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KR102554515B1 - Resin compositon layer - Google Patents

Resin compositon layer Download PDF

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KR102554515B1
KR102554515B1 KR1020180121205A KR20180121205A KR102554515B1 KR 102554515 B1 KR102554515 B1 KR 102554515B1 KR 1020180121205 A KR1020180121205 A KR 1020180121205A KR 20180121205 A KR20180121205 A KR 20180121205A KR 102554515 B1 KR102554515 B1 KR 102554515B1
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히로유키 사카우치
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 두께가 얇아도, 할로잉 현상을 억제할 수 있는 수지 조성물 층 등을 제공한다.
[해결수단] 수지 조성물을 포함하는 두께 15㎛ 이하의 수지 조성물 층으로서, 수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 수산화마그네슘, 및 (D) 실리카를 포함하는, 수지 조성물 층.[Problem] To provide a resin composition layer or the like capable of suppressing a hollowing phenomenon even when the thickness is thin.
[Solution] A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less including a resin composition, the resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica. composition layer.

Description

수지 조성물 층{RESIN COMPOSITON LAYER}Resin composition layer {RESIN COMPOSITON LAYER}

본 발명은, 수지 조성물 층에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 및 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 함유하는, 프린트 배선판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition layer. In addition, the present invention, a resin sheet comprising the resin composition layer; and an insulating layer formed from a cured product of a resin composition layer.

최근, 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판의 추가적인 박형화가 진행되고 있다. 그에 따라, 내층 기판에서의 배선 회로의 미세화가 진행되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 지지체 및 수지 조성물 층을 포함하는, 저유전정접에 대응 가능한 수지 시트(접착 필름)가 기재되어 있다.In recent years, in order to achieve miniaturization of electronic devices, further thinning of printed wiring boards is progressing. Accordingly, miniaturization of wiring circuits in inner layer substrates is progressing. For example, Patent Document 1 describes a resin sheet (adhesive film) capable of responding to a low dielectric loss tangent, including a support and a resin composition layer.

일본 공개특허공보 특개2014-5464호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-5464

본 발명자들은, 전자 기기의 추가적인 소형화, 박형화를 달성하기 위해, 수지 시트의 수지 조성물 층을 얇게 하는 것을 검토하였다. 검토 결과, 본 발명자들은, 얇은 수지 조성물 층을 절연층에 적용한 경우에, 그 절연층에 비아홀을 형성하면, 할로잉(haloing) 현상이 생기는 것을 발견하였다. 여기서, 할로잉 현상이란, 비아홀의 주위에서 절연층의 수지가 변색되는 현상을 말한다. 이러한 할로잉 현상은, 통상, 비아홀의 형성시에 비아홀의 주위의 수지가 열화됨으로써 생긴다.The present inventors studied thinning the resin composition layer of the resin sheet in order to achieve further miniaturization and thinning of the electronic device. As a result of examination, the present inventors have found that, when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, a haloing phenomenon occurs when a via hole is formed in the insulating layer. Here, the hollowing phenomenon refers to a phenomenon in which the resin of the insulating layer is discolored around the via hole. Such a hollowing phenomenon is usually caused by deterioration of the resin around the via hole during formation of the via hole.

상기한 과제는, 수지 조성물 층의 두께를 얇게 함으로써 비로소 발생한 것이며, 종래는 알려져 있지 않았던 신규의 과제이다. 프린트 배선판의 층간의 도통(導通) 신뢰성을 높이는 관점에서, 이러한 과제는 그 해결이 요망된다.The above-mentioned subject occurred only by making the thickness of the resin composition layer thin, and is a novel subject that has not been known conventionally. From the viewpoint of enhancing the reliability of conduction between layers of a printed wiring board, the solution of these problems is desired.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 두께가 얇아도, 할로잉 현상을 억제할 수 있는 수지 조성물 층; 상기 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 할로잉 현상을 억제할 수 있는, 얇은 절연층을 포함하는 프린트 배선판; 및 상기 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was devised in view of the above problems, and even if the thickness is thin, the resin composition layer capable of suppressing the hollowing phenomenon; a resin sheet including the resin composition layer; a printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing a hollowing phenomenon; and a semiconductor device including the printed wiring board.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 수산화마그네슘, 및 (D) 실리카를 조합하여 포함하는 수지 조성물에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above problems are solved by a resin composition containing (A) epoxy resin, (B) curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica in combination. It was found that it could be solved, and the present invention was completed.

즉, 본 발명은, 하기의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following content.

[1] 수지 조성물을 포함하는 두께 15㎛ 이하의 수지 조성물 층으로서,[1] A resin composition layer containing a resin composition and having a thickness of 15 μm or less,

수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 수산화마그네슘, 및 (D) 실리카를 포함하는, 수지 조성물 층.The resin composition layer, wherein the resin composition contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica.

[2] (D) 성분의 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인, [1]에 기재된 수지 조성물 층.[2] The resin composition layer according to [1], wherein the component (D) has an average particle diameter of 3 µm or less.

[3] (D) 성분의 평균 입자 직경이 0.3㎛ 이하인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물 층.[3] The resin composition layer according to [1] or [2], wherein the component (D) has an average particle diameter of 0.3 μm or less.

[4] (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 3질량% 이상 50질량% 이하인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[4] The resin composition layer according to any one of [1] to [3], wherein the content of the component (D) is 3% by mass or more and 50% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.

[5] (B) 성분이, 페놀계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[5] The resin composition layer according to any one of [1] to [4], wherein the component (B) is at least one selected from a phenol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, and a benzoxazine-based curing agent. .

[6] (A) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 3질량% 이상 50질량% 이하인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[6] The resin composition layer according to any one of [1] to [5], wherein the content of component (A) is 3% by mass or more and 50% by mass or less, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.

[7] (C) 성분이 표면 처리제로 표면 처리되어 있는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[7] The resin composition layer according to any one of [1] to [6], wherein component (C) is surface-treated with a surface treatment agent.

[8] 표면 처리제가 알콕시실란 화합물인, [7]에 기재된 수지 조성물 층.[8] The resin composition layer according to [7], wherein the surface treatment agent is an alkoxysilane compound.

[9] 알콕시실란 화합물이 아미노기 또는 비닐기를 갖는, [8]에 기재된 수지 조성물 층.[9] The resin composition layer according to [8], wherein the alkoxysilane compound has an amino group or a vinyl group.

[10] 표면 처리제의 양이, 수산화마그네슘 100질량부에 대하여 5질량부 이하인, [7] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[10] The resin composition layer according to any one of [7] to [9], wherein the amount of the surface treatment agent is 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of magnesium hydroxide.

[11] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 2질량% 이상 40질량% 이하인, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[11] The resin composition layer according to any one of [1] to [10], wherein the content of the component (C) is 2% by mass or more and 40% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.

[12] 다층 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물 층인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[12] The resin composition layer according to any one of [1] to [11], which is a resin composition layer for an insulating layer of a multilayer printed wiring board.

[13] 탑 지름 35㎛ 이하의 비아홀을 갖는 절연층 형성용인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[13] The resin composition layer according to any one of [1] to [12], for forming an insulating layer having a via hole having a top diameter of 35 μm or less.

[14] 지지체와, 지지체 위에 제공된, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층을 포함하는, 수지 시트.[14] A resin sheet comprising a support and the resin composition layer according to any one of [1] to [13] provided on the support.

[15] [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판.[15] A printed wiring board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition layer according to any one of [1] to [13].

[16] [15]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[16] A semiconductor device including the printed wiring board according to [15].

본 발명에 의하면, 두께가 얇아도, 할로잉 현상을 억제할 수 있는 수지 조성물 층; 상기 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 할로잉 현상을 억제할 수 있는, 얇은 절연층을 포함하는 프린트 배선판; 및 상기 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, even if the thickness is thin, the resin composition layer capable of suppressing the hollowing phenomenon; a resin sheet including the resin composition layer; a printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing a hollowing phenomenon; and a semiconductor device including the printed wiring board.

도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은 절연층을, 내층 기판과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은 절연층의, 도체층과는 반대측의 면을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은, 조화(粗化) 처리 후의 절연층을, 내층 기판과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 프린트 배선판의 모식적인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer obtained by curing a resin composition layer according to a first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate.
Fig. 2 is a plan view schematically showing a surface of an insulating layer obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention on the opposite side to the conductor layer.
Fig. 3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention after a roughening treatment together with an inner layer substrate.
4 is a schematic cross-sectional view of a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 예를 드는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 특허청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경해서 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment and an illustration are shown, and this invention is demonstrated in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments and exemplified examples given below, and can be implemented with arbitrary changes within a range not departing from the scope of the claims of the present invention and their equivalents.

이하의 설명에 있어서, 수지 조성물의 「수지 성분」이란, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중, (C) 성분 및 (D) 성분을 제외한 성분을 말한다.In the following description, the "resin component" of a resin composition refers to the component except (C) component and (D) component among the non-volatile components contained in a resin composition.

[수지 조성물 층][Resin Composition Layer]

본 발명의 수지 조성물 층은, 소정값 이하의 두께를 갖는 얇은 수지 조성물 층이다. 또한, 본 발명의 수지 조성물 층이 포함하는 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 수산화마그네슘, 및 (D) 실리카를 포함한다.The resin composition layer of the present invention is a thin resin composition layer having a thickness of a predetermined value or less. In addition, the resin composition included in the resin composition layer of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica.

이러한 수지 조성물 층을 사용함으로써, 소정값 이하의 얇은 절연층을 얻을 수 있다. 그리고, 비아홀이 형성된 절연층에 조화 처리를 실시한 경우의 할로잉 현상을 억제할 수 있다고 하는, 본 발명의 원하는 효과를 얻을 수 있다.By using such a resin composition layer, a thin insulating layer of a predetermined value or less can be obtained. And the desired effect of this invention that the hollowing phenomenon at the time of giving a roughening process to the insulating layer in which the via hole was formed can be suppressed, can be acquired.

수지 조성물은, 필요에 따라, 추가로 (E) 열가소성 수지, (F) 경화 촉진제, 및 (G) 임의의 첨가제를 포함할 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.The resin composition may further contain (E) a thermoplastic resin, (F) a curing accelerator, and (G) optional additives as needed. Hereinafter, each component included in the resin composition will be described in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy Resin>

(A) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) As an epoxy resin as a component, for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin , trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type Epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, spirocyclic epoxy resins resins, cyclohexane type epoxy resins, cyclohexane dimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, trimethylol type epoxy resins, tetraphenylethane type epoxy resins and the like. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that a resin composition contains the epoxy resin which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule as (A) epoxy resin. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, (A) the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule relative to 100% by mass of the non-volatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, and more Preferably it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋지만, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써, 수지 조성물 층의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물 층의 경화물의 파단 강도를 향상시키거나 할 수 있다.Epoxy resins include liquid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "liquid epoxy resins") and solid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "solid epoxy resins"). there is The resin composition may contain only a liquid epoxy resin or only a solid epoxy resin as the (A) epoxy resin, but it is preferable to contain a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination. (A) As the epoxy resin, by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination, the flexibility of the resin composition layer can be improved or the breaking strength of the cured product of the resin composition layer can be improved.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 사이클로헥산형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and phenol novolac type epoxy resins. , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a cyclohexane type epoxy resin is more desirable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」,「825」, 「에피코토828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」,「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의「세로키사이도2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032" by DIC Corporation, "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene-type epoxy resin); “828US”, “jER828EL”, “825”, and “Epicoto 828EL” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; Mitsubishi Chemical Corporation "jER807", "1750" (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "630" by Mitsubishi Chemical Corporation, "630LSD" (glycidylamine type|mold epoxy resin); "ZX1059" by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.; "Serokisaido 2021P" by Daicel Co., Ltd. (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600" by Daicel Co., Ltd. (epoxy resin having a butadiene structure); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd. and the like are exemplified. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid-state epoxy resin, the solid-state epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid-state epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 및 비스페놀 AF형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of solid epoxy resins include bixylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, Phenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, tetraphenylethane type epoxy resins are preferred, bixylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, and bisphenol AF-type epoxy resins are more preferred.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP4032H" by DIC Corporation (naphthalene-type epoxy resin); "HP-4700" by DIC Corporation, "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "N-695" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "HP-7200" by DIC Corporation (dicyclopentadiene type epoxy resin); "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" manufactured by DIC ( naphthylene ether type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol-type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolak-type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd. "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin); "ESN485" (naphthol novolak-type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemicals; Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000H", "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX8800" (anthracene-type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; Mitsubishi Chemical Corporation "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YL7800" (fluorene type epoxy resin); "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) by the Mitsubishi Chemical Corporation etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용할 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:1 내지 1:40, 보다 바람직하게는 1:3 내지 1:30, 특히 바람직하게는 1:5 내지 1:20이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있는 것에 의해, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 수지 시트의 형태로 사용할 경우에, 적당한 점착성이 형성된다. 또한, 통상은, 수지 시트의 형태로 사용할 경우에, 충분한 가요성이 얻어지고, 취급성이 향상된다. 또한, 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.(A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is, in mass ratio, preferably 1:1 to 1:40, more preferably is from 1:3 to 1:30, particularly preferably from 1:5 to 1:20. When the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within this range, the desired effects of the present invention can be remarkably obtained. In addition, when used in the form of a resin sheet, suitable adhesiveness is usually formed. In addition, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is usually obtained and handling properties are improved. In addition, a cured product having sufficient breaking strength can usually be obtained.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이러한 범위가 됨으로써, 수지 조성물 층의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 형성할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.(A) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. By being within such a range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition layer becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be formed. Epoxy equivalent is the mass of resin containing an epoxy group of 1 equivalent. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mｗ)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다.(A) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention.

수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of the resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상, 30질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다.The amount of the (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability It is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more and 30% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention.

<(B) 경화제><(B) curing agent>

수지 조성물은, (B) 성분으로서, 경화제를 포함한다. (B) 경화제는, 통상, (A) 에폭시 수지와 반응해서 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖는다.The resin composition contains a curing agent as component (B). (B) The curing agent usually reacts with the (A) epoxy resin to have a function of curing the resin composition.

(B) 경화제로서는, (A) 에폭시 수지를 경화시키는 작용을 갖는 것을 사용할 수 있다. (B) 경화제로서는, 예를 들어, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트 에스테르계 경화제, 및 카르보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용해도 좋다.(B) As the curing agent, one having an action of curing the (A) epoxy resin can be used. (B) Examples of the curing agent include active ester-based curing agents, phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, and carbodiimide-based curing agents. In addition, a hardening|curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, active ester curing agents include phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy compound esters, etc., having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule. compounds are preferred. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound, and/or a naphthol compound is more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합해서 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenolic compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxy benzophenone, tetrahydroxy benzophenone, phloroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensation of two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated product of phenol novolac, and phenol novolak. and active ester compounds containing benzoylides. Among them, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T" and "HPC-8000H-65TM" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. ", "EXB-8000L-65TM", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC Corporation); "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoyl compound of phenol novolac; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), etc. are mentioned as an active ester type curing agent which is a benzoyl compound of phenol novolac.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」, 「SN375」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, it is "MEH-7700" by a Maywa Kasei company, "MEH-7810", "MEH-7851", for example; "NHN", "CBN", "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375" manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.; "TD-2090", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500" etc. made by DIC Corporation are mentioned.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., and "F-a" are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머)등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylencyanate), and 4,4'-methylenebis(2,6- dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate) Bifunctional cyanate resins, such as nate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolaks, cresol novolacs, and the like; The prepolymer etc. which these cyanate resins partly triazinated are mentioned. As specific examples of the cyanate ester curing agent, "PT30" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), and "BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. ”, “BA230S75” (a prepolymer in which part or all of bisphenol A dicyanate is triazated to form a trimer), and the like.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.As a specific example of a carbodiimide type hardening|curing agent, "V-03" by the Nisshinbo Chemical company, "V-07", etc. are mentioned.

수지 조성물에서의 (B) 경화제의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 8질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이며, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The amount of the curing agent (B) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component in the resin composition, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. More preferably, it is 10 mass % or more, Preferably it is 30 mass % or less, More preferably, it is 25 mass % or less, More preferably, it is 20 mass % or less.

상기한 것 중에서도, (B) 경화제로서는, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 페놀계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, 활성 에스테르계 경화제인 것이 보다 바람직하다.Among the above, the (B) curing agent is preferably at least one selected from phenol-based curing agents, active ester-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, and benzoxazine-based curing agents from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. , It is more preferable that it is an active ester type hardening|curing agent.

(B) 경화제가, 활성 에스테르계 경화제를 포함할 경우, 활성 에스테르계 경화제의 함유율은, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 8질량% 이상이며, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.(B) When the curing agent contains an active ester-based curing agent, the content of the active ester-based curing agent is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component in the resin composition. , More preferably, it is 8 mass% or more, preferably 20 mass% or less, more preferably 15 mass% or less, still more preferably 10 mass% or less.

(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1이라고 한 경우, (B) 경화제의 활성기 수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.24 이상이며, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하, 특히 바람직하게는 0.5 이하이다. 여기에서, 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. 또한, 「(B) 경화제의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (B) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1이라고 한 경우의 (B) 경화제의 활성기 수가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 수지 조성물 층의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.(A) When the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, (B) the number of active groups of the curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.24 or more, and preferably 2 or less, More preferably, it is 1.5 or less, still more preferably 1 or less, and particularly preferably 0.5 or less. Here, "the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin" is a value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of (B) curing agent" is a value obtained by dividing the mass of non-volatile components of the curing agent (B) present in the resin composition by the active group equivalent. (A) When the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, (B) when the number of active groups of the curing agent is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and usually, the heat resistance of the cured product of the resin composition layer is improved. more improved

<(C) 수산화마그네슘><(C) Magnesium Hydroxide>

수지 조성물은, (C) 성분으로서, 수산화마그네슘을 포함한다. (C) 성분을 수지 조성물에 함유시킴으로써, 할로잉 현상을 억제 가능한 절연층을 얻을 수 있고, 또한 수지 조성물 층의 경화물의 난연성을 향상시킬 수도 있다.The resin composition contains magnesium hydroxide as component (C). By including component (C) in the resin composition, an insulating layer capable of suppressing the hollowing phenomenon can be obtained, and the flame retardancy of the cured product of the resin composition layer can also be improved.

(C) 성분으로서 사용하는 수산화마그네슘으로서는, 합성물, 천연물 중 어느 것이라도 좋다. (C) 성분은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(C) As magnesium hydroxide used as a component, any of a synthetic material and a natural product may be sufficient. (C) component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

수산화마그네슘의 시판품으로서는, 예를 들어 고우노시마 카가쿠코교사 제조의 「EP-4A」, 「EP-2E」, 「EP-2A」, 「EP-1SII」, 다테호 카가쿠코교사 제조의 「에코마그 Z-10」, 「에코마그 PZ-1」, 사카이 카가쿠코교사 제조의 「MGZ-1」, 「MGZ-3」, 교와 카가쿠코교사 제조의 「키스마 5E」, 「키스마 8SN」, 「키스마 5A」, 「키스마 5L」 등을 들 수 있다.As commercially available products of magnesium hydroxide, for example, "EP-4A", "EP-2E", "EP-2A", "EP-1SII" manufactured by Konoshima Chemical Industry Co., Ltd., manufactured by Dateho Chemical Industry Co., Ltd. "Ecomag Z-10", "Ecomag PZ-1", "MGZ-1" and "MGZ-3" manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., "Kissuma 5E" manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., " Kisma 8SN", "Kisma 5A", "Kisma 5L" and the like.

통상, 수산화마그네슘은, 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. 수산화마그네슘의 평균 입자 직경은, 할로잉 현상을 효과적으로 억제하는 관점에서, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.8㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 바람직하게는 3㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이하이다.Usually, magnesium hydroxide is contained in a resin composition in the form of particles. The average particle diameter of magnesium hydroxide is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.8 μm or more, still more preferably 1 μm or more, and preferably 3 μm or less, from the viewpoint of effectively suppressing the hollowing phenomenon. Preferably it is 2 μm or less, more preferably 1.5 μm or less.

수산화마그네슘의 형상은 입자상이면 특별히 한정되지 않지만, 할로잉 현상을 효과적으로 억제하는 관점에서, 타원상(플래이크(FLAKE)상)이라도 좋다. 이 경우, 종횡비로서는 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 1.2 이상, 더욱 바람직하게는 1.4 이상, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 9 이하, 더욱 바람직하게는 8 이하이다. 종횡비란, 입자의 장축(입자 직경이 가장 긴 부분의 길이)의 길이를 단축(장경의 수직 방향의 길이)의 길이로 나누어서 구한 것을 의미한다.The shape of magnesium hydroxide is not particularly limited as long as it is particulate, but an elliptical shape (FLAKE shape) may be used from the viewpoint of effectively suppressing the hollowing phenomenon. In this case, the aspect ratio is preferably 1 or more, more preferably 1.2 or more, even more preferably 1.4 or more, preferably 10 or less, more preferably 9 or less, still more preferably 8 or less. The aspect ratio means obtained by dividing the length of the major axis (the length of the longest part of the particle diameter) of the particle by the length of the minor axis (the length in the direction perpendicular to the major axis).

수산화마그네슘의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 수산화마그네슘의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간(median) 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 수산화마그네슘을 초음파에 의해 메틸에틸케톤 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-500」, 시마즈 세사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of magnesium hydroxide can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle size distribution of magnesium hydroxide on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and taking the median diameter as the average particle size. As the measurement sample, a product obtained by dispersing magnesium hydroxide in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by Horiba, Ltd., "SALD-2200" manufactured by Shimadzu, etc. can be used.

수산화마그네슘은, 할로잉 현상을 보다 억제하는 관점에서, 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있고, 특히 할로잉 현상을 억제하는 관점에서 알콕시실란 화합물이 바람직하다.It is preferable that magnesium hydroxide is surface-treated with a surface treatment agent from a viewpoint of further suppressing a hollowing phenomenon. As the surface treatment agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, a titanate-based coupling agent, and the like are exemplified, and an alkoxysilane compound is particularly preferable from the viewpoint of suppressing the hollowing phenomenon.

알콕시실란 화합물은, 「X-Si(OR1)a(R2)3-a」의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 식 중, R1은 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기, 탄소 원자수 2 내지 8의 알콕시알킬기 또는 탄소 원자수 6 내지 10의 아릴기를 나타내고, R2는 수소 원자, 하이드록실기, 할로겐 원자 또는 탄화수소기를 나타낸다. a는 1 내지 3의 정수를 나타낸다. a가 2 또는 3인 경우, 복수의 R1은, 동일해도 좋고, 달라도 좋다. 또한, a가 1인 경우, 복수의 R2는, 동일해도 좋고, 달라도 좋다. X는, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, 비닐기, 이소시아네이트기, 메타크릴기, 우레아기, 페닐기, 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기, 및 이들 기를 2 이상 조합한 기를 나타낸다.The alkoxysilane compound preferably has a structure of “X-Si(OR 1 ) a (R 2 ) 3-a ”. In the formula, R 1 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 8 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom or a hydrocarbon. represents a flag. a represents an integer from 1 to 3; When a is 2 or 3, a plurality of R 1 ' s may be the same or different. In addition, when a is 1, a plurality of R 2 may be the same or different. X represents an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a vinyl group, an isocyanate group, a methacryl group, a urea group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a group in which two or more of these groups are combined.

알콕시실란 화합물로서는, 할로잉 현상을 효과적으로 억제하는 관점에서, 상기 식 중의 X가 아미노기, 비닐기, 아미노페닐기를 포함하는 기를 나타내는 것이 바람직하다. 즉, 알콕시실란 화합물은, 아미노기를 갖는 알콕시실란 화합물, 또는 비닐기를 갖는 알콕시실란 화합물이 바람직하다.As an alkoxysilane compound, it is preferable that X in the said formula represents the group containing an amino group, a vinyl group, and an aminophenyl group from a viewpoint of suppressing a hollowing phenomenon effectively. That is, the alkoxysilane compound is preferably an alkoxysilane compound having an amino group or an alkoxysilane compound having a vinyl group.

알콕시실란 화합물의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM5783」(N-페닐-3-아미노옥틸트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제) 등을 들 수 있다. 알콕시실란 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a commercial item of an alkoxysilane compound, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM1003" (vinyl trimethoxysilane) ), "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM5783" (N-phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane coupling agent), etc. are mentioned. An alkoxysilane compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

표면 처리제의 양은, 할로잉 현상을 효과적으로 억제하는 관점에서, 수산화마그네슘 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 4.5질량부 이하, 더욱 바람직하게는 4질량부 이하이며, 바람직하게는 0.5질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.6질량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.7질량부 이상이다.The amount of the surface treatment agent is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 4.5 parts by mass or less, still more preferably 4 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of magnesium hydroxide, from the viewpoint of effectively suppressing the hollowing phenomenon. It is preferably 0.5 parts by mass or more, more preferably 0.6 parts by mass or more, and still more preferably 0.7 parts by mass or more.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 수산화마그네슘의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 수산화마그네슘의 단위 표면적당 카본량은, 수산화마그네슘의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide. The amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more, from the viewpoint of improving the dispersibility of magnesium hydroxide. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the form of a sheet, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

수산화마그네슘의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리제로 표면 처리한 후의 수산화마그네슘을 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 수산화마그네슘에 가하고, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 수산화마그네슘의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide can be measured after surface treatment of magnesium hydroxide with a surface treatment agent and washing treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to magnesium hydroxide surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. or the like can be used.

(C) 성분의 함유량은, 할로잉 현상을 효과적으로 억제하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 바람직하게는 2질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이다. 상한은, 비아홀의 형상을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 38질량% 이하, 더욱 바람직하게는 35질량% 이하이다. The content of component (C) is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and further preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of effectively suppressing the hollowing phenomenon. Preferably it is 10 mass % or more. The upper limit is preferably 40% by mass or less, more preferably 38% by mass or less, still more preferably 35% by mass or less, from the viewpoint of improving the shape of the via hole.

<(D) 실리카><(D) Silica>

수지 조성물은, (D) 성분으로서, 실리카를 포함한다. (D) 실리카를 수지 조성물에 사용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 열 팽창율을 작게 할 수 있고, 유전 정접도 작게 할 수 있다.The resin composition contains silica as component (D). (D) By using silica in the resin composition, the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition can be reduced, and the dielectric loss tangent can also be reduced.

(D) 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 공중 실리카 등을 들 수 있고, 구상 실리카가 바람직하다. (D) 실리카는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(D) Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica and aerial silica, and spherical silica is preferable. (D) Silica may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(D) 실리카의 시판품으로서는, 예를 들어, 니혼 쇼쿠바이사 제조의 「KE-P30」, 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.(D) As a commercial item of a silica, it is "KE-P30" by the Nippon Shokubai company, "SP60-05" by the Nippon-Sumikin Materials company, and "SP507-05", for example; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex; "UFP-30" by Denka Corporation; "Silent NSS-3N", "Silent NSS-4N", and "Silent NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" etc. by the Adomatex company are mentioned.

통상, (D) 실리카는, 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (D) 실리카의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이며, 바람직하게는 3㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이하, 1.0㎛ 이하, 0.5㎛ 이하, 0.3㎛ 이하이다. (D) 실리카의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 박막의 절연층이라도 절연 신뢰성이 우수해지고, 비아홀의 벽면의 패임부의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 통상은, 수지 조성물 층의 회로 매립성을 향상시키거나, 절연층의 표면 거칠기를 작게 하거나 할 수 있다. (D) 실리카의 평균 입자 직경은, (C) 수산화마그네슘의 평균 입자 직경과 동일한 방법으로 측정할 수 있다.Usually, (D) silica is contained in a resin composition in the form of particles. (D) The average particle diameter of silica is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, and still more Preferably, they are 1.5 μm or less, 1.0 μm or less, 0.5 μm or less, or 0.3 μm or less. (D) When the average particle diameter of silica is within the above range, insulation reliability is improved even in a thin insulating layer, and the occurrence of pits on the walls of via holes can be suppressed. In general, circuit embeddability of the resin composition layer can be improved or the surface roughness of the insulating layer can be reduced. (D) The average particle diameter of silica can be measured by the same method as the average particle diameter of (C) magnesium hydroxide.

(D) 실리카의 비표면적은, 비아홀의 형상의 컨트롤을 용이하게 하여 양호한 형상을 실현하는 관점에서, 바람직하게는 15㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 20㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 30㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 실리카의 비표면적은, BET법에 의해 측정할 수 있다.(D) The specific surface area of the silica is preferably 15 m/g or more, more preferably 20 m/g or more, and particularly preferably 30 m/g or more, from the viewpoint of facilitating control of the shape of the via hole and realizing a good shape. m2/g or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area of silica can be measured by the BET method.

(D) 실리카는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, (C) 수산화마그네슘에서의 표면 처리제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (C) 수산화마그네슘의 경우와 동일하다.(D) Silica may be treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As a surface treatment agent, the same thing as the surface treatment agent for (C) magnesium hydroxide can be used. The degree of surface treatment by the surface treatment agent is the same as in the case of (C) magnesium hydroxide.

(D) 실리카의 함유량은, 원하는 효과를 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상, 25질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 55질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하이다.(D) The silica content is preferably 3% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, still more preferably, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of obtaining the desired effect. It is 20 mass % or more and 25 mass % or more. The upper limit is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, still more preferably 50% by mass or less.

(D) 실리카 및 (C) 수산화마그네슘의 합계 함유량은, 할로잉 현상을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 바람직하게는 40질량% 이상, 더욱 바람직하게는 50질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하이다.The total content of silica (D) and magnesium hydroxide (C) is preferably 30% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of more effectively suppressing the hollowing phenomenon. Preferably it is 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more. The upper limit is preferably 80% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, still more preferably 60% by mass or less.

<(E) 열가소성 수지><(E) thermoplastic resin>

수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 (E) 열가소성 수지를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain (E) a thermoplastic resin as an optional component other than the components described above.

(E) 성분으로서의 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점, 및 표면 거칠기가 작고 도체층과의 밀착성이 특히 우수한 절연층을 얻는 관점에서, 페녹시 수지가 바람직하다. 또한, 열가소성 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(E) Examples of the thermoplastic resin as component include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone. Resin, polyphenylene ether resin, polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, polyester resin, etc. are mentioned. Among them, a phenoxy resin is preferred from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention and obtaining an insulating layer having a small surface roughness and particularly excellent adhesion to the conductor layer. In addition, a thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, and naphthalene. and phenoxy resins having at least one type of skeleton selected from the group consisting of skeletons, anthracene skeletons, adamantane skeletons, terpene skeletons, and trimethylcyclohexane skeletons. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin.

페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「FX280」 및 「FX293」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenoxy resin, "1256" and "4250" by Mitsubishi Chemical Corporation (both are bisphenol A frame|skeleton containing phenoxy resins); "YX8100" (bisphenol S frame|skeleton containing phenoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX6954" (bisphenol acetophenone frame|skeleton containing phenoxy resin) by the Mitsubishi Chemical company; "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.; "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation are mentioned.

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키 카가쿠코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」; 세키스이 카가쿠코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin are mentioned, for example, and polyvinyl butyral resin is preferable. As specific examples of the polyvinyl acetal resin, "Denka Butyral 4000-2", "Denka Butyral 5000-A", "Denka Butyral 6000-C", and "Denka Butyral 6000-EP" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. ; The Srec BH series, BX series (eg BX-5Z), KS series (eg KS-1), BL series, BM series, etc. manufactured by Sekisui Kagakuko Co., Ltd. are mentioned.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신닛폰리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.As a specific example of the polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" manufactured by New Nippon Rica Co., Ltd. are exemplified. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-37083), and polysiloxane. and modified polyimides such as skeleton-containing polyimides (polyimides described in Japanese Unexamined Patent Publication Nos. 2002-12667 and 2000-319386 and the like).

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.As a specific example of the polyamide-imide resin, "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" manufactured by Toyobo Co., Ltd. are exemplified. Specific examples of the polyamide-imide resin include further modified polyamide-imides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamide-imide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 쓰미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyether sulfone resin, "PES5003P" by the Tsumitomo Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyphenylene ether resin, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. product oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St 1200" etc. are mentioned.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.As a specific example of polysulfone resin, polysulfone "P1700" by the Solvay Advanced Polymers company, "P3500", etc. are mentioned.

(E) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 8,000 이상, 보다 바람직하게는 10,000 이상, 특히 바람직하게는 20,000 이상이며, 바람직하게는 70,000 이하, 보다 바람직하게는 60,000 이하, 특히 바람직하게는 50,000 이하이다.(E) The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, particularly preferably 20,000 or more, and preferably 70,000 from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. or less, more preferably 60,000 or less, particularly preferably 50,000 or less.

(E) 열가소성 수지를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (E) 열가소성 수지의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이며, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 12질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하다.(E) In the case of using a thermoplastic resin, the amount of the (E) thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. , More preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, preferably 15% by mass or less, more preferably 12% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less.

<(F) 경화 촉진제><(F) Curing accelerator>

수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 (F) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain (F) a hardening accelerator as an optional component other than the components described above.

경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the curing accelerator include phosphorus curing accelerators, amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, guanidine curing accelerators, and metal curing accelerators. Among them, phosphorus-based hardening accelerators, amine-based hardening accelerators, imidazole-based hardening accelerators, and metal-based hardening accelerators are preferable, and amine-based hardening accelerators, imidazole-based hardening accelerators, and metal-based hardening accelerators are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl)triphenyl. Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyl triphenylphosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8 -Diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a ] Imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazolin, and combinations of imidazole compounds with epoxy resins. A duct body is mentioned, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As an imidazole type hardening accelerator, you may use a commercial item, and "P200-H50" by the Mitsubishi Chemical Corporation etc. are mentioned, for example.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and the like, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(Ⅱ)아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(Ⅲ)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(Ⅱ)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based hardening accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. organic iron complexes such as organic zinc complexes and iron (III) acetylacetonate; organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate; and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

(F) 경화 촉진제를 사용할 경우, 수지 조성물에서의 (F) 경화 촉진제의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이며, 바람직하게는 1.5질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.(F) When using a curing accelerator, the amount of the (F) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more relative to 100% by mass of the resin component of the resin composition from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. , More preferably 0.05% by mass or more, still more preferably 0.1% by mass or more, preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less.

<(G) 임의의 첨가제><(G) optional additives>

수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의인 성분으로서, 추가로 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 충전재; 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain an arbitrary additive as an optional component other than the components described above. Examples of such additives include organic fillers; Resin additives, such as a thickener, an antifoamer, a leveling agent, and an adhesive imparting agent, etc. are mentioned. These additives may be used alone or in combination of two or more.

<수지 조성물 층의 두께><Thickness of resin composition layer>

수지 조성물 층은, 상기한 수지 조성물로 형성된 층으로서, 소정값 이하의 두께를 갖는다. 수지 조성물 층의 구체적인 두께는, 통상 15㎛ 이하, 바람직하게는 14㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 12㎛ 이하이다. 종래, 프린트 배선판의 절연층 형성용 수지 조성물 층의 두께는, 이것보다도 두꺼운 것이 일반적이었다. 이에 대하여, 본 발명자가, 일반적인 조성의 수지 조성물 층을 상기와 같이 얇게 한 바, 그러한 얇은 수지 조성물 층에서는, 할로잉 현상의 발생이라는, 종래 알려져 있지 않았던 과제가 생기는 것을 발견하였다. 이러한 새로운 과제를 해결하여 프린트 배선판의 박막화에 기여하는 관점에서, 본 발명의 수지 조성물 층은, 상기와 같이 얇게 제공된다. 수지 조성물 층의 두께의 하한은 임의이며, 예를 들어 1㎛ 이상, 3㎛ 이상으로 할 수 있다.The resin composition layer is a layer formed from the resin composition described above and has a thickness of a predetermined value or less. The specific thickness of the resin composition layer is usually 15 μm or less, preferably 14 μm or less, and more preferably 12 μm or less. Conventionally, the thickness of the layer of the resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board was generally thicker than this. On the other hand, when the present inventors thinned the resin composition layer of a general composition as described above, it was found that such a thin resin composition layer caused a conventionally unknown subject such as occurrence of a hollowing phenomenon. From the viewpoint of solving these new problems and contributing to thinning of the printed wiring board, the resin composition layer of the present invention is provided thinly as described above. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is arbitrary, and can be, for example, 1 μm or more and 3 μm or more.

<수지 조성물 층의 특성><Characteristics of the resin composition layer>

본 발명의 수지 조성물 층을 경화시킴으로써, 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 얇은 절연층을 얻을 수 있다. 이 절연층에 비아홀을 형성한 경우에, 비아홀의 주위의 절연층의 수지가 변색되는 할로잉 현상을 억제할 수 있다. 이하, 이들 효과에 대하여, 도면을 참조해서 설명한다.By curing the resin composition layer of the present invention, a thin insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer can be obtained. When a via hole is formed in this insulating layer, the hollowing phenomenon in which the resin in the insulating layer around the via hole is discolored can be suppressed. Hereinafter, these effects will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은 절연층(100)을, 내층 기판(200)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이 도 1에 있어서는, 비아홀(110)의 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향에 평행한 평면으로서, 절연층(100)을 절단한 단면을 나타낸다.1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 obtained by curing a resin composition layer according to a first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate 200. In FIG. 1 , a cross section of the insulating layer 100 is shown as a plane passing through the center 120C of the bottom 120 of the via hole 110 and parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 .

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 절연층(100)은, 도체층(210)을 포함하는 내층 기판(200) 위에 형성된 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻어진 층으로서, 상기 수지 조성물 층의 경화물로 이루어진다. 또한, 절연층(100)에는, 비아홀(110)이 형성되어 있다. 비아홀(110)은 일반적으로, 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 가까울수록 지름이 크고, 도체층(210)에 가까울수록 지름이 작은 순서로 테이퍼 형상으로 형성되고, 이상적으로는, 절연층(100)의 두께 방향에 있어서 일정한 지름을 갖는 기둥형상으로 형성된다. 이러한 비아홀(110)은, 통상, 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 레이저광을 조사하여, 절연층(100)의 일부를 제거함으로써 형성된다.As shown in FIG. 1, the insulating layer 100 according to the first embodiment of the present invention is a layer obtained by curing a resin composition layer formed on an inner layer substrate 200 including a conductor layer 210, the resin It consists of a cured product of the composition layer. Further, via holes 110 are formed in the insulating layer 100 . In general, the via hole 110 has a tapered shape in the order of a larger diameter as it approaches the surface 100U of the insulating layer 100 on the opposite side of the conductor layer 210 and a smaller diameter as it approaches the conductor layer 210. Ideally, it is formed in a columnar shape having a constant diameter in the thickness direction of the insulating layer 100. Such a via hole 110 is normally formed by irradiating a laser beam to the surface 100U of the insulating layer 100 on the opposite side to the conductor layer 210 to remove a part of the insulating layer 100 .

상기 비아홀(110)의 도체층(210)측의 보텀을, 적절히 「비아 보텀」이라고 부르고, 부호 120으로 나타낸다. 그리고, 이 비아 보텀(120)의 지름을, 보텀 지름(Lb)라고 부른다. 또한, 비아홀(110)의 도체층(210)과는 반대측에 형성된 개구를, 적절히 「비아 탑」이라고 부르고, 부호 130으로 나타낸다. 그리고, 이 비아 탑(130)의 지름을, 탑 지름(Lt)이라고 부른다. 통상, 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)은, 절연층(100)의 두께 방향에서 본 평면 형상이 원형상으로 형성되지만, 타원 형상이라도 좋다. 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)의 평면 형상이 타원 형상일 경우, 그 보텀 지름(Lb) 및 탑 지름(Lt)은, 각각, 상기 타원 형상의 장경을 나타낸다.The bottom of the via hole 110 on the side of the conductor layer 210 is appropriately referred to as a “via bottom” and is denoted by reference numeral 120. And, the diameter of this via bottom 120 is called bottom diameter Lb. An opening formed on the opposite side of the via hole 110 to the conductor layer 210 is appropriately referred to as a "via top" and is denoted by reference numeral 130. And, the diameter of this via top 130 is called top diameter Lt. Normally, the via bottom 120 and the via top 130 are formed in a circular shape when viewed from the thickness direction of the insulating layer 100, but may also have an elliptical shape. When the planar shapes of the via bottom 120 and the via top 130 are elliptical, the bottom diameter Lb and top diameter Lt respectively represent the major axis of the elliptical shape.

이 때, 보텀 지름(Lb)을 탑 지름(Lt)으로 나누어서 얻어지는 테이퍼율 Lb/Lt(%)이 100%에 가까울수록, 그 비아홀(110)의 형상은 양호하다. 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 비아홀(110)의 형상을 용이하게 제어하는 것이 가능하므로, 테이퍼율(Lb/Lt)이 100%에 가까운 비아홀(110)을 실현할 수 있다. 비아홀의 테이퍼율이란, 비아홀의 탑 지름에 대한 보텀 지름의 비율을 말한다.At this time, the closer the taper ratio Lb/Lt (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb by the top diameter Lt is 100%, the better the shape of the via hole 110 is. When the resin composition layer of the present invention is used, since the shape of the via hole 110 can be easily controlled, the via hole 110 with a taper ratio (Lb/Lt) close to 100% can be realized. The taper ratio of a via hole means the ratio of the bottom diameter to the top diameter of a via hole.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한 경우, 그 비아홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)을, 바람직하게는 75% 내지 100%, 보다 바람직하게는 80% 내지 100%, 특히 바람직하게는 85% 내지 100%로 할 수 있다.For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100°C for 30 minutes and then heating and curing at 180°C for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2. When a via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the taper rate (Lb/ Lt) is preferably 75% to 100%, more preferably 80% to 100%, and particularly preferably 85% to 100%.

비아홀(110)의 테이퍼율 Lb/Lt는, 비아홀(110)의 보텀 지름(Lb) 및 탑 지름(Lt)으로부터 계산할 수 있다. 또한, 비아홀(110)의 보텀 지름(Lb) 및 탑 지름(Lt)은, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층(100)을, 상기 절연층(100)의 두께 방향으로 평행이고 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.The taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb and the top diameter Lt of the via hole 110 . In addition, the bottom diameter (Lb) and top diameter (Lt) of the via hole 110 are parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and It can be measured by cutting the via bottom 120 so that a cross section passing through the center 120C appears, and then observing the cross section with an electron microscope.

도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은 절연층(100)의, 도체층(210)(도 2에서는 도시하지 않음)과는 반대측의 면(100U)을 모식적으로 나타내는 평면도이다.Fig. 2 schematically shows a surface 100U on the opposite side to the conductor layer 210 (not shown in Fig. 2) of the insulating layer 100 obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention. It is a plan view that is represented as an enemy.

도 2에 나타내는 바와 같이, 비아홀(110)이 형성된 절연층(100)을 보면, 할로잉 현상에 의해, 이 비아홀(110)의 주위에, 절연층(100)이 변색된 변색부(140)가 관찰되는 경우가 있다. 이 변색부(140)는, 비아홀(110)의 형성시에서의 수지 열화에 의해 형성될 수 있는 것으로서, 통상, 비아홀(110)로부터 연속해서 형성된다. 또한, 대부분의 경우, 변색부(140)는 백화 부분으로 되어 있다.As shown in FIG. 2 , when looking at the insulating layer 100 in which the via hole 110 is formed, a discolored portion 140 in which the insulating layer 100 is discolored is formed around the via hole 110 by the hollowing phenomenon. may be observed. This discolored portion 140 can be formed by resin deterioration at the time of formation of the via hole 110, and is normally formed continuously from the via hole 110. In most cases, the discoloration portion 140 is a whitened portion.

도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜서 얻은, 조화 처리 후의 절연층(100)을, 내층 기판(200)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이 도 3에서는, 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면으로서, 절연층(100)을 절단한 단면을 나타낸다.3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention after roughening treatment together with an inner layer substrate 200. In FIG. 3 , a cross section of the insulating layer 100 is shown as a plane passing through the center 120C of the via bottom 120 of the via hole 110 and parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 .

도 3에 나타내는 바와 같이, 비아홀(110)이 형성된 절연층(100)에 조화 처리를 실시하면, 변색부(140)의 절연층(100)이 도체층(210)으로부터 박리되고, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터 연속된 간극부(160)가 형성되는 경우가 있다. 이 간극부(160)는, 통상, 조화 처리 시에 변색부(140)가 침식되어 형성된다.As shown in FIG. 3 , when a roughening treatment is applied to the insulating layer 100 in which the via hole 110 is formed, the insulating layer 100 of the discolored portion 140 is separated from the conductor layer 210, and the via bottom 120 There is a case where a gap portion 160 continuous from the edge 150 of ) is formed. This gap part 160 is normally formed by eroding the discoloration part 140 at the time of a roughening process.

본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 상기 할로잉 현상을 억제할 수 있다. 그 때문에, 변색부(140)의 사이즈를 작게 할 수 있다. 따라서, 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리를 억제할 수 있으므로, 간극부(160)의 사이즈를 작게 할 수 있다.By using the resin composition layer of the present invention, the hollowing phenomenon can be suppressed. Therefore, the size of the discoloration portion 140 can be reduced. Therefore, since peeling of the insulating layer 100 from the conductor layer 210 can be suppressed, the size of the gap part 160 can be reduced.

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 변색부(140)의 사이즈를 작게 할 수 있고, 이상적으로는 변색부(140)를 없앨 수 있다. 변색부(140)의 사이즈는, 비아홀(110)의 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)에 의해 평가할 수 있다.As shown in FIG. 3 , by using the resin composition layer of the present invention, the size of the discolored portion 140 can be reduced, and ideally, the discolored portion 140 can be eliminated. The size of the discolored portion 140 can be evaluated by the hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via top 130 of the via hole 110 .

비아 탑(130)의 엣지(180)는, 변색부(140)의 내주측의 테두리부에 상당한다. 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)란, 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터, 변색부(140)의 외주측의 테두리부(190)까지의 거리를 나타낸다. 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)가 작을수록, 변색부(140)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The edge 180 of the via top 130 corresponds to the edge portion on the inner peripheral side of the discoloration portion 140 . The hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via top 130 is the distance from the edge 180 of the via top 130 to the edge portion 190 on the outer peripheral side of the discolored portion 140. indicate It can be evaluated that the smaller the hollowing distance (Wt) of the via top 130 from the edge 180 is, the more effectively the formation of the discolored portion 140 can be suppressed.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한 경우, 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 바람직하게는 6㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하로 할 수 있다. For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100° C. for 30 minutes and then heating and curing it at 180° C. for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2. When a via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, from the edge 180 of the via top 130 The hollowing distance (Wt) of can be preferably 6 μm or less, more preferably 5 μm or less.

비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)는, 광학 현미경에 의한 관찰에 의해 측정할 수 있다.The hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via top 130 can be measured by observation with an optical microscope.

또한, 본 발명자의 검토에 따르면 일반적으로, 비아홀(110)의 지름이 클수록, 변색부(140)의 사이즈가 커지기 쉬운 경향이 있는 것이 판명되었다. 따라서, 비아홀(110)의 지름에 대한 변색부(140)의 사이즈의 비율에 의해, 변색부(140)의 형성의 억제 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)에 의해 평가할 수 있다. 여기에서, 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)이란, 비아홀(110)의 비아 탑(130)의 반경을 말한다. 또한, 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)란, 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)으로 나누어서 얻어지는 비율이다. 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)가 작을수록, 변색부(140)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있었던 것을 나타낸다.In addition, according to the study of the present inventors, it has been found that generally, the larger the diameter of the via hole 110, the larger the size of the discoloration portion 140 tends to be. Therefore, the degree of suppression of formation of the discolored portion 140 can be evaluated by the ratio of the size of the discolored portion 140 to the diameter of the via hole 110 . For example, it can be evaluated by the hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110. Here, the top radius (Lt/2) of the via hole 110 refers to the radius of the via top 130 of the via hole 110 . In addition, the hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 is the hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via hole 130 to the top radius of the via hole 110 It is a ratio obtained by dividing by (Lt/2). The smaller the hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 is, the more effectively the formation of the discolored portion 140 can be suppressed.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한 경우, 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)를, 바람직하게는 45% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 더욱 바람직하게는 35% 이하로 할 수 있다. For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100° C. for 30 minutes and then heating and curing it at 180° C. for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2. When a via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the top radius (Lt/2) of the via hole 110 ), the hollowing ratio (Ht) can be preferably 45% or less, more preferably 40% or less, still more preferably 35% or less.

비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)는, 비아홀(110)의 탑 지름(Lt), 및 비아홀(110)의 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)로부터 계산할 수 있다.The hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 is the top diameter (Lt) of the via hole 110 and the edge 180 of the via top 130 of the via hole 110 It can be calculated from the hollowing distance (Wt).

비아 보텀(120)의 엣지(150)는, 간극부(160)의 내주측의 테두리부에 상당한다. 따라서, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터, 간극부(160)의 외주측의 단부 (즉, 비아 보텀(120)의 중심(120C)으로부터 먼 측의 단부)(170)까지의 거리(Wb)는, 간극부(160)의 면내 방향의 사이즈에 상당한다. 여기에서, 면내 방향이란, 절연층(100)의 두께 방향에 수직인 방향을 말한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 상기 거리(Wb)를, 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)라고 말하는 경우가 있다. 이 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)에 의해, 할로잉 현상의 억제 정도를 평가할 수 있다. 구체적으로는, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The edge 150 of the via bottom 120 corresponds to the edge portion on the inner peripheral side of the gap portion 160 . Therefore, the distance from the edge 150 of the via bottom 120 to the outer circumferential end of the gap 160 (ie, the end of the via bottom 120 on the far side from the center 120C) 170 ( Wb) corresponds to the size of the gap 160 in the in-plane direction. Here, the in-plane direction refers to a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100 . In the following description, the distance Wb may be referred to as a hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110 . The degree of suppression of the hollowing phenomenon can be evaluated by the hollowing distance Wb of the via bottom 120 from the edge 150. Specifically, it can be evaluated that the hollowing phenomenon can be effectively suppressed as the hollowing distance Wb of the via bottom 120 from the edge 150 is smaller.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 그 다음에 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한다. 그 후, 팽윤액에 60℃에서 10분간 침지하고, 그 다음에, 산화제 용액에 80℃에서 20분간 침지하고, 그 다음에, 중화액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조한다. 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 이렇게 하여 얻어진 절연층(100)의 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 4㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3㎛ 이하로 할 수 있다.For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100 ° C. for 30 minutes and then heating and curing at 180 ° C. for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ / shot, A via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 shots and burst mode (10 kHz). Thereafter, immersion in a swelling solution at 60° C. for 10 minutes, followed by immersion in an oxidizing agent solution at 80° C. for 20 minutes, then immersion in a neutralization solution at 40° C. for 5 minutes, and then at 80° C. for 15 minutes. Dry. When the resin composition layer of the present invention is used, the hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110 of the insulating layer 100 thus obtained is preferably 10 μm or less. , More preferably 5 μm or less, still more preferably 4 μm or less, and particularly preferably 3 μm or less.

비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)는, FIB(집속 이온 빔)를 사용하고, 절연층(100)을, 상기 절연층(100)의 두께 방향으로 평실시하고 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.The hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is obtained by performing the insulating layer 100 in the thickness direction of the insulating layer 100 by using a focused ion beam (FIB). In addition, it can be measured by cutting the via bottom 120 so that a cross section passing through the center 120C appears, and then observing the cross section with an electron microscope.

또한, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 조화 처리 전의 절연층(100)의 비아홀(110)의 형상을 용이하게 제어할 수 있으므로, 통상은, 조화 처리후의 절연층(100)이라도, 비아홀(110)의 형상을 용이하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 조화 처리 후에 있어서도, 조화 처리 전과 같이, 비아홀(110)의 형상을 양호하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 조화 처리 후의 절연층에 있어서, 테이퍼율(Lb/Lt)이 100%에 가까운 비아홀(110)을 실현할 수 있다.In addition, since the shape of the via hole 110 of the insulating layer 100 before the roughening treatment can be easily controlled by using the resin composition layer of the present invention, usually, even the insulating layer 100 after the roughening treatment, the via hole ( 110) can be easily controlled. Therefore, even after the roughening treatment, the shape of the via hole 110 can be improved as before the roughening treatment. Therefore, when the resin composition layer of the present invention is used, the via hole 110 with a taper ratio (Lb/Lt) close to 100% can be realized in the insulating layer after the roughening treatment.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 그 다음에 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한다. 그 후, 팽윤액에 60℃에서 10분간 침지하고, 그 다음에, 산화제 용액에 80℃에서 20분간 침지하고, 그 다음에, 중화액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조한다. 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 이렇게 해서 얻어진 절연층(100)에 형성된 비아홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)을, 바람직하게는 76% 내지 100%, 보다 바람직하게는 80% 내지 100%, 특히 바람직하게는 85% 내지 100%로 할 수 있다.For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100 ° C. for 30 minutes and then heating and curing at 180 ° C. for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ / shot, A via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 shots and burst mode (10 kHz). Thereafter, immersion in a swelling solution at 60° C. for 10 minutes, followed by immersion in an oxidizing agent solution at 80° C. for 20 minutes, then immersion in a neutralization solution at 40° C. for 5 minutes, and then at 80° C. for 15 minutes. Dry. When the resin composition layer of the present invention is used, the taper ratio (Lb/Lt) of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 obtained in this way is preferably 76% to 100%, more preferably 80% to 100%, particularly preferably 85% to 100%.

비아홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)은, 비아홀(110)의 보텀 지름(Lb) 및 탑 지름(Lt)으로부터 계산할 수 있다. 또한, 비아홀(110)의 보텀 지름(Lb) 및 탑 지름(Lt)은, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층(100)을, 상기 절연층(100)의 두께 방향으로 평실시하고 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.The taper ratio (Lb/Lt) of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter (Lb) and top diameter (Lt) of the via hole 110 . In addition, the bottom diameter (Lb) and the top diameter (Lt) of the via hole 110 are obtained by performing the insulating layer 100 in the thickness direction of the insulating layer 100 by using a focused ion beam (FIB). In addition, it can be measured by cutting the via bottom 120 so that a cross section passing through the center 120C appears, and then observing the cross section with an electron microscope.

또한, 본 발명자의 검토에 따르면, 일반적으로, 비아홀(110)의 지름이 클수록, 변색부(140)의 사이즈가 커지기 쉬우므로, 간극부(160)의 사이즈도 커지기 쉬운 경향이 있음이 판명되었다. 따라서, 비아홀(110)의 지름에 대한 간극부(160)의 사이즈의 비율에 의해, 할로잉 현상의 억제 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)에 의해 평가를 할 수 있다. 여기에서, 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)이란, 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 반경을 말한다. 또한, 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)란, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)으로 나누어서 얻어지는 비율이다. 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었음을 나타낸다.In addition, according to the study of the present inventors, it has been found that generally, as the diameter of the via hole 110 increases, the size of the discoloration portion 140 tends to increase, so the size of the gap portion 160 also tends to increase. Therefore, the degree of suppression of the hollowing phenomenon can be evaluated by the ratio of the size of the gap portion 160 to the diameter of the via hole 110 . For example, evaluation can be performed by the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 . Here, the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 refers to the radius of the via bottom 120 of the via hole 110 . In addition, the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 is the hollowing distance (Wb) from the edge 150 of the via hole 120 to the bottom radius of the via hole 110 It is a ratio obtained by dividing by (Lb/2). The smaller the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 indicates that the hollowing phenomenon can be effectively suppressed.

예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 그 다음에 180℃에서 30분간 가열해서 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 지름(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아홀(110)을 형성한다. 그 후, 팽윤액에 60℃에서 10분간 침지하고, 그 다음에, 산화제 용액에 80℃에서 20분간 침지하고, 그 다음에, 중화액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조한다. 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 이렇게 하여 얻어진 절연층(100)에 형성된 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)를, 바람직하게는 50% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 더욱 바람직하게는 30% 이하로 할 수 있다.For example, the insulating layer 100 obtained by heating the resin composition layer at 100 ° C. for 30 minutes and then heating and curing at 180 ° C. for 30 minutes, mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ / shot, A via hole 110 having a top diameter (Lt) of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 shots and burst mode (10 kHz). Thereafter, immersion in a swelling solution at 60° C. for 10 minutes, followed by immersion in an oxidizing agent solution at 80° C. for 20 minutes, then immersion in a neutralization solution at 40° C. for 5 minutes, and then at 80° C. for 15 minutes. Dry. When the resin composition layer of the present invention is used, the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 thus obtained is preferably 50% or less, more preferably Preferably it can be 40% or less, more preferably 30% or less.

비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)는, 비아홀(110)의 보텀 지름(Lb), 및 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)로부터 계산할 수 있다.The hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 is the bottom diameter (Lb) of the via hole 110 and the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110 It can be calculated from the hollowing distance (Wb).

프린트 배선판의 제조 과정에 있어서, 비아홀(110)은, 통상, 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 별도의 도체층(도시하지 않음)이 마련되어 있지 않은 상태로 형성된다. 따라서, 프린트 배선판의 제조 과정을 알면, 도체층(210)측에 비아 보텀(120)이 있고, 도체층(210)과는 반대측에 비아 탑(130)이 개구하고 있는 구조를 명확히 인식할 수 있다. 그러나, 완성된 프린트 배선판에서는, 절연층(100)의 양측에 도체층이 마련되어 있는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 도체층과의 위치 관계에 의해 비아 보텀(120)과 비아 탑(130)을 구별하는 것이 어려운 경우가 있을 수 있다. 하지만, 통상, 비아 탑(130)의 탑 지름(Lt)은, 비아 보텀(120)의 보텀 지름(Lb) 이상의 크기이다. 따라서, 상기 경우, 지름이 크기에 따라, 비아 보텀(120)과 비아 탑(130)을 구별하는 것이 가능하다.In the manufacturing process of the printed wiring board, the via hole 110 is usually a state in which a separate conductor layer (not shown) is provided on the surface 100U of the insulating layer 100 on the opposite side to the conductor layer 210 is formed with Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is known, the structure in which the via bottom 120 exists on the side of the conductor layer 210 and the via top 130 opens on the side opposite to the conductor layer 210 can be clearly recognized. . However, in the finished printed wiring board, there may be cases where conductor layers are provided on both sides of the insulating layer 100 . In this case, it may be difficult to distinguish the via bottom 120 and the via top 130 due to their positional relationship with the conductor layer. However, normally, the top diameter Lt of the via top 130 is larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120 . Therefore, in this case, it is possible to distinguish the via bottom 120 from the via top 130 according to the size of the diameter.

<수지 조성물 층의 용도><Use of Resin Composition Layer>

본 발명의 수지 조성물 층은, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(프린트 배선판의 절연층 형성용 수지 조성물 층), 절연층 위에 형성되는 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 상기 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물 층)으로서 적합하게 사용할 수 있고, 또한, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(프린트 배선판의 층간 절연층 형성용 수지 조성물 층)으로서 보다 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition layer of the present invention is used to form a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board (a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board) and a conductor layer (including a redistribution layer) formed on the insulating layer. It can be suitably used as a resin composition layer for forming the insulating layer (resin composition layer for forming an insulating layer for forming a conductor layer) for forming the insulating layer, and also a resin composition layer for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (print It can be used more suitably as a resin composition layer for forming an interlayer insulating layer of a wiring board).

또한, 예를 들어, 이하의 (1) 내지 (6) 공정을 거쳐 반도체 칩 패키지가 제조되는 경우, 본 발명의 수지 조성물 층은, 재배선층을 형성하기 위한 절연층으로서의 재배선 형성층용 수지 조성물 층(재배선 형성층 형성용 수지 조성물 층), 및 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물 층(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물 층)으로서도 적합하게 사용할 수 있다. 반도체 칩 패키지가 제조될 때, 밀봉층 위에 추가로 재배선층을 형성해도 좋다.Further, for example, when a semiconductor chip package is manufactured through the following steps (1) to (6), the resin composition layer of the present invention is a resin composition layer for a redistribution layer as an insulating layer for forming a redistribution layer. (Resin composition layer for forming layer for forming rewiring), and a resin composition layer for sealing semiconductor chips (resin composition layer for semiconductor chip sealing). When a semiconductor chip package is manufactured, a redistribution layer may be further formed on the sealing layer.

(1) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(1) a step of laminating a temporarily fixed film on a base material;

(2) 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(2) a step of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film;

(3) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(3) forming a sealing layer on the semiconductor chip;

(4) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(4) a step of peeling the substrate and temporarily fixed film from the semiconductor chip;

(5) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정, 및(5) a step of forming a redistribution layer as an insulating layer on the surface of the substrate and temporarily fixed film of the semiconductor chip, and

(6) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정(6) Step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the rewiring formation layer

특히, 할로잉 현상을 억제할 수 있는 관점에서, 상기 수지 조성물 층은, 비아홀을 갖는 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(비아홀을 갖는 절연층 형성용 수지 조성물 층)으로서 적합하며, 그 중에서도, 탑 지름 35㎛ 이하의 비아홀을 갖는 절연층 형성용 수지 조성물 층으로서 특히 적합하다.In particular, from the viewpoint of suppressing the hollowing phenomenon, the resin composition layer is suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having via holes (a resin composition layer for forming an insulating layer having via holes), among others, It is particularly suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having a via hole with a top diameter of 35 µm or less.

[수지 시트][Resin sheet]

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 본 발명의 수지 조성물 층을 포함한다.The resin sheet of the present invention includes a support and a layer of the resin composition of the present invention provided on the support.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of plastic material, metal foil, and release paper, and a film made of plastic material and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 아크릴 중합체, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When using a film made of a plastic material as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN"). Yes), acrylic polymers such as polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"), cyclic polyolefin, Acetyl cellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "TAC"), polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide, and the like. Especially, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is especially preferable.

지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as a metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, and copper foil is preferable. As the copper foil, foil made of a single metal of copper may be used, or foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」;토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer on the surface to which it joins with a resin composition layer. As a release agent used for the release layer of the support body with a release layer, one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins are exemplified. The support with the release layer may use a commercial item, for example, "SK-1", "AL-5", "AL-5", "AL- 7”; “Lumira T60” manufactured by Torres; "Purex" by Teijin; "Uni-Peel" manufactured by Unitica Co., Ltd., and the like are exemplified.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 µm to 75 µm, and more preferably in the range of 10 µm to 60 µm. Moreover, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

또한, 수지 시트는, 필요에 따라, 지지체 및 수지 조성물 층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 제공된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.Moreover, the resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. As such an optional layer, for example, a protective film or the like provided on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (ie, the surface on the opposite side to the support) according to the support is exemplified. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. With the protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches can be suppressed.

수지 시트는, 예를 들어, 유기 용제 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용해서 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜서 수지 조성물 층을 형성시킴으로써, 제조할 수 있다.The resin sheet, for example, prepares a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, applies this resin varnish on a support using a coating device such as a die coater, and further dries to form a resin composition layer By doing so, it can be produced.

유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥산온 등의 케톤 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As an organic solvent, For example, Ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; Acetate ester solvents, such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; Amide solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone, etc. are mentioned. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.Drying may be performed by methods such as heating and hot air spraying. Drying conditions are not particularly limited, but drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it depends on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, the resin composition layers can be formed.

수지 시트는, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 통상은, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be wound up in a roll shape and stored. When a resin sheet has a protective film, it becomes usable normally by peeling off a protective film.

[프린트 배선판][printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판은, 상기한 바와 같이 얇은 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 포함한다. 또한, 이 절연층은, 할로잉 현상을 억제 가능하다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 할로잉 현상을 억제하면서, 프린트 배선판의 박형화를 달성할 수 있다.As described above, the printed wiring board of the present invention includes an insulating layer formed from a cured product of a thin resin composition layer. Moreover, this insulating layer can suppress a hollowing phenomenon. Therefore, by using the resin composition layer of the present invention, thinning of the printed wiring board can be achieved while suppressing the hollowing phenomenon.

비아홀은, 통상, 상기 비아홀을 갖는 절연층의 양측에 제공된 도체층을 도 통시키기 위해서 제공된다. 따라서, 본 발명의 프린트 배선판은, 통상, 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함한다. 그리고, 절연층에 비아홀이 형성되어, 그 비아홀을 통해서 제1 도체층과 제2 도체층이 도통할 수 있다.A via hole is usually provided to conduct the conductor layers provided on both sides of the insulating layer having the via hole. Therefore, the printed wiring board of the present invention usually includes a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. And, a via hole is formed in the insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer can conduct through the via hole.

할로잉 현상의 억제가 가능하고, 또한, 양호한 형상의 비아홀을 형성할 수 있다는 수지 조성물 층의 이점을 활용함으로써, 종래는 실현이 곤란했던 특정 프린트 배선판을 실현할 수 있다. 이 특정 프린트 배선판은, 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 프린트 배선판으로서, 하기의 요건 (i) 내지 (ⅳ)를 전부 만족시킨다.By utilizing the advantage of the resin composition layer that the hollowing phenomenon can be suppressed and via holes of good shape can be formed, a specific printed wiring board that has been difficult to realize in the past can be realized. This specific printed wiring board is a printed wiring board including a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer, and satisfies all of the following requirements (i) to (iv). satisfy

(i) 절연층의 두께가 15㎛ 이하이다.(i) The thickness of the insulating layer is 15 µm or less.

(ⅱ) 절연층이, 탑 지름 35㎛ 이하의 비아홀을 갖는다.(ii) The insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 µm or less.

(ⅲ) 상기 비아홀의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리가 5㎛ 이하이다.(iii) The hollowing distance of the via hole from the edge of the via top is 5 μm or less.

(ⅳ) 상기 비아홀의 탑 반경에 대한 할로잉비가 35% 이하이다.(iv) The hollowing ratio to the top radius of the via hole is 35% or less.

이하, 도면을 나타내어, 특정 프린트 배선판에 대해서 설명한다. 도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 프린트 배선판(300)의 모식적인 단면도이다. 이 도 4에서는, 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면이고, 프린트 배선판(300)을 절단한 단면을 나타낸다. 또한, 도 4에서는, 도 1 내지 도 3에 기재된 요소에 상당하는 부위는, 도 1 내지 도 3에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙여 나타낸다.Hereinafter, drawing is shown and a specific printed wiring board is demonstrated. 4 is a schematic cross-sectional view of a printed wiring board 300 according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 4 , a cross section of the printed wiring board 300 is shown, which is a plane that passes through the center 120C of the via hole 110 and is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100. In Fig. 4, portions corresponding to the elements described in Figs. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals as those used in Figs. 1 to 3.

도 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 특정 프린트 배선판(300)은, 제1 도체층(210), 제2 도체층(220), 및 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이에 형성된 절연층(100)을 포함한다. 절연층(100)에는 비아홀(110)이 형성되어 있다. 또한, 통상, 제2 도체층(220)은, 비아홀(110)이 형성된 후에 제공된 것이다. 따라서, 제2 도체층(220)은, 통상, 절연층(100)의 면(100U)뿐만 아니라, 비아홀(110) 안에도 형성되어, 이 비아홀(110)을 통해서 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)이 도통하고 있다.As shown in FIG. 4 , the specific printed wiring board 300 according to the second embodiment of the present invention includes a first conductor layer 210, a second conductor layer 220, and a first conductor layer 210. It includes the insulating layer 100 formed between the two conductor layers 220 . A via hole 110 is formed in the insulating layer 100 . In general, the second conductor layer 220 is provided after the via hole 110 is formed. Therefore, the second conductor layer 220 is usually formed not only on the surface 100U of the insulating layer 100 but also in the via hole 110, and through the via hole 110, the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are formed. The second conductor layer 220 is conducting.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)의 두께(T)는, 통상 15㎛ 이하, 바람직하게는 12㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 얇은 절연층(100)을 갖는 것이므로, 특정 프린트 배선판(300) 자체의 박형화를 달성할 수 있다. 절연층(100)의 두께(T)의 하한은, 절연층(100)의 절연 성능을 높게 하는 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상, 특히 바람직하게는 3㎛ 이상이다. 여기에서, 절연층(100)의 두께(T)란, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 절연층(100)의 치수를 나타내고, 제1 도체층(210) 또는 제2 도체층(220)이 없는 위치에서의 절연층(100)의 치수를 나타내는 것이 아니다. 절연층(100)의 두께(T)는, 통상, 상기 절연층(100)을 개재하여 대향하는 제1 도체층(210)의 주면(210U)과 제2 도체층(220)의 주면(220D)과의 사이의 거리에 일치하고, 또한, 비아홀(110)의 깊이에 일치한다.The thickness T of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 15 μm or less, preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, and particularly preferably 5 μm or less. Since the specific printed wiring board 300 has the thin insulating layer 100 in this way, the specific printed wiring board 300 itself can be made thinner. The lower limit of the thickness T of the insulating layer 100 is preferably 1 µm or more, more preferably 2 µm or more, and particularly preferably 3 µm or more from the viewpoint of enhancing the insulating performance of the insulating layer 100. am. Here, the thickness (T) of the insulating layer 100 represents the dimension of the insulating layer 100 between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220, and the first conductor layer 210 or Dimensions of the insulating layer 100 at a position where the second conductor layer 220 is not present are not indicated. The thickness T of the insulating layer 100 is usually the principal surface 210U of the first conductor layer 210 and the principal surface 220D of the second conductor layer 220 facing each other through the insulating layer 100. and the depth of the via hole 110.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 탑 지름(Lt)은, 통상 35㎛ 이하, 바람직하게는 33㎛ 이하, 특히 바람직하게는 32㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 탑 지름(Lt)이 작은 비아홀(110)을 갖는 절연층(100)을 포함하므로, 제1 도체층(210) 및 제2 도체층(220)을 포함하는 배선의 미세화를 촉진할 수 있다. 비아홀(110)의 탑 지름(Lt)의 하한은, 비아홀(110)의 형성을 용이하게 실시하는 관점에서, 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 특히 바람직하게는 15㎛ 이상이다.The top diameter Lt of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 35 μm or less, preferably 33 μm or less, and particularly preferably 32 μm or less. Since the specific printed wiring board 300 includes the insulating layer 100 having the via hole 110 having a small top diameter Lt, the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are included. Miniaturization of wiring can be promoted. The lower limit of the top diameter Lt of the via hole 110 is preferably 3 μm or more, more preferably 10 μm or more, and particularly preferably 15 μm or more from the viewpoint of facilitating formation of the via hole 110. am.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)는, 통상 5㎛ 이하, 바람직하게는 4㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 비아 탑(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)가 이와 같이 작다. 따라서, 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다.The hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via top 130 of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 5 μm or less, preferably 4 less than μm. The specific printed wiring board 300 has such a small hollowing distance (Wt) from the edge 180 of the via top 130. Therefore, in the specific printed wiring board 300, the reliability of conduction between the 1st conductor layer 210 and the 2nd conductor layer 220 can be improved normally.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)는, 통상 35% 이하, 바람직하게는 30% 이하, 더욱 바람직하게는 25% 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)가 이와 같이 작고, 따라서, 제1 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리가 작다. 이와 같이 할로잉비(Ht)가 작은 절연층(100)을 포함하는 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다. 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)의 하한은, 이상적으로는 제로이지만, 통상은 5% 이상이다.The hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 35% or less, preferably 30% or less, and further Preferably it is 25% or less. The specific printed wiring board 300 has such a small hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2), and therefore, the separation of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small. In this way, the specific printed wiring board 300 including the insulating layer 100 having a small hollowing ratio (Ht) can increase the reliability of conduction between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220. there is. The lower limit of the hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) is ideally zero, but is usually 5% or more.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)는, 통상 5㎛ 이하, 바람직하게는 4㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 이와 같이 작고, 따라서, 제1 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리가 작다. 따라서, 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다.The hollowing distance (Wb) from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 5 μm or less, preferably 4 It is 3 micrometers or less, more preferably 3 micrometers or less. In the specific printed wiring board 300, the hollowing distance Wb of the via bottom 120 from the edge 150 is thus small, and therefore, the separation of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small. Therefore, in the specific printed wiring board 300, the reliability of conduction between the 1st conductor layer 210 and the 2nd conductor layer 220 can be improved normally.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)는, 통상 35% 이하, 바람직하게는 30% 이하, 더욱 바람직하게는 25% 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)가 이와 같이 작고, 따라서, 제1 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리가 작다. 이와 같이 할로잉비(Hb)가 작은 절연층(100)을 포함하는 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다. 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)의 하한은, 이상적으로는 제로이지만, 통상은 5% 이상이다.The hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 35% or less, preferably 30% or less, and further Preferably it is 25% or less. The specific printed wiring board 300 has such a small hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2), and therefore, peeling of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small. In this way, the specific printed wiring board 300 including the insulating layer 100 having a small hollowing ratio (Hb) can increase the reliability of conduction between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 in general. there is. The lower limit of the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) is ideally zero, but is usually 5% or more.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)(%)은, 통상 80% 내지 100%이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 테이퍼율(Lb/Lt)이 높은 양호한 형상의 비아홀(110)을 갖는 절연층(100)을 포함하는 것이다. 따라서, 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220) 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다.The taper ratio (Lb/Lt) (%) of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 80% to 100%. The specific printed wiring board 300 includes the insulating layer 100 having via holes 110 of good shape with a high taper ratio (Lb/Lt) as described above. Therefore, in the specific printed wiring board 300, the reliability of conduction between the 1st conductor layer 210 and the 2nd conductor layer 220 can be improved normally.

특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아홀(110)의 수는, 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다 절연층(100)이 2개 이상의 비아홀(110)을 가질 경우, 그 일부가 요건 (i) 내지 (ⅳ)를 만족하고 있어도 좋지만, 그 전부가 요건 (i) 내지 (ⅳ)를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 절연층(100)으로부터 무작위로 선택한 5개소의 비아홀(110)이, 평균적으로, 요건 (i) 내지 (ⅳ)를 만족하는 것이 바람직하다.The number of via holes 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 may be one or two or more. In case the insulating layer 100 has two or more via holes 110 , although some of them may satisfy the requirements (i) to (iv), it is preferable that all of them satisfy the requirements (i) to (iv). In addition, it is preferable that, for example, five via holes 110 randomly selected from the insulating layer 100 satisfy requirements (i) to (iv) on average.

상기한 특정 프린트 배선판(300)은, 본 발명의 수지 조성물 층의 경화물에 의해 절연층(100)을 형성함으로써, 실현할 수 있다. 이 때, 절연층(100)에 형성되는 비아홀(110)의 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)의 평면 형상은 임의이지만, 통상은 원형상 또는 타원형상이며, 바람직하게는 원형상이다.The specific printed wiring board 300 described above can be realized by forming the insulating layer 100 with a cured product of the resin composition layer of the present invention. At this time, the planar shape of the via bottom 120 and via top 130 of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 is arbitrary, but is usually circular or elliptical, preferably circular.

특정 프린트 배선판 등의 프린트 배선판은, 예를 들어, 수지 시트를 사용하고, 하기의 공정 (I) 내지 공정 (IV)를 포함하는 제조방법을 행함으로써, 제조할 수 있다.Printed wiring boards, such as a specific printed wiring board, can be manufactured, for example by performing the manufacturing method containing the following process (I) - process (IV) using a resin sheet.

(I) 내층 기판 위에, 수지 조성물 층이 내층 기판과 접합하도록, 수지 시트를 적층하는 공정.(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.

(Ⅱ) 수지 조성물 층을 열경화하여, 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.

(Ⅲ) 절연층에 비아홀을 형성하는 공정.(III) Step of forming via holes in the insulating layer.

(IV) 절연층에 조화 처리를 실시하는 공정.(IV) Process of roughening the insulating layer.

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 프린트 배선판의 기판이 되는 부재이다. 내층 기판으로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 통상, 내층 기판으로서는, 그 한 면 또는 양면에, 도체층을 갖고 있는 것을 사용한다. 그리고, 이 도체층 위에 절연층을 형성한다. 이 도체층은, 예를 들어 회로로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 한 면 또는 양면에 회로로서 도체층이 형성된 내층 기판은, 「내층 회로 기판」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 프린트 배선판을 제조할 때에 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물도, 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.The "inner layer substrate" used in step (I) is a member used as a substrate of a printed wiring board. Examples of the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Usually, as an inner-layer board|substrate, what has a conductor layer on one side or both sides is used. And an insulating layer is formed on this conductor layer. This conductor layer may be subjected to pattern processing in order to function as a circuit, for example. An inner layer substrate in which a conductor layer as a circuit is formed on one or both surfaces of the substrate is sometimes referred to as an "inner layer circuit board". In addition, when manufacturing a printed wiring board, an intermediate product in which an insulating layer and/or a conductor layer should be further formed is also included in the "inner layer substrate". In the case where the printed wiring board is a component-embedded circuit board, an inner-layer board having components embedded may be used.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써, 내층 기판에 수지 조성물 층을 접합함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 하는 경우가 있음)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed by, for example, bonding the resin composition layer to the inner layer substrate by heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate from the support side. Examples of the member for heat-pressing the resin sheet to the inner-layer substrate (hereinafter sometimes referred to as "heat-bonding member") include a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). . In addition, it is preferable not to directly press the hot-compression member to the resin sheet, but to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the irregularities on the surface of the inner layer substrate.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heat compression temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C, and the heat compression pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

적층은, 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 뱃치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, a vacuum pressurization type laminator made by Meiki Sesakusho, a vacuum applicator made by Nikko Materials, a batch type vacuum pressurization laminator, etc. are mentioned, for example.

적층 후에, 상압 하(대기압 하)에서, 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 실시하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be subjected to a smoothing treatment under normal pressure (under atmospheric pressure) by, for example, pressing the hot-compression-compression member from the support body side. The press conditions for the smoothing treatment can be the same conditions as the thermal compression conditions for the above laminate. The smoothing process can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may carry out lamination|stacking and a smoothing process continuously using the said commercially available vacuum laminator.

공정 (Ⅱ)에 있어서, 수지 조성물 층을 열경화하여, 절연층을 형성한다. 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 채용되는 조건을 임의로 사용해도 좋다.In step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. Conditions for thermal curing of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions employed when forming an insulating layer of a printed wiring board may be used arbitrarily.

예를 들어, 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는, 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은, 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다.For example, the thermal curing conditions of the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., but the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably range of 170°C to 200°C), and the curing time can be usually within the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물 층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물 층을, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물 층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 110℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 115°C or less, more preferably 70°C or more and 110°C or less). You may preheat normally for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes).

공정 (Ⅲ)에 있어서, 절연층에 비아홀을 형성한다. 비아홀의 형성 방법으로서는, 레이저광의 조사, 에칭, 미케니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 일반적으로 할로잉 현상이 생기기 쉬우므로, 할로잉 현상의 억제라는 효과를 유효하게 활용하는 관점에서, 레이저광의 조사가 바람직하다.In step (III), via holes are formed in the insulating layer. Examples of the via hole formation method include laser beam irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. Among them, since the hollowing phenomenon generally tends to occur, irradiation with laser light is preferable from the viewpoint of effectively utilizing the effect of suppressing the hollowing phenomenon.

이 레이저광의 조사는, 예를 들어, 광원으로서, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등의 레이저 광원을 갖는 레이저 가공기를 사용해서 행할 수 있다. 사용될 수 있는 레이저 가공기로서는, 예를 들어, 비아메카닉스사 제조 CO2 레이저 가공기 「LC-2k212/2C」, 미츠비시 덴키사 제조의 605GTWIII(-P), 마츠시타 요세츠 시스템사 제조의 레이저 가공기 등을 들 수 있다.Irradiation of this laser beam can be performed using, for example, a laser processing machine having a laser light source such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an excimer laser as a light source. Examples of the laser processing machine that can be used include CO 2 laser processing machine "LC-2k212/2C" manufactured by Via Mechanics, 605GTWIII(-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation, and laser processing machine manufactured by Matsushita Yosetsu System Co., Ltd. can

레이저광의 파장, 펄스 수, 펄스 폭, 출력 등의 레이저광의 조사 조건은, 특별히 한정되지 않고, 레이저광원의 종류에 따른 적절한 조건을 설정해도 좋다.The irradiation conditions of the laser light, such as the wavelength of the laser light, the number of pulses, the pulse width, and the output, are not particularly limited, and appropriate conditions may be set according to the type of the laser light source.

공정 (IV)에 있어서, 절연층에 조화 처리를 실시한다. 조화 처리의 수순 및 조건은, 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용되는 임의의 수순 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 실시하여, 절연층을 조화 처리할 수 있다.In step (IV), a roughening treatment is applied to the insulating layer. The procedure and conditions of the roughening process are not particularly limited, and any procedures and conditions used when forming the insulating layer of a printed wiring board can be employed. For example, the insulation layer can be roughened by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralization liquid in this order.

팽윤액으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액 및 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 또한, 팽윤액은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a swelling liquid, For example, an alkali solution, surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably an alkali solution is mentioned. As said alkali solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. As a swelling liquid marketed, "Swelling Deep Securiganth P" by the Atotech Japan company, "Swelling Deep Securiganth SBU", etc. are mentioned, for example. In addition, swelling liquid may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. The swelling treatment by the swelling solution is not particularly limited, but can be performed by, for example, immersing the insulating layer in a swelling solution at 30°C to 90°C for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling solution at 40°C to 80°C for 5 minutes to 15 minutes.

산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해한 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 알카리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는, 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍재팬사 제조의 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an oxidizing agent, For example, the alkaline permanganate solution which melt|dissolved potassium permanganate or sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. In addition, an oxidizing agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. The roughening treatment by an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 80°C for 10 minutes to 30 minutes. In addition, the concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. As an oxidizing agent marketed, alkaline permanganic acid solutions, such as "Concentrate Compact CP" by the Atotech Japan company and "Dosing Solution Securiganth P", are mentioned, for example.

중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화 액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As a neutralization liquid, acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "Reduction Solution Securigant P" by Atotech Japan Co., Ltd. is mentioned, for example. In addition, neutralization liquid may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. The treatment with the neutralization liquid can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment by the oxidizing agent in the neutralization liquid at 30°C to 80°C for 5 minutes to 30 minutes. From the standpoint of workability and the like, a method in which the object subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent is immersed in a neutralization liquid at 40°C to 70°C for 5 minutes to 20 minutes is preferable.

그런데, 지지체는, 공정 (I)과 공정 (Ⅱ) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (Ⅱ)와 공정 (Ⅲ) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (Ⅲ)과 공정 (IV) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (IV) 후에 제거해도 좋다.By the way, the support may be removed between step (I) and step (II), may be removed between step (II) and step (III), may be removed between step (III) and step (IV), You may remove it after process (IV).

프린트 배선판의 제조방법은, 추가로, (V) 도체층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이 공정 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 각종 방법에 따라 실시해도 좋다.The manufacturing method of a printed wiring board may further include (V) the process of forming a conductor layer. You may implement this process (V) according to various methods used for manufacture of a printed wiring board.

공정 (V)는, 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종류 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하다. 또한, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 특히 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more types of metals selected from the above groups (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility of formation of a conductor layer, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; Alternatively, an alloy layer of a nickel/chromium alloy, a copper/nickel alloy, or a copper/titanium alloy is preferable. Further, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; Alternatively, an alloy layer of a nickel-chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper is particularly preferable.

도체층은, 단층 구조라도 좋고, 다른 종류의 금속 혹은 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조일 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 혹은 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single layer structure or a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys. When the conductor layer has a multi-layer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the desired printed wiring board, but is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm.

도체층은, 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a technique such as a semi-additive method or a full additive method. Especially, it is preferable to form by the semi-additive method from a viewpoint of the simplicity of manufacture.

이하, 도체층을 세미 어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다. 우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method is shown. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, a mask pattern exposing a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. After forming a metal layer by electroplating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

또한, 필요에 따라서, 공정 (I) 내지 공정 (V)에 의한 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 실시하여, 다층 프린트 배선판을 제조해도 좋다.Moreover, you may manufacture a multilayer printed wiring board by performing repeatedly formation of the insulating layer and the conductor layer by process (I) - process (V) as needed.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 장치는, 상기 프린트 배선판을 포함한다. 이 반도체 장치는, 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the printed wiring board. This semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of semiconductor devices include various semiconductor devices provided for electric products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, electric cars, ships, aircraft, etc.). can

반도체 장치는, 예를 들어, 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기신호를 전달하는 개소」이며, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 곳이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은, 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.A semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) in a conducting location of a printed wiring board. A "conductive location" is "a location through which electrical signals are transmitted on a printed wiring board", and the location may be a surface or a buried location. In addition, as the semiconductor chip, an electric circuit element made of a semiconductor can be arbitrarily used.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않는다. 실장 방법의 예로서는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기에서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다.The mounting method of the semiconductor chip at the time of manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Examples of the mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a non-conductive film (NCF), and the like. can be heard Here, the "mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a concave portion of a printed wiring board, and the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board are connected."

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 대하여, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압의 환경에서 실시하였다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by showing examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, the operation described below was performed in an environment of normal temperature and normal pressure unless otherwise specified.

<사용한 수산화마그네슘><Used Magnesium Hydroxide>

수산화마그네슘 1: 수산화마그네슘(고우노시마 카가쿠코교사 제조 「EP-4A」, 평균 입자 직경 1.1㎛(무기물 처리 완료)) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란) 3부로 표면 처리한 것.Magnesium hydroxide 1: Magnesium hydroxide (“EP-4A” manufactured by Kounoshima Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter 1.1 μm (completed with inorganic treatment)) for 100 parts, “KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd. (N-phenyl -3-aminopropyltrimethoxysilane) surface treated with 3 parts.

수산화마그네슘 2: 수산화마그네슘(고우노시마 카가쿠코교사 제조 「EP-4A」, 평균 입자 직경 1.1㎛(무기물 처리 완료)) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리메톡시실란) 3부로 표면 처리한 것.Magnesium hydroxide 2: Magnesium hydroxide (“EP-4A” manufactured by Kounoshima Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter 1.1 μm (inorganic treatment completed)) with respect to 100 parts, “KBM1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd. (Vinyl Trime Toxysilane) surface treated with 3 parts.

<사용한 실리카><Used Silica>

실리카 1: 구상 실리카(덴키 카가쿠코교사 제조 「UFP-30」, 평균 입자 직경 0.1㎛, 비표면적 30.7㎡/g) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」 (N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란) 2부로 표면 처리한 것.Silica 1: spherical silica ("UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., average particle diameter 0.1 µm, specific surface area 30.7 m/g) with respect to 100 parts, "KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N-phenyl- 3-aminopropyltrimethoxysilane) surface treated with two parts.

실리카 2: 구형 실리카(덴키 카가쿠코교사 제조 「UFP-30」, 평균 입자 직경 0.1㎛, 비표면적 30.7㎡/g) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리메톡시실란) 2부로 표면 처리한 것.Silica 2: spherical silica (“UFP-30” manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., average particle diameter 0.1 μm, specific surface area 30.7 m 2 / g) with respect to 100 parts, “KBM1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (vinyl trimethoxy silane) surface treated in two parts.

실리카 3: 구상 실리카(니혼 쇼쿠바이사 제조 「KE-P30」, 평균 입자 직경 0.3㎛, 비표면적 35㎡/g) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」 (N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란) 2부로 표면 처리한 것.Silica 3: spherical silica ("KE-P30" manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., average particle diameter 0.3 µm, specific surface area 35 m/g) with respect to 100 parts, "KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N-phenyl-3 -Aminopropyltrimethoxysilane) surface treated with 2 parts.

실리카 4: 구상 실리카(니혼 쇼쿠바이사 제조 「KE-P30」, 평균 입자 직경 0.3㎛, 비표면적 35㎡/g) 100부에 대하여, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」 (비닐트리메톡시실란) 2부로 표면 처리한 것.Silica 4: Spherical silica ("KE-P30" manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., average particle diameter 0.3 μm, specific surface area 35 m 2 / g) with respect to 100 parts, "KBM1003" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (vinyltrimethoxysilane) ) surface treated in two parts.

<실시예 1><Example 1>

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 나프탈렌형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ESN475V」, 에폭시 당량 약 332) 5부, 비스페놀 AF형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YL7760」, 에폭시 당량 약 238) 15부, 사이클로헥산형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「ZX1658GS」, 에폭시 당량 약 135) 2부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YL7500BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥산온:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=44000) 2부를, 솔벤트 나프타 20부 및 사이클로헥산온 10부의 혼합 용제에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔:MEK의 1:1 용액) 6부, 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 4부, 수산화마그네슘 1을 15부, 실리카 1을 35부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP)) 0.05부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산한 후에, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 조성물 1을 조제하였다.Bixylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185) 6 parts, naphthalene type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemicals, Ltd., epoxy equivalent of about 332) 5 parts, bisphenol AF type epoxy 15 parts of resin (“YL7760” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 238), 2 parts of cyclohexane type epoxy resin (“ZX1658GS” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 135), phenoxy resin (“YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation”) ], cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) 1: 1 solution with a solid content of 30% by mass, Mw = 44000) 2 parts were heated and dissolved in a mixed solvent of 20 parts solvent naphtha and 10 parts cyclohexanone while stirring. After cooling to room temperature, thereto, an active ester curing agent (“EXB-8000L-65TM” manufactured by DIC, active group equivalent of about 220, toluene with a nonvolatile component of 65% by mass: 1: 1 solution of MEK) 6 parts, Triazine backbone-containing cresol novolac curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent of about 151, 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) 4 parts, magnesium hydroxide 1 15 parts, silica 1 After mixing 35 parts and 0.05 parts of an amine-based curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP)) and uniformly dispersing with a high-speed rotary mixer, filtering with a cartridge filter (“SHP020” manufactured by ROKITECHNO) to obtain resin composition 1 prepared.

<실시예 2><Example 2>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 수산화마그네슘 1의 양을 15부에서 25부로 변경하고, 실리카 1의 양을 35부에서 25부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 2를 조제하였다.In preparing the resin composition 1, the amount of magnesium hydroxide 1 was changed from 15 parts to 25 parts, and the amount of silica 1 was changed from 35 parts to 25 parts. Resin composition 2 was prepared in the same manner as in preparation of resin composition 1 except for the above matters.

<실시예 3><Example 3>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 15부의 수산화마그네슘 1을, 15부의 수산화마그네슘 2로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 3을 조제하였다.In the preparation of the resin composition 1, 15 parts of magnesium hydroxide 1 was changed to 15 parts of magnesium hydroxide 2. Resin composition 3 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 1 except for the above matters.

<실시예 4><Example 4>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 35부의 실리카 1을, 35부의 실리카 2로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 4를 조제하였다.In preparation of resin composition 1, 35 parts of silica 1 was changed to 35 parts of silica 2. Resin composition 4 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 1 except for the above matters.

<실시예 5><Example 5>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 35부의 실리카 1을, 35부의 실리카 3으로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 5를 조제하였다.In preparation of resin composition 1, 35 parts of silica 1 was changed to 35 parts of silica 3. Except for the above, resin composition 5 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 1.

<실시예 6><Example 6>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 35부의 실리카 1을, 35부의 실리카 4로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 6을 조제하였다.In the preparation of the resin composition 1, 35 parts of silica 1 was changed to 35 parts of silica 4. Except for the above, resin composition 6 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 1.

<비교예 1><Comparative Example 1>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 수산화마그네슘 1을 함유시키지 않고, 실리카 1의 양을 35부에서 50부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 7을 조제하였다.In preparing the resin composition 1, the amount of silica 1 was changed from 35 parts to 50 parts without containing magnesium hydroxide 1. Except for the above, resin composition 7 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 1.

<비교예 2><Comparative Example 2>

수지 조성물 7의 조제에 있어서, 50부의 실리카 1을 50부의 실리카 2로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 7의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 8을 조제하였다.In the preparation of resin composition 7, 50 parts of silica 1 was changed to 50 parts of silica 2. Resin composition 8 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 7 except for the above matters.

<비교예 3><Comparative Example 3>

수지 조성물 7의 조제에 있어서, 50부의 실리카 1을 50부의 실리카 3으로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 7의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 9를 조제하였다.In the preparation of resin composition 7, 50 parts of silica 1 was changed to 50 parts of silica 3. Resin composition 9 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 7 except for the above matters.

<비교예 4><Comparative Example 4>

수지 조성물 7의 조제에 있어서, 50부의 실리카 1을 50부의 실리카 4로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 7의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 10을 조제하였다.In the preparation of resin composition 7, 50 parts of silica 1 was changed to 50 parts of silica 4. Resin composition 10 was prepared in the same manner as in the preparation of resin composition 7 except for the above matters.

수지 조성물 1 내지 10의 조제에 사용한 성분과 그 배합량을 하기 표에 나타내었다. 또한, 하기 표 중의 용어 등은 이하와 같다.The components used for preparing the resin compositions 1 to 10 and their compounding amounts are shown in the table below. In addition, terms and the like in the table below are as follows.

합계 함유량(수지 성분 환산): 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중, (C) 성분 및 (D) 성분을 제외한 양Total content (in terms of resin component): Amount excluding component (C) and component (D) among non-volatile components contained in the resin composition

(B) 성분의 합계 함유량: 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%라고 한 경우의 (B) 성분의 합계 함유량(B) Total content of component: Total content of (B) component when the resin component in the resin composition is 100% by mass

활성 에스테르계 경화제의 함유량: 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%라고 한 경우의 활성 에스테르계 경화제의 함유량Content of active ester-based curing agent: content of active ester-based curing agent when the resin component in the resin composition is 100% by mass

(C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량: 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우의 (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량Total content of component (C) and component (D): Total content of component (C) and component (D) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass

(C) 성분의 함유량: 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우의 (C) 성분의 함유량Content of component (C): content of component (C) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass

Figure 112018100177964-pat00001
Figure 112018100177964-pat00001

<수지 시트의 제작><Production of Resin Sheet>

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 「이형 PET」)을 준비하였다.As a support, a PET film ("Lumira R80" manufactured by Toray Corporation, thickness 38 µm, softening point 130°C, "release PET") subjected to release treatment with an alkyd resin release agent ("AL-5" manufactured by Lintec) was prepared.

각 수지 조성물을 이형 PET 위에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 10㎛가 되도록, 다이코터로 균일하게 도포하고, 70℃ 내지 95℃에서 2분간 건조함으로써, 이형 PET 위에 수지 조성물 층을 얻었다. 그 다음에, 수지 시트의 지지체와 접합하고 있지 않은 면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오지 에프텍스사 제조 「알판MA-411」, 두께 15㎛)의 조면을, 수지 조성물 층과 접합하도록 적층하였다. 이로써, 이형 PET(지지체), 수지 조성물 층, 및 보호 필름의 순으로 이루어진 수지 시트 A를 얻었다.Each resin composition was uniformly applied on release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 10 μm, and dried at 70° C. to 95° C. for 2 minutes to obtain a resin composition layer on release PET. Next, the rough surface of a polypropylene film (“Alpan MA-411” manufactured by Oji Aftex, 15 μm in thickness) as a protective film is laminated so as to be bonded to the resin composition layer on the surface of the resin sheet that is not bonded to the support. did Thus, a resin sheet A consisting of release PET (support), resin composition layer, and protective film in this order was obtained.

<수지 조성물 층 등의 두께의 측정><Measurement of Thickness of Resin Composition Layer, etc.>

두께는, 접촉식 막후계(미츠토요사 제조, MCD-25MJ)를 사용하여 측정하였다.The thickness was measured using a contact-type film thickness gauge (MCD-25MJ manufactured by Mitutoyo Corporation).

<레이저 비아 가공 후의 할로잉의 평가><Evaluation of hollowing after laser via processing>

-평가 기판 A의 제작--Production of evaluation board A-

(1) 동장 적층판(1) Copper clad laminate

동장(銅張) 적층판으로서, 양면에 동박층을 적층한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 3㎛, 기판 두께 0.15mm, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조 「HL832NSF LCA」, 255×340mm 사이즈)을 준비하였다.As a copper-clad laminate, a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate in which copper foil layers are laminated on both sides (copper foil thickness 3 μm, board thickness 0.15 mm, “HL832NSF LCA” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., size 255 × 340 mm) prepared.

(2) 수지 시트의 라미네이트(2) Laminate of resin sheets

수지 조성물 1 내지 10을 사용하여 제작한 각 수지 시트 A로부터 보호 필름을 벗기고, 뱃치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조, 2스테이지 빌드업 라미네이터, CVP700)를 사용하여, 수지 조성물 층이 동장 적층판과 접하도록, 동장 적층판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa이하로 하고, 130℃, 압력 0.74MPa로 45초간 압착시킴으로써 실시하였다. 그 다음에, 120℃, 압력 0.5MPa로 75초간 열 프레스를 실시하였다.Peel off the protective film from each resin sheet A prepared using the resin compositions 1 to 10, and use a batch-type vacuum pressurized laminator (2-stage build-up laminator, CVP700, manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.) to seal the resin composition layer with the copper-clad laminate. It laminated on both surfaces of a copper clad laminated board so that it might come into contact. The lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds, setting the air pressure to 13 hPa or less, and compressing the laminate at 130°C and a pressure of 0.74 MPa for 45 seconds. Then, hot pressing was performed at 120°C and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.

(3) 수지 조성물 층의 열경화(3) Thermal curing of the resin composition layer

수지 시트가 라미네이트된 동장 적층판을, 100℃의 오븐에 투입 후 30분간, 그 다음에 180℃의 오븐에 옮긴 후 30분간 열경화해서 절연층을 형성하고, 이형 PET를 박리하였다. 이것을 경화 기판 A라고 한다.The copper-clad laminate on which the resin sheet was laminated was placed in an oven at 100°C for 30 minutes, then transferred to an oven at 180°C and then thermally cured for 30 minutes to form an insulating layer, and release PET was peeled off. This is referred to as cured substrate A.

(4) 레이저 비아 가공(4) Laser via processing

미츠비시 덴키사 제조 CO2 레이저 가공기 「605GTWIII(-P)」를 사용하고, 절연층 위에서 레이저를 조사하여, 절연층에 탑 지름(직경) 30㎛의 비아홀을 형성하였다. 레이저의 조사 조건은, 마스크 지름 1mm, 펄스 폭 16μs, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10kHz)였다. 이것을 비아 가공 기판 A라고 한다.A via hole having a top diameter (diameter) of 30 μm was formed in the insulating layer by irradiating a laser on the insulating layer using a CO 2 laser processing machine “605GTWIII(-P)” manufactured by Mitsubishi Electric Corporation. The laser irradiation conditions were: mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2, burst mode (10 kHz). This is referred to as via processing substrate A.

(5) 조화 처리를 실시하는 공정(5) Process of roughening

비아 가공 기판 A에 조화 처리로서의 디스미어 처리를 실시하였다. 또한, 디스미어 처리로서는, 하기의 습식 디스미어 처리를 실시하였다.Desmear treatment as a roughening treatment was performed on the via processing substrate A. In addition, as a desmear process, the following wet desmear process was implemented.

습식 디스미어 처리:Wet desmear treatment:

팽윤액(아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 세큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화나트륨의 수용액)에 60℃에서 10분간, 그 다음에 산화제 용액(아토텍 재팬사 제조 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 과망간산 칼륨 농도 약 6%, 수산화나트륨 농도 약 4%의 수용액)에 80℃에서 20분간, 마지막으로 중화액(아토텍 재팬사 제조 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」, 황산 수용액)에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조하였다. 이것을 조화 기판 A라고 한다.A swelling solution (“Swelling Deep Securigant P” manufactured by Atotech Japan, an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60° C. for 10 minutes, and then an oxidizing agent solution (“outlet” manufactured by Atotech Japan) Rate Compact CP”, potassium permanganate concentration of about 6%, sodium hydroxide concentration of about 4%) at 80 ° C for 20 minutes, and finally neutralization solution (“Reduction Solution Securigant P” manufactured by Atotech Japan, sulfuric acid aqueous solution) After immersing in 40 ℃ for 5 minutes, dried at 80 ℃ 15 minutes. This is referred to as roughened substrate A.

<디스미어 처리 후의 비아 지름의 측정><Measurement of via diameter after desmear treatment>

조화 기판 A를, FIB-SEM 복합 장치(SII 나노테크놀로지사 제조 「SMI3050SE」)를 사용하여 단면 관찰을 실시하였다. 상세하게는, 레이저 비아의 수직인 방향에서의 단면을 FIB(집속 이온 빔)에 의해 깎아내고, 단면 SEM 화상으로부터, 디스미어 처리 후의 레이저 비아 지름을 측정하였다. 각 샘플에 대하여, 무작위로 선택한 5개소의 단면 SEM 화상으로부터, 디스미어 처리 후의 비아 탑 지름을 측정하고, 그 평균치를 비아 탑 지름(Lt)(㎛)으로 하여, 하기 표에 나타냈다.Cross section observation was performed for roughening board|substrate A using the FIB-SEM composite apparatus ("SMI3050SE" by SII nanotechnology company). Specifically, a cross section in the vertical direction of the laser via was scraped by FIB (Focused Ion Beam), and the laser via diameter after desmear treatment was measured from the SEM image of the cross section. For each sample, via top diameters after desmear treatment were measured from cross-sectional SEM images of five randomly selected locations, and the average value was determined as via top diameter (Lt) (μm), and is shown in the table below.

<조화 처리 후의 할로잉 거리의 측정><Measurement of hollowing distance after roughening treatment>

조화 기판 A를, 광학 현미경(하이록스사 제조 「KH8700」)으로 관찰하였다. 상세하게는, 비아홀의 주변의 절연층을, 광학 현미경(CCD)을 사용하여, 조화 기판 A의 상부에서 관찰하였다. 이 관찰은, 비아 탑에 광학 현미경의 초점을 맞춰 실시하였다. 관찰 결과, 비아홀의 주위에, 상기 비아홀의 비아 탑의 엣지로부터 연속해서, 절연층이 백색으로 변색된 도넛 형상의 할로잉부가 보였다. 거기에서, 관찰된 상으로부터, 비아홀의 비아 탑의 반경(할로잉부의 내주 반경에 상당)(r1)과, 할로잉부의 외주 반경(r2)을 측정하고, 이들 반경(r1)과 반경(r2)의 차(r2-r1)를, 그 측정 지점의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리로서 산출하였다.The roughened board|substrate A was observed with the optical microscope ("KH8700" by Hyrox Corporation). In detail, the insulating layer around the via hole was observed from the top of the roughened substrate A using an optical microscope (CCD). This observation was performed by focusing an optical microscope on the via top. As a result of observation, around the via hole, a donut-shaped hollow portion in which the insulating layer was discolored continuously from the top edge of the via hole was observed. There, from the observed image, the radius r1 of the via top of the via hole (corresponding to the inner circumferential radius of the hollowed portion) and the outer circumferential radius r2 of the hollowed portion are measured, and these radii r1 and r2 The difference (r2-r1) of was calculated as the hollowing distance from the edge of the via top at the measurement point.

상기 측정을, 무작위로 선택한 5개소의 비아홀에서 실시하였다. 그리고, 측정된 5개소의 비아홀의 할로잉 거리의 측정치의 평균을, 그 샘플의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)로서 채용하였다.The measurement was carried out at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the hollowing distances of the five via holes was adopted as the hollowing distance (Wt) from the edge of the via top of the sample.

하기 표에 있어서, 할로잉비(Ht)란, 조화 처리 후의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)와, 조화 처리 후의 비아홀의 비아 탑의 반경(Lt/2)의 비(「Wt/ (Lt/2)」를 나타낸다. 이 할로잉비(Ht)가 35% 이하이면 「○」라고 판정하고, 할로잉비(Ht)가 35%보다 크면 「×」라고 판정하였다.In the table below, the hollowing ratio (Ht) is the ratio of the hollowing distance from the edge of the via top after roughening (Wt) to the radius of the via top of the via hole after roughening (Lt/2) ("Wt/( Lt/2)”. When this hollowing ratio (Ht) was 35% or less, it was determined as “○”, and when the hollowing ratio (Ht) was greater than 35%, it was determined as “×”.

Figure 112018100177964-pat00002
Figure 112018100177964-pat00002

실시예 1 내지 6은, 두께가 10㎛로 얇은 수지 조성물 층을 사용하여 절연층을 형성해도, 할로잉비(Ht)가 작은 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 본 발명의 수지 조성물 층에 의해, 두께가 얇아도 할로잉 현상의 억제가 가능한 절연층을 실현할 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예 1 내지 6은, 난연성도 우수한 것을 확인하였다.In Examples 1 to 6, even if the insulating layer is formed using a resin composition layer as thin as 10 μm in thickness, it is found that the hollowing ratio (Ht) is small. From this result, it was confirmed that the resin composition layer of the present invention can realize an insulating layer capable of suppressing the hollowing phenomenon even when the thickness is thin. In addition, it was confirmed that Examples 1 to 6 were also excellent in flame retardancy.

실시예 1 내지 6에 있어서, (E) 성분 내지 (F) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차는 있지만, 상기 실시예와 동일한 결과로 귀착됨을 확인하였다.In Examples 1 to 6, it was confirmed that even when components (E) to (F) were not contained, the same results as those of the above examples were obtained, although to a certain extent.

100 절연층
100U 도체층과는 반대측의 절연층의 면
110 비아홀
120 비아 보텀
120C 비아 보텀의 중심
130 비아 탑
140 변색부
150 비아홀의 비아 보텀의 엣지
160 간극부
170 간극부의 외주측의 단부
180 비아홀의 비아 탑의 엣지
190 변색부의 외주측의 테두리부
200 내층 기판
210 도체층(제1 도체층)
210U 제1 도체층의 주면
220 제2 도체층
220D 제2 도체층 주면
300 프린트 배선판
Lb 비아홀의 보텀 지름
Lt 비아홀의 탑 지름
T 절연층의 두께
Wt 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리
Wb 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리100 insulating layer
The surface of the insulating layer opposite to the 100U conductor layer
110 via hole
120 Via Bottom
Center of 120C Via Bottom
130 Via Top
140 discoloration zone
150 Via bottom edge of via hole
160 gap
170 End of the outer peripheral side of the gap
180 Via Hole's Via Top's Edge
190 Edge part on the outer circumferential side of the discolored part
200 inner layer substrate
210 conductor layer (first conductor layer)
Main surface of 210U first conductor layer
220 second conductor layer
220D 2nd conductor layer main surface
300 printed wiring board
Lb Via hole bottom diameter
Lt top diameter of via hole
T thickness of insulation layer
Hollowing distance from edge of Wt via top
Wb Hollowing distance from edge of via bottom

Claims (16)

수지 조성물을 포함하는 두께 15㎛ 이하의 수지 조성물 층으로서,
수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 수산화마그네슘, 및 (D) 실리카를 포함하는, 수지 조성물 층.A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less comprising a resin composition,
The resin composition layer, wherein the resin composition contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica. 제1항에 있어서, (D) 성분의 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the component (D) has an average particle diameter of 3 µm or less. 제1항에 있어서, (D) 성분의 평균 입자 직경이 0.3㎛ 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the component (D) has an average particle diameter of 0.3 μm or less. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 3질량% 이상 50질량% 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the content of the component (D) is 3% by mass or more and 50% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, (B) 성분이, 페놀계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the component (B) is at least one selected from a phenol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, and a benzoxazine-based curing agent. 제1항에 있어서, (A) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 3질량% 이상 50질량% 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the content of the component (A) is 3% by mass or more and 50% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, (C) 성분이 표면 처리제로 표면 처리되어 있는, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein component (C) has been surface-treated with a surface treatment agent. 제7항에 있어서, 표면 처리제가 알콕시실란 화합물인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 7, wherein the surface treatment agent is an alkoxysilane compound. 제8항에 있어서, 알콕시실란 화합물이, 아미노기 또는 비닐기를 갖는, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 8, wherein the alkoxysilane compound has an amino group or a vinyl group. 제7항에 있어서, 표면 처리제의 양이, 수산화마그네슘 100질량부에 대하여 5질량부 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 7, wherein the amount of the surface treatment agent is 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of magnesium hydroxide. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 했을 때, 2질량% 이상 40질량% 이하인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, wherein the content of component (C) is 2% by mass or more and 40% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, 다층 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물 층인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, which is a resin composition layer for an insulating layer of a multilayer printed wiring board. 제1항에 있어서, 탑 지름 35㎛ 이하의 비아홀을 갖는 절연층 형성용인, 수지 조성물 층.The resin composition layer according to claim 1, which is for forming an insulating layer having a via hole having a top diameter of 35 μm or less. 지지체와, 지지체 위에 제공된, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물 층을 포함하는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and the resin composition layer according to any one of claims 1 to 13 provided on the support. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판.A printed wiring board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition layer according to any one of claims 1 to 13. 제15항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 15 .
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