performing the evaluation operation is turned on. As a result, the output voltage of the first stage 10 becomes low. When the first stage 10 is in the evaluation phase stage, since the first clock signal CK1 input to the first transistor M1 in the upper layer of the first stage 10 has a phase of 0, virtually no signal is input.
반면, 제1스테이지(10)가 홀드 위상 단계이 있는 경우, 홀드 위상 단계는 다른 스테이지들이 각각 프리 자치 단계 또는 이벨류에이션 위상 단계를 수행할 때, 입력 신호들이 잠시 홀딩 되는 단계를 의미한다. 구체적으로, 홀드 위상 역할을 하는 제3클락 신호(CK3)가 0이 아닌 특정 위상을 가지고 있는 경우, 제3클락 신호(CK3)와 다른 위상의 범위를 가지고 있는 제1클락 신호(CK1) 및 제2클락 신호(CK2)는 0의 위상을 가지게 되므로, 제1스테이지(10) 경우 프리 차지 역할을 하는 제1트랜지스터(M1) 및 이벨류에이션 역할을 하는 제2트랜지스터(M2) 모두 오프(OFF)가 된다. 즉, 홀드 위상 단계를 수행하는 스테이지는 하단층에 있는 트랜지스터가 전 단계의 스테이지가 출력하는 신호만 입력 신호로 입력 받게 된다. On the other hand, when the first stage 10 has a hold phase step, the hold phase step means a step in which input signals are temporarily held when other stages perform a pre-autonomous step or an evaluation phase step, respectively. Specifically, when the third clock signal CK3 serving as the hold phase has a specific phase other than 0, the first and second clock signals CK1 and CK2 having a phase range different from that of the third clock signal CK3 have phases of 0, so in the case of the first stage 10, both the first transistor M1 serving as a pre-charge and the second transistor M2 serving as an evaluation turns OFF. That is, in the stage performing the hold phase step, the transistor in the lower layer receives only the signal output from the previous stage stage as an input signal.
그리고 이렇게 설명한 프리 차지 위상 단계, 이벨류에이션 위상 단계 및 홀드 단계에 대한 작동 원리는 제2스테이지(20), 제3스테이지(30) 및 제4스테이지(40)에도 동일하게 적용되므로, 각각의 스테이지는 순차적으로 프리 차지 위상 단계, 이벨류에이션 위상 단계, 홀드 위상 단계를 순차적으로 수행할 수 있다. In addition, since the operating principle of the pre-charge phase step, evaluation phase step, and hold step described above is equally applied to the second stage 20, the third stage 30, and the fourth stage 40, each stage can sequentially perform the pre-charge phase step, the evaluation phase step, and the hold phase step.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 제1스테이지(10)가 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있는 경우, 제2스테이지(20)는 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있고, 제3스테이지(30)는 홀드 위상(hold phase) 단계에 있고, 제4스테이지(40)는 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있을 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 3, when the first stage 10 is in the evaluation phase, the second stage 20 is in the pre-charge phase, the third stage 30 is in the hold phase, and the fourth stage 40 may be in the evaluation phase.
이와 같은 원리로, 제1스테이지(10)의 위상 신호가 홀드 위상 단계에 있는 경우, 제2스테이지(20)는 이벨류에이션 위상 단계에 있고, 제3스테이지(30)는 프리 차지 위상 단계에 있을 수 있고, 제4스테이지(40)는 홀드 위상 단계에 있을 수 있다. 또한, 제1스테이지(10)가 프리 차지 위상 단계에 있는 경우, 제2스테이지(20)는 홀드 위상 단계에 있고, 제3스테이지(30)는 이벨류에이션 위상 단계에 있으며, 제4스테이지(40)는 프리 차지 위상 단계에 있을 수 있다. In this way, when the phase signal of the first stage 10 is in the hold phase stage, the second stage 20 is in the evaluation phase stage, the third stage 30 is in the pre-charge phase stage, and the fourth stage 40 can be in the hold phase stage. In addition, when the first stage 10 is in the pre-charge phase stage, the second stage 20 is in the hold phase stage, the third stage 30 is in the evaluation phase stage, and the fourth stage 40 may be in the pre-charge phase stage.
즉, 본 발명에 따른 단일 극성 회로(100)는 종래 기술에 따른 단일 극성 회로의 입력 신호와 다르게 서로 다른 위상 범위를 가지는 3개의 클락 신호를 입력 신호들이 각각의 스테이지 입력되므로, 제1스테이지(10)가 이벨류에이션 위상 단계에 있을 때, 제2스테이지(20)는 프리 차지 위상 단계에 있고, 제3스테이지(30)는 홀드 위상 단계에 위치하게 된다. 따라서, 제3스테이지(30)의 위상이 제2스테이지(20)의 위상과 동일한 위상에 있는 것을 방지할 수 있고, 이를 통해서 [N-1]단의 스테이지의 연산결과가 [N]단의 스테이지의 연산 결과와 개별적으로 동작하게 되어 종래 기술이 가지고 있던 출력단에서의 레이싱(racing) 문제를 해결할 수 있는 장점이 존재한다. That is, in the single polarity circuit 100 according to the present invention, unlike the input signal of the conventional single polarity circuit, three clock signals having different phase ranges are input to each stage. When the first stage 10 is in the evaluation phase stage, the second stage 20 is in the pre-charge phase stage and the third stage 30 is located in the hold phase stage. Therefore, it is possible to prevent the phase of the third stage 30 from being in the same phase as the phase of the second stage 20, and through this, the calculation result of the [N-1] stage stage operates independently from the calculation result of the stage [N], thereby solving the racing problem at the output stage of the prior art.
이를 도면을 통해 비교해 보면 도 4의 (a)는 종래 기술에 따라 제1클락 신호, 제2클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이고, 도 4의 (b)는 본 발명에 따라, 제1클락 신호, 제2클락 신호, 제3클락 신호 및 입력 신호를 기초로 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 구현하였을 때의 출력 파형을 도시한 도면이다.Comparing these drawings, FIG. 4 (a) is a diagram showing output waveforms when a single polarity dynamic logic circuit is implemented based on a first clock signal, a second clock signal, and an input signal according to the prior art, and FIG.
도 4의 (a)의 그래프를 참조하면, 종래 기술에 따라 단일 극성 다이나믹 로직 회로를 연속적으로 연결한 캐스케이드 구조로 구현한 경우 입력단의 신호가 하이(High)로 들어가는 경우, 제4스테이지의 출력이 이와 동일한 하이가 나와야 하지만, 제3스테이지의 출력이 하이에서 로우(Low)로 변하는 동안 제3스테이지의 연산 결과가 제4스테이지의 입력에 전달되기 때문에, 도 4의 (a)의 표시된 바와 같이 제4스테이지의 출력이 하이를 유지하지 못하고, 로우로 떨어지는 레이싱(racing) 현상이 발생하게 된다. Referring to the graph of (a) of FIG. 4, when the signal of the input terminal is implemented in a cascade structure in which a single polarity dynamic logic circuit is continuously connected according to the prior art, the output of the fourth stage should output the same high level as this, but while the output of the third stage changes from high to low, the output of the fourth stage is high as shown in (a) of FIG. cannot be maintained, and a racing phenomenon that falls to low occurs.
그러나 본 발명에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)의 경우, 종래 기술과 다르게 위상을 잠시 홀드해줄 수 있는 제3클락 신호(CK3)가 입력 신호로 활용되기 때문에, 제3스테이지(30)의 위상이 제2스테이지(20)의 위상과 동일한 위상에 있는 것을 방지할 수 있고, 이를 통해서 [N-1]단의 스테이지의 연산결과가 [N]단의 스테이지의 연산 결과에 영향을 주지 않게 된다. 따라서, 도 4의 (b)에 표시한 바와 같이 입력 신호가 하이로 입력되는 경우 제4스테이지(40)의 출력이 하이로 유지되는 것을 알 수 있다. However, in the case of the single polarity dynamic logic circuit 100 according to the present invention, unlike the prior art, since the third clock signal CK3 capable of temporarily holding the phase is used as an input signal, the phase of the third stage 30 can be prevented from being in the same phase as the phase of the second stage 20, and through this, the operation result of the stage [N-1] stage does not affect the operation result of the stage [N] stage. Accordingly, as shown in (b) of FIG. 4 , it can be seen that the output of the fourth stage 40 remains high when the input signal is input as high.
도 5는 다른 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 구성 요소들 도시한 회로도이며, 도 6은 도 5에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에 입력되는 신호들에 대한 파형을 도시한 도면이다.5 is a circuit diagram illustrating components of a single polarity dynamic logic circuit according to another embodiment, and FIG. 6 is a diagram showing waveforms of signals input to the single polarity dynamic logic circuit according to FIG. 5 .
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 캐스코드(cascode) 형식으로 병렬 연결되어 있는 4개의 스테이지를 포함할 수 있으며, 구체적으로 제1PC 신호(PC1), 제1EV 신호(EV1) 및 입력 신호(IN)를 입력 받는 제1스테이지(10), 제2PC 신호(PC2) 및 제2EV 신호(EV2) 및 제1스테이지(10)의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지(20), 제3PC 신호(PC3), 제3EV 신호(EV3) 및 제2스테이지(20)의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지(30) 및 제4PC 신호(PC4), 제4EV 신호(EV4) 및 제3스테이지(30)의 출력 신호를 입력 받고, 최종 출력 전압을 출력하는 제4스테이지(40)를 포함할 수 있으며, 도 5에서 PC 신호는 입력되는 트랜지스터가 프리 차지(PRE CHARGE)를 수행하도록 하는 신호를 의미하는 신호이며, EV신호는 입력되는 트랜지스터가 이벨류에이션(EVALUTAION)을 수행하도록 하는 신호를 의미한다. Referring to FIG. 5 , the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to an embodiment may include four stages connected in parallel in a cascode form, and specifically, a first stage 10 receiving a first PC signal PC1, a first EV signal EV1, and an input signal IN, and a second stage receiving the second PC signal PC2, the second EV signal EV2, and the output signal of the first stage 10 ( 20), the 3rd stage 30 receiving the 3rd PC signal (PC3), the 3rd EV signal (EV3) and the output signal of the 2nd stage 20, the 4th PC signal (PC4), the 4th EV signal (EV4) and the output signal of the 3rd stage 30. It may include a fourth stage 40 that receives and outputs a final output voltage. In FIG. 5, the PC signal is a signal that causes the input transistor to pre-charge. It is a signal that means , and the EV signal means a signal that causes the input transistor to perform evaluation.
구체적으로 제1스테이지(10)는, 제1PC 신호(PC1)에 응답하여 제1다이나믹 노드(O1)를 프리차지(pre-charge)하는 제1트랜지스터(M1), 제1EV 신호(EV1) 응답하여 이벨류에이션(evaluation) 동작을 수행하는 제2트랜지스터(M2) 및 입력 데이터를 포함하는 데이터 입력 신호(IN)를 입력 받는 제3트랜지스터(M3)를 포함할 수 있으며, 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2) 및 제3트랜지스터(M3)는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다. Specifically, the first stage 10 may include a first transistor M1 that pre-charges the first dynamic node O1 in response to the first PC signal PC1, a second transistor M2 that performs an evaluation operation in response to the first EV signal EV1, and a third transistor M3 that receives a data input signal IN including input data. As shown in FIG. 5 , the transistor M1 , the second transistor M2 , and the third transistor M3 may be sequentially connected in series.
제2스테이지(20)는, 제2PC 신호(PC2)에 응답하여 제2다이나믹 노드(O2)를 프리차지하는 제4트랜지스터(M4), 제2EV 신호(EV2)에 응답하여 이벨류에이션 동작을 수행하는 제5트랜지스터(M5) 및 제1스테이지(10)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제6트랜지스터(M6)를 포함할 수 있으며, 제4트랜지스터(M4), 제5트랜지스터(M5) 및 제6트랜지스터(M6)는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다.The second stage 20 may include a fourth transistor M4 precharging the second dynamic node O2 in response to the second PC signal PC2, a fifth transistor M5 performing an evaluation operation in response to the second EV signal EV2, and a sixth transistor M6 receiving the output signal of the first stage 10 as an input signal, and the fourth transistor M4 , the fifth transistor M5 and the sixth transistor M6 may be sequentially connected in series as shown in FIG. 5 .
제3스테이지(30)는, 제3PC 신호(PC3)에 응답하여 제3다이나믹 노드(O3)를 프리차지하는 제7트랜지스터(M7), 제3EV 신호(EV3)에 응답하여 이벨류에이션 동작을 수행하는 제8트랜지스터(M8) 및 제2스테이지(20)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제9트랜지스터(M9)를 포함할 수 있으며, 제7트랜지스터(M7), 제8트랜지스터(M8) 및 제9트랜지스터(M9)는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다.The third stage 30 may include a seventh transistor M7 that precharges the third dynamic node O3 in response to the third PC signal PC3, an eighth transistor M8 that performs an evaluation operation in response to the third EV signal EV3, and a ninth transistor M9 that receives the output signal of the second stage 20 as an input signal, and the seventh transistor M7 , the eighth transistor M8 and the ninth transistor M9 may be sequentially connected in series as shown in FIG. 5 .
제4스테이지(40)는, 제4PC 신호(PC4)에 응답하여 출력 노드에 해당하는 제4다이나믹 노드(O4)를 프리차지하는 제10트랜지스터(M10), 제4EV 신호(EV4)에 응답하여 이벨류에이션 동작을 수행하는 제11트랜지스터(M11) 및 제3스테이지(30)의 출력 신호를 입력 신호로 입력 받는 제12트랜지스터(M12)를 포함할 수 있으며, 제10트랜지스터(M10), 제11트랜지스터(M11) 및 제12트랜지스터(M12)는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 직렬 연결되어 있을 수 있다. 도 5에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)의 작동 원리는 앞서 설명한 바와 동일한 바 생략하도록 하며 입력되는 신호의 차이점에 대해 구체적으로 설명한다. The fourth stage 40 may include a tenth transistor M10 that precharges the fourth dynamic node O4 corresponding to the output node in response to the fourth PC signal PC4, an eleventh transistor M11 that performs an evaluation operation in response to the fourth EV signal EV4, and a twelfth transistor M12 that receives the output signal of the third stage 30 as an input signal. , the tenth transistor M10, the eleventh transistor M11, and the twelfth transistor M12 may be sequentially connected in series as shown in FIG. The principle of operation of the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 5 is the same as that described above, and will be omitted, and differences in input signals will be described in detail.
도 5에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)의 상층부에 입력되는 제1PC 신호(PC1),제2PC 신호(PC2), 제3PC 신호(PC3) 및 제4PC 신호(PC4)는 도6의 (a)에 도시된 바와 같이 미리 설정된 위상(d)만큼 순차적으로 딜레이 된 위상 신호가 입력될 수 있다. The first PC signal (PC1), the second PC signal (PC2), the third PC signal (PC3), and the fourth PC signal (PC4) input to the upper layer of the single polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 5 are phase signals sequentially delayed by a preset phase (d) as shown in (a) of FIG.
제1EV 신호(EV1),제2EV 신호(EV2), 제3EV 신호(EV3) 및 제4EV 신호(EV4)는 도6의 (b)에 도시된 바와 같이 미리 설정된 위상(d)만큼 순차적으로 딜레이 된 위상 신호일 수 있다. The first EV signal EV1, the second EV signal EV2, the third EV signal EV3, and the fourth EV signal EV4 may be phase signals sequentially delayed by a predetermined phase d, as shown in FIG.
미리 설정된 위상은 앞서 설명한 바와 같이 종래 기술에 따른 단일 극성 로직 회로의 출력단에서 레이싱(racing) 현상이 발생하지 않을 정도의 딜레이 위상을 의미한다. 이와 같이 순차적으로 딜레이 된 신호를 입력 신호로 활용하는 경우, O1지점에서의 출력 결과가 제2PC신호(PC2) 및 제2EV 신호(EV2)가 들어오기 이전에 출력 결과를 얻을 수 있다. O2 지점과 O3 지점의 출력 역시 제3 PC 신호(PC3), 제3EV 신호(EV3) 및 제4 PC 신호(PC4), 제4EV 신호(EV4)가 입력 신호로 들어오기 이전에 신호가 출력되므로 본 발명에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 종래 기술에서 발생하는 레이싱 현상이 발생하지 않게 되는 장점이 존재한다. As described above, the preset phase means a delay phase that does not cause a racing phenomenon at the output terminal of the single polarity logic circuit according to the related art. When the sequentially delayed signal is used as an input signal, the output result at point O1 can be obtained before the second PC signal PC2 and the second EV signal EV2 arrive. Since the outputs of the points O2 and O3 are also output before the third PC signal (PC3), the third EV signal (EV3), the fourth PC signal (PC4), and the fourth EV signal (EV4) are input signals, the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to the present invention has the advantage that the racing phenomenon that occurs in the prior art does not occur.
도 7과 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 NAND게이트를 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다. 7 and 8 are diagrams showing a circuit diagram of a single-polarity dynamic logic circuit implemented using a NAND gate according to another embodiment of the present invention, an operation process accordingly, and measurement experiment results.
도 7와 도 8을 참조하면, 도 7에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 앞서 설명한 바와 같이 3개의 클락 신호(CK1, CK2, CK3)와 데이터 입력 신호(IN)를 입력 신호를 입력 받을 수 있는데, 구체적으로 도면에서 도시된 바와 같이 제1스테이지(10)는 제1인버터와 제2인버터가 캐스코드 형식으로 연결되어 구현될 수 있으며, 제2스테이지(20)는 제1NAND 게이트로, 제3스테이지(30)는 제2NAND 게이트로, 제4스테이지(40)는 제3인버터로 구현될 수 있으며, 이에 따라 각각의 스테이지가 포함하고 있는 트랜지스터의 수와 배치 위치는 도면에 도시된 바와 같이 설계될 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8 , the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 7 may receive input signals of three clock signals CK1, CK2, and CK3 and a data input signal IN as described above. Specifically, as shown in the drawings, the first stage 10 may be implemented by connecting a first inverter and a second inverter in a cascode form, and the second stage 20 may include a first NAND gate. , the third stage 30 can be implemented with a second NAND gate, and the fourth stage 40 can be implemented with a third inverter. Accordingly, the number of transistors included in each stage and the arrangement position can be designed as shown in the drawing.
도 7의 (a)와 같이 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)가 구현되는 경우에, 각각의 스테이지에 대한 논리 연산을 하게 되면 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 각각 연산이 수행될 수 있으며, 도 8에 도시된 바와 같이 최종 출력단의 출력 전압이 하이 신호인 1로 계속 유지되고 있음을 알 수 있다. When the single-polarity dynamic logic circuit 100 is implemented as shown in (a) of FIG. 7, when a logical operation is performed for each stage, each operation can be performed as shown in (b) of FIG. 7, and as shown in FIG.
도 9와 도10은 본 발명의 다른 실시예에 따라 NOR게이트를 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다.9 and 10 are diagrams showing a circuit diagram of a single polarity dynamic logic circuit implemented using a NOR gate according to another embodiment of the present invention, and calculation processes and measurement experiment results accordingly.
도 9와 도10을 참조하면, 도 9에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 앞서 설명한 바와 같이 3개의 클락 신호(CK1, CK2, CK3)와 데이터 입력 신호(IN)를 입력 신호를 입력 받을 수 있는데, 구체적으로 도면에서 도시된 바와 같이 제1스테이지(10)는 제1인버터와 제2인버터가 캐스코드 형식으로 연결되어 구현될 수 있으며, 제2스테이지(20)는 제1NOR 게이트로, 제3스테이지(30)는 제2NOR 게이트로, 제4스테이지(40)는 제3인버터로 구현될 수 있으며, 이에 따라 각각의 스테이지가 포함하고 있는 트랜지스터의 개수와 배치는 도면에 도시된 바와 같이 설계될 수 있다. 9 and 10, the single polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 9 can receive input signals of three clock signals CK1, CK2, and CK3 and a data input signal IN as described above. Specifically, as shown in the drawings, the first stage 10 can be implemented by connecting the first inverter and the second inverter in a cascode form, and the second stage 20 has a first NOR gate , the third stage 30 can be implemented with a 2NOR gate, and the fourth stage 40 can be implemented with a third inverter. Accordingly, the number and arrangement of transistors included in each stage can be designed as shown in the drawing.
도 9의 (a)와 같이 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)가 구현되는 경우에 각각의 스테이지에 대한 논리 연산을 하게 되면 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 각각 연산이 수행될 수 있으며, 도 10에 도시된 바와 같이 최종 출력단의 출력 전압이 하이 신호인 1로 계속 유지되고 있음을 알 수 있다. When the single-polarity dynamic logic circuit 100 is implemented as shown in (a) of FIG. 9, when a logical operation is performed for each stage, each operation can be performed as shown in (b) of FIG. 9, and as shown in FIG.
도 11과 도12는 본 발명의 다른 실시예에 따라 NAND 게이트 및 NOR게이트를 순차적으로 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다. 11 and 12 are diagrams showing a circuit diagram of a single polarity dynamic logic circuit implemented by sequentially using a NAND gate and a NOR gate according to another embodiment of the present invention, and an operation process and measurement experiment results accordingly.
도 11과 도12를 참조하면, 도 11에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 앞서 설명한 바와 같이 3개의 클락 신호(CK1, CK2, CK3)와 데이터 입력 신호(IN)를 입력 신호를 입력 받을 수 있는데, 구체적으로 도면에서 도시된 바와 같이 제1스테이지(10)는 제1인버터와 제2인버터가 캐스코드 형식으로 연결되어 구현될 수 있으며, 제2스테이지(20)는 제1NAND 게이트로, 제3스테이지(30)는 제1NOR 게이트로, 제4스테이지(40)는 제3인버터로 구현될 수 있으며, 이에 따라 각각의 스테이지가 포함하고 있는 트랜지스터의 개수와 배치는 도면에 도시된 바와 같이 설계될 수 있다. 11 and 12, the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 11 may receive input signals of three clock signals CK1, CK2, and CK3 and a data input signal IN as described above. Specifically, as shown in the drawings, the first stage 10 may be implemented by connecting a first inverter and a second inverter in a cascode form, and the second stage 20 may be implemented by connecting a 1N It can be implemented as an AND gate, the third stage 30 as a 1NOR gate, and the fourth stage 40 as a third inverter. Accordingly, the number and arrangement of transistors included in each stage can be designed as shown in the figure.
도 11의 (a)와 같이 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)가 구현되는 경우에 각각의 스테이지에 대한 논리 연산을 하게 되면 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 각각 연산이 수행될 수 있으며, 도 12에 도시된 바와 같이 최종 출력단의 출력 전압이 하이 신호인 1로 계속 유지되고 있음을 알 수 있다. When the single polarity dynamic logic circuit 100 is implemented as shown in FIG. 11 (a), when a logic operation is performed for each stage, each operation can be performed as shown in FIG. 11 (b). As shown in FIG.
도 13과 도14는 본 발명의 다른 실시예에 따라 NOR 게이트 및 NAND게이트를 순차적으로 이용하여 구현한 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 회로도 및 이에 따른 연산 과정과 측정 실험 결과를 도시한 도면이다. 13 and 14 are diagrams showing a circuit diagram of a single-polarity dynamic logic circuit implemented by sequentially using a NOR gate and a NAND gate according to another embodiment of the present invention, and calculation processes and measurement experiment results accordingly.
도 13과 도14를 참조하면, 도 13에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)는 앞서 설명한 바와 같이 3개의 클락 신호(CK1, CK2, CK3)와 데이터 입력 신호(IN)를 입력 신호를 입력 받을 수 있는데, 구체적으로 도면에서 도시된 바와 같이 제1스테이지(10)는 제1인버터와 제2인버터가 캐스코드 형식으로 연결되어 구현될 수 있으며, 제2스테이지(20)는 제1NOR 게이트로, 제3스테이지(30)는 제1NAND 게이트로, 제4스테이지(40)는 제3인버터로 구현될 수 있으며, 이에 따라 각각의 스테이지가 포함하고 있는 트랜지스터의 개수와 배치는 도면에 도시된 바와 같이 설계될 수 있다. 13 and 14, the single-polarity dynamic logic circuit 100 according to FIG. 13 may receive input signals of three clock signals CK1, CK2, and CK3 and a data input signal IN as described above. Specifically, as shown in the drawings, the first stage 10 may be implemented by connecting the first inverter and the second inverter in a cascode form, and the second stage 20 may be implemented by connecting a 1N An OR gate, the third stage 30 can be implemented with a first NAND gate, and the fourth stage 40 can be implemented with a third inverter. Accordingly, the number and arrangement of transistors included in each stage can be designed as shown in the figure.
도 13의 (a)와 같이 단일 극성 다이나믹 로직 회로(100)가 구현되는 경우에 각각의 스테이지에 대한 논리 연산을 하게 되면 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이 각각 연산이 수행될 수 있으며, 도 14에 도시된 바와 같이 최종 출력단의 출력 전압이 하이 신호인 1로 계속 유지되고 있음을 알 수 있다. When the single polarity dynamic logic circuit 100 is implemented as shown in (a) of FIG. 13, when a logical operation is performed for each stage, each operation can be performed as shown in (b) of FIG. 13, and as shown in FIG.
지금까지 도면을 통해 본 발명에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로의 구성 요소 및 작동 원리에 대해 상세히 살펴보았다.So far, the components and operation principle of the single polarity dynamic logic circuit according to the present invention have been looked at in detail through the drawings.
일 실시예에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로는, 종래 기술과 다르게 홀드 역할을 해줄 수 있는 제3클락 신호가 입력 신호로 추가로 활용되기 때문에, 각각의 스테이지가 동일한 위상에서 연산을 수행하는 문제를 방지할 수 있다. 이에 따라, [N-1]단의 스테이지의 연산결과가 [N]단의 스테이지의 연산 결과에 영향을 주지 않게 되어, 종래 기술에 따른 단일 극성 다이나믹 로직 회로에서 필연적으로 발생되었던 출력단 전압의 레이싱(racing) 문제를 방지할 수 있는 효과가 존재한다. In the single polarity dynamic logic circuit according to an embodiment, since the third clock signal, which can serve as a hold unlike in the prior art, is additionally utilized as an input signal, the problem of each stage performing an operation in the same phase can be prevented. Accordingly, the calculation result of the [N-1] stage does not affect the calculation result of the [N] stage, so that the racing problem of the output stage voltage, which inevitably occurred in the single-polarity dynamic logic circuit according to the prior art, can be prevented.
이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 컨트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 컨트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The devices described above may be implemented as hardware components, software components, and/or a combination of hardware components and software components. For example, the devices and components described in the embodiments may be implemented using one or more general purpose or special purpose computers, such as, for example, a processor, controller, arithmetic logic unit (ALU), digital signal processor, microcomputer, field programmable array (FPA), programmable logic unit (PLU), microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. A processing device may run an operating system (OS) and one or more software applications running on the operating system. A processing device may also access, store, manipulate, process, and generate data in response to execution of software. For convenience of understanding, there are cases in which one processing device is used, but those skilled in the art will recognize that the processing device may include a plurality of processing elements and/or multiple types of processing elements. For example, a processing device may include a plurality of processors or a processor and a controller. Other processing configurations are also possible, such as parallel processors.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.Software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of these, and may configure a processing device to operate as desired, or may independently or collectively direct a processing device. The software and/or data may be embodied in any tangible machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage medium or device to be interpreted by, or to provide instructions or data to, a processing device. Software may be distributed on networked computer systems and stored or executed in a distributed manner. Software and data may be stored on one or more computer readable media.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.The method according to the embodiment may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded on a computer readable medium. The computer readable medium may include program instructions, data files, data structures, etc. alone or in combination. Program commands recorded on the medium may be specially designed and configured for the embodiment or may be known and usable to those skilled in computer software. Examples of computer-readable recording media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DVDs, magneto-optical media such as floptical disks, and hardware devices specially configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, and flash memory. Examples of program instructions include high-level language codes that can be executed by a computer using an interpreter, as well as machine language codes such as those produced by a compiler.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다. As described above, although the embodiments have been described with limited examples and drawings, those skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, even if the described techniques are performed in an order different from the described method, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form from the described method, or replaced or substituted by other components or equivalents, appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.
100 : 단일 극성 다이나믹 로직 회로
10 : 제 1스테이지
20 : 제 2스테이지
30 : 제 3스테이지
40 : 제 4 스테이지100: single polarity dynamic logic circuit
10 : 1st stage
20: 2nd stage
30: 3rd stage
40: 4th stage
Claims (15)
상기 제2클락 신호 및 제3클락 신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지;
상기 제3클락 신호, 상기 제1클락 신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지; 및
상기 제1클락신호, 상기 제2클락신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력받는 제4스테이지;를 포함하며,
상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3클락 신호는 3분할 되어 각각 서로 다른 범위 위상 신호를 포함하고 있는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로. a first stage receiving a first clock signal, a second clock signal, and an input signal;
a second stage receiving the second and third clock signals and the output signal of the first stage;
a third stage receiving the third clock signal, the first clock signal, and the output signal of the second stage; and
A fourth stage receiving the first clock signal, the second clock signal, and the output signal of the third stage;
The first clock signal, the second clock signal, and the third clock signal are divided into three and each include a different range phase signal,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1클락 신호의 위상 범위는 0도 내지 120도의 범위를 포함하고,
상기 제2클락 신호의 위상 범위는 120도 내지 240도의 범위를 포함하고,
상기 제3클락 신호의 위상 범위는 240도 내지 360도의 범위를 포함하는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로. According to claim 1,
The phase range of the first clock signal includes a range of 0 degrees to 120 degrees,
The phase range of the second clock signal includes a range of 120 degrees to 240 degrees,
The phase range of the third clock signal includes a range of 240 degrees to 360 degrees,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지가 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 홀드 위상(hold phase) 단계에 있는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 3,
When the first stage is in an evaluation phase, the second stage is in a pre-charge phase, and the third stage is in a hold phase,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지가 위상 신호가 홀드 위상(hold phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 3,
When the phase signal of the first stage is in a hold phase, the second stage is in an evaluation phase, and the third stage is in a pre-charge phase,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지가 프리 차지 위상(pre-charge phase) 단계에 있는 경우, 상기 제2스테이지는 홀드 위상(hold phase) 단계에 있고, 상기 제3스테이지는 이벨류에이션 위상(evaluation phase) 단계에 있는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 3,
When the first stage is in a pre-charge phase, the second stage is in a hold phase, and the third stage is in an evaluation phase,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 제1다이나믹 노드를 프리차지(pre-charge)하는 제1트랜지스터;를 포함하고,
상기 제2스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 제2다이나믹 노드를 프리차지하는 제2트랜지스터;를 포함하며,
상기 제3스테이지는, 상기 제3클락 신호에 응답하여 제3다이나믹 노드를 프리차지하는 제3트랜지스터;를 포함하고,
상기 제4스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 제4다이나믹 노드를 프리차지하는 제4트랜지스터;를 포함하는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 1,
The first stage includes a first transistor pre-charging a first dynamic node in response to the first clock signal;
The second stage includes a second transistor precharging a second dynamic node in response to the second clock signal;
The third stage includes a third transistor precharging a third dynamic node in response to the third clock signal;
The fourth stage includes a fourth transistor precharging a fourth dynamic node in response to the first clock signal.
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제5트랜지스터;를 포함하고,
상기 제2스테이지는, 상기 제3클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제6트랜지스터;를 포함하며,
상기 제3스테이지는, 상기 제1클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제7트랜지스터;를 포함하고,
상기 제4스테이지는, 상기 제2클락 신호에 응답하여 이벨류에이션 동작 또는 홀드 동작을 수행하는, 제8트랜지스터;를 포함하는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 7,
The first stage includes a fifth transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the second clock signal;
The second stage includes a sixth transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the third clock signal,
The third stage includes a seventh transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the first clock signal;
The fourth stage includes an eighth transistor that performs an evaluation operation or a hold operation in response to the second clock signal.
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지는, 입력 데이터를 포함하는 입력 신호를 입력 받는 제9트랜지스터;를 포함하고,
상기 제2스테이지는, 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제10트랜지스터;를 포함하며,
상기 제3스테이지는, 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제11트랜지스터;를 포함하고,
상기 제4스테이지는, 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제12트랜지스터;를 포함하는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 1,
The first stage includes a ninth transistor receiving an input signal including input data;
The second stage includes a tenth transistor receiving the output signal of the first stage;
The third stage includes an eleventh transistor receiving the output signal of the second stage;
The fourth stage includes a twelfth transistor that receives the output signal of the third stage.
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제1스테이지, 상기 제2스테이지, 상기 제3스테이지 및 상기 제4스테이지는 각각 인버터(Invertor)로 구현되는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 1,
The first stage, the second stage, the third stage, and the fourth stage are implemented as inverters, respectively.
Single polarity dynamic logic circuit.
제2PC 신호, 제2 EV신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지;
제3PC 신호, 제3 EV신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지;
제4PC 신호, 제4 EV신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제4스테이지;를 포함하고,
상기 제1PC 신호와 상기 제1EV 신호는 서로 반대 위상을 가지고,
상기 제2PC 신호와 상기 제2EV 신호는 서로 반대 위상을 가지며,
상기 제3PC 신호와 상기 제3EV 신호는 서로 반대 위상을 가지고,
상기 제4PC 신호와 상기 제4EV 신호는 서로 반대 위상을 가지는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.A first stage receiving a first PC signal, a first EV signal and an input signal;
a second stage that receives a second PC signal, a second EV signal, and an output signal of the first stage;
a third stage receiving a third PC signal, a third EV signal, and an output signal of the second stage;
A fourth stage that receives the fourth PC signal, the fourth EV signal, and the output signal of the third stage;
The 1PC signal and the 1EV signal have opposite phases to each other,
The 2 PC signal and the 2 EV signal have opposite phases to each other,
The 3PC signal and the 3EV signal have opposite phases to each other,
The 4 PC signal and the 4 EV signal have opposite phases to each other,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제2PC 신호 내지 상기 제4PC 신호는 상기 제1PC 신호를 기준으로 미리 설정된 위상 만큼 순차적으로 딜레이(delay) 된 신호를 가지고,
상기 제2EV 신호 내지 상기 제4EV 신호는 상기 제1PC 신호를 기준으로 미리 설정된 위상 만큼 순차적으로 딜레이(delay) 된 신호를 가지는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로.According to claim 11,
The 2nd PC signal to the 4th PC signal have signals sequentially delayed by a preset phase based on the 1PC signal,
The 2 EV signal to the 4 EV signal have signals sequentially delayed by a preset phase based on the 1 PC signal,
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제2클락 신호 및 제3클락 신호 및 상기 제1스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제2스테이지;
상기 제3클락 신호, 상기 제1클락 신호 및 상기 제2스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제3스테이지; 및
상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3스테이지의 출력 신호를 입력 받는 제4스테이지;를 포함하고,
상기 제1스테이지는 제1인버터 및 제2인버터가 병렬 연결되어 있으며,
상기 제4스테이지는 제3인버터로 구현되는,
상기 제1클락 신호, 상기 제2클락 신호 및 상기 제3클락 신호는 3분할 되어 각각 서로 다른 범위 위상 신호를 포함하고,
단일 극성 다이나믹 로직 회로. a first stage receiving a first clock signal, a second clock signal, and an input signal;
a second stage receiving the second and third clock signals and the output signal of the first stage;
a third stage receiving the third clock signal, the first clock signal, and the output signal of the second stage; and
A fourth stage receiving the first clock signal, the second clock signal, and the output signal of the third stage;
The first stage has a first inverter and a second inverter connected in parallel,
The fourth stage is implemented as a third inverter,
The first clock signal, the second clock signal, and the third clock signal are divided into three to include phase signals of different ranges, respectively;
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제2스테이지는 NAND 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 NOR 게이트로 구현되거나,
상기 제2스테이지는 NOR 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 NOR 게이트로 구현되는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로. According to claim 13,
The second stage is implemented with NAND gates and the third stage is implemented with NOR gates;
The second stage is implemented with a NOR gate, and the third stage is implemented with a NOR gate.
Single polarity dynamic logic circuit.
상기 제2스테이지는 제1NAND 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 제2NAND 게이트로 구현되거나,
상기 제2스테이지는 제1NOR 게이트로 구현되고, 상기 제3스테이지는 제2NOR 게이트로 구현되는,
단일 극성 다이나믹 로직 회로. According to claim 14,
The second stage is implemented with a first NAND gate and the third stage is implemented with a second NAND gate;
The second stage is implemented with a first NOR gate, and the third stage is implemented with a second NOR gate.
Single polarity dynamic logic circuit.
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