KR102545173B1 - 위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 - Google Patents
위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102545173B1 KR102545173B1 KR1020180028307A KR20180028307A KR102545173B1 KR 102545173 B1 KR102545173 B1 KR 102545173B1 KR 1020180028307 A KR1020180028307 A KR 1020180028307A KR 20180028307 A KR20180028307 A KR 20180028307A KR 102545173 B1 KR102545173 B1 KR 102545173B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase detection
- pdpx
- phase
- pixel
- subpixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 359
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 71
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 102100034940 Selenoprotein S Human genes 0.000 description 2
- 101150105184 Selenos gene Proteins 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
- H10F39/8023—Disposition of the elements in pixels, e.g. smaller elements in the centre of the imager compared to larger elements at the periphery
-
- H01L27/14605—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H01L27/14621—
-
- H01L27/14623—
-
- H01L27/14627—
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8053—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/813—Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/182—Colour image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 픽셀 어레이의 일부 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 위상 검출 픽셀 쌍 및 제2 위상 검출 픽셀 쌍의 구체적인 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 픽셀 어레이의 일부 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 위상 검출 픽셀 쌍 및 제2 위상 검출 픽셀 쌍의 구체적인 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 개시의 일 실시예에 따른 위상 검출 픽셀 쌍들의 배치 패턴을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 개시의 실시예가 공유 픽셀 구조에 적용된 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 도 8의 위상 검출 공유 픽셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 개시의 다른 실시예에 따른 도 8의 위상 검출 공유 픽셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 도 8의 위상 검출 공유 픽셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 도 1의 프로세서의 오토 포커싱 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 포함하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
Claims (10)
- 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에 있어서,
상기 픽셀 어레이는 복수의 공유 픽셀들을 구비하고,
상기 복수의 공유 픽셀들은,
제1 방향으로 서로 인접하게 배치된 제1 위상 검출 서브 픽셀들을 구비하는 제1 위상 검출 공유 픽셀; 및
상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 서로 인접하게 배치된 제2 위상 검출 서브 픽셀들을 구비하는 제2 위상 검출 공유 픽셀을 포함하고,
상기 제1 위상 검출 서브 픽셀들의 감도와 상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들의 감도가 상이하며,
상기 제1 위상 검출 공유 픽셀은, 각각 개별적으로 마이크로 렌즈에 덮힌 제1 이미지 센싱 서브 픽셀들을 더 포함하고, 상기 제1 위상 검출 서브 픽셀들은 하나의 제1 싱글 마이크로 렌즈로 덮혀있고,
상기 제2 위상 검출 공유 픽셀은, 각각 개별적으로 마이크로 렌즈에 덮힌 제2 이미지 센싱 서브 픽셀들을 더 포함하고, 상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들은 하나의 제2 싱글 마이크로 렌즈로 덮혀있으며,
상기 제1 위상 검출 서브 픽셀들은, 제1 화이트 컬러 필터를 포함하거나, 컬러 필터를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 직교(orthogonal)하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들은, 컬러 필터를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제2 위상 검출 공유 픽셀은, 상기 제1 위상 검출 공유 픽셀과 상기 제2 방향으로 인접하게 배치되고,
상기 제1 방향은 수평 방향이고, 상기 제2 방향은 수직 방향인 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 이미지 센서는,
각각의 이미지 사이의 위상 차를 산출하기 위한 위상 정보를 생성하기 위해 상기 제1 위상 검출 서브 픽셀들에 대한 광 노출 시간 및 상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들에 대한 광 노출 시간을 상이하게 제어하는 타이밍 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들은, 제2 화이트 컬러 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들은, 컬러 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 제1 위상 검출 서브 픽셀들로부터 수신한 제1 위상 정보 및 상기 제2 위상 검출 서브 픽셀들로부터 수신한 제2 위상 정보 중 적어도 하나를 이용하여 감도 기반 위상 차 연산을 수행하고, 연산 결과를 기반으로 렌즈의 위치를 조절하기 위한 제어 신호를 생성하는 프로세서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제8항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 위상 정보를 이용하여 제1 위상 차 값 및 상기 제1 위상 차 값의 신뢰 레벨을 생성하며, 상기 제1 위상 차 값의 신뢰 레벨을 기반으로 상기 제2 위상 정보를 이용하여 제2 위상 차 값을 연산하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제9항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 위상 차의 신뢰 레벨이 임계값 이상인 때에, 상기 제1 위상 차 값을 이용하여 렌즈 구동부를 조절하고,
상기 제1 위상 차의 신뢰 레벨이 임계값 이하인 때에, 상기 제2 위상 차 값 및 상기 제2 위상 차 값의 신뢰 레벨을 생성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180028307A KR102545173B1 (ko) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 |
US16/292,929 US10999544B2 (en) | 2018-03-09 | 2019-03-05 | Image sensor including phase detection pixels and image pickup device |
CN201910178059.2A CN110246853B (zh) | 2018-03-09 | 2019-03-08 | 包括相位检测像素的图像传感器和图像拾取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180028307A KR102545173B1 (ko) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190106599A KR20190106599A (ko) | 2019-09-18 |
KR102545173B1 true KR102545173B1 (ko) | 2023-06-19 |
Family
ID=67843594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180028307A Active KR102545173B1 (ko) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10999544B2 (ko) |
KR (1) | KR102545173B1 (ko) |
CN (1) | CN110246853B (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3618430B1 (en) * | 2017-04-25 | 2022-02-09 | Sony Group Corporation | Solid-state image capturing device and electronic instrument |
US11172142B2 (en) * | 2018-09-25 | 2021-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor for sensing LED light with reduced flickering |
KR102687972B1 (ko) * | 2019-06-21 | 2024-07-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN112866553B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-05-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 对焦方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
CN112866511B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-06-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 成像组件、对焦方法和装置、电子设备 |
CN112866554B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-06-10 | Oppo广东移动通信有限公司 | 对焦方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
CN112866550B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-07-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 相位差获取方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
CN112866510B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-06-10 | Oppo广东移动通信有限公司 | 对焦方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
CN112866546B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-09-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 对焦方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
CN115023938B (zh) * | 2020-02-03 | 2024-06-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 电子装置 |
KR20210099379A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 및 af 수행 방법 |
KR102801630B1 (ko) * | 2020-06-18 | 2025-04-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR20220041351A (ko) * | 2020-09-25 | 2022-04-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR20220043556A (ko) | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102778978B1 (ko) * | 2020-11-18 | 2025-03-11 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 및 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치 |
KR20220072116A (ko) | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN112929563B (zh) * | 2021-01-21 | 2022-08-26 | 维沃移动通信有限公司 | 对焦方法、装置及电子设备 |
US11616934B2 (en) | 2021-03-22 | 2023-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
KR20220140925A (ko) * | 2021-04-09 | 2022-10-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102759039B1 (ko) * | 2021-12-07 | 2025-01-23 | (주) 오로스테크놀로지 | 시프티드 그레이팅 패턴을 구비한 오버레이 타겟 및 그 타겟의 오버레이 오차 측정 방법 |
EP4254977A4 (en) * | 2022-01-21 | 2024-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ELECTRONIC DEVICE COMPRISING AN IMAGE SENSOR AND ASSOCIATED OPERATING METHOD |
KR20230149503A (ko) * | 2022-04-20 | 2023-10-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 프로세서 및 그를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
US20240105747A1 (en) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | Apple Inc. | Phase detection autofocus pixel |
WO2025069523A1 (ja) * | 2023-09-29 | 2025-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子、撮像装置、撮像素子の制御方法、及び撮像素子の制御プログラム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281296A (ja) | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
JP4500434B2 (ja) | 2000-11-28 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8432466B2 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-30 | International Business Machines Corporation | Multiple image high dynamic range imaging from a single sensor array |
JP5942697B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2016-06-29 | 株式会社ニコン | 焦点検出装置および撮像装置 |
US20150062422A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Lens alignment in camera modules using phase detection pixels |
JP2015060855A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US9445018B2 (en) * | 2014-05-01 | 2016-09-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with phase detection pixels |
US9432568B2 (en) | 2014-06-30 | 2016-08-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixel arrangements for image sensors with phase detection pixels |
US9338380B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image processing methods for image sensors with phase detection pixels |
CN115132767A (zh) * | 2014-12-18 | 2022-09-30 | 索尼公司 | 固体摄像器件和电子装置 |
US9729806B2 (en) | 2015-01-06 | 2017-08-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with phase detection pixels |
US9455285B2 (en) | 2015-02-04 | 2016-09-27 | Semiconductors Components Industries, Llc | Image sensors with phase detection pixels |
US9787889B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-10-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Dynamic auto focus zones for auto focus pixel systems |
US20160269662A1 (en) | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with increased stack height for phase detection pixels |
US9749556B2 (en) * | 2015-03-24 | 2017-08-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems having image sensor pixel arrays with phase detection capabilities |
US9485442B1 (en) | 2015-05-18 | 2016-11-01 | OmniVision Technololgies, Inc. | Image sensors for robust on chip phase detection, and associated system and methods |
CN107736020B (zh) * | 2016-05-23 | 2019-03-26 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像装置、图像处理装置、图像处理方法和图像处理程序 |
US10033949B2 (en) * | 2016-06-16 | 2018-07-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with high dynamic range and phase detection pixels |
CN106973206B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-06-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | 摄像模组摄像处理方法、装置和终端设备 |
KR102398667B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2022-05-16 | 삼성전자주식회사 | 위상 검출 픽셀을 포함하는 이미지 센서 |
US10440301B2 (en) * | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
US10498947B2 (en) * | 2017-10-30 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor including light shielding layer and patterned dielectric layer |
KR102624107B1 (ko) * | 2018-12-06 | 2024-01-12 | 삼성전자주식회사 | 복수의 서브 픽셀들을 덮는 마이크로 렌즈를 통해 발생된 광의 경로 차에 의해 깊이 데이터를 생성하는 이미지 센서 및 그 이미지 센서를 포함하는 전자 장치 |
-
2018
- 2018-03-09 KR KR1020180028307A patent/KR102545173B1/ko active Active
-
2019
- 2019-03-05 US US16/292,929 patent/US10999544B2/en active Active
- 2019-03-08 CN CN201910178059.2A patent/CN110246853B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4500434B2 (ja) | 2000-11-28 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法 |
JP2007281296A (ja) | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10999544B2 (en) | 2021-05-04 |
KR20190106599A (ko) | 2019-09-18 |
CN110246853B (zh) | 2025-02-25 |
CN110246853A (zh) | 2019-09-17 |
US20190281226A1 (en) | 2019-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102545173B1 (ko) | 위상 검출 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 및 이미지 촬상 장치 | |
US10412349B2 (en) | Image sensor including phase detection pixel | |
US8159599B2 (en) | Focus detection apparatus, focus detection method, and image sensing apparatus | |
KR101342968B1 (ko) | 고체촬상소자 및 촬상장치 | |
CN107249097B (zh) | 摄像设备及其控制方法 | |
KR102609559B1 (ko) | 공유 픽셀들을 포함하는 이미지 센서 | |
JP6572975B2 (ja) | 撮像装置 | |
US5428420A (en) | Focus detecting apparatus having photoelectric area sensors | |
JP2022070246A (ja) | 均等に配置された位相検出ピクセルを含むピクセルアレイ及びそれを含むイメージセンサ | |
US20220102413A1 (en) | Image sensing device | |
US20240205560A1 (en) | Sensor including micro lenses of different sizes | |
KR20160141572A (ko) | 이미지를 촬영하는 전자 장치 및 방법 | |
US5615399A (en) | Focus detecting apparatus having photoelectric area sensors | |
JP2003279348A (ja) | 位相差検出方法、位相差検出装置、測距装置および撮像装置 | |
US9402069B2 (en) | Depth measurement apparatus, imaging apparatus, and method of controlling depth measurement apparatus | |
CN114257766B (zh) | 图像感测装置 | |
US20140362190A1 (en) | Depth measurement apparatus, imaging apparatus, and method of controlling depth measurement apparatus | |
JP3292415B2 (ja) | カメラの測距装置 | |
US12364045B2 (en) | Image sensing device | |
US20250040280A1 (en) | Image sensor and image capture apparatus | |
KR20210065939A (ko) | 합초도 검출 장치, 심도 맵 생성 장치, 및, 전자 기기 | |
US20250040271A1 (en) | Image sensor and image capture apparatus | |
JP2016206556A (ja) | 測距像の取得方法、およびそれを用いる撮像装置 | |
US20240196089A1 (en) | Detecting apparatus, image pickup apparatus, and detecting method | |
US9407841B2 (en) | Depth measurement apparatus, imaging apparatus, and method of controlling depth measurement apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180309 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210309 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20180309 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20221011 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230315 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230614 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230615 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |